离轴抛物面镜

如题 今天做铜 感觉仪器不是很给力 换了一个空心阴极灯 结果背景基线回到了X轴上方 似乎一切ok了 是不是说明这问题可能是由于阴极灯的老化造成的呢？今天用石墨炉做铜 还是老问题 背景基线在X轴下面 拍了几张峰型图，大家看看可能是什么问题！铜 干燥温度 升温速率 保持时间75 3 2090 1 20120 7 10灰化温度 850 保持时间 20原子化温度2000 保持时间 4除残温度 2300 保持时间 5（单位大家都知道，我就偷懒不写了哈）下面是一些峰型图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/02/201202171309_349676_2417632_3.jpg这张是什么样品都没打的 就是进样空气！ 灰化温度为850 原子化2000http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/02/201202171310_349677_2417632_3.jpg这张也是进样空气，灰化温度为550 原子化温度为2000 时间均为上文所写 没有改变http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/02/201202171315_349679_2417632_3.jpg这是进样16ppb铜的样品图 吸光度只有0.016的样子 提高灰化温度和原子化温度都没有明显改善！还有就是我换做铅和镉，其峰型都是完美的抛物线，背景有少部分在X轴下方！但是20ppb的吸光度都教前两天下降了几倍！前几天约为0.15左右的吸光度！（期间我清洗了石墨腔和石墨锥）。希望各位能看出端倪，期待您的解答！

[align=center][b]扫描电镜新技术——同轴透射菊池衍射(TKD)技术的应用[/b][/align][b][b]引言[/b][/b]扫描电镜中的被散射电子衍射技术(EBSD)在确定材料结构、晶粒尺寸、物相组成以及晶体取向甚至是应力状态标定都有一定的涉及。通过电子衍射技术的进一步发展，Keller与Geiss基于EBSD技术相同的硬件与软件，通过改变样品台的倾角，使得荧光闪烁体信号接收器在样品下方接收透射电子衍射信号，从而代替原先的背散射信号。这种新技术称为Transmission Kikuchi diffraction（TKD）也由于它的信号接收方式特点也被称为t-EBSD。由于接收信号的方式由被散射电子信号转为透射电子信号，其分辨率得到了明显的提升，由原来的EBSD技术的几十纳米(20-30nm平行于电子束的方向，80-90nm垂直于电子束的方向)提高到了TKD技术的10纳米。由于电子束与材料交互作用体积的减少，分辨率提高，使得分析超细晶材料以及其中的纳米颗粒的到了实现。为了改善电子衍射信号接收能力，一种新型的电子束－样品－接收器(on-axis TKD)共轴TKD式的几何设计在法国洛林大学([i]Université de Lorraine[/i])与布鲁克公司联合组装使用，这个新装置不仅可以接收菊池花样还可以接收衍射点的信息。虽然此时TKD的说法已经不能十分贴切的描述实际情况，应该改为扫描电镜中的透射衍射(Transmission Diffraction )更为合理。由于传统上TKD缩写已经被普遍接受，所以我们在本文中以共轴透射菊池衍射(on-axis TKD)来表述此种新方法。这种新型的接受方法比传统的非共轴TKD(off-axis TKD)方法得到更高的信号强度。同时，共轴TKD方法由于其接收信号的对称性，可以使得原先非共轴TKD方法得到的扭曲的信号得以矫正。本文的主要目的是揭示透射衍射花样随着不同试验条件、样品参数(电子束入射强度、样品与探测器的距离、样品的厚度、样品的原子序数)的变化规律。帮助试验人员选择衍射花样中的合适的衍射数据(点、线、带)，以及相应的设置电镜与样品的参数。最后在实际的纳米材料中采用TKD技术对样品进行纳米尺度的分析研究。[b][b]试验方法[/b][/b]所有的试验都是基于ZEISS Supra 40型号与ZEISS Gemini SEM进行的，配备的设备是Bruker e-Flash[sup]1000[/sup]摄像机，对应的探测器型号是Bruker OPTIMUS。如图1所示，传统的TKD系统与on-asix TKD系统的探头接收方向并不相同。