质谱探测器

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

仪器简介：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu m技术参数： DPbs2900 DPbs3200光敏面尺寸 mm 1× 5 6× 6波长范围 &mu m 0.8～2.9 0.8～3.2峰值波长 &mu m &ge 2.2 &ge 2.1响应Su V/W &ge 3× 104 &ge 300电阻Rd M&Omega 0.2-2 0.1-0.3D* cm(Hz) 1/2/W &ge 5× 108 &ge 1× 108时间常数 &mu s &le 200 &le 400放大倍数 × 1，× 10，× 100输入端失调电压 µ V ＜± 1前放输入端的漂移 µ V ± 1频率响应范围 Hz 100&mdash 1000 （推荐400Hz）信号输出模式 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu mDPbS2900/3200两种型号，两种探测器室的外观相同（内带前置放大器），其中：◆ DPbS2900内装进口硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图1）◆ DPbS3200内装国产硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图2）硫化铅探测器使用建议：● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器，使用时必须配合锁相放大器，推荐使用SR830型（Page98）或Model 420型（Page97）；● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器集成了前置放大器，输出信号模式为电压模式，在与DCS103或DCS300PA数据采集系统（Page95）配合使用时，需要选择电压信号采样模式。

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

仪器简介：热释电探测器&mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um技术参数：技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe（标配）波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正（P）主要特点：&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议：● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长范围受到窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420（Page97-98）● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比，所以需工作在低频（70Hz左右）条件下

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

奥远HVD模块是一个精密调节、高性能的直流转直流 的 转 换 器 ， 特 点 ： 浮 地 3kV 输 出 、 隔 离 电 压 为15kV。MCP 低输出纹波规格，使其适合在质谱分析应用中以探测器方式使用，如：电子倍增器 (EM)、微通道板探测器 (MCP) 和通道电子倍增器。+3kV @ 330uA 模块是封装在一个屏蔽的金属外壳内。电源带有远程电压编程和电压监测，当以偏置电源方式使用时，其注入纹波低。MCP 模块容易定制，可根据需要提高纹波性能、提高可靠性和可配置的输出引线终端，以满足OEM 需求。典型应用 质谱分析探测器微通道板探测器电子倍增器通道电子倍增器 规格 输入电压：+24Vdc，±0.5V。输入电流：最大 600mA输出电压：+100V 至 +3kV，在整个输出范围连续可调。输出电流：最大 330uA极性：正极性隔离电压：高达 15kV（对地参考）(在每个输出的对地电阻为 600M)输入调节：输入电压 1V 的变化，≤0.01%。负载调节：无负载至满负载变化，≤0.1%。电压编程：0 至 10V 对应 0 至 100% 额定输出电压电压监测：0 至 5V 对应 0 至 100% 额定输出电压精确度：±1% 从 10% 至 100% 输出在 10% 输出以下，精确度规格不保证。纹波：≤0.1% V p-p，0.1Hz 至 1MHz。稳定性：在 1 小时预热之后，在恒定的工作条件，≤1000 ppm/小时。温度系数：≤300ppm/?C环境：温度范围：工作温度： 0?C 至 40?C存储温度： -40?C 至 85?C湿度：10% 至 90%，无冷凝。冷却：对流冷却尺寸：1.49? 高 X 4.09? 宽 X 6.73? 深 (38mm X 104mm X 171mm)重量：2.2 磅 (1 千克)接口/电源连接器：9 针 公头 D 型连接器高压输出电缆：高压正极性：29.5? (750mm) 悬空引线，URM76 同轴高压电缆高压负极性：29.5? (750mm) 悬空引线，URM76 同轴高压电缆合规认证：符合 EEC EMC 指示和 EEC 低压指示。符合 RoHS。 MCP 接口/电源连接器JB1信号信号参数1信号地信号地2电压编程输入0-10Vdc = 0-100% 额定输出3+24V 输入+24V 输入4+24V 输入+24V 输入5电压监测0-5Vdc=0-100% 额定输出6电源地电源地7电源地电源地8电源地电源地9电源地电源地

