超快探测器

Advanced Laser Diode Systems UltraFast系列MSM超快光电探测器经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的 MSM 结构具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，也提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM 探测器是测定高速光源和光波系统时域和频域特性的理想选择。型号UltraFast-20-xx （SM,MM.FS）探测器类型MSM (Metal &ndash Semiconductor &ndash Metal)活性材料InGaAs带宽 (-3 dB electrical)DC &ndash 20 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps脉宽 (FWHM) 20 ps波长范围400 nm &ndash 1.6 µ m最大响应度0.24 A/W @ 810 nm0.19 A/W @ 1.3 µ m0.12 A/W @ 1.5 µ m偏置电压2 V &ndash 9 V偏压输入接口SMC male标准RF信号输出接口K-Type female

超快THz探测器(Ultrafast Terahertz detectors)品牌： Terasense型号： Ultrafast Terahertz detectors Terasense超快太赫兹探测器作为一款亚太赫兹波段的被动式超快探测器，非常简便易用。 只用连接上示波器就可以使用（或者其他任何电压探测器） 。用一根同轴 SMA 型输出连接器连接并把它放在 THz 或 Sub_THz 辐射下即可使用。 产品特点和具体参数：响应时间：150 ps频率范围：50 GHz-1.0 THz典型响应度：1V/W噪声等效功率：1nW/Hz1/2敏感区域：3mm×3.5mm不需要电源供给尺寸： 23mm×29mm×6.5mm时间响应： Terasense超快太赫兹探测器一贯表现出的响应时间小于150 ps。这点已经由它的脉冲响应函数的直接观察证实。超快太赫兹探测器由200 NJ 1皮秒激光脉冲激励具有很宽的频谱范围从0.1到3 THz，而且他的响应通过高速示波器记录。响应函数显示了150皮秒的上升和下降时间由示波器4兆赫带宽有限。测得的短的响应时间使得它可以使用我们的探测器用于太赫兹科学和电信快速瞬变过程中。 频率响应： terasense® 探测器是在很宽的频率范围内的敏感。然而，它们的频率响应是不连续的，但由如果多个波段（峰值结构）。在响应曲线的峰值的位置可以调整，在制造阶段适合特定客户的要求。我们的超快高灵敏度的子太赫兹探测器是为了探索快速变化和瞬态子太赫兹信号和脉冲。terasense探测器实际上是加快超高速无线通信网络，即将在不久的将来发生的到来。terasense超快探测器也为表征的终极工具，校准和调整脉冲子太赫兹源。c

MSM超快光电探测器UltraFastUltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，也提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。 两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz) 技术参数：可选：附件：UltraFast探测器测试图例 UltraFast 20: 20 GHz时域测量曲线所用光源：单光子激光器，5 ps脉冲序列，重复频率20 GHzUltraFast 20: 响应度-波长曲线UltraFast 20: 眼图比特率：20 Gb/s使用德国SHF Design GmbH公司的函数发生器 “SHF BPG 20 GIG”测量UltraFast 35：脉冲响应光源：A.L.S PiLas PlL081Q，波长810nm，脉宽12ps探测器偏置电压6 V，50 GHz示波器UltraFast探测器UltraFast 20/35 SM探测器标准结构UltraFast 20/35 FS自由空间探测器，带聚焦镜以避免过充

作为一款亚太赫兹波段的被动式超快探测器，我们提供的探测器非常简便易用。只用连接上示波器就可以使用（或者其他任何电压探测器）。用一根同轴SMA型输出连接器连接并把它放在THz或Sub_THz辐射下即可使用。产品特点和具体参数：ü 响应时间：150 psü 频率范围：50 GHz-1.0 THzü 典型响应度：1V/Wü 噪声等效功率：1nW/Hz1/2ü 敏感区域：3mm×3.5mmü 不需要电源供给ü 尺寸：23mm×29mm×6.5mm探测器频率宽度依赖的光敏反应

Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点：1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间：15 ps - 500ps3.带宽：highest达25 GHz4.光谱范围：170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用：1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号：快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器，上升时间15ps，带宽25 GHz，光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入， FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数，请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。

亚太赫兹超快探测器 TeraSense公司简介： TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商，主要产品包括：低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队，包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位，代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果，并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。 产品介绍： TeraSense生产出了超快亚THz辐射探测器。它在0.05 - 0.7THz的带宽范围，具有亚纳秒响应时间，以及很高的敏感度。为了满足客户的需求，可以对设备的尺寸和输出连接器进行调整。 TeraSense的超快探测器的响应时间，始终少于150 ps。探测器可以在0.1- 3THz的频谱范围内，被200 nJ，1 ps 激光脉冲激发，并且它的响应会被高速示波器记录下来。由于可以测量很短的响应时间，我们的探测器可以直接用于研究THz科学和电子通信的快速瞬变过程。技术参数： 响应时间: 150 ps 频谱范围: 0.05 THz - 0.7 THz 响应率 (典型值): 1 V/W 噪声等效功率 : 1 nW/Hz0.5 被动工作方式(无需电源) 敏感区域：3 × 3.5 mm 紧凑型: 23 x 29 x 6.5 mm 产品应用： 虽然其频率响应不是连续的，而是由多个频段组成的，TeraSense探测器仍然在很宽的频率范围内有很高的灵敏度。在生产阶段，响应率曲线的峰值位置可以进行调整，以满足客户的需求。 我们的超快高灵敏度亚THz探测器可以用来探索快速变化和瞬态亚THz信号和脉冲。Terasense超快探测器是表征，校准和调谐脉冲亚THz源的理想工具。

