暴光定时器

仪器简介：用于全息照相实验，精度0.1S

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。OAI 200型光刻机和紫外曝光系统 OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材。 高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射。. OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具，采用行业验证的模块化组件进行设计，使OAI成为MEMS，纳米技术和半导体设备行业的领先者。200型是台式机型，需要最小的洁净室空间。它为研发，试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统，基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其允许使用各种衬底和掩模，而不需要对机器重新设定。对准模块包含X，Y和θ轴（微米）。200型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器，包括背面IR。 IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准。 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块，使其成为最低成本的NIL工具。 OAI还提供了一个模块，设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外线下使用200至2000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器，光学反馈回路与恒定强度控制器相关联，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长。 型号200是一个高度灵活的， 经济的解决方 案，适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用。 特点:&bull 高效，均匀，曝光系统与强度控制电源&bull 近，中，深紫外线能力可用&bull 亚微米套印和逐层校准&bull 易于互换的掩膜架和掩膜&bull 用户可设置，“基板到掩膜”间的压力&bull 软接触，硬接触，真空接触，接近曝光模式&bull 暴露可用时氮气N2吹扫&bull 超精确的卡盘运动&bull 可变速率电子操纵杆(可选)&bull 红外对准能力(型号200IR)(可选)&bull 顶部侧对齐以及背面对齐选项&bull 系统隔振具有四(4)象限独立调节(可选)&bull 高可靠性和低维护设计与优秀的文件应用MEMSNIL微流体纳米技术II-VI和III-V器件制造多级抗蚀剂处理LCD和FED显示器MCM’S薄膜器件太阳能电池SAW器件 选项提供单或双相机和屏幕（双相机/双屏版本如照片所示）可以安装NIL的Nano Imprint模块可安装微流体模块 OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统 OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统 特征 规格 体积小 基板平台 X, Y TravelZ TravelMicrometerGraduationsRotation ± 10mm 真空吸盘 1,500 microns.001" .0001"or .01mm .001mm± 3.5? 精密对准模块 可互换的面罩架和基板卡盘 掩膜 大小 Up to 14" x 14" 好处 光源 光束尺寸灯功率 Up to 12" square200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV I 需要最小的洁净室空间 500, 1,000 and 2,000 Watt DUV I 对易碎基材材料造成损坏降至最低 快门定时器设施 定时器 0.1 to 99.0 sec. at 0.1second incrementsor 1 to 999 sec. at 1second increments I 精确对准至1微米 I 可轻松容纳各种基材和面罩 电压 110或220 / 400vac（或根据其他国家电源要求） I IR透明晶片的背面掩模对准，精度高达3-5微米 真空 20 - 28” Hg. I 高度准直，均匀的紫外线 空气和氮气 CDA at 60 PSI andN2at 40 PSI 排气 .35“至.5”水 I 快速更改UV光波长 I 曝光控制强度为±2％ 尺寸 高度宽度深度运输重量 37” (200mm), 45” (300mm)31” (200mm) , 60” (300mm)25” (200mm), 70” (300mm)250 Lbs. (200mm), 400lbs (300mm) I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具

NI 高性价比数据采集产品系列作为测试测量行业的领导者，美国国家仪器(NI)提供了高质量数据采集硬件，能够连接数千种传感器进行信号采集、分析和处理。NI数据采集硬件能够与LabVIEW无缝连接，并通过强大的技术支持服务，确保产品的易用性和可靠性。考虑到不同的项目需求和预算范围，NI为您提供了各种不同价位的数据采集产品系列，帮助您以最优的资金投入，高效完成数据采集项目搭建。NI PXIe-6614带有数字I/O线的NI X系列计数器/定时器事件计数、周期/频率、编码器定位、脉冲宽度测量、脉冲生成8个32位计数器/计时器和40条双向数字I/O线高精度恒温晶体振荡器，确保长时间间测量稳定性和精确度用于每个计数器/定时器的DMA控制器最大源频率为100 MHz；外部源频率为80 MHzX系列NI-STC3定时芯片，实现先进的触发和同步功能NI PXI-6602带有数字I/O线的8通道计数器/定时器80 MHz最大源频率 (使用预定标度可达125 MHz)8通道, 32位加减计数器/定时器模块3种同步高速DMA转换能力数字去抖动滤波器32条数字I/O线 (5 V TTL/CMOS) -- 8条专用，另外24条与计数器/定时器共用NI PXI-6624带有通道间隔离的工业8通道48 VDC 计数器/定时器模块事件计数，周期/频率，编码器定位，脉冲宽度测量，脉冲生成针对最高性能的NI-DAQmx测量服务软件（7.2版本以上）8个计数器/定时器,通道间隔离的26路输入通道和8路输出通道400 kHz最大频率，48VDC 输入及输出电压范围专为汽车/航天，工业/运动控制和制造测试提供的高端NI-TIO特性输出通道有短路保护，具自动修复功能

