功率因数表

近日，2012年第一批推荐性国家标准计划项目已经过国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会批准下达，由全国电工仪器仪表标准化技术委员会秘书处组织上报的23项国家标准制修订计划全部获得批准。此次获得批准的23个项目覆盖了“AMI标准体系”中的各专项工作组。目前，全国电工仪器仪表标准化技术委员会秘书处已经启动项目工作组的组建工作。　　以下是23项国家标准制修订计划的目录：　　序号 计划编号 项目名称 标准性质 制修订 代替标准 采用国际标准 完成时间　　1 20120803-T-604 单相智能电能表特殊要求 推荐 制定 2014　　2 20120804-T-604 三相智能电能表特殊要求 推荐 制定 　 　 2014　　3 20120805-T-604 社区能源计量抄收系统规范 第5部分:无线中继 推荐 制定 　 EN 13757-5:2008 2014　　4 20120806-T-604 社区能源计量抄收系统规范 第6部分:本地总线 推荐 制定 　 EN 13757-6:2008 2014　　5 20120807-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第1部分:定义和通用要求 推荐 修订 GB/T 7676.1-1998 　 2014　　6 20120808-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第2部分:电流表和电压表的特殊要求 推荐 修订 GB/T 7676.2-1998 　 2014　　7 20120809-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第3部分:功率表和无功功率表的特殊要求 推荐 修订 GB/T 7676.3-1998 　 2014　　8 20120810-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第4部分:频率表的特殊要求 推荐 修订 GB/T 7676.4-1998 　 2014　　9 20120811-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第5部分:相位表、功率因数表和同步指示器的特殊要求 推荐 修订 GB/T 7676.5-1998 　 2014　　10 20120812-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第6部分:电阻表(阻抗表)和电导表的特殊要求 推荐 修订 GB/T 7676.6-1998 　 2014　　11 20120813-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第7部分:多功能仪表的特殊要求 推荐 修订 GB/T 7676.7-1998 　 2014　　12 20120814-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第8部分:附件的特殊要求 推荐 修订 GB/T 7676.8-1998 　 2014　　13 20120815-T-604 直接作用模拟指示电测量仪表及其附件 第9部分:推荐的试验方法 推荐 修订 GB/T 7676.9-1998 　 2014　　14 20120816-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第11部分:通用要求 推荐 制定 　 　 2014　　15 20120817-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第21部分:结构A型 推荐 制定 　 　 2014　　16 20120818-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第22部分:结构B型 推荐 制定 　 　 2014　　17 20120819-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第23部分:结构C型 推荐 制定 　 　 2014　　18 20120820-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第31部分:电气接口与结构A型 推荐 制定 　 　 2014　　19 20120821-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第32部分:电气接口与结构B型 推荐 制定 　 　 2014　　20 20120822-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第33部分:电气接口与结构C型 推荐 制定 　 　 2014　　21 20120823-T-604 智能电能表外形和安装尺寸 第41部分:显示规范 推荐 制定 　 　 2014　　22 20120824-T-604 自动抄表系统 基于窄带的低压电力线载波抄表系统 第216部分:正交频分复用(OFDM)协议 推荐 制定 　 　 2014　　23 20120825-T-604 自动抄表系统 基于窄带的低压电力线载波抄表系统 第215部分: 频带、发射电平和电磁骚扰 推荐 制定 　 　 2014

2012年11月6日，墨西哥能源部在其官方公报上发布一项强制性标准NOM-031-ENER-2012《道路、高速公路和户外公共区域使用的LED灯具能效规范及测试方法》，并于2013年5月5日起正式生效，所有涵盖在该标准范畴内的LED灯具产品在进入墨西哥市场上须按照此标准进行检测。　　该标准对于户外使用的LED灯具的最低能效要求、分类、测试程序、标签和市场监管等内容做出了详细要求。在最低光效要求方面，对于道路照明的LED灯具最低光效要求为70lm/W，户外使用的LED壁灯最低光效要求为52lm/W，户外使用的LED投光灯最低光效要求为70lm/W。在光通量标记上，所有室外灯具的总光通量测量值不得低于产品标记上标准值的90%。标准还对功率因数和谐波失真做了要求，要求所有室外LED灯具的功率因数不小于0.9，总的谐波失真不超过20%。　　墨西哥的标准分为NOM标准和NMX标准两类，NOM标准是墨西哥政府机构颁布的强制性标准，由墨西哥标准化委员会负责制定，其草案和正式文本均须在墨西哥官方公报上公布。NMX标准是由墨西哥官方认可的标准编写机构颁发的非强制性标准，只有当NMX标准成为NOM标准的参考，或被相关的法规引用时，才变为强制性标准。能源部通过国家节能委员会发布墨西哥能源效率的国家标准，墨西哥节约能源标准全国顾问委员会则负责墨西哥能效国家标准的制定、执行并监督标准的实施。　　宁波是全国最大的室外照明灯具生产基地，素有“中国灯具之乡”和“中国灯具制造基地”之称，宁波照明产品远销海外。目前，宁波出口的户外照明灯具已占到全国出口比例的70%，其中LED企业达到了1500余家，LED产品销售占照明总销售额的47%，而LED产品出口占其销售额的52%，其中LED商业照明占LED总出口量约60%。据统计，2012年1至10月份，宁波出口墨西哥灯具456批，金额1282万美元。　　为此，检验检疫部门提醒室外LED灯具生产企业：一是熟悉强制性标准。该标准对LED产品要求范围涉及很广，务必确保产品符合全部指标要求。二是严控产品质量。由于该标准的各项技术指标均较高，因此需在各个环节上下功夫，特别是对于最低光效指标，务必达到其能效要求。三是适度标识产品标记。在标记光通量和寿命时，需依据产品实际，切不可盲目标识，务必防止过高标识而达不到要求导致退货。四是密切关注其他各国行业动态，建立获取国外标准及技术性贸易措施的渠道和机制。灯具能效将会是一个“愈演愈严”的长久话题。

苹果最近发布了用于新MacBook Pro的140W MagSafe充电器，标志着苹果首次采用GaN技术。因此，根据 TrendForce 的最新调查，100W以上的快充产品因此进入了增长期，进而加速了第三代半导体器件在消费类应用中的采用。随着目前GaN功率晶体管的价格已降至近1美元，而且GaN快充技术不断成熟，TrendForce预计，2025年GaN解决方案在快充市场的渗透率将达到52%。TrendForce 还表示，2020 年绝大多数 GaN 快速充电器的峰值功率都在 55W-65W 范围内。峰值功率为 55W-65W 的 GaN 快速充电器占去年所有 GaN 快速充电器销量的 72%，其中 65W主流，而峰值功率为100W及以上的GaN快速充电器仅占8%。即便如此，随着越来越多的公司发布自己的大功率快速充电器，以应对消费者日益增长的能源消费需求，这些大功率快速充电器的前景似乎相对乐观。峰值功率为 140W 的快速充电器是目前可用的最强大的解决方案。在 100 W以上的产品类别中，GaN 快充的渗透率已达到62%。这些充电器主要由Navitas和 Innoscience 提供。Navitas的 GaN 芯片拥有超过 70% 的市场份额，被用于 Baseus、Lenovo 和 Sharge 等公司的产品中。另一方面，PFC+LLC 组合控制器已成为 100W以上快速充电器的主流解决方案，因为这些控制器具有更高的效率和更小的物理尺寸。SiC 二极管和 GaN 开关的组合使PFC（功率因数校正）频率提高。因此，主要制造商已迅速将 GaN+SiC 宽带隙半导体组合用于其快速充电器。例如，Baseus在2020年发布了全球首款120W GaN（Navitas供应）+ SiC（APS供应）快充，获得了市场好评。Global Power Technology、Maplesemi 和 onsemi 等 SiC 功率器件供应商也一直在加大对 PD（电力输送）快速充电器制造商的出货量。需要指出的是，快充接口已经逐渐成为汽车的标配。鉴于大功率车载充电市场的兴起，电子产品的功耗和最大电池容量将推动包括GaN和SiC在内的第三代半导体在未来的广泛应用。

p style="text-align: center "span style="color: rgb(0, 112, 192) "strongElectrotechnologyin China/strong/span/pp style="text-align: center "span style="color: rgb(0, 112, 192) "strong电工技术在中国/strong/span/pp style="text-align: center "strongspan style="color: rgb(0, 112, 192) "原文出版在”IEEE Spectrum”，1978年2月刊。/span/strong/pp　　1977年9月27日，应中国电子学会的邀请，由十名代表组成的IEEE代表团抵达中国开始对零件，计算机，通信，和电力领域进行了为期三周的访问，这篇文章是基于代表团成员的贡献，使得当时的美国读者可以近距离了解中国的先进技术。/pp　　span style="color: rgb(0, 112, 192) "strong中国电气和电子技术中最引人注目的方面在哪里?发展方向在哪里?正在以何种速度发展呢?/strong/spanstrongspan style="color: rgb(0, 112, 192) "总体来说，中国落后于欧美地区10-15年左右，大致的发展起始于1948年。/span/strong但是政府号召人民在2000年之前追平或超越工业化国家。西方访问者，如近期的IEEE代表团，也认为中国是可以做到的 -- 当然，意识形态的和谐统一将转化为现代化的驱动力，从而克服国家在研究领域、工业发展，特别是教育系统中的严重缺陷。/pp　　现今，中国似乎进入了一个稳定时期。各项条件可满足于真正的发展。在9月18日的声明中，中国共产党中央委员会提出“技术革命”和“重要的理论创新和技术发明”，为中国人民设定了目标：在重大科技领域，《声明》指出：“中国要逐步接近、追平，甚至超越世界最先进水平，使我国国民经济处于世界前列。”为此，中央对国家科学技术委员会进行了改革，要求各部门制定三年、八年、以及粗略的二十三年计划，以协调纳入国家计划。/pp　　以下是一些IEEE代表团成员近日来访中国的印象汇总。三周以来，中国电子协会(CES)陪同美国的参观者先后去了工厂、研究实验室，以及大学。参观者的观察虽然有限且不完整，但仍旧展示出了一幅复杂且充满活力的技术画面。/pp　　虽然来访的IEEE主要集中在通信方面，但CES也安排了对计算机、电力设备、和集成电路工厂的访问，以下将有完整的介绍。/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　Integrated circuits/strong/span/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　集成电路/strong/span/pp　　根据这一次对集成电路工厂的访问来判断，中国人似乎有能力胜任任何西方IC制造商所做的事情。研究人员充分了解更先进的集成电路制造技术。但是这项专业技能的应用需要混合开发，导致只能生产出25%的标准集成电路产品和不到10%的简单大规模集成电路。/pp　　上海芯片厂坐落在一个老街区，由一个老旧校舍改建而成，这从根本上来说便是不合适的。尽管环境艰苦，但确实做出了努力建立现代化的设施。据报道，当时的生产率、设备，以及技术，在1976年设备的总产量为二百万。工厂拥有员工八百人，一百人是“技术人员”，其中十人是工程师。/pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201805/noimg/5935cd63-dd1c-42e8-95ac-ddba1296a7df.jpg" title="001.png"//pp style="text-align: center "strongspan style="color: rgb(0, 112, 192) "上海线圈机械厂/span/strong/pp　　集成电路产品包括互补金属氧化物半导体(CMOS)，p-channel金属氧化物半导体(p-channelMOS)，以及双极器件，主要用于计算机和过程控制机。然而，对大规模集成电路的需求远远大于生产能力。尽管产量是全数字集成电路，模拟集成电路也正在考虑中。/pp　　目前离子注入设备(中国制造)用来制造CMOS电路。相反，所有电路的照相平版印刷技术都是手工的，按照最小线条宽度10微米的西方标准制造。/pp　　小型计算机用于测试大型集成电路随机存储器。除了表示接受或拒绝外，小型计算机可识别电路的故障部分。小型计算机由冶金研究所、电器厂和上海复旦大学联合开发。/pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201805/noimg/576d60b9-79f4-419e-a38d-65d6d290d3df.jpg" title="002.png"//pp style="text-align: center "strongspan style="color: rgb(0, 112, 192) "上海无线电工厂/span/strong/pp　　目前，一切都在改进当中。在与IC工厂毗连的位置，一座大型的新建筑正在崛起，那就是专门为LSI电路制造而设计的。/pp　strong　span style="color: rgb(0, 112, 192) "Telecommunications/span/strong/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　电信/strong/span/pp　　一个拥有十亿人口的国家只有500万的电话设备，由此可见，中国的电信行业还有充足的增长空间。甚至北京，作为国家的首都和主要城市，这座900万人口的城市也只有20万部电话。/pp　　国内的电话用户需要每月付电话费。市内电话不收费，但长途电话费用按照时间和距离收取。其收费标准与美国相比如何，这点IEEE代表团无法给出准确的答案。/pp　　在中国，电话设备和设施是一个既古老又新奇的事物。例如，远距离传输仍然很大程度上是通过明线(每对开放导线最多有16个话音通道)，在某些地区，这种介质将在未来几年提供足够的容量。(在美国，除了一些农村地区外，在20世纪50年代末，明线连接几乎已经不再使用了。)与此同时，现代同轴电缆系统(目前正在从960个扩大到1800个通道)连接北京和上海，并延伸到广东。微波无线链路(960个频道)正在全面生产 1800个频道的扩展也正在开发中。/pp　　用于语音信道的频分多路复用信道组信道组设备是全固态的。该设备大致相当于西方已生产多年的设备。同样，除行波管之外，6-GHz终端和无线电中继器也是全固态的。这些设备的生产制造现已达到了国际电报电话咨询委员会(CCITT)的国际标准水平。/pp　　长途电话仍然归属于接线员负责。例如，在北京长途电话中心，每天大约有五万个电话，这些通常是由两个接线员安排的。打电话的人给接线员一个长途电话号码，然后挂断电话。接线员填写通知单后将其放入所需分配位置。最终，该通知单将交由另一个接线员，他来负责拨出被叫号码和原来的呼叫者，并记录回答和断线时间。/pp　　这些由接线员拨打的电话通过HDW类型转换后，接下来使用的设备可服务于400个端口和100个接线位。然后，更先进的方法是，全自动代码条交换设备--其总功率可达6000端口 -- 北京正在使用，也将被用于其他八个大城市。/pp　　北京长途电话中心拥有员工1300人，其中包括500名接线员和800名工程师与技术人员。其中，15%-18%的员工是女性，在这些人中25%的员工负责技术工作。该中心的设备大多都坐落在一个全新的九层楼高的大厦里，这提供了丰富的扩建空间。建筑中所有的设备都是中国制造。/pp　　国际间的通讯依旧是容易的。在北京中心每天大约有2000个国际电话。仔细观察可以发现，通往美国的两大电路是未被充分利用的，每个月只有大概300-500个电话。高频单边带无线电(2至30MHz)仍然广泛用于与偏远的公社和村庄交流。/pp　　卫星系统似乎是解决国家孤立地区问题的一种天然方法。中国已经在1979申请了两颗通信卫星，但其实际的国内应用计划还不清楚。一个人造卫星地面站正在北京展出。它具有的30英尺的抛物面天线有限方位运动可能意味着它是专为同步卫星。/pp　　鉴于此，没有看到任何形式的数字传输或交换，中国也没有表示任何发展和应用的计划。然而，中国已经发布了一个数字卫星地球站。/pp　　大多数的电话是旋转式拨号盘类型 按键类型的电话生产数量有限，机电电传打字机复古设计仍然是大批量生产。它们看起来像是西方人使用的老式设备，但坚固耐用且可靠。/pp　　北京计算机技术研究所研制了一种1024针静电打印纸矩阵线打印机。工程师使用了字母数字字符的7到9矩阵--这是一个具有挑战性的问题，其解决方案将需要至少一个20乘20矩阵。/pp　　在各种工业展览会上，最新的图形和传真终端都有所展示，但目前还不清楚它们是否已投入使用。这些终端包括：阴极射线管显示图形 喷墨传真终端 以及印刷式发送传真电报终端。/pp　　汉字的广泛使用有利于传真传输，但趋势是开始利用罗马文字取代汉字。/pp　　邮电部负责全国网络规划和电话设备生产控制。然而，只要工厂的产量和技术质量符合卫生部的标准，各省在设备制造方面似乎有一定的独立性。/pp　　该部首先把扩大长途城际连接放在首位，之后将网络扩展到全国2000个县。上海的一个中央研究所由该部运营，负责电信的研究和开发。与贝尔实验室和欧美地区的类似机构不同，上海研究所没有制作设计图纸。相反，调查结果会被传送给铁道部，该部使用它们来制定规范，中国工程师称之为“主要图纸”。实际的生产设计和图纸是在工厂完成的。/pp　　该部拥有三个开关设备工厂，但也有许多省级工厂，这意味着可以随意改变基本设计。但是，尽管有这种权力下放，设备也必须集中建造，必须符合中央一系列电阻抗、信号等既定标准。因此，互连是可能的。设备的设计和制造的预期寿命为40年。/pp　　在电信业，与其他中国产业一样，新产品和服务由设计师、制造商和用户组成的“三合一”小组来构思和评估。政府部门支持各组之间的联合讨论。小问题通常可以在没有政府部门的干预下解决，而一些更重要的问题或分歧则是向政府部门提出并解决。从观念到生产的孕育期与西方差不多 -- 简单产品的三到四年，更复杂的产品所需时间也更长。/pp　　中国的工厂建设一丝不苟，一尘不染，但同时也为员工提供丰富的福利-- 住房补贴等。例如，北京微波设备厂为1400名员工提供餐厅、托儿所、幼儿园、鱼塘和菜园。/pp　　机床和其他零件设备都可制造。大部分的装配工作都是手工完成的。西方访问者经常会被工厂中昏暗的照明吓一跳，然而这在中国许多工厂是很平常的事情 通常，只有组装线上的工作照明比较好，光线会通过窗户照射进来。使用放大镜可以缓解眼部疲劳，同时也能加速生产。但是，中国工厂的一些安全标准仍需改进 -- 例如中国工人不屑于美国工人工作时所佩戴的安全眼镜和口罩。对比新旧生产方式，可以看出变化的迅速。例如，在南京电信工厂，一个房间里的金属棒(用于同轴电缆系统的机械过滤器)用手工打磨，用磨石和砂纸打磨。而在相邻的房间里，其他的金属棒则被自动送入脉冲激光束中，燃烧棒的末端直到频率计信号停止。/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　The motor works/strong/span/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　电机工程/strong/span/pp　　motor和generator这两个词语在中文的意思表达相同，所以上海电机厂的名称意味着工厂不仅生产大型工业用的同步和直流电动机，同时也制造容量为300兆瓦的汽轮机和低速发电机。工厂位于城市的郊区位置，共有8000名工人，其中大约一半人住在附近。其他人来自上海本地，通常会在工厂宿舍住六个晚上(周一到周六)。/pp　　这种工厂在世界各地都非常典型。其具备很多重型机械，其中大部分来自捷克和俄罗斯，也有些是现代化中国的产物。产品在转子和定子的大机器冷却蒸馏水使用显著，其空心轴转子，和扭曲在低速机极槽的缺失。/pp　　上海电机厂的电镀车间装备精良。其半自动浸胶线可用在其他产品上，利用锌对功率因数的电容器罐–由分隔区域镀数控(纸带输入)。操作员可通过视窗或闭路电视查看进程。/pp　　从300-MW,18-Kv,3000-r/min的发电机设计来看，均与西方标准大致相同。据报道，发电机的效率为98.5%，包括励磁机损耗。它被设计为在0.85功率因数下运行。绕组与玻璃纤维/环氧树脂复合材料绝缘。绝缘测试在两倍额定电压加上3000伏特一分钟(这种做法与美国相当)，直接连接励磁机是一个500伏，100赫兹交流发电机与整体安装整流单元。/pp　　“为了办好社会主义企业，我们需要且有必要重视规章制度，”一位工程师对美国IEEE代表团这样解释道。当材料进入工厂时，应认真进行进货检验，并在生产过程中再次检查。如果来料检验没有做好，这将严重影响产品质量。/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　Computers/strong/span/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　计算机/strong/span/pp　　虽然中国在社会主义国家传统上比较薄弱的两个领域——软件和外围设备——取得了一定的成功，但总体进步率必须被判断为相当缓慢。在中华人民共和国，操作系统仍处于起步阶段。程序员用纸带代替穿孔卡片。用户语言在中文版本的Algol中仍占主导地位，虽然Fortran Ⅳ和Basic语言也在迎头赶上。甚至没有提到Cobol -- 事实上，大型计算机目前似乎只用于科学工作而非商业用途。/pp　　北京计算机技术研究所开发了一款名为013的计算机，这是一台大容量的48位字科学机器，每秒可完成200万指令。其外围设备包括磁带机、线号打印机，文本和图形点阵打印机，一对10字节的可移动头磁盘驱动器，一个阴极射线管显示器，和一个本地制造的“golf-ball”打字机--类似于IBM Selectric。/pp　　013计算机的特点相当于美国第三代计算机(具有中小型集成逻辑、输入/输出通道和操作系统)，类似于1965年的美国机器。尽管如此，013也不能给参观者留下深刻的印象，因为它是由一个规模不大的群体(大约100人)在一幢陈旧的老式建筑中产生的。据悉，计算机的每一个部件都是中国制造。这是少数访问者被要求不可以拍照的地方之一，中国方面表示，“我们还未发布过任何关于该机器的信息。”/pp　　国家有计划将013投产，同时另一款大型机TQ-6，已在上海计算机厂小批量开始生产了。上海计算机厂的位置过去曾是一家学校，而TQ-6是第三代机器。/pp　　显然，上海无线电工厂的工程师们在他们的领域内是能干的，并且撑起了这个国家重要的制造工厂之一。然而，他们也很清楚自己的产品是落后于时代的。/pp　　一位工程师表示：“中国和西方的计算机技术之间的差距应该在缩小。现在，我们期待着可以提高我们的发展水平。”随着中国在计算机领域具有强烈的发展愿望，上海集团必须找机会扩张并实现现代化。/pp　　在小型机方面，中国工厂生产了多种型号。事实上，功能似乎有太多的重复和重叠——太多的机器模型和一些通用模型对各种各样的应用没有足够的灵活适应。与中国工程师的讨论表明，他们意识到在大型和小型计算机的开发中需要国家协调工作，从而可以大规模地生产一些模型。/pp　　在计算机规模的矮端板，台式计算器正在南京批量生产。该装置可编程多达128个步骤，但程序必须输入十六进制代码。上海无线电十三厂还制作了一个计算器--十位数，四种功能单元的设备，大约10*10*2英寸的尺寸。该计算器为有线供电，配有明亮的绿色显示屏，且带有一定的存储能力。它包含18个芯片，价格为2000元(1200美金)，稍许小贵。中国人也意识到，在欧美地区，这种商品比较便宜。/pp　　“是的，我们知道，”一位工程师表示。“HP-35最开始的售价为415美元，但现在仅需20美元即可购买到同等价值单元器件。”中国人更愿意接受中国制造的计算器，即使知道其成本比较高，只是因为大家是中国人。/pp　　中国的电脑技术人员在选择是使用自主开发的软件，还是使用别人已开发的软件或机器制造方案时(如苏联生产的IBM-360-compatible Ryad机器)，他们通常选择前者。/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　Data communications/strong/span/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　数据通信/strong/span/pp　　除电传服务，似乎在中国很少甚至几乎没有数据通信，大概是因为远程计算机还没有熟练运用 -- 可能永远也不会像在欧美地区一样。由于微型计算机和小型计算机技术在发达国家已经发展得很先进，中国人可以通过在许多商场机器上进行大量的应用处理，而不是在远离终端用户的几个大的应用机上使用。/pp　　尽管如此，中国工程师还是见多识广的，甚至对计算机网络和公共数据网络最前沿的想法也很感兴趣。在过去的几年中，他们作为代表出席了国际电报电话咨询委员会关于新数据网络、文本通信和数据传输技术的全体会议和研究小组。/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　Radio and TV/strong/span/ppspan style="color: rgb(0, 112, 192) "strong　　广播电视/strong/span/pp　　在中国，众所周知的著名晶体管收音机品牌“熊猫”，由南京无线电工厂生产。除了这些收音机，工厂的3000名员工还制造单通道、单边带发射机和接收机、医疗仪器和彩色电视机。许多小工厂也生产收音机，但品牌不同(广交会上共有19个不同品牌的收音机)。/pp　　南京工厂的设计师通过向农民、工人、士兵测试原型机来确定消费者的反应。当这一切都批准通过时，有限的生产模式被送至国家商业部门进行进一步试验。当最终获批时，即可开始大规模生产。/pp　　在装配线上，零件被手工插入到印刷电路板中，并且元件引线被自动地夹在适当的长度上，以便在小波峰焊接机上焊接。高效方便的装配台由三位一体的委员会打--专门从事夹具和夹具的生产，以降低生产成本。起初，一家非中国公司被认为是供应组装长凳，但给出的价格中国人认为过高了。因此，中国开始自行研发，不仅增加了一些其他功能，生产成本也才是原始报价的八分之一。/ppstrongspan style="color: rgb(0, 112, 192) "　　Overview and prospects/span/strong/ppstrongspan style="color: rgb(0, 112, 192) "　　综述与展望/span/strong/pp　　中国是一个在许多领域中有着巨大的内部需求的大国，包括通信业。为了帮助满足需求，在2000年实现现代化，中国拥有以下宝贵的有利条件：相比于其他国家的低工资水平与熟练劳动力，熟练的规划与管理，在许多方面扎实的技术能力，技术转移能力的经济系统，且最终具备从欧美地区已开发的技术池中汲取的能力。一个强调技术创新的社会能够繁荣吗?这个问题的答案就是可能失败，亦或成功。/pp 这是一篇很久以前的文章，看完之后对照一下中国科学仪器产业的发展，也许会让大家有所思考。中国科学仪器产业发展了这么多年，取得了哪些长足的进步，又有哪些不足？您又如何看？/p