UPD超快光电探测器(Ultrafast_Photodetectors)品牌：ALPHLAS UPD产品简介： ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。完美的阻抗匹配和最先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。产品图片：特点： 超高速运行 上升时间：15 ps - 500ps 带宽：最高达25 GHz 光谱范围：170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用： 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量 UPD系列：Photodetector ModelRise Time(ps)Band-width(GHz)Spectral Range(nm)Quantum Efficiency@ PeakSensitiveArea (Dia. μm/mm2)Noise Equiv. Power (W/√Hz)DarkCurrent (nA)MaterialOptical Input / Window Type 1)RF Output Connec-tor UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMA UPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMA UPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMA UPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMA UPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMA UPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNC UPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNC UPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-3N-IR2-P 1506) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNC UPD-5N-IR2-P 2006) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P-1TEC 3) 75000 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC MSM超快光电探测器UltraFast产品简介：UltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)技术参数： UltraFast-20-xx UltraFast-35-xx 探测器类型MSM (Metal – Semiconductor – Metal)感应材料InGaAs带宽 (-3 dB)DC – 20 GHzDC – 35 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps 11 ps脉宽 (FWHM) 20 ps 18 ps波长范围400 nm – 1.6 μm最大响应度*0.24 A/W @ 810 nm 0.19 A/W @ 1.3 μm 0.12 A/W @ 1.5 μm0.12 A/W @ 810 nm 0.1 A/W @ 1.3 μm 0.06 A/W @ 1.5 μm偏置电压2 V – 9 V偏置输入接口SMC male标准射频信号输出口K-Type female* 跟耦合结构有关，响应度值可能会降低。 上海尖丰光电技术有限公司AOE TECH CO.,LTD 地址：上海市闵行区元江路3599号328室 邮编： 201109电话：传真：E-mail： 网址:

超快光电探测器产品简介： ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。 完美的阻抗匹配和最先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点： 超高速运行 上升时间：15 ps - 500ps 带宽：最高达25 GHz 光谱范围：170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用： 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量UPD系列：型号上升时间(ps)带宽(GHz)光谱范围(nm)量子效率光敏面 (Dia. μm/mm2)噪声相对功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型输入接口UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacleSMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, MgF2SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber,9μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 1506) 0.4800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 0.3800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P750000.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3)750000.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16±0.28Cr18.4518.32±0.80Mn1.630.0±0.55Fe64.5165.89±1.64Co0.10.00±0.40Ni12.1812.56±0.47Cu0.170.19±0.02Mo2.382.34±0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16± 0.28Cr18.4518.32± 0.80Mn1.630.0± 0.55Fe64.5165.89± 1.64Co0.10.00± 0.40Ni12.1812.56± 0.47Cu0.170.19± 0.02Mo2.382.34± 0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉（MCT）探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点：&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用：&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数：像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz（请联系PhaseTech了解更高的帧速率）比检测率（D*）4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声（1σ）*10次计数，超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸（21.6 x 10.2 x 25.9厘米） 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数（1000次拍摄时为1σ）垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比，信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸，直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序，可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf

一,中红外量子阱QWIP超快探测器 5um 26.5GHzMIR QWIP是基于先进的QWIP技术而研发的一款超快速中红外探测器。它的响应速度高达数十GHz，是市场上最快的检测器。它是表征QCL频率梳、构建外差仪器、开发中红外高带宽光学通信链路的完美工具。QWIP的技术是卡洛瑟托里教授在Pierre Aigrain实验室研发的。我们对包装和设备进行了优化，以适应低温下的超高速运行。同时，我们开发并优化专用偏置器和宽带射频放大器，以匹配设备的高端性能。技术参数产品特点市面上最快的中红外探测器响应速度至少 26.5 GHz基于QWIP技术工作温度77K波长:5 μm响应速度高达数十GHz高响应度专用和优化偏置器即插即用产品应用:QCL频率梳外差仪器高速中红外光学链路二,中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m这是一款超快中红外光电探测器，响应带宽超过20GHz (-3 dB)。它无偏压工作，不需要冷却，因此不需要外部电源。安装过程只需两个简单步骤:将SMA装置连接到测量仪器(示波器等)，并将入射光定向到内部聚焦透镜。中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m,中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m技术参数特征响应超过20GHz的超快中红外光电探测器频率响应范围 (-3 dB): 直流到 20 GHz敏感波长峰值: 4.65 µ m光敏性: 1 mA/W (典型值)无需冷却，无需偏置操作应用 外差检波高频/高时间分辨测量 一般参数参数描述单位连接器类型SMA—冷却非冷却—镜头聚焦透镜 *1—光圈4.5mm偏振方向在机身有标记 *2—*1入射光必须准直。*2 见 "表 4" 绝对最大额定值参数符号值单位工作温度*1Topr-10 至 +50°C储存温度*1Tstg-10 至 +50°C入射光水平Pmax1W/cm2*1 无凝结* 无需偏置操作* 环境温度: Ta=25 °C 电气和光学特性参数符号条件最小值典型值最大值单位敏感波长峰值P—4.604.654.70µ m光敏性Sλ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz0.51.0—mA/W探测率D*λ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz8.0 × 1081.5 × 109—cmHz1/2/W噪声等效功率NEP λ=λp, f0=1200 Hz—3.0 × 10-101.0 × 10-9W/Hz1/2截止频率fc-3 dB down, Zi=5Ω 1820—GHz终端电容Ctf=1 MHz—1.11.5pF并联电阻RshVmeas=10 mV7090110k * 环境温度: Ta=25 °C

