自聚焦透镜

前几天洗5975C离子源，发现离子聚焦透镜和入口透镜外层的那个土黄色绝缘体（透镜绝缘体）是一个整体，不能分成2半，离子聚焦拿不出来，最后不得不洗这玩意了而视频和说明书上都是可以分成2片的，可以洗离子聚焦问了安捷伦的工程师，最后说5975C的那个土黄色绝缘体本身就是一个整体，可我总感觉不对，一个整体的话离子聚焦就洗不了了啊大家的5975C的那玩意也是一个整体吗？大家怎么洗离子聚焦？

之前有帖子问到气质EI源的透镜组的作用，解释的不是很明白，现在小弟对其中的聚焦电极透镜不是很明白，还请各位明白的回答一下，感激不尽！ 带正电的离子碎片在聚焦电极中运动的时候不会被吸引到极体上面的吗？

今天给以新手培训，讲到透镜的工作原理，感觉自己讲得不到位，未能将透镜的作用解释到位，哪位在给解释下，尤其是其对离子的聚焦作用！

[size=5]质谱仪的调谐参数[u]透镜[/u]和[u]离子聚焦[/u]的定义和作用的区别一直不太明白，只知道都能够使离子聚集成一束，把离子送入分析室。 请大家帮忙解释一下。[/size]

我们是按照艾里斑来计算焦点处的光斑大小的，但是结果弥散比较大，我们计算的是82um，实际已经超过120um.估计是付氏透镜的像差过大，比如说球差；另外，我们是直径为8mm的宽光束入射，所以对于宽光束的聚焦如何减小弥散也是个问题，不知道有什么好的办法设计出理想的付氏透镜，欢迎大家讨论解答，谢谢！

2024年1月9日，钢研纳克检测技术股份有限公司公开了“一种用于[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]电感耦合等离子体质谱仪[/color][/url]的聚焦传输透镜装置”的发明专利，公开号为CN117373899A。发明人为：沈学静 王雷 李凯 任立志 方哲 王超刚 王立平 王海舟。　[color=#0070c0][b]　发明内容[/b][/color]　　本发明的目的是提供一种用于[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]电感耦合等离子体质谱仪[/color][/url]的聚焦传输透镜装置，能够在三重四极质谱仪结构基础上增设三个透镜，通过灵活施加三个透镜的电压使其有助于离子沿离子光轴集中和聚焦，有效提高离子传输效率，从而提高质谱仪的灵敏度。　　[b][color=#0070c0]为实现上述目的，本发明提供了如下方案：[/color][/b]　　一种用于[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]电感耦合等离子体质谱仪[/color][/url]的聚焦传输透镜装置，所述[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]电感耦合等离子体质谱仪[/color][/url]为三重四极质谱仪，所述聚焦传输透镜装置设置在所述三重四极质谱仪的第一级四极杆与第二级多极杆之间或第二级多极杆与第三级四极杆之间 　　所述聚焦传输透镜装置包括：依次设置的透镜一、透镜二、透镜三，所述透镜一、透镜二、透镜三之间互不接触且相对距离可调节，所述透镜一、透镜二、透镜三的中心均开设有通孔，且所述透镜一、透镜二、透镜三的通孔的中心处于同一水平轴 通过直流电压施加装置分别对所述透镜一、透镜二和透镜三施加零电压、正电压或负电压。[align=center][img=专利图.png]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/574008bc-15a2-4d02-afb3-d7c2d99fe8e7.jpg[/img][/align]　　专利内容为：本发明涉及[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]电感耦合等离子体质谱仪[/color][/url]技术领域，公开了一种用于[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]电感耦合等离子体质谱仪[/color][/url]的聚焦传输透镜装置，应用于三重四极质谱仪，设置在所述三重四极质谱仪的第一级四极杆与第二级多极杆之间或第二级多极杆与第三级四极杆之间 所述聚焦传输透镜装置包括：依次设置的透镜一、透镜二、透镜三，透镜一、透镜二、透镜三之间互不接触且相对距离可调节，所述透镜一、透镜二、透镜三的中心均开设有通孔，且通孔的中心处于同一水平轴 通过直流电压施加装置分别对透镜一、透镜二和透镜三施加零电压、正电压或负电压。本发明提供的聚焦传输透镜装置，能够实现对电压的灵活施加，实现离子的有效传输与聚焦，从而提高质谱仪的灵敏度。[align=center][img=专利详情.png]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/64b90cca-9c5c-4638-af05-cc54a7955cf7.jpg[/img][/align][来源：仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]