价格电议氦质谱检漏仪红外探测器杜瓦封装器件检漏 随着空间遥感技术的不断发展, 对空间探测器的性能和光谱提出越来越高的要求. 红外探测器是红外探测系统的核心元件, 在航天和天文领域有广泛的应用, 随着波长向长波扩展和探测灵敏度的提高, 红外探测器必须在超低温下工作. 因此需要将红外探测器封装在杜瓦瓶中, 组装成杜瓦封装器件, 目前红外探测器在空间应用中多采用机械制冷方式, 将外部制冷机与杜瓦封装器件连接. 从而实现低温工作. 真空度的保持是杜瓦封装器件的重要指标. 真空度差或者真空度保持时间短将直接影响红外探测器组件的性能. 因此需要进行泄漏检测, 上海伯东德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪提供无损的检漏方法, 成功应用于红外探测器杜瓦封装器件检漏！上海伯东杜瓦瓶检漏客户案例: 某天文所研发红外探测器, 红外探测器应用于火星探测项目, 红外探测器安装封装于杜瓦瓶中, 形成杜瓦封装器件, 真空模式下漏率值要达到 1.10-8Pa.m3/s. 上海伯东根据客户杜瓦瓶腔体大小和腔体材质, 结合要求的真空值和漏率值, 提出使用便携式检漏仪 ASM 310 + 分子泵组 Hicube 700 解决方案.杜瓦瓶检漏方法: 采用真空模式检漏, 分子泵组 Hicube 700 作为辅助泵先对杜瓦组件进行抽真空, 当真空度达到待检值时, 在杜瓦瓶周围怀疑有漏的位置吹扫一定量的氦气, 启动便携式检漏仪 ASM 310 开始检漏, 漏率值设定为1.10-8Pa.m3/s, 若有检测到实际漏率小于设定值, 则会报警提醒, 从而可以定位定量判断杜瓦封装器件泄漏位置, 判断是否符合使用要求.便携式检漏仪 ASM 310清洁无油, 极轻的重量 21kg 和全球通用电压使它成为理想的检漏工具便携式氦质谱检漏仪 ASM 310 是目前市场上同类型检漏仪最轻便紧凑的产品 对氦气的最小检测漏率 真空模式 5E-13 Pa m3/s吸枪模式 1E-8 Pa m3/s对氦气的抽气速度 1.1 l/s 涡轮分子泵组 Hicube 700 Classic极限真空 1X10-7 mbar前级泵配置隔膜泵 MVP-070, 抽速 3.8 m3/h结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家检漏仪的技术优势, 上海伯东德国 Pfeiffer 推出全系列新型号氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解杜瓦瓶检漏, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: T: F: F: M: M: 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

