射频功率计

中国科学院微电子所射频电源(RFGenerator)课题组(www.rf-power.net)从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功500W-10KW电子管射频电源，获得“六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。　　从2010年开始在极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)项目资金支持下，研发晶体管射频电源(13.56MHz)，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源，获得第七届国际发明展览会银奖。　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。　　目前射频电源组分为三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。　　产品研发部：有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。　　产品生产部：有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套，库房常年备有库存，可保证给客户随时发货。　　产品推广与售后服务部：有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，射频感应加热，医疗领域的消毒与理疗美容，常压等离子消毒清洗等领域。　　中国科学院微电子研究所射频电源组网址：www.rf-power.net

2021年8月30日，在嘉盛半导体（苏州）有限公司举行了华兴源创5G射频测试系统交付仪式以及上海韦尔半导体股份有限公司、嘉盛半导体（苏州）有限公司、苏州华兴源创科技股份有限公司三方战略合作签约仪式。经过长达3年的潜心研究，由华兴源创自主研发的4台射频测试系统TS-1800，在韦尔半导体和嘉盛半导体大力支持下，顺利进入嘉盛半导体（苏州）有限公司的量产线用于韦尔半导体射频开关的测试。在中国大陆射频芯片封测产业，不得不提到嘉盛半导体苏州公司，全球超过一半的射频开关产品从这里完成封测。本次华兴源创交付的TS-1800射频测试系统，最核心的射频信号矢量信号收发仪板卡（VST）及射频矢量信号网络分析仪板卡（VNA）均为从底层架构完全自主研发，因此可以说是国内首台完全自主创新的5G射频测试系统。TS-1800设计的最高收发频率可达Sub6GHz，可满足所有5G射频开关(Switch)、低噪放大器（LNA）、功率放大器（PA）、滤波器（Filter）、射频调谐（Tuner）等射频前端芯片的测试，打破了国内在5G射频专用测试领域完全依赖进口设备和进口射频矢量板卡的局面。TS-1800射频测试系统的技术亮点主要有1.在硬件设计方面，TS800利用“高功率多频段复用技术”, HP Multi-band TM. 使客户在更换产品时，无需Loadboard硬件更换，只需控制切换即可实现不同的频段的高功率测试。这项技术区别于其他射频设备，实现轻松切换，进一步提高产能。2.在数据处理方面，TS1800 采用Auto-Detect 智能算法。这个强大的智能算法的成功应用，进一步提高测试精度，确保测量的稳定性和一致性。3.TS1800的优于分时系统利用双TX通道和双RX通道集成于一卡的优势实现低功率和高功率实时并行测试的技术，在测试时间上拥有竞争优势。4.高度集成的完全自主研发板卡在测试成本方面拥有天然的竞争优势。上海韦尔半导体股份有限公司董事副总经理纪刚代表公司出席了仪式。他表示韦尔半导体作为一家中国设计公司在保证芯片品质的基础上一直积极推进测试设备的国产化，目前公司的分立器件和模拟芯片的测试已经比较多的采用国产测试设备了，但其他产品的量产测试设备还是依靠海外测试供应商。2年多前豪威集团和华兴源创首先启动了合作，目前在其代工厂已采用华兴源创测试机加分选机的解决方案。经过2年多的不断改善，华兴源创的测试解决方案在效率、稳定性等多项关键指标上已经达到国际同类水平。今天交付的4台5G射频专用测试设备主要用于公司射频开关、LNA等前端芯片的测试，由于射频测试设备的技术门槛很高，截止目前我们基本上全部采用海外品牌测试机，此次首次采购数量不多，但意义重大。首先是韦尔半导体和华兴源创的战略合作又往前发展了一步，从一个品类变成了两个品类，其次今后韦尔半导体的射频前端芯片非常有机会能逐步通过采用高性价比的国产测试解决方案来提高产品竞争力。苏州华兴源创科技股份有限公司董事长陈文源出席了仪式，他表示：首先要感谢韦尔半导体和嘉盛半导体对华兴源创的信任和大力支持，因为公司作为半导体测试设备的新厂商，成败的关键因素之一就是一定要有几家下游铁杆客户不离不弃的陪跑。在韦尔半导体项目推进过程中接收端在高频5GHz范围左右扑捉小信号峰值的时候出现过数值不稳定现象，这是一个集硬件，算法，和信号完整性交织在一起的复杂问题。在韦尔半导体的信任和支持下我们工程师们历经约1个月的奋战，应用了严谨的鱼骨法问题解决方式，做了数十次DOE，终于找到原因，并用精巧的算法实现了稳定地抓取每一次数据的解决方案，这为今天的顺利交付奠定了扎实的基础。其次今天交付的设备，对于华兴源创只是万里长征开始的第一步，我们将持续投入研发，通过与海外同类畅销机型的对比以及从满足客户的各种需求出发，不断升级完善产品，希望在不久的将来，华兴源创的5G射频测试解决方案能成为国内射频芯片厂商乃至全球射频芯片厂商心目中的最佳测试解决方案。出席此次仪式的还有上海韦尔半导体股份有限公司运营总监蒋海林、生产运营高级总监褚彩萍、封装总监俞江彬、嘉盛半导体（苏州）有限公司总经理李操权、运营总监石岩、销售总监朱勤、测试总监向国平、苏州华兴源创科技股份有限公司运营中心长姚夏、董事会秘书朱辰、半导体事业部总监黄龙。华兴源创是行业领先的工业自动化测试设备与整线系统解决方案提供商，基于公司在电子、光学、声学、射频、机器视觉、机械自动化等多学科交叉融合的核心技术为客户提供从整机、系统、模块、SIP、芯片各个工艺节点的自动化测试设备。目前华兴源创产品已经服务于平板显示、半导体、可穿戴、新能源车等多个领域。

Pickering Interfaces与Menlo Microsystems的合作将新的开关技术引入PXI射频多路复用开关，以显著地提高性能。2023年6月26日，于英国Clacton-on-sea。Pickering Interfaces公司作为生产用于电子测试及验证领域的信号开关与仿真解决方案的主要厂商，于今日发布了一款采用新的开关技术的PXI/PXIe射频多路复用开关模块新产品。新款基于MEMS的射频多路复用开关是无线通讯和半导体测试的理想选择，与传统 EMR(电磁继电器)开关相比，操作寿命大大延长(高达300倍)、切换速度更快(高达60倍)、带宽更高，射频功率处理能力更强。插入损耗也与EMR相当，并且远低于固态开关。 　　新产品家族基于Menlo Microsystems的Ideal Switch®构建。这是首款性能特性能够支持要求严苛的射频测试环境，比如半导体、消费者无线设备和各种S波段的应用(包括移动服务、卫星通讯和雷达)的商用MEMS组件。“Pickering多年来一直在密切关注MEMS(微机电系统)技术，”Pickering Interfaces的开关产品经理Steve Edwards说。“Menlo Micro凭借Ideal Switch成为第一家提供满足射频测试所需规格的量产MEMS开关的公司。” 　　Menlo Microsystems的创始人兼全球营销高级副总裁Chris Giovanniello指出：“我们与Pickering Interfaces的合作伙伴关系建立在专注于下一代射频产品和应用的五年合作之上。“现在，我们的 Ideal Switch 已被Pickering用来构建首批射频多路复用开关，我们期待进一步推进我们的创新技术的发展。” 　　40-878 (PXI)和42-878 (PXIe)是50Ω 4：1 射频多路复用开关。为了适应不同规模的测试应用，40/42-878系列提供单组、双组或四组多种规格选择，都仅占用一个PXI或 PXIe机箱插槽。用户可以灵活地选择机箱，最大程度地减少所需插槽的数量。40-878也可以在Pickering的所有LXI/USB模块化开关机箱中安装使用。因此，受PXI、LAN或USB控制的不同的开关解决方案具有相同水平的高性能。该模块提供SMB或MCX连接器，用户可以选择最适合其应用的接口。另外，Pickering还提供类型齐全的线缆解决方案。 　　Pickering的开关产品经理Steve Edwards对新产品作了说明：“40/42-878系列提供大于30亿次的操作寿命，远超基于EMR的解决方案(通常为1千万次操作)，最大程度地减少由于继电器损坏或需要维护造成的系统停机。仅50us的切换速度使得这些开关可以在EMR的一次切换时间内进行多次切换，因此最大程度地减短了测试周期时间，以及提高了系统吞吐量。快速切换的优点使得这款产品适用于类型广泛的各类应用。” 　　“另外，40/42-878提供4GHz的带宽(现有的EMR产品带宽为3GHz)，可以支持新的更高频率的测试要求，因此有助于延长测试系统的使用寿命。提高了带宽的同时也提高了射频承载功率，超过了EMR解决方案的10W功率。”Edwards说：“最后，与固态解决方案不同，40/42-878中使用的MEMS开关具有低插入损耗，在4GHz时通常小于1.4db —— 与EMR解决方案相当，但具有基于MEMS设计的所有优势。” 　　40/42-878系列随附驱动程序，可在所有主流的软件编程环境中使用。在操作系统方面，支持所有微软当前的Windows版本和主流的Linux版本，以及其他实时硬件在环(HiL)工具。另外，Pickering为所有模块提高三年质保。

为满足半导体设备客户的需求，中科院射频电源组(www.rf-power.net)经过2个月的设计研发，于2013年3月正式推出固态RFG-2000高端型射频电源(3U风冷系列)，此型号适用于大腔室刻蚀等半导体设备。此型号带有RS232/RS485/USB通讯协议，模拟口通讯，脉冲调制，相位同步与移相等功能。固态RFG-2000高端型射频电源(3U风冷系列)　　中国科学院微电子所射频电源(RF Generator)课题组从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功500W-10KW电子管射频电源，获得“ 六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。　　从2010年开始在极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)项目资金支持下，研发晶体管射频电源(13.56MHz)，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源，获得第七届国际发明展览会银奖。　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全, 目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。　　年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。　　目前射频电源组，实行组长负责制，下设三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。　　产品研发部：实行部长负责制，有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。　　产品生产部：实行部长负责制，有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套，库房常年备有库存，可保证给客户随时发货。　　产品推广与售后服务部：实行部长负责制，有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，射频感应加热，医疗领域的消毒与理疗美容，常压等离子体消毒清洗等领域。　　中国科学院微电子研究所射频电源组网址：www.rf-power.net