为何[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]的光源发出的光是经过透镜聚焦到火焰中心，而不是平行光束？这不符合朗伯比尔定律的要求吧？

[求论文][1986][中国激光]《用透镜列阵聚焦实现均匀辐照的计算机分析》谢谢了！

GC/MS最近灵敏度下降了十倍，发现透镜电压预测值差距很大，focus2的电压设定-130 实测-59，是怎么回事。其他都正常，有没有遇见过这样的情况？ 与透镜电压有关的因素有多少？

请教下，EI源中产生的带正电荷的碎片，经推斥极（正电压）推出进入离子透镜，散射的离子经聚焦透镜（负电压）聚焦成束，防止了聚焦部件对离子的捕获。我想问的是，聚焦透镜形成的电场如何聚焦离子的，需要多组电压吗？同时加载负电压，是否起到加速离子的作用？后面通过的入口透镜，起到加速离子作用，是不是也加载了负电压呢？

请教各位大侠，我用的A的气质，关于它的透镜组不是很清楚，还请各位老师指教！！！①A家的拉出极是不带电的，正常拉出极的话应该是带负电，这样能够把带正电的离子碎片给拉出来，不带电只靠推出极，那拉出极起到什么作用？②关于聚焦透镜，资料上给的是带负电，如果带正电荷的离子碎片不在中心，这样的话不会被拉到聚焦电极上而造成损失吗？③对于入口透镜，资料上的给出的是能够对正离子碎片加速，请问这个加速的过程是如何？“增加入口透镜补偿可以增加灵敏度”请问这句话怎么解释问题比较多，希望老师们能不吝赐教！！！

还是读那本Egerton的PPEM，书中提到了静电透镜和磁透镜的特点，其中静电透镜是这样的：1. 无像转角2. 比较轻，consumes no power3. 对电压的稳定性要求不高4. 容易聚焦离子束磁透镜是：1. 低透镜像差2. 不需要高压激励3. 可以做浸入式透镜我有几个疑问：1. consumes no power指的是什么？静电透镜不需要专门的动力？2. 磁透镜的那个浸入式透镜，是不是说的是样品处于透镜内部中心轴，这样磁场比较均匀吧，而静电式透镜如果这么操作，如果放入导电样品，会引起电场的扭曲？3. （我自己加的）高加速电压时，容易击穿静电透镜。那么是不是扫描电镜比较适合采用静电透镜，而FIB更是因为聚焦离子束的原因，一般采用静电式透镜呢？