PhaseTech JackHammer 中频红外探测器PhaseTech JackHammer 中频红外探测器是一种用于高重复率中红外激光系统的强大检测系统，能够以非常低的噪声在高达100kHz的频率下进行炮对炮采集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器非常适合中红外瞬态吸收、泵浦探针和二维红外实验中的高信噪比数据收集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要参数：波长范围~3-10μm（1000-3333 1/cm）源激光重复率≤100 kHz像素数32-128外部通道每32个像素1个数字分辨率16位（65536计数）有效动态范围典型值。10000比1暗噪声（标准偏差）。6个计数PhaseTech JackHammer 中频红外探测器功能和特点：&bull shot to shot采集模式&bull 平均片上采集模式&bull LabViewTM控制和采集VI&bull 噪音极低&bull 外部通道采集&bull USB连接PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要应用：&bull 时间分辨红外光谱&bull 2D红外光谱&bull 2D电子红外光谱 超低噪音暗噪声比激光噪声低一个数量级。典型的暗噪声约为6次计数（标准偏差超过500次） 可与现有MCT探测器一起使用JackHammer 可与旧的MCT阵列配合使用-升级您的旧探测器，使其与新的100kHz激光器配合使用。 专为超快而设计JackHammer的电路设计由苏黎世大学的Peter Hamm教授博士开发。哈姆教授拥有数十年设计超快实验采集系统的经验。PT_JackHammer_100kHz_Datasheet.pdf

产品介绍：mar345S 超快成像板探测器是一个在X射线衍射领域广泛应用的理想选择，可应用于蛋白晶体、小分子晶体、粉末衍射、纹理分析、小角散射等等衍射数据采集。Mar345S采集面积直径达345mm，读出速度可达每幅9s，具有理想的像素大小和采集速度、高信噪比、高稳定性和高转换效率，可以配备自动化操作的mardtb“desktop beamline”测角仪和其他测试平台；由于具有性价比、优质的数据质量、操作简单、高稳定性和免维护等特点，在国际上得到用户的高度评价，目前广泛应用于全球学校科研实验室、同步辐射实验室、以及其他X射线科研领域。技术参数：产品参数 像板直径345 mm 探测区域直径180 mm，240，300，345 mm可选 探测器像元150 μm ine & 150 μm fast(on request: 100 μm & 150 μm fast) 灵敏度1 X-ray photon per ADC-unit at 8 keV 能量范围4 keV to 100 keV X-ray photons 固有噪音 1 photon equivalent 动态范围1 : 131.000 (17 bits) 外径尺寸515 mm x 398 mm x 350 mm (W x H x L) 重量53kg 最大工作湿度70% 最大工作温度24o C 通信接口Ethernet (RJ45), 10 MBit/sec 阅读擦除周期 扫描直径180mm240mm300mm 345mm扫描模式FineFastFineFastFineFastFineFast读出时间（秒）189301547235830扫描周期（秒）3427483466438053

单光子计数模块|硅APD探测模块SPDSi|Si-APD单光子探测器 单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到最佳状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得最佳的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。技术特点： 高探测效率：65%@700 nm500 um光敏面积TTL数字信号输出低暗计数低后脉冲低时间抖动 应用领域： 荧光测量 激光测距量子通信 光谱测量光子关联 自适应光学 Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器 Fig3. Si单光子探测器结构图 产品参数：参数规格 参数值单位供电电压*122 -28V供电电流0.5A光谱响应范围200 ----1060nm探测效率@200 nm@700 nm@850 nm@1060 nm 265453%暗计数200 -2000cps死时间50ns后脉冲3 - 8%时间抖动300 - 500ps饱和计数率*210Mcps光敏面积500umAPD制冷温度-20℃工作温度-15 - +50℃输出信号电平LVTTL 输出信号脉宽530ns门脉冲输入电平Disable=LVTTL lowEnable=LVTTL high 0-0.42 -3.3V产品说明：1.不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。2.APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。3.在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。4.SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。5.同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。6.SPDSi支持空间和光纤接口接入。单光子探测器选型：

超快阴影泵浦探测系统主要利用调节pump和probe光之间的光程差来进行测试。首先激光打在样品上，样品表面会产生一定程度的损毁，由于本过程很快（ps量级）因此单使用相机连续采集不能够完整的观察到整个损毁的过程。在本仪器中，当每一次激光打在样品后，便可通过延迟线调节两个光脉冲之间的延迟，从而分别采集激光打在样品后不同时刻样品损毁情况。系统主要技术指标l 高速光学延迟线：光学延迟线最快速度 400mm/s，精度 0.1微米l 检测时间窗口范围：8nsl 探测器：ICCDl 探测时间分辨率：1.5倍激光脉宽l 泵浦光和探测光光路各配置 BBO晶体用于倍频（可切换）l 激发光聚焦镜头： 20X、50X（可选配）l 成像镜头（接 CCD）（放大倍数可调 2x-24x）l 全自动样品二维电控移动平台（软件控制）l 可实现功能：超快光损伤检测、等离子溅射检测应用实例1、超快时间分辨光损伤检测：如图所示，整个采集过程可检测不同超快时间尺度下，激光对样品表面的损伤程度。2、样品等离子溅射检测本功能主要利用相机快门采集功能以及延迟来采集不同时刻，样品等离子体溅射过程。整个测试流程是激光聚焦打在样品上，样品会产生等离子体此时相机的曝光时间固定，曝光时间就相当于一个“门”，再通过时序来调节“门”相对于激光打在样品上的时间为0来进行延迟，从而分别拍出不同时间等离子体的溅射过程。本功能还可以进行长时间尺度测试。