2016年11月18日，由聚光科技（杭州）科技股份有限公司（以下简称“聚光科技”）牵头承担的国家重大科学仪器设备开发专项“自激式全固态ICP射频源研制及产业化”项目开题会议在杭州顺利召开。浙江省科技厅乐斌、中科院电工研究所韩立所长助理、浙江大学金钦汉教授、浙经事务所徐永标教授、上海环境监测中心大气环境监测室段玉森主任、浙江地质矿产研究所胡勇平教授、中国科学院高能物理研究所刘宇研究员、杭州信雅达科技有限公司赖月林总经理、杭州电子科技大学程知群教授、浙江工业大学莫卫民教授等领导、项目专家成员以及合作单位相关负责人近22人出席会议。与会人员合影　　首先由项目承担单位聚光科技党委书记陈荧平致欢迎辞，随后浙江省科技厅乐斌对项目实施过程中几点要求及评价体系等方面发表重要讲话，并希望项目组进一步加强合作，祝愿聚光科技在后续项目的实施过程中取得圆满成功。 浙江省科技厅乐斌发表重要讲话　　中国地质大学（武汉）金星教授向各位领导及专家组就项目总体情况进行了介绍，本专项重点研制具有自主知识产权、达到国际一流水平的自激式全固态ICP射频源设备，在此基础上进行工程化、产业化，同时建立一条规模生产线，年产能达500台套，项目完成后3年内年销售量300台套以上，支持ICP类分析仪器销售500台套。 中国地质大学金星教授作项目介绍　　本专项将研制工作在27.12 MHz频率的自激式全固态ICP射频源，频率稳定度优于0.01%，功率稳定性优于0.1%，输出功率在0.6～1.7 kW之间连续可调。　　在应用开发方面，本项目针对ICP射频源在光谱和质谱中的应用，将研制的ICP源集成在国产ICP-OES和ICP-MS上，实测灵敏度、背景噪声、检出限和长短期稳定性等主要性能指标，并与采用进口ICP射频源的国产ICP-OES和ICP-MS进行横向比较，以验证本项目研制的ICP射频源的性能是否满足ICP-OES和ICP-MS的要求。形成的测试报告和应用示范效果，对于ICP射频源在国产ICP-MS中的推广应用将起到一个良好的带动作用。　　在产业化方面，本项目将依托产业化承担单位的基础，按照产品开发（IPD）流程进行产品开发，参考ISO 9001：2001质量标准进行管理，建立全面的ICP射频源产品质量管理体系、物料质量管理规范和产品订单履行规范，保证ICP射频源的小试、中试和规模生产顺利实施。建立相应质量管理体系，建设生产线，实现自激式全固态ICP射频源年销售量300台套以上。　　通过本项目的实施，将给国家带来巨大的经济社会效益。　　一、为环境、食品等行业的仪器设备提供核心部件，提升我国检测设备的研制和应用水平　　在水、土壤环境质量检测、水质重金属污染突发事件和食品重金属检测领域等行业，本项目研制成功的ICP源将为这些领域重金属检测设备ICP-OES和ICP-MS提供先进的核心部件，促进国产高端元素检测设备的技术成熟，保障检测行业的检测事业发展。先进的检测设备将大大提升水质、土壤环境的检测能力，促进环境安全和食品安全的总体控制。环境和食品安全保障手段的加强，必将提高人民的生活水平，从而产生巨大的社会效益。　　二、 促进元素检测技术水平的提高　　通过实施项目，我国元素检测设备和检测质量控制产品的研制水平将会有很大提高，必将进一步促进整个国产化元素检测关键设备的产业化、标准化、系列化，形成关键检测设备核心模块的产业化基地，促进国产元素检测设备的市场化推广。　　三、替代进口，节约外汇　　目前国内高端的ICP-OES和ICP-MS设备基本购买国外产品，市场被进口设备长期垄断，价格昂贵、仪器的维护费用高、周期长。本项目研制的具有我国自主知识产权的ICP射频源，技术指标达到国外同类产品水平，将极大的促进国产ICP-OES和ICP-MS在技术上成熟，达到国外同等先进水平，能够胜任国内元素检测各种复杂的应用环境；同时实现国产化应用、本土化维护和成本的降低，完全可替代进口产品，降低了成本，不仅促进仪器企业降低成本提高产品竞争力，也帮助国产ICP类分析仪器在整个元素检测仪器市场提高竞争力。　　四、拉动内需，促进就业　　本项目涉及光学、化学、机械加工、生物学、微加工、电子学、材料科学等多行业，能够促进ICP-OES和ICP-MS等分析仪器行业的进步，项目的实施将带动相关产业的发展，增加就业岗位。　　总之，通过本项目的实施，将实现具有自主知识产权的自激式全固态射频电源的国产化和产业化，将在杭州建立一条拥有年产能力500台套ICP射频源的生产线，并实现批量销售，项目完成后年销售量超过300台套。通过本项目研究成果的推广，将促进国产ICP-OES和ICP-MS等高端无机分析仪器的产业化，提升国产仪器的市场竞争力。　　随后，各仪器开发单位分别就各承担任务的总体目标、工作难点、技术路线、实施计划等方面进行了专题汇报，经过专家组多次提问及内部讨论，形成了专家意见，为项目的顺利实施奠定了坚实的基础。

p style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　2020年11月18日，国家重大仪器设备开发专项——“自激式全固态ICP射频源研制及产业化”(2016YFF0100200)综合验收会议在北京举行。该项目自2016年立项，致力于推动我国自激式全固态ICP射频源国产化进程。/pp style="text-align: center"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202011/uepic/a3c2aaa3-acc8-4702-84f3-925895b44734.jpg" title="1111.jpg" alt="1111.jpg"//pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　验收会议由科技部科技评估中心主持，以刘淑芬教授为组长的综合验收专家组分别对项目验收材料、项目目标完成情况、项目考核指标完成情况、项目成果应用推广和发挥作用、工程化与产业化情况等进行了验收。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　经过现场听取汇报、资料审查和质询，专家组就项目相关情况进行深入讨论，一致认为该项目整体符合验收要求，研究成果达到任务书中各项考核指标，完成工程化，实现了产业化，项目顺利通过综合验收。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　strong项目背景/strong/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　本项目由聚光科技(杭州)股份有限公司牵头，旗下自孵化子公司杭州谱育科技发展有限公司(以下简称“谱育科技”)研发团队承担此次项目的仪器研发及产业化工作，该项目参与单位还有中国科学院微电子研究所、中国地质大学(武汉)、中国科学院上海硅酸盐研究所、北京海光仪器有限公司、北京普析通用仪器有限责任公司等。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　目前，元素检测及元素检测设备的需求在不断增大 国际上ICP-MS、ICP-OES技术也已比较成熟，在核心部件ICP射频源的研究上正往自激式全固态射频电源技术方向发展。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　国产相关仪器正处于起步阶段，在当前国际采用的主流核心技术上陷入瓶颈，竞争力较弱，导致国内高端的ICP-OES和ICP-MS设备基本依靠进口，面临进口设备价格昂贵、维护费用高、周期长等问题，亟待进一步改进以提升竞争力，实现国产化!/pp style="text-align: center"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202011/uepic/0a967953-509f-4428-84c7-5971722f92bc.jpg" title="222222.jpg" alt="222222.jpg"//pp style="text-align: center line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　具有自主知识产权的自激式全固态ICP射频源/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　本项目研制的具有我国自主知识产权的ICP射频源，将促进国产ICP-OES和ICP-MS在技术上成熟，达到国外同等先进水平 同时实现国产化应用、本土化维护和成本降低，实现替代进口。这不仅能促进仪器企业降低成本的同时提高产品竞争力，也帮助提高国产ICP类分析仪器在整个元素检测仪器市场竞争力。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　strong课题内容/strong/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　1、本项目重点开展射频源功率放大及锁相环设计、高精度的阻抗匹配网络设计、ICP射频源的控制系统设计、射频功率检测装置等研究，攻克关键技术 基于ICP用射频电源研制、ICP射频源工程化开发，完成设备开发。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　2、本项目基于ICP射频源，研制开发台式、在线、车载的ICP-OES和ICP-MS， 针对水、土壤环境质量检测、水质重金属污染突发事件和食品重金属检测领域等行业的需求，建立适应国内的成熟应用模式，并建立年产能500台套ICP射频源的生产线。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　strong应用成果/strong/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　研发团队经过多年技术攻关与创新，进行技术研究、设备开发并完成应用，实现产业化。/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　strong　技术研究/strong/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　完成基于并行推挽的射频功率放大技术/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　完成基于数值寻优的自激式阻抗网络匹配/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　完成非定值阻抗下功率测量/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　完成基于复杂基质下快速匹配/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　… … /pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　strong产品开发/strong/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　完成具有自主知识产权的/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　自激式全固态ICP射频源仪器开发/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　strong应用示范及产业化/strong/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　在3个厂家4个型号国产ICP-OES、ICP-MS上进行应用/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　在环境水样、高盐、有机、地矿等样品进行应用验证并通过/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　形成1个自激式全固态ICP射频源的生产基地/pp style="text-align: justify line-height: 1.75em text-indent: 0em "　　年产能力达到500台套以上，已经形成批量生产/pp style="text-align: center"img style="width: 600px height: 415px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202011/uepic/b1e7d576-e68c-450b-bccc-b2095fa79713.jpg" title="44444444.jpg" width="600" height="415" border="0" vspace="0" alt="44444444.jpg"//pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 200px height: 200px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202011/uepic/71878879-5ea9-4a17-b8cc-4552ea90ea61.jpg" title="7000.jpg" alt="7000.jpg" width="200" height="200" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "a href="https://www.instrument.com.cn/netshow/C319154.htm" target="_blank"span style="color: rgb(0, 112, 192) "strongspan style="text-align: center "谱育科技SUPEC 7000 电感耦合等离子体质谱仪/span/strong/span/a/pp style="text-align: center"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202011/uepic/55962fdc-ab82-4425-a5c5-f67a337f5762.jpg" title="6500.jpg" alt="6500.jpg"//pp style="text-align: center "a href="https://www.instrument.com.cn/netshow/C391682.htm" target="_blank"span style="color: rgb(0, 112, 192) "strongspan style="text-align: center "聚光科技 EXPEC 6500新一代全谱ICP-OES/span/strong/span/a/p

近日，国家药品监督管理局经审查，批准了上海微创电生理医疗科技股份有限公司生产的“一次性使用压力监测磁定位射频消融导管”创新产品注册申请。该产品由射频消融导管、连接尾线和尾线连接盒组成。其中导管主体包含高扭矩管身和可弯曲的头部，头部装有铂铱电极，1个头端电极和3个环形电极。该产品在医疗机构中与上海微创电生理医疗科技股份有限公司生产的三维心脏电生理标测系统和心脏射频消融仪配合使用，用于药物难治性、复发性、症状性阵发性房颤的治疗。该产品采用了基于应变片原理压力传感技术、磁场定位技术、头端多孔盐水灌注技术与三维电生理标测系统，可为房颤患者的治疗提供整体解决方案，是国产首个具有压力感知功能的心脏射频消融导管。与传统心脏类射频消融导管相比，该产品可以实时测量导管头端和心壁之间触点压力值，更好的辅助术者完成手术，有效防止术中导管与组织贴靠力过大造成蒸汽爆裂或过小引起消融不完全，可缩短医生学习曲线，达到更优的远期治疗成功率。该产品获批上市有利于该技术的临床应用推广和降低临床治疗费用，使更多房颤患者受益。药品监督管理部门将加强该产品上市后监管，保护患者用械安全。

新品发布全新升级的射频测试设备你拥有了吗，在延续其小巧的身型、可编程、USB供电控制等经典特色的同时，虹科最新发布的便携式射频测试设备具有更高的带宽、更优秀的性能、更棒的测试体验，包括数字衰减器、信号发生器、射频开关、混频器、射频功率计和功率放大器等，满足您的个性化需求与不同应用场景。虹科便携式可编程数字衰减器具有高达40GHz频率范围和120dB的衰减控制范围，可直接从附带的图形用户界面（GUI）为固定衰减、扫描衰减斜率进行轻松编程，对于希望开发自己界面的用户，虹科提供LabVIEW驱动程序、Windows API DLL文件、Linux驱动程序、Python示例等，满足不同的应用需求。数字衰减器虹科HK- LDA-802-32200-8000MHz高分辨率数字衰减器，32通道，衰减范围为120dB，步长0.1dB虹科HK-LDA-802-32数字衰减器是一个机架式、32通道、高动态范围、双向、50欧姆的步进衰减器。它提供120dB的衰减控制范围，频率范围为200-8000MHz，步长为0.1dB，同时提供USB和以太网接口。特点● 可靠且可重复的固态数字衰减器● 免费的GUI、Windows Linux和MAC SDK，以及LabVIEW驱动程序● 单次或重复的可编程衰减斜率● 可通过GUI或SDK对衰减曲线进行编程● USB和以太网控制● 可设置静态IP或DHCP● 密码保护的web GUI应用● WiFi，WiFi 6E，3G，4G，5G，LTE，DVB，微波无线电衰减模拟器● 工程/生产测试● 自动测试设备（ATE）★虹科HK-LDA-802-16200-8000MHz高分辨率数字衰减器，16通道，衰减范围为120dB，步长为0.1dB虹科HK-LDA-802-16数字衰减器是以机架方式进行安装，具有16通道高动态范围、双向、50Ω的步进式衰减器。它提供120dB的衰减控制范围，频率范围为200-8000MHz，步长为 0.1dB，同时提供USB和以太网接口。特点● 可靠且可重复的固态数字衰减器● 免费的GUI、Windows Linux和MAC SDK，以及LabVIEW驱动程序● 单次或重复的可编程衰减斜率● 可通过GUI或SDK对衰减曲线进行编程● USB和以太网控制● 可设置静态IP或DHCP● 密码保护的web GUI应用● WiFi，WiFi 6E，3G，4G，5G，LTE，DVB，微波无线电衰减模拟器● 工程/生产测试● 自动测试设备（ATE）★虹科HK-LDA-608V-4200-8000MHz高分辨率数字衰减器，4通道，衰减范围为60 dB，步长为0.1dB虹科HK-LDA-608V-4数字衰减器是一款高精度、双向的50欧姆步进式衰减器，具有4个独立控制的衰减通道，提供200-8000MHz的校准衰减，典型精度0.25dB，步长为0.1dB，控制范围为60dB。特点● 可靠且可重复的固态数字衰减器● 免费的GUI、Windows Linux和MAC SDK，以及LabVIEW驱动程序● USB和以太网控制接口● 可配置的静态IP或DHCP● 可编程的衰减斜率和衰减曲线● 密码保护的web GUI应用● WiFi，WiFi 6E，3G，4G，5G，LTE，微波无线电衰减模拟器● 工程/生产测试● 自动测试设备（ATE）★虹科HK-LDA-4030.1-40GHz高分辨率数字衰减器，单通道，衰减范围为31.5 dB，步长为0.5 dB，USB/以太网控制虹科HK-LDA-403数字衰减器是一个双向的、50欧姆的步进衰减器，提供从0.1到40GHz的衰减控制，步长为0.5dB，同时提供USB和以太网接口。通过连接衰减器的扩展总线，可以从一台PC控制多个HK-LDA-403设备。特点● 可靠且可重复的固态数字衰减器● 免费的GUI、Windows Linux和MAC SDK，以及LabVIEW驱动程序● 可编程的衰减斜率和衰减曲线● 可直接从电脑或自带电源的集线器上操作多个设备● 易于携带的USB供电设备应用● WiFi，WiFi6E，4G，5G，LTE，DVB，微波无线电衰减模拟器● 工程/生产测试● 自动测试设备（ATE）★虹科HK-LDA-203B1-20GHz USB可编程数字衰减器，单通道，衰减范围为63 dB，步长为0.5dB，USB/以太网控制虹科HK-LDA-203B数字衰减器是双向、50Ω步进衰减器，在1-20 GHz频率范围内提供63 dB的衰减控制，步长为0.5 dB，提供USB和以太网接口，易于携带。特点● 可靠和可重复的固态数字衰减● 免费的GUI, Windows和Linux SDK, LabVIEW驱动程序● USB和以太网控制● 可设置静态IP或DHCP● 密码保护的web GUI应用● WiFi，WiFi 6E，3G，4G，5G，LTE，DVB，微波无线电衰减模拟器● 工程/生产测试● 自动测试设备（ATE）★虹科HK-VMA-Q8X8SE衰减矩阵8x8衰减矩阵，频率范围为500–6000MHz，衰减范围为90dB，步长0.1dB，集成式服务器虹科HK-VMA-Q8X8SE衰减矩阵是一个机架式8输入8输出的无阻塞测试仪器，集成了Windows服务器，可独立操作，提供90dB的衰减控制范围，频率范围为500-6000MHz，在所有64种路径组合上步长为0.1dB，可以很容易地对固定衰减、扫频衰减斜率和衰减曲线进行编程。虹科HK-VMA-Q8X8SE采用交流供电，通过机箱后面的一个以太网端口进行控制，射频输入信号通过后面板进入，在前面板获得输出信号。特点● 可靠和可重复的固态数字衰减● 包括Windows和Linux SDK● 可编程的衰减曲线● 以太网控制● 集成服务器应用● WiFi，WiFi 6● LTE，5G，6G● MIMO、多点无线电衰减模拟器● 半导体测试和鉴定● 自动测试设备（ATE）★虹科HK-DAT306K30GHz宽频数字微波步进衰减器虹科HK-DAT306K是一款独立的宽带数字微波衰减器，额定频率为1-30GHz，衰减量从0到60dB不等，最小步长为0.50dB，插入损耗通常低于10dB。虹科HK-DAT306K是一个三重控制设备，衰减设置可以通过用户界面、USB端口串行命令或以太网接口来改变。特点● 最大输入功率：+28.0dBm● 40GHz精密2.92mm K型连接器● USB供电和控制（虚拟COM串口-115.2Kbps）● 音频反馈、LED和OLED显示● 用于PC的简单控制软件● 标准以太网连接● 提供6GHz、12GHz、22GHz等不同型号应用● 电子战● 自动测试环境● 一般射频实验室使用● 控制系统● 卫星通信● 生产验证● 教育/大学实验室● 航空航天/国防研究● 无线基础设施● 雷达系统● 无线基础设施