产品简介：探测器是采用具有光电效应的材料制作的光电转换器件。由于不同类型的材料具有不同的光谱选择特性，因此探测器光谱响应测试对探测器的生产、检测、应用和研究等都有重要的意义。SSC-DSR探测器光谱响应测试系统可以方便、简捷地对探测器的光谱性能进行检测。系统符合国家计量技术规范 JJF 1150-2006《光电探测器相对光谱响应度校准规范》规定的测试方法和测试要求，是探测器光谱响应测试的首选设备。测试项目：绝对光谱响应曲线（A/W或V/W）；相对光谱响应曲线；内/外量子效率曲线（%）；等效噪声功率（NEP） 比探测率（D*） 响应时间（s）；线性度，以及暗电流（A）。偏置电压下的光谱响应度及外量子效率，指定波长下的I-V特性测试。 主要特点：1. 光谱范围宽，适用面广 宽光谱范围可适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器；响应在可见光的太阳能电池；响应在近红外的光纤传感器；响应在中远红外的光电传感器，都可以在本系统上测量光谱响应度。2. 监视光路，方便样品定位 采用监视光路，使用高精度显微镜配合CCD 相机实现对微小器件的可视化控制，可清楚观察暗室内测试光斑与样品有效区域的位置关系，配合精密位移台实现样品精确定位。3. “TurnKey”理念，“OneKey”应用，系统集成度高。 秉承“交付即使用”的“TurnKey”理念，我们将系统设计为高度集成结构。在保留模块化系统兼容性高和升级空间大的前提下，将众多调整环节整合，达到无需多加调整即可使用。为免除定标的繁琐操作，本系统采用替代法进行测试。替代法作为现行的国家级计量部门通用的测试方法，与传统方法相比避免了对系统中各相关部件分别定标的繁琐以及多项误差的引入，具有更准确，更方便的特点。 4. 针对不同器件的结构特点，配置不同的测试模式，配合两种不同的光路形式。4.1.有效面积小的样品，需要通过照度法进行响应度的测试。采用积分球匀质光路设计，光均匀度高。 在宽光谱范围的光学设计中，采用积分球实现光的匀质输出是一种常用的手段。积分球内设置合理的挡板可有效防止入射光的直接出射，保证输出光的匀质要求。4.2.有效面积大的样品，可采用通量法进行响应度的测试。采用全反射式成像光路，可提高光利用率，增大测试信噪比。 在宽光谱范围的光学设计中，反射式光路要比透射式光路具有更高的成像质量。透射式光学系统中影响成像的重要因素是色差，其来源是不同波长的辐射在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。在反射式的光学系统中，由于不涉及折射，所以不存在色差。因此采用反射式光路，成像质量会优于透射式光路。反射式汇聚光斑成像光路示意图测试系统暗箱内部测试系统样品室采用暗箱避光设计结构，同时便于取放样品或进行调整操作。样品室内上方为主光光源出光口，出光口角度出厂前已调整好，可准确照射在样品及探测器上；通过CCD相机对暗箱内进行可视化控制，可清楚的观测光斑效果，使样品精准定位；下方为可调整样品台，样品台可按需定制为手动或电控驱动，搭配我公司多种的探针台或其他配件。这种模块化的灵活搭配方式，适合工业、科研用户建立多种类样品的测试平台。系统参数：光谱范围200nm~2500nm内可选波长准确性±0.2nm光谱分辨率±0.1nm光谱带宽0.2nm~10nm可调光电源电流漂移＜0.04%/h系统重复性1%系统框图： 系统软件：a) 集成分光系统、滤光片轮、数据采集器等参数设置功能b) 测量项目选择，扫描参数设置c) 自动扫描、信号放大、A/D、数据采集d) 粗大误差的自动去除，通过统计学的数据处理手段进一步提高了系统测试结果的准确性e) 多组数据对比功能f) 图、表文件自动生成与显示 g) 多种格式的数据和图片备份和打印输出功能 相关组件：氘灯光源氘灯光源主要用于紫外，可到真空紫外界限195nm，并且波长越短，亮度越高，在360nm以下比一般卤钨灯的辐亮度高。氘灯光源室内置长寿命氘灯灯泡，用户可自行更换。可用作独立的紫外光源，荧光光源的激发光源，或与我公司生产的单色仪、光谱仪、样品室、滤光片轮等配套使用组成各种应用系统。 卤钨灯光源卤钨灯光源室内置德国OSRAM原装进口灯泡及灯座，使用寿命长，用户可自行更换灯泡。光源具有色温高，光效高，光通稳定的特点，灯泡寿命终止时的光通量为开始时的95~98%，可基本保持恒定。输出光通量波动仅为0.12%~0.2%。该光源可与我公司生产的单色仪、样品室、滤光片轮等配套使用组成各种应用系统，也可单独作为照明光源使用。 氙灯光源氙灯光源室内置德国OSRAM原装进口高压短弧氙灯，亮度高于国产灯源数倍，寿命长，更换方便。光源室的F/#连续可调，且高压触发器置于光源室内部，避免光源室与电源之间传递高压造成安全隐患。关闭电源后，风冷系统继续工作保证光源室和电源充分冷却以延长各零组件寿命。 光栅扫描单色仪光栅扫描单色仪，配置滤光片轮，消除二次色散设计，有效抑制杂散光；单色仪采用多光栅塔台式分光结构，可根据需求灵活配置多块光栅；集成式软件可自动控制光栅转换、滤光片更换和波长扫描，实现全自动宽光谱测试；单色仪产品可与我公司光源、探测器等产品灵活组合搭建，广泛应用于我公司各光谱测试系统。 光学斩波器光学斩波器是一种高精密的光学设备，主要作用是将连续光调制成为有固定频率的光，同时输出调制频率；通常是与锁相放大器配合使用；光学斩波器一般由如下几个部件构成：控制单元、斩波装置、斩波片和连接线等 锁相放大器锁相放大器是用来检测极微弱的AC信号（可低至nV级）的高灵敏数据采集器，即使在噪声高于信号数千倍的情况下，也可得到精确的测量；锁相放大器是使用PSD相位敏感检测器的技术，只有存在于特定参考频率的信号可被挑选出来，而其他频率的噪声则不会被检出。系统需求确认表：SSC-DSR系统需求确认表(****单位****老师），请勾选填写后发到邮箱ssc@shinsco.cn1光谱范围（nm）（200-2500nm）2测试内容绝对光谱响应、量子效率、等效噪声功率NEP、暗电流pA级、最大反向电压，短路电流，开断电阻，暗电流-反向电压，暗电流-环境温度，响应温度系数，增益，一致性（Mapping)3样品种类 （光电二极管、雪崩二极管等）4样品材质（硅、铟镓砷、锗等）5样品极数（二级、三级）7样品封装方式（裸片、TO5、TO8等）8光敏面尺寸9是否需要电偏置电偏置电压范围（V）10测试模式（交流、直流、交/直流切换；电动、手动）11附件需求（平台，电脑，打印机，备用灯泡等）12是否提供电池样品、照片或尺寸图等13其他要求根据不同的需求进行配置，报价区间25-80万元左右。应用案例：江苏某高校探测器光谱响应测试系统深圳某高校探测器光谱响应测试系统大连某高校探测器光谱响应测试系统长春某高校探测器光谱响应测试系统中国航天某院探测器光谱响应测试系统新疆某高校探测器光谱响应测试系统