图2表示了FIB制样方法获得的楔形单晶Si薄片式样，样品厚度在25nm到1[color=#262626]μm之间，[/color]用于后续的试验检测。[align=center][img=,663,178]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161059079581_831_2516543_3.png!w663x178.jpg[/img][/align][align=center]图1 (a)同轴式透射菊池衍射(on-axis TKD) (b)传统非同轴透射菊池衍射(off-axis TKD)；(c)电子背散射衍射(EBSD)[/align][align=center][img=,527,199]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161059266550_6119_2516543_3.png!w527x199.jpg[/img][/align][align=center]图2 实验用的FIB砌削的楔形Si单晶样品的SEM图像[/align][b]电子束入射能量、样品厚度以及原子序数对TKD衬度的影响[/b]1衍射衬度的种类在同轴TKD技术中，收集到的衍射花样衬度不仅仅受到显微镜参数的影响，对于不同的观察样品其衍射花样衬度也会有所不同。目前，样品的厚度与入射电子的加速电压是日常应用过程中最基本的影响因素，样品的密度与原子序数也是重要的影响参数，但是目前无法对其进行系统的分析。同时，信号接受探测器的摆放角度、与样品的测试距离也是在实际操作中影响信号接受质量的因素之一。我们可以把衍射花样分为两类：衍射斑点与菊池花样。菊池花样有三种不同的衬度：线衬度、亮带衬度、暗带衬度。2 菊池线与菊池带菊池线的形成原因在于，如果样品足够厚，那么将会产生大量以各种不同方向运动的散射电子；也就是说，电子与样品发生非相干散射。这些电子与晶体平面作用发生布拉格衍射。菊池线的形成有两个阶段，一是由于声子散射形成的点状的非连续的发射源，如图3(A)所示。第二是由于这些散射后的电子将相对于面hkl以[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub]运动(如图3B所示)，从而与这些特定晶面发生布拉格衍射。因为散射电子沿各个方向运动，衍射书将位于两个圆锥中的一个内(如图3C)。换言之，因为入射k矢量有一定的范围，而不是单一确定的k矢量，所以观察到的衍射电子的圆锥而不是确定的衍射束。考虑与hkl晶面成[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub]角度方向的所有矢量所构成的圆锥，称之为Kossel圆锥，并且圆锥角(90-[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub])非常小。由于荧光屏/探测器是平面并且几乎垂直于入射束，Kossel圆锥将以抛物线形式出现。如果考虑近光轴区域，这些抛物线看上去就像两条平行线。有时把这两条菊池线和他们之间的区域称为“菊池带”。[align=center][img=,690,483]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161059578322_3496_2516543_3.png!w690x483.jpg[/img][img=,690,671]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161100087772_157_2516543_3.png!w690x671.jpg[/img][/align][align=center][img=,690,833]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161100463231_6823_2516543_3.png!w690x833.jpg[/img][/align]图3(A)样品在某一点处所有电子散射的示意图(B)部分散射电子以布拉格角[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub] 入射特定hkl晶面而发生衍射(C)这些圆锥与Ewald球相交，由于[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub]很小，在衍射花样上产生了近似直线的抛物线[color=#262626]3 布拉格衍射斑点[/color][color=#262626]与TEM中的衍射斑点形成原理相似，TKD中衍射斑点是由于低角弹性散射形成的，低角弹性散射是连续的，然而在高角范围内，随着与原子核的相互作用，散射分布并非连续，这也就解释了为何衍射斑点只能在低散射角度的区域才能够观察到。