1)IEEE 1528-2013 最新版本　　加拿大工业部的RSS-102 – 无线电通讯设备(所有频段)的RF暴露合规性包含引用国际标准IEEE 1528。RSS-102 第4版章节3 声明：　　SAR评估应按照 IEEE 1528 和/或 IEC 62209 的最新版本进行。　　2013年9月6日， IEEE 1528-2013对靠近人体头部使用的无线通信设备的峰值空间平均比吸收率(SAR)的IEEE推荐做法授权：测量技术由IEEE标准组织出版。　　(http://www.techstreet.com/ieee/products/vendor_id/4418)　　加拿大工业部将允许一个过渡期，以采用最新的IEEE标准。　　2013年12月1日之前，对靠近头部使用的设备的SAR合规性评估，加拿大工业部将依据IEEE 1528-2003、 IEC 62209-1 Ed. 1 或 IEEE 1528-2013标准。2013年12月1日之后，靠近头部使用的设备的SAR合规性评估将仅采用IEEE 1528-2013标准。　　备注：在过渡期内，对靠近头部使用的设备执行SAR合规性评估时，加拿大工业部将不接受使用不同的标准(例如：IEEE 1528-2003的系统校验和IEEE 1528-2013的SAR测量协议)。测试只会依据一种标准进行，而并非是多种标准的组合。　　2)功率豁免限制　　当要决定是否需要常规评估时，参考RSS-102第4版第2.5节中规定idi-font-size: 10.5pt" lang="EN-US"　　然而，该部门也将接受基于RSS-102第5版草案的功率豁免限制。在RSS-102第5版发表之后，将只依据该版本内的功率豁免限制。　　2.5.1常规评估的豁免限制——SAR评估　　如果用户和/或旁观者与设备的天线和/或辐射单元之间的间隔距离少于或等于20厘米，将需要进行SAR评估， 除了设备工作在或低于表一中规定的分隔距离下的应用输出功率(包含设备的功率公差)。　　表1：SAR评估——基于频率和间隔距离的常规评估的豁免限制频率（MHz）豁免限制（mW）间隔距离≤5mm间隔距离为10mm间隔距离为15mm间隔距离为20mm间隔距离为25mm≤30071mW101 mW132 mW162 mW193 mW45052 mW70 mW88 mW106 mW123 mW83517 mW30 mW42 mW55 mW67 mW19007 mW10 mW18 mW34 mW60 mW24504 mW7 mW15 mW30 mW52 mW35002 mW6 mW16 mW32 mW55 mW58001 mW6 mW15 mW27 mW41 mW 频率（MHz）豁免限制（mW）间隔距离为30mm间隔距离为35mm间隔距离为40mm间隔距离为45mm间隔距离≥50mm≤300223 mW254 mW284 mW315 mW345 mW450141 mW159 mW177 mW195 mW213 mW83580 mW92 mW105 mW117 mW130 mW190099 mW153 mW225 mW316 mW431 mW245083 mW123 mW173 mW235 mW309 mW350086 mW124 mW170 mW225 mW290 mW580056 mW71 mW85 mW97 mW106 mW　　输出功率级应为基于源的按时间平均的的最大传导输出功率功率或等效全向辐射功率(e.i.r.p.)的较大值。对于受控的设备1g组织液SAR的限值是8W/kg,，表1中常规评估的豁免限制应乘以因数5。对于适用10克的肢体佩戴的设备，常规评估的豁免限制应乘以因数2.5。如果设备的操作频率处于表1中两个频率之间，在对应的间隔距离下使用线性插值来计算豁免限值。对于间隔距离小于5mm的测试，可以参考间隔距离为5mm的豁免限制，以确定是否需要常规评估。　　对于医用植入设备，常规评估的豁免限制设置在1毫瓦。医用植入设备的输出功率被定为传导功率或有效全向辐射功率的较大值，以确定该设备是否免于SAR评估。

617电力安全事故2021年6月17日，某供电公司110千伏省府变电站发生一起触电伤亡事故，造成该公司1人死亡，1名运维人员受伤，直接经济损失近100万元。众所周知，电力在我们的日常生活中是不可或缺的一部分，因此供电公司的日常检测非常重要。但是电力检测的过程中，危险也时有发生，那么电力检测人员该如何保障好自己的人身安全呢？电力设备藏危机，定期检测需谨慎在电力设备的巡检过程中，有很多肉眼不可见的隐藏危机，稍不留神就可能引发大事故。比如，由于垫圈泄漏、裂缝或密封不良导致潮气进入而引发的电力变压器高压套管故障；电力设备绝缘子或线路连接器故障、接触不良或有缺陷、连接器氧化等情况，很容易被漏检，酿成大祸。通过定期检测可以提前发现套管故障等隐患。但是微姆检测或功率因数测量之类的通用检测方法，耗时耗力且需要离线检测，并且近距离的检查，还有人身安全的危险！因此，电力公司需要更加简便高效的非接触检测工具！红外热像仪——预防性维护工具红外热像仪是一种非接触式无损检测工具，并因此成为在线检测计划中必备的预防性维护工具。设备发生故障之前会逐渐变热，这意味着对配电线路进行定期红外热像检测，将有助于全面了解潜在的问题。由于需要检测的部件尺寸可能太小，并且检测距离较远，为了保障检测人员的安全，可以选择高分辨率红外热像仪FLIR T560，它有助于您从较远位置快速精确地检测潜在问题。FLIR T560：省心省时又省事省心：FLIR T560可提供多达307,200个非接触温度测量数据，非常适合远距离大范围扫描。将FLIR独特的图像处理方法UltraMax(超级放大)技术，提升至1280×960，结合FLIR专利技术MSX和专有自适应滤波算法，呈现图像清晰度，无需太费事儿，就可以让您看清更多细节，获得更准确的测量数据。省时：FLIR T560配备AutoCal™ 光学镜头，可让多系列多型号热像仪共享（从广角镜头到长焦镜头），与同类热像仪相比，配置了亮度高33%和4倍分辨率的液晶屏，再加上180°旋转镜头，无需浪费时间调转镜头，就可以让用户轻松便捷的做出决策。省事：FLIR T560还新增FLIR巡检选项(FLIR Inspection Route)，可用于从FLIR Thermal Studio Pro软件下载和运行巡检规划。FLIR巡检选项功能对检测目标不限数量，一次性就可以检查完成，可提高用户的检测效率。使用高分辨率红外热像仪FLIR T560，可在安全距离以外检测电力线路和部件，同时获取准确的测量温度。据FLIR同类型产品调查可知，FLIR红外热像仪凭借在故障发生前准确定位套管故障等热点的能力，将能减少多达90%的设备意外停机时间，降低设备维护成本，并有助于安排维修任务的优先顺序。

p 近日，中国农业科学院农业基因组研究所(以下简称“基因组所”)成立了农业部农业基因数据分析重点实验室。/pp　　近年来，随着我国科研育种水平的不断进步，在科研过程中产生的数据、结论、成果越来越多，传统的管理方式已经不能很好地适应更高效率的科研管理需要。为此，基因组所有针对性地开展了科研育种领域的大数据管理探索。/pp　　“建立农业部农业基因数据分析重点实验室，进行农业基因数据分析与研究，可以发掘出农作物中的重要基因资源，结合全基因组设计育种技术，能准确快速选育农业新品种，助推现代种业发展。”据该所所长黄三文介绍，该实验室将保障国家农业基因安全以及整合国内外零散基因组资源。同时，还能更好发挥农业基因组学研究的平台作用，并为国内外科研机构提供农业基因组学服务。/pp　　“建立农业基因大数据库，开发基因数据分析核心技术，开展农业基因数据分析与应用，可以提升我国农业基因数据分析水平以及利用和转化能力，建设引领我国农业生物数据分析和应用的创新中心。”深圳市大鹏新区管委会副主任刘峰表示。/pp　　据基因组所研究人员介绍，该所将围绕农作物种子资源开发利用、粮食安全预测预报、食品安全监控、传染性疾病预报预警、农业环境监控等产业发展方向，建立完善的农业基因大数据技术体系，实现“从基因组到育种”的大贯穿。同时，将进一步围绕“粮食安全、食品安全、传染疾病预测”等国家重要战略需求，建立国家农业生物信息数据库，针对性突破农业生物大数据挖掘和分析等关键技术，构建农业生物大数据云计算平台，为农业科研单位提供高质量的数据服务，提升种业科研的生物大数据运用能力。/p

近日，第二届亚太LED技术论坛峰会在深圳和宁波相继举办。本次大会邀请多家国际知名公司的技术专家到会重点分享包括LED驱动和电源解决方案、LED照明的电路保护和LED测试解决方案等方面的创新技术和应用开发理念。与众多宣讲LED驱动IC和元器件应用的演讲不同，泰克科技公司《整合您的LED测试技术解决方案》的演讲尤其引人注目，该公司的专家深入浅出地阐述了LED照明应用设计和测试挑战及相应的解决方案，获得了现场听众的热烈反响。　　阻碍LED照明应用美好前程的三大技术难题　　尽管不断有业内人士抛出LED行业存在各种隐忧的言论，但仍然无法阻挡广大企业想吃到这块“烫手山芋”的热情。热情需要理性来支撑，广大开发者必须在实际开发和设计过程中想方设法克服各种瓶颈问题，特别是测试翘楚泰克科技和其他许多与会专家提到的发热(寿命)、成本、标准符合这三大难题。　　泰克科技华南区分销产品部客户经理陈文权指出：“LED单管的发热明显，散热问题直接影响其在照明领域的替代性 目前LED的成本还很高，特别是前期投入较大，影响了它向更广泛领域拓展 如今在国内没有明确的标准，预计年内能够形成，现阶段可参照一些较严格的行业标准进行设计。”　　图1：泰克科技华南区分销产品部客户经理陈文权深入浅出地阐述LED照明应用设计和测试挑战及相应的解决方案　　另外两家元器件巨头村田和泰科电子的专家在演讲中都提到，对于LED照明应用，发热是无法回避的问题，因为理论和时间都已证明，LED的性能和寿命是与LED的pn结工作温度紧密相关的。过流、过压和过热都会显著的减少LED的发光性能和使用寿命。在制定针对这些情况的过温保护方案之前，需要参照相应的标准和实际应用，以便获得最具成本效益的结果。如对于道路交通信号灯应用，可能就是达到规定温度就立即保护或发送告警通知，以免影响相关标准要求达到的最低光强级别，产生交通安全隐患 对于道路或家居照明，可能是达到一定温度开始启动保护，先降低电流，到达温度保护居里点后立即保护。　　无论是自带保护功能还是不具备保护功能，驱动LED的开关电源电路都称得上是保证系统安全可靠工作的第一道防线，同时也是提升LED照明系统整体能效、降低其总体成本、实现相应控制功能(如调光)的关键所在，因此必须通过适当的测试解决方案来帮助选择和/或确定有源开关器件和相应电源电路的设计。　　从LED驱动电路和保护电路等实际应用电路的开发角度来说，克服LED上述三大难题离不开精准、可靠和低成本地实现各种电性能的测试测量，尤其是开关电源的电性能测试，而且更加侧重电流测试。　　应对瓶颈问题的测试测量考量要点建议　　那么对于LED照明应用开发来说，哪些关键的电性能是值得工程师们特别对待的呢?泰克公司陈文权表示，LED电流纹波首当其冲，并且关系到开关电源的成本和光通量平衡折衷。　　他分析到，纹波电流通过提高功耗而影响LED性能，这可能导致结温升高，而且对LED的使用寿命有重大影响。根据经验，结温每降低10℃，半导体的使用寿命就会延长2倍。另外，作为工作电流函数的相对光输出(光通量)与二极管电流是密切相关的，因此可以通过改变正向电流进行调光。在电流较低时，若将二极管电流增大一倍，则光输出也会增加一倍 但是电流较高时，电流上升100%仅能使光输出量增加80%。LED是由会产生较大纹波电流的开关电源驱动的。实际上，开关电源的成本在某种程度上是由所允许的电流大小决定的，纹波电流越大，电源成本就越低，但光输出会因此受到影响。　　陈文权进一步指出，开关电源设备的转换速率(di/dt、dv/dt)、开关损耗测量、安全工作区(SOA)都是测试测量的考量要点。这些指标考验着开关电源的效率。晶体管开关电路在转换过程中消耗的能量最大，常用的测量包括闭点损耗、开点损耗、功率损耗、动态开点电阻、安全工作区(瞬时功率)。　　再者，对实现LED调光的开关电源调制分析也必不可少。实现LED调光主要有两种方法：一是降低LED的电流 二是快速地开关LED，并且通过电流波形的脉宽调制(PWM)进行调光更为准确。显然，后者已成为行业主流，在照明和显示器应用上，PWM需要高于100Hz的频率，以使肉眼感觉不到闪烁，10%的脉冲宽度在ms范围内，并要求电源的带宽大于10kHz，而且控制环路总是处于激活状态，并实现了极快的瞬态响应。　　另外，陈文权指出，线路自动测量，包括电源质量、谐波分析也是LED照明应用不可或缺的测量指标，以便出厂时满足相应的标准规定。其中包括真实功率、无功功率、视在功率、功率因数、波峰因数、电流谐波测量和THD。　　对症下药：找到最合适的测试测量方案和示波器　　陈文权在演讲中与到会的工程师分享了测试上述一系列电性能指标时需要注意的事项以及相应示波器和配件的选择。　　对于纹波测量，电流探头的选择很重要。LED单管的电流纹波指标在1m A级甚至几百个uA，若探头的动态范围达不到，则可通过增加绕组的方法来测量微小的电流。直接与泰克DPO4000/7000示波器相连的TCP0030 AC/DC电流探头提供了精确简单的电流纹波测量方案，并且支持更高电压。TACPA300+TCP312(放大器)则可与任意品牌的示波器相连，组成电源测试方案。　图2：泰克的工程师正在用MSO4000系列示波器和信号板演示电源毛刺的精准捕捉　　而对于有源开关器件损耗测量，诸如带有DPO4PWR电源分析应用模块软件的MSO/DPO4000示波器就非常方便，可自动计算开点损耗、闭点损耗和传导损耗。不过，陈文权提醒到，电压波形和电流波形之间的定时必须准确，可借助诸如TekVPI探头和偏移校正套件，消除电压探头与电流探头之间的偏移。另外，为处理开关信号频率成分示波器要提供足够的带宽和上升时间，而且要具备快速采样率，以捕捉跳变，另外就是需要提供深记录长度以实现长时间采集。　　“开关信号上升时间可能会相当快，为准确地进行测量，测量系统(示波器加探头)的上升时间应该快5倍。”陈文权强调说，“而对于上电调制分析，记录长度很重要，开关单元的控制信号电压和电流的脉宽和幅度可非常完整得被记录。”实际上，泰克公司的DPO/MSO4000和3000系列示波器就分别具备高达10M和5M点的记录长度，采样率高达5GS/s。　　另外，在如今非常长的记录长度情况下，以往传统的示波器旋钮显得不合时宜，很花费时间。另外，开关电源和能量损耗测量更多的是看瞬态变化，若还是用手工或电脑编程来计算，就会非常麻烦。因此他特别推荐泰克示波器配备的独特Wave Inspector搜索和导航工具，其前面板控制功能和强制外圈反馈可大大改善操作便捷性，而且可支持捕捉负载变化事件，追踪瞬态功率值，将瞬态功率点与相应的时域波形对应分析及放大波形细节等。　　对于电源质量测量，陈文权给出的测量建议是：1.检定电源与其服务环境的相互作用 2.必须直接在输入电源线上测量电压和电流 3.要求高压探头，通常是差分探头。至于必须符合的相关标准，如EN61000-3-2、MIL-STD-1399等，泰克公司的示波器均提供这些标准的选项，使用者可轻松完成一致性测试，看是否能够通过。　　如前面提到的，中国的LED照明行业目前处于标准缺失的状态，相关组织机构正在加紧制定此类行业标准。在这种情况下，开发者可以选择一些国际上已经存在的行业公认的标准进行参照，如泰克专家在演讲中提到的例子——LED舞台灯光领域的美国标准DMX512(兼容RS-485)、电路保护和元器件测试方面的美国军工标准MIL-STD-883G、ESD-STM5.2-1999等。“要求达到这些标准而进行相关测试测量的厂商就是我们的实际客户，值得大家借鉴。”陈文权表示，“从MSO/DPO4000和DPO3000系列示波器，到电源分析捆绑解决方案，即电源测量模块软件、探头、校准工具，泰克公司拥有完善的一系列电源测量工具，并不断更新换代，跟进相应标准的出台，可很好地满足LED照明应用开发的测试测试测量需求，帮助克服应用方面的各种挑战，进而降低总体开发成本。”

