塞效应测试仪

Seebeck Measurement System塞贝克效应测试仪Thermoelectric MeasurementsspecificationØ Small Sample SizesØ 2 mm to 10 m lengthØ 1 to 2 mm wide and highØ Specifications:Ø Resolution: 50nVØ Minimum step of power to heater to determine temp difference: 0.1 mWØ Max thermal range measured: +/- 3mVØ Internal standard to ensure error correction in measurementsØ ControllersØ Rack mountableØ GPIB OptionsØ USB ConnectionsØ Software for control and analysis providedØ Can be used with LabView ****

MMR SB100 变温塞贝克热电效应测试仪器 塞贝克热电效应测量系统允许用户可以通过从70 K到400 K温度范围内自动测量塞贝克效应在金属，半导体和其他电子导电样品的热电效应，也可从200K到730K。样品安装很简单，可实现样品的快速更换。该塞贝克系统兼容不同的计算机通过IEEE - 488（GPIA）或RS - 232接口。可编程塞贝克的混合测量系统包括了SB - 100可编程控制器塞贝克的K - 20可编程温度控制器，塞贝克热阶段和配件，计算机（PC），和MMR提供的软件. 塞贝克热电系统包括两个热电偶对。一对是形成了铜路口和已知的塞贝克电动势的参考。另一对是形成了铜路口及材料的塞贝克电动势。该系统采用更复杂的参数测量技术，能更精确，高重复性。 特征工作温度：70K至730K2个16bit A / D转换器分辨率：50nV测试精度：0.1％最小加热器步长：0.1mw自动读取：高达128软件支持所有测量样品长度：“2mm10mm电源输入：110V,60Hz和220V，50Hz

一、产品概述：霍尔效应测试仪是一种用于测量材料霍尔效应的仪器，主要用于评估半导体和导体的电学特性。该设备能够准确测量材料在外部磁场下的电导率、霍尔电压和载流子浓度等参数，广泛应用于材料科学和电子工程领域。二、设备用途/原理：设备用途霍尔效应测试仪主要用于半导体材料的研究与开发、电气元件的性能测试以及材料的电学特性评估。它帮助研究人员了解材料的载流子类型、浓度及迁移率，为新材料的设计和应用提供重要数据支持。工作原理霍尔效应测试仪的工作原理基于霍尔效应现象。当电流通过材料时，施加垂直于电流方向的磁场会在材料中产生霍尔电压。通过测量霍尔电压和已知的电流及磁场强度，仪器能够计算出材料的霍尔系数、载流子浓度和迁移率等电学参数。这一过程通常涉及精密的电流和磁场控制，以确保测量的准确性和重复性。三、主要技术指标：1. 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等2. 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500K3. 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq4. 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-35. 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cm6. 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板7. 大样品测量直径：25mm

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

HMS-7000 光电霍尔效应测试仪相比于传统的变温霍尔效应测试仪，变温光模霍尔效应测试仪可以通过改变照射在样品上的不同波长范围的光源（红、绿、蓝光源），得出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数等半导体电学重要参数随光源强度变化的曲线。 光学模块 通过HMS-7000主机及霍尔效应测试仪软件控制光源及马达自动完成测试，并绘制出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数随光源强度变化的曲线如下：

Ecopia为全球霍尔效应测试仪的领导者。针对半导体材料的霍尔效应测试，Ecopia有多个系列、型号的产品推荐给不同要求的霍尔效应仪客户。 HMS-3300 / HMS-3500高温霍尔效应测试仪使用HMS-3000霍尔主机。HMS-3300 / HMS-3500高温霍尔效应仪的变温磁体包使用5500高斯的永磁体组，高温样品板通过温控仪手动控温，温度范围：常温 ~ 300摄氏度 (或500摄氏度)，磁体换向通过磁体组的手动平移实现。 总的来说，HMS-3300 / HMS-3500是一款手动调温的高性价比成熟霍尔效应测试仪。