[/color]图4显示了单晶Si样品中，随着厚度变化引起的衍射信息变化，在样品较薄的区域我们可以看出衍射斑点的信息，随着样品厚度的增加，衍射斑点信息消失。菊池花样在样品时很薄的区域，衬度模糊，而在样品厚度很大时，衬度表现的较弱，其它阶段花样都比较清晰[color=#262626]。图5中可以看出，随着入射电子能量的降低，衍射斑点也逐渐消失。由此，可以认为衍射斑点的强度在样品厚度一定的前提下，可以认为是入射电子能量的函数。[/color][align=center][color=#262626][img=,664,620]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161101409704_3414_2516543_3.png!w664x620.jpg[/img][/color][/align][align=center]图4 单晶Si在不同厚度下共轴透射菊池衍射(on-axis TKD)产生的透射衍射花样 [/align][align=center](a)43nm (b)45nm (c)48nm (d)52nm (e)65nm (f)100nm (g)200nm (h)300nm (i)1000nm 加速电压E＝15keV，探测器样品距离DD＝29.5mm，光阑尺寸60[color=#262626]μm，束流强度2nA，图像捕获时间(a-h)200ms×30images (i)990ms×30images[/color][/align]随着加速入射电子的加速电压的变化，透射菊池衍射花样的变化，可以看出，与图4中的变化规律相似。可以看出入射电子能量与样品厚度在对花样的衬度影响方面扮演着同样的角色。但是其原理并不完全一样，随着入射电子加速电压的降低，菊池带的宽度逐渐变窄。[color=#262626]图6所示，[/color]基于等离子体与声子的自由程的模型计算了出现衍射斑点的情况下，样品厚度与电子入射能量的关系，[color=#262626]可以看出入射电子的能量是产生电子衍射斑点的样品厚度的函数。[/color][align=center][color=#262626][img=,662,417]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161102043308_9090_2516543_3.png!w662x417.jpg[/img][/color][/align][align=center]图5 单晶Si在不同加速电压下共轴透射菊池衍射(on-axis TKD)产生的透射衍射花样 加速电压(a)30keV (b) 25keV (c)20keV (d)15keV (e)10keV (f)7keV；样品厚度d＝150nm，探测器样品距离DD＝29.5mm，光阑尺寸60[color=#262626]μm，束流强度2nA，图像捕获时间(a-h)200ms×30images (i)990ms×30images[/color][/align][align=center][/align][align=center][img=,332,288]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161102207634_9209_2516543_3.png!w332x288.jpg[/img][/align][align=center]图6 Si、Ti两种材料随着电子入射能量以及样品厚度变化为变量的布拉格衍射斑点显示示意图[/align][align=center][color=#262626] [/color][/align][b][b]实际样品测试[/b][/b]纳米材料由于其优异的力学、光学以及催化性能，在材料研究领域中已经成为新的研究热点。