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

实验室闪烁体探测器γ谱仪产品特征：探测器类型：2*2”碘化钠探测器配置1024道多道分析仪尺寸：Φ6*35（cm）

探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品，能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数，如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管，有库存随时发货，包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管。校准特性：在光电二极管的整个光谱范围内，每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度，并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05（Ø 0.535英寸-40）和SM1（Ø 1.035英寸-40）外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头（SM05PD系列）或BNC接头（SM1PD系列）提供的。该光电二极管可分为A型（阴极接地）或B型（阳极接地）布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管，设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性，是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管，用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化，以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤：FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤，780-970纳米，芯径5微米，数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP，单模光纤，610-770纳米，芯径4微米，数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤，320-1000纳米，芯径62.5微米，数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射，同时单模光纤也能抑制模式干扰（也称为MPI－多路径干扰），是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要，可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动，传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米，然而，我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同，横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息，与光斑形状，尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值（300微伏有效电压），对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关，表示为以下方程，这里，&Delta R是分辨率，Lx是探测器长度，9毫米，en是输出噪声电压，300微伏有效电压，Vo是总输出电压水平，4伏特最大值因此，对于最高功率水平，分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装，提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和，结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的（NIST标定）和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口，能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口，这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型，硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感，最高灵敏度在500纳米（见图1）。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲，然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号，可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息，请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度，使之降低到环境温度以下，那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择，SPCM20A 和 SPCM50A，其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹，能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路，从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子，取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米，而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置：手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息，请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围：280&ndash 630纳米，或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益：阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔，用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变（0-1.8伏直流）电源（不包括）Thorlabs提供两种光电倍增管模块，结合了一个端窗型光电倍增管（PMT），外壳，以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器：PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围，PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极，与PMM02（点击规格标签了解详细信息）相比，它具有更高的增益，&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更低的暗电流，但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配，双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下，PMM02具有半透明的多碱（S20型）光电阴极，具有&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路，消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块，Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小，以及触电的风险。此外，该PMT模块由± 12伏直流电源（包括120伏和230伏插接适配器）和0&ndash 1.8伏的可变直流电源（不包括在内）供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹，可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E（8-32至M4）适配器。此外，在该模块的正面有4个4-40螺纹孔，使其与我们的30毫米笼式共轴系统 （点击笼式兼容性标签了解更多信息）兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖，该模块带有的SM1兼容内孔，可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此，成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外，使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器，这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应：185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管（PMT）模块设计使成像系统，如我们的激光扫描必备套件，更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测，并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽，这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1（1.035英寸-40）螺纹，可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直，可以和附带的滤光片立方插件配合使用，该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块（PMTSS2-SCM），该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户，我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹，可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线，用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的，该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米，高灵敏度型号185-900纳米，标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通：440 ± 40纳米带通：525 ± 50纳米长通：600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管（PMT）单元，用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带，标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个（PCU1B）或者两个（PCU2B）高灵敏度低噪声PMT模块（详细信息请看表格）。双PMT单元（PCU2A或者PCU2B）是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择，因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片，能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间，或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片，请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机，以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备，提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用，我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入，可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机，C形安装 CCD相机，C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性（CG和AG）偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围，以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地（CG）以及阳极接地（AG）光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列，我们的光电流放大器符合RoHS标准，此外，还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。

PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉（MCT）探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点：&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用：&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数：像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz（请联系PhaseTech了解更高的帧速率）比检测率（D*）4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声（1σ）*10次计数，超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸（21.6 x 10.2 x 25.9厘米） 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数（1000次拍摄时为1σ）垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比，信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸，直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序，可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf

PhaseTech JackHammer 中频红外探测器PhaseTech JackHammer 中频红外探测器是一种用于高重复率中红外激光系统的强大检测系统，能够以非常低的噪声在高达100kHz的频率下进行炮对炮采集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器非常适合中红外瞬态吸收、泵浦探针和二维红外实验中的高信噪比数据收集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要参数：波长范围~3-10μm（1000-3333 1/cm）源激光重复率≤100 kHz像素数32-128外部通道每32个像素1个数字分辨率16位（65536计数）有效动态范围典型值。10000比1暗噪声（标准偏差）。6个计数PhaseTech JackHammer 中频红外探测器功能和特点：&bull shot to shot采集模式&bull 平均片上采集模式&bull LabViewTM控制和采集VI&bull 噪音极低&bull 外部通道采集&bull USB连接PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要应用：&bull 时间分辨红外光谱&bull 2D红外光谱&bull 2D电子红外光谱 超低噪音暗噪声比激光噪声低一个数量级。典型的暗噪声约为6次计数（标准偏差超过500次） 可与现有MCT探测器一起使用JackHammer 可与旧的MCT阵列配合使用-升级您的旧探测器，使其与新的100kHz激光器配合使用。 专为超快而设计JackHammer的电路设计由苏黎世大学的Peter Hamm教授博士开发。哈姆教授拥有数十年设计超快实验采集系统的经验。PT_JackHammer_100kHz_Datasheet.pdf

美国U2D公司基于微结构半导体中子探测器（MSND）技术的中子剂量计、中子能谱仪便携式包装中子能谱仪——中子源辐射的准确定位和识别新一代中子剂量当量仪——重量只有8磅，坚固耐用，比传统中子剂量仪测试更精准 这种中子探测器的产品应用：1）防扩散国土安全的中子源定位和识别2）辐射安全管理、核反应堆现场安全分析等各种核安全领域的中子剂量当量的精准测量 产品优势：微结构半导体中子探测器具有位置分辨率好、时间响应快、体积小、工作电压低等优点，同时也解决了平面型半导体中子探测器探测效率低的问题；这种最新技术的中子探测器