led行业对于LED照明统一标准的呼吁，是行业一直以来讨论的话题。尽管各地已经在制订和试用自己的地方标准，但是标准混乱也缺乏权威的检测平台，整个行业乱成一锅粥。政府左右为难、企业摇头兴叹、百姓雾里看花，不知道谁是谁非，谁对谁错，谁好谁坏。　　由于缺少统一的标准规范和检测方法，导致目前市场上种类繁多的LED应用产品性能各异、质量参差不齐，给整个行业发展带来了严峻的挑战。从目前的LED产品结构及技术发展的角度看，照明用LED产品质量的评判标准主要考虑光学性能、电性能、热性能、辐射安全和寿命等几个方面的参数，其中LED的光学性能主要涉及光通量、辐射通量、发光效率、色品坐标、相关色温、显色指数等。目前，光电检测、配光检测、光能量检测、衰减测试以及耐冲突测试等是LED灯具的常规检测项目。　　抽检结果不容乐观　　近日，广东省质监局发布了广东省自镇流LED灯产品质量省级专项监督抽查结果。抽检结果显示，在抽查的23批次自镇流LED中，检验不合格17批次，不合格率高达73.9%。据了解，不合格项目涉及到意外接触带电部件的防护、潮湿处理后的绝缘电阻和介电强度、机械强度、故障状态、色品容差、一般显色指数、骚扰电压、灯功率、耐热性、互换性、功率因数、初始光效/光通量、防火与防燃等项目。　　关于LED照明产品检测不合格的消息，近期已经是多次出现。LED为何频出质量问题?追根溯源，LED照明标准缺失、检测体系建设尚未完善是关键。从电源到成品，LED照明都尚未有一套国家或者行业标准体系，更没有强制检测认证的要求。　　“尽管灯具在出厂前都会进行例行的性能检测，然而并不是所有的企业都会严格按照规定来做。这既有企业不具备完整的检测设备条件的因素，也有降低成本的考虑。”东莞勤上光电股份有限公司相关负责人指出，目前大型企业在灯具检测方面都有国家认可的实验室，检测设备相对较为完善。而中小企业往往只简单地测试几个小时就算过关，检测设备也比较缺乏。这就造成了之前部分政府机构在对LED灯具进行抽检的时候，出现大量质量不合格的问题，对LED产品的市场普及造成了极大的负面影响。　　通常在LED灯具的检测结果中，光通量和显指不达标、色温和功率有偏差等等问题是比较常见的。励测检测运营总监李胜指出，质检不过关的原因主要集中在以下四个方面：一、电气绝缘要求不能满足，主要表现在产品内部电气间隙和爬电距离不够，人体可触碰到的导体不是安全隔离低电压。特别是一些小体积的灯具，由于结构紧凑，往往忽视电气绝缘距离的要求。二、采用的驱动器不满足相应的LED驱动器安全要求，或者使用简单的降压电路来驱动LED。三、产品电磁骚扰电压超标，大多数LED采用廉价的驱动电路，在电路中未采取任何电磁骚扰抑制措施，导致传导电压和辐射超标。四、不能满足灯具的光色性能要求，LED灯的发光原理和传统的光源有比较大的区别，设计者只关心灯具是否发光，忽视了光度和色度质量的要求，造成灯具色温偏差较大、显色指数偏低。　　“显色指数按规定要求不能低于80，否则初始光效就不能满足能效的要求，达不到节能的效果。”一位检测业内人士表示，当前有些产品片面追求高光效，忽视了流明维持寿命，导致灯具的实际使用寿命偏低，造成产品不符合节能指标。　　检测结果存在误差　　在灯具检测过程中，往往会出现企业的同一款灯具前后两次检测参数结果不一致的问题。对此，浙大三色仪器有限公司技术支持经理朱俊高表示，造成上述误差的原因主要在以下三个方面：第一是系统的误差，这种误差是在允许范围之内的，每套检测系统可能是不一致的，存在一定的误差。传统灯具的误差在1.5%以内就算是合格产品，但是LED灯具的标准还没有规范化，行业内对LED灯具的允许误差范围也比较模糊，一般在3%-5%之间就算合格。　　第二是环境的误差，灯具所处的环境以及表面的污染会对测试结果造成很大的影响，误差量级可达到7%-8%，尤其是有一些出光面兼做二次光学透镜表面的产品。由于这些产品具有凹凸结构，容易藏污纳垢且不便于清理，从而严重影响光通量并进一步影响光型分布。　　第三是设备和标准的误差，常规的灯具检测需要用到的设备主要为积分球，分布光度计和光辐射检测设备，这些设备分别用来测量灯具的光通量，配光性能和光生物安全。其中，光辐射检测是针对出口欧盟的紫外含量检测以及美国能源之星要求的蓝光、红外的能量检测。由于国家层面的标准与检测规范的缺失，使得各地检测中心使用的测试方法、检测设备和推出的检测标准各不相同，从而造成企业的同一种产品在不同的检测机构检测时出现不同的测试结果。　　具体到积分球测试光通量，尽管方法比较简单，只需要光强计或者光谱仪配合积分球就可以完成测试，不需要去测量其他参数。但李胜强调，由于积分球的球内挡屏、接缝、球壁开孔、喷涂效果等因素都会影响积分球的测试准确性，所以对于积分球制造厂商也提出了很高的技术要求。　　“积分球是一套精密测量设备，需购买有质量保证的大厂品牌，否则看起来积分球好像一样，但是测量时的结果会与真实值产生很大的偏差，而且稳定性较差。”李胜表示。同时，积分球测试对环境也有一定要求，通常要求环境温度在25±1℃。而积分球的大小则没有太严格的规定，只与被测灯具的大小有关。一般来说，被测产品的总表面面积必须小于球体内壁总面积的2%，线性产品的最长物理尺寸必须小于球体直径的2/3。例如，对于LED灯管，一个积分球能测试的最长尺寸不超过球直径的2/3。上述这些都是厂家在进行检测时需要注意的问题。

采用自动化系统代替手工操作已成为实验室的发展趋势。Eppendorf epMotion自动化移液系统具有高度精准的移液技术和多项防污染措施，可以帮您实现核酸纯化、PCR/定量PCR反应体系制备、细胞培养、药物筛选等诸多过程的自动化。为进一步了解实验室对自动化移液系统的需求，以提供更为合适的产品和服务，我们特设计一份调查问卷，希望能得到您的支持。活动时间从2010年10月15日至2010年12月15日。自活动开始，每个月我们将随机抽取50名热心参与者，每人赠送超酷蓝牙鼠标一枚。还等什么呢，快来参与吧，超酷的蓝牙汽车鼠标在等着你。点击进入：epMotion调查问卷

随着基因测序技术的迅速发展，基因组学的研究和应用产出了海量的数据。华大智造作为生命科技核心工具提供方，围绕基因数据的生产、计算、存储和管理提供了一系列融合生物科技（Biological Technology）和信息科技（Information Technology）的创新BIT产品。近日，华大智造BIT业务线一款重磅产品 ZTRON 基因数据中心一体机（ZTRON）完成升级。作为高通量测序仪的理想伴侣， ZTRON是集实验室信息管理、生信计算和海量基因数据存储及管理为一体的产品。值得一提的是，近期欧洲隐私保护认证权威组织 EuroPriSe 向 ZTRON基因数据一体机授予了 European Privacy Seal证书，获得全球范围内最为严苛的欧盟GDPR 认证。历时一年半、历经层层审核，此次获证进一步验证了 ZTRON 基因数据中心一体机的隐私保护能力，为客户数据安全筑起一面隐私保护墙。华大智造CIO单日强表示：“当下，生命数据隐私安全是在业界用户最为关注的问题之一，通过GDPR的合规性设计、实例与确认，不仅是产品进入海外市场的敲门砖，进一步满足客户对合法合规的要求，也展现了公司对基因数据、生命大数据隐私保护的信心。”完成升级后的ZTRON 内置高性价比的生信分析加速器，配合业界优秀的并行文件系统和自动化分析及数据管理平台，以及实验室信息管理系统满足大规模的测序极致交付要求。ZTRON基因数据中心一体机在运行过程中展示体现了其高性能、高安全、高智能、高可用、高性价比的特点。在产品安全上，通过离线部署、独立网络等特性，保障产品高安全性。在产品性能上，分析速度相较升级之前提升高达300倍，交付能力提升4倍，并针对基因数据存储性能进行了优化。另外ZTRON也支持横向扩展，并实现了最小化IT维护成本。除支持连接华大智造所有型号的测序仪外，ZTRON 也支持其他品牌测序仪的数据处理，当前已经在全球若干个万人、百万人级别基因组项目、国家级基因组项目配合超高通量基因测序仪投入运作，大幅提升数据处理速度。在今年2月，深圳华大生命科学研究院一项万人级全基因组科研项目通过华大智造ZTRON平台，对总计超过1.2Pbp的高深度全基因组测序（WGS）数据进行了生信分析加速，完成了基因组比对及变异检测分析，集中处理了超过2.5PB数据，比经典计算方案提速近300倍。GDPR是 (The European) General Data Protection Regulation 的缩写，即通用数据保护条例，是欧盟议会和欧盟理事会在 2016 年 4 月通过，在 2018 年 5 月开始强制实施的规定。该条例规定了企业在对用户的数据收集、存储、保护和使用时新的标准，也给予了用户对自有数据更大的处理权，曾被称为“史上最严的数据保护立法”。

p　　3月29日电 今日，国家质检总局官网发布《关于2018年橡胶制品等9类产品质量国家监督抽查情况的通报》。《通报》指出，共抽查4462家企业生产的5722批次产品，检出427批次产品不合格，不合格产品检出率为7.5%。另有3家企业无正当理由拒绝国家监督抽查，已移送相关部门处理。/pp　　/pcenterimg alt="" src="http://news.fjsen.com/images/attachement/jpg/site2/20180330/acd1b88326ad1c27bcbb04.jpg" height="374" width="550"//centerp style="text-align: center "　　资料图：国家食品药品监督管理总局正门。/pp　　通报指出，2017年四季度以来，质检总局组织对橡胶制品等9类取消生产许可证产品开展了国家监督抽查。本次共抽查4462家企业生产的5722批次产品。抽查产品包括橡胶制品、机动脱粒机、水文仪器、泵、眼镜、输水管、抽油设备、输电线路铁塔和电力金具等9类，均为2017年取消工业产品生产许可证管理的产品。经检验，4052家企业生产的5295批次产品合格，产品抽样合格率为92.5% 检出427批次产品不合格，不合格产品检出率为7.5%。另有3 家企业无正当理由拒绝国家监督抽查，已移送相关部门处理。/pp　　抽查结果分析如下：/pp　　—— 橡胶制品。抽查了25个省(自治区、市)809家企业生产的1120批次橡胶制品，不合格产品检出率为10.3%。本次抽查了橡胶软管和软管组合件、橡胶密封制品、阻燃输送带、汽车传动带4种橡胶制品。重点对最小爆破压力、导电性能、难燃试验、最大工作压力下的长度变化、验证压力、最小弯曲半径、室温弯曲性能等51个项目进行了检验。经检验，115批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及尺寸、臭氧老化试验、脆性温度、低温屈挠性能等。/pp　　—— 机动脱粒机。抽查了17个省(自治区、市)131家企业生产的136批次机动脱粒机产品，不合格产品检出率为3.7%。重点对喂入装置、防护装置、紧固件、噪声、轴承温升、空载运转、安全标志7个项目进行了检验。经检验，5批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及所有检验的7个项目。/pp　　—— 水文仪器。抽查了21个省(自治区、市)83家企业生产的83批次产品，不合格产品检出率为6%。本次抽查了遥测终端机、悬锤式水位计、雷达式水位计、压力式水位计、电子水尺、闸位计、翻斗式雨量传感器、悬移质泥沙采样器、流速仪计数器、超声波流速仪、超声波测深仪、频域法土壤水分监测仪、水质采样器、水质在线监测仪、遥测水位计等15种水文仪器产品。重点对准确度等30个项目进行了检验。经检验，5批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及测量误差、重复性、准确度、承雨口内径、刃口角度。/pp　　—— 泵。抽查了22个省(自治区、市)905家生产企业的1163批次样品，不合格产品检出率为4.1%。本次抽查了潜水电泵和地面泵2种泵类产品。重点对潜水电泵的过载保护、接地措施、绝缘电阻等11个项目和地面泵的规定点效率、电泵输入功率、泵轴功率、电动机定子的温升限值、规定点流量、扬程等12个项目进行了检验。经检验，48批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及定子绕组耐电压、电机内腔水(气)压试验、电泵引出电缆、绝缘电阻、外露转动件防护、安全标志、定子温升限值、接地措施、效率、汽蚀余量、功率因数、规定点流量和扬程。另外，漯河市顺达水泵有限公司无正当理由拒绝国家监督抽查。/pp　　—— 眼镜。抽查了13个省(自治区、市)651家企业生产的696批次眼镜产品，不合格产品检出率为15.7%。本次重点抽查了太阳镜、老视成镜、眼镜架、树脂镜片、玻璃镜片/车房片等5种产品，对眼镜产品的球镜顶焦度偏差等48个项目进行了检验。经检验，109批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及球镜顶焦度偏差、棱镜度偏差、材料和表面的质量、色散系数、紫外透射比、抗拉性能、耐疲劳、抗汗腐蚀等。/pp　　—— 输水管。抽查了29个省(自治区、市)的1228家企业生产的1256批次输水管产品，不合格产品检出率为6.5%。本次抽查了自应力混凝土管，预应力混凝土管，预应力钢筒混凝土管，钢筋混凝土排水管，玻璃纤维增强塑料夹砂管等5种输水管产品。重点对水压试验等21个项目进行了检验。经检验，82批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及保护层厚度、外压荷载、外表面裂缝等。另外，郴州市开发区万通水泥制品厂、郴州市苏仙区石宝制管厂无正当理由拒绝国家监督抽查。/pp　　—— 抽油设备。抽查了16个省(自治区、市)113家企业生产的132批次抽油设备产品，不合格产品检出率为1.5%。本次抽查了抽油机、抽油杆及其接箍、抽油泵3种抽油设备。重点对支架顶部振幅等59个项目进行了检验。经检验，1批次抽油杆接箍不符合标准的规定，不合格项目为接箍扳手方宽度 1批次整体泵筒管式抽油泵不符合标准的规定，不合格项目为灵活性能。/pp　　—— 输电线路铁塔。抽查了26个省(自治区、市)213家企业生产的213批次输电线路铁塔产品，不合格产品检出率为5.6%。本次抽查重点对钢材质量、焊缝质量、锌层等16个项目进行了检验。经检验，12批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及钢材质量、零部件尺寸、焊缝质量、锌层、试组装主要控制尺寸。/pp　　—— 电力金具。抽查了24个省(自治区、市)329家企业生产的923批次电力金具产品，不合格产品检出率为5.3%。本次抽查重点对电力金具产品的热镀锌层厚度、破坏载荷、握力、直流电阻、线夹对绞线的握力、锤头对钢绞线握力、线夹对钢绞线的握力、顺线握力、扭握力矩、线夹水平方向拉力、弯曲等11个项目进行了检验。经检验，49批次产品不符合标准的规定，不合格项目涉及热镀锌层厚度、破坏载荷、握力、直流电阻、线夹对绞线的握力、锤头对钢绞线握力、线夹对钢绞线的握力、顺线握力、扭握力矩。/p

瑞士万通最新推出870型容量法卡氏水分仪，该仪器设计独特，可以选择连接鼠标或者键盘控制，大屏幕实时显示曲线，可非常方便观察是否有副反应发生，采用最新的803型滴定台，具有防止溢流功能,支持USB微型打印机 screen.width-300)this.width=screen.width-300"

如今市场需求总体继续扩大，但增速下降。一方面，随着城镇化和基础设施建设的不断深入，基本原材料的需求还将保持一定增速，但增速会有所降低，人们日常生活用品也不会有太大的提高；另一方面，人们的消费升级以及生活方式和消费模式的改变，将提高或改变市场需求，促进与经济发展相配套的石化化工产品升级换代。因此，预计“十四五”期间，传统石化化工产品，如成品油、大宗化工产品等，在很长的一段时间内消费保持低速增长态势，甚至有些个别产品还会有略微下降；而在与智能制造、电子通信、中高生活消费品和医药保健等有关的化工产品，主要是电子化学品、纺织化学品、化妆品原材料、快餐用品、快递服务用品、个人防护和具备特殊功能的化工新材料等，都将会有很大增幅。同时安全生产、绿色发展的要求日益提高。石化化工生产“易燃、易爆、有毒、有害”特点突出，尤其是近几年，化工行业事故频发，特大恶性事故连续不断，给人们生命财产造成重大损失，在社会各界造成极其恶劣的影响。随着我国城镇化的快速推进，原来远离城市的石化化工企业已逐渐被新崛起的城镇包围，带来了许多隐患。“十四五”期间，社会各界将更加紧盯各地石化化工企业，石化化工企业进入化工园区，远离城镇布局将成为必然要求，安全生产也将是企业必须加强的一门必修课。绿色发展已经在社会上形成共识，坚持绿色发展是行业必须要强化的理念，一方面要补足以往的环保欠账；另一方面还要针对不断提高环保标准买单，这对行业来说，是一个巨大的挑战。A1170自动油介损及体积电阻率测定仪符合GB/T5654标准，用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括诸如变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点1、采用中频感应加热，室温加热至控温（90℃）并恒温自动测量仅需 15分钟。2、同时测量油介损及体积电阻率或任选一项。3、采用大屏幕液晶显示器，只需按照中文菜单提示，输入指令，仪器即可自动工作。4、具有通讯功能，可配置电脑进行实时监测，动态观察油介损值随油温变化并描绘成图。5、自动显示测量结果，并进行数据打印保存。6、具有过压、过流、短路保护，并具有高压指示，还具有报警提示功能。技术参数体积电阻率测量电压：DC500V±10%体积电阻率范围：2.5×106～2×1013Ω.m精度: 高于±10%电阻测量范围:2M～2TΩ介损测量范围：0.00001～1介损值分辨率：0.00001电容测量范围：10.0pF～200.0pF电容值分辨率：0.01pF空杯电容：60±5pF 介损值测量精度：±（1%读值+0.02%）电容值测量精度：±（1%读值+1pF）工作电源：AC220V±10%，50Hz测控温范围：室温～119.9℃测控温稳定度:±0.5 相对湿度：≤85%介损测量电压：1.5kV、2.0kV、2.5kV（常规使用2.0kV）(正接法) 环境温度：-5℃～50℃外形尺寸：480mm×400mm×420mm重　　量：25.7kg

关于征求《保健食品说明书标签管理规定(征求意见稿)》意见的函食药监食监三便函〔2013〕98号 2013年09月30日 发布　　有关单位：　　为进一步规范保健食品说明书和标签管理，根据打击保健食品“四非”专项行动中发现的突出问题，在前期制定的《保健食品说明书标签管理规定(征求意见稿)》基础上，进行了修改和完善。现进一步公开征求意见，请将修改意见于2013年10月15日前反馈我司。　　联 系 人：李 琼　　传　　真：(010)88374394　　电子邮件：liqiong@sfda.gov.cn　　附　　件：保健食品说明书标签管理规定(征求意见稿)　　国家食品药品监督管理总局食品安全监管三司　　2013年9月30日　　附件：保健食品说明书标签管理规定(征求意见稿)　　第一条　为加强保健食品监督管理，规范保健食品说明书和标签，保护消费者合法权益，根据《中华人民共和国食品安全法》及其实施条例、《保健食品注册管理办法(试行)》等有关规定，制定本规定。　　第二条　在中华人民共和国境内生产销售的保健食品,其说明书和标签应当符合本规定要求。　　第三条　本规定所称保健食品说明书是指包装中对产品注册、生产、使用等相关信息进行介绍的文字材料。　　保健食品标签是指保健食品包装上的文字、图形、符号及一切说明物。　　第四条　保健食品包装上应当按照规定印有或者贴有标签，可单独销售的包装应当附有说明书。如果标签内容包含了说明书全部内容，可不另附说明书。　　第五条　保健食品包装内除产品说明书和标签外，不得夹带任何宣传材料。　　第六条　保健食品生产者应对其生产的保健食品说明书和标签内容负责。　　进口保健食品的中国境内的办事机构或者代理机构对其保健食品说明书和标签内容依法承担相应责任。　　第七条　保健食品生产者应当主动跟踪保健食品上市后的安全、功能等情况，需要对保健食品说明书进行修改的，应当及时提出申请。根据科学研究的进展，国家食品药品监督管理总局也可以要求保健食品生产者修改保健食品说明书。保健食品说明书获准修改后，保健食品生产者应当按要求及时使用修改后的说明书和标签。　　第八条　保健食品说明书相关内容应当按照以下顺序书写：　　(一)产品名称　　(二)引言　　(三)主要原料　　(四)功效成分或者标志性成分及含量　　(五)保健功能　　(六)适宜人群　　(七)不适宜人群　　(八)食用量及食用方法　　(九)规格　　(十)保质期　　(十一)贮藏方法　　(十二)注意事项　　(十三)生产企业名称　　(十四)生产许可证编号(进口保健食品除外)　　(十五)生产企业地址、电话、邮政编码　　第九条　保健食品标签应当标注保健食品标志、产品名称、批准文号、主要原料、功效成分或者标志性成分及含量、保健功能、适宜人群、不适宜人群、食用量及食用方法、净含量(包装规格)、保质期、生产企业名称、生产企业地址、生产许可证编号、注意事项、贮藏方法、生产日期、生产批号。　　进口保健食品标签应标注原产国或者地区名称，以及在中国境内的办事机构或者代理机构的名称、地址和联系方式。　　第十条　单独销售的包装最大表面面积小于10平方厘米难以标注标签规定内容的，至少应标注保健食品标志、产品名称、批准文号、规格、保质期、注意事项、贮存条件、生产企业、生产许可证编号、生产日期、生产批号。　　非单独销售的包装至少应标注保健食品名称、规格、生产日期、生产批号。　　第十一条　保健食品说明书和标签中不得标注下列内容：　　(一)明示或者暗示具有预防、治疗疾病作用的内容 　　(二)虚假、夸大、使消费者误解或者欺骗性的文字或者图形 　　(三)具有描述性或者欺骗性夸大宣传以及易导致消费者误认误购的商标 　　(四)涉及的企业或单位名称，不得出现非生产经营企业名称，如：“XX监制”、“XX合作”、“XX推荐”、“XX授权”等 　　(五)未经批准的保健食品名称 　　(六)封建迷信、色情、违背科学常识的内容 　　(七)法律法规和标准规范禁止标注的内容。　　第十二条　保健食品说明书和标签应当符合以下要求：　　(一)应当清晰、醒目、持久、真实准确、通俗易懂、易于辨认和识读，科学合法，字体、背景和底色应采用对比色 　　(二)保健食品说明书和标签涉及批准证书内容的，应当与保健食品批准证书一致 　　(三)应当以规范的汉字为主要文字，可以同时使用汉语拼音、少数民族文字或者外文，但应当与汉字内容有直接对应关系，且书写准确，字体不得大于相应的汉字。进口保健食品应当有中文说明书和标签 　　(四)计量单位应当采用国家法定计量单位 　　(五)不得以直接或者暗示性的语言、图形、符号，误导消费者将购买的保健食品或者保健食品的某一性质与另一产品混淆，不得以字号大小和色差误导消费者 　　(六)保健食品标签和说明书标注的生产企业或者进口保健食品在中国境内的办事机构或者代理机构名称和地址，应当是依法登记注册的名称、地址。委托生产的保健食品，应当分别标注委托企业(单位)、受委托企业的名称和地址及受委托企业的生产许可证编号 　　(七)注意事项中应当标明“本品不能代替药物，不能用于疾病预防、治疗” 　　(八)标签不得与包装物(容器)分离。说明书和标签中与生产日期、保质期相关项目不得以粘贴、剪切、涂改等方式进行修改或者补充。　　第十三条　保健食品标签还应当符合以下要求：　　(一)保健食品标志、名称和批准文号应当标注在保健食品包装物(容器)容易被观察到的版面即主要展示版面上。　　(二)保健食品标志应当标注在主要展示版面的左上方，颜色为蓝色，当版面的表面积大于100平方厘米时，保健食品标志最宽处的宽度不得小于2厘米。　　(三)保健食品名称应当完整、显著、突出，其字体、字号、颜色应当一致，大于其它内容的文字，不得擅自添加其它商标或者商品名，应当在横版标签的上方或者竖版标签右方的显著位置标出。　　(四)注意事项和不适宜人群以及贮藏方法应当在标签的显著位置标注，字体不小于“适宜人群”字体。　　(五)产品净含量及规格应当与产品名称在包装物或者容器的主要展示版面标注，且应当与主要展示版面的底线相平行。一个销售包装内含有多个独立包装可单独销售产品时，其包装在标注净含量的同时还应当标注规格。　　(六)生产日期、生产批号和保质期的标注应当清晰、准确。生产日期和保质期应按年、月、日或者年、月的顺序标注日期，如果不按此顺序标注，应当注明日期标注顺序。生产批号和生产日期相同的，可以合并标注。保质期可标注为“XX个月(天、年)”。　　(七)联系方式应当至少标注生产者地址、邮编和电话。　　(八)包装最大表面面积大于35平方厘米时，标注内容的文字、符号、数字的高度不得小于1.8毫米。　　第十四条　营养素补充剂产品还应当在产品名称的同一版面上标注“营养素补充剂”字样，并在说明书和标签保健功能项中注明“补充XX营养素”，不得声称保健功能。　　第十五条　保健食品标签使用除产品名称外商标的，应当印刷在保健食品标签的右上角，含文字的，其字体以单字面积计不得大于产品名称字体的二分之一。　　第十六条　同一批准文号的保健食品标签应当使用相同的商标。　　第十七条　经电离辐射处理过的保健食品，应当在保健食品标签注意事项中标注“辐照食品”或者“本品经辐照”字样。经电离辐射处理过的任何原辅料，应当在该原辅料名称后标明“经辐照”字样。　　第十八条　供消费者免费使用的保健食品，其说明书和标签规定与生产销售的产品一致。　　第十九条　保健食品标志应按照国家食品药品监督管理规定的图案标注。保健食品批准文号应当在保健食品标志下方，并与保健食品标志相连，清晰易识别。　　第二十条　净含量、版面面积和包装表面积按照《食品安全国家标准预包装食品标签通则》(GB7718-2011)的规定计算。　　第二十一条　本规定由国家食品药品监督管理总局负责解释。　　第二十二条　本规定自2013年　月　日起实施。2014年 月 日起生产或者进口的，其说明书和标签应当符合本规定，此前已生产或者进口的产品，在其保质期内可继续销售。　　以往发布的规定，与本规定不符的，以本规定为准。