其中纳米金属材料由于其优异的力学性能已经得到了广泛的研究，特别是纳米孪晶铜材料，是最早研究的纳米金属材料之一，但是由于其晶粒尺寸小于100nm，其孪晶片层只有十几个甚至几纳米(图7)，使得以往的结构研究手段多采用透射电镜(TEM)的方法。但是由于TEM难以对大量晶粒的取向进行统计分析，这就需要用到扫描电镜的EBSD技术，介于传统的EBSD技术的分辨率的局限，一直少有纳米级别的分析。那么有了TKD的新型技术，就可以对纳米级别的材料进行细致的分析。[align=center][img=,690,1049]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161102381001_6739_2516543_3.png!w690x1049.jpg[/img][/align][align=center]图7 纳米孪晶铜的TEM观察[/align]由于纳米孪晶的制备方法多采用电沉积的方法，得到薄膜形式的材料。所以在生长厚度方向上由于厚度较薄(约20nm)，本次实验是用金（Au）薄膜样品进行观察，采用的是场发射扫描电镜Zeiss Merlin Compact 以及Bruker OPTIMUS 同轴TKD探测器进行观察。结果如图8所示，可以看出片层结构的分布，经过进一步的分析，可以看出片层结构之间的界面角度为60度，可以确定为纳米孪晶，并且通过测量可以确定片层宽度仅有2nm。基于共轴TKD技术，让以往在SEM中难以完成的纳米结构的织构组织分析成为可能。并且对纳米尺度材料的性能提升提供了进一步的实验支持。[align=center][img=,575,328]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808211340333533_4548_3237657_3.png!w575x328.jpg[/img][/align][align=center][img=,690,337]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808211341036428_8760_3237657_3.png!w690x337.jpg[/img][/align][align=center]图8 (a)纳米金颗粒的孪晶结构PQ图与IPFZ叠加显示；(b)(a)图中线段处角度分布图[/align][b][b]小结[/b][/b]1. 共轴式透射菊池衍射技术可以在衍射花样中获得更加广泛的衍射信息：布拉格衍射斑点、菊池线以及菊池带2. 随着样品厚度的增加，衍射斑点、菊池线、菊池带依次产生。在样品较薄的状态下，菊池带呈现明亮的带状，随着样品后的增加，深色衬度在在带中出现并缓缓变暗，直至带状衬度明锐显现。3. 样品厚度与入射电子能量可以作为相关联的变量，影响着衍射信息的衬度；减小样品厚度相当于增加入射电子能量。也就是说要得到特定的衍射衬度，可以调整样品的厚度与调整入射电子束的能量这两种方法是等价的。4. 基于等离子体与声子的自由程的模型计算了出现衍射斑点的情况下，样品厚度与电子入射能量的关系。可以看出这二者呈线性关系，且根据元素的不同样品厚度与入射电子能量的比值的常数也有所差别。5. 采用共轴TKD技术测试了纳米孪晶铜的纳米片层结构，并且分辨出了2nm尺度的孪晶片层结构。

阿基米德 阿基米德(Archimedes，约公元前287～212)是古希腊物理学家、数学家，静力学和流体静力学的奠基人。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2007/04/200704021409_47567_1618547_3.jpg[/img]生卒年代：前287-212 简介：古希腊伟大的数学家、力学家。生于西西里岛的叙拉古，卒于同地。　　除了伟大的牛顿和伟大的爱因斯坦，再没有一个人象阿基米德那样为人类的进步做出过这样大的贡献。即使牛顿和爱因斯坦也都曾从他身上汲取过智慧和灵感。他是“理论天才与实验天才合于一人的理想化身”，文艺复兴时期的达芬奇和伽利略等人都拿他来做自己的楷模。 从洗澡的故事说起 　　关于阿基米德，流传着这样一段有趣的故事。相传叙拉古赫农王让工匠替他做了一顶纯金的王冠，做好后，国王疑心工匠在金冠中掺了假，但这顶金冠确与当初交给金匠的纯金一样重，到底工匠有没有捣鬼呢？既想检验真假，又不能破坏王冠，这个问题不仅难倒了国王，也使诸大臣们面面相觑。后来，国王请阿基米德来检验。