全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J 约瑟夫森结超高压系统 全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统专专业制备约瑟夫森结制备,可精确生长所需的金属层和氧化绝缘层,确保高性能制备及高成品率;此镀膜仪有进样室、氩离子清洗室、电子束蒸 发室以及氧化室,共计四个高真空腔室,腔室间使用传样杆进行高真空传样,传递模组须采用抓取式设计;设备所有工艺均支持4英寸及以内的晶圆或不规则样品。设备整个工艺过程,可以完全按照用户设置的参数自动化运行,工艺流程包括并不限于:抽真空,监测气压,离子清洗,样品位置调节、传样,加热,电子束蒸发特 定厚度设置,自动调整气压等。技术参数QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角约瑟夫森结制备)超高真空腔体 UHV Chamber4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure1E-9Torr基板加热 Wafer HeatingRT-900℃离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%电子束蒸发 Ebeam EvaporationUHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply氧化 OxidationFlow and Static Mode Oxidation基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
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