NLIR（非线性红外传感器）公司是由丹麦技术大学(DTU Fotonik)光子学工程系的3名研究人员和NLIR的首席执行官创立的一家初创公司，隶属于Nynomic集团。该公司基于新颖的上转换专利技术，开发了中红外光谱仪、单波长探测器和光源等一系列产品。相较于传统的红外光谱仪，NLIR公司的同类产品具有快几个数量级的光谱扫描速度和更高的灵敏度。上转换技术的核心是可将中红外光转换为近可见光的非线性晶体。这使得可以使用快速高效的硅基传感器来检测中红外（MIR）光。非线性中红外光谱仪的实现代表了一种新测量范式。该公司被命名为非线性红外传感器(NLIR)，以突出与当今领先的傅里叶变换红外光谱(FTIR)的MIR光谱方法的技术差异。NLIR公司开发的产品可广泛应用于中红外光谱领域，如光谱测量、光学镀膜、激光系统诊断、光纤光谱探针（样品检测）、实时工业过程监控、颜色识别、快速事件光谱分析、弱光光谱测试、自由空间光通信等。 中红外探测器面临的最大挑战通常是大量的固有噪声，并且它们从周围环境中收集大量噪声。NLIR单波长探测器通过使用窄带和高效的上转换技术以及低噪声硅基探测器来突破这两个限制。处理细节在即插即用探测器模块中完成，其中红外信号与NLIR的高功率泵浦激光器混合，以产生可被各种高响应硅基探测器检测到的近可见信号。如果客户不需要超弱光信号检测，NLIR还提供宽带解决方案搭配中红外探测器使用，这些解决方案会降低效率，但适配客户的宽带光源，并可产生高速和低噪声的中红外信号。 NLIR先进的中红外探测器产品可以满足客户对小信号和快速信号的探测需求。 产品特点-高达10 GHz的电气带宽-2.2–5.0 μm中心波长-高达GV/W响应-自由空间或光纤耦合输入-即插即用，内置前置放大 应用领域-脉冲表征-快速事件分析-超低电平信号提取-自由空间光通信-遥感-QCL和OPO光束分析 测量中红外纳秒脉冲来自NKT Photonics MIR紧凑型超连续谱源的光，以40 kHz发射5 ns脉冲，覆盖2 μm至4.2 μm的光谱，使用两个不同的点探测器进行测量。MIR 单色器选择波长为 2.4 μm 的 20 nm 带宽，输出耦合到 200 μm 的 MIR 光纤。光纤的输出依次发送到两个探测器中的每一个：NLIR 240 MHz 2.4 μm 单波长探测器（衰减为 50 dB）和市售的 9 MHz InAsSb 探测器，可直接曝光。图显示了两个探测器的响应。产品参数 型号D2250-DCD2250-2MD2250-100MD2250-240MD2250-1GD2250-10G中心波长（μm）2.2-5.0 (调谐可选2.7-4.3 μm)光学带宽（1），（2）（nm）15-200电气带宽，3dB（Hz）DC-20DC-2×106103-1006103-240×106103-1×10920×103-109噪声等效功率(W/√Hz)10×10-153×10-130.5×10-120.5×10-122×10-121×10-9最小探测功率（3）（W）45×10-154×10-105×10-98×10-96×10-8100×10-6交流电响应（4）(V/W)NA20×106600×103300×1033×103120直流电响应（4）(V/W)200×10920×106NANANA50暗噪声标准差(mV)93.56446输出电压，限阻50Ω（V）104.71.51.510.45抬升时间（10%-90%）（ns）NA1703.41.410.340.034输入接口类型（5）SMA光纤接头（可拆卸用于自由空间光输入）偏振方向垂直最佳输入光斑尺寸（mm）0.5（可定制）最大操作温度（℃）30尺寸（高×长×宽）（mm3）100×306×200重量（kg）5封装4×1英寸支柱（1）最小带宽取决于中心波长，中心波长越长，最小带宽越大；（2）带宽可根据要求选择：更宽的带宽会降低响应值；（3）最小功率是在全电气带宽情况下测得；（4）该参数是在中心波长为3.5 μm的最小光谱范围条件下获得；（5）使用数值孔径（NA）为0.26的200 μm光纤可获得较好测量结果。

LD滨松光子能提供常规的半导体激光器、半导体激光器Bar模块、超快半导体探测器、太赫兹波天线等产品 应用领域电视、手机等液晶面板发光校正各种模拟人眼的应用场合光开关复印机、打印机、传真机中的光信号探测激光探测产品列表产品名称峰值波长（nm）功率（W）工作电流（A）备注 L76508500.020.07A连续（CW）L104528080.50.65连续（CW）L876380811.2连续（CW）L882880822.4连续（CW）L1040280855.6连续（CW）L927783011.2连续（CW）L1137391511.2连续（CW）L1137491555.5连续（CW）L1041594011.2连续（CW）L1052694022.3连续（CW）L941898011.2连续（CW）L66908701010脉冲L70558703030脉冲L70608703535脉冲L977780855.6连续（CW）L822783030mW× 120.065连续（CW）阵列L84148300.0030.1超发光L101078700.0030.11超发光L11348系列87020/60/907/20/303 Stack 脉冲激光器L841080830 高功率激光器模块Funryu-cooling（水冷散热片）L8411808100 高功率激光器模块珀尔帖、水冷、水冷散热三种可选择模式L841280820 高功率激光器模块水冷L841380815 高功率激光器模块珀尔帖电冷