泰克计数器/定时器拥有您预期我们的示波器提供的精度和直观操作，同时考虑了性能和方便。它提供了行业领先的分辨率及内詈测量和分析模式。选择您的计数器/定时器为帮助您根据需要选择适当的计数器/定时器，下面列出了常用的选型标准，以及确定要求的实用小贴士。频率分辨率频率分辨率是指计数器/定时器在相距很近的频率中可以检测到的最小变化。分辨率受仪器上的时间设置影响，即时间设置越长(平均后)，显示的位越多。一般来说，这个功能用仪器显示器上显示的位数表示(如12位/秒)位数越多，频率分辨率越高。时间分辨率对定时测量，这一特性代表着仪器可以检测到的最小的“时间"变化。时间分辨率有时描述为“单次”分辨率一般用皮秒表示，如50ps，数值越低，时间分辨率特性越好。时基稳定性内部时基确定了测量输入信号的参照物。时基越好，测量就会越准确，大多数计数器菜用石英品体作为内部时基单元。其分成3种基本类型:室温(RTXO)、温度补偿(TCXO)和烤箱控制(OCXO)。TCXO和OCXO器件更加稳定，在作为内部时基使用时，仪器将一贯地产生准确可靠的结果。分析功能在选择计数器/定时器时,应查看提供的分析模式，如趋势图、测量统计、直方图和调制域分析，以保证满足需求。

WIGGENS DIGITAL TIMER 数字定时器* 数字式计时器是基于微处理器的数字式切断时间控制器。和加热套，加热 带 / 绳，电炉或其他电流在 10A 以下的电阻式加热设备一起使用。也可以 用于搅拌器，涡旋振荡器，摇床或其他电流不超过 10A 的马达的时间控制。可以在前面板上选择 4 个时间范围。定时结束时，发出 5 秒钟警报声 后切断电源，定时器复位。时间设置可以通过按 Start/Stop 键中止，重新按 Start/Stop 开始计时，时间将从停止点继续计时。两次按键进行时间设置，一 次按键为启 / 停操作 * 计时范围： 000.1 - 999.9（秒） 00:01 - 59:59 （分 : 秒） 0001 - 9999 （秒） 00:01 - 23:59 （时 : 分）技术参数订货号电源，功率重量(kg)PT62410A@240V,2,400W1.4

瑞始自动采样定时器2701 与瑞始，1升，3升，5升，或10升苏玛罐联用。定时器功能与亮点：可以自主定义12组不同的定时方案。可以***多提前7天定义并自动执行采样方案。对于需要平均时间采样的项目真的是贴心设计。样品流路均采用惰性处理的不锈钢使样品保真。电池超长待机时间，便捷的USB快速充电设计。苏玛罐 （1升，3升，5升，10升）带RAVE阀的SilcoCan空气采样罐 (Cat# 27405， 27409)● Siltek表面处理的采样罐和阀门具有超高惰性，是分析硫化物和溴化物的***选。●使用金属对金属密封的高品质2/3-不锈钢膜片转接口，防止样品的吸附，使分析结果更加准确。● 采样罐和阀门均使用316L不锈钢材质，能承受严苛的户外使用环境。●可选择二通阀或三通阀，三通阀其中有个端口连接了一个-30＂Hg/60psi的真空/压力表（也可选其他仪表）。使用了超长耐用，无泄漏，操作简单，省力，特殊设计，抗磨损的RAVE阀。