p style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　目前，国际上工业便携式X射线机的代表品牌有日本理学、美国通用电气公司(GE)、俄罗斯Spektroflash、比利时ICM、德国 YXLON等。/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　日本理学便携式变频充气X射线机20世纪70年代就进入中国市场，当时中国市场使用的还是油绝缘工频机，体积大，重量重，相比之下，日本理学便携式变频充气的X射线机体积小、重量轻、性能稳定，尽管价格高昂(从最初的十几万元，到后来20多万元，目前价格还在20万元左右)，仍然受到市场追捧。但是，几十年来，没有新技术、新产品出现，主回路没有变化，仍然是变频充气机，近几年，尽管做了一些改进，技术上没有大的突破。/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"img title="PT151109000058Zv3y.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/insimg/43aae15f-ad3d-45b8-b58b-4f7d2108b0e3.jpg"/　　/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"日本理学便携式X射线机 图片来源：网络/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　美国通用电气公司(GE)ERESCO MF4系列便携式X射线机，采用中频恒压技术，频率大约为20 kHz，金属陶瓷X射线管，产品系列kV输出有160kV、200kV、280kV、300kV，辐射方向分定向和周向机，还有风冷、水冷和小焦点，品种比较齐全。产品主要优点是功率输出最高，图像清晰度好 较高的 X 射线剂量使曝光时间较短，并相应提高工作效率 30& #176 C 时运行占空比为100% 与变频机相比技术性能优势明显，例如65 MF4型300kV定向机，高压输出5-300 kV，管电流0.5-6mA，额定功率900W，焦点3.0 mm (EN 12543)，辐射角40& #176 x 60& #176 ，最大穿透65 mm(钢)，管头高度1020mm，管头重量40 kg，电源要求160-253V AC,50/60 Hz，环境防护等级IP65。设计紧凑，控制器和机头结构坚固，能够在恶劣环境中使用。/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"img title="PT151109000059bIeL.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/insimg/d8e1b34c-960e-4abd-b440-28feb4ff3821.jpg"/　　/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"ERESCO MF4便携式X射线机 图片来源：网络/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　俄罗斯Spektroflash(史克龙斯)公司曾以脉冲射线机Arina系列闻名，这款机器重量小、电压低、功耗小。新推出的MAPT系列射线机是高频恒压射线机。取消风扇设计，其机身小巧轻便，功耗低，射线管工作效率高，可以有效的把能量转化为X射线而不是热量。并采用特种散热金属，来完成散热工作。从而实现机身小巧简洁，但功能强大，并有效延长机器的使用寿命。其所采用的特制的高频射线管，具有寿命长，稳定性高，不易损坏等优点。/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　俄罗斯进入中国市场有2款机，一款是APT200定向机和半周向机，可以对外发射一个锥向角度为150& #176 的射线，更适合小径管的周向曝光检测。输出管电压100-200 kV，管电流3 mA，最大穿透厚度30 mm(钢) 射线发生器重量仅仅5kg。 另一款是MAPT250定向机，辐射角度40& #176 ，最大穿透厚度40 mm(钢)输出管电压130 -250 kV ，管电流3 mA，射线管工作频率100kHz，X射线管焦点1.5 mm，发生器重量8.5kg。体积小，重量轻。据了解，高穿透能力的机型将陆续推出。/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"img title="PT151109000060iOlR.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/insimg/f5dc4a3b-e94e-4fa4-b493-ee37a4eb8e4c.jpg"/　　/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"MAPT系列高频恒压射线机 图片来源：网络/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　比利时ICM公司便携式X射线机20世纪90年代进入中国市场，属于变频充气机，玻璃X射线管 恒压机研发多年，系列产品尚未推出，去年刚推出一款200kV定向机SITE-X CP200D。主要产品还其变频充气机，其主要特点是品种齐全，可以连续工作 周向机采用专利技术，均匀度好，而且，使用后若出现辐射均匀度偏差，不用更换X射线管，可以通过射线发生器内部安装的偏转线圈进行调整。正是因为增加了偏转电场，控制电路复杂，未能及时升级，产品故障率较高。/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"img title="PT151109000061JfMi.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/insimg/3defc2f9-fb1d-436c-ab6e-8f65c67c55bb.jpg"/　　/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"ICM便携式X射线机 图片来源：网络/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　德国YXLON 是COMET集团旗下的专门生产便携式和移动式X射线系统的公司，产地在丹麦的哥本哈根。1989年开始生产Y.SMART系列便携式X射线机，将油绝缘管头和玻璃管芯的组合，改变为气体绝缘和金属陶瓷管芯的组合，并开始应用高频恒压技术。/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　2014年最新推出的SMART-EVO系列，是Y.SMART系列的升级版，控制器和射线发生器都进行了全面技术升级。与Y.SMART系列相比，新产品极大的降低了重量，并确保操作流程更优。曝光计算器自动计算所需的曝光时间，无需在设置时采用“试验法”以逼近最佳值而浪费时间。还有许多细心设计的特点，例如射线铅罩更易于装卸、控制器肩带、辐射角激光指示、内嵌式的一体化LED警示灯等确保操作流程更快速。尤其值得一提的是控制器中的功率因数校正(PFC)模块，不仅可以优化主供电线路中的电流负载，还可以在电压不稳情况下确保稳定操作(如发电机供电场所)，并适用于所有介于85-264V，45-65Hz的交流电源。优越的设计获得2015年度设计类“最佳中的最佳”奖项-红点奖(reddot)。/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　最近，YXLON又推出高功率X射线机和小焦点系列。高功率X射线机XPO EVO 225D定向机，具有1200W的恒定射线功率，电流调整幅度高达10mA，以满足较高的穿透力要求，使得其胜任所有中等强度的现场检测任务。小焦点系列定向机焦点1.0mm(EN 12543)，特别适合数字射线检测，大大提高成像质量。/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　YXLON产品系列kV输出有160kV、200kV、225kV、300kV，辐射方向分定向和周向机，还有风冷、水冷和小焦点，品种比较齐全。金属陶瓷X射线管，抗震性好、稳定性强、使用寿命长 高压连续工作，暂载率100%, 大大节约了作业时间。例如SMART-EVO 300D型300kV定向机，高压输出50-300 kV，管电流0.5-4.5mA，额定功率900W，焦点3.0 mm (EN 12543)，辐射角40& #176 × 60& #176 ，最大穿透65 mm(钢)，管头高度774mm，管头重量29 kg，电源85-253V AC,50/60 Hz，环境防护等级IP65。/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"img title="PT151109000062MjPl.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/insimg/b920ac08-3339-448c-8b4d-c596f9b9f871.jpg"//pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"　　SMART EVO系便携式X射线机 图片来源：网络/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　美国Varian公司最新推出便携式加速器，属于便携式高能X射线装置。拟推出PX-1型和PX-2型二款便携式装置，PX-1型加速器焦点1.5 mm，标称能量 0.95MeV，半值层 HVL1.4 cm (钢)，穿透厚度约76mm(钢)，供电能源230 VAC，2.5 kVA，X射线发生器外观尺寸79.5× 51.8× 31 cm，重量36 kg 控制器27× 24.6× 17.4 cm，重量3 kg ，现场安装时间5分钟。PX-2型便携式加速器，标称能量1.6MeV ，穿透厚度约127mm钢，焦点 1.5 mm ，相当于7居里Co60源。/pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"img title="PT151109000064dKgM.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/insimg/7ff3e407-b17e-4f9e-9ecd-c289eb8f0de1.jpg"//pp style="TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em"VARIAN Linatron-PX1 950KV X射线源 图片来源：网络/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"便携式加速器的优势在于：/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　一，制造过程中对大厚度工件用便携式加速器替代移动式X射线机，使操作更为方便 /pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　二，在役检测尤其是管道检测，替代& #947 射线仪，使检测更为安全。/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"　　/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"span style="FONT-FAMILY: 宋体, SimSun FONT-SIZE: 14px"节选自《无损检测》2015年第10期/span/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"span style="FONT-FAMILY: 宋体, SimSun FONT-SIZE: 14px"　　本文作者：黄新超，河南省锅炉压力容器安全检测研究院高级工程师，锅炉检验师、容器检验师、管道检验师，RT-Ⅲ，UT-Ⅲ，主要从事特种设备检验检测和检验检测仪器研发及应用工作。/span/pp style="LINE-HEIGHT: 1.75em"br//ppbr//p

前言物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。许多结晶药物都存在多晶型现象，同一药物的不同晶型在外观、溶解度、熔点、溶出度、生物有效性等方面可能会有显著不同，从而影响药物的稳定性、生物利用度及疗效，此现象在口服固体制剂方面表现得尤为明显。药物多晶型现象是影响药品质量与临床疗效的重要因素之一。因此，对存在多晶型的药物进行研发以及审评时，应对其晶型分析予以特别关注。多晶型药物中的不同晶型的热力学稳定性不同，不稳定晶型的熔融温度可能显著低于热力学稳定的晶型；而一种晶型熔融后可能结晶形成另一种更稳定的晶型。对于很多药物材料来说，多晶型现象的存在是非常重要的，因为在服用药物后，它们对血液循环中有效成分的摄取，以及药物保质期等方面会产生重大影响。同一药物的某种晶型可能比其它晶型更易溶解或摄取，其释放时间也会有所不同，并可以通过一定类型和水平的特定多晶型来进行控制。另外，某些晶型的储存期可能更长；随着时间的变化，易于溶解的晶型可能转变为不易溶解的晶型，从而导致药物活性的改变。中国药典通则《9015药品晶型研究及晶型质量控制指导原则》中明确说明，当固体药物存在多晶型现象，且不同晶型状态对药品的有效性、安全性或对质量可产生影响时，应对原料药物、固体制剂、半固体制剂、混悬剂等中的药物晶型物质状态进行定性或定量控制。在“药品晶型质量控制方法”一节中，明确晶型种类相对鉴别方法为粉末X射线衍生 (PXRD)、红外光谱 (IR)、拉曼光谱 (Raman)、差式扫描量热 (DSC)、热重 (TG)、毛细管熔点 (MP)、光学显微 (LM)、偏光显微 (LM) 和固体核共振 (ssNMR) 等9种方法。其中，TG方法中新增的热重与质谱联用 (TG-MS) 可以实现不同晶型药品在持续加热过程中的失重量和失重成分以及结晶溶剂和其它可挥发性成分的定性、定量分析。中国药典通则《0981结晶性检查法》规定固态药物的结晶性检查可采用偏光显微镜法、粉末X射线衍射法和差示扫描量热法 (DSC)。其中新增的DSC法可实现对晶态物质的尖锐状吸热峰或非晶态物质的弥散状 (或无吸热峰) 特征进行结晶性检查。当相同化合物的不同晶型固体物质状态吸热峰位置存在差异时，亦可采用DSC法进行晶型种类鉴别。DSC 测量的是加热、冷却或等温条件下样品吸收和释放的热流信号。《化学仿制药晶型研究技术指导原则》（试行）结合我国仿制药晶型研究的现状并参考国外监管机构相关指导原则起草制定，阐明仿制药晶型研究过程中的关注点，涉及的晶型包括无水物、水合物、溶剂合物和无定型等。指导原则明确了可使用热分析法 (如DSC和TG) 和光谱法 (如IR和Raman) 作为药物晶型表征方法和晶型确证方法；晶型控制参照《中国药典》相关通则 (《9015药品晶型研究及晶型质量控制指导原则》和《0981结晶性检查法》) 对晶型进行定性和/或定量分析。珀金埃尔默DSC 8500采用独一无二的功率补偿型设计，测量真实的热流信号。相互独立的轻质双炉体设计，使得 DSC 8500既可以提供药物多晶型测定所需要的极高灵敏度，又可以提供非常卓越的信号分辨率。同时，由于功率补偿型DSC的小炉体设计，提供了快速升降温的可能，从而可以在测试中通过快速升温，抑制低温晶型熔融后的重结晶，进而得到真实的各晶型比例。珀金埃尔默DSC产品，除了在药物晶型研究上的优势，在药物分析与研究方面，还具有如下优势：1灵敏度高，可灵敏检测蛋白变性的微量放热；2量热准确度高，特别适合药品纯度检测；3专利的调制技术，可研究晶型的可逆和不可逆转变；4铂金炉体，特别适用于药物的易分解特性；DSC 8500差式扫描量热仪极高的灵敏度，可以检测很弱的晶型转变过程或者含量很低的晶型成分卓越的分辨率，可以更好地分离多种晶型的熔融峰最快的加热和冷却速率 (最高可达750°C/min)使用铂面电阻测温技术 (PRT) 测量样品温度，准确性和重现性优于热电偶非常稳定的基线性能具备StepScan DSC技术，可以直接分离可逆与不可逆的热过程或热转变最大程度遵从21 CFR Part 11法规实验1某药物材料DSC测试测试条件升温速率：3℃min-1/10℃min-1；样品质量：~3mg；样品盘：标准卷边铝盘；吹扫气；高纯氮气；温度范围：90℃~170℃图1. 每分钟10℃加热速率下药物材料的DSC测试结果图2. 熔融峰放大后在111℃显示出肩峰图1所示为每分钟10°C常规加热速率下药物材料的DSC测试结果。样品显示出单一的熔融吸热峰，起始熔融温度为107.4°C，没有显示出明显的多晶现象。对熔融峰进一步观察，可以在高温侧发现一个很小的肩峰。对这一熔融转变进行放大，如图2所示，该药物样品在111°C附近确实存在肩峰，这是存在多晶型现象的有力标志。利用晶型转变的时间特性，能够对可能存在的多晶型现象进行检验；改变DSC加热速率 (含时间依赖性或速率)，可以识别可能存在的多晶型。图3. 每分钟3℃加热速率下药物材料的DSC测试结果以每分钟3℃的低加热速率对该特定样品进行分析，DSC测试结果如图3所示，该药物样品明确显示出多晶型现象。样品在107.2℃发生熔融后随即进行结晶，如109℃ 的放热峰所示。要对紧随多晶熔融转变的结晶峰进行检测和分辨，确实需要如珀金埃尔默DSC 8500这样的具有很高分辨率的功率补偿型DSC仪器。作为对比，本实验也采用了高性能的热流型DSC仪器对该药物多晶型样品进行分析，即便在低加热速率下也无法检测到这三个转变过程 (不稳定晶型熔融、结晶、稳定晶型熔融) 的存在。主要原因是热流型DSC的炉体质量较大 (150g)，响应速率远低于功率补偿型DSC。如本研究结果所示，对于很多药物材料来说，具有极高分辨率的DSC仪器是成功且完整地检测到多晶型现象的必要条件。实验2卡马西平多晶型DSC测试测试条件升温速率：10/50/100/150/200/250℃min-1；样品质量：~5mg；样品盘：标准卷边铝盘；吹扫气；高纯氮气；温度范围：100℃~240℃在检测到多晶型存在的情况下，需要对各晶型成分进行定量。使用DSC方法对晶型进行定量的逻辑是：通过将测量得到的晶型熔融峰面积与100%纯净的晶型熔融焓值比较，计算对应晶型在样品中的百分比。实际测试中，由于低温晶型熔融后可能存在重结晶现象，易对高温的熔融峰归属判定产生误导。同时，由于结晶峰与熔融峰相近，会干扰熔融峰面积的计算，难以确定真实的熔融焓值。卡马西平(Carbamazepine)是治疗癫痫病和神经性疼痛的药物，存在多个晶型。某卡马西平样品在常规测试条件(10℃/min)下，其DSC曲线如图4所示。可以看出，低温晶型(晶型III)在熔融后(红色虚框内吸热峰)，出现了放热峰(蓝色虚框)，该峰对应于熔融部分的重结晶。在更高的温度区间，可观察到晶型I的熔融峰(绿色虚框)。在高温区间检测到的晶型I熔融峰可能来源于原始样品，也可能来源于晶型III熔融后重结晶，亦或是两者都有。因此，在当前的常规测试条件下，难以进行归属。另外，由于晶型III的熔融和重结晶峰部分重叠，也无法准确计算晶型III的熔融焓值。图4 每分钟10℃加热速率下卡马西平的DSC测试结果按照结晶的理论，重结晶是一个动力学控制的过程，重结晶程度与结晶时间关系很大。因此，如果能够通过改变测试条件，缩短熔点不同的两个晶型间的时间跨度，就可以抑制低温晶型熔融后的重结晶。功率补偿型DSC的小炉体设计，使得快速地升降温成为可能，从而为这类体系的分析提供了技术保证。在本例中，使用不同的快速升温速率进行同一种类样品的考察，结果如图5所示。可以看到，随着升温速率的提高，DSC曲线中晶型I的熔融峰面积逐渐减小；在250℃/min的升温速率下，晶型I熔融峰完全消失，这意味着：1在前述慢速升温下得到的DSC曲线中，晶型I完全来自于低温晶型III熔融后的重结晶，原始样品中并没有晶型I的存在；2晶型I的熔融峰消失，表明在当前测试条件下，晶型III没有重结晶，此时量测到的熔融峰完全不受晶型III重结晶放热的干扰，从而可以准确计算纯净的晶型III熔融焓值(109.5J/g)。图5 不同升温速率下卡马西平DSC测试结果基于以上测试结果，继续在快速升温抑制重结晶的条件下测试真实的混合晶型样品，就可以通过前面得到的晶型III熔融焓值，准确计算晶型III和晶型I的比例，如图6所示。图6 卡马西平混合晶型样品在每分钟250℃加热速率下DSC测试结果总结珀金埃尔默功率补偿型DSC 8500既可以提供许多药物材料的多晶型检测所需要的极高灵敏度，又可以提供非常卓越的分辨率。对于新药研发行业来说，多晶型检测非常重要，因为多晶型现象对于药物有效成分进入血液循环的速率有很大的影响，也会影响到药物的储存期。功率补偿型DSC的小炉体设计具有很快的响应时间，从而确保对热转变过程进行很好地检测和分辨。在上述研究中，功率补偿型DSC可以揭示特定药物的多晶型性质，而高性能的热流型DSC仪器则无法检测到该样品的多晶型现象 (结晶过程)。另外，通过功率补偿型DSC实现的快速升温测试，可以抑制药物分子低温晶型重结晶，从而更可靠地判断样品的晶型情况，进而准确计算各晶型相对含量。扫描下方二维码即刻获取相关资料