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

iSD-300冲击波毁伤效应测试仪 针对战斗部冲击波超压毁伤效应测试需求开发，将ICP恒流源调理、A/D转换器、大容量存储器、可充电锂电池、SOC单元及数据通讯单元等集成一体，可独立工作，直接接驳ICP型冲击波压力传感器，放置于测点附近，自动采集存储冲击波毁伤效应数据；内置GPS定位授时单元和无线通信单元，实现分布式多点无线同步测量及远程无线遥测功能。产品特点 ■ 仪器小巧、坚固、轻便，可独立工作，现场一键设置；■ 采样率最高1MSps，满足冲击波超压测试需求；■ 内置ICP恒流源，可直接接驳IEPE型冲击波压力传感器；■ 采用高精度GPS/北斗授时，支持分布式同步触发测量，多点同步时差μs 级；■ 自带电池供电，可置于测点附近，自动完成数据采集和存贮；■ 内置大容量数据存储器，可记录多次试验数据，16段连续采集，防止误触发；具有数据断电保护功能；■ 充电通信接口，一键下载所有设备数据；■ 可采用无线/有线通信方式，远程监测多个设备状态，设置参数，读取数据；■ 近距离（80米内）可通过WiFi应用控制设备，获取状态，读取数据及结果，远距离（5km内）可通过Lora应用控制设备，获取状态及特征值；■ 配套软件可设置参数，显示超压P-T曲线及测试结果，保存试验数据，生成测试报告等。技术指标型号：iSD-300通道数：1/2通道内置调理单元：ICP恒流源 采样率：最高1MSpsAD分辨率：16Bit量程：±10V直流精度：≤±0.3%内置数据存储空间：16 GB，eMMC续航时间：内置可充电锂电池，电池续航时间不低于4H防护等级：防水防尘等级 IP67尺寸、重量：直径：50mm 高：110mm 重：330g工作温度：-20℃～70℃抗冲击：100g更多详细信息，请咨询：四川拓普测控科技有限公司

HL9900 霍尔效应测试仪应用程序通过霍尔效应测量，可以确定以下特性:电阻率/电导率流动性散装/单张载体浓度掺杂类型霍尔系数磁阻垂直/水平阻力比特性Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方HL9950 -可变温度单元Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所...

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

MMR Hall Effect Measurement System controlled continuously variable temperature MMR可控连续变温霍尔效应测试系统1. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数2. 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。3. 磁场强度： 0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择4. 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K5. 电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm6. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms7. 载流子浓度：102~1022cm-38. 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec 仪器优点：1. 采用van der Pauw法测试 2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个 3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出 4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统 5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优 6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试7.允许在一定气体环境下测试8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率

美国MMR塞贝克效应系统 热电材料的研究在能量保存和能源替代方面有着重要的作用, 而热电系数是热电材料的主要参数之一. 通过研究不同温度下的热电系数并配合理论模型可得到载流子类型和能带结构信息等. 主要应用于能源效率, 替代能源, 汽车和燃料消耗等研究. 美国MMR塞贝克效应系统主要参数： 待测样品与参考样品增益不匹配度： 0.1%样品长度：2~10mm电压分辨率：50nV最多可重复测量次数: 128 (自动取平均值)温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选） 美国MMR塞贝克效应系统优势： 比较法测量，测量更准确温度连续可调，从低温到高温腔体体积小，可伸入到磁场 可增加霍尔效应测量模块

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：1T 电磁体3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：25 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.设备明细：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选）3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %3-3测试样品：3-3-1样品测试仓：全封闭、带玻璃窗口3-4温 度：3-4-1温度区域：80K ~730K3-4-2温控精度：0.1K3-4-3温控稳定性：± 0.1 K3-5电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm3-6电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms3-7载流子浓度：102~1022cm-33-8迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec3-9输入电流：3-9-1电流范围：0.1 pA~10mA3-9-2电流精度：2%3-10输入电压：3-10-1电压范围：± 2.5V,最小可测到6× 10-6V3-10-2电压分辨率：3× 10-7V3-10-3电压精度：2%