最初，阿基米德也是冥思苦想而不得要领。一天，他去澡堂洗澡，当他坐进澡盆里时，看到水往外溢，同时感到身体被轻轻拖起。他突然悟到可以用测定固体在水中排水量的办法，来确定金冠的比重。他兴奋地跳出澡盆，连衣服都顾不得跑了出去，大声喊着“尤里卡！尤里卡！”。(Fureka，意思是“我知道了”)。他经过了进一步的实验以后来到王宫，他把王冠和同等重量的纯金放在盛满水的两个盆里，比较两盆溢出来的水，发现放王冠的盆里溢出来的水比另一盆多。这就说明王冠的体积比相同重量的纯金的体积大，所以证明了王冠里掺进了其他金属。这次试验的意义远远大过查出金匠欺骗国王，阿基米德从中发现了浮力定律：物体在液体中所获得的浮力，等于他所排出液体的重量。一直到现代，人们还在利用这个原理计算物体比重和测定船舶载重量等。阿基米德的生平公元前287年，阿基米德诞生于西西里岛的叙拉古(今意大利锡拉库萨)。他出生于贵族，与叙拉古的赫农王有亲戚关系，家庭十分富有。阿基米德的父亲是天文学家兼数学家，学识渊博，为人谦逊。他十一岁时，借助与王室的关系，被送到古希腊文化中心亚历山大里亚城去学习。亚历山大位于尼罗河口，是当时文化贸易的中心之一。这里有雄伟的博物馆、图书馆，而且人才荟萃，被世人誉为“智慧之都”。阿基米德在这里学习和生活了许多年，曾跟很多学者密切交往。他在学习期间对数学、力学和天文学有浓厚的兴趣。在他学习天文学时，发明了用水利推动的星球仪，并用它模拟太阳、行星和月亮的运行及表演日食和月食现象。为解决用尼罗河水灌溉土地的难题，它发明了圆筒状的螺旋扬水器，后人称它为“阿基米德螺旋”。公元前240年，阿基米德回叙古拉，当了赫农王的顾问，帮助国王解决生产实践、军事技术和日常生活中的各种科学技术问题。公元前212年，古罗马军队攻陷叙拉古，正在聚精会神研究科学问题的阿基米德，不幸被蛮横的罗马士兵杀死，终年七十五岁。阿基米德的遗体葬在西西里岛，墓碑上刻着一个圆柱内切球的图形，以纪念他在几何学上的卓越贡献。　阿基米德的科学成就阿基米德无可争议的是古代希腊文明所产生的最伟大的数学家及科学家，他在诸多科学领域所作出的突出贡献，使他赢得同时代人的高度尊敬。　　阿基米德在力学方面的成绩最为突出，他系统并严格的证明了杠杆定律，为静力学奠定了基础。在总结前人经验的基础上，阿基米德系统地研究了物体的重心和杠杆原理，提出了精确地确定物体重心的方法，指出在物体的中心处支起来，就能使物体保持平衡。他在研究机械的过程中，发现了杠杆定律，并利用这一原理设计制造了许多机械。他在研究浮体的过程中发现了浮力定律，也就是有名的阿基米德定律。　　阿基米德确定了抛物线弓形、螺线、圆形的面积以及椭球体、抛物面体等各种复杂几何体的表面积和体积的计算方法。在推演这些公式的过程中，他创立了“穷竭法”，即我们今天所说的逐步近似求极限的方法，因而被公认为微积分计算的鼻祖。他用圆内接多边形与外切多边形边数增多、面积逐渐接近的方法，比较精确的求出了圆周率。面对古希腊繁冗的数字表示方式，阿基米德还首创了记大数的方法，突破了当时用希腊字母计数不能超过一万的局限，并用它解决了许多数学难题。　　阿基米德在天文学方面也有出色的成就。除了前面提到的星球仪，他还认为地球是圆球状的，并围绕着太阳旋转，这一观点比哥白尼的“日心地动说”要早一千八百年。限于当时的条件，他并没有就这个问题做深入系统的研究。但早在公元前三世纪就提出这样的见解，是很了不起的。　　阿基米德的着作很多，作为数学家，他写出了《论球和圆柱》、《圆的度量》、《抛物线求积》、《论螺线》、《论锥体和球体》、《沙的计算》等数学着作。作为力学家，他着有《论图形的平衡》、《论浮体》、《论杠杆》、《原理》等力学着作。　　阿基米德和雅典时期的科学家有着明显的不同，就是他既重视科学的严密性、准确性，要求对每一个问题都进行精确的、合乎逻辑的证明；又非常重视科学知识的实际应用。他非常重视试验，亲自动手制作各种仪器和机械。他一生设计、制造了许多机构和机器，除了杠杆系统外，值得一提的还有举重滑轮、灌地机、扬水机以及军事上用的抛石机等。被称作“阿基米德螺旋”的扬水机至今仍在埃及等地使用。　“假如给我一个支点，我就能推动地球”　　阿基米德不仅是个理论家，也是个实践家，他一生热衷于将其科学发现应用于实践，从而把二者结合起来。在埃及，公元前一千五百年前左右，就有人用杠杆来抬起重物，不过人们不知道它的道理。阿基米德潜心研究了这个现象并发现了杠杆原理。阿基米德曾说过：“假如给我一个支点，我就能推动地球。”当时的赫农王为埃及国王制造了一条船，体积大，相当重，因为不能挪动，搁浅在海岸上很多天。阿基米德设计了一套复杂的杠杆滑轮系统安装在船上，将绳索的一端交到赫农王手上。赫农王轻轻拉动绳索，奇迹出现了，大船缓缓地挪动起来，最终下到海里。国王惊讶之余，十分佩服阿基米德，并派人贴出告示“今后，无论阿基米德说什么，都要相信他。”