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

仪器简介：S1024DW大阱深探测器光谱仪采用1024像元光电二极管阵列探测器，用于需要高信噪比的测量。通过S1024DW可以观察到小于0.00001个吸光度单位的变化，适合高亮度的应用。技术参数：S1024DW系列探测器选项 特性 S1024DW S1024DWX 探测器：Hamamatsu S3903 线阵二极管 Hamamatsu S3904线阵二极管 像元： 1024像元 1024像元 像元尺寸：25 µ m x 500 µ m 25 µ m x 2500 µ m 阱深： 31,000,000 electrons 156,000,000 electrons 信噪比（全扫描） 2500：1 8000：1 A/D精度: 12 bit 16 bit 暗噪声： 2 RMS 2 RMS 校正后线性度： 99% 99% S1024DW系列探测器附件 型号描述 L2探测器聚光镜:附着在探测器上的圆柱状透镜，用于增加光的采集效率。 OFLV-DW:可变长通滤光片，在200-850 nm系统中消除高阶效应。 OFLV-350-DW:可变长通滤光片，在350-1000 nm系统中消除高阶效应。 规格 尺寸：153.4 mm x 105.2 mm x 65.6 mm （采用 ADC1000-USB A/D转换器） 消除高次衍射滤光片： 带通和长通滤光片 焦距：42 mm （入射） 68 mm （出射） 功耗：180 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX主通道） 140 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX辅助通道） 光学分辨率: ~0.3-10.0 nm FWHM （取决于光栅和入射狭缝） 探测器：线性二极管阵列 杂散光: 600 nm时 0.05%； 435 nm时 0.10% 探测器范围：200-1100 nm 相对灵敏度：和USB4000的CCD探测器相比，S1024DW 在紫外段约为1/30，可见段约为1/80 光栅：14种光栅 UV到NIR 入射孔径：5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤（无狭缝） 光纤连接：SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间：31ms到65s o-element-wrap: around mso-element-anchor-vertical: paragraph mso-element-anchor-horizontal: margin mso-element-top: 2.85pt mso-height-rule: exactly" 焦距：42 mm （入射） 68 mm （出射） 功耗：180 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX主通道） 140 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX辅助通道） 光学分辨率：~0.3-10.0 nm FWHM （取决于光栅和入射狭缝） 探测器：线性二极管阵列 杂散光: 600 nm时 0.05%； 435 nm时 0.10% 探测器范围：200-1100 nm 相对灵敏度：和USB4000的CCD探测器相比，S1024DW 在紫外段约为1/30，可见段约为1/80 光栅： 14种光栅 UV到NIR 入射孔径：5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤（无狭缝） 光纤连接：SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间：31ms到65s o-element-wrap: around mso-element-anchor-vertical: paragraph mso-element-anchor-horizontal: margin mso-element-top: 2.85pt mso-height-rule: exactly" 焦距：42 mm （入射） 68 mm （出射） 功耗：180 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX主通道） 140 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX辅助通道） 光学分辨率：~0.3-10.0 nm FWHM （取决于光栅和入射狭缝） 探测器：线性二极管阵列 杂散光：600 nm时 0.05%； 435 nm时 0.10% 探测器范围：200-1100 nm 相对灵敏度：和USB4000的CCD探测器相比，S1024DW 在紫外段约为1/30，可见段约为1/80 光栅： 14种光栅 UV到NIR 入射孔径：5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤（无狭缝） 光纤连接：SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间：31ms到65s主要特点：灵敏度高达0.00001个吸光度单位 S1024DW大阱深探测器光谱仪采用1024像元光电二极管阵列探测器，用于需要高信噪比的测量。通过S1024DW可以观察到小于0.00001个吸光度单位的变化，适合高亮度的应用。 &ldquo X"选项：超大阱深探测器 S1024DW是标准阱深光谱仪，其二极管阵列探测器的信噪比为2500：1。S1024DWX具有更大的阱深，信噪比为8000：1。 理想的高光强应用光学平台 S1024DW应用&ldquo USB"（也称作&ldquo S"）系列光谱平台，可以根据具体不同的应用来配置光学平台。具体选项有入射孔径、探测器附件、滤光片及光栅等等。S1024DW光学平台的操作和USB4000光学平台很相似。S1024DW光学平台通过光纤采集光信号并色散到1024个高灵敏度光电二极管组成的阵列上，而在USB4000中采用的是3648像元的CCD阵列。 可集成的系统，适合多点采样 在S1024DW光谱仪的主通道上可以附加多至7个辅助通道用以多点采样，可以用来扩展探测的波长范围或监视参考光谱。所有通道都通过一个ADC1000-USB A/D转换器进行数据采集，每个通道轮流工作，总共8个光谱仪通道的数据同时采集。ADC1000-USB转换器通过USB接口连接S1024DW到PC。可以分开购买S1024DW和ADC1000-USB，或同时作为一个整体（S1024DW-USB）购买。