据最新消息，射频解决方案领先供应商Qorvo宣布，已成功收购位于新泽西州普林斯顿的SiC器件商UnitedSiC（USCi）。Source：UnitedSiC官网Qorvo将借此把业务范围扩至迅速增长的电动车(xEV)、可再生能源、工业控制等功率电力电子市场。此次收购完成后，USCi将成为Qorvo基础设施和国防产品(IDP)业务的一部分，由Chris Dries博士领导，Chris Dries博士曾任USCi总裁兼首席执行官，现在是Qorvo功率器件解决方案的总经理。

2013年5月20日，“中国移动杯”暨第七届北京发明创新大赛颁奖仪式在北京中国农业展览馆举行，微电子所受邀参加的成果“固态射频电源系统”获大赛组委会颁发的发明创新奖“金奖”。　　此次大赛的颁奖仪式是在5月19日开幕的全国科技活动周暨北京科技周举办期间进行的。大赛以“弘扬北京精神科技改变生活”为主题，面向国内外征集科技发明项目。通过历时五个多月的参赛报名、网上公示和专家评审，经初赛、复赛和决赛三个阶段，大赛组委会最终在参赛的1272个项目中评选出特等奖1 项，金奖29项，银奖70项，铜奖100项，微电子所“固态射频电源系统” 和“45-22nm集成式光学临界尺度(OCD)在线检测设备”两项成果分获大赛组委会颁发的发明创新奖“金奖”和“铜奖”。　　中国科学院微电子研究所射频电源课题组(www.rf-power.net)从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功，获得“六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。　　从2010年开始受到极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)资金支持，研发晶体管射频电源，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源(13.56MHz)，获得第七届国际发明展览会银奖与第七届北京发明创新大赛金奖。　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。　　目前射频电源组分为三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。　　产品研发部：有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。　　产品生产部：有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套。　　产品推广与售后服务部：有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。　　目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，感应加热，医疗领域的消毒与理疗，等离子清洗等领域。　　产品现已售往北京、上海、杭州、苏州、香港、南京、西安、成都、深圳等地的几十所高校、科研单位及半导体设备厂等高技术公司，得到用户的一致好评。　　中科院射频电源组网址：www.rf-power.net

中国科学技术大学郭光灿院士团队在基于里德堡原子的低频射频电场测量上取得重要进展。该团队史保森、丁冬生课题组利用非共振外差方法实现了基于里德堡原子的低频射频电场精密探测，相关成果以“Highly sensitive measurement of a MHz RF electric field with a Rydberg atom sensor”为题发表在国际应用物理期刊《Physical Review Applied》上。 　　里德堡原子由于其较大的电偶极矩和极化率等独特性质，在微波测量领域展现出巨大应用潜力。基于里德堡原子的量子传感器在测量精度﹑抗干扰性以及可朔源等方面有望超越传统微波接收系统，因此该研究方向受到广泛关注，例如：美国陆军研究室、桑迪亚国家实验室等开展了相关研究，并取得了重要进展[Physical Review Applied 13, 054034 (2020)，Physical Review Applied 15, 014047 (2021)]。尽管里德堡原子传感器在GHz高频微波频段探测取得了重要进展，但在MHz附近的低频波段却遇到困难，测量灵敏度较低，其主要原因在于低频电场与里德堡原子之间的耦合是一种弱的非共振相互作用，受限于光谱测量分辨率，人们难以测量微弱微波电场造成的扰动，这就限制了里德堡原子微波测量向低频波段的扩展。 　　在本工作中，研究团队基于AC Stark效应和非共振外差技术，通过引入一个本地振荡电场来放大系统对微弱信号电场的响应，最后通过测量探测光的电磁诱导透明光谱得到信号电场的强度。研究团队实现了对30-MHz微波电场(波长近10米)的高灵敏度测量，最小电场强度为37.3µV/cm，灵敏度为−65 dBm/Hz，动态范围超过65 dB。此外，研究团队还演示了1 kHz振幅调制(AM)信号的传输和接收：通过对探测光束信号进行解调，并分别方波和正弦波调制下提取初始调制信息，保真度均达到98%。图1 (a)里德堡态激发 (b)传感器示意图图2 (a)系统灵敏度 (b)和(c)AM解调信号演示 这项工作提高了MHz电场的原子传感器灵敏度，有助于原子电场传感技术的发展。该工作对里德堡原子传感器的在其他领域的应用，如远程通信、超视距雷达和射频识别(RFID)也有参考价值。 　　中科院量子信息重点实验室硕士研究生刘邦为本文的第一作者，丁冬生教授、史保森教授为本文的共同通讯作者。该成果得到了科技部、基金委、中科院、安徽省重大科技专项以及中国科学技术大学的资助。

依据《中华人民共和国无线电管理条例》，第五章第二十七条，生产的无线电发射设备，其工作频率、频段和有关技术指标应当符合国家有关无线电管理的规定，并报国家无线电管理机构或者地方无线电管理机构备案。无线射频产品型号核准制度在中国是强制的认证制度。　　频谱资源属于国家资源，因此每个国家对于无线射频产品的管理，也是强制性要求，除中国SRRC认证外，美国FCC认证，欧盟的R&TTE认证，是全球针对无线射频的主要法规要求。　　如何让您的产品更顺利，更快捷的满足这些技术壁垒，迅速占有市场，特举办该研讨会，与各厂家共同发展。　　【主要内容】　　l 《中国无线电管理条例》法规解读以及有关新规定　　l 中国无线电发射设备型号核准(SRRC)及测试规范　　l 无线射频产品的美国FCC认证　　l 无线射频产品的欧盟R&TTE认证　　l 无线射频产品的其他地区(如巴西，日本，韩国，东南亚等地)认证要求　　l 无线射频产品的模块认证　　l 无线射频产品在船用产品，车用产品，飞机产品，及军品中的特殊要求　　【适合对象】　　电子企业技术研发人员、检测人员、质量控制人员、采购人员，相关部门领导　　【举办单位】　　l 广州广电计量检测股份有限公司　　【演讲嘉宾/议题】　　演讲题目：　　无线射频产品SRRC、FCC、R&TTE认证等多国要求　　演讲嘉宾：　　吴煜民：GRGT电磁兼容检测中心中心总监，从事产品检测认证工作十余年，精通通信行业检测及认证，　　在无线通信产品性能测试，射频测试，EMC测试，多国认证等业务领域拥有丰富经验。　　【会议安排】日期2012年 7月26日（星期四） 时间10:00-17:00地点成都市永丰路45号 长盛帝都国际酒店 3楼会议室议程9:30-10:00 签到10:00-12:00 无线电管理条例以及相关新规及中国无线电发射设备型号核准认证流程及测试要求12:00-13:30 午饭13:30-14:30 FCC认证及R&TTE认证等多国要求14:30-15:00 茶歇、互动交流、答疑15:00-15:30 无线射频产品的模块认证15:30-15:40 茶歇15:40-16:30 无线射频产品在船用产品，车用产品，飞机产品，及军品中的特殊要求16:30-17:00 互动交流、答疑、　　【费用】 A、听课免费(不办理相关证件) 　　　　 　　B、提供讲义教材　　　　　　C、免费提供午餐　　Registration form报名回执课程名称：《无线射频产品SRRC、FCC、R&TTE认证等多国要求》日期2012年7月26日公司名称： 公司地址： 联络人： 电话： 传真： E-mail： 参加人： 职位： 手机： E-mail： 参加人： 职位： 手机： E-mail： 请写下您感兴趣的问题，我们的专业讲师将在现场为您作详细解答问题1：问题2：温馨提示：* 请将以上报名表于2012年7月22日前回传到我司，以便为您预留座位。 * 为方便签到，请携带您的名片入场。 * 会务组联系方式：广州广电计量检测股份有限公司 成都分公司地址：成都市高新西区西芯大道4号创新中心A219室联系人： 曾永电话：028-66259369 传真：028-66259366手机：13882274060电邮：zengy@grg.net.cn　　* 为方便签到，请携带您的名片入场。　　* 会务组联系方式：广州广电计量检测股份有限公司 成都分公司　　地址：成都市高新西区西芯大道4号创新中心A219室　　联系人： 曾永　　电话：028-66259369 传真：028-66259366　　手机：13882274060　　电邮：zengy@grg.net.cn　　交通指引：成都市永丰路45号 长盛帝都国际酒店 3楼会议室　　交通路线： 84路 52路 92路 28路 11路 51路 408路

近年来我国各级医院都在努力通过改造医院软硬件条件，不断更新医疗诊断设备以提高提高医疗服务收入，因此对质量好、多功能的大中型器械医疗设备的需求也在持续增长。根据驰昂咨询(Sinotes)最新统计数据显示，2012年我国医用射频与核磁仪器市场规模达119.8亿元人民币，同比增长21.1%。　　 图1. 2007至2012年我国医用射频与核磁仪器市场规模与增长　　射频与核磁仪器主要包括X射线设备、CT设备、MRI设备等。X射线设备由于市场普及度较高，在射频与核磁仪器市场上占有较大比重，而CT及MRI设备则是增长较快的射频与核磁仪器类别。　　 图2. 2012年我国医用射频与核磁仪器市场份额

据报道，近日，深圳大学2022年牵头或参与申报全国重点实验室6项，其中牵头组建申报的“射频异质异构集成全国重点实验室”已获批立项建设。该实验室系深圳大学建校以来的首个全国重点实验室，也实现了深圳本土高校“零的突破”。据介绍，射频异质异构集成重点实验室经国家有关部委批准立项，由深圳大学牵头建设，上海交通大学和中兴通讯股份有限公司参与共建。实验室主任为深大校长、中国科学院院士毛军发。实验室将围绕射频异质异构集成的关键科学技术问题，开展系统深入的原创性、前瞻性基础研究和核心技术攻关，认识基本原理，掌握理论方法与核心技术，形成射频异质异构集成能力、平台和标准，研制一系列面向国家重大需求的射频异质异构集成电路系统。实验室的研究方向与内容为：耦合多物理场理论与设计方法学、射频异质异构集成工艺、可测性与测试表征、射频异质异构集成电路研制与应用。