控制器系统能对大多数灯具（包括白炽灯、日光灯、配以特殊镇流器的钠灯、水银灯、霓虹灯等）进行智能调光。 给需要的地方、在需要的时间以充分的照明。及时关掉不需要的灯具，充分利用自然光，其运行节能效果充分。 巨川电气 O577-27877837。BL-416W园区集中智能开关模块定时器技术参数：工作电压：DC24V±10%工作电流：45mA工作温度：温度0°C~45°C 湿度：10~95%通信接口：CAN总线接口,4位5.08插拔端子负载接口：继电器输出：4X2位7.62端子，接线容量4mm2输出负载：AC0~220V前沿切相调光输功率：2000Wx4路负载类型：LED灯、白炽灯、卤素灯*小负载：60W安装方式：挂墙、壁挂安装性能特点： 灯光控制模式红外遥控器，DMX512控制 上盖材质压铸铝灯体，表面喷塑处理 底座材质压铸铝灯体，表面喷塑处理 使用寿命5万小时 信号接口3芯防水接头 控制接口户外型超5类网线专用防水接头 材质压铸铝灯体，表面喷塑处理 适用范围建筑立面照明，园林及舞台照明 适用于办公楼、酒店、商场、广场、图书馆、公园、广告灯、景观照明等场合；系统集成时控、光控、人体（车体）感应控制、消防控制、远控、手动、双RS485通讯接口功能(支持连接第二方上位机监控系统)，配合场景控制面板可以实现场景模式控制。可以替换传统的照明控制方式（单一时控、人工现场手控），达到智能自动化控制开关灯，实现把定时开关灯、根据人(车)流量开关灯、根据天气或者天黑开关灯、场景开关灯、远程开关灯等多种开关灯方式组合使用，达到节电、智能、人性化开关灯，根据不同自定义配置能满足多种复杂场合的使用需求。产品质量保证：一、产品配发检验合格证书和适量使用说明书，以确保用户能正确安装使用我公司产品。二、巨川电气保证出厂的产品均按有关生产和检验。保证严格履行、兑现产品三包，严格执行*工业产品售后服务有关规定，对出厂产品自发货日起的18个月内或产品安装12个月以内（以先到者为限）。三、用户对我公司产品提出异议，公司保证在接到用户提出异议后24小时内作出处理意见。若需现场解决的，保证派出*技术服务人员，并做到问题不解决服务人员不撤离。对每件用户反馈的产品问题及处理结果我公司将予以存档。BL-416W园区集中智能开关模块定时器安装验收：智能照明控制系统验收事项验收时需要按照以下顺序逐项检查：1.控制柜安装固定和主供电电源的布设是否符合设计要求。2.对应各负载回路，检查回路号、回路功率、灯具类型、灯具数量、回路位置。3.检测回路是否正常，是否存在开路、短路，工作电流是否正常。4.信号线的安装检测5.负载线接模块输出检测6.系统通电安全检测7.通电系统运行调试8.用户场景、控制要求检测。

SENS-TECH-定时器模块-DM0101产品型号：DM0101产品介绍：DM0101计数器/定时器模块将PC转换为高性能脉冲计数仪器。该模块具有32位计数能力，包括一个微控制器和RS232接口，用于与主机通信。随模块提供的软件使DM0101按照用户编程执行一系列计数率测量。DM0101配有软件，可在接通后立即进行测量。还提供了ActiveX控件驱动程序，允许用户使用LabView、Visual Basic等开发自己的控制软件。还包括串行引线、电源和用户接口连接器。性能特点：60 MHz能力（100Mcps*）同步计数的触发输入接受TTL输入两个用户输出易于配置为实验室速率计结果易于导出参数：产地：英国电源连接器：2.1毫米电源插座电压：+4.75至5.5 V电流：5V时 60 mA信号输入连接器：BNC插座级别：TTL边缘速度：125 mV/ns min，0.8至2.0 V 脉冲宽度：5.0 ns脉冲对分辨率：8.3纳秒 频率：60 MHz（100Mcps*）采样时间：10毫秒至300秒机体重量：109克尺寸（包括插座）：105.8 x 26.1 x 57.1毫米天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

海思科技 吴先生 全自动接近式曝光机、半自动光刻机主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸3．曝光照度不均匀性：≤3%；4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；6．紫外光中心波长：365nm；7．紫外光源寿命：≥2 万小时；8．分离量：0～≥1090um 可调；9．对准精度：≤1μm；10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋转精度 Q≤0.001°；13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制15．晶圆尺寸：4″； 、6、816.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；20．曝光定时：0～999.9 秒可调；21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；23．洁净空气压力：≥0.4MPa；24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；26．重量：约 200kg