[b]问题：[/b]读那本Egerton的PPEM，书中提到了静电透镜和磁透镜的特点，其中静电透镜是这样的：1. 无像转角2. 比较轻，consumes no power3. 对电压的稳定性要求不高4. 容易聚焦离子束磁透镜是：1. 低透镜像差2. 不需要高压激励3. 可以做浸入式透镜我有几个疑问：1. consumes no power指的是什么？静电透镜不需要专门的动力？2. 磁透镜的那个浸入式透镜，是不是说的是样品处于透镜内部中心轴，这样磁场比较均匀吧，而静电式透镜如果这么操作，如果放入导电样品，会引起电场的扭曲？3. （我自己加的）高加速电压时，容易击穿静电透镜。那么是不是扫描电镜比较适合采用静电透镜，而FIB更是因为聚焦离子束的原因，一般采用静电式透镜呢？[b]回答：[/b]我的理解是静电透镜是个耐受高压电容器，只要加电压就成了。除非有空间电荷，也就是用于成像的时候会消耗能量，平时加着高压透镜是不消耗能量的。而磁透镜保持工作需要一直通电流，所以透镜要消耗能量。浸入式我觉得可能是考虑到介电材料会在静电透镜作用下产生极化的问题。静电透镜和磁透镜有适用范围，对于低压电子束用静电透镜比较好，可能考虑的是你前面所说的那些优点。而对高压电子束，静电透镜的会聚能力将大打折扣，相反磁透镜则受影响比较小，因此现在多是低压静电透镜，高压磁透镜的设计。记得Rose,Riemer,Egerton他们有专门的论述。因为离子荷质比大，磁透镜效果不好，所以FIB用静电透镜。我觉得主要是荷质比，离子比电子大多了，如用磁透镜聚焦需狂大的磁场，目前技术水平不能实现，改用静电透镜则可用几组负载电压为几~十几KV的电极来实现。

安捷伦培训材料这样写着“离子聚焦带负电，形成一个电场，既使离子聚成束，又防止聚焦部件捕获离子。”既然带负电，不是会吸引离子吗？怎么可以防止捕获离子呢？不明白“假设某一时刻，DC 和 RF 保持恒定，如果离子的质量太低，这个离子被推离轴向，到达正极杆，而不会到达四极杆的出口。如果离子质量太高，趋于负极杆的振荡增加，直到离子撞击到负极杆或从四极杆的边缘被弹出去。”离子质量太低为什么会到达正极杆，太高会到达负极杆。什么原理啊？

为什么玻璃透镜对于波长较短的光如蓝光折射率大，而对波长较长的红光折射率相对小些，即红光焦距长于蓝光。而磁透镜聚焦电子波却相反，对波长较短能量高的电子波折射率较小呢？请高人解释一下。多谢啦。

一般来说是不是焦距越大，尺寸越大呢？ 对于后向汇聚的傅里叶变换来说对透镜的尺寸应该是要求不大，而仅是对焦距有要求吧，一般采用比较大的焦距是为了提高分辨率吧？另外有没有办法获得小尺寸的长焦距的傅里叶透镜呢？

我在资料上看到说离子束在通过离子透镜时，质量数较大的元素优先通过离子聚焦系统，我想问一下这是为什么？还有就是，为什么质量较轻的元素不容易进入分析系统？

看文献--[font=方正黑体_GBK][color=#000000]质谱仪离子导向装置的原理[/color][/font][font=DY29][color=#000000]、[/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000]应用和进展里面介绍[/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000][font=宋体]离子传输系统一般由取样孔（ｓａｍｐｌｉｎｇｃｏｎｅ）、漏勺（ｓｋｉｍｍｅｒ）、离子导向装置（ｉｏｎｇｕｉｄｅ）和离子透镜（ｉｏｎｌｅｎｓ）等组成。[/font][/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000]离子导向装置里面又包含了静电透镜。这样看的话静电透镜和离子透镜就不属于同一分类，但又不清楚他们的区别在哪。[/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000]百度之后，感觉他们都是聚焦作用，也没看出什么区别，求大佬解惑！[/color][/font]