基本信息 关键内容： 空气压缩机 开标时间： null 采购金额： 120.00万元 采购单位： 国家电投集团新疆能源化工有限公司 采购联系人： 刘波 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 中国电能成套设备有限公司 代理联系人： 张晓军 代理联系方式： 立即查看 详细信息 新疆能源化工2021年第48批集中招标（四棵树公司防爆变频器、柴发、空气压缩机、锚杆、谐波治理设备、水泥、环网改造设备采购）招标公告 新疆维吾尔自治区-塔城地区-乌苏市 状态：公告 更新时间： 2021-11-02 招标文件: 附件1 招标公告 二〇二一年度第四十八批招标公告（综产） （四棵树煤矿矿用防爆变频器、应急柴油发电机组、螺杆式空气压缩机及制氮机运维材料、矿用锚杆、谐波治理设备、硅酸盐水泥、八号井工业环网升级（万兆）改造项目） 中国电能成套设备有限公司受招标人委托，对下述标段进行公开招标。 1．招标条件 招标人：国家电投集团新疆能源化工有限公司 招标代理机构：中国电能成套设备有限公司 项目业主：乌苏四棵树煤炭有限责任公司 立项情况：综合计划 项目资金来源：自筹 项目已具备招标条件，现进行公开招标。 2.1 项目概况 项目地点：乌苏市白杨沟镇； 建设规模：八号井核定年生产能力120万吨。 2.2 招标范围 序号 招标编号 标段名称 单位 数量 技术规格 交货地点及交货期 文件价格（元） 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/1 矿用防爆变频器采购项目 2 套 2台功率250kW,电压660V，BPJ型矿用防爆变频器，包括：设备的设计、制造、检验、包装、运输、交货验收、指导安装和技术服务等。 交货地点：乌苏市白杨沟镇交货期：货期50日 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/2 应急柴油发电机组采购 1 台 机组：1300kW自动快速起动柴油发电机组常载额定功率：1300kW额定电压：6kV额定频率：50Hz额定功率因数：0.8（滞后）效率：≥95%相数及接地方式：三相、中性点不接地励磁方式：无刷励磁自励反应速度：＜0.05s极数：4极绝缘等级：H级过载能力：1.5倍额定电流历时2分钟防护等级：不低于IP22配套柴油机（国内知名品牌，提供原厂证明）额定转速：1500r/min噪音：≤90db额定转速：1500转/分冷却方式：闭式循环带热交换器起动方式：直流电起动（DC24V 自带蓄电池组）燃油品类：0#、35#柴油其它详见招标文件技术规范。 新疆乌苏市白杨沟镇，合同签订后60日内。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/3 螺杆式空气压缩机及制氮机运维材料采购 1 批 6台螺杆式空气压缩机及3台变压吸附式制氮机运维材料 交货地点：新疆乌苏市白杨沟镇四棵树煤炭有限责任公司交货时间：按招标方需求量分批次交货，接到发货通知单后15日内交货。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/4 矿用锚杆采购 1 批 麻花式树脂锚杆金属杆体及附件规格：MSGM-335/ 16×1800数量： 40000套 新疆乌苏市白杨沟镇货期：按招标方需求量分批次交货，投标方接到发货通知单后30日内交货。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/5 谐波治理设备采购招标文件 1 批 400V/500A有源电力滤波器2台、400kVA/6/0.4kV谐波专用变压器（干式）2台、6kV高压隔离柜2台、辅材2套 新疆乌苏市白杨沟镇八号井，合同签订后60日内。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/6 硅酸盐水泥采购 600 吨 Po42.5R，600吨 交货地点：新疆乌苏市白杨沟镇四棵树煤炭有限责任公司交货时间：按招标方需求量分批次交货，接到发货通知单后15日内交货。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/7 八号井工业环网升级（万兆）改造项目 1 批 2台工业级三层管理万兆核心交换机，5台地面环网接入设备，6台矿用环网接入设备，1套网络管理平台（2台工控机和管理软件），1台网络调试用笔记本电脑，光缆、电缆等辅材一批，并进行安装调试，对网络规范划分VLAN并绘制网络拓扑图（包含已有网络设备）。 交货地点：乌苏市白杨沟镇四棵树煤炭公司交货时间：合同签订后60天内 1000 注：以上为参考参数和数量,具体参数、数量及招标范围以招标文件为准。 3．投标人资格要求 序号 标段名称 资格要求 矿用防爆变频器采购项目 1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格。2.设备须具备煤矿安全标志证书，防爆合格证书，产品合格证书。3.最近三年内没有发生骗取中标、严重违约等不良行为。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5.卖方要保证生产的设备产品具有独立自主的知识产权，避免买方在使用时受到第三方提出的侵犯其专利权、商标权或工业设计权等方面的起诉。由此造成的损失和侵权赔偿责任由卖方承担。（中标单位在签合同和技术协议时要在合同内容和技术协议中必须注明增加此重要条款）。（经销商）6.投标人具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；对于必须通过强制性认证的产品需经过国家3C认证；7.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。8.投标人必须提供近3年同类设备（同性能及以上）业绩证明材料，不少于5项。9.投标人应具有良好的商业，具有完善的质量保证等体系，通过第三方认证审核，并获得认证证书。10.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。11.不接受联合体投标。 应急柴油发电机组采购招标文件 投标人应当具备下列基本资格条件：1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.投标人是制造商的应具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；5.具有完善的质量保证等体系。通过第三方认证审核，并获得认证证书，经销商应提供生产厂家相关证书；6.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。7.投标人具有近3年内同类设备至少2个业绩（需要提供合同复印件）；8.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；9.不接受联合体投标。 螺杆式空气压缩机及制氮机运维材料采购 投标人应当具备下列基本资格条件：1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。6.投标人具有近3年内同类产品至少3个业绩（需要提供合同复印件）；7.不接受联合体投标。 矿用锚杆采购 投标人资质条件：1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.投标人近3年内应具有至少3项已投运的同类材料的业绩。3.须具有矿用产品安全标志证书。4.投标人应具有良好的商业信誉。5.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。6.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；7.不接受联合体投标。 谐波治理设备采购招标文件 投标人应当具备下列基本资格条件：1.具有独立法人的资格；2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.投标人具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；5.具有完善的质量保证体系，通过第三方认证审核，并获得认证证书；6.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。7.投标人具有近3年内同类设备至少5个业绩（需要提供合同复印件）；8.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；9.不接受联合体投标。 硅酸盐水泥采购 投标人应当具备下列基本资格条件：1.具投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。6.投标人具有近3年内同类产品至少3个业绩（需要提供合同复印件）；7.不接受联合体投标。 八号井工业环网升级（万兆）改造项目 投标人应当具备下列基本资格条件：1.具有独立订立合同的资格；2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ”被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5. 投标人具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；对于必须通过强制性认证的产品需经过国家3C认证；6.具有完善的质量保证体系，通过第三方认证审核，并获得认证证书；7.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。8.投标人具有近3年内同类设备至少3个业绩（需要提供合同复印件）；9.投标人应提供投标产品的煤矿安全标志证书及防爆合格证书。；10.不接受联合体投标。 4．招标文件的获取 4.1 招标文件发售方式 在中国电力设备信息网（www.cpeinet.com.cn）在线发售，不接受来人现场购买。 4.2 招标文件发售时间 2021年11月1日至 2021年11月6日全天。 热线服务：上午8:30～11:30，下午13:30～18:00。 4.3 招标文件价格 购买招标文件需支付招标文件工本费，招标文件价格详见《招标范围》。招标文件自愿购买，一经售出，费用不退。 4.4招标文件购买和获取 （1）购买招标文件 在中国电力设备信息网（www.cpeinet.com.cn）进行以下操作：1.网员登录→2.搜索公告→3.查看公告详细内容→4.选择参与标段，在线填写《购买文件申请表》→5.支付招标文件费用。详见网站的帮助中心\网上操作说明\有关投标\购买文件。 （2）支付方式：银联在线支付。 （3）获取招标文件 购买招标文件款项在线支付成功后，登录网员专区，在 “文件购买订单”处，选择“已购文件”找到需要下载的招标项目点击“文件下载”。详见网站的帮助中心\网上操作说明\有关投标\下载文件。 5．招标文件澄清 有关本项目招标文件的澄清问题，请在中国电力设备信息网“网员专区→我的项目→澄清提问→我的提问”页面进行提交。 6．的递交 6.1 投标文件递交的截止时间（即投标截止时间）另行提前书面通知，投标人应在截止时间前通过电子招标投标交易平台递交电子投标文件。 届时招标代理机构将组织各投标人参加网上开标，请各代表提前进入开标大厅，参与开标。网上开标在国家电力投资集团采购管理系统网上开标大厅进行（具体操作事项见招标文件）。 6.2 电子招标投标交易平台不接收逾期传输的投标文件。 6.3 未按照本公告要求购买招标文件的潜在投标人的投标将被拒绝。 7．发布公告的媒介 本公告同时在中国招标投标公共服务平台（）、____（____）和中国电力设备信息网（www.cpeinet.com.cn）上公开发布。 8．联系方式 招标人委托招标代理机构组织本招标工作，如有问题，请与招标代理机构联系。 招标人：国家电投集团新疆能源化工有限责任公司 地 址：乌鲁木齐市新市区喀什东路559号 邮 编：830000 联 系 人：刘波 电 话：0991-7987868 传 真：0951-7987868 电子邮件：66640994@qq.com 招标代理机构：中国电能成套设备有限公司 项目负责人：张晓军 地 址：北京市海淀区海淀南路32号 邮 编：100080 联 系 人：张晓军 电 话：010-56995371 传 真：010-56995360 电子邮件：zcbxjny@163.com 招标代理机构盖章 二〇二一年十一月一日 5 若附件无法下载，你可以尝试使用360极速浏览器进行下载！ 6b9a858e-5fe4-422b-96d6-31745b4c620c.pdf 相关附件： × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：空气压缩机 开标时间：null 预算金额：120.00万元 采购单位：国家电投集团新疆能源化工有限公司 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：中国电能成套设备有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 新疆能源化工2021年第48批集中招标（四棵树公司防爆变频器、柴发、空气压缩机、锚杆、谐波治理设备、水泥、环网改造设备采购）招标公告 新疆维吾尔自治区-塔城地区-乌苏市 状态：公告 更新时间： 2021-11-02 招标文件: 附件1 招标公告 二〇二一年度第四十八批招标公告（综产） （四棵树煤矿矿用防爆变频器、应急柴油发电机组、螺杆式空气压缩机及制氮机运维材料、矿用锚杆、谐波治理设备、硅酸盐水泥、八号井工业环网升级（万兆）改造项目） 中国电能成套设备有限公司受招标人委托，对下述标段进行公开招标。 1．招标条件 招标人：国家电投集团新疆能源化工有限公司 招标代理机构：中国电能成套设备有限公司 项目业主：乌苏四棵树煤炭有限责任公司 立项情况：综合计划 项目资金来源：自筹 项目已具备招标条件，现进行公开招标。 2.1 项目概况 项目地点：乌苏市白杨沟镇； 建设规模：八号井核定年生产能力120万吨。 2.2 招标范围 序号 招标编号 标段名称 单位 数量 技术规格 交货地点及交货期 文件价格（元） 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/1 矿用防爆变频器采购项目 2 套 2台功率250kW,电压660V，BPJ型矿用防爆变频器，包括：设备的设计、制造、检验、包装、运输、交货验收、指导安装和技术服务等。 交货地点：乌苏市白杨沟镇交货期：货期50日 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/2 应急柴油发电机组采购 1 台 机组：1300kW自动快速起动柴油发电机组常载额定功率：1300kW额定电压：6kV额定频率：50Hz额定功率因数：0.8（滞后）效率：≥95%相数及接地方式：三相、中性点不接地励磁方式：无刷励磁自励反应速度：＜0.05s极数：4极绝缘等级：H级过载能力：1.5倍额定电流历时2分钟防护等级：不低于IP22配套柴油机（国内知名品牌，提供原厂证明）额定转速：1500r/min噪音：≤90db额定转速：1500转/分冷却方式：闭式循环带热交换器起动方式：直流电起动（DC24V 自带蓄电池组）燃油品类：0#、35#柴油其它详见招标文件技术规范。 新疆乌苏市白杨沟镇，合同签订后60日内。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/3 螺杆式空气压缩机及制氮机运维材料采购 1 批 6台螺杆式空气压缩机及3台变压吸附式制氮机运维材料 交货地点：新疆乌苏市白杨沟镇四棵树煤炭有限责任公司交货时间：按招标方需求量分批次交货，接到发货通知单后15日内交货。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/4 矿用锚杆采购 1 批 麻花式树脂锚杆金属杆体及附件规格：MSGM-335/ 16×1800数量： 40000套 新疆乌苏市白杨沟镇货期：按招标方需求量分批次交货，投标方接到发货通知单后30日内交货。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/5 谐波治理设备采购招标文件 1 批 400V/500A有源电力滤波器2台、400kVA/6/0.4kV谐波专用变压器（干式）2台、6kV高压隔离柜2台、辅材2套 新疆乌苏市白杨沟镇八号井，合同签订后60日内。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/6 硅酸盐水泥采购 600 吨 Po42.5R，600吨 交货地点：新疆乌苏市白杨沟镇四棵树煤炭有限责任公司交货时间：按招标方需求量分批次交货，接到发货通知单后15日内交货。 1000 2021-MT-XJNY-0000-1-0138-1/7 八号井工业环网升级（万兆）改造项目 1 批 2台工业级三层管理万兆核心交换机，5台地面环网接入设备，6台矿用环网接入设备，1套网络管理平台（2台工控机和管理软件），1台网络调试用笔记本电脑，光缆、电缆等辅材一批，并进行安装调试，对网络规范划分VLAN并绘制网络拓扑图（包含已有网络设备）。 交货地点：乌苏市白杨沟镇四棵树煤炭公司交货时间：合同签订后60天内 1000 注：以上为参考参数和数量,具体参数、数量及招标范围以招标文件为准。 3．投标人资格要求 序号 标段名称 资格要求 矿用防爆变频器采购项目 1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格。2.设备须具备煤矿安全标志证书，防爆合格证书，产品合格证书。3.最近三年内没有发生骗取中标、严重违约等不良行为。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5.卖方要保证生产的设备产品具有独立自主的知识产权，避免买方在使用时受到第三方提出的侵犯其专利权、商标权或工业设计权等方面的起诉。由此造成的损失和侵权赔偿责任由卖方承担。（中标单位在签合同和技术协议时要在合同内容和技术协议中必须注明增加此重要条款）。（经销商）6.投标人具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；对于必须通过强制性认证的产品需经过国家3C认证；7.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。8.投标人必须提供近3年同类设备（同性能及以上）业绩证明材料，不少于5项。9.投标人应具有良好的商业，具有完善的质量保证等体系，通过第三方认证审核，并获得认证证书。10.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。11.不接受联合体投标。 应急柴油发电机组采购招标文件 投标人应当具备下列基本资格条件：1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.投标人是制造商的应具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；5.具有完善的质量保证等体系。通过第三方认证审核，并获得认证证书，经销商应提供生产厂家相关证书；6.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。7.投标人具有近3年内同类设备至少2个业绩（需要提供合同复印件）；8.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；9.不接受联合体投标。 螺杆式空气压缩机及制氮机运维材料采购 投标人应当具备下列基本资格条件：1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。6.投标人具有近3年内同类产品至少3个业绩（需要提供合同复印件）；7.不接受联合体投标。 矿用锚杆采购 投标人资质条件：1.投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.投标人近3年内应具有至少3项已投运的同类材料的业绩。3.须具有矿用产品安全标志证书。4.投标人应具有良好的商业信誉。5.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。6.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；7.不接受联合体投标。 谐波治理设备采购招标文件 投标人应当具备下列基本资格条件：1.具有独立法人的资格；2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.投标人具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；5.具有完善的质量保证体系，通过第三方认证审核，并获得认证证书；6.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。7.投标人具有近3年内同类设备至少5个业绩（需要提供合同复印件）；8.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；9.不接受联合体投标。 硅酸盐水泥采购 投标人应当具备下列基本资格条件：1.具投标人必须具有中华人民共和国独立法人资格，允许代理商、经销商投标，代理商、经销商具有独立法人资格，代理商、经销商须具有厂家提供的产品授权书。2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn ）被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。6.投标人具有近3年内同类产品至少3个业绩（需要提供合同复印件）；7.不接受联合体投标。 八号井工业环网升级（万兆）改造项目 投标人应当具备下列基本资格条件：1.具有独立订立合同的资格；2.没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态；3.财务状况良好，近三年内不得连续两年亏损。4.近36个月内不存在骗取中标、严重违约及因自身的责任而使任何合同被解除的情形，投 标 人 如 在 “ 信 用 中 国 ”被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的（尚在处罚期内的），不得参与本项目投标；5. 投标人具有设计、制造与招标设备相同或相近的设备的能力，在安装、调试和运行中未发现重大设备质量问题；对于必须通过强制性认证的产品需经过国家3C认证；6.具有完善的质量保证体系，通过第三方认证审核，并获得认证证书；7.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位不得在同一标段投标。8.投标人具有近3年内同类设备至少3个业绩（需要提供合同复印件）；9.投标人应提供投标产品的煤矿安全标志证书及防爆合格证书。；10.不接受联合体投标。 4．招标文件的获取 4.1 招标文件发售方式 在中国电力设备信息网（www.cpeinet.com.cn）在线发售，不接受来人现场购买。 4.2 招标文件发售时间 2021年11月1日至 2021年11月6日全天。 热线服务：上午8:30～11:30，下午13:30～18:00。 4.3 招标文件价格 购买招标文件需支付招标文件工本费，招标文件价格详见《招标范围》。招标文件自愿购买，一经售出，费用不退。 4.4招标文件购买和获取 （1）购买招标文件 在中国电力设备信息网（www.cpeinet.com.cn）进行以下操作：1.网员登录→2.搜索公告→3.查看公告详细内容→4.选择参与标段，在线填写《购买文件申请表》→5.支付招标文件费用。详见网站的帮助中心\网上操作说明\有关投标\购买文件。 （2）支付方式：银联在线支付。 （3）获取招标文件 购买招标文件款项在线支付成功后，登录网员专区，在 “文件购买订单”处，选择“已购文件”找到需要下载的招标项目点击“文件下载”。详见网站的帮助中心\网上操作说明\有关投标\下载文件。 5．招标文件澄清 有关本项目招标文件的澄清问题，请在中国电力设备信息网“网员专区→我的项目→澄清提问→我的提问”页面进行提交。 6．的递交 6.1 投标文件递交的截止时间（即投标截止时间）另行提前书面通知，投标人应在截止时间前通过电子招标投标交易平台递交电子投标文件。 届时招标代理机构将组织各投标人参加网上开标，请各代表提前进入开标大厅，参与开标。网上开标在国家电力投资集团采购管理系统网上开标大厅进行（具体操作事项见招标文件）。 6.2 电子招标投标交易平台不接收逾期传输的投标文件。 6.3 未按照本公告要求购买招标文件的潜在投标人的投标将被拒绝。 7．发布公告的媒介 本公告同时在中国招标投标公共服务平台（）、____（____）和中国电力设备信息网（www.cpeinet.com.cn）上公开发布。 8．联系方式 招标人委托招标代理机构组织本招标工作，如有问题，请与招标代理机构联系。 招标人：国家电投集团新疆能源化工有限责任公司 地 址：乌鲁木齐市新市区喀什东路559号 邮 编：830000 联 系 人：刘波 电 话：0991-7987868 传 真：0951-7987868 电子邮件：66640994@qq.com 招标代理机构：中国电能成套设备有限公司 项目负责人：张晓军 地 址：北京市海淀区海淀南路32号 邮 编：100080 联 系 人：张晓军 电 话：010-56995371 传 真：010-56995360 电子邮件：zcbxjny@163.com 招标代理机构盖章 二〇二一年十一月一日 5 若附件无法下载，你可以尝试使用360极速浏览器进行下载！ 6b9a858e-5fe4-422b-96d6-31745b4c620c.pdf 相关附件：