中国科学技术大学潘建伟、赵博等与中国科学院化学所白春礼小组合作，在超冷原子双原子分子混合气中首次实现三原子分子的相干合成。在该研究中，他们在钾原子和钠钾基态分子的Feshbach共振附近利用射频场将原子和双原子分子相干地合成了超冷三原子分子，向基于超冷原子分子的量子模拟和超冷量子化学的研究迈出了重要一步。2月10日，这一重要研究成果发表在国际权威学术期刊《自然》杂志上。图：从超冷原子和双原子分子混合气中利用射频场合成三原子分子的示意图量子计算和量子模拟具有强大的并行计算和模拟能力，不仅能够解决经典计算机无法处理的计算难题，还能有效揭示复杂物理系统的规律，从而为新能源开发、新材料设计等提供指导。量子计算研究的终极目标是构建通用型量子计算机，但实现这一目标需要制备大规模的量子纠缠并进行容错计算，仍然需要长期不懈的努力。当前量子计算的短期目标是发展专用型量子计算机，即专用量子模拟机，它能够在某些特定的问题上解决现有经典计算机无法解决的问题。例如，超冷原子分子量子模拟，利用高度可控的超冷量子气体来模拟复杂的难于计算的物理系统，可以对复杂系统进行精确的全方位的研究，因而在化学反应和新型材料设计中具有广泛的应用前景。超冷分子将为实现量子计算打开新的思路，并为量子模拟提供理想平台。但由于分子内部的振动转动能级非常复杂，通过直接冷却的方法来制备超冷分子非常困难。超冷原子技术的发展为制备超冷分子提供了一条新的途径。人们可以绕开直接冷却分子的困难，从超冷原子气中利用激光、电磁场等来合成分子。利用光从原子气中合成分子的研究可以追溯到上世纪八十年代。激光冷却原子技术的出现使得光合成双原子分子得以快速的发展，并在高精度光谱测量中取得了广泛的应用。在光合成双原子分子取得成功之后，人们开始思考能否利用量子调控技术从原子和双原子分子的混合气中合成三原子分子。在2006年发表的综述文章[Rev. Mod. Phys. 78，483, (2006)]中，美国国家标准局的Paul Julienne教授等人回顾了光合成双原子分子过去二十年的发展历史，并指出从原子和双原子分子的混合气中合成三原子分子是未来合成分子领域的一个重要研究方向。由于光合成的双原子分子气存在密度低、温度高等缺点，一直无法用来研究三原子分子的合成。后来随着超冷原子气中Feshbach共振技术的发展，利用磁场或射频场合成分子成为制备超冷双原子分子的主要技术手段。从超冷原子中制备的双原子分子具有相空间密度高、温度低等优点，并且可以用激光将其相干地转移到振动转动的基态。自2008年美国科学院院士Deborah Jin和叶军的联合实验小组制备了铷钾超冷基态分子以来，多种碱金属原子的双原子分子先后在其他实验室中被制备出来，并被广泛地应用于超冷化学和量子模拟的研究中。超冷基态分子的成功制备重新唤起了人们对合成三原子分子的研究兴趣。2015年，法国国家科学研究中心的Olivier Dulieu教授等在理论上分析了从原子双原子分子混合气中合成三原子分子的可行性 [Phys. Rev. Lett. 115, 073201 (2015)]。 但由于三原子分子的相互作用极其复杂，无法精确计算，因而理论上无法预测三原子分子的束缚态的能量以及散射态和束缚态的耦合强度。中国科学技术大学的研究小组在2019年首次观测到超低温下原子和双原子分子的Feshbach共振，相关成果发表于《科学》杂志 [Science 363, 261 (2019)]。在Feshbach共振附近，三原子分子束缚态的能量和散射态的能量趋于一致，同时散射态和束缚态之间的耦合被大幅度地共振增强。原子分子Feshbach共振的成功观测为合成三原子分子提供了新的机遇。但由于原子和分子的Feshbach共振非常复杂，理论上难以理解，能否和如何利用Feshbach共振来合成三原子分子依然是实验上的巨大挑战。在该项研究中，中国科学技术大学的研究小组和中科院化学所的研究小组合作，首次成功实现了利用射频场相干合成三原子分子。在实验中，他们从接近绝对零度的超冷原子混合气出发，制备了处于单一超精细态的钠钾基态分子。在钾原子和钠钾分子的Feshbach共振附近，通过射频场将原子分子的散射态和三原子分子的束缚态耦合在一起。他们成功地在钠钾分子的射频损失谱上观测到了射频合成三原子分子的信号，并测量了Feshbach共振附近三原子分子的束缚能。这一工作为量子模拟和超冷化学的研究开辟了一条新的道路。超冷三原子分子是模拟量子力学下三体问题的理想研究平台。三体问题极其复杂，即使经典的三体问题由于存在混沌效应也无法精确求解。在量子力学的约束下，三体问题变得更加难以捉摸。如何理解和描述量子力学下的三体问题一直都是少体物理中的一个重要难题。此外，超冷三原子分子可以用来实现超高精度的光谱测量，这为刻画复杂的三体相互作用势能面提供了重要的基准。由于计算势能面需要高精度地求解多电子薛定谔方程，超冷三原子分子的势能面也为量子化学中的电子结构问题提供了重要的信息。该研究工作得到了科技部、自然科学基金委、中科院、安徽省、上海市等单位的支持。论文链接： https://www.nature.com/articles/s41586-021-04297-2

第八届浙江省国际“互联网+”大学生创新创业大赛决赛中获得“金钥匙奖”颁奖。 将一台手掌大小的长方形仪表盒子线头接上一段射频电路，仪表显示屏上随即出现电波图形… … 8月上旬，在杭州电子科技大学通信工程学院科协创新实验室内，一款由该院学生团队联合研发的便携式矢量网络分析仪进行应用演示。 “如果电波图形和被测试电路板上已绘制好的电波图形吻合，说明该射频电路发射性能优良，反之则说明该电路传输信号有问题。”该设备核心研发人员、杭电通信学院大三学生江逸宁介绍说，团队凭此在7月底落幕的第八届浙江省国际“互联网+”大学生创新创业大赛决赛中获得“金钥匙奖”，从而拿到这一赛事全国总决赛的入场券。 记者了解到，这一分析仪可用于检查信号发射状况，分析出基站天线、电缆接触状况等影响网络的变量，并进行修复，从而恢复基站正常功能。 射频电路的网络测试，具有广泛应用场景。比如当前在高校开展广泛的电子信息类学科竞赛，普遍要用到无线信号传递。通常智能车的通信模块、航模比赛的遥控装置等就要用到射频电路发射信号。 “在电子竞赛中深感现有市场上网络测试仪器使用起来不便或太贵，所以我们想自己研发性价比高、使用方便的网络测试仪，目标是使其成为射频微波领域的‘万用表’。”该项目主要负责人、杭电通信学院大三学生王来龙说。 “实验室用到的电子网络测试仪、基站维护领域的驻波仪等设备，通常价格不菲以及被国外垄断。”该团队指导老师、杭电通信学院教授张福洪说，他们鼓励学生研发推出具备类似功能甚至可实现部分替代的仪器。 据介绍，这一分析仪由学生团队通过自主设计核心电路优化仪器电路结构、使用国产全自主芯片以及提升机器学习方法研制而成，基于团队成员的快速锁相环、数模转换器等专利，使频率测量的效率大为提高，同时降低了生产成本。 “同学们从实践出发，学以致用，促进电子测试仪器的国有化，推动测量仪器进一步发展，是一次大胆而创新的尝试。”中国电子学会嵌入式系统专家委员会委员严义教授对此表示。

火力发电占中国超过70%的发电量，全国遍布了成千上百座火电厂，火力发电厂的安全运营对于电力生产商至关重要。在火电厂中，AMETEK DREXELBROOK的物位产品在静电除尘器、输煤程控、气力输送领域以及汽轮机油箱液位监控、润滑油含水测量等领域有非常成熟的应用方案。在输煤程控领域，AMETEK DREXELBROOK的射频导纳物位开关（杆式或平板式）安装在原煤仓上进行低位、高位和高高位料位报警，DR6400/6500系列26/80GHZ雷达料位计安装在罐顶对煤位进行连续监控。下面图片均为AMETEK DREXELBROOK物位产品在现场安装使用的工况照：图1上图1位在原煤仓上的低位报警开关，该工况选用的射频导纳平板开关，开关的安装形式巧妙避免了落煤对传感器的损害，完美的实现了低位报警功能。图2上图2为原煤仓连续煤位测量，采用AMETEK DREXELBROOK DR6500系列80Ghz高频雷达，精确的为客户计算煤位，和开关一起，双重保证原煤仓安全运作。以上用实际应用图片体现了AMETEK DREXELBROOK产品在电厂多个场合的应用，除以上图片所显示实际应用案例之外，还有其他诸多场合，总体火力电厂应用总结如下：AMETEK DREXELBROOK射频导纳产品在国内的火电厂应用非常多，目前开关的使用量累计超过20000台，见证了中国火电厂的发展历程，也维护了火电厂的安全运行。