3 炬、锥和透镜让我们跟着被测的元素一起，从进样系统进入ICP炬，通过锥，穿过透镜吧。ICP炬：ICP炬通过射频发生器产生。PE采用40.68MHz激发频率。其它三家都是固态数控27.12MHz的射频发生器。当然是各说各的好，从各自的资料看，我觉得，40.68MHz激发频率的ICP炬对样品的适应性能更好；而27.12MHz的ICP炬则能有更有效的离子化。但在实践上，没没有太大的差别，或者说，其它条件的变化对仪器性能影响更大。冷焰：冷焰我从来没用过，这方面我不熟。PE公司的炬设计采用了一个PlasmaLok技术，采用两路射频不需要屏蔽装置。其它公司，如Thermo使用了屏蔽装置。其它两家我不清楚，请各位补充。炬的硬件设计PE公司还是老的设计，炬管拆装都比较麻烦，其它三家的设计看上去就比较新，接头插拔方便，炬管拆装也比较容易。而且PE公司调节炬管XY轴还是旋钮手动调节，而其他三家对于炬管的位置都是自动定位的。锥样品在ICP炬中解离、原子化、成为离子后，就进入锥。现在[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]都是双锥设计（样品锥和截取锥）。每家公司都能提供镍锥和铂锥，铂锥比镍锥更耐腐蚀，更经用，本底更小。四家公司最大的不同是锥孔大小设计。详见下表：　样品锥截取锥Varian1.0 0.5PE1.1 0.9Aglient1.0 0.4Thermo1.1 0.75（Xt）0.7(Xs)从上表可以看到，样品锥的口径是差不多的。截取锥则大不相同。最大的（PE）和最小的（Agilent）面积上要差到4倍以上。当然，还是那样，锥大说锥大的好处，锥小说锥小的好处。我的感觉是锥孔小显然容易盐分沉积，沉积后对锥孔附近的进样环境、二次电离等都有较大的影响。论坛里也有说到锥孔堵的事例（当时就猜是Agilent的仪器）。Thermo提供两种锥，Xt和Xs。据介绍Xs提供了高的离子传输效率，适合测量干扰少水平低的情况；Xt锥适合高盐分基体。同时降低了多原子干扰离子的生成和碱金属的响应，所以适合同时测量高含量的碱金属和低水平的重金属。个人认为这个设计还是不错的。离子透镜离子透镜里面名堂很多，里面的参数稍有变化，仪器的性能就会很不一样。Agilent的离子透镜分为提取透镜和OMEGA透镜。提取透镜包括两组透镜，可以分别设置电压，前面一个可正可负，后面一个肯定是负压。主要是提取锥孔的离子。前面一个设成负压更有利提取，设成正压则可以减少干扰（即所谓软提取）。提取透镜后的OMEGA透镜是离轴的，有利于中性粒子（包括光子）的排除，同时也达到了离子聚焦的目的。Thermo的离子透镜名字叫Infinity II型离子透镜。也是离轴设计。具体情况不详，从现有资料看，和Agilent设计差不多，也有负压提取，同时采取离轴设计，避免中性粒子的干扰，并达到传输离子、聚焦至四级杆的目的。据Thermo介绍，该系统是免维护的。我对这个表示怀疑，因为进入锥的离子不可能都是要检测的，剩下那么多肯定会在透镜上沉积，维护是早晚的问题。Varian的离子透镜是最不同一般的。它采用了一个90度偏转的设计（这下是彻底的离轴了），然后也是一个离轴的聚焦透镜。据称这是Varian仪器达到高灵敏度结果的最重要革新技术。PE的离子透镜设计和以往老仪器相比，并无大的不同（拆装比以前方便多了）。是唯一采用正轴（非离轴）的设计。所以为了避免中性粒子的干扰，当中有一个光子挡板。离子从两边经过。PE在锥孔并没有提取电压，反而设置了正电压防止二次电离的干扰。由于没有提取透镜，所以PE的离子透镜系统很简单，参数设置也较方便。看上去，离轴设计有利于灵敏度的提高，Varian离轴最彻底，仪器表现出来的绝对灵敏度也是最高的。PE是非离轴设计，绝对灵敏度是最低的。然而，PE并没有设置提取负压，这个有利于干扰的排除和透镜参数设置。（非经允许，不得转载）

小弟菜鸟一个，以前也没有接触过SEM，现在我需要设计一个用于冷阴极电子枪的聚焦系统，目的在于把宽电子束汇聚成微米级的光斑，我翻阅了一些SEM电镜的资料，资料上说扫描电镜的汇聚透镜可以达到FM级，也看了一些SEM原理示意图，但那个示意图好简要啊，汇聚线圈只是用一个带叉的方框表示，我想问下有没有电镜磁透镜的详细参数，比如线圈形状、材料、砸数等。还有，我能理解轴上单电子汇聚的基本原理，可是始终不能想象一个宽电子束由电子枪发出后，几乎都以张角可以忽略的轨迹平行运动，怎么能实现汇聚的目的呢？小弟我初学乍到，还请大家指点一下啊，谢谢了！