便携式塞曼效应汞分析仪产品介绍： 便携式塞曼效应汞分析仪采用高频塞背景校正技术（ZAAS-HFM），基于原子蒸气对254nm共振发射线吸收的原理，进行汞分析检测。 便携式塞曼效应汞分析仪可配备不同模块，实现固、液、气多种样品检测，适用于分析/监测大气、水、土壤、烟道气、应急泄露事故、有害废物、生物材料、职业环境检测等。相关检测方法符合国际标准方法：美国EPA METHODsw-846 ，EPA 1631方法，欧盟标准EN 1483,13806，EU15852,国家标准GB 7468-87，EPA Method 7473燃烧热解法，EPA Method 30B吸附管法，美国ASTM D7622-10标准。 产品简介： • RA-915M分析仪用于监测室内外环境空气和天然气中的汞含量• 该分析仪可用于解决环境问题，石油矿田勘探，工程工艺控制，职业健康安全及科学研究等领域中中的汞检测分析• RA-915M可通过添加模块化分析附件，使分析仪可以方便地测定烟道气、饮用水、天然水和废水、土壤、食品、饲料、生物样品、石油及其加工产品中的汞含量产品特点： • 操作简单，全自动化，自行校准• 通用型设计，满足实验室内的常规检测和野外的动态检测• 检出限低，抗干扰力强• 实时检测大气和天然气• 固体，液体直接进样（需附件），无需前处理，无需金丝富集，无需试剂及压缩气体• 多样化友好界面，可通过自带操作面板使用，也可连接电脑使用• 宽泛检测范围，可达四个数量级• 配备内置存储器，储存可长达122小时的数据• 内置电池满足8小时的连续检测需求 应用领域： • 生态调查 对环境空气和大气中汞含量的监控 对居住地及工作地环境中的汞的监测 汞排放源和污染区域的生态调查• 脱汞方法监测 连续监测模式，可在移动状态下连续监测室内外汞含量 实时监测各种方法或试剂的脱汞过程 脱汞方法和过程的质量保证• 地质和地球化学调查 自然界汞循环的研究 矿藏勘探

塞贝克效应测量系统SB1000数字塞贝克效应控制器在设计时考虑到用户和易用性，使用低温系统(液氮低温恒温器)或瞬态信号技术的热级系统，集成到真空环境中，为80 K - 700 K宽温度范围内的塞贝克系数测量提供了可靠的平台。以上翻译结果来自有道神经网络翻译（YNMT） 通用场景应用程序热电动势测量温度依赖导电样本提供的信息大部分航空公司的标志,电荷传导机制与合适的理论模型,材料的能带结构的信息。的知识塞贝克系数是一个关键因素优化热电材料和找到正确的应用程序。灵敏度高,结构变化使热电动势测量一个优秀的技术结构研究阶段条件对给定材料的电荷传输性质。特性高精度的塞贝克系数测量高信噪比和快速数据采集差分测量算法宽温度范围(80 K - 700 K)统计数据分析实时热电压瞬态测量用户友好的、自动测量设置典型变量温度塞贝克效应测量系统(SMS)一个典型变量温度塞贝克效应测量系统包括:DC600可编程温度控制器和SB1000塞贝克效应测量控制器液氮低温恒温器和集成放大电路到真空环境中聚酰亚胺薄膜(80 K - 400 K)或陶瓷(200 K - 700 K)样品安装阶段真空泵和真空配件用两个探针或四个探针测量技术测量电导率的四个焊接针Dell Optiplex 3000 Tower desktop com

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)] 产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。 清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所、华南理工、天合光能...

胶塞穿刺力测试仪穿刺力测试仪是一种专门用于测试各种材料的穿刺强度的仪器，其在医疗药品、制药方面有着广泛的应用。在医疗药品领域，穿刺力测试仪常被用于测试药品瓶的胶塞、注射针针尖、针灸针等材料的穿刺力强度。这些材料需要具备一定的穿刺强度，以确保它们在使用过程中的安全性和可靠性。穿刺力测试仪主要由测试头、传感器、数据采集系统和控制系统组成。测试时，将待测样品放在测试头上，通过控制系统调整穿刺力度和速度，传感器感知穿刺力值并将其转化为电信号；数据采集系统对电信号进行分析和处理，得出穿刺力值。控制系统可以对测试过程进行精确控制，以确保测试结果的准确性和可靠性。穿刺力测试仪在制药方面也有着广泛的应用。在药品生产过程中，需要对原材料、半成品和成品进行物理性能的检测。其中，穿刺力测试是关键的测试项目之一，它可以有效地检测材料的物理性能和安全性能。例如，对于注射剂药品，需要对注射针的针尖进行穿刺力测试，以确保其在使用过程中的安全性和可靠性；对于包装材料，需要对输液瓶的胶塞进行穿刺力测试，以避免包装材料受到污染。穿刺力测试仪是一种非常重要的测试仪器，在医疗药品、制药方面有着广泛的应用价值。通过测试材料的穿刺力强度，可以有效地检测材料的安全性能和物理性能，为产品的质量和安全性提供保障。 技术参数测量范围 0-300N （其他量程可定制）测量误差 ±1%测量速度 1-500m/min无极调速速度误差 ±2%误差外形尺寸 310mm×400mm×560mm (长宽高)重量 26Kg环境要求环境温度 15℃-50℃相对湿度 ≤80%，无凝露 工作电源 220V 50Hz 标 准GB/T10004、YBB00322004-2015、YBB00102005-2015、YBB00342002-2015、YBB00112005-2015、YBB00242004-2015 配 置标准配置：穿刺仪主机、微型打印机、穿刺力夹具选购件：测试软件、通讯线缆 胶塞穿刺力测试仪此为广告