table width="633" cellspacing="0" cellpadding="0" border="1" align="center"tbodytr style=" height:25px" class="firstRow"td style="border: 1px solid windowtext padding: 0px 7px " width="132" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"成果名称/span/p/tdtd colspan="3" style="border-color: windowtext windowtext windowtext currentcolor border-style: solid solid solid none border-width: 1px 1px 1px medium border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " valign="bottom" width="501" height="25"p style="text-align:center line-height:150%"strongspan style=" line-height:150% font-family:宋体"高性能集成化射频MEMS谐振器件/span/strong/p/td/trtr style=" height:25px"td style="border-color: currentcolor windowtext windowtext border-style: none solid solid border-width: medium 1px 1px border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " width="132" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"单位名称/span/p/tdtd colspan="3" style="border-color: currentcolor windowtext windowtext currentcolor border-style: none solid solid none border-width: medium 1px 1px medium padding: 0px 7px " width="501" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"中科院半导体研究所/span/p/td/trtr style=" height:25px"td style="border-color: currentcolor windowtext windowtext border-style: none solid solid border-width: medium 1px 1px border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " width="132" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"联系人/span/p/tdtd style="border-color: currentcolor windowtext windowtext currentcolor border-style: none solid solid none border-width: medium 1px 1px medium padding: 0px 7px " width="168" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"杨晋玲/span/p/tdtd style="border-color: currentcolor windowtext windowtext currentcolor border-style: none solid solid none border-width: medium 1px 1px medium padding: 0px 7px " width="161" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"联系邮箱/span/p/tdtd style="border-color: currentcolor windowtext windowtext currentcolor border-style: none solid solid none border-width: medium 1px 1px medium padding: 0px 7px " width="172" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"jlyang@semi.ac.cn/span/p/td/trtr style=" height:25px"td style="border-color: currentcolor windowtext windowtext border-style: none solid solid border-width: medium 1px 1px border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " width="132" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"成果成熟度/span/p/tdtd colspan="3" style="border-color: currentcolor windowtext windowtext currentcolor border-style: none solid solid none border-width: medium 1px 1px medium padding: 0px 7px " width="501" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"□正在研发 √已有样机 □通过小试 □通过中试 √可以量产/span/p/td/trtr style=" height:25px"td style="border-color: currentcolor windowtext windowtext border-style: none solid solid border-width: medium 1px 1px border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " width="132" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"合作方式/span/p/tdtd colspan="3" style="border-color: currentcolor windowtext windowtext currentcolor border-style: none solid solid none border-width: medium 1px 1px medium padding: 0px 7px " width="501" height="25"p style="line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"√技术转让 √技术入股 √合作开发 √其他/span/p/td/trtr style=" height:304px"td colspan="4" style="border-color: currentcolor windowtext windowtext border-style: none solid solid border-width: medium 1px 1px border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " width="633" height="304"p style="line-height:150%"strongspan style=" line-height:150% font-family: 宋体"成果简介：/span/strong/pp style="text-indent:28px line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"射频MEMS谐振器件是基于半导体微纳加工技术制备的高性能、集成化硅基时钟器件，具有高性能、低功耗、低成本、可与IC集成等优势。是对石英产品的升级换代，正以120%的年增长率，逐渐取代石英晶体振荡器。/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"本项目将在国内首次实现高性能MEMS谐振器、振荡器等射频谐振电子器件的产业化，打破国外公司的技术垄断。我们拥有高频率、高Q值MEMS谐振器件的设计、加工、封装、测试等整套技术，主要的关键技术包括：创新的采用圆盘谐振结构的面内振动模态，实现高频率的谐振输出，降低能量损耗。开发了高成品率的硅基谐振器件微纳加工技术和高可靠性的圆片级封测技术，制备高性能谐振器；利用高增益、低噪声的驱动电路和温度补偿电路构成高稳定性振荡器，开发了射频MEMS器件的小信号测试技术，可实现大规模制备与测试，大幅降低器件成本。/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"本项目的创新点包括：国内首次实现具有高频、高Q的特性的MEMS谐振器、振荡器等器件，属于技术创新；高性能的驱动电路设计，提高了振荡器的系统稳定性；MEMS振荡器的高可靠性硅基集成加工，实现高成品率的批量生产，与CMOS工艺兼容等特点，可取代分立的石英晶振产品，集成在功能芯片中作为电路系统的时钟器件。/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"由于MEMS谐振器对加工精度的要求很高，加工误差将导致频率的改变，且电极和圆盘之间的间隙也只有几十纳米的量级，普通微加工技术难以实现低成本、批量化的纳米尺度加工。因此，我们采用了牺牲层释放技术，实现纳米间隙的加工。同时采用新型支撑结构和圆盘一次刻蚀，填充的技术，实现了图形的自对准，避免了多次套刻产生的工艺误差。/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"本产品具有高频、高Q、可集成、低功耗等特性，MEMS 谐振器和振荡器的整体性能与国外先进水平相当，实现国内首家大规模供货的射频谐振器件公司，可快速进入石英晶振的市场。/span/p/td/trtr style=" height:75px"td colspan="4" style="border-color: currentcolor windowtext windowtext border-style: none solid solid border-width: medium 1px 1px border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " width="633" height="75"p style="line-height:150%"strongspan style=" line-height:150% font-family: 宋体"应用前景：/span/strong/pp style="text-indent:28px line-height:24px"span style=" font-family:宋体"如果把中央处理器芯片比喻为现代电子系统的大脑，那么时钟组件当之无愧是其心脏。一颗健康、稳定、持久的“心脏”，将直接影响到电子系统的功能和可靠性。谐振器件就是电子系统中的频率参考源，即时钟器件，产生固定周期振荡信号的器件。/span/pp style="text-indent:28px line-height:24px"span style=" font-family:宋体"每个现代电子产品中都不止一个频率参考源。每年生产的频率参考源器件数以百亿计。/span/pp style="text-indent:28px line-height:24px"span style=" font-family:宋体"一般分为石英谐振器、MEMS谐振器和陶瓷谐振器。/span/pp style="text-indent:28px line-height:24px"span style=" font-family:宋体"陶瓷谐振器体积大，一般较少使用。石英作为时钟市场的主流技术，一直占据着霸主地位。但受传统制造工艺限制及下游原材料（起振电路和基座）市场的垄断，性价比难以进一步提升。/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"span style=" line-height:150% font-family:宋体"MEMS/spanspan style=" line-height:150% font-family:宋体"谐振器具有体积小、成本低、可与电路集成等优点，是未来通信系统的热门研究对象，是石英谐振器的升级换代产品。目前，MEMS的振荡器产品已经广泛应用于消费电子领域，如智能手机、数码相机等，影音设备，如摄录机、机顶盒、音响设备等以及网络和通信领域，如以太网转换器、路由器、基站等电子产品和工业基础电子系统中。MEMS振荡器已经被应用于iphone7手机中作为时钟芯片，全球数以亿计的智能手机出货量，给MEMS振荡器创造了巨大的市场机会。/span/p/td/trtr style=" height:72px"td colspan="4" style="border-color: currentcolor windowtext windowtext border-style: none solid solid border-width: medium 1px 1px border-image: none 100% / 1 / 0 stretch padding: 0px 7px " width="633" height="72"p style="line-height:150%"strongspan style=" line-height:150% font-family: 宋体"知识产权及项目获奖情况：/span/strong/pp style="text-indent:28px line-height:150%"a title="一种频率可切换的微机械谐振器及其制备方法"span style=" line-height:150% font-family: 宋体 color:windowtext text-underline:none"一种频率可切换的微机械谐振器及其制备方法/span/aspan style=" line-height:150% font-family:宋体"（申请号CN201310750721.X）/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"a title="频率可调的MEMS谐振器"span style=" line-height:150% font-family:宋体 color:windowtext text-underline:none"频率可调的MEMS/spanspan style=" line-height:150% font-family: 宋体 color:windowtext text-underline:none"谐振器/span/aspan style=" line-height:150% font-family:宋体"（申请号CN201310306960.6）/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"a title="频率可切换的微机械谐振器"span style=" line-height:150% font-family:宋体 color:windowtext text-underline:none"频率可切换的微机械谐振器/span/aspan style=" line-height:150% font-family:宋体"（申请号CN201310178457.7）/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"a title="MEMS振荡器"span style=" line-height:150% font-family:宋体 color:windowtext text-underline:none"MEMS/spanspan style=" line-height:150% font-family:宋体 color:windowtext text-underline:none"振荡器/span/aspan style=" line-height:150% font-family:宋体"（申请号CN201310178827.7）/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"a title="一种微机械谐振器及其制作方法"span style=" line-height:150% font-family:宋体 color:windowtext text-underline:none"一种微机械谐振器及其制作方法/span/aspan style=" line-height:150% font-family:宋体"（申请号CN201310235167.1）/span/pp style="text-indent:28px line-height:150%"a title="用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法"span style=" line-height:150% font-family:宋体 color:windowtext text-underline:none"用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法/span/aspan style=" line-height:150% font-family:宋体"（申请号CN201110346268.7）/span/p/td/tr/tbody/table

2011年10月12日上午，北京豪威量科技有限公司在公司技术部举办了有关ICP光谱仪最新技术的讲座。公司的技术总监沈鹏飞专家作了标题为&ldquo ICP-2011：固态射频发生器原理和炬管轴向观测&rdquo 的精彩报告，在场参加培训的有公司相关人员及客户&mdash &mdash 北京麦戈龙科技有限公司的仪器使用人员。 技术讲座围绕着公司最新推出的国内最高水平ICP光谱仪&mdash &mdash 2011型ICP光谱仪，进行了六方面的介绍：1.RF发生器。2.匹配单元。3.控制单元。4.电源。5.计算机软件。6.冷锥。 2011型ICP已经推向市场，并取得良好反映。固态射频发生器大大提高了仪器稳定性，并使仪器体积更小，重量更轻。轴向观测炬管，是元素检测灵敏度至少提高5-10倍，并可以实现有机样品直接进样。

table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" width="600"tbodytrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "一种埋地钢质管道电磁超声内检测用大功率高频激励源/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "北京工业大学/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="174"p style="line-height: 1.75em "王新华/p/tdtd width="159"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="192"p style="line-height: 1.75em "wxhemma2005@163.com/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "□正在研发 □已有样机 ■通过小试 □通过中试 □可以量产/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "■技术转让 ■技术入股 ■合作开发 □其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strong /pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/d522591d-0f2d-4d4a-aa35-3ebf14093fb3.jpg" title="QQ图片20160314182424.jpg" width="380" height="250" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 380px height: 250px "//pp style="line-height: 1.75em " 大功率高频激励源一直是障碍埋地钢质管道电磁超声内检测技术发展的一个关键核心器件，项目以提高电磁超声检测探头的换能效率为目标，基于射频理论提出了一种DE类射频功率变换器技术，它是以D类谐振变换器为设计基础，既具有D类变换器高功率输出特性，又具有E类变换器工作频率高的优点，同时克服了目前D类变换器高频工作性能差以及E类变换器开关利用率低的缺点，实现了高压、高频和大功率输出的功能，大大提高了电磁超声换能器的换能效率。研制开发的大功率高频激励源克服了现有电磁超声用电容储能式脉冲激励源以及全桥逆变式激励源在使用过程中的输出频率低、可控性差、发热大、结构复杂以及难以用作埋地管道电磁超声内检测激励源等缺点，解决了障碍埋地钢质管道电磁超声内检测技术工程化中的关键难题，对提高埋地钢制管道电磁超声内检测仪器研制水平，并为进一步研制和开发更高频率的多通道程控激励源奠定了基础。开发的大功率高频激励源性能指标达到：输出电压400Vpp、输出电流21Ipp、最大输出功率1.5kW、输出激励信号频率1MHz，具有体积小，重量轻，发热小，能够满足埋地钢质管道电磁超声内检测技术的要求。/pp style="line-height: 1.75em "br//p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong应用前景：/strong br/ 研究成果主要用于研制和开发埋地钢质管道电磁超声内检测器，目前埋地钢质管道电磁超声内检测器在国内尚处于研制空白，研究成果为研制和开发埋地钢质管道电磁超声内检测器奠定了基础。依托研究成果研制开发的埋地管道电磁超声内检测器主要服务于我国生命线工程的安全检测，应用于国内外油田生产企业、石油化工、管道运行、城市燃气公司等行业的埋地长输油气管道、集输管道、成品油管道、站场管道、输水管道、城镇燃气管道的内检测工程需求，仪器需求量大，市场前景广阔。此外，大功率高频激励源是实现电能变换和功率传递的主要设备，是一种技术含量高、知识面宽，更新换代快的产品，产业不仅适用于埋地钢质管道电磁超声内检测，未来还将应用到交通、运输、航空、航天、航运等领域，通过拓展不同的应用领域，扩大产品的市场规模。/pp style="line-height: 1.75em "br//p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况：/strong br/ 依托该研究成果，已获得国家发明专利2项、计算机软件著作权1项，并得到了北京市科委2014年首都科技条件平台科学仪器开发培育项目& ldquo 基于电磁超声的埋地钢质管道内检测大功率高频激励源的研发培育& rdquo 的支持。 br/ （1）一种大功率高频激励源驱动电路及其实现方法，发明专利：201510515817.7br/ （2）一种满足大功率高频激励源高性能输出的阻抗匹配网络及其实现方法，发明专利：201510280132.9br/ （3）大功率高频激励源控制系统软件. 软件著作权：2015SR032591/pp style="line-height: 1.75em "br//p/td/tr/tbody/tablepbr//p

p style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "近日，《质谱学报》出版了由复旦大学杨芃原教授组织，全国多家质谱研制相关课题组参与撰写的“质谱仪器研制专辑”，专辑主要包含四极杆的离子光学和串联振荡技术 四极杆的导向装置、四极杆质量分辨自动调节技术、三重四极杆仪器开发平台以及三重四极杆质谱分析软件等硬软件技术 双线形离子阱间离子传输技术和静电轨道离子阱离子切向引入技术 小型飞行时间质谱和离子束诊断飞行时间质谱 复合离子源技术和激光后电离技术 以及集成了质谱技术的超宽波段光解离光谱系统和调控纳微尺度分子组装装置的研制等内容。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　仪器信息网授权对本专辑内容进行转载，以下为系列分享第二期，题为“strong用于低质荷比离子传输的射频四极杆导向装置的研制”/strong的文章，作者贺飞耀，通讯作者为四川大学段忆翔教授。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　段忆翔教授，博士生导师，现任四川大学分析仪器研究中心主任，是四川大学分析仪器研究中心的创始人。科技部重大科学仪器设备开发专项项目负责人。自2010年8月回国至今，开发研制了系列激光诱导击穿光谱仪，基于等离子体的便携式光谱仪，质子转移反应质谱仪，离子迁移谱仪等多种分析测试仪器，已申请专利共计80余项，发表SCI论文200余篇。作为项目负责人承担多个国家、省部各种项目。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　其课题组主要的研究方向有： 新型质谱离子源与质谱技术、激光光谱分析技术、新型生物传感器及光纤传感技术、创新型分析仪器的研发等。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　离子传输系统是质谱仪的重要组成部分，主要作用是将离子高效率地传输到质量分析器。文章介绍课题组研制了一种用于质子转移反应飞行时间质谱（PTR-TOF-MS）系统的射频四极杆离子导向装置，四极杆长80mm，杆半径2.6mm，内切圆半径2.25mm，该装置可针对性地实现低质荷比挥发性有机化合物（VOC）离子的聚焦传输。利用SIMION8.1离子光学模拟平台对装置的运行环境进行仿真，然后在自行搭建的测试平台上对装置的工作条件，如气压、频率和电压幅值进行测试。结果表明，仿真和测试结果具有较好的一致性，装置的工作气压范围较宽，在0.2-0.3Pa时的传输效率最高；当频率为3-4MHz，电压幅值（Vp-p）为500V左右时，对丙酮、甲苯等低质荷比VOCs（ m/z 100）的传输效率接近76%，且离子束直径≤0.7mm。该装置结构简单、成本低、传输效率高，具有潜在的实用价值，有望应用于PTR-TOF MS系统。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em text-indent: 2em "以下为全文：/pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/55294ba3-ee3b-4a51-81b4-b3374bbcc574.jpg" title="2-1.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/356e51c7-46c5-4f46-8b8a-736f2d0b82f9.jpg" title="2-2.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/e67497d5-d30a-4397-bd61-d9d94f224799.jpg" title="2-3.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/9ab83c14-288b-4340-af4f-8777b1bfc213.jpg" title="2-4.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/81272aa9-5927-41fa-859d-e931819754da.jpg" title="2-5.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/2bb18278-c628-4143-a84c-4b8d6e5caf15.jpg" title="2-6.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/78d1ba65-cb14-452c-90a7-bcf34602c317.jpg" title="2-7.png"//pp style="text-align: right "span style="font-size: 18px "strong来源：《质谱学报》/strong/spanbr//p