p　　strong仪器信息网讯 /strong2017年5月11-13日，由中国稀土学会主办的“中国稀土学会2017学术年会”将在北京裕龙国际酒店举行。年会吸引了近600名来自全国各地的众多学者及相关企业代表积极参加。/pp style="text-align: center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/77b6153a-a56b-49fd-875b-92f0729edae3.jpg" title="000.jpg"//pp style="text-align: center "　　strong大会会场/strong/pp　　本届年会旨在交流、展示中国稀土基础研究、应用研究及产业领域取得的最新进展及成果，深入探讨稀土资源开发、功能材料及器件领域所面临的挑战与机遇。会议研讨主题主要包括：稀土资源开发与环境保护、稀土磁性材料及应用器件、玻璃陶瓷材料与器件、稀土催化材料、稀土光功能材料、稀土储氢材料、稀土在钢铁及有色金属中应用技术、稀土材料化学、稀土产业经济与市场。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 324px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/effa28bf-8cf1-4177-91a2-368fd4ae2750.jpg" title="00.jpg" height="324" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "　　strong部分出席年会领导、嘉宾、专家/strong/pp　　(第一行由左至右：中国工程院院士干勇，中国稀土学会理事长 李春龙，中国科协学会学术部副巡视员 王晓彬，中国科协学会服务中心副主任 徐强 第二行由左至右：中国工程院院士 唐任远，中国工程院院士 屠海令，中国科学院院士 严纯华，中国工程院院士 李卫)/pp　　年会采取大会报告、分会场报告、墙报交流、检测设备展览等多种形式进行，并设立了“中国稀土学会青年科学家奖”。/pp style="text-align: center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/0699220d-90d2-4e05-a231-edaaaa5063a8.jpg" title="002.jpg"//pp style="text-align: center "　　strong“中国稀土学会青年科学家奖”颁奖仪式/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/e01935ed-8f26-439f-9543-2c511f60431b.jpg" title="IMG_9014.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong报告人：中国工程院院士 干勇/strong/pp style="text-align: center "strong　　报告题目：“十三五”能源新材料发展/strong/pp　　报告开始，干勇首先向大家介绍了工信部、中国工程院联合进行制造业强国战略研究的概况，表示10个重点领域可分为四个方面：高端装备是核心，新一代信息技术、新材料和生物医药及高性能医疗器械是基础。同时，详细讲解了“1+X方案”(五大工程+六个规划)。接着，阐述了能源体系、环境技术、电子信息技术、生物技术、材料技术等世界工程科技的发展趋势。报告后半部分干勇主要讲解了稀土新材料的重要性及广泛需求，稀土是“二十一世纪的战略元素”，被誉为“现代工业的维生素”和“新材料宝库”。在军事应用上，没有稀土，就无法制造各种高科技武器装备 汽车产业升级换代需要稀土新材料的支持(高端汽车稀土新材料部件高达100件以上) 高频非晶/永磁电机+宽禁带半导体控制器将成为未来驱动电机。最后，干勇表示，中国高能源新材料产业化核心技术正在进入重点突破的创新阶段，新型材料不断涌现、产业化空间巨大。抓住机遇，今后5-10年中国在先进能源材料发展方面一定会取得令世人瞩目的成就。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/f7918536-7277-4021-b234-6cc2d2f6db84.jpg" title="IMG_9257.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "　　strong报告人：中国科学院院士 严纯华/strong/pp style="text-align: center "strong　　报告题目：稀土纳米材料及其生物应用/strong/pp　　严纯华在报告中讲到，稀土材料应用十分广泛，我国具有得天独厚的稀土资源，如何充分利用好这个资源就是我们稀土人的责任所在。稀土纳米材料在生物医学中的应用主要是基于稀土的一些特殊性能，如变价特性中的氧化还原性变化等。人类老年退行性疾病的原因之一就是氧化还原体系受到伤害，自由基的自然积累得不到适当消除导致的。这时，如果利用稀土材料的特性对氧化还原作用进行控制，达到“看得到、看得清、还可以治疗”的目的就是稀土材料在生物医学方面的一个应用实例。稀土材料在生物医学方面的应用很广泛，包括核磁共振、CT等成像过程 抗氧化、光热等治疗 作为载带器将药物载带到特定位置实现精准治疗等。最后，在小结中，严纯华认为以下三点工作还需大家共同努力：规模制备稀土纳米材料(达到公斤级)、稀土纳米材料在生物应用中的精确定位、加强稀土纳米材料对生物毒性的研究。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/3ebb413c-48ae-47d0-9927-7442a4897f55.jpg" title="IMG_9299.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "　　strong报告人：中国工程院院士 唐任远/strong/pp style="text-align: center "strong　　报告题目：稀土永磁电机的优势、应用和发展/strong/pp　　唐任远首先介绍了稀土永磁电机的优点与不足，优点包括：电机效率高、功率因数高 高功率密度或高转矩密度 直接驱动 电机结构多样化等。不足包括：稀土永磁材料价格较贵，影响永磁电机的推广应用 永磁材料比较晚，加工工艺复杂 调磁或弱磁困难等。接着唐任远分别例举了稀土永磁电机的应用实例，表示其应用十分广泛，《中国制造2025》列出的10大重点领域中就有7个领域提出了对稀土永磁电机的要求。应用实例包括：超超高效永磁电机(小型高效系列、中型高效系列、变频高效系列) 低速大转矩永磁电机(在皮带传送机中的应用、在桥式起重机中的应用、在螺杆泵采油机中的应用等) 高速永磁电机 永磁伺服电机(机床、机器人用、电动汽车用等)。在最后，唐任远提出三点展望：提高质量，创中国品牌 提高性价比，扩大应用范围 向高端高性能方向发展。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/85d44431-134b-4e1c-a62c-ba7fd8aa76c3.jpg" title="IMG_9369.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "　　strong报告人：中国工程院院士 都有为/strong/pp style="text-align: center "strong　　报告题目：稀土元素在磁性材料中的应用/strong/pp　　都有为首先讲解了稀土元素的重要性，美国认定的35个二十一世纪战略元素和日本选定的26个高科技元素中，都包括了全部的稀土元素(17个稀土元素)。接着分析了磁性材料从公元前1400年的铁磁到亚铁磁，再到3d-4f低纬FM/AFM耦合交叉的磁性材料发展进程。随后，都有为分别按照永磁材料、软磁材料、超磁致收缩材料等分类依次介绍了稀土元素在磁性材料中的应用原理、各自的特点、各领域应用情况等。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/3e69f30c-f769-4f79-8ef2-7614c4ab2fd8.jpg" title="IMG_9407.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "　　strong报告人：中国工程院院士 徐惠彬/strong/pp style="text-align: center "strong　　报告题目：稀土在空天材料中的应用研究/strong/pp　　徐惠彬从磁致伸缩材料、高温永磁材料、热障涂层材料三个应用领域讲解了稀土在空天材料中的应用研究情况。稀土磁致伸缩材料的大应变和快速响应对空天领域的高精度微位移控制很重要。传统磁致伸缩合金包括FeNi磁致伸缩合金、TbDyFe稀土巨磁致伸缩合金等，2000年，美国报道了一种新型FeGa磁致伸缩合金，其滞后小、应用磁场低、成本低，是一种有重要发展前景的新材料。多电(全电)飞机不仅代表未来新型飞机的发展方向，也是高能定向武器大功率机载发电机的迫切需要，而多电飞机中内置大功率发电机和高温磁悬浮轴承，均必需采用高温磁性材料。涡轮叶片是发动机的最关键核心部件，高压涡轮叶片承温和载荷最苛刻，高性能发动机必须采取热障涂层技术，而稀土改性就是提高热障涂层性能的主要途径。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 450px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/0c3f1835-d273-4bbb-be2b-78934dc3b3bb.jpg" title="003.jpg" height="450" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "　　strong部分/strongstrong精彩分会场报告/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 338px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/87372709-5e40-41c8-80b4-186c1a67ede7.jpg" title="11.JPG" height="338" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong日立高新公司李慷作分会场报告/strong/pp　　在分会场，日立高新李慷为大家分享了题为《稀土功能材料热分析和成分分析》的报告，报告中讲到，热分析是材料制备条件探索及最终产物论证的基本工具。传统的设备中，原子吸收是定量分析材料中金属元素的一种准确、可靠、快速、经济的方法，更多的小型设备达到甚至超过了大型设备的性能。报告从技术层面，分享了稀土功能材料研究过程中更好的使用检测工具的方法。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/7a838fce-aecc-4b14-b149-f8852b8bed06.jpg" title="IMG_9245.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "　　strong岛津展台/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/8e42a9ea-e364-4d94-9202-19f3536d382b.jpg" title="IMG_8940.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong日立高新展台/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/284e178f-b1b5-48d1-89d7-9a89f3348281.jpg" title="IMG_9236.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong徕卡展台/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/1d48f74a-9276-4cf8-ab11-f3b06e11be91.jpg" title="IMG_9239.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strongQuantum Design展台/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/7dbf16fe-66d0-489f-b9e6-a790ff883678.jpg" title="IMG_8942.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong钢研纳克展台/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/06489751-6832-4e50-b270-1ebc5896df0d.jpg" title="IMG_9228.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong精微高博展台/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/9c41c159-92ee-4ba9-9d0d-b75e2f06962b.jpg" title="IMG_9233.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong卓立汉光展台/strong/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 300px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/9ba04f62-66c4-4d24-bea0-c17cc8a552a9.jpg" title="IMG_8927.JPG" height="300" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp style="text-align: center "strong合肥科晶展台/strong/p

3月13日，湖北省计量测试技术研究院(以下简称湖北省计量院)收到2022年通信用光功率计功率示值能力验证结果通知单，其1310nm光功率En值为0.25，1550nm光功率En值为0.25，结果为满意。 　　此次能力验证由中国泰尔实验室组织开展。该项能力验证已通过中国合格评定国家认可委员会 CNAS 认可，证书号:CNAS PT0090。 　　通信用光功率计是通信干线铺设、设备维护、科研和生产中使用的重要仪器，主要用于测量光源的输出功率及功率稳定度，光传输线路中的传输功率，光接收端机的灵敏度、过载点，各种无源器件的插入损耗和衰减量。 　　在新一代光纤接入网、传送网以及移动信号网络中，光纤作为最重要的基础设施，对光功率示值检测能力的要求进一步提高。此次能力验证有利于提高各实验室的相关领域计量技术能力，确保光功率计设备的量值统一、准确和可靠，对新一代光纤通信网络系统发展具有重要的推动作用。 　　通过此次能力验证，湖北省计量院通信用光功率计功率示值校准工作的可靠性和准确性得到了充分验证，实验室计量校准技术和管理水平也得到了锻炼和提升。 　　湖北省计量院表示，将继续围绕“新一代信息技术”等战略性新兴产业集群和高技术领域的关键计量技术攻关需求，积极构建服务高质量发展的量值传递溯源体系和产业计量服务体系；在重大关键技术突破、产品中试、产业化应用等过程中发挥更大作用，持续推动区域、行业创新能力水平的整体跃升，助力推动光电子信息产业、新能源与智能网联汽车产业、北斗产业等湖北重点发展的战略性产业更高质量发展。 　　湖北省计量测试技术研究院是中共中央批准设立的国家级法定计量检定机构——中南国家计量测试中心的技术实体，是由湖北省人民政府依法设置、直属湖北省市场监督管理局领导的全省最高等级法定计量机构,也是具有第三方公正地位的社会公益型科研事业单位。

2023年7月份有380项标准将实施我们通过国家标准信息平台查询到，在2023年7月份将有380项与仪器及检测行业的国家标准、行业标准和地方标准将实施，具体数量明细如下： 随着社会各种食品安全事件浮现，人们越来越重视食品安全健康。在7月份新实施的标准中，食品相关标准占据了38%，占据了新标准实施总量的三分之一以上，共有144条标准与食品相关，包含多个产品通则、产品标准、检测标准及技术规范。而与食品息息相关的环境领域也有24个新标准将实施，主要涉及土壤质量、废水废液、废弃物、危险废物等。除此之外还有电力半导体、机械车辆、冶金矿产、医药卫生等标准也将在7月份实施。在7月份新实施的标准中，包含了多品类科学仪器，如：激光粒度分析仪、电子天平、高效液相色谱仪、液相色谱-串联质谱仪、电感耦合等离子体质谱仪、电感耦合等离子体发射光谱仪等。具体2023年7月份主要新实施的标准如下：需要相关标准的，点击链接即可下载收藏↓仪器仪表与计量标准（3个）GB/T 41949-2022 颗粒 激光粒度分析仪 技术要求 GB/T 26497-2022 电子天平 GB/T 42222-2022 玻璃仪器 光学均匀性测试方法与分级 农林牧渔食品标准（144个）GB/T 42482-2023 生鲜银耳包装、贮存与冷链运输技术规范 GB/T 21241-2022 卫生洁具清洗剂 GB/T 25169-2022 畜禽粪便监测技术规范 GB/T 15681-2022 亚麻籽 GB/T 29374-2022 粮油储藏 谷物 冷却机 应用技术规程 GB/T 17814-2022 饲料中丁基羟基茴香醚、二丁基羟基甲苯、特丁基对苯二 酚 、乙氧基喹啉和没食子酸丙酯的测定 GB/T 13081-2022 饲料中汞的测定 GB/T 5532-2022 动植物油脂 碘值的测定 GB/T 42121-2022 畜禽屠宰加工设备 家禽屠宰加工输送设备 GB/T 42119-2022 畜禽屠宰加工设备 家禽胴体螺旋冷却设备 GB/T 42120-2022 冻卷羊肉 GB/T 42118-2022 秸秆收储运体系建设规范 GB/T 42237-2022 蛋粉质量通则 GB/T 42227-2022 留胚米 GB/T 42235-2022 蛋液质量通则 GB/T 42226-2022 黑糯玉米 GB/T 42228-2022 粮食储藏 大米安全储藏技术规范 GB/T 42225-2022 小麦麸 GB/T 19557.6-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 苎麻 GB/T 19557.17-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 辣椒 GB/T 19557.29-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 甘蓝 GB/T 19557.18-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 棉花 GB/T 19557.27-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 西瓜 GB/T 19557.25-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 黄瓜 GB/T 6434-2022 饲料中粗纤维的含量测定 GB/T 42173-2022 发芽糙米 GB/T 11764-2022 葵花籽 GB/T 42114-2022 木薯叶片中黄酮醇的测定 高效液相色谱法 GB/T 42113-2022 农产品 中生氰糖苷 的测定 液相色谱 - 串联质谱法 GB/T 42116-2022 苏博美利奴羊 GB/T 19557.26-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 苹果 GB/T 19557.16-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 花生 GB/T 19557.11-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 猕猴桃属 GB/T 19557.21-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 甜瓜 GB/T 19557.8-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 李 GB/T 19557.7-2022 植物品种特异性 ( 可区别性 ) 、一致性和稳定性测试指南 水稻 GB/T 13079-2022 饲料中总砷的测定 GB/T 11603-2022 羊毛纤维平均直径测定法 气流法 GB/T 20806-2022 饲料中中性洗涤纤维（ NDF ）的测定 GB/T 42010-2022 包装容器 奶粉 罐质量 要求 GB/T 42090-2022 智能化饲料加工厂 数据采集技术规范 GB/T 42088-2022 饲料加工厂 智能化技术导则 DB5105/T 4001-2023 白酒贮藏容器 陶坛 DB 5110/T 4001—2023 白酒贮藏容器 陶坛 DB 5103/T 4001-2023 白酒贮藏容器 陶坛 DB50/T 743-2023 仔猪饲养管理技术规范 DB50/T 482-2023 种猪引种技术规范 DB50/T 390-2023 肉兔健康养殖生产技术规范 DB50/T 308-2023 种公猪饲养管理技术规范 DB50/T 1395-2023 柠檬冷链作业规范 DB50/T 1394-2023 保鲜花椒冷链作业规范 DB50/T 1390-2023 黑壳 楠 栽培技术规程 DB50/T 1389-2023 紫薇栽培技术规程 DB50/T 1388-2023 饲用甜 高梁 与饲用燕麦轮作技术规范 DB50/T 1387-2023 南川鸡饲养管理技术规程 DB50/T 1386-2023 地理标志产品 南川金佛山中华蜜蜂 DB50/T 1385-2023 农业植保无人飞机操作技术规范 DB50/T 1384-2023 畜牧业养殖用水定额 DB5115/T 4001—2023 白酒贮藏容器 陶坛 DB43/T 2615-2023 地理标志产品 桑植萝卜 DB43/T 2614-2023湘烟7号生产技术规程DB43/T 2612-2023 林下竹荪栽培技术规程 DB43/T 2611-2023 再生稻机械化收割技术要求 DB43/T 2610-2023 鲜食玉米机械化移栽技术规程 DB43/T 2609-2023 辣椒机械化移栽技术规程 DB43/T 2608-2023 全株水稻青贮技术规程 DB43/T 2607-2023 草山草坡育肥牛饲养管理技术规程 DB43/T 2606-2023 茄果类蔬菜露地绿色栽培技术规程 DB43/T 2605-2023 优质风味猪肉通用要求 DB43/T 2604-2023 葡萄计划密植栽培技术规程 DB43/T 2603-2023 稻烟轮作主要病虫害绿色防控技术规程 DB43/T 2602-2023 规模养殖场液体粪污肥料化利用技术规范 DB43/T 2601-2023 籽粒用高粱机械作业技术规程 DB43/T 2600-2023 高粱种肥同步轻简施肥技术规程 DB43/T 2599-2023 低镉水稻品种自主试验技术规程 DB43/T 2598-2023 柑橘高接换种技术规程 DB43/T 2597-2023 柑橘老果园重 植技术 规程 DB43/T 2596-2023 柑橘密闭园改造技术规程 DB43/T 2595-2023 油桃设施栽培技术规程 DB43/T 2594-2023 桃园增施 有机肥减施化肥 技术规程 DB43/T 2593-2023 炎陵黄桃高山 延后成熟栽培技术规程 DB43/T 2592-2023 桃 高接换种技术规程 DB43/T 2591-2023 梨减药 生产技术规程 DB43/T 2590-2023 梨 Y 形架整形 修剪技术规程 DB43/T 2589-2023 桑蚕品种锦绣 1 号蚕茧生产技术规程 DB43/T 2588-2023 桑蚕品种锦绣 1 号繁育技术规程 DB43/T 2587-2023 蚕砂中氯霉素残留量的测定 液相色谱－串联质谱法 DB43/T 2586-2023 水稻 镉 积累 特性池栽表型 鉴定技术规程 DB43/T 2585-2023 合方鲫繁殖 技术规程 DB43/T 2584-2023 玉竹组织培养育苗技术规程 DB43/T 2583-2023 青风藤种苗繁育技术规程 DB43/T 2582-2023 多花黄精组织培养育苗技术规程 DB43/T 2581-2023 博落回种子种苗生产技术规程 DB43/T 2580-2023 橘 小实蝇绿色防控技术规程 DB43/T 2578-2023 大宗干散货水 水 中转环境保护技术规程 DB43/T 2577-2023 粽 叶用箬竹丰产栽培技术规程 DB43/T 140-2023 造林技术规程 DB43/T 2576-2023 毛金竹育苗技术规程 DB43/T 2575-2023 林业信息化业务流程设计规范 DB43/T 2574-2023 林业信息化系统运维和服务规范 DB43/T 2573-2023 林业信息化系统建设规范 DB43/T 2572-2023 林业信息化数据采集规范 DB43/T 2571-2023 林业信息化标准化指南 DB43/T 2570-2023 林业信息化安全规范 DB43/T 2569-2023 国有林场森林经营方案编制指南 DB4101/T 58-2023 设施黄瓜主要病虫害绿色防控技术规程 DB4101/T 57-2023 根用芥菜主要病虫害绿色防控技术规程 DB4101/T 56-2023 甘薯主要病虫害绿色防控技术规程 DB4101/T 55-2023 大蒜主要病虫害绿色防控技术规程 DB4101/T 54-2023 秋冬萝卜生产技术规程 DB4101/T 53-2023 鲜食番茄设施栽培技术规程 DB4101/T 52-2023 食品销售单位 6S 现场管理规范 DB11/T 2095-2023 主要坚果等级划分 DB11/T 2094-2023 生物防治产品人工繁育及应用技术规程 花 绒寄甲 光肩星天牛生物型 DB11/T 2093-2023 森林经营方案编制技术导则 DB11/T 2092-2023 食用林产品质 量安全 追溯导则 DB11/T 2090-2023 主要切花产品销售地处理技术规程 DB11/T 2089-2023 毛梾苗木繁育与栽培技术规程 DB11/T 2088-2023 高密植桃园建设及管理技术规程 DB11/T 1764.3-2023 用水定额 第 3 部分：果树 DB11/T 1308-2023 农作物气象灾害等级 冬小麦 DB11/T 1143-2023 园林铺地工程施工规程 DB11/T 736-2023 锦鲤养殖技术规范 DB11/T 557-2023 设施农业节水灌溉工程技术规程 DB5202/T 038- 2023 盘江牛养殖场 生产记录与档案管理规范 DB5202/T 037- 2023 盘江牛异地 运输规范 DB5202/T 036- 2023 盘江牛养殖场 粪便及废弃物处理技术规范 DB5202/T 035- 2023 盘江牛卫生防疫 规范 DB5202/T 034- 2023 盘江牛饲料 与日粮配制规范 DB5202/T 033- 2023 盘江牛饲养 管理规范 DB5202/T 032- 2023 盘江牛繁殖 规范 DB5202/T 031- 2023 盘江牛种牛 选配技术规范 DB5202/T 030- 2023 盘江牛养殖场 选址与设计规范 DB36/T 1737-2022 红果榆苗木培育技术规程 DB36/T 1736-2022 生猪规模养殖场建设规范 DB36/T 1735-2022 规模猪场 粪污全量化 收集贮存设施建设规程 DB36/T 1734-2022 大球盖菇 - 水稻生产技术规程 DB36/T 1733-2022 贝 贝 南瓜大棚生产技术规程 DB36/T 1732-2022 油菜秸秆全量还田下早稻抛秧栽培技术规程 DB36/T 1731-2022 生鲜食品配送规范 GB/T 42205-2022 黑蒜质量 通则 GB/T 42206-2022 袋装挂面包装生产线通用技术要求 GB/T 24305-2022 杜仲产品质量等级 GB/T 20453-2022 柿子产品质量等级 环境环保标准（24个）GB/T 42363-2023 土壤质量 土壤理化分析样品的预处理 GB/T 42362-2023 矿区地下水含水层破坏危害程度评价规范 GB/T 14496-2023 地球化学勘查术语 GB/T 42333-2023 土壤、水系沉积物 碘含量的测定 氨水封闭溶解 - 电感耦合等离子体质谱法 GB/T 24002.1-2023 环境管理体系 针对环境主题领域应用 GB/T 24001 管理环境因素和应对环境状况的指南 第 1 部分：通则 GB/T 41968-2022 乳化废液处理处置方法 GB/T 41965-2022 摄影 冲洗废液 氨态氮总 含量的测定 ( 微扩散 凯氏氮法 ) GB/T 41964-2022 摄影 冲洗废液 氨态氮 含量的测定 ( 微扩散法 ) GB/T 41952-2022 萘 系染料中间体生产废液处理处置技术规范 GB/T 41962-2022 实验室废弃物存储装置技术规范 GB/T 41961-2022 废矿物油类润滑油处理处置方法 GB/T 41959-2022 含镍电镀污泥处理处置方法 GB/T 16145-2022 环境及生物样品中放射性核素的 γ 能谱分析方法 GB/T 18750-2022 生活垃圾焚烧炉及余热锅炉 GB/T 42229-2022 农村可回收废弃物分类指南 GB/T 42264-2022 烧结砖瓦工业大气污染物治理设施技术要求 GB/T 33057-2022 废弃化学品取样制样方法 GB/T 20936.1-2022 爆炸性环境用气体探测器　第 1 部分：可燃气体探测器性能要求 GB 15603-2022 危险化学品仓库储存通则 HJ 1276-2022 危险废物识别标志设置技术规范 DB43/T 2568-2023 挥发性有机物吸附浓缩催化燃烧处理设备通用技术条件 DB11/T 2085-2023 农村污水处理厂站运行维护技术规程 DB11/T 2074-2022 城镇排水防涝系统数学模型构建与应用技术规程 GB/T 42360-2023 表面化学分析 水的全反射 X 射线荧光光谱分析 医药卫生标准（26个）GB/T 42216.3-2022 分子体外诊断检验 福尔马林固定及石蜡包埋组织检验前过程的规范 第 3 部分：分离 DNA GB/T 42218-2022 检验医学 体外诊断医疗器械 制造商对提供给用户的质量控制程序的确认 GB/T 42216.2-2022 分子体外诊断检验 福尔马林固定及石蜡包埋组织检验前过程的规范 第 2 部分：分离蛋白质 GB/T 42216.1-2022 分子体外诊断检验 福尔马林固定及石蜡包埋组织检验前过程的规范 第 1 部分：分离 RNA GB/T 42080.1-2022 分子体外诊断检验 冷冻组织检验前过程的规范 第 1 部分：分离 RNA GB/T 42080.2-2022 分子体外诊断检验 冷冻组织检验前过程的规范 第 2 部分：分离蛋白质 GB/T 21675-2022 非洲马 瘟 诊断技术 GB/T 42282-2022 煎药中心通用要求 GB/T 42115-2022 牛恶性卡他热诊断技术 GB/T 42117-2022 羊泰勒虫病诊断技术 GB/T 23197-2022 鸡传染性支气管炎诊断技术 YY/T 1240-2023D- 二聚体测定试剂盒 ( 免疫比浊法 ) YY/T 1199-2023 甘油三酯测定试剂盒（酶法） YY/T 1848-2022 一次性使用输尿管封堵导管 YY/T 1845-2022 矫形外科用手术导板通用要求 YY/T 1833.2-2022 人工智能医疗器械 质量要求和评价 第 2 部分：数据集通用要求 YY/T 1833.1-2022 人工智能医疗器械 质量要求和评价 第 1 部分：术语 YY/T 1810-2022 组织工程医疗产品 用以评价软骨形成的硫酸糖胺聚糖 (sGAG) 的定量检测 YY/T 0821-2022 一次性使用配药用注射器 YY/T 0793.4-2022 血液透析和相关治疗用液体的制备和质量管理 第 4 部分：血液透析和相关治疗用透析液质量 YY/T 0634-2022 眼科仪器 眼底照相机 YY/T 0612-2022 一次性使用人体动脉血样采集器 ( 动脉血气针 ) YY/T 0519-2022 牙科学 与牙齿结构粘接的测试 YY/T 0290.4-2022 眼科光学 人工晶状体 第 4 部分：标签和资料 DB11/T 2086-2023 儿童早期发展健康服务规范 DB11/T 1291-2023 卫生应急一次性防护用品使用规范 石油天然气标准（10个）GB/T 27894.3-2023 天然气 用气相色谱法测定组成和计算相关不确定度 第 3 部分：精密度和偏差 GB/T 33445-2023 煤制合成天然气 GB/T 41066.2-2022 石油天然气钻采设备 海洋石油半潜式钻井平台 第 2 部分：建造安装和调试验收 GB/T 41066.3-2022 石油天然气钻采设备 海洋石油半潜式钻井平台 第 3 部分：操作和检验 GB/T 5275.2-2022 气体分析 动态法制备校准用混合气体 第 2 部分：活塞泵 GB/T 31049-2022 石油天然气钻采设备 顶部驱动钻井装置 GB/T 22342-2022 石油天然气钻采设备 井下安全阀系统设计、安装、操作、试验和维护 GB 42283-2022 液化天然气燃料水上加注作业安全规程 GB/T 41957-2022 炭黑原料油 石油炼制催化油浆 GB 42234-2022 油船静电安全技术要求 冶金矿产标准（26个）GB/T 28896-2023 金属材料 焊接接头准静态断裂韧度测定的试验方法 GB/T 239.2-2023 金属材料 线材 第 2 部分：双向扭转试验方法 GB/T 3228-2022 螺栓螺母用装配工具 冲击式机动四方传动套筒的尺寸 GB/T 41950-2022 金属覆盖层 钢铁上经过 无六价铬处理 的锌和锌合金电镀层 GB/T 26416.2-2022 稀土铁合金化学分析方法 第 2 部分：稀土杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 GB/T 26416.1-2022 稀土铁合金化学分析方法 第 1 部分：稀土总量的测定 GB/T 41951-2022 金属和合金的腐蚀 建筑用钢连接 部件及钢构件 耐腐蚀性能测试方法 GB/T 20899.8-2022 金矿石化学分析方法 第 8 部分： 硫量的 测定 GB/T 7739.7-2022金精矿化学分析方法 第7部分：铁量的测定GB/T 20899.7-2022金矿石化学分析方法 第7部分：铁量的测定GB/T 7739.8-2022 金精矿化学分析方法 第 8 部分： 硫量的 测定 GB/T 41966-2022 无缝钢管相控阵超声检测方法 GB/T 5686.7-2022锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰 硫含量的测定 红外线吸收法和燃烧中和滴定法GB/T 1482-2022 金属粉末 流动性的测定 标准漏斗法（霍尔流速计） GB/T 26416.5-2022 稀土铁合金化学分析方法 第 5 部分：氧含量的测定 脉冲 - 红外吸收法 GB/T 26727-2022 回收 铟 原料 GB/T 26416.3-2022稀土铁合金化学分析方法 第3部分：钙、镁、铝、镍、锰量的测 定 电感耦合等离子体发射光谱法GB/T 12690.1-2022 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 第 1 部分：碳、 硫量的 测定 高频 - 红外吸收法 GB/T 23608-2022 回收铂族金属原料 GB/T 3954-2022 电工圆铝杆 GB/T 3459-2022 钨条 GB/T 26416.4-2022 稀土铁合金化学分析方法 第 4 部分：铁量的测定 重铬酸钾滴定法 GB/T 15970.11-2022 金属和合金的腐蚀 应力腐蚀试验 第 11 部分 : 金属和合金氢脆和氢致开裂试验指南 GB/T 13590-2022 钢渣矿渣硅酸盐水泥 DB11/T 848-2023 压型金属板屋面工程施工质量验收标准 GB/T 42159-2022 紧固件用钛及钛合金棒材 和丝材 化工塑料标准（21个）GB/T 42351.1-2023 颗粒标准样品的制备 第 1 部分：基于单分散球形颗粒尖桩栅栏分布的多分散标准样品 GB/T 41974.1-2022 塑料 色母料 第 1 部分：命名系统和分类基础 GB/T 22530-2022 橡胶塑料注射成型 机安全 要求 GB/T 30923-2022 塑料 聚丙烯（ PP ）熔喷专用料 GB/T 3396-2022 工业用乙烯、丙烯中微量氧的测定 电化学法 GB/T 5568-2022 橡胶或塑料软管及软管组合件 无曲挠液压脉冲试验 GB/T 8333-2022 塑料 硬质泡沫塑料燃烧性能试验方法 垂直燃烧法 GB/T 25260.1-2022 合成胶乳 第 1 部分：羧基丁苯胶乳 (XSBRL) GB/T 6739-2022 色漆和清漆 铅笔法测定漆膜硬度 GB/T 11987-2022 表面活性剂 工业烷烃磺酸盐 总烷烃磺酸盐含量的测定 GB/T 13206-2022 甘油 GB/T 20200-2022α- 烯基磺酸钠 GB/T 42171-2022 玫瑰精油（大马士革） GB/T 42172-2022 精油 产品标签标识通则 GB/T 42022-2022 精油 水分含量的测定 卡尔费休法 GB/T 41944-2022 丁基橡胶阻尼片 GB/T 1289-2022 化学试剂 草酸钠 GB/T 4966-2022 日用陶瓷材料抗张强度测定方法 GB/T 5073-2022 耐火材料 压蠕变试验方法 GB/T 11942-2022 彩色建筑材料色度测量方法 GB/T 26751-2022 用于水泥和混凝土中的粒化电炉磷渣粉 轻工纺织标准（10个）GB/T 24218.102-2022 纺织品 非织造 布试验 方法 第 102 部分：拉伸弹性的测定 GB/T 42223-2022 纺织品 色牢度试验 耐摩擦色牢度 Gakushin 法 GB/T 22933-2022 皮革和毛皮 化学试验 游离脂肪酸的测定 GB/T 2910.4-2022 纺织品 定量化学分析 第 4 部分：某些蛋白质纤维与某些其他纤维的混合物 ( 次氯酸盐法） GB/T 42170-2022 鞋类 带跟面的 空心和 实心鞋跟试验方法 跟面结合 力 GB/T 42165-2022 皮革 色牢度试验 耐汗渍色牢度 GB/T 42164-2022 皮革 化学试验 热老化条件下六价铬含量的测定 GB/T 18737.3-2022 纺织机械与附件 经轴 第 3 部分：织轴 GB/T 30310-2022 浸胶帘线、纱线和线绳 附胶量 测定的试验方法 GB/T 41958-2022 浸胶帆布 导热性能试验方法 电力半导体标准（40个）GB/T 42158-2023 微机电 系统（ MEMS ）技术 微沟槽和棱锥 式针结构 的描述和测量方法 GB/T 6113.402-2022 无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量方法规范 第 4-2 部分：不确定度、统计学和限值建模 测量设备和设施的不确定度 GB/T 42079-2022 电力数字传输照明控制（ DLT) 基本要求 GB/T 17215.324-2022 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集成电路制造 DB11/T 1100-2023 城市附属绿地设计规范 DB42/T 1971-2023 同步注浆 用干混砂浆 应用技术规程 DB42/T 1970-2023 海绵城市透水铺装技术规程 DB11/ 1505-2022 城市综合管廊工程设计规范 DB11/ 1003-2022 装配式剪力墙结构设计规程 DB11/ 2076-2022 民用建筑节水设计标准 DB11/ 2075-2022 建筑工程减隔震 技术规程 GB/T 25160-2022 包装 卡纸板折叠纸盒结构尺寸 GB/T 17657-2022 人造板及饰面人造板理化性能试验方法 GB/T 19367-2022 人造板的尺寸测定 GB/T 18779.3-2023 产品几何技术规范（ GPS ） 工件与测量设备的测量检验 第 3 部分：关于测量不确定度表述达成共识的指南 Get√小技巧：在仪器信息网APP里，可以免费下载上述标准→↓ 扫码到APP免费下载 目前仪器信息网资料库 有近80万篇资料，内容涉及检测标准、物质检测方法/仪器应用、仪器操作/仪器维护维修手册、色谱/质谱/光谱等谱图。资料库每月有20多万人访问，上万人下载资料，诚邀您分享手头上的资源，与人分享于己留香！