一．用途浪涌测试满足测试标准 IEC 60601-1:2005 (Issue 3) Figure 10 (IEC 60601-1 Figure 50 旧版本)； 满足标准 60601-1:2005 Figure 11 IEC 60601-2-34 Issue 2(可选) IEC60601-2-34Issue 3(包含) IEC 60601-2-49 EC-13 EC-53 和新标准要求 IEC 60601-2-25:2011 和 IEC60601-2-27:2011（含修正 1）。除颤效应防护测试 (共模， 差模)和节能测试。 所有这些测试都使用相同的 5000V 信号源，但输出波形不同。 DFT60包含各种测试所需的不同电路。二．特点和性能规格1、剩余电压自动测量：解决外接示波器测试过程中被干扰导致数据错误的问题2、自动切换导联和输出参数不用频繁去人工切换导联和输出参数，全部软件自动和选择，极大提高了测试效率和安全性。3、充电电压 ： 0 - 5500 V ±1%4、主电容 ： 32 uF ±5%电感 ： 500uH 和 25 mH ±5%5、内阻：10Ω，11Ω 根据标准自动切换或者设置。6、主电阻 ： 100 Ω， 50 Ω and 400 Ω ±1% 无感7、内部信号：5vPP±5%；20vPP±5% 10Hz±1%8、电压控制：数字设置9、极性控制 ： 正极和负极， 数字设置10、电压显示 ：7寸液晶触摸屏11、电压表分辨率 ：1V12、电压表精确度 ： ±1%13、占空比 ： 脉冲间隔 20s，±1%100电阻档， 可达 70脉冲14、脉冲间隔 12s，+1%/-5% 100 电阻档， 连续运行15、线性电压 ：120V AC，50/60Hz *可选不同的线性电压16、能量测试：- 仅工作时 ： 25mH 电感 (符合节能测试要求)- 显示分辨率值 ：1焦耳- 重复性 ： ± 2 焦耳，（脉冲之间）三．工作条件1）工作温度： 15-28 º C，相对湿度范围 ： 0-90% 不凝结2）电源电压: 单相 220V ±10%，220V+/-10%，50-60 Hz

主要特点 1）直接测量ECE材料的电卡效应 2）系统校准以确保测试的精度 3）整合的样品夹具，便捷实现校准和高压测试切换 4）保护电路，以保护Stanford Research Systems SR560 前置放大器. 5）热流量传感器：测试热流量和温度 6）响应速度：0.1s 7）热阻0.01 °F /BTU/ft2-hr，输出信号3 uV/BTU/ft2-hr，热容量0.02 BTU/ft2/°F. 8）Stanford Research Svstems SR560 前置放大器宽频测试、噪音滤波功能 主要技术规格： 1）测量温度范围-50°Cto 200°C 2）响应时间：≤100ms 3）样品尺寸：up to 20mmX20mm 4）热流量传感器灵敏度：3uV/BTU/ft2-hr 5）数据采集系统：16 bits ADA 6）软件控制测量系统，支持自动多频率/循环/电压测试 7）低噪音前置放大器 8）增益范围：1 to 50000 9）频率范围：up to 1MHz 10）输入噪音：4 nV/VHzRelated Publications:1. Science, VOL 321，page 821, 2008 Large Electrocaloric Effect in Ferroelectric Polymers Near Room Temperature2. Nature, Vol 600, No 7890, Dec 23, 2021 High-entropy polymer produces a giant electrocaloric effect at low fields. Xiaoshi Qian, Shihai Zhang, Qiming Zhang, etc.