最近，中科院上海硅酸盐研究所无机材料分析测试中心卓尚军、钱荣等人的课题组与英国质谱仪器公司（MSI）合作，将堆叠磁铁系统和辉光放电质谱仪（Autoconcept GD90-RF）的射频源耦合，在非导体样品中观察到了超过50%的信号强度增益。作者借助ANSYS，对这种显著信号增强现象的机理进行了分析，发现：振荡磁场的引入，扩展了电子的运动路径，增大了电子和中性粒子间的碰撞几率，从而提高了非导体样品的电离效率。同时，该现象在多种非导体样品中得以再现，表明该方法是一种简便、有效且具备一定普适性的方法。相关工作发表在国际权威学术期刊《Analytical Chemistry》上。 横向堆叠磁铁、横向块体磁铁、轴向块体磁铁耦合和无磁铁耦合情况下，Y2O3、BSO (Bi12SiO20)、BTN (Ba5.52La0.32Ti2Nb8O30)样品中的Y、Bi、Ba的射频放电信号对比。 用典型元素的信号强度表示的放电稳定性：采用经堆叠磁铁耦合的射频源，对(a)Y2O3、(b)BSO (Bi12SiO20)、(c)BTN (Ba5.52La0.32Ti2Nb8O30)样品进行溅射得到的测量结果。文章链接如下：http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.analchem.6b04884 文章摘要如下：A method for signal enhancement utilizing stacked magnets was introduced into high-resolution radio frequency glow discharge-mass spectrometry (rf-GD-MS) for significantly improved analysis of inorganic materials. Compared to the block magnet, the stacked magnets method was able to achieve 50–59% signal enhancement for typical elements in Y2O3, BSO, and BTN samples. The results indicated that signal was enhanced as the increase of discharge pressure from 1.3 to 8.0 mPa, the increase of rf-power from 10 to 50 W with a frequency of 13.56 MHz, the decrease of sample thickness, and the increase of number of stacked magnets. The possible mechanism for the signal enhancement was further probed using the software “Mechanical APDL (ANSYS) 14.0”. It was found that the distinct oscillated magnetic field distribution from the stacked magnets was responsible for signal enhancement, which could extend the movement trajectories of electrons and increase the collisions between the electrons and neutral particles to increase the ionization efficiency. Two NIST samples were used for the validation of the method, and the results suggested that relative errors were within 13% and detection limit for six transverse stacked magnets could reach as low as 0.0082 μg g–1. Additionally, the stability of the method was also studied. RSD within 15% of the elements in three nonconducting samples could be obtained during the sputtering process. Together, the results showed that the signal enhancement method with stacked magnets could offer great promises in providing a sensitive, stable, and facile solution for analyzing the nonconducting materials.

尊敬的用户： 您好！感谢您一直以来对HORIBA的支持和关注。 射频辉光放光谱仪（GD-OES）是一款适用于材料表面分析和镀层界面元素分析的工具，它正被广泛应用于半导体、陶瓷/玻璃、镀膜钢铁、薄膜和粉末等样品的测试。 为了帮助HORIBA各系列GD-OES的用户提高仪器操作水平以及理论水平，以充分发挥仪器的性能，我公司将举办为期三天的GD-OES应用技术培训班。欢迎有培训需要的用户积报名。 主 办：HORIBA Scientific（Jobin Yvon光谱技术）培训时间：2013年11月20 日-22日培训地点：HORIBA Scientific上海应用中心 （上海市天山西路1068号联强国际广场A栋1层D单元，近2号线淞虹路地铁站）培训对象：HORIBA射频辉光放电光谱仪用户主 讲：Celia Olivero（法国应用实验室经理）、余卫华、武艳红（应用工程师）培训安排： 培训费用：1、1600元/人（保修期内可提供2人/次免费培训），请于11月12日前将费用转至HORIBA公司账户并予以确认。2、培训期间，我们将为您免费提供午餐，住宿、差旅等费用需贵单位自理。报名联系：联 系 人：Ms. Shen （沈小姐） 电 话：021-62896060-161 邮 箱：yilei.shen@horiba.com报名截止：2013年11月12日账户信息：公司名称：堀场（中国）贸易有限公司开户行：三菱东京日联银行（中国）有限公司上海分行账号：404029-00000308854（人民币） 关注我们：邮箱：info-sci.cn@horiba.com新浪官方微博：HORIBA Scientific微信二维码：

近日，美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和苏州晶湛半导体团队合作攻关，通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p- GaN reduced surface field (RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压。这是迄今为止氮化镓功率器件报道实现的最高击穿电压值。相关研究成果已于2021年6月发表于IEEE Electron Device Letters期刊。图1：多沟道AlGaN/GaN SBD器件结构图（引用自IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 42, NO. 6, JUNE 2021）实现这一新型器件所采用的氮化镓外延材料结构包括20nm p+GaN/350nm p-GaN 帽层以及23nm Al0.25Ga0.75N/100nm GaN本征层的5个沟道。该外延结构由苏州晶湛团队通过MOCVD方法在4吋蓝宝石衬底上单次连续外延实现，无需二次外延。基于此外延结构开发的氮化镓器件结构如图1所示，在刻蚀工艺中，通过仅保留2微米的p-GaN场板结构（或称为降低表面场（RESURF）结构），能够显著降低峰值电场。在此基础上制备的多沟道氮化镓肖特基势垒二极管（SBD），在实现10kV的超高击穿电压的同时，巴利加优值（Baliga’s figure of merit, FOM）高达2.8 ，而39 的低导通电阻率，也远低于同样10kV耐压的 SiC 结型肖特基势垒二极管。多沟道氮化镓器件由于采用廉价的蓝宝石衬底以及水平器件结构，其制备成本也远低于采用昂贵SiC衬底制备的SiC二极管。创新性的多沟道设计可以突破单沟道氮化镓器件的理论极限，进一步降低开态电阻和系统损耗，并能实现超高击穿电压，大大拓展GaN器件在高压电力电子应用中的前景。在“碳达峰+碳中和”的历史性能源变革背景下，氮化镓电力电子器件在电动汽车、充电桩，可再生能源发电，工业电机驱动器，电网和轨道交通等高压应用领域具有广阔的潜力。苏州晶湛半导体有限公司已于近日发布了面向中高压电力电子和射频应用的硅基，碳化硅基以及蓝宝石基的新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片全系列产品，欢迎海内外新老客户与我们洽商合作，共同推动氮化镓电力电子技术和应用的新发展！