磁透镜一开始就是一组线圈，据说Ernst Ruska发现加一个铁套磁场更稳定，后来又发现铁套上开一个小孔，小孔上面加对称的两对小突起，磁场能更强更均匀，聚焦能力更好，那么为什么这些个突起能起到这个作用？是因为材料的原因么？谢谢！

看文献——[font=方正黑体_GBK][color=#000000]质谱仪离子导向装置的原理[/color][/font][font=DY29][color=#000000]、[/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000]应用和进展里面写道[/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000][font=宋体]离子传输系统一般由取样孔（ｓａｍｐｌｉｎｇｃｏｎｅ）、漏勺（ｓｋｉｍｍｅｒ）、离子导向装置（ｉｏｎｇｕｉｄｅ）和离子透镜（ｉｏｎｌｅｎｓ）等组成。[/font][/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000][font=宋体]后面介绍离子导向装置时，介绍了静电透镜。这样分类的话，感觉两者不属于同一个分类，但感觉又很像，百度的话，感觉两者都是聚焦的作用也没看出区别。就很困扰。[/font][/color][/font][font=方正黑体_GBK][color=#000000][/color][/font]

共聚焦显微镜与普通光学显微镜的比较显微镜是观察细胞的主要工具。根据光源不同，可分为光学显微镜和电子显微镜两大类。前者以可见光（紫外线显微镜以紫外光）为光源，后者则以电子束为光源。普通光学显微镜与激光共聚焦显微镜同属于光学显微镜。　　一、普通光学显微镜　　普通生物显微镜由3部分构成，即：①照明系统，包括光源和聚光器；②光学放大系统，由物镜和目镜组成，是显微镜的主体，为了消除球差和色差，目镜和物镜都由复杂的透镜组构成；③机械装置，用于固定材料和观察方便。　　显微镜物象是否清楚不仅决定于放大倍数，还与显微镜的分辨力（resolution）有关，分辨力是指显微镜（或人的眼睛距目标25cm处）能分辨物体最小间隔的能力，分辨力的大小决定于光的波长和镜口率以及介质的折射率，用公式表示为：　　R=0.61λ /N．A． N．A．＝ｎsinα/2　　式中：n=介质折射率；α=镜口角（标本对物镜镜口的张角），N.A.=镜口率（numeric aperture）。镜口角总是要小于180?，所以sina/2的最大值必然小于1。　　制作光学镜头所用的玻璃折射率为1.65~1.78，所用介质的折射率越接近玻璃的越好。对于干燥物镜来说，介质为空气，镜口率一般为0.05~0.95；油镜头用香柏油为介质，镜口率可接近1.5。　　普通光线的波长为400~700nm，因此显微镜分辨力数值不会小于0.2μm，人眼的分辨力是0.2mm，所以一般显微镜设计的最大放大倍数通常为1000X。

今天检索一下spectro MS ，想找其相关的资料，很遗憾，好像很少。不像PE 的NexION 300spectro MS 是德国斯派克公司10年三月（和PE的一个时期）在匹兹堡PITTCON展会上推出的质谱仪，它是双聚焦的ICPMS，但是它的关注度好像少很多，这是为什么？看了下它创新点：现有ICP-MS仪器都是基于时序测量的技术，每一瞬间仅能检测一种离子，不能实现实时内标，也难于对脉冲信号作全谱测量。最新推出的SPECTRO MS是目前市场上唯一的从6Li到238U质量范围同时测量的ICP质谱仪，它实现了从时序扫描测量到全谱同时测量的新飞跃。其革命性技术的核心是双聚焦扇形场质谱仪与全新的能同时俘获全部离子的检测器及其创新设计的离子透镜系统。离子透镜采用一个127°扇形静电场，使离子按圆形路径飞行。质量分析器由静电场分析器和900扇形磁场双聚焦，其静电场电压与磁场强度固定，把所有的离子按质量分离并分别聚焦到同一个焦平面上。新型的长120mm有4800个通道的DCD检测器安装在磁场的焦平面上，同时复盖全部无机质谱范围，实现全谱同时检测。它分析速度快，节省分析时间和样品，实现实时内标，可对脉冲信号作全谱测量。我的问题是您认为它主要会应用在哪个方面？