仪器简介：这种超声波清洗器在40千赫频率下工作，具有强劲的清洗能力。易清洗、耐腐蚀的304不锈钢储液罐无角焊缝等易藏垢纳污之处。储液罐外面有耐用的、带粉末涂层的钢制外壳。带加热器、数字定时器、温度监控器和除气装置的不锈钢超声波清洗器具有更强的清洗能力，尤适于各种关键的清洗应用场合。除气装置可消除溶液中的气泡以达更佳清洗效果。除气周期可设定在99分钟以内。可调式加热器可将温度设定在（从1℃至69℃或 34℉至156℉）范围内。超声波清洗器温度监视器可以监视溶液温度（从10℃至75℃或50℉至167℉）。清洗周期可设定在99分钟以内。随机配备：不锈钢盖、防滑机脚、一根7-1&frasl 2英尺长电源线。1加仑, 1-1&frasl 2加仑, 2-1&frasl 2加仑, 3-1&frasl 2加仑,和5-1&frasl 2加仑超声波清洗器均装有安装于底部的排水口，同时还包括排水阀。技术参数：体积：2-1/2加仑水槽尺寸：11-1/2英寸长 × 9-1/2英寸宽 × 6英寸高电源：220伏交流，2.1安，40赫兹主要特点：* 强清洗能力，有多种规格；* 坚固、耐腐蚀机型可完成所有类型的清洗任务；* 交迭波形确保均一清洗能力。

官方授权代理美国Digi-Sense Traceable大数字定时器带校准证书绿色LED在最后10秒闪烁，然后在零点闪烁红色获得准确、可靠的测量数据，包括NIST-traceable校准在内存中存储三个倒计时时间，以备最常用大的数字可以从整个实验室看到。倒计时时，绿色LED每秒钟闪烁一次，持续10秒 当达到零点时，红色LED灯闪烁，警报声响起。可调报警音量有三种设置:高，低，和关闭。计时器也计数显示经过的时间后达到零。特点磁背，翻转打开画架架，和一个开放的绳索。Traceable产品已根据NIST-traceable标准进行校准，并可在您收到产品后立即使用。每个产品在能够使用可跟踪名称之前都要经过严格的审查过程，其中包括NIST-traceable认证。这意味着17025认证的校准测试实验室已经确认产品符合或超过所有规定的规格，从而节省了您的时间和金钱，无需单独校准。NIST-traceable校准还帮助您满足ISO、FDA、cGMP、VFC、CAP、CLIA和联合委员会要求的质量标准和法规遵从性。包括带有数据和两个AAA电池的NIST-traceable校准证书。主要特点获得准确、可靠的测量数据，包括NIST-traceable校准在内存中存储三个倒计时时间，以备最常用关于该商品的更多信息大的数字可以从整个实验室看到。倒计时时，绿色LED每秒钟闪烁一次，持续10秒 当达到零点时，红色LED灯闪烁，警报声响起。可调报警音量有三种设置:高，低，和关闭。计时器也计数显示经过的时间后达到零。特点磁背，翻转打开画架架，和一个开放的绳索。Traceable产品已根据NIST-traceable标准进行校准，并可在您收到产品后立即使用。每个产品在能够使用可跟踪名称之前都要经过严格的审查过程，其中包括NIST-traceable认证。这意味着17025认证的校准测试实验室已经确认产品符合或超过所有规定的规格，从而节省了您的时间和金钱，无需单独校准。NIST-traceable校准还帮助您满足ISO、FDA、cGMP、VFC、CAP、CLIA和联合委员会要求的质量标准和法规遵从性。双通道模型为每个定时通道提供独特的报警声音和视觉指示。计时容量99 hours, 59 minutes, 59 seconds计数方向Down通道 数量2分辨率1 sec准确性±0.01%报警Adjustable audio and flashing LED显示LCD, 0.625" H认证NIST-traceable电池类型Two AAA随附电池Yes深度 (in)0高度 (cm)7.6深度 (cm)1.6宽度 (cm)8.9描述Traceable Flashing LED Big-Digit Timer with Calibration Dual-Channel包括带有数据和两个AAA电池的NIST-traceable校准证书。主要特点获得准确、可靠的测量数据，包括NIST-traceable校准在内存中存储三个倒计时时间，以备最常用关于该商品的更多信息大的数字可以从整个实验室看到。倒计时时，绿色LED每秒钟闪烁一次，持续10秒 当达到零点时，红色LED灯闪烁，警报声响起。可调报警音量有三种设置:高，低，和关闭。计时器也计数显示经过的时间后达到零。特点磁背，翻转打开画架架，和一个开放的绳索。Traceable产品已根据NIST-traceable标准进行校准，并可在您收到产品后立即使用。每个产品在能够使用可跟踪名称之前都要经过严格的审查过程，其中包括NIST-traceable认证。这意味着17025认证的校准测试实验室已经确认产品符合或超过所有规定的规格，从而节省了您的时间和金钱，无需单独校准。NIST-traceable校准还帮助您满足ISO、FDA、cGMP、VFC、CAP、CLIA和联合委员会要求的质量标准和法规遵从性。计时容量99 min 59 seconds计数方向Down通道 数量1分辨率1 sec准确性±0.01%报警Adjustable audio and flashing LED显示LCD, 1" H认证NIST-traceable电池类型Two AAA随附电池Yes深度 (in)0高度 (cm)5.7深度 (cm)1.6宽度 (cm)8.9描述Traceable Flashing LED Big-Digit Timer with Calibration Single-Channel