探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品，能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数，如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管，有库存随时发货，包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管。校准特性：在光电二极管的整个光谱范围内，每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度，并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05（Ø 0.535英寸-40）和SM1（Ø 1.035英寸-40）外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头（SM05PD系列）或BNC接头（SM1PD系列）提供的。该光电二极管可分为A型（阴极接地）或B型（阳极接地）布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管，设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性，是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管，用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化，以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤：FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤，780-970纳米，芯径5微米，数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP，单模光纤，610-770纳米，芯径4微米，数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤，320-1000纳米，芯径62.5微米，数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射，同时单模光纤也能抑制模式干扰（也称为MPI－多路径干扰），是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要，可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动，传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米，然而，我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同，横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息，与光斑形状，尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值（300微伏有效电压），对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关，表示为以下方程，这里，&Delta R是分辨率，Lx是探测器长度，9毫米，en是输出噪声电压，300微伏有效电压，Vo是总输出电压水平，4伏特最大值因此，对于最高功率水平，分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装，提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和，结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的（NIST标定）和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口，能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口，这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型，硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感，最高灵敏度在500纳米（见图1）。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲，然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号，可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息，请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度，使之降低到环境温度以下，那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择，SPCM20A 和 SPCM50A，其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹，能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路，从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子，取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米，而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置：手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息，请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围：280&ndash 630纳米，或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益：阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔，用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变（0-1.8伏直流）电源（不包括）Thorlabs提供两种光电倍增管模块，结合了一个端窗型光电倍增管（PMT），外壳，以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器：PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围，PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极，与PMM02（点击规格标签了解详细信息）相比，它具有更高的增益，&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更低的暗电流，但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配，双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下，PMM02具有半透明的多碱（S20型）光电阴极，具有&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路，消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块，Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小，以及触电的风险。此外，该PMT模块由± 12伏直流电源（包括120伏和230伏插接适配器）和0&ndash 1.8伏的可变直流电源（不包括在内）供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹，可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E（8-32至M4）适配器。此外，在该模块的正面有4个4-40螺纹孔，使其与我们的30毫米笼式共轴系统 （点击笼式兼容性标签了解更多信息）兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖，该模块带有的SM1兼容内孔，可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此，成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外，使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器，这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应：185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管（PMT）模块设计使成像系统，如我们的激光扫描必备套件，更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测，并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽，这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1（1.035英寸-40）螺纹，可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直，可以和附带的滤光片立方插件配合使用，该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块（PMTSS2-SCM），该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户，我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹，可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线，用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的，该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米，高灵敏度型号185-900纳米，标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通：440 ± 40纳米带通：525 ± 50纳米长通：600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管（PMT）单元，用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带，标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个（PCU1B）或者两个（PCU2B）高灵敏度低噪声PMT模块（详细信息请看表格）。双PMT单元（PCU2A或者PCU2B）是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择，因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片，能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间，或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片，请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机，以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备，提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用，我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入，可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机，C形安装 CCD相机，C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性（CG和AG）偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围，以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地（CG）以及阳极接地（AG）光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列，我们的光电流放大器符合RoHS标准，此外，还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。

天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国TERASENSE超快速太赫兹探测器Ultrafast产品型号：Ultrafast关键字：TERASENSE超快速太赫兹探测器Ultrafast关键字描述：该探测器被200 nJ 1 ps激光脉冲激发，其光谱范围为0.1至3 THz，其响应由高速示波器记录。产品介绍：采用新的物理原理响应时间150 ps以0.05 – 0.7 THz的频率运行无需电源紧凑的尺寸：20x30x7毫米低成本TeraSense的超快探测器始终显示出低于150 ps的响应时间。通过直接观察其脉冲响应功能可以证实这一点。该探测器被200 nJ 1 ps激光脉冲激发，其光谱范围为0.1至3 THz，其响应由高速示波器记录。响应功能显示受示波器4 GHz带宽限制的150 ps上升和下降时间。所测得的短响应时间使我们可以将检测器用于THz科学和电信中快速瞬态过程的直接调查。TeraSense探测器在很宽的频率范围内敏感。但是，它们的频率响应不是连续的，而是由多个频带（峰结构）组成。响应曲线上的峰值位置可以在制造阶段进行调整，以适应特定客户的要求。超快的高灵敏度亚太赫兹检测器旨在探索快速变化的瞬态亚太赫兹信号和脉冲。Terasense探测器实际上正在加快 高速无线电信网络的出现，而 高速无线电信网络将在不久的将来发生。Terasense超快检测器还是脉冲亚太赫兹源的表征，校准和调谐的工具。参数：响应时间：150 ps频谱范围50 GHz – 0.7 THz响应度（典型）：0.5 V / W噪声等效功率：2 nW /√Hz尺寸：23х29х6.5毫米阻抗：50Ω输出连接器：SMA天津瑞利光电科技有限公司是一家集研发、工程、销售、技术服务于一体的现代化企业，是国内自动化领域有竞争力的设备供应商。公司主要经营欧美和日韩 等国的机电一体化设备、高精度分析检测仪器、环境与新能源工业设备及电动工具等工控自动化产品。 凭借成熟的技术与商务团队， 公司在为客户带来 产品的同时还可提供自动化工程技术服务及成套解决方案。

美国U2D公司基于微结构半导体中子探测器（MSND）技术的中子剂量计、中子能谱仪便携式包装中子能谱仪——中子源辐射的准确定位和识别新一代中子剂量当量仪——重量只有8磅，坚固耐用，比传统中子剂量仪测试更精准 这种中子探测器的产品应用：1）防扩散国土安全的中子源定位和识别2）辐射安全管理、核反应堆现场安全分析等各种核安全领域的中子剂量当量的精准测量 产品优势：微结构半导体中子探测器具有位置分辨率好、时间响应快、体积小、工作电压低等优点，同时也解决了平面型半导体中子探测器探测效率低的问题；这种最新技术的中子探测器