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

胶塞穿刺力测试仪MED-02医药包装性能测试仪通常也称医药包装撕拉力测试仪，依照药包材标准中的规定设计，主要应用于医药包材、铝箔、PVC硬片、复合膜、注射器、卡式瓶等产品的热合强度、拉伸强度、剥离强度、断裂伸长率等测试 安瓿瓶折断力测试 铝塑组合盖开启力、穿刺力、铝片撕开力等测试：注射器密封性、滑动性能、针与针座连接力等测试功能，是一台结合不同夹具，测试各种医用包装材料力学性能的检测仪器。产品特点◎ 微电脑控制、菜单式界面、PVC操作面板、以及大液晶显示、方便用户快速操作使用。◎ 一台仪器上拉伸、开启力、穿刺力、折断力等多种不同测试项目可选择。◎ 可进行参数设置、打印、查看、清除、标定等多项功能操作。◎ 具有参数掉电记忆，过载保护功能、限位保护功能、试验结束自动回位。◎ 专业测控软件支持、各功能独立运行、标准计量单位、无需人工换算。◎ 进行成组试样的统计分析运算、给出算数平均值、Z大值、Z小值。◎ 系统支持拉伸、压缩双向试验模式，且速度均可自由设定。◎ 配备USB标准接口和打印机接口，方便数据传输。◎ 仪器可独立完成试验机，微型打印机自动打印试验结果。◎ 软件用户分级权限管理，数据统计及审计功能满足行业要求。胶塞穿刺力测试仪测试原理将试样装夹在两个夹头之间，两夹头做相对运动，通过特殊夹头将进行穿刺或开启力试验。通过仪器测力系统测试此过程中的力值变化与位移变化，从而得出相应力值数据。测试标准该仪器符合多项国家和国标标准： YBB00152002 - 2015 、 YBB00212005 - 2015 、YBB00212004-2015、YBB003320022015、YBB00082005-2015、YBB00092005-2015、YBB00342002-2015、YBB00132002-2015、YBB00402003-2015、YBB00042005-2015、GB/T 1040.1-2006、GB/T 1040.2-2006、GB/T 1040.3-2006、GB/T 1040.4-2006、GB/T 1040.52006、GB/T12914-2008、GB/T17200、GB15811-2001、GB/T1962.1-2001、GB 2637-1995、GB 15810-2001、ISO37、 ASTM E4、ASTM D882、ASTM D1938、ASTM D3330、ASTM F88、ASTM F904、QB/T2358、QB/T1130、JIS P8113。 售后服务承诺三月内只换不修，一年质保，终身提供。快速处理，1小时内响应问题，1个工作日出解决方案。 体系荣誉资质ISO9001：2008质量体系认证、计量合格确认证书、CE认证、软件著作权、产品实用新型、外观设计。实力铸造品牌三大研发中心，两条独立生产线，一个综合体验式实验室。赛成自2007年创立至今，全球用户累计成交产品破万台，完善四大产品体系，50多种产品。