产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当 精确，设备简单。产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、 生物器件和纳米科技领域。参数：应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

Cole-Parmer低成本超声波清洗机带定时器产品描述：经济型紧凑型清洁剂适合清洁小部件，这款 15 盎司超声波清洗机的尺寸仅为 8 3/4' ' L x 4 1/2' ' W （22.2 x 11.4 cm），非常适合小型台式区域。不锈钢罐密封在耐冲击的塑料外壳内，以防止泄漏。清洁器具有自动关闭的五分钟计时器。以 40 kHz 的清洁频率工作。技术参数：型号08848-1008848-15容量（加仑）0.1250.125容量（升）0.470.47容器长度（英寸）6 1/26 1/2容器宽度（英寸）3 1/23 1/2容器高度（英寸）2 1/42 1/4容器长度（厘米）16.516.5容器宽度（厘米）8.98.9容器高度（厘米）5.75.7长度（英寸）8 3/48 3/4宽度（英寸）4 1/24 1/2长度（厘米）22.222.2宽度（厘米）11.411.4电源 （伏交流电）117220电源（赫兹）50/6050/60频率输出（千赫）4040

RAITH电子束曝光设备资料一、基本信息:品牌名称：RAITH主要设备：电子束曝光及成像系统、图形发射器。主要用途：在化合物半导体等领域加工线宽8-350纳米图形或掩膜板加工。 二、设备及应用:(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: eLine Plus是一款集成了纳米操纵设备，如纳米探针、用于聚焦电子束诱导过程的气体注入系统等各种多功能选件的电子束光刻设备，广泛应用于学校和各大科研机构，采用30kV Gemini电子束技术，应用于4英寸以下基板的纳米级光刻、纳米工程、纳米操纵、纳米探测、纳米轮廓仪、聚焦电子束诱导和成像分析等。 HSQ胶上制作亚5nm线条(三). 专业型电子束光刻设备Raith150 Two: Raith150 Two是一款高分辨电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻，可实现亚5nm的曝光结构。 HSQ胶上制作亚4.5nm线条及PMMA胶上制作精细的11nm线条(四). 专业型电子束光刻设备Voyager: Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。 HSQ胶上制作亚7nm线条(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200: EBPG5150/5200是一款高自动化的电子束光刻设备，采用100kV EBPG 电子束技术，应用于8英寸以下基板（5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸）的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写，适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。 制作GaAs T型器件及在化合物半导体上的应用(六). 纳米加工和纳米光刻升级配件Elphy: Elphy系列光刻升级配件可以将现有的SEM、SEM-FIB、HIM等聚焦离子束电子束系统升级为纳米光刻和纳米加工设备。

可见光分幅相机（双曝光）● 通道数：4 通道● 画幅数：4画幅& 8画幅● 空间分辨率: 25lp/mm● 光谱响应范围： 350-850nm● 门控宽度：3ns—DC● 门控及延迟调节精度：1ns● 延时调节范围：0-1s● 增强器阴极尺寸：18mm● 增强器最大增益：1*104● 读出面阵： 1932*1452 (4X）4.5um*4.5um 像素● A/D位：12bit● 一体化数据采集软件使用与四分幅相机相同的分光光路，将耦合相机改为双曝光的CCD 相机，可以获得最高八分幅的相机。此种相机结构即可以工作在四分幅模式下，也可以工作在八分幅模式下。四分幅画幅之间最小时间间隔1ns, 八分幅相机的画幅之间第四和第五幅最小时间间隔为250ns（双曝光模式），其余画幅间隔最小1ns。此种工作模式的优势是在减少通道数及硬件成本的基础上得到更多的画幅数。基于4通道八分幅相机的 微秒闪光灯的放电过程测试： 20ns门宽，500ns 画幅间隔分幅相机汇总一览型 号FC-2-S-VISFC-4-S-VISFC-4-D-VISFC-8-S-VISFC-8-D-VIS主要描述2分幅4分幅4分幅双曝光8分幅8分幅双曝光单次画幅数2幅4幅4幅 & 8幅8幅8幅 & 16幅光路2路4路4路8路8路光路实现方式反射平行分光反射分光反射平行分光光瞳分光光瞳分光相机sCMOS2048*2048sCMOS2048*2048双曝光CCD1932*1420sCMOS2048*2048双曝光CCD1932*1420增强器口径18mm18mm18mm18mm18mm荧光屏P43P43P47P43P47最小门宽3ns3ns3ns3ns3ns耦合方式光纤面板光纤面板镜头耦合面板耦合镜头耦合分辨率=30lp/mm=30lp/mm=30lp/mm=30lp/mm=30lp/mm最小固有延迟120ns120ns36.5u+4us120ns36.5us+4usJitter（触发输入与输出）典型值100ps，最大200ps延迟及门控精度Step：1ns最小画幅间隔1ns1ns1-4 & 5-8：1ns4-5：300ns1ns1-4 & 5-8：1ns4-5：300ns