经过多年的研发，几家供应商正在接近出货基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品。这些器件利用了新材料的特性，例如氮化铝、金刚石和氧化镓，它们还用于不同的结构，例如垂直氮化镓功率器件。但是，尽管其中许多技术拥有超过当今功率半导体器件的特性，但它们在从实验室转移到晶圆厂的过程中也将面临挑战。功率半导体通常是专用晶体管，在汽车、电源、太阳能和火车等高压应用中用作开关。这些设备允许电流在“开”状态下流动，并在“关”状态下停止。它们提高了效率并最大限度地减少了系统中的能量损失。多年来，功率半导体市场一直由使用传统硅材料的器件主导。硅基功率器件成熟且价格低廉，但它们也达到了理论极限。这就是为什么人们对使用宽带隙材料的设备产生浓厚兴趣的原因，这种材料可以超越当今硅基设备的性能。多年来，供应商一直在出货基于两种宽带隙技术——氮化镓 (GaN) 和碳化硅(SiC) 的功率半导体器件。使用 GaN 和 SiC 材料的功率器件比硅基器件更快、更高效。几家供应商一直在使用下一代宽带隙技术开发设备。这些材料，例如氮化铝、金刚石和氧化镓，都具有比 GaN 和 SiC 更大的带隙能量，这意味着它们可以在系统中承受更高的电压。今天，一些供应商正在运送使用氮化铝的专用 LED。其他人计划在 2022 年推出第一波围绕新材料制造的功率器件，但也存在一些挑战。所有这些技术都有各种缺点和制造问题。即使它们投入生产，这些设备也不会取代今天的功率半导体，无论是硅、GaN 还是 SiC。“它们提供了令人难以置信的高性能，但在晶圆尺寸方面非常有限，” Lam Research战略营销董事总经理 David Haynes 说。“它们在很大程度上更具学术性而不是商业利益，但随着技术的进步，这种情况正在发生变化。但基板尺寸小且与主流半导体制造技术缺乏兼容性意味着它们可能只会用于极高性能设备的小批量生产，尤其是智能电网基础设施、可再生能源和铁路等要求严苛的应用。”尽管如此，这里还是有一波活动，包括：NexGen、Odyssey Semiconductor 和其他公司正在准备第一个垂直 GaN 器件。Novel Crystal Technology (NCT) 将推出使用氧化镓的功率器件。Kyma 和 NCT 正在这里开发子状态。基于金刚石和氮化铝的产品正在发货。什么是功率半导体？功率半导体在电力电子设备中用于控制和转换系统中的电力。它们几乎可以在每个系统中找到，例如汽车、手机、电源、太阳能逆变器、火车、风力涡轮机等。功率半导体有多种类型，每一种都用带有“V”或电压的数字表示。“V”是器件中允许的最大工作电压。当今的功率半导体市场由基于硅的器件主导，其中包括功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。功率 MOSFET 用于低压、10 至 500 伏的应用，例如适配器和电源。超结功率 MOSFET 用于 500 至 900 伏应用。同时，领先的中端功率半导体器件 IGBT 用于 1.2 千伏至 6.6 千伏应用，尤其是汽车应用。英飞凌销售、营销和分销高级副总裁 Shawn Slusser 表示：“IGBT 功率模型基本上正在取代汽车中的燃油喷射器。“它们从电池向电机供电。”IGBT 和 MOSFET 被广泛使用，但它们也达到了极限。这就是宽带隙技术的用武之地。“带隙是指半导体中价带顶部和导带底部之间的能量差异，”英飞凌表示。“更大的距离允许宽带隙半导体功率器件在更高的电压、温度和频率下运行。”硅基器件的带隙为 1.1 eV。相比之下，SiC 的带隙为 3.2 eV，而 GaN 的带隙为 3.4 eV。与硅相比，这两种材料使设备具有更高的效率和更小的外形尺寸，但它们也更昂贵。每种设备类型都不同。例如，有两种 SiC 器件类型——SiC MOSFET 和二极管。SiC MOSFET 是功率开关晶体管。碳化硅二极管在一个方向传递电流并在相反方向阻止电流。针对 600 伏至 10 千伏应用，碳化硅功率器件采用垂直结构。源极和栅极在器件的顶部，而漏极在底部。当施加正栅极电压时，电流在源极和漏极之间流动。碳化硅在 150 毫米晶圆厂制造。过去几年，碳化硅功率半导体已投入批量生产。Onto Innovation营销总监 Paul Knutrud 表示：“碳化硅具有高击穿场强、热导率和效率，是电动汽车功率转换芯片的理想选择。开发垂直 GaN几家供应商一直在开发基于下一代材料和结构的产品，例如氮化铝、金刚石、氧化镓和垂直 GaN。在多年的研发中，垂直 GaN 器件大有可为。GaN 是一种二元 III-V 族材料，用于生产 LED、功率开关晶体管和射频器件。GaN 的击穿场是硅的 10 倍。“高功率和高开关速度是 GaN 的主要优势，”Onto 的 Knutrud 说。今天的 GaN 功率开关器件在 150 毫米晶圆厂制造，基于高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN 器件是横向结构。源极、栅极和漏极位于结构的顶部。横向 GaN 器件已投入量产。一些公司正在将 GaN 器件在 200 毫米晶圆厂投入生产。“对于 GaN，它是 GaN-on-silicon 技术在 200mm 和未来甚至 300mm 上改进的性能，这是技术发展的基础，”Lam 的 Haynes 说。今天的 GaN 器件使用硅或 SiC 衬底。衬底顶部是一层薄薄的氮化铝 (AlN)，然后是 AIGaN 缓冲层，然后是 GaN 层。然后，在 GaN 顶部沉积薄的 AlGaN 势垒层，形成应变层。如今，有几家公司参与了 GaN 功率半导体市场。今天的横向 GaN 功率半导体器件在 15 到 900 伏的电压范围内运行，但在这些电压之外运行这些器件存在若干技术挑战。一方面，不同层之间存在不匹配。“这真的只是因为当你在不同的衬底上生长 GaN 时，你最终会因两种晶格之间的不匹配而产生大量缺陷。每平方厘米的许多缺陷会导致过早击穿和可靠性问题，”Odyssey Semiconductor 的 CTO Rick Brown 说。解决这些问题的工作正在进行中，但横向 GaN 目前停留在 1,000 伏以下。这就是垂直 GaN 适合的地方。它承诺在 1,200 伏及以上电压下运行。与其他功率半导体器件一样，垂直 GaN 器件在器件顶部有一个源极和栅极，底部有一个漏极。此外，垂直 GaN 器件使用块状 GaN 衬底或 GaN-on-GaN。据 Odyssey 称，GaN 衬底允许垂直传导的 GaN 晶体管具有更少的缺陷。“如果你看硅基高压器件和碳化硅高压器件，它们都是垂直拓扑。出于多种原因，它是高压设备的首选拓扑。它占用的面积更小，从而降低了电容，并且将高压端子置于晶圆的另一侧而不是栅极端子具有固有的安全因素，”Brown说。目前，Kyma、NexGen、Odyssey、Sandia 和其他公司正在研究垂直 GaN 器件。Kyma 和 Odyssey 正在增加 100 毫米（4 英寸）体 GaN 衬底。“垂直 GaN 正在出现，我们正在向研究人员和实验室出售产品，”Kyma 的首席技术官 Jacob Leach 说。“该行业在制作外延片方面遇到了一些挑战。我们有不同的技术。我们能够以低廉的成本制造垂直 GaN 所需的薄膜。”GaN衬底已准备就绪，但垂直GaN器件本身很难开发。例如，制造这些器件需要一个离子注入步骤，在器件中注入掺杂剂。“人们没有对 GaN 使用垂直导电拓扑的唯一原因是没有一种很好的方法来进行杂质掺杂。Odyssey已经找到了解决办法，”该公司的Brown说。Odyssey 正在其自己的 4 英寸晶圆厂中开发垂直 GaN 功率开关器件。计划是在 2022 年初发货。其他人的目标是在同一时期。“我们有垂直导电的 GaN 器件。我们已经证明了 pn 结，”Odyssey 首席执行官 Alex Behfar 说。“我们的第一个产品是 1,200 伏，可能是 1,200 到 1,500 伏。但是我们的路线图将我们一直带到 10,000 伏。由于电容和其他一些问题，我们希望在碳化硅无法访问的频率和电压范围内做出贡献。近期，我们希望能够为工业电机和太阳能提供设备。我们希望给电动汽车制造商机会，进一步提高车辆的续航里程。那是通过减轻系统的重量并拥有性能更好的设备。从长远来看，我们希望实现移动充电等功能。”如果或当垂直 GaN 器件兴起时，这些产品不会取代今天的横向 GaN 或 SiC 功率半导体，也不会取代硅基功率器件。但如果该技术能够克服一些挑战，垂直 GaN 器件将占有一席之地。联电技术开发高级总监 Seanchy Chiu 表示：“Bulk GaN 衬底上的 GaN 垂直器件为可能的下一代电力电子设备带来了一些兴奋，但还有一些关键问题需要解决。” “基于物理学，垂直功率器件总能比横向器件驱动更高的功率输出。但是 GaN 体衬底仍然很昂贵，而且晶圆尺寸仅限于 4 英寸。纯代工厂正在使用 6 英寸和 8 英寸工艺制造具有竞争力的功率器件。由于其垂直载流子传输，需要控制衬底晶体的质量并尽量减少缺陷。”还有其他问题。“GaN衬底比SiC衬底更昂贵，GaN中垂直方向的电子传导仅与SiC大致相同，”横向GaN功率半导体供应商EPC的首席执行官Alex Lidow说。“与 SiC 相比，GaN 中的电子横向迁移率高 3 倍，但垂直方向的迁移率相同。此外，碳化硅的热传导效率高出三倍。这对垂直 GaN 器件几乎没有动力。”氧化镓半导体同时，几家公司、政府机构、研发组织和大学正在研究β-氧化镓 (β-Ga2O3)，这是一种有前途的超宽带隙技术，已经研发了好几年。Kyma 表示，氧化镓是一种无机化合物，带隙为 4.8 至 4.9 eV，比硅大 3,000 倍，比碳化硅大 8 倍，比氮化镓大 4 倍。Kyma 表示，氧化镓还具有 8MV/cm 的高击穿场和良好的电子迁移率。氧化镓也有一些缺点。这就是为什么基于氧化镓的设备仍处于研发阶段且尚未商业化的原因。尽管如此，一段时间以来，一些供应商一直在销售基于该技术的晶圆用于研发目的。此外，业界正在研究基于氧化镓的半导体功率器件，例如肖特基势垒二极管和晶体管。其他应用包括深紫外光电探测器。Flosfia、Kyma、Northrop Grumman Synoptics、NCT 和其他公司正在研究氧化镓。美国空军和能源部以及几所大学都在追求它。Kyma 已开发出直径为 1 英寸的氧化镓硅片，而 NCT 则在运送 2 英寸硅片。NCT 最近开发了使用熔体生长方法的 4 英寸氧化镓外延硅片。“氧化镓在过去几年取得了进展，这主要是因为您可以生成高质量的基板。因此，您可以通过标准的直拉法或其他类型的液相生长法来生长氧化镓晶锭，”Kyma 的 Leach 说。这是半导体工业中广泛使用的晶体生长方法。最大的挑战是制造基于该技术的功率器件。“氧化镓的挑战是双重的。首先，我没有看到真正的 p 型掺杂的方法。您可能能够制作 p 型薄膜，但您不会获得任何空穴导电性。因此，制造双极器件是不可能的。您仍然可以制造单极器件。人们正在研究二极管以及氧化镓中的 HEMT 型结构。有反对者说，' 如果你没有 p 型，那就忘记它。这只是意味着它在该领域没有那么多应用，”Leach 说。“第二大是导热性。氧化镓相当低。对于高功率类型的应用程序来说，这可能是一个问题。在转换中，我不知道这是否会成为杀手。人们正在做工程工作，将氧化镓与碳化硅或金刚石结合，以提高热性能。”尽管如此，该行业仍在研究设备。“第一个采用氧化镓的功率器件将是肖特基势垒二极管 (SBD)。我们正在开发 SBD，目标是在 2022 年开始销售，”NCT 公司官员兼销售高级经理 Takekazu Masui 说。NCT 还在开发基于该技术的高压垂直晶体管。在 NCT 的工艺中，该公司开发了氧化镓衬底。然后，它在硅片上形成薄外延层。该层的厚度范围可以从 5μm 到 10μm。通过采用低施主浓度和40μm厚膜的外延层作为漂移层，NCT实现了4.2 kV的击穿电压。该公司计划到 2025 年生产 600 至 1,200 伏的氧化镓晶体管。NCT 已经克服了氧化镓的一些挑战。“关于导热性，我们已经确认可以通过使元件像其他半导体一样更薄来获得可以投入实际使用的热阻。所以我们认为这不会是一个主要问题，”增井说。“NCT 正在开发两种 p 型方法。一种是制作氧化镓p型，另一种是使用氧化镍和氧化铜等其他氧化物半导体作为p型材料。”展望未来，该公司希望开发使用更大基板的设备以降低成本。减少缺陷是另一个目标。金刚石、氮化铝技术多年来，业界一直在寻找可能是终极功率器件 — 金刚石。金刚石具有宽带隙 (5.5 eV)、高击穿场 (20MV/cm) 和高热导率 (24W/cm.K)。金刚石是碳的亚稳态同素异形体。对于电子应用，该行业使用通过沉积工艺生长的合成钻石。金刚石用于工业应用。在研发领域，公司和大学多年来一直致力于研究金刚石场效应晶体管，但目前尚不清楚它们是否会搬出实验室。AKHAN Semiconductor 已开发出金刚石基板和镀膜玻璃。设备级开发处于研发阶段。“AKHAN 已经实现了 300 毫米金刚石晶圆，以支持更先进的芯片需求，”AKHAN 半导体创始人 Adam Khan 说。“在高功率应用中，金刚石 FET 的性能优于其他宽带隙材料。虽然 AKHAN 的兴奋剂成就是巨大的，但围绕客户期望制造设备需要大量的研发、技术技能和时间。”该技术有多种变化。例如，大阪市立大学已经展示了在金刚石衬底上结合 GaN 的能力，创造了金刚石上的 GaN 半导体技术。氮化铝 (AlN) 也是令人感兴趣的。AlN 是一种化合物半导体，带隙为 6.1 eV。据 AlN 衬底供应商 HexaTech 称，AlN 的场强接近 15MV/cm，是任何已知半导体材料中最高的。Stanley Electric 子公司 HexaTech 业务发展副总裁 Gregory Mills 表示：“AlN 适用于波段边缘低至约 205nm 的极短波长、深紫外光电子设备。“除了金刚石之外，AlN 具有这些材料中最高的热导率，可实现卓越的高功率和高频设备性能。AlN 还具有独特的压电能力，可用于许多传感器和射频应用。”几家供应商可提供直径为 1 英寸和 2 英寸的 AlN 晶片。AlN 已经开始受到关注。Stanley Electric 和其他公司正在使用 AlN 晶片生产紫外线 LED (UV LED)。这些专用 LED 用于消毒和净化应用。据 HexaTech 称，当微生物暴露在 200 纳米到 280 纳米之间的波长下时，UV-C 能量会破坏病原体。“正如我们所说，基于单晶 AlN 衬底的设备正在从研发过渡到商业产品，这取决于应用领域，”米尔斯说。“其中第一个是深紫外光电子学，特别是 UV-C LED，由于它们具有杀菌和灭活病原体（包括 SARS-CoV-2 病毒）的能力，因此需求激增。”多年前，HexaTech 因开发氮化铝功率半导体而获得美国能源部颁发的奖项。这里有几个挑战。首先，基板昂贵。“我不知道氮化铝在这里有多大意义，因为它在 n 型和 p 型掺杂方面都有问题，”Kyma 的 Leach 说。结论尽管如此，基于各种下一代材料和结构的设备正在取得进展。他们有一些令人印象深刻的属性。但他们必须克服许多问题。EPC 的 Lidow 说：“这意味着将需要大量资本投资才能将它们投入批量生产。” “额外的好处和可用市场的规模需要证明大量资本投资的合理性。