双红外加紫外火焰探测器 MIC-200-UVIR2MIC-200-UVIR2火焰探测器结合了紫外和双红外探测技术，能提供快速、准确和可靠的火灾探测，且提高了对错误光源的抗干扰能力，能更远距离的有效探测火焰。MIC-200-UVIR2探测器依配备2个红外传感器和1个紫外传感器，具有反应速度快，灵敏度高优点。根据用户对灵敏度和延迟时间的设定，MIC-200-UVIR2探测器能有效地排除误报，且能适应在高危工业环境的应用。除一般应用外，特别适用于铁路机车灭火、军用装甲车辆及舰船的爆炸压制、氢气燃烧火焰。MIC-200-UVIR2探测器的防爆壳在户内和户外都能牢固而准确的安装，高亮LED可显示探测器的状态，其自动测试功能可保证探测器在任何时候都能充分发挥其功能。双红外加紫外火焰探测器特点：1、 紫外及红外探测原理组合，误报率低 2、 高速响应火焰 3、 内置高性能微处理器 4、 优异的抗射频和电磁干扰性能 5、 可靠的系统故障自诊断功能 6、 4-20mA、RS485、继电器三种输出方式可选 7、 专利信号处理算法，消除误报的可能性 8、 多级灵敏度设置，满足更多场合的不同需求9、 安装方便，探测角度可360°调节 10、 ExdⅡ CT6防爆等级，适用于1区和2区危险场所。双红外加紫外火焰探测器参数：

InGaAs单元探测器产品简介高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号PD-100M-APD-200M-APD-300M-APD-400M-APD-500M-APD-600M-APD-800M-APD-1G-APD-1.2G-APD-1.5G-APD-2G-APD-2.5G-APD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K5K30K30K30K20K15K15K3KV/A饱和光功率1401401404208408401401401402102802801400uWNEP5557789999999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(maxA光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*2075*55*25mmInGaAs蝶形单元探测器产品简介蝶形封装单元探测器集成低噪声PIN探测器以及跨阻放大器，探测器采用单电源供电；在兼具原探测器模块性能基础上，其尺寸更小，重量更轻，功耗更低，特别符合目前设备系统集成小型化趋势需求。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DPD-100M-ADPD-200M-ADPD-300M-ADPD-400M-ADPD-500M-ADPD-600M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K4KV/A最大输入光功率130130130390780970pWNEP555778pW/Sqrt(Hz)输出阻抗505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDC供电电压5555512V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪单元探测器产品简介超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出，在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。产品特点噪声超低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UPD-100M-AUPD-200M-AUPD-300M-A UPD-400MAUPD-500M-A UPD-600M-A UPD-800M-AUPD-1G-AUPD-1.2G-AUPD-1.5G-AUPD-2G-AUPD-2.5G-AUPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K15K15K30K30K30K30K30K30K6KV/W饱和光功率140140140420280280140140140420140140700jwNEP2.22.22.22.73.13.13.33.33.33.33.33.33.3pW/Sqrt(Hz输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压555551212121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.3A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2065*50*2580*90*25mmSi单元探测器产品简介Si单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号PD-100M-BPD-200M-BPD-300M-BPD-400M-BPD-500M-BPD-1G-BPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mmInGaAs雪崩单元探测器产品简介雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号APD-100M-AAPD-200M-AAPD-300M-AAPD-400M-AAPD-500M-AAPD-600M-AAPD-800M-AAPD-1G-AAPD-1.2G-AAPD-1.5G-AAPD-2G-AAPD-2.5G-AAPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz响应度999999999999V/W跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K200K150K150K30KV/W输出阻抗50505050505050505050505050饱和功率13131339787813131320262678uWNEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2080*90*25mmSi雪崩单元探测器产品简介Si雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的 影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探 测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号APD-100M-BAPD-200M-BAPD-300M-BAPD-400M-BAPD-500M-BAPD-1G-BAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050饱和功率13131313131330uWNEPO.180.180.180.180.180.20.2pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm

柱型图和图标多种方式 ★本地或远程传感器安装模式 ★可选的源型或漏型输出 , 也可单独使用 ★HARTTM 通讯标准协议 ,可远程诊断和控制 ★减少使用成本 ★全部操作可使用非接触型磁棒进行 ★毒气和氧气传感器可热插拔 ★耐用的催化燃烧和红外传感器 ★维护期间输出抑制信号 ★便于安装 ★集成墙面安装孔 , 也可选配管道安装套件 ★5xM25或 3/4”NPT标准电气接口 ★便于装卸的模块使接线更轻松 典型应用 ★海上油气平台 ★油气矿钻探 ★炼油厂 ★化工和石化装置★油气储运 ★气站 ★电厂 有效的气体检测系统通常需应用多种检测技术 , 包括点式可燃气探测器 ( 催化燃烧或红外型 ), 有毒气体和氧气电化学探测器 , 开路红外探测器等 ,XNX 提供了一个通用的变送器平台使所有这些探测器都可转化为标准的工业信号以满足各种不同的实际需求 , 当装置的信号需求发生变化时 ,XNX 可简便的调整为新的输出信号 , 同时 XNX可通过加入新的模块来满足未来可能产生的新的工业信号标准 , 一个通用的气体变送器平台为长期的使用带来很多益处 , 统一的工具和安装方法以及备件可降低安装维修成本 , 统一的操作模式学习起来更加简单 , 减少了培训时间的同时也降低了工作失误的风险 ,XNX 帮助你在需要的位置使用*合适的气体探测器而无需考虑信号问题 , 将各种探测器通过统一的平台转化为各种需要的信号模式。