技术数据仪器522/1500522/1500e522/3000522/3000e氙灯功率1.5kw2.5kw外形尺寸(宽＊深＊高)750＊390＊400mm890＊390＊400mm光照范围(宽＊深)可移动台280＊220mm420＊200mm总重29kg31kg可放样本(15＊30mm)数量More than 120More than 180 光照水平的调节和控制显示当前光照水平 光照水平：0.25-1.0KW/M2波长范围：290-800nm计时器(0-9999h)和定时器(0-999h)调节控制显示黑板温度 微机控制测试蚕数(如测试时间) 4行LCD显示屏 可设置15个不同的测试程序 RS232-C数据传送 XEN 32&rdquo Report&rdquo 软件包 XEN 32&rdquo Rep+Cal&rdquo 软件包 基本滤光片段280nm(产品配)特殊滤光片段310nmIR滤光镜，降低样本温度和测试室温度跟可编程注水系统连接(温控可选，(30℃-50℃) 显示测试室温度和湿度 液体物料专用的磁力搅拌器水冷式样本台空冷系统电源230VAC,50/60hz

45年来，OAI始终是紫外能量测试仪器领域的全球领导者，其仪器用于半导体、微机电系统、晶圆封装和晶圆植球行业中光刻工艺的可靠，精确校准控制。Model 659是一款手持式紫外功率计，配有触摸屏和 USB 接口。通过使用特殊探头（365nm、400nm、420nm 和 436nm），可以测量主要用于步进应用的宽范围波长。 ● 多达400个曝光参数 ● 以太网和USB接口，用于下载记录的测量值 ● 强度范围达7500mW/cm2 ● 强度分辨率：0.01mW/cm2 ● 探头波长：365nm、400nm、420nm、436nmModel 659 型曝光分析仪，与晶圆步进光刻机配合使用，专为Ultratech Stepper等高强度光刻设备而设计（读数高达7500mW/cm2,1000000mJ/cm2'',最长9999秒）。可选择探头光谱响应：365nm、400nm、420nm或436nm. OAI拥有完整的认证校准实验室，以确保仪器的性能，质量，和可靠性。Model 659 可追溯至NIST标准。

Waring 双速型 带定时器捣碎机 8010S/8010G/8010ES/8010EG产品简介：带定时器的两速搅拌机配有一个机械的、具有自动关闭功能的60秒定时器，和一个按钮式的速度控制器以实现两种速度运行：18000和22000转/分钟。所有机型都配有一个容器、盖子、和不锈钢制（SS）的刀片。应用于：科学研究：生化、植物、营养等研究都可采用；生物制造品：在生物药品制造过程中；食品工业：可供制造肉酱，奶酪等作搅拌捣碎；医学治疗：实验室与药品都可采用，特别适合于组织治疗法药品捣碎；化工制药：制造胶质乳浊液、固体液体物质之混合。 产品参数：容量：1L/1.2L开关设置：双速.机械定时器.60秒底座：环氧树脂涂层容器：带把手的不锈钢和两层聚乙烯和 聚苯乙烯盖子-8010S 带把手的耐热玻璃和两层聚乙烯和聚苯 乙烯盖子-8010G高度：38/40.5cm重量：4.3/5.2kg 可用配件：CAC32 1.2L玻璃容器：带把手的带把手的耐热玻璃和两层聚乙烯和聚苯乙烯盖子CAC33 1L不锈钢容器：带把手的不锈钢和两层聚乙烯和聚苯乙烯盖子CAC19 1.4L容器：聚碳酸酯容器，带盖子、道具等组件CAC64 500ml容器：500ml聚碳酸枉费容器旋盖，标准的捣碎机配件