经过多年的研发，几家供应商正在接近出货基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品。这些器件利用了新材料的特性，例如氮化铝、金刚石和氧化镓，它们还用于不同的结构，例如垂直氮化镓功率器件。但是，尽管其中许多技术拥有超过当今功率半导体器件的特性，但它们在从实验室转移到晶圆厂的过程中也将面临挑战。功率半导体通常是专用晶体管，在汽车、电源、太阳能和火车等高压应用中用作开关。这些设备允许电流在“开”状态下流动，并在“关”状态下停止。它们提高了效率并最大限度地减少了系统中的能量损失。多年来，功率半导体市场一直由使用传统硅材料的器件主导。硅基功率器件成熟且价格低廉，但它们也达到了理论极限。这就是为什么人们对使用宽带隙材料的设备产生浓厚兴趣的原因，这种材料可以超越当今硅基设备的性能。多年来，供应商一直在出货基于两种宽带隙技术——氮化镓 (GaN) 和碳化硅(SiC) 的功率半导体器件。使用 GaN 和 SiC 材料的功率器件比硅基器件更快、更高效。几家供应商一直在使用下一代宽带隙技术开发设备。这些材料，例如氮化铝、金刚石和氧化镓，都具有比 GaN 和 SiC 更大的带隙能量，这意味着它们可以在系统中承受更高的电压。今天，一些供应商正在运送使用氮化铝的专用 LED。其他人计划在 2022 年推出第一波围绕新材料制造的功率器件，但也存在一些挑战。所有这些技术都有各种缺点和制造问题。即使它们投入生产，这些设备也不会取代今天的功率半导体，无论是硅、GaN 还是 SiC。“它们提供了令人难以置信的高性能，但在晶圆尺寸方面非常有限，” Lam Research战略营销董事总经理 David Haynes 说。“它们在很大程度上更具学术性而不是商业利益，但随着技术的进步，这种情况正在发生变化。但基板尺寸小且与主流半导体制造技术缺乏兼容性意味着它们可能只会用于极高性能设备的小批量生产，尤其是智能电网基础设施、可再生能源和铁路等要求严苛的应用。”尽管如此，这里还是有一波活动，包括：NexGen、Odyssey Semiconductor 和其他公司正在准备第一个垂直 GaN 器件。Novel Crystal Technology (NCT) 将推出使用氧化镓的功率器件。Kyma 和 NCT 正在这里开发子状态。基于金刚石和氮化铝的产品正在发货。什么是功率半导体？功率半导体在电力电子设备中用于控制和转换系统中的电力。它们几乎可以在每个系统中找到，例如汽车、手机、电源、太阳能逆变器、火车、风力涡轮机等。功率半导体有多种类型，每一种都用带有“V”或电压的数字表示。“V”是器件中允许的最大工作电压。当今的功率半导体市场由基于硅的器件主导，其中包括功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。功率 MOSFET 用于低压、10 至 500 伏的应用，例如适配器和电源。超结功率 MOSFET 用于 500 至 900 伏应用。同时，领先的中端功率半导体器件 IGBT 用于 1.2 千伏至 6.6 千伏应用，尤其是汽车应用。英飞凌销售、营销和分销高级副总裁 Shawn Slusser 表示：“IGBT 功率模型基本上正在取代汽车中的燃油喷射器。“它们从电池向电机供电。”IGBT 和 MOSFET 被广泛使用，但它们也达到了极限。这就是宽带隙技术的用武之地。“带隙是指半导体中价带顶部和导带底部之间的能量差异，”英飞凌表示。“更大的距离允许宽带隙半导体功率器件在更高的电压、温度和频率下运行。”硅基器件的带隙为 1.1 eV。相比之下，SiC 的带隙为 3.2 eV，而 GaN 的带隙为 3.4 eV。与硅相比，这两种材料使设备具有更高的效率和更小的外形尺寸，但它们也更昂贵。每种设备类型都不同。例如，有两种 SiC 器件类型——SiC MOSFET 和二极管。SiC MOSFET 是功率开关晶体管。碳化硅二极管在一个方向传递电流并在相反方向阻止电流。针对 600 伏至 10 千伏应用，碳化硅功率器件采用垂直结构。源极和栅极在器件的顶部，而漏极在底部。当施加正栅极电压时，电流在源极和漏极之间流动。碳化硅在 150 毫米晶圆厂制造。过去几年，碳化硅功率半导体已投入批量生产。Onto Innovation营销总监 Paul Knutrud 表示：“碳化硅具有高击穿场强、热导率和效率，是电动汽车功率转换芯片的理想选择。开发垂直 GaN几家供应商一直在开发基于下一代材料和结构的产品，例如氮化铝、金刚石、氧化镓和垂直 GaN。在多年的研发中，垂直 GaN 器件大有可为。GaN 是一种二元 III-V 族材料，用于生产 LED、功率开关晶体管和射频器件。GaN 的击穿场是硅的 10 倍。“高功率和高开关速度是 GaN 的主要优势，”Onto 的 Knutrud 说。今天的 GaN 功率开关器件在 150 毫米晶圆厂制造，基于高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN 器件是横向结构。源极、栅极和漏极位于结构的顶部。横向 GaN 器件已投入量产。一些公司正在将 GaN 器件在 200 毫米晶圆厂投入生产。“对于 GaN，它是 GaN-on-silicon 技术在 200mm 和未来甚至 300mm 上改进的性能，这是技术发展的基础，”Lam 的 Haynes 说。今天的 GaN 器件使用硅或 SiC 衬底。衬底顶部是一层薄薄的氮化铝 (AlN)，然后是 AIGaN 缓冲层，然后是 GaN 层。然后，在 GaN 顶部沉积薄的 AlGaN 势垒层，形成应变层。如今，有几家公司参与了 GaN 功率半导体市场。今天的横向 GaN 功率半导体器件在 15 到 900 伏的电压范围内运行，但在这些电压之外运行这些器件存在若干技术挑战。一方面，不同层之间存在不匹配。“这真的只是因为当你在不同的衬底上生长 GaN 时，你最终会因两种晶格之间的不匹配而产生大量缺陷。每平方厘米的许多缺陷会导致过早击穿和可靠性问题，”Odyssey Semiconductor 的 CTO Rick Brown 说。解决这些问题的工作正在进行中，但横向 GaN 目前停留在 1,000 伏以下。这就是垂直 GaN 适合的地方。它承诺在 1,200 伏及以上电压下运行。与其他功率半导体器件一样，垂直 GaN 器件在器件顶部有一个源极和栅极，底部有一个漏极。此外，垂直 GaN 器件使用块状 GaN 衬底或 GaN-on-GaN。据 Odyssey 称，GaN 衬底允许垂直传导的 GaN 晶体管具有更少的缺陷。“如果你看硅基高压器件和碳化硅高压器件，它们都是垂直拓扑。出于多种原因，它是高压设备的首选拓扑。它占用的面积更小，从而降低了电容，并且将高压端子置于晶圆的另一侧而不是栅极端子具有固有的安全因素，”Brown说。目前，Kyma、NexGen、Odyssey、Sandia 和其他公司正在研究垂直 GaN 器件。Kyma 和 Odyssey 正在增加 100 毫米（4 英寸）体 GaN 衬底。“垂直 GaN 正在出现，我们正在向研究人员和实验室出售产品，”Kyma 的首席技术官 Jacob Leach 说。“该行业在制作外延片方面遇到了一些挑战。我们有不同的技术。我们能够以低廉的成本制造垂直 GaN 所需的薄膜。”GaN衬底已准备就绪，但垂直GaN器件本身很难开发。例如，制造这些器件需要一个离子注入步骤，在器件中注入掺杂剂。“人们没有对 GaN 使用垂直导电拓扑的唯一原因是没有一种很好的方法来进行杂质掺杂。Odyssey已经找到了解决办法，”该公司的Brown说。Odyssey 正在其自己的 4 英寸晶圆厂中开发垂直 GaN 功率开关器件。计划是在 2022 年初发货。其他人的目标是在同一时期。“我们有垂直导电的 GaN 器件。我们已经证明了 pn 结，”Odyssey 首席执行官 Alex Behfar 说。“我们的第一个产品是 1,200 伏，可能是 1,200 到 1,500 伏。但是我们的路线图将我们一直带到 10,000 伏。由于电容和其他一些问题，我们希望在碳化硅无法访问的频率和电压范围内做出贡献。近期，我们希望能够为工业电机和太阳能提供设备。我们希望给电动汽车制造商机会，进一步提高车辆的续航里程。那是通过减轻系统的重量并拥有性能更好的设备。从长远来看，我们希望实现移动充电等功能。”如果或当垂直 GaN 器件兴起时，这些产品不会取代今天的横向 GaN 或 SiC 功率半导体，也不会取代硅基功率器件。但如果该技术能够克服一些挑战，垂直 GaN 器件将占有一席之地。联电技术开发高级总监 Seanchy Chiu 表示：“Bulk GaN 衬底上的 GaN 垂直器件为可能的下一代电力电子设备带来了一些兴奋，但还有一些关键问题需要解决。” “基于物理学，垂直功率器件总能比横向器件驱动更高的功率输出。但是 GaN 体衬底仍然很昂贵，而且晶圆尺寸仅限于 4 英寸。纯代工厂正在使用 6 英寸和 8 英寸工艺制造具有竞争力的功率器件。由于其垂直载流子传输，需要控制衬底晶体的质量并尽量减少缺陷。”还有其他问题。“GaN衬底比SiC衬底更昂贵，GaN中垂直方向的电子传导仅与SiC大致相同，”横向GaN功率半导体供应商EPC的首席执行官Alex Lidow说。“与 SiC 相比，GaN 中的电子横向迁移率高 3 倍，但垂直方向的迁移率相同。此外，碳化硅的热传导效率高出三倍。这对垂直 GaN 器件几乎没有动力。”氧化镓半导体同时，几家公司、政府机构、研发组织和大学正在研究β-氧化镓 (β-Ga2O3)，这是一种有前途的超宽带隙技术，已经研发了好几年。Kyma 表示，氧化镓是一种无机化合物，带隙为 4.8 至 4.9 eV，比硅大 3,000 倍，比碳化硅大 8 倍，比氮化镓大 4 倍。Kyma 表示，氧化镓还具有 8MV/cm 的高击穿场和良好的电子迁移率。氧化镓也有一些缺点。这就是为什么基于氧化镓的设备仍处于研发阶段且尚未商业化的原因。尽管如此，一段时间以来，一些供应商一直在销售基于该技术的晶圆用于研发目的。此外，业界正在研究基于氧化镓的半导体功率器件，例如肖特基势垒二极管和晶体管。其他应用包括深紫外光电探测器。Flosfia、Kyma、Northrop Grumman Synoptics、NCT 和其他公司正在研究氧化镓。美国空军和能源部以及几所大学都在追求它。Kyma 已开发出直径为 1 英寸的氧化镓硅片，而 NCT 则在运送 2 英寸硅片。NCT 最近开发了使用熔体生长方法的 4 英寸氧化镓外延硅片。“氧化镓在过去几年取得了进展，这主要是因为您可以生成高质量的基板。因此，您可以通过标准的直拉法或其他类型的液相生长法来生长氧化镓晶锭，”Kyma 的 Leach 说。这是半导体工业中广泛使用的晶体生长方法。最大的挑战是制造基于该技术的功率器件。“氧化镓的挑战是双重的。首先，我没有看到真正的 p 型掺杂的方法。您可能能够制作 p 型薄膜，但您不会获得任何空穴导电性。因此，制造双极器件是不可能的。您仍然可以制造单极器件。人们正在研究二极管以及氧化镓中的 HEMT 型结构。有反对者说，' 如果你没有 p 型，那就忘记它。这只是意味着它在该领域没有那么多应用，”Leach 说。“第二大是导热性。氧化镓相当低。对于高功率类型的应用程序来说，这可能是一个问题。在转换中，我不知道这是否会成为杀手。人们正在做工程工作，将氧化镓与碳化硅或金刚石结合，以提高热性能。”尽管如此，该行业仍在研究设备。“第一个采用氧化镓的功率器件将是肖特基势垒二极管 (SBD)。我们正在开发 SBD，目标是在 2022 年开始销售，”NCT 公司官员兼销售高级经理 Takekazu Masui 说。NCT 还在开发基于该技术的高压垂直晶体管。在 NCT 的工艺中，该公司开发了氧化镓衬底。然后，它在硅片上形成薄外延层。该层的厚度范围可以从 5μm 到 10μm。通过采用低施主浓度和40μm厚膜的外延层作为漂移层，NCT实现了4.2 kV的击穿电压。该公司计划到 2025 年生产 600 至 1,200 伏的氧化镓晶体管。NCT 已经克服了氧化镓的一些挑战。“关于导热性，我们已经确认可以通过使元件像其他半导体一样更薄来获得可以投入实际使用的热阻。所以我们认为这不会是一个主要问题，”增井说。“NCT 正在开发两种 p 型方法。一种是制作氧化镓p型，另一种是使用氧化镍和氧化铜等其他氧化物半导体作为p型材料。”展望未来，该公司希望开发使用更大基板的设备以降低成本。减少缺陷是另一个目标。金刚石、氮化铝技术多年来，业界一直在寻找可能是终极功率器件 — 金刚石。金刚石具有宽带隙 (5.5 eV)、高击穿场 (20MV/cm) 和高热导率 (24W/cm.K)。金刚石是碳的亚稳态同素异形体。对于电子应用，该行业使用通过沉积工艺生长的合成钻石。金刚石用于工业应用。在研发领域，公司和大学多年来一直致力于研究金刚石场效应晶体管，但目前尚不清楚它们是否会搬出实验室。AKHAN Semiconductor 已开发出金刚石基板和镀膜玻璃。设备级开发处于研发阶段。“AKHAN 已经实现了 300 毫米金刚石晶圆，以支持更先进的芯片需求，”AKHAN 半导体创始人 Adam Khan 说。“在高功率应用中，金刚石 FET 的性能优于其他宽带隙材料。虽然 AKHAN 的兴奋剂成就是巨大的，但围绕客户期望制造设备需要大量的研发、技术技能和时间。”该技术有多种变化。例如，大阪市立大学已经展示了在金刚石衬底上结合 GaN 的能力，创造了金刚石上的 GaN 半导体技术。氮化铝 (AlN) 也是令人感兴趣的。AlN 是一种化合物半导体，带隙为 6.1 eV。据 AlN 衬底供应商 HexaTech 称，AlN 的场强接近 15MV/cm，是任何已知半导体材料中最高的。Stanley Electric 子公司 HexaTech 业务发展副总裁 Gregory Mills 表示：“AlN 适用于波段边缘低至约 205nm 的极短波长、深紫外光电子设备。“除了金刚石之外，AlN 具有这些材料中最高的热导率，可实现卓越的高功率和高频设备性能。AlN 还具有独特的压电能力，可用于许多传感器和射频应用。”几家供应商可提供直径为 1 英寸和 2 英寸的 AlN 晶片。AlN 已经开始受到关注。Stanley Electric 和其他公司正在使用 AlN 晶片生产紫外线 LED (UV LED)。这些专用 LED 用于消毒和净化应用。据 HexaTech 称，当微生物暴露在 200 纳米到 280 纳米之间的波长下时，UV-C 能量会破坏病原体。“正如我们所说，基于单晶 AlN 衬底的设备正在从研发过渡到商业产品，这取决于应用领域，”米尔斯说。“其中第一个是深紫外光电子学，特别是 UV-C LED，由于它们具有杀菌和灭活病原体（包括 SARS-CoV-2 病毒）的能力，因此需求激增。”多年前，HexaTech 因开发氮化铝功率半导体而获得美国能源部颁发的奖项。这里有几个挑战。首先，基板昂贵。“我不知道氮化铝在这里有多大意义，因为它在 n 型和 p 型掺杂方面都有问题，”Kyma 的 Leach 说。结论尽管如此，基于各种下一代材料和结构的设备正在取得进展。他们有一些令人印象深刻的属性。但他们必须克服许多问题。EPC 的 Lidow 说：“这意味着将需要大量资本投资才能将它们投入批量生产。” “额外的好处和可用市场的规模需要证明大量资本投资的合理性。