ICP光谱法是上世纪60年代提出、70年代迅速发展起来的一种分析方法， 由于仪器检出限低、测试范围广、动态线性范围宽等优点，越来越广泛应用于含量范围宽、精度要求高的技术领域，如食品、卫生、医药、化妆品、土壤、钢铁等精密分析及基础研究中。 想具体了解ICP仪器在检测方式：单道（多道）扫描与全谱直读的区别，首先先来看看各自的检测器在工作原理上的不同之处吧---- 单道扫描型光谱仪：从光源发出的光穿过入射狭缝后，反射到一个可以转动的光栅上，该光栅将光色散后，经反射使某一条特定波长的光通过出射狭缝投射到光电倍增管上进行检测。光栅转动至某一固定角度时只允许一条特定波长的光线通过该出射狭缝，随光栅角度的变化，谱线从该狭缝中依次通过并进入检测器检测，完成一次全谱扫描，和多道光谱仪相比，单道扫描光谱仪波长选择更为灵活方便，分析样品的范围更广，适用于较宽的波长范围。但由于完成一次扫描需要一定时间，因此分析速度受到一定限制。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/08/201508201530_561708_3025342_3.png 全谱直读型光谱仪：光源发出的光通过两个曲面反光镜聚焦于入射狭缝，入射光经抛物面准直镜反射成平行光，照射到中阶梯光栅上使光在X向上色散，再经另一个光栅在Y向上进行二次色散，使光谱分析线全部色散在一个平面上，并经反射镜反射进入面阵型CCD检测器检测。由于该CCD是一个紫外型检测器，对可见区的光谱不敏感，因此，在光栅的中央开一个孔洞，部分光线穿过孔洞后经棱镜进行Y向二次色散,然后经反射镜反射进入另一个CCD检测器对可见区的光谱(400～780nm)进行检测。这种全谱直读光谱仪不仅克服了多道直读光谱仪谱线少和单道扫描光谱仪速度慢的缺点，而且所有的元件都牢固地安置在机座上成为一个整体，没有任何活动的光学器件，因此具有较好的波长稳定性。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/08/201508201530_561709_3025342_3.png 近年来，由于全谱直读型仪器能更大限度地获取光谱信息，便于进行光谱干扰和谱线强度空间分布的同时测量，有利于多谱图校正技术的采用，有效消除光谱干扰，提高选择性和灵敏度，越来越多的科研和工业企业选择全谱直读的仪器，来获取最快，最精确的测量分析结果。 德国派克最新款的ARCOS光谱仪，以独一无二的全新MultiView等离子体接口，第一次在同一台仪器上实现了真正的轴向和径向直接观测，拥有真正全谱记录同时测量的性能，将电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）的效率和性能推向了新的高度。

下图为一检测器光栅衍射分光的实拍图：http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/01/201501280955_533330_2960432_3.png上述反射光栅的光路原理应该和下面的原理相似，但也有不同之处：http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/01/201501281105_533343_2960432_3.png图F5-1是离轴抛物镜光学系统图。光源或照明系统发出的光均匀地照亮位于离轴抛物镜焦面上的入射狭缝S1，光经过离轴抛物镜6fl平行照射到光栅G上，经光栅衍射回到M1，经反射镜M2会聚到出射狭缝S2，最后经过滤光片M3到接收元件上。由于光栅的分光作用，从出射狭缝出来的光束为单色光。当光栅转动时.使不同波长的光束经出射狭缝S2射出。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/04/201504201928_542753_2960432_3.jpg简单说，光栅是将光源射出的不同波长混合在一起的复色光分开为一个扇形分布的光谱带，狭缝的作用是只让这个扇形光谱带中的某一部分波长通过。这两个部件组合起来使用才能获得检测用的“单色光”。对于单色器的详细解读下面一贴更详细：主题：【讨论】说说大家所知道的光栅单色器 昵 称：xiejun110 网址：http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20130716/4853417/index_1.shtml file:///c:/documents and settings/aaa/application data/360se6/User Data/temp/2015013102041867.png