注射器活塞滑动性能测试仪仪器介绍： 赛成研发的MED-02A笔式注射器活塞滑动性能则试仅是一款多功能笔试注射器物理性指标检测仪器，配上赛成精殊定制的失具可以完成注射器的滑动性实验，泄露性实验，针尖穿刺实验等。满足Y8B00162004-2015《笔试注射器用丁基胶塞活塞性能》的基本要求。注射器活塞滑动性能测试仪_医药包装测试仪性能特点： 1 满足多项国家对活塞滑动性能的测试标准标准要求，此外还可用于拉压试验 、剥离强度、开启力、穿刺力等十几项单独撕拉实验项目。 2 笔式注射器泄漏性能滑动性能测试仪通过调换不同夹具，除了检测笔试注射器滑动性和泄露性指标外还可扩展进行多种试验项目。 3 MED-02A笔式注射器泄漏性能滑动性能测试仪用的“快速气动夹紧装置获得国家知识产权局颁发的实用新型证书。 4 配有大液晶数显显示测试过程、PVC操作面板、专业电脑软件操作系统、进口传感器系统、丝杠传动系统、微型打印机等高端配置。 赛成MED-02医药包装测试滑动性能仪器 执行测试标准YBB00152004-2015《笔式注射器用氯化丁基橡胶活塞和垫片》YBB00162004-2015 《笔式注射器用溴化丁 基橡胶活塞和垫片》YBB00112004-2015 《预灌封注射器组合件(带注身针)》等相关标准。 济南赛成该款笔试注射器泄漏性能滑动性能测试仪介绍采用5. 7英寸(320x240)单彩液晶触摸显示屏，中文菜单显示。并由键盘进行选择卡式瓶的规格、实时显示并打印实验结果独立试验结果。

丁基胶塞具有优异的密封性能和良好的耐药品性，是当前药品包装行业中唯一的玻璃瓶用直接接触药品的密封用胶塞，并随着大输液软袋应用的普及，丁基胶塞的应用更为广泛。国家食品药品监督管理局自2002年版布“直接接触药品的包装材料和容器标准汇编”就对于丁基胶塞的穿刺性能检测进行了相关规定，具体检测包括穿刺力及穿刺落屑等指标。Labthink兰光的 MED-01药用丁基胶塞穿刺性能测试仪_丁基胶塞穿刺力测试仪 专业应用于丁基胶塞穿刺性能的测试，可以精确地测量穿刺器刺破丁基胶塞所需要的力值，其测试原理：穿刺器安装在穿刺装置上，使丁基胶塞中心能够受到垂直穿刺，穿刺器以速度200±50mm/min的速度穿刺，系统记录刺透丁基胶塞所施加的力。MED-01药用丁基胶塞穿刺性能测试仪_丁基胶塞穿刺力测试仪技术指标：规格：250N（标配）；50N、100N、500N（可选）精度：优于0.5级试验速度—进程：10，50，100，150，200mm/min（标配） 返程：10，50，100，150，200 mm/min（标配）试样数量：1件试样宽度：30 mm（标配夹具）；50 mm（可选夹具）试样夹持：手动行程：600 mm外形尺寸：851mm(L)×500mm(W)×940mm(H)电源：AC 220V 50 Hz最大功率：60 W净重：68 kgLabthink兰光，致力于通过包装检测技术提升和检测仪器研发帮助客户应对包装难题，助力包装相关产业的品质安全。了解关于更多相关信息，您可以登陆济南兰光公司网站查看具体信息或致电咨询。Labthink兰光期待与行业中的企事业单位增进技术交流与合作。

全自动变温霍尔效应测试仪HMS-5000.HMS-5300,HMS-5500产地：韩国Ecopia；型号：HMS-5000，HMS-5300，HMS-5500；主要型号:1/ HMS-5000：温度范围80K-350K；2/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；3/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；产品组成:1、 主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 0.55特斯拉磁体包(型号：AMP55) - 0.55特斯拉永磁体 - 磷铜样品固定板 - 样品固定板嵌入式加热器 - 液氮槽 - 温度传感器 样品变温、固定部分组成 AMP磁体Kit俯视图 - 圆形液氮槽 - 磁体移动马达控制 - 样品固定板 - 圆形液氮槽 - 温度传感器 - 磁体盖 - 嵌入式加热器 - 电缆 - 磁体盖 - 电缆3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 (选配)4、 变温霍尔效应测量软件HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面 不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线 迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线 霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线产品规格：1、 主要实验参数输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.55T；样品测量板：弹簧样品板；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；温度范围：80K-773K；磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；2、 软件操作环境 XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果 - 体载流子浓度、表面载流子浓度； - 迁移率； - 霍尔系数； - 电阻率、方块电阻； - 磁致电阻； - 电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、河南理工大学、河南大学、厦门大学、香港城市大学、香港科技大学、香港理工大学、电子科技大学、河北工业大学、吉林大学、中科院上海微系统所、中科院化学所、中科院沈阳金属所、国家硅材料检测中心、广州有色金属研究院、驰宏锌锗、深圳莱尔德等；