我是研究材料的，变形镁合金。现在要用到TEM，包括透射照片和选区电子衍射斑点及其标定。目前处于研究TEM基础理论的阶段，问几个看书时百思不得其解的问题。衍射斑点的产生源自布拉格定理，这点我现在很清楚，就是反射线与入射线在成一定角度时发生衍射作用。透射电镜成像的原理我也很清楚，就是模仿放大镜，不同的是采用的“光线”是电子束，而且聚焦的是电磁透镜。但是我怎么也不理解：为什么中间镜的物平面，往上放到与物镜像平面重合 ，出来的是放大像；往下放到与物镜背焦面重合，出来的是电子衍射花样？还有，这个晶体结构衍射出来的斑点到底是什么？一个点就代表了一个晶面？

各位大虾,请问有没有能聚焦到30nm内的edx?请问透射电镜上的加速电压比扫描电镜高,其带的edx附件是不是比扫描电镜上聚焦更好?谢谢!

[b]FIB介绍[/b][font=inherit]聚焦离子束技术[/font]（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的[font=inherit]聚焦离子束技术[/font]（FIB）利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等。、[b]应用领域[/b]（1）线路修改-在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误，可利用FIB的切割，断开原来的电路，再使用定区域喷金，搭接到其他电路上，实现电路修改，最高精度可达5nm。（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题，需观察缺陷与基材的界面情况，利用FIB就可以准确定位切割，制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况。（3）微米级尺寸的样品，经过表面处理形成薄膜，需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用FIB切割制样，再使用SEM观察。[align=center][img=FEI V400,227,227]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8711.png[/img]FEI V400[/align]使用设备：FEI V400可以针对14nm,16nm,28nm, 40nm, 45nm, 65nm, .13um, .18um, .25um, .35um 制程进行线路改造。适用的封装形式BGA, QFN, CSP, WLBGA, Die and board Level, 8” wafer, packaged “flip-chip”[table][tr][td=2,1,568]FIB典型照片[/td][/tr][tr][td=1,1,279]观测[/td][td=1,1,288]线路修改[/td][/tr][tr][td=1,1,279][img=,227,209]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8712.png[/img][/td][td=1,1,288][img=,240,218]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8713.png[/img][/td][/tr][tr][td=2,1,568]FIB配合TEM进行复杂操作[/td][/tr][tr][td=2,1,568] [img=,554,254]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8714.png[/img][/td][/tr][/table]文章引用自正衡检测官网欢迎各位莅临正衡检测网站讨论咨询[url]http://www.zenh.com/[/url]

1. 在金相显微镜中，当物体位于透镜物方二倍焦距以外时，则在象方二倍焦距以内、焦点以外形成缩小的倒立实象； 　　2. 当物体位于透镜物方二倍焦距上时，则在象方二倍焦距上形成同样大小的倒立实象； 这种成像对金相显微镜的光路尤为重要。　　3. 当物体位于透镜物方二倍焦距以内，焦点以外时，则在象方二倍焦距以外形成放大的倒立实象； 　　4. 当物体位于透镜物方焦点上时，则象方不能成象；这同样是影响金相显微镜成像的重要因素。　　5.当物体位于透镜物方焦点以内时，则象方也无象的形成，而在透镜物方的同侧比物体远的位置形成放大的直立虚象。