红外探测器 探测灵敏度在高于1μm波长的探测器。认真选择材料组合，可以实现多种类型，涵盖宽光谱范围。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！热电堆探测器 为了满足多种应用的需求，我们的产品涵盖了单象元型、多象元型以及线阵、面阵型等多种类型。硫化铅光导探测器 硫化铅光导探测器是一种光谱响应范围在1到3.2 um波段的红外探测器。这种探测器可以在室温下应用于多种领域，比如辐射热度计和火焰监控器硒化铅光导探测器 硒化铅光导探测器光导探测器是一种光谱范围在1.5到5.2 um的红外探测器。这种探测器在室温下具有高灵敏度和高速响应特性。我公司还提供制冷类型，具有更高的信噪比，广泛应用于分析仪器、辐射热计和其他精密光度测定产品中。砷化铟光伏探测器 砷化铟光伏探测器是一种高速、低噪声的红外探测器，可以探测波长达约3.5 um的红外光。铟砷锑光伏探测器 铟砷锑光伏探测器使用了我公司独特的晶体生长技术，在 5 um波段具有高灵敏度。锑化铟光导探测器 热电制冷锑化铟光导探测器能够高灵敏、高速探测6 um左右的红外光。锑化铟光伏探测器 锑化铟光伏探测器是一种高度、低噪声红外探测器，在 3 um和5 um大气窗口波段具有高灵敏度。它可以在以峰值灵敏度和高速响应探测 5 um波段红外光。有两种制冷类型：液氮金属杜瓦型制冷和无需液氮的斯特林制冷型。碲镉汞光导探测器 碲镉汞光导探测器是一种在红外光照射下电阻变小的传感器，光谱范围分散在2到22 um之间。碲镉汞光伏探测器 碲镉汞光伏探测器在红外光找射线会产生光电流。宽光谱（双色）探测器 这种探测器将两种不同光传感器结合使用，沿着统一光轴，一个传感器安装在另一个传感器上方。该种探测器光谱范围宽，为两个光传感器所涵盖的光谱范围。光子牵引探测器 由于其在10.6um波段的灵敏性，光子牵引探测器是探测CO2激光的理想选择。铟镓砷探测器 铟镓砷光电二极管在宽光谱范围上都具有灵敏度，可制成图像传感器、线阵面阵以及光电二极管—放大器组合器件等。

宽能高纯锗探测器伽马能谱仪HPGe第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

InGaAs单元探测器产品简介高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号PD-100M-APD-200M-APD-300M-APD-400M-APD-500M-APD-600M-APD-800M-APD-1G-APD-1.2G-APD-1.5G-APD-2G-APD-2.5G-APD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K5K30K30K30K20K15K15K3KV/A饱和光功率1401401404208408401401401402102802801400uWNEP5557789999999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(maxA光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*2075*55*25mmInGaAs蝶形单元探测器产品简介蝶形封装单元探测器集成低噪声PIN探测器以及跨阻放大器，探测器采用单电源供电；在兼具原探测器模块性能基础上，其尺寸更小，重量更轻，功耗更低，特别符合目前设备系统集成小型化趋势需求。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DPD-100M-ADPD-200M-ADPD-300M-ADPD-400M-ADPD-500M-ADPD-600M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K4KV/A最大输入光功率130130130390780970pWNEP555778pW/Sqrt(Hz)输出阻抗505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDC供电电压5555512V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪单元探测器产品简介超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出，在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。产品特点噪声超低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UPD-100M-AUPD-200M-AUPD-300M-A UPD-400MAUPD-500M-A UPD-600M-A UPD-800M-AUPD-1G-AUPD-1.2G-AUPD-1.5G-AUPD-2G-AUPD-2.5G-AUPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K15K15K30K30K30K30K30K30K6KV/W饱和光功率140140140420280280140140140420140140700jwNEP2.22.22.22.73.13.13.33.33.33.33.33.33.3pW/Sqrt(Hz输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压555551212121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.3A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2065*50*2580*90*25mmSi单元探测器产品简介Si单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号PD-100M-BPD-200M-BPD-300M-BPD-400M-BPD-500M-BPD-1G-BPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mmInGaAs雪崩单元探测器产品简介雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号APD-100M-AAPD-200M-AAPD-300M-AAPD-400M-AAPD-500M-AAPD-600M-AAPD-800M-AAPD-1G-AAPD-1.2G-AAPD-1.5G-AAPD-2G-AAPD-2.5G-AAPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz响应度999999999999V/W跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K200K150K150K30KV/W输出阻抗50505050505050505050505050饱和功率13131339787813131320262678uWNEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2080*90*25mmSi雪崩单元探测器产品简介Si雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的 影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探 测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号APD-100M-BAPD-200M-BAPD-300M-BAPD-400M-BAPD-500M-BAPD-1G-BAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050饱和功率13131313131330uWNEPO.180.180.180.180.180.20.2pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm

InGaAs光电平衡探测器产品简介高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电 源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号MBD-100M-AMBD-200M-AMBD-300M-AMBD-400M-AMBD-500M-AMBD-800M-AMBD-1G-AMBD-1.5G-AMBD-2G-AMBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K30K30K15K15KV/A最大输入光功率140140140420840140140140280280pwNEP5557799999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACDC供电电压555551212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*2575*55*25mmInGaAs蝶形平衡探测器产品简介蝶形封装光电平衡探测器集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器，采用单电源供电。可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。该探测器在兼具原模块性能同时尺寸小、重量轻、功耗低特别适合于模 块以及系统集成。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DBD-100M-ADBD-200M-ADBD-300M-ADBD-400M-ADBD-500M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5KV/A共模抑制比3030303030dB最大输入光功率130130130390780pwNEP55577pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC供电电压55555V供电电流0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)A光学输入S MFC/APC(PM可选)射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪平衡探测器产品简介UBD系系列超低噪平衡探测模块是原MBD系系列基础上升级产品，相比较原MBD系列在其他参数相同条件下其本底噪声显著降低，在相同带宽以及增益条件下，其本底噪声约为MBD系列模块三分之一，因此灵敏度更高，信噪比更高。产品特点超低噪声高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UBD-100M-AUBD-200M-AUBD-300M-AUBD-400M-AUBD-500M-AUBD-800M-AUBD-1G-AUBD-1.2G-AUBD-1.5G-AUBD-2G-AUBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.2G300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K10K30K30K30K30K30K30KV/W最大输入光功率140140140210420140140140140140140uWNEP2.52.52.52.93.13.13.13.13.13.13.1pW/Sqrt(Hz)共模抑制比3030303030303030303030dB输出阻抗5050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACAC供电电压55555121212121212供电电流0.5(max0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)光学输入FC/APC(自由空间可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi平衡探测器产品简介Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-BMBD-200M-BMBD-300M-BMBD-400M-BMBD-500M-BMBD-1G-BMBD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*25mmInGaAs雪崩平衡探测器产品简介雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离 电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量测试结果产品参数产品型号BAP D-100M-ABAP D-200M-ABAP D-300M-ABAP D-400M-ABAP D-500M-ABAP D-600M-ABAP D-800M-ABAP D-1G-ABAP D-1.2G-ABAP D-1.5G-ABAP D-2G-ABAP D-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G1.5G2.5GHz探测器响应度99999999999A/W@1550nm跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K300K200K150K150KV/W饱和光功率131313397878131313202020输出阻抗505050505050505050505050NEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压555555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5{max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi雪崩平衡探测器产品简介Si雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪 声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源 的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAP D-100M-BBAP D-200M-BBAP D-300M-BBAP D-400M-BBAP D-500M-BBAP D-1G-BBAP D-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度25252525252525A/W@850mm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050NEP0.180.180180.180.180.180.2pW/V(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max]0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm

单光子计数模块|硅APD探测模块SPDSi|Si-APD单光子探测器 单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到最佳状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得最佳的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。技术特点： 高探测效率：65%@700 nm500 um光敏面积TTL数字信号输出低暗计数低后脉冲低时间抖动 应用领域： 荧光测量 激光测距量子通信 光谱测量光子关联 自适应光学 Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器 Fig3. Si单光子探测器结构图 产品参数：参数规格 参数值单位供电电压*122 -28V供电电流0.5A光谱响应范围200 ----1060nm探测效率@200 nm@700 nm@850 nm@1060 nm 265453%暗计数200 -2000cps死时间50ns后脉冲3 - 8%时间抖动300 - 500ps饱和计数率*210Mcps光敏面积500umAPD制冷温度-20℃工作温度-15 - +50℃输出信号电平LVTTL 输出信号脉宽530ns门脉冲输入电平Disable=LVTTL lowEnable=LVTTL high 0-0.42 -3.3V产品说明：1.不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。2.APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。3.在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。4.SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。5.同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。6.SPDSi支持空间和光纤接口接入。单光子探测器选型：

中船安谱区域伽马探测器ALPHAPEC 110产品简介 ALPHAPEC 110 区域伽马探测器应用于对环境中瞬变辐射的探测，其固定安装的布局覆盖整个场所，能显示场所内 伽马辐射分布态势，在伽马剂量率超标时，通过就地处理单元发出报警信号。该项目首次采用 TTC 技术，通过单根盖革计数管测量覆盖多个量级的剂量率范围。该探测器耐强辐射，能够在核事故后依然保证正常工作，提供事故信息。 适用于辐射侦察车、机器人和无人机的抵近侦察，及反应堆、加速器设施、军事核设施、放射医疗等场所的辐射防护等。区域伽马探测器ALPHAPEC 110产品特点 采用 Time-to-Count 技术，无死时间测量精度高；GM 计数管间歇性工作，寿命长；量程宽，线性度高；稳定性高，误报率极低。区域伽马探测器ALPHAPEC 110技术指标区域伽马探测器ALPHAPEC 110应用领域可广泛应用于机器人、无人机及防护车平台；核电站；核动力设施；放射医疗。