DR是Digital Radiograph（便携式DR成像系统）的缩写。由平板探测器、X射线机、X射线机同步控制单元、控制模块、交流电缆线、数据线、接口盒、便携式电脑和软件等组成。平板探测器主要特点： 1、采用优质高效的HSG+闪烁体材料，闪烁体层厚度按照工业使用需求专门设计，使得探测器具有更好的光子捕获能力，获得更高的信噪比。2、优异的成像质量：选用成像质量稳定的DDA非晶硅成像板，采用140μm像素TFT工艺，使得空间分辨率和光子俘获效率均达到了最适合工业使用的均衡。3、成像板具有低散射及高灵敏度的特点，使成像系统具有高成像解析度及信噪比，16bit高动态范围图像灰度值范围大、厚度宽容度高、层次丰富、便于调节观看。4、超薄设计：特殊设计的超薄平板探测器厚度，可以插入排管缝隙、墙边管线等狭小空间，超窄边框成像盲区小于3mm，使管道弯头焊缝等位置也可以布置拍摄。5、远程操作：探测器内置无线模块的同时也配置有外部快装式高性能天线，无需外部放大模块就能满足大于100米的野外使用距离，现场使用更具便携性。6、在没有交流电源的野外，平板探测器可以采用内置电池供电，单电池工作时间持续6小时以上（标配两块电池）7、在固定场所作业时，可通过DC端口持续供电，免于频繁充电和更换电池。8、存储：探测器内部含有存储单元，可脱离工作站独立工作，可存储图像不少于200幅。9、校正：探测器内置校正文件，可便于现场校正使用。10、预览方式：无需专用软件即可通过手机、平板电脑的通用网络浏览器预览并共享图像。11、防护等级：可达IP67（提供第三方测试报告）12、图像软件可一键自动控制标配射线机与平板探测器的同步工作，可匹配主流品牌型号的脉冲射线机和高频恒压射线机，手动控制曝光。13、同时具备有线与无线通讯功能，成像板可由用户任意选择无线或有线连接电脑。14、具有多次曝光叠加降噪功能，叠加合成图片，消除随机噪声，提高图像信噪比 。15、具有能量融合、局部增强、腐蚀测量、多档灰度对比度预置一键调整图像等优化功能。16、软件支持用户二次开发不同应用。平板探测器技术参数：图片 型号PIXX3543N传感器非晶硅闪烁体硫氧化钆 GOS像素矩阵2560*3072像素区域350mm*427mm像素间距140μm能量范围40-300kvp动态范围16bit触发方式软件触发、AED自动触发、连续触发图像捕获时间3-5秒数据传输时间小于1秒尺寸420.5 x 461 x 15mm重量≤4.2kg外壳碳纤维/铝合金供电锂离子聚合物电池、DC直流防护等级IP67 rated无线标准Gigatit WIFI 802.11AC有线标准千兆以太网、RJ45端口便携移动双侧把手位应用：电力耐张线夹检测，电力GIS设备检测，无损检测，安检排爆，考古等领域。

InGaAs光电平衡探测器产品简介高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电 源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号MBD-100M-AMBD-200M-AMBD-300M-AMBD-400M-AMBD-500M-AMBD-800M-AMBD-1G-AMBD-1.5G-AMBD-2G-AMBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K30K30K15K15KV/A最大输入光功率140140140420840140140140280280pwNEP5557799999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACDC供电电压555551212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*2575*55*25mmInGaAs蝶形平衡探测器产品简介蝶形封装光电平衡探测器集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器，采用单电源供电。可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。该探测器在兼具原模块性能同时尺寸小、重量轻、功耗低特别适合于模 块以及系统集成。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DBD-100M-ADBD-200M-ADBD-300M-ADBD-400M-ADBD-500M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5KV/A共模抑制比3030303030dB最大输入光功率130130130390780pwNEP55577pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC供电电压55555V供电电流0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)A光学输入S MFC/APC(PM可选)射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪平衡探测器产品简介UBD系系列超低噪平衡探测模块是原MBD系系列基础上升级产品，相比较原MBD系列在其他参数相同条件下其本底噪声显著降低，在相同带宽以及增益条件下，其本底噪声约为MBD系列模块三分之一，因此灵敏度更高，信噪比更高。产品特点超低噪声高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UBD-100M-AUBD-200M-AUBD-300M-AUBD-400M-AUBD-500M-AUBD-800M-AUBD-1G-AUBD-1.2G-AUBD-1.5G-AUBD-2G-AUBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.2G300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K10K30K30K30K30K30K30KV/W最大输入光功率140140140210420140140140140140140uWNEP2.52.52.52.93.13.13.13.13.13.13.1pW/Sqrt(Hz)共模抑制比3030303030303030303030dB输出阻抗5050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACAC供电电压55555121212121212供电电流0.5(max0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)光学输入FC/APC(自由空间可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi平衡探测器产品简介Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-BMBD-200M-BMBD-300M-BMBD-400M-BMBD-500M-BMBD-1G-BMBD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*25mmInGaAs雪崩平衡探测器产品简介雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离 电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量测试结果产品参数产品型号BAP D-100M-ABAP D-200M-ABAP D-300M-ABAP D-400M-ABAP D-500M-ABAP D-600M-ABAP D-800M-ABAP D-1G-ABAP D-1.2G-ABAP D-1.5G-ABAP D-2G-ABAP D-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G1.5G2.5GHz探测器响应度99999999999A/W@1550nm跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K300K200K150K150KV/W饱和光功率131313397878131313202020输出阻抗505050505050505050505050NEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压555555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5{max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi雪崩平衡探测器产品简介Si雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪 声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源 的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAP D-100M-BBAP D-200M-BBAP D-300M-BBAP D-400M-BBAP D-500M-BBAP D-1G-BBAP D-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度25252525252525A/W@850mm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050NEP0.180.180180.180.180.180.2pW/V(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max]0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm

产品说明光电二极管是一种光电探测器件，功能类似于普通的信号二极管，但在结半导体的耗尽区吸收光时，会产生光电流。光电二极管具有两种工作模式：光导模式(反向偏置)或光伏模式(零偏置)，工作模式的选择取决于应用中的速度要求和可容许的暗电流(漏电流)大小。根据入射光正确确定期望的输出电流水平和响应度很有必要。本公司提供一系列光纤耦合、高速、高带宽探测器，TVS-PD系列光电探测器工作在反向偏置模式下，内部有偏压电池，通过SMA同轴连接器输出，可以直接连接至示波器进行监测，可方便检测超快激光器的脉冲序列。产品应用脉冲监测、脉冲激光器光信号检测产品优势高速：带宽可达3.2GHz操作简单：FC光纤输入，直插直用探测范围宽：800-1700 nm定制化：可根据用户需求定制不同参数的光电探测器技术参数参数数值型号TVS-PD波长800~1700 nm带宽3.2 GHz（-3dB）光输入接口FC / PC灵敏度0.9 A/W（@1550 nm）输出电压0~2 V负载50 Ω结电容0.6 pF（典型值）暗电流0.1 nA（典型值）输出接口SMA输出耦合方式DC耦合尺寸73 x 67 x 23.5 mm