EBSD制样最有效的方法------氩离子截面抛光仪 电子背散射衍射(EBSD)技术出现于20世纪80年代末,经过十多年的发展已成为显微组织与晶体学分析相结合的一种新的图像分析技术。因其成像依赖于晶体的取向，故也称其为取向成像显微术 。从一张取向成像的组织形貌图中，不仅能获得晶粒、亚晶粒和相的形状、尺寸及分布的信息，而且还可以获得晶体结构、晶粒取向相邻晶粒取向差等晶体学信息，可以方便的利用极图、反极图和取向分布函数显示晶粒的取向及其分布。 背散射电子只发生在试样表层几十个纳米的深度范围,所以试样表面的残余应变层(或称变形层、扰乱层)、氧化膜以及腐蚀坑等缺陷都会影响甚至完全抑制EBSD 的发生,因此试样表面的制备质量很大程度上决定着EBSD的质量。与一般的金相试样相比，一个合格的EBSD样品，要求试样表面无应力层、无氧化层、无连续的腐蚀坑、表面起伏不能过大、表面清洁无污染 。我国自上海宝钢率先引进第一台EBSD至今,国内其它一些钢铁公司、科研院所和大学都相继购置了该设备。到目前为止EBSD设备已将近70台，该设备的总量已经达到一定规模,但其中一大部分并没有完全发挥其应有的功能，究其原因主要是EBSD的图像分析不但需要有很深的晶体学造诣，而且 EBSD对样品的要求很高，初学者很难在短时间内掌握其制样工艺。 随着电子背散射技术(EBSD)的日益广泛应用，EBSD样品制备的新技术、新设备也相继出现。样品制备技术也由传统的机械-化学综合抛光,电解抛光丰富到FIB,以及目前广泛应用的氩离子截面抛光仪。 传统的机械抛光不能有效去除样品表面的变形层，即使经过反复的研磨,也会出现再次变形的可能，即伴随着消除严重变形层又有形成新的变形层的可能，而且机械抛光的同时还会造成对样品的表面划痕与损伤，大大影响了EBSD试样的效果。 电解抛光是靠电化学的作用使试样磨面平整、光洁，一般处理大批量的EBSD试样首选电解抛光。电解抛光可以非常有效的去除表面的氧化层和应力层。不同材质电解抛光工艺不同，需要摸索合适的抛光剂，原始的抛光剂可以在文献和一些工具书中找到，然后需要进行大量的试验，才能找到理想的抛光参数(如：试剂配方、抛光时间、温度等）。摸索出合适的工艺参数后，通过电解抛光可以制备理想的EBSD样品，因其工作量大且成功率很难掌握。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/04/201404171500_496465_2498941_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/04/201404171500_496466_2498941_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/04/201404171500_496467_2498941_3.jpg 上面三个图像：20 kV 条件下得到的碳化钨/钴样品的 EBSD 结果，其中的钴没有发生 FCC 到 HCP 的相变。 试样用Ilion II在1 kV的条件下进行抛光。照片由英国曼切斯特大学 A Gholinia博士提供。 新一代氩离子截面抛光仪（Ilion697 II）是一个用于样品的截面制备及平面抛光的桌面型制样设备,抛光面与机械研磨不同，呈微细镜面，不会有划伤、扭曲变形、凹凸不平、研磨颗粒嵌入样品内部、脱层、孔隙结构填堵等现象，加工的样品反映材料的真实组织结构。 新一代的氩离子截面抛光仪，具有操作便捷（触摸屏控制，配方操作，马达驱动离子枪），抛光过程随时观察，与FIB装置相比，速度更快，扩大了加工面积，且体积小，衬度高，价格便宜等特点，由于经过氩离子截面抛光后样品的菊池花样清晰，EBSD分析更加容易。 以上内容摘自中国电镜网！