NLIR（非线性红外传感器）公司是由丹麦技术大学(DTU Fotonik)光子学工程系的3名研究人员和NLIR的首席执行官创立的一家初创公司，隶属于Nynomic集团。该公司基于新颖的上转换专利技术，开发了中红外光谱仪、单波长探测器和光源等一系列产品。相较于传统的红外光谱仪，NLIR公司的同类产品具有快几个数量级的光谱扫描速度和更高的灵敏度。上转换技术的核心是可将中红外光转换为近可见光的非线性晶体。这使得可以使用快速高效的硅基传感器来检测中红外（MIR）光。非线性中红外光谱仪的实现代表了一种新测量范式。该公司被命名为非线性红外传感器(NLIR)，以突出与当今领先的傅里叶变换红外光谱(FTIR)的MIR光谱方法的技术差异。NLIR公司开发的产品可广泛应用于中红外光谱领域，如光谱测量、光学镀膜、激光系统诊断、光纤光谱探针（样品检测）、实时工业过程监控、颜色识别、快速事件光谱分析、弱光光谱测试、自由空间光通信等。 中红外探测器面临的最大挑战通常是大量的固有噪声，并且它们从周围环境中收集大量噪声。NLIR单波长探测器通过使用窄带和高效的上转换技术以及低噪声硅基探测器来突破这两个限制。处理细节在即插即用探测器模块中完成，其中红外信号与NLIR的高功率泵浦激光器混合，以产生可被各种高响应硅基探测器检测到的近可见信号。如果客户不需要超弱光信号检测，NLIR还提供宽带解决方案搭配中红外探测器使用，这些解决方案会降低效率，但适配客户的宽带光源，并可产生高速和低噪声的中红外信号。 NLIR先进的中红外探测器产品可以满足客户对小信号和快速信号的探测需求。 产品特点-高达10 GHz的电气带宽-2.2–5.0 μm中心波长-高达GV/W响应-自由空间或光纤耦合输入-即插即用，内置前置放大 应用领域-脉冲表征-快速事件分析-超低电平信号提取-自由空间光通信-遥感-QCL和OPO光束分析 测量中红外纳秒脉冲来自NKT Photonics MIR紧凑型超连续谱源的光，以40 kHz发射5 ns脉冲，覆盖2 μm至4.2 μm的光谱，使用两个不同的点探测器进行测量。MIR 单色器选择波长为 2.4 μm 的 20 nm 带宽，输出耦合到 200 μm 的 MIR 光纤。光纤的输出依次发送到两个探测器中的每一个：NLIR 240 MHz 2.4 μm 单波长探测器（衰减为 50 dB）和市售的 9 MHz InAsSb 探测器，可直接曝光。图显示了两个探测器的响应。产品参数 型号D2250-DCD2250-2MD2250-100MD2250-240MD2250-1GD2250-10G中心波长（μm）2.2-5.0 (调谐可选2.7-4.3 μm)光学带宽（1），（2）（nm）15-200电气带宽，3dB（Hz）DC-20DC-2×106103-1006103-240×106103-1×10920×103-109噪声等效功率(W/√Hz)10×10-153×10-130.5×10-120.5×10-122×10-121×10-9最小探测功率（3）（W）45×10-154×10-105×10-98×10-96×10-8100×10-6交流电响应（4）(V/W)NA20×106600×103300×1033×103120直流电响应（4）(V/W)200×10920×106NANANA50暗噪声标准差(mV)93.56446输出电压，限阻50Ω（V）104.71.51.510.45抬升时间（10%-90%）（ns）NA1703.41.410.340.034输入接口类型（5）SMA光纤接头（可拆卸用于自由空间光输入）偏振方向垂直最佳输入光斑尺寸（mm）0.5（可定制）最大操作温度（℃）30尺寸（高×长×宽）（mm3）100×306×200重量（kg）5封装4×1英寸支柱（1）最小带宽取决于中心波长，中心波长越长，最小带宽越大；（2）带宽可根据要求选择：更宽的带宽会降低响应值；（3）最小功率是在全电气带宽情况下测得；（4）该参数是在中心波长为3.5 μm的最小光谱范围条件下获得；（5）使用数值孔径（NA）为0.26的200 μm光纤可获得较好测量结果。

1) 简述现代分析仪器的接收部分常用的光电检测器、光电倍增管 PMT（ Photomultiplier tube）和光学成像 CCD（Charge Coupled Device）传感器等器件。可提供800-1700nm近红外光探测器，广泛用于光谱研究和光谱仪器。2) 波长探测范围：800nm-1700nm 3) 光敏面积：Φ=0.5mm4) 特点：高响应度、低噪声、快速响应、超低暗电流5) 应用领域光学传感器、业自动控制、科学分析与实验空间光探测、光谱测试

Andor光谱单点探测器 除CCD 及InGaAs 阵列探测器以外，Andor 提供大量单点探测器配合Shamrock 系列光谱仪使用，以便扩展光谱仪的应用方式和波段范围：? PMT 探测器，185 - 900nm? 半导体探测器 200 - 1100nm? InGaAs 单点探测器 800 - 1900nm? PbS 探测器 800 - 2900nm? InSb 探测器 1 - 5.5 um? MCT 探测器 2 - 12um? PMT 用高压电源? 数据采集器，单光子计数器? 样品室，滤波片轮，光纤输入附件等光谱仪用周边附件