在基于垂直腔面发射激光器（VCSEL）的激光雷达和面部识别系统中，对激光束的多属性评估至关重要。这些属性包括功率、频谱和时间脉冲形状，它们共同决定了激光性能的优劣。然而，捕获和准确测量这些属性，特别是对于准直、发散、连续和脉冲光源，极具挑战性。Labsphere的多功能激光功率积分球和传感器凭借其出色的性能和精确度，为解决这些问题提供了有效方案。我们可根据您的需求提供激光功率测量积分球。选择不同的尺寸和涂层以满足您特定的测试激光功率水平。同时，根据测试激光的波长以及光学探测器的光谱响应度校准范围，我们可为您定制最合适的光学探测器，确保满足您的所有需求。特点确保激光器发出的功率能够被全面收集，无论其发散角度或偏振状态如何。高效地衰减高功率，以防止传感器过载。集成第二个探测器端口，用于进行光谱监测或扩大波长覆盖范围。减少在裸露状态下，传感器有效区域响应不均匀所引起的误差。应用&bull 连续（CW）与脉冲激光测量&bull 实验室与生产测试&bull 镜头校准&bull 激光功率质量评估LPMS 配备皮安计和激光功率软件&bull 第n波长的平均辐射功率（连续波）&bull 第n波长的平均峰值辐射功率（脉冲）&bull 探测器采样率（Hz）&bull 探测器扫描间隔（秒）&bull 激光功率密度：单位面积的瞬时激光束功率，单位为W/cm2，可选择以cm2为单位的光束面积需要输入光束面积&bull 最大功率（连续波）&bull 最小功率（连续波）&bull 峰值辐射功率（脉冲）&bull 脉冲宽度或脉冲持续时间间隔&bull 辐射功率范围（连续波）&bull 辐射功率（W）&bull 重复率/频率（脉冲）&bull 标准偏差（连续波）&bull 总脉冲数&bull 波长（由客户根据激光输出和校准数据表选择）

日前，中科院合肥物质科学研究院等离子体所依靠自主创新，经过近两年的努力，成功研制了具有国际先进水平的稳态高功率微波测试系统，其频率为4.6GHz，平均功率为250KW，并圆满完成了测试实验。4.6GHz 250KW 测试系统　　实验结果表明，等离子体所自主研制的该套稳态高功率微波测试系统，其测试功率达到了稳态的250KW(平均功率密度为14.78KW/cm2)，这在C频段(4-8GHz)内达到了世界先进水平。美国麻省理工学院的同类系统最高参数为250KW，但其脉冲长度仅为5秒 国内同类系统的平均功率仅几十千瓦。　　其测试功能比国外的同类系统更加先进，它不仅可以测试速调管，还可以测试各种驻波情况下(包括满功率全反射条件下)的高功率微波器件，而国外同类系统只能测试处于匹配条件下的微波器件。参与测试实验的美、德专家组成员对该测试系统给予了高度评价，称其非常优秀(Excellent)。此外，国外的该类成套系统价格非常昂贵，如美国新大陆公司4.6GHz单套测试系统的报价近四千万元，而等离子体所自主研制的测试系统造价远低于其报价。　　稳态高功率微波测试系统是开展托卡马克低杂波电流驱动实验研究的必要平台，但在国际上只被美、欧、俄、日等发达国家的速调管制造商和少数研究机构所拥有，且其相关技术均保密。等离子体所依靠自主创新成功研制出该系统，使得我国稳态高功率微波测试系统的研制及测试达到国际先进水平。同时，该系统成为国际高功率微波器件测试的平台，为等离子体所进一步广泛深入地参与国际合作奠定了坚实的基础。实验成功后，德国AFT(Advanced Ferrite Technology 德国先进铁氧体科技公司)公司专家Arnold当场表达了进一步与等离子体所开展合作的意愿。250KW满功率稳态运行　　更重要的是，该系统的成功研制为EAST国家大科学工程(二期)辅助加热项目子系统——4.6GHz/4MW低杂波系统的建设积累了经验。并且，该套系统的工作频率为4.6GHz，这与国际热核聚变实验堆(ITER)计划的低杂波系统频率5GHz非常接近，因此，该系统的成功研制将为ITER低杂波系统的研制提供重要的技术和人才储备。　　成功研制该套系统的低杂波课题组是一支由十几位中青年科技人员组成的团队，包括三名研究员、三名副研究员及九名中初级科研人员和两名高级工，团队中有12位35岁以下的青年人才。该系统的研制让课题组成员得到了进一步的磨练和提高。美国CPI(Communications & Power Industries美国通讯电力工业公司)公司总工程师Steve对该团队能力称赞不已，并与课题组探讨团队的人才培养机制。　　该团队同时承担着高功率测试系统研制及实验、4.6GHz/4MW低杂波系统研制、2.45GHz低杂波系统升级、EAST及HT-7实验等多项繁重科研任务，为保证每一项科研任务都优质完成，课题组成员克服人手不足等多方面困难，坚持奉献精神，为科研事业付出了艰辛的努力。实验人员现场讨论

3月26日上午，由陕西省发展和改革委员会主办，中国科学院西安光学精密机械研究所、陕西电子信息集团、西安炬光科技有限公司等单位承办的“陕西省高功率激光器及应用产业联盟成立揭牌暨项目签约仪式”在西安光机所隆重举行。陕西省副省长吴登昌、陕西省决策咨询委员会副主任崔林涛、中国科学院院士侯洵、中国科学院院士姚建铨以及陕西省、西安市政府有关部门领导，该产业联盟所有成员单位代表等共400余人出席了揭牌暨项目签约仪式。　　为了贯彻落实《关中——天水经济区发展规划》，以建设西安统筹科技资源改革示范基地为契机，中国科学院西安光机所、陕西电子信息集团、西安炬光科技有限公司等三家单位发起组建陕西大功率激光器及其应用产业联盟的倡议。倡议指出，陕西在大功率激光器产业的技术和产业配套等方面具有较好的基础，为集群形成和发展提供了良好的条件，但还存在着产业分散、关联度低等问题，在一定程度上制约了全省大功率激光器产业的发展。因此，为大力促进我国大功率激光器产业快速发展，组建陕西大功率激光器及其应用产业联盟将刻不容缓。　　在陕西省发改委等单位的大力支持下，目前陕西省高功率激光器及应用产业联盟已集合了全省在该领域中的近20家企业、大专院校和科研单位入盟。通过整合资源，并充分利用中国科学院西安光机所和西安炬光科技有限公司在高功率半导体激光器领域的技术、人才和产业等优势，建设陕西省激光产业集群，打造一条技术领先、产业集聚、竞争力强的全新的产业链，以加快培育战略性新兴产业，推动结构调整和发展方式的转变。　　在本次签约仪式上，西安炬光科技公司与国投高科技投资有限公司签署了战略投资协议 与美国知名的激光器制造企业阿波罗公司(Apollo Instruments)签署了“光学整形与光纤耦合业务收购协议” 与西安光机所签署了“激光投影仪项目协议”，同时还与在陕的工业加工、医疗设备、科学研究等十余个激光器应用企事业单位签约了投融资项目和产品研发项目，总额近2亿元。　　大会期间，陕西省发改委副主任张振红代表省发改委宣读了“关于成立陕西省高功率激光器及应用产业联盟的复函” 中国科学院西安光机所所长赵卫代表陕西省高功率激光器及应用产业联盟在大会讲话 陕西省副省长吴登昌、陕西省决策咨询委员会副主任崔林涛、中国科学院院士侯洵、中国科学院院士姚建铨为联盟的成立共同揭牌。

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

近期，中国科学院上海光学精密机械研究所空间激光信息技术研究中心冯衍研究员领衔的课题组，在高功率拉曼光纤激光器研究中取得新进展。提出了一种镱-拉曼集成的光纤放大器结构，有效地解决了拉曼光纤激光器功率提升的主要技术瓶颈问题，在1120nm波长，首次获得580W的单横模线偏振拉曼光纤激光和1.3kW的近单模拉曼光纤激光输出。　　近年来，高功率光纤激光器发展迅速。1&mu m波段的掺镱光纤激光器，近衍射极限输出功率可达20kW，多横模输出功率可达100kW。尽管如此，稀土掺杂光纤激光器的输出波长，因稀土离子能级跃迁的限制，仅能覆盖有限的光谱范围，限制了其应用领域。基于光纤中受激拉曼散射效应的拉曼光纤激光器是拓展光纤激光器波长范围的有效手段。　　该项研究中，在一般的高功率掺镱光纤放大器中注入两个或多个波长的种子激光，波长间隔对应光纤的拉曼频移量。处于镱离子增益带宽中心的种子激光率先获得放大后，在后续光纤中作为泵浦激光对拉曼斯托克斯激光进行逐级放大。初步的演示实验获得了300 W的1120nm拉曼光纤激光输出 接着采用较大包层(400&mu m)的光纤，获得了580W的单横模线偏振拉曼光纤激光和1.3kW的近单模拉曼光纤激光输出。结果发表于《光学快报》(Optics Letters)和《光学快讯》(Optics Express) [Opt. Lett. 39, 1933-1936 (2014) Opt. Express 22, 18483 (2014)]。鉴于目前高功率掺镱光纤激光器均采用主振放大结构，新提出的光纤放大器结构可用于进一步提升拉曼光纤激光的输出功率。初步的数值计算也表明，该技术方法有望在1～2&mu m范围内任意波长获得千瓦级激光输出。　　该项研究得到了中国科学院百人计划、国家&ldquo 863&rdquo 计划、国家自然科学基金等项目的支持。　　 千瓦级掺镱-拉曼集成的光纤放大器结构示意图　　输出功率随976 nm二极管泵浦功率的变化曲线，其中的插图为最高输出时的光谱。

波长调谐范围覆盖6-20μm的高重复频率（10 MHz）、高平均功率（10 mW）飞秒激光源具有重要的应用，由于大量分子在这个波段具有振动跃迁，因此有望用于痕量气体检测以及对由气体、液体或固体组成的复合系统进行与物理、化学或生物学相关的非侵入性诊断。但由于增益介质的缺乏，这些中红外源通常利用高功率近红外飞秒激光器驱动光学差频产生（DFG）来实现：近红外激光脉冲的一部分用作泵浦脉冲，另一部分采用非线性波长转换产生波长可调的信号脉冲，泵浦脉冲和信号脉冲之间的DFG产生可调谐的中红外脉冲。利用传统非线性光学手段产生的信号光脉冲能量较低，限制了中红外光源的功率，导致长波中红外飞秒光源无法广泛应用。针对该难点，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心L07组在长期开展基于超快激光脉冲产生及波长转换的基础上，利用自相位调制的光谱旁瓣滤波（SPM-enabled spectral selection，SESS）技术，基于高功率掺铒光纤激光器在高非线性光纤中得到了波长范围覆盖1.6-1.94μm、功率高达300mW（~10nJ）的信号脉冲，再与1.55μm的泵浦脉冲在GaSe晶体中差频得到了波长覆盖7.7-17.3μm的中红外激光脉冲，最大平均功率可达58.3mW。图1. 实验装置图实验装置如图1所示，前端为自制的高功率掺铒光纤激光器系统，重复频率为32MHz，经过啁啾脉冲放大后得到平均功率为4W、脉冲能量为125nJ、宽度为 290fs的脉冲。将激光脉冲分成两份，一份作为泵浦脉冲，另一份耦合到SESS光纤中进行光谱展宽。光纤输出处的展宽光谱由二向色镜分离，长通滤波器（图中的LPF1）将最右边的光谱旁瓣过滤出来作为信号脉冲。泵浦脉冲经过时间延迟线与信号脉冲在时间上重合后聚焦到GaSe晶体上，光斑大小约为50μm。再通过另一个截止波长为4.5μm的长通滤波器，生成的中红外光束经焦距为75mm的90°离轴抛物面镜准直。利用校准的热敏功率计测量中红外脉冲的平均功率，傅里叶变换红外（FTIR）光谱仪来测量输出光谱。图2（a）为1mm-GaSe后输出光谱和功率，光谱范围为7.7-17.3μm，最大平均功率为30.4 mW。为了进一步提高输出功率，我们采用2mm厚的GaSe晶体，结果如图2（b）所示，整个光谱调谐范围内脉冲功率均大于10mW，最大平均功率达58.3mW。相比于以往基于掺镱光纤的中红外光源，本研究成果将DFG平均功率提高了一个数量级，并首次实验上观测到了工作在光参量放大机制下的高重频DFG过程。该高功率长波中红外光源基于结构紧凑的光纤激光器，可以用于实现中红外双光梳，从而推动中红外光梳在精密光谱学中的前沿应用。相关结果发表在最近的Optics Letters上（https://doi.org/10.1364/OL.482461），被选为Editor's Pick并成为当天下载量最多的5篇论文之一。图2. 在不同厚度GaSe后测量到的中红外光谱和功率:（a） 1mm-GaSe（b）2mm-GaSe。该工作得到了国家自然科学基金（批准号：No.62227822和62175255）、中国科学院国际交流项目（批准号：No. GJHZ1826）和国家重点研发计划（批准号：No. 2021YFB3602602）的支持。论文第一作者为物理所博士生刘洋，常国庆特聘研究员为通讯作者，赵继民、魏志义研究员也参与了该工作的设计和讨论。

世界上第一个太赫兹波段的行波光管放大器。　　日前，国际首次太赫兹功率比对在德国柏林举行，参加比对的德、美、中3国的国家计量院采用不同的技术路线，取得的测量结果都能相互吻合。其中，中国计量院参加比对的太赫兹辐射计测量不确定度最小、响应度最高，标志着我国太赫兹辐射功率计量能力步入国际领先行列。　　太赫兹介于红外和微波频段之间，是连接电子学和光子学的桥梁，在信息科学、材料科学、生物化学等许多领域具有重要应用价值和重大应用潜力。由于缺乏有效的测量方法和测量仪器，人们对于该频段的辐射特性了解甚少。随着太赫兹技术的发展和广泛应用，太赫兹辐射源、太赫兹探测器、太赫兹测量系统大量涌入市场。在高速宽带通信、功能材料研制、生物医学成像、机场港口安检、地沟油检测、危险化学品监测预警等许多领域的应用日益广泛。然而国际上缺少太赫兹相关参数测量标准，导致太赫兹产品的特性难以客观准确评估，无法科学评估并保障太赫兹研究和应用的有效性。　　为解决这一问题，先进国家的计量院相继开展此方面的研究。如德国联邦物理技术研究院(PTB)利用低温辐射计率先实现了太赫兹功率溯源至国际单位制 美国标准技术研究院(NIST)利用碳纳米管作为吸收体实现了太赫兹辐射功率的测量 中国计量院利用自主研制发明的一种太赫兹超强吸收材料实现了太赫兹辐射功率的绝对测量和量值溯源。　　为保障太赫兹计量量值准确可靠，2013年，德、美、中3国的国家计量院共同商定了比对方案和进程，对参比国家实验室提出了资格要求。以国际正式论文作为证明，经筛查后有4国的国家计量院符合参加条件，最终有能力参加比对的实验室仅有美国NIST、中国NIM和德国PTB3家，其中PTB为主导实验室。　　中国计量院参比负责人、激光室副主任邓玉强博士介绍说，此次比对规定在2.52THz和0.762THz两个频率点下进行，3国参比实验室分别采用互不相同的技术路线复现量值，在同一地点一起进行现场实验测量。最终比对结果表明，3国的现场测量结果都能相互吻合，等效一致。中国计量院在比对的两个频率点均以最小的测量不确定度取得国际等效。　　中国计量院参加此次国际比对所采用的太赫兹辐射计及其关键部件均由邓玉强和孙青2位副研究员自主研制发明，其中，太赫兹辐射计吸收材料的吸收带宽和吸收率均为目前国际最高水平，可实现100GHz到可见光波段辐射功率的高准确度测量，且响应光谱平坦。在PTB实验室的现场测量中，该太赫兹辐射计表现出卓越的性能，具有良好的重复性、稳定性和信噪比，非线性仅为0.4%，被德国国家计量院太赫兹辐射度实验室主任AndreasSteiger博士誉为&ldquo 具有德国产品的质量&rdquo 。　　据了解，此次为国际首次太赫兹功率比对，被国际光度辐射度咨询委员会(CCPR)关键量比对工作组主席YoshiOhno博士认为是&ldquo 太赫兹计量领域的重大里程碑&rdquo ，将对今后的太赫兹科学研究和太赫兹技术推广应用起到积极的推进作用。配备太赫兹量子级联激光器的纳米线探测器。　　太赫兹量子级联激光器的研制难度大，对结构设计、材料生长和器件工艺均有很高的要求。　　近日科学家们研发的一种能够检测光波的最新设备或能帮助打开电磁光谱的最后边界&mdash &mdash 太赫兹(Terahertz)光谱。

记者日前从中科院电工所获悉，由该所太阳能热发电实验室承担研制的大功率太阳炉聚光器近日在宁夏惠安堡镇竣工，其成功研制表明我国科研工作者已掌握了大型高精度聚光器的核心技术和制作工艺。　　“太阳能聚集供热方法的研究及成套设备的开发”是国家“973”项目和“863”太阳能制氢课题子课题。大功率太阳炉聚光器经过近3年的研制，各项技术参数经过精心调试，已达到合同要求，并在太阳能制氢试验试运行中产出氢气。　　据介绍，该太阳炉系统由3个平整度为1毫米的120平方米的正方形定日镜、跟踪控制系统、300平方米大型高精度抛面聚光器、太阳炉和制氢系统组成。其中，定日镜边长11米，成三角形排列，后面一座高出前面两座1.8米。聚光器为旋转抛物面，旋转轴与地面平行，距地3米。根据惯例，太阳直射辐射按照1000瓦/平方米计算，该太阳炉的总功率是0.3兆瓦。此套系统是我国自主研发的第一台大功率太阳炉聚光器，总聚光面积300平方米，跟踪精度好于1毫弧度，峰值能流密度设计值高达10兆瓦/平方米。该太阳炉的热功率在世界排名第三，前两位分别位于法国的科学研究中心(CNRS)和乌兹别克斯坦物理研究所内。　　该系统通过将平面定日镜作为反射器把太阳光反射到对面的抛面聚光器上，经过抛面聚光器聚焦至焦点位置的太阳炉中心处，中心高温高达约3000℃，可在氧化气氛和高温下对试验样品进行观察，不受燃料产物的干扰。目前，该系统平台与西安交通大学的反应器接口已经成功产出氢气。