简介：真空曝光机：用于对厚度至7mm的锌板和镁板进行曝光试验.两个型号：板尺寸至75 x 85 cm和90 x 110 cm金属卤化物灯该款曝光机用于研究不适用常规标准的曝光试验，用于测试薄膜和板.我们的目的是减少功耗但曝光时间不变，并且提供一个快速安全的真空环境.曝光试验的光源功率为4000W.与市场上Z好的试验箱比较，我们的曝光时间更短.对灯参数的检查使我们得到连续且相等的曝光.光学积分器不足以得到相同曝光.半透明有机玻璃的正面板可在试验过程期间检查仪器，这样会减少90%的灯晕.我们产品的每个型号都会提供多语种液晶显示，显示信息和可能出现的异常.技术参数：技术参数紫外曝光系统1紫外曝光系统2总长1.106 mm.1.301 mm.宽度1.105 mm.1.510 mm.高度1.890 mm.2.110 mm.工作尺寸750 x 850 mm.900 x 1100 mm.灯（W）4000 W4000 W通道3939光学积分器YESYES4个架子YESYES功率4000W, 380V, 12A4000W, 380V, 12A扩散器YESYES光服务YESYES控制灯YESYES液晶屏YESYES

主要简介： UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩膜光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。主要特点： l 显微镜LED曝光装置概述l 显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。l 使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。l 图案可以在PC上自由创建。l 因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。 主要应用：l 薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成l 从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性l 研发应用的图案形成。 技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

接触式曝光机 LSCE-800产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当精确，设备简单。接触式曝光机 LSCE-800产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域。接触式曝光机 LSCE-800参数：接触式曝光机 LSCE-800应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

SUSS苏斯/休斯，EVG, OAI等系列光刻机用曝光灯HBO系列SUSS苏斯，EVG, OAI公司生产的半导体和太阳能行业用光刻机，目前得到业界的广泛认同，该系列光刻机曝光系统的曝光灯，主要是由德国欧司朗及日本牛尾公司生产的曝光灯进行配套供应。欧司朗/牛尾曝光灯系列，具备良好的光通量，稳定的光强度以及优质的品质受到业界的青睐。目前供苏斯光刻机配套的相关参数如下：HBO short-arc mercury varour lamps for microlithography适用SUSS苏斯光刻机型的曝光灯灯管型号 寿命（H） 适用SUSS苏斯光刻机型HBO 200W/DC 1000H MJB3, MJB4HBO 350W/S 600H MA4, MA6, MA/BA6,MA8, MA150, MJB3, MJB21,UV300/500HBO 1000W/D 1000H MA150,MA200,MA4,MA6, MA/BA6,MA8HBO 5000W/S 1000H MA300以下是欧司朗曝光灯的技术参数,适用于SUSS苏斯，EVG, OAI等光刻机：

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

ChemiMOS 长曝光 CMOS相机ATIK Cameras 科学相机作为迄今为止技术最先进的一代cmos相机，适用于低噪声、高灵敏度和高动态范围的应用。 ChemiMOS是一种冷却的CMOS相机，从头开始设计，非常适合集成到需要长时间曝光图像的科学系统中。以前的曝光时间只能使用CCD技术，但现在可以与ChemiMOS由于零放大器发光和低噪声设计。这个最新一代的CMOS技术将在可预见的将来投入使用确保供应链的长期稳定。优点包括非常低的读取和深像素全好。优点包括非常低的读取和深像素全井，允许前所未有的动态范围。冷却被优化，以最小化暗电流，而不需要极端温度，这可能会使最终用户的设计复杂化。校准程序，如暗帧减影和相机外图像处理，这意味着操作相机时的灵活性和透明度。由于传感器特性随时间的变化，重新校准没有停机时间。 非常适合集成到需要长时间曝光图像的科学系统中规格参数：Image SensorSony IMX533Resolution3000 x 3000Pixel Pitch3.76 μmSensor Size1" CMOS sensorFull Well50,000 e-Read Noise1.5 e-Dark Current Noiseat camera set point0.0005 e-/p/sSet Point Coolingat ambient of 20oC-20 °CFrame Rate14 bit - 16fps12 bit - 20fps.Mount TypeC-MountADC12bit or 14bitReading ModeRolling Shutter CMOSExposure Range10 ms - 24 hourSystem RequirementsWindows 10USB 3.08GB Ram64 bit Operating System

瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统，该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光，适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求（例如，对掩模对准器进行改造，为将来的产品提供OEM）。LED的好处直到最近，水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面，与传统的汞灯相比，UV-LED的技术优势众多，并且对光刻具有重要意义。UV-LED的最重要的优点是，它们具有稳定的发射性，使用寿命长。结果，不需要日常校准和维护。此外，通过提高能源效率，LED减少了发热量，从而大大简化了系统冷却。UV-LED技术的好处LED使用寿命长，这意味着不再需要消耗品无需每日校准，即时稳定的照明即时开启，光线仅在曝光期间开启，无需机械快门低功耗有限的加热，这意味着非常低的空气冷却成本没有维护费用紫外线LED曝光系统idonus已经推出了完整的UV-LED曝光产品线。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列集成在一起。它们完全组装并在内部进行控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件-即高度均匀且稳定的强度，并且发散角很小。这种光学器件可确保整个基板完全均匀地曝光，从而生产出具有笔直侧壁的固化光致抗蚀剂，并具有微米级。应用：光刻曝光纳米压印紫外固化优点：工艺稳定免校准，免维护即时开/关无有害物质，无特殊安全规定

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

FRAME-多重曝光频率辨识算法2017-10-31 LaVision 欧兰科技 多重曝光频率辨识算法（FRAME-Frequency Recognition Algorithm for Multiple Exposures）技术，利用单台相机单次曝光存储同一时刻若干幅图像。所记录的多次曝光图像，采用一种筛选算法进行重构，获得原始的单幅曝光图像，并将其分别存储下来。从FRAME 相机的一幅单次曝光图像，可以还原提取出超快事件的四幅时间分立的图像出来。这种创新技术为超快事件成像记录开辟了一条崭新的途径。 FRAME高速阴影测量系统(FRAME HS Shadow)由LaVision的DaVis软件平台全面操控，为照明和相机控制提供方便的用户界面。集成的FRAME算法能够仅用很少的用户交互命令完成图像序列重构运算。性能特色超快过程如脉冲喷雾形成和爆发的成像记录用一台常规相机以1MHz帧频记录4幅图像简单集成的FRAME照明装置FRAME HS Shadow 阴影测试系统 FRAME HS Shadow 阴影测试系统由一套FRAME照明组件和一台装有远心镜头的高分辨静态相机构成。照明组件和相机按照阴影法测试的视线方向形式布局。被测对象放置在照明组件和相机之间。FRAME 阴影照明组件 时间编码FRAME技术基于FRAME HS阴影照明系统。它把顺序4幅编码了的图像投影到测量区域。FRAME照明组件由4套独立的光源构成，每套光源配有一套FRAME图样发生器来给4幅图像编码。FRAME相机 高分辨相机配备远心镜头，采用平行光成像机制，可以获得最佳质量的FRAME图像。 重构图像的分辨率由照明组件提供的编码图像的调制线数目决定。FRAME 软件 FRAME照明组件完全由DaVis软件平台控制。每次曝光时刻都可以精确地，各自独立地设置，并和相机完全准确地同步。FRAME系统的测量可以和任意触发事件同步。重复对象（如脉冲喷雾）和单次事件（如激波管和爆轰）都可以用DaVis控制灵活多样的PTUX时间控制单元PTUX进行采集和记录。 DaVis集成FRAME重构算法，选择一次处理步骤，即可处理图像数据并给出图像序列。指标参数：FRAME HS 阴影照明组件最小帧间隔 1μs最小曝光时间 1μs通道数 4180毫米焦距 Nikong f-接口照明透镜工作距离 50 - 70 cm照明视场12 x 12 mm^2FRAME 调制频率 40线/毫米 （在测试视场所在平面*)尺寸 42 x 26 x 13 cm3 (W x L x H)重量 5 kg运行环境温度 10 to 40°C电源供电 100 - 230 VACFRAME HS 阴影测试系统相机型号 Imager M-lite 5M*)有效FRAME成像空间分辨率 500 x 400 pixel*)最大重复频率 50 Hz*)相机镜头 1:1 远心镜头工作距离 10cm景深 ~1 mm视场 12.5 x 9 mm2 (W x H)*)*)可根据需要提供其它型号相机和更高调制频率的FRAME照明组件。如有需求，请联系我们。订购信息：部件序列号，描述说明1103448 FRAME HS 阴影照明组件1105085 FRAME 软件包1101503 Imager M-lite 5M 相机1010610 远心镜头 1:1, c-口, 工作距离=10 cm

仪器简介：光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：KCMA-100；又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.技术参数：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均匀性：±3%；- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；- 对准精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束输出强度：15-25mW/cm2； 项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact : 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor Magnification : 80x ~ 1000x 主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；