近日，北京量子信息科学研究院（简称“量子院”）全光量子源团队开发完成了国内首台产品级高功率飞秒振荡器——Fermion-007。该产品弥补了国内瓦量级飞秒振荡器的产品空白，在国际上仅有立陶宛Light Conversion等少数几家公司具有相当技术指标的产品。Fermion-007采用了多项创新技术，仅一级振荡器即可输出大于7W、重频80MHz的飞秒脉冲激光，其指标、可靠性均达到国际先进水平。目前，研发团队已接到超快电镜应用领域的商业合作订单。作为产生飞秒脉冲激光的“种子”，超快飞秒振荡器（Ultrafast femtosecond oscillator）具有高重频、高光束质量等优势，但输出功率普遍较低，往往需要对其进行功率放大以满足应用需求。然而，这种“振荡器+放大器”的技术路线会大大增加系统复杂度，导致成本变高、可靠性变差，从而限制了飞秒激光的受众范围。此外，超快电镜、飞秒双光子显微成像等应用对激光重复频率也有较高要求，因此，高功率飞秒振荡器成为相关领域的急需产品。飞秒振荡器主要分为光纤和固体两大类。固体振荡器虽然技术难度较高，但最高输出功率比光纤高3个量级，且具有更高重频和更长的锁模器件寿命，是满足应用需求的最佳技术方案。二者的具体对比见表1。表1 光纤、固体飞秒振荡器参数对比光纤飞秒振荡器固体飞秒振荡器直接输出功率百pW至mW量级几十mW至W量级最高重复频率百MHz几GHz飞秒锁模方式/器件寿命SESAM/3个月1. SESAM/3个月2. 克尔透镜锁模/无寿命问题技术难度技术门槛较低。基于标准化光纤器件、光纤熔接机设计、生产。技术门槛较高。对于腔型设计、调试经验、工程化等均有要求较高。对于产品商业化而言，工程水平的高低起决定作用。定制化程度激光器结构、指标类似，激光表现主要依赖于光纤、熔接仪器等的上游器件的性能。结构灵活性好，适合针对应用定制功率、重频、脉宽、中心波长等指标国内商业化现状5-10家商业化公司目前尚无商业化公司基于上述应用需求和技术路线分析，北京量子院开发了Fermion系列高功率全固态（DPSS）飞秒振荡器。在不需要额外放大的情况下，Fermion-007可直接输出大于7W、80MHz的飞秒脉冲激光，脉冲宽度~120fs，中心波长1035nm。此外，输出激光还具有优异的光束质量和长期稳定性，两维M2小于1.2，12小时连续运转功率均方根值小于0.3%。图1 Fermion-007 光谱及脉冲宽度测量图2 Fermion-007 光束质量及长期稳定性工程化是激光器从实验样机蜕变成可用产品的核心环节。Fermion-007采用了低热阻晶体封装、一体化密封、温湿度负反馈控制等多项工程技术，并对腔体、冷却模组的设计进行了模拟优化，以降低高泵浦热量对激光器运行环境的不利影响。激光器采用克尔透镜锁模（Kerr-lens mode locking）作为飞秒脉冲产生、维持的机制，相比可饱和吸收体（SESAM）具有更长的寿命和更高的器件可靠性。此外，研发团队首次将新型“射频同步技术”应用到Fermion-007中，用以自启动及维持飞秒锁模状态，从根本上克服了克尔透镜锁模飞秒振荡器长期存在的“失锁”问题。图3 Fermion-007 机械热分布及水路的模拟高功率飞秒振荡器在双光子显微成像、光参量泵浦等领域应用广泛。近年来，随着相关技术的发展，超快电镜、超快电子衍射等标准化仪器对此类激光器的市场需求也在迅速提升。超快电子显微镜（Ultrafast electron microscopy(UEM)）是由传统电镜升级改造而成的高端分析仪器，“飞秒激光驱动光阴极”系统是其新增的核心模块。升级后的超快电镜除了拥有原子尺度的空间分辨率外，还具有飞秒-皮秒尺度的超高时间分辨率，由此成为研究材料动力学过程的有力工具。图4 Fermion系列产品在超快电镜中的应用研发团队与相关系统商开展了新型超快电镜开发的前沿合作，首次提出利用飞秒振荡器产生高重频的超快电子，以降低激光脉冲对光阴极造成的损伤风险。该方案有望从根本上解决此类仪器长期存在的光阴极可靠性问题，提高超快电镜产品的使用寿命和市场竞争力。据合作系统商的预估，超快电镜未来3年总市场需求量可达到50台/年。研发团队简介高功率飞秒振荡器是量子院全光量子源团队于子蛟助理研究员主导完成的研究项目。全光量子源团队于2020年由鲁巍教授组建，隶属于北京量子院技术产业开发中心。团队致力于打造支撑量子产业相关的关键激光设备，包括超快超强激光装置（TW-PW系统）、激光加速桌面光源及应用、新型高端科研飞秒激光器的前沿技术研究、产品研发及产业化落地。

滨松光子学株式会社（静冈县滨松市，董事长：昼马 明 ，以下简称“滨松光子学（株）”）将传统泵浦用半导体激光器的功率提高了三倍，并优化了放大器的设计 ，成功开发了只有桌面尺寸大小，可以产生1焦耳（以下，j）的高能量、300赫兹（以下，hz）高重复频率的功率激光器。一般的激光器的输出功率与设备的尺寸、重复频率成正相关关系，而该课题实现了小型却高功率、高重复频率的激光器。本产品的诞生，通过去除细小的污垢的激光清洁来提高了传统加工的生产效率，同时，期待它在金属材料的激光成形、延长金属器件的使用寿命的激光喷丸等方面的新应用。该产品的开发是内阁办公室主导的综合科学技术与创新研发推进项目（impact）的一部分，是佐野雄二负责的“普及功率激光器以实现安全、安心、长寿社会”研发项目的一环，由滨松光子学（株）中央研究所产业开发研究中心副所长川嶋利幸等人开发，而且今后我们也将继续推进研究成果的产品化。此外，该新研发的产品将于11月1日（星期四）起连续3天在actcity滨松（滨松市中町区）举行的滨松光子综合展“2018photon fair”上展出。＜关于功率激光器＞功率激光器主要由振荡器和放大器组成。 振荡器由泵浦用半导体激光器、激光介质、全反射镜、输出镜和光开关组成，放大器由泵浦用半导体激光器和激光介质组成。 由振荡器发出的激光通过放大器时，从三种高能量状态（激发状态）的三段激光介质接收能量实现高功率输出。功率激光器的结构＜新产品概述＞该产品搭载了最新研发的泵浦用半导体激光器，虽然只有桌子尺寸大小，但却是可以产生1j的高脉冲能量且300hz的高重复频率的功率激光器。滨松光子学（株）已经开始制造并销售300hz的重复频率下输出功率为100w的泵浦用半导体激光器。此次，结合公司独有的晶体生长技术和镀膜技术，将传统泵浦用半导体激光的功率提高到世界最高水平300w，同时放大器在激光介质的长度和横截面积上下功夫，并采用具有提高冷却效率的放大器，解决了由于热问题导致激光介质损坏或破坏的问题，成功输出了传统放大器的3倍能量。这是因为放大器采用了新的散热设计，提高了激光的放大效率。此外，由于采用半导体激光器作为泵浦光源，具有高于市面上销售的氙灯泵浦脉冲激光器约10倍的光电转换效率，约100倍的泵浦光源的寿命。通过控制零部件的数量，成功实现了器件的稳定输出、小型以及低成本。一般激光器的功率与设备的尺寸、重复频率成正相关关系，但本产品却实现了小型而又高功率和高重复频率的特性。利用该产品，可以对附着于材料上的小污垢进行激光清洁，以提高传统加工的生产效率。此外，我们也期待脉冲激光器在工业领域的新应用，如飞机的金属材料等可以在不使用模具的情况下进行变形加工完成激光成形，以及通过激光喷丸来提高金属器件的使用寿命等。＜研发背景＞激光在金属材料的钻孔、焊接、切割等方面有着广泛地加工用途，为了提高生产效率，光纤激光器和co2激光器等各种各样的激光都在朝着高功率的方向发展。激光分连续输出一定强度激光的cw（continuous wave）激光和短时间内重复输出激光的脉冲激光，目前cw激光是激光加工领域的主流。另一方面，脉冲激光不同于cw激光，它正在朝着新型激光加工的应用方向发展。采用半导体激光器作为泵浦光源的功率激光器，它具有高功率、高重复频率的特性，但因为半导体激光器价格昂贵很难推向产品的实用化，而市场上销售的j级脉冲激光器上使用的泵浦光源多采用氙灯光源，对激光器内部有严重地热影响，因此重复频率只能限制在10hz左右。像这样，为了进一步提高生产效率，同时扩大用途，对小型且可以发出高功率、高重复频率脉冲激光的激光器的需求日益增加。主要规格＜委托研究信息＞此研究成果，是通过以下的科研课题项目得到的。内阁办公室创新研发推进项目（impact）项目负责人：佐野雄二研发项目：普及功率激光器以实现安全、安心、长寿社会研发课题：开发高功率小型功率激光器研究负责人：川鸠利幸（滨松光子学株式会社 中研研究所 产业开发研究中心 中心副主任）研发时间：2015年~2018年本研究开发课题是致力于开发桌子大小、高功率、高重复且稳定性高的脉冲输出的功率激光器。＜项目负责人佐野熊二的评论＞“普及功率激光器以实现安全、安心和长寿的社会”的impact计划，推动了大功率脉冲激光器的小型化、简化和高性能的发展，这对于探索最先进的科学和工业是不可缺的，同时，我们也正在推进相关基础技术和应用技术的开发，旨在提供可以随时随地使用，具有高稳定性的廉价激光器，向工业领域的创新努力。此次，滨松光子学（株）的开发团队采用了自有的先进半导体激光器作为泵浦高能脉冲激光器的光源，通过优化激光器件，以低价格实现前所未有的小型、高功率、高重复的激光设备。从限制成本和生产效率的角度来看，在我们之前放弃引入激光设备的领域，也期待会有更多的应用。功率激光器设备的结构 功率激光器设备外观

近日，市场监管总局批准建立太赫兹辐射功率基准装置，填补了我国太赫兹辐射功率量值传递与溯源能力空白，为太赫兹辐射功率量值准确获取和应用提供技术支撑。 太赫兹是位于微波和红外之间的电磁辐射，频率范围从0.1THz到10THz，对应波长从3mm到30μm。太赫兹具有强穿透力，能穿透塑料、织物、纸张、木箱等探测内部情况，且对人体无电离辐射损伤。太赫兹承载丰富的频谱信息，许多生物分子、蛋白质、食品、药品的特征光谱都落在太赫兹波段。太赫兹作为一种全新的技术手段，在人体安检、无损检测、高速通信、生物医学等领域都具有重要应用。例如，太赫兹用于人体安检时，辐射功率过低无法获取清晰的成像，辐射功率过高则会引起人员的不适；太赫兹用于高速通信时，辐射功率过低导致信息传不远，辐射功率过高则会引起饱和失真。 新建的太赫兹辐射功率基准装置，通过自主研制高吸收率太赫兹吸收材料和宽频段太赫兹绝对辐射计，实现了太赫兹辐射功率的精准复现，解决了太赫兹辐射功率长期无法溯源的难题，为太赫兹人体安检仪辐射功率精准控制、太赫兹无损检测探测器准确标定、新一代高速通信系统源和探测器性能测试提供了量值溯源的源头，也为太赫兹超导探测器天文观测、太赫兹气象卫星遥测预警、太赫兹高速电子器件研制等提供准确可靠的计量支撑。

欧盟第七研发框架计划(FP7)提供资助支持，由法国原子能与可替代能源委员公(CEA)科技人员领导的欧洲NMP研发团队，在小型大功率微波发射装置的研制中，取得重大技术突破。开发出的小型大功率产生电磁辐射的微波振荡器，在雷达侦查、广播电视、卫星通讯，当然还包括微波炉领域，具有广阔的革命性应用前景。　　纳米科技作为原子和分子尺度上的科学，正在日益快速地向各行各业渗透，应用纳米技术开发的微波振荡器，在不利用外部磁场的情况下可以对纳米磁体进行人为操纵磁化。而且，微波振荡器在适当的条件下，可以经受住持续的微波共振频率的冲击。这种被称作为自旋转移纳米振荡器的微波发生装置具有体积小、高协调性和宽温度情况下正常运行的特点。技术成功的关键是提高输出功率，NMP研发团队开发的新型技术，成功地提高了自旋转移纳米振荡器的转换效率和功率输出。提高输出功率首先要解决多振荡器(阵列)震荡阶段的同步，优化设计摩擦弹簧这一在给定时间内的震荡周期运动，成为研发团队攻克的难点，为摩擦弹簧的精细化制造提出了很高的技术要求。　　NMP研发团队的科技人员经过反复的对比试验，在传统生产线上实现了新型自旋转移纳米振荡器原型机的设计与制造，通过优化验证振荡器与锁定相位之间4种不同的偶合机制，结合理论推导和实验方法，最终确定了最佳同步相位。获取的结果已证实，新型自旋转移纳米振荡器的输出功率得到大幅度提升，而相位噪声得到有效降低。研发团队正在计划启动建造10台自旋转移纳米振荡器阵列装置同步优化的中试设施。

在基于垂直腔面发射激光器（VCSEL）的激光雷达和面部识别系统中，对激光束的多属性评估至关重要。这些属性包括功率、频谱和时间脉冲形状，它们共同决定了激光性能的优劣。然而，捕获和准确测量这些属性，特别是对于准直、发散、连续和脉冲光源，极具挑战性。Labsphere的多功能激光功率积分球和传感器凭借其出色的性能和精确度，为解决这些问题提供了有效方案。我们可根据您的需求提供激光功率测量积分球。选择不同的尺寸和涂层以满足您特定的测试激光功率水平。同时，根据测试激光的波长以及光学探测器的光谱响应度校准范围，我们可为您定制最合适的光学探测器，确保满足您的所有需求。特点确保激光器发出的功率能够被全面收集，无论其发散角度或偏振状态如何。高效地衰减高功率，以防止传感器过载。集成第二个探测器端口，用于进行光谱监测或扩大波长覆盖范围。减少在裸露状态下，传感器有效区域响应不均匀所引起的误差。应用&bull 连续（CW）与脉冲激光测量&bull 实验室与生产测试&bull 镜头校准&bull 激光功率质量评估LPMS 配备皮安计和激光功率软件&bull 第n波长的平均辐射功率（连续波）&bull 第n波长的平均峰值辐射功率（脉冲）&bull 探测器采样率（Hz）&bull 探测器扫描间隔（秒）&bull 激光功率密度：单位面积的瞬时激光束功率，单位为W/cm2，可选择以cm2为单位的光束面积需要输入光束面积&bull 最大功率（连续波）&bull 最小功率（连续波）&bull 峰值辐射功率（脉冲）&bull 脉冲宽度或脉冲持续时间间隔&bull 辐射功率范围（连续波）&bull 辐射功率（W）&bull 重复率/频率（脉冲）&bull 标准偏差（连续波）&bull 总脉冲数&bull 波长（由客户根据激光输出和校准数据表选择）