仪器简介：软X射线探测器分为AXUV系列，SXUV系列 ，UVG系列 这三个系列，其中AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器。SXUV系列探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。技术参数：AXUV系列 AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器，由于不同于常见的pn结二极管，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化。 IRD还提供与Cr,W,Au,Fe,Al等滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 SXUV系列 由于在硅PN结光电二极管前耦合铂硅化物入射窗，使得探测器可以探测超紫外光子（能量范围4ev&mdash 12KeV）。这些探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。 IRD还提供与Zr，Si3N4,Si,SiC,Mo,Al滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 当脉冲能量超过20mJ,IRD还开发了带衰减器的探测器，以减少UV/EUV脉冲射线对探测器的冲击。 UVG系列 UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。与传统的二极管不同的是，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化主要特点：1.软X射线可直接照射探测器，无需闪烁晶体做转换 2.按可检测X射线能量范围不同及应用的需要，分为AXUV,UVG和SXUV三大产品系列，最低可检测0.04nm的软X射线 3.快速响应的探测器，响应速度达到ps量级 4.多元阵列，积分放大电路，并可根据需要集成带通滤光片 5.四象限位置传感器（Quadrant PSD）

武汉东隆科技为美国Quantum Opus的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！Opus One 超导纳米线探测器系统Opus One™ 超导纳米线探测器系统配有定制的紧凑型桌面低温恒温器（预先安装的16/32通道以及低温恒温器中的所有电接线），光学实验室友好型水冷压缩机（低空气循环，低噪声，低热量输出），偏置和高速放大器电子元件以及易于使用的软件控制库。 专有的纳米线材料允许纳米线工作在 2K，降低低温系统的复杂性，并允许系统连续工作3年。Opus One 是基于超导纳米线技术的单光子探测器，在1550 nm的探测效率高达85 %，通过对谐振腔的调节 ， 可以将提供特殊设计、订购和组装。700~1300 nm指定波长的探测效率提高到90%。除此之外，该探测器还拥有极低的暗噪声和超快的时间分辨率， 计数率高达40Mcps。产品特点 工作温度在2.5k即可达到高探测效率支持定制规格支持定制宽波段响应3U 紧凑化设计低噪声水冷压缩机2um以上红外响应定制 产品应用 量子光学量子计算量子密钥通信低通量生物光子学荧光测量参数 * 可定制更高探测效率850nm 950nm 1310nm 1550nm SDE 90%90% 80%*80%*暗计数率 1Hz 1Hz10Hz100Hz时间抖动 80ps80ps 100ps100ps脉冲幅值 600mV600mV300mV300mV死时间 50ns50ns50ns50ns

德国Alphalas公司创建于1997年，主要是激光器及激光设备供应商。主要产品有：分秒、皮秒和亚纳秒脉冲激光器，超快光电探测器等。 UPD系列超快光电探测器适合从DC到25GHz的光学波形测量。多种型号的上升时间低至15皮秒，光谱范围从170到2600纳米。所有光电探测器都是封装在坚固紧凑的铝制外壳中，使用电池或者外部电源偏置。硅光电探测器的紫外扩展版本是一个可覆盖170到1100纳米光谱范围的商用产品。紫外灵敏的InGaAs光电探测器的另一种类型可以探测350到1700纳米的激光脉冲，因此是商用上可选的很宽的波长范围和很高的探测速度。理想的阻抗匹配和先进的微波技术确保了无需振铃或人为操作就能测量脉冲波形。客户可以使用50Ω终端电阻完成超快速工作，或者使用高阻抗负载获得大信号。这个特点保证超大的灵活性，能用于多种应用。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究必不可少的工具。 光电探测器特点 应用超快工作速度上升沿时间: 15 ps带宽: 上限 25 GHz光谱范围: 170 - 2600 nm (UV to IR)紧凑式设计外部电源和电池自由光束/ FC-PC接口/尾纤式脉冲测量脉冲间隔测量精确的同步模拍频监控外差振荡测量超快光电探测器 (UPD Series) - Available ModelsUPD系列：可选型号 型号上升时间 (ps)带宽(GHz)光谱范围 (nm)峰值量子效率 感光面积直径μm / mm2)噪声等效功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型RF输出接头类型UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.1InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?0.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 -170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.3InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?5000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-1?0.5InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Polished, MgF?SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-1?0.8InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 2? 100 3.0400 - 200080%80 / 0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Polished, MgF?BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 150 ?? 0.4 ??800 - 210075%300 / 0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 ?? 0.3 ??800 - 260070%300 / 0.077.0 ×10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000 / 3.144.0 ×10-1?5InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3? 75000 0.004900 - 170075%2000 / 3.141.0 ×10-1?0.3InGaAsPolished, glassBNC备注 1. 漫反射窗口降低定位精度并以降低灵敏度3到5倍来增大损伤阈值。仅推荐用于高峰值功率激光器。2. 该型号输出为负。所有其它型号默认都是正输出，可根据要求定制负输出。3. TEC冷却模式，非标准外壳。4. 改性材料增加蓝光/紫外灵敏度。5. 不兼容可选配的滤波片架。6. 可显著改善性能。