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磁电阻随机

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磁电阻随机相关的资讯

  • 磁电阻特性测试仪
    成果名称磁电阻特性测试仪(EL MR系列)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介:本仪器专门为材料磁电阻特性测试而设计的,采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连,数据采集迅速准确;用户界面直观友好,极大地方便了用户的使用。MR-150型采用电磁铁产生强磁场,高精度名牌仪表采集数据,精度高稳定性好适合科研中各类样品的磁电阻特性测试。MR-4型采用亥姆霍兹线圈产生磁场,无剩磁。采用高精度名牌仪表采集数据,精度高稳定性好适合科研中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。MR-2型采用集成化主机和多通道USB接口数据采集卡采集数据,稳定性好适合科研教学中性能较好的磁电阻样品测试。MR-1型采用手动调节磁场和人工读数,适合与大中专院校本科生研究生的专业实验中使用。主要技术参数:一、系统控制主机:内含可1路可调恒流源(0.3mA~50mA)、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡;功耗50W。二、自动扫描电源:0~± 5A,扫描周期8~80s。三、亥姆霍兹线圈:0~± 160Gs。四、测量专用检波与放大电路技术参数:输入信号动态范围为± 30 dB;输出电平灵敏度为30mV / dB;,输出电流为8mA;转换速率为25 V /&mu s;相位测量范围为0~180° ;相位输出时转换速率为30MHz;响应时间为40 ns~500 ns;测量夹头间隔10mm。五、计算机为PC兼容机,Windows XP或Windows 7操作系统。 六、数据采集软件在Windows XP和Windows 7操作系统均兼容。应用前景:本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。目前该仪器已经应用在北京科技大学材料学院及哈尔滨工业大学深圳研究生院的研究生实验教学及课题组科研测量中,取得良好的成效。知识产权及项目获奖情况:本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术,曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。
  • 高精度MOKE磁性检测系统助力中国磁随机存储技术的腾飞
    磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)利用磁隧道结自由层磁矩取向不同引起的磁阻不同作为存储单位0和1,同时结合传统的磁存储(PMR)非易失性及静/动态随机存储器(SRAM/DRAM)读写速度快的双重优点,在科研及工业界广受欢迎,并被认为是替代传统随机存储器的下一代存储技术的潮流和趋势。随着自旋转移矩效应(Spin Transfer Torque, STT)的发现及迅速应用,长期制约MRAM由科研阶段向工业量产阶段转变的技术难点“写入困难”被成功解决,同时为了进一步提高磁随机存储器的存储密度,近年来垂直取向的磁随机存储单元-隧道结(MTJs)取代了水平取向的磁随机存储单元,与STT技术一道成为了新的磁随机存储技术-垂直型STT-MRAM。图1 MRAM晶圆及MTJs存储单元 MRAM器件化和产业化的关键是对晶圆的磁性薄膜及磁性存储单元的生长和性能实现控制,特别是存储单元中的核心部件磁隧道结(MTJs),磁隧道结一般由磁性各异的多层膜构成,而隧道结终的性能又由多层膜中各层薄膜的性能所综合决定,然而MTJs的多层膜中每一层的厚度一般在几纳米至几十纳米之间,每一层的磁矩信号都非常弱(5*10-6emu),因此需要高精度的磁性检测设备来对晶圆薄膜及磁性存储单元的磁学性能进行测试,并反过来监控和改进晶圆的生长工艺。 图2 PKMRAM_300设备 美国Microsense公司的垂直磁随机存储器晶圆专用的PKMRAM_300型MOKE系统为目前少数可实现大尺寸晶圆(直径300mm)的高精度磁性检测设备,具有检测灵敏度高,测量精度高,测样速度快,设备操作高度智能化和自动化的特点,可实现无人值守式工作,因此在全球磁随机存储器研发生产单位中广受欢迎。 图3 PKMRAM_300典型测试结果图 日前,国内套PKMRAM_300正式落户杭州,将在新型磁随机存储器技术的研发及实现量产化的进程中发挥作用。祝愿此次PKMRAM_300 磁随机存储器磁检测系统的落户,能够帮助科学研究人员在磁随机存储技术领域内取得更多突破,在范围内占据技术点。相关产品链接:磁电阻随机存储器向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202460.htm面内磁存储纵向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202463.htm充磁系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C203306.htmDiskMapper H7 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202452.htm
  • 中科院微观磁共振重点实验室成功实现高分辨电阻抗医学成像
    p  记者从中国科学技术大学获悉:该校杜江峰院士领导的中科院微观磁共振重点实验室在医学电阻抗成像方面取得重要进展,他们利用参数化水平集方法实现了高分辨的电阻抗图像重建。该成果发表在医学成像领域国际顶级期刊《医学影像》上。/pp  电阻抗成像技术是根据生物体内不同组织在不同功能状态下具有不同电阻抗的原理,通过在生物体体表注入安全激励电流,测量体表响应电压,重建生物体内部的电阻抗分布,从而反映体内结构及功能的新型医学成像技术。由于电阻抗成像具有功能成像的特点,而且对人体无害、使用方便、设备价格相对低廉,成为近年来国内外研究的热点。但电阻抗重建图像通常分辨率较低且对模型误差极为敏感,因此开发高效、稳定且具有高分辨能力的成像算法是电阻抗技术的关键和难点。/pp  杜江峰院士团队通过利用近年来发展起来的参数化水平集方法及临床医学上现有信息,设计了新的电阻抗成像算法,成功实现高分辨的电阻抗图像重建,并通过大量仿真实验验证了算法的有效性和可行性,结果表明该算法不仅具有高分辨图像重建能力,而且对医学电阻抗成像中普遍存在的模型误差、参数优化设置方式等具有很好的稳定性。/pp  据介绍,该研究成果有望推动电阻抗成像技术向更为实用的应用方向发展,例如肺部临床电阻抗成像等。/p
  • 绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么?
    绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么?绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前请仔细阅读以下内容,否则将造成仪器损坏或电击情况。1. ◇检查仪器后面板电压量程是否置于10V档,电流电阻量程是否置于104档。2. ◇接通电源调零,(注意此时主机不得与屏蔽箱线路连接)在“Rx”两端开路的情况下,调零使电流表的显示为0000。然后关机。3. ◇应在“Rx”两端开路时调零,一般一次调零后在测试过程中不需再调零。 4. ◇测体积电阻时测试按钮拨到Rv边,测表面电阻时测试按钮拨到Rs边,5. ◇将待测试样平铺在不保护电极正中央,然后用保护电极压住样品,再插入被保护电极(不保护电极、保护电极、被保护电极应同轴且确认电极之间无短路)。6. ◇电流电阻量程按钮从低档位逐渐拨,每拨一次停留1-2秒观察显示数字,当被测电阻大于仪器测量量程时,电阻表显示“1”,此时应继续将仪器拨到量程更高的位置。测量仪器有显示值时应停下,在1min的电化时间后测量电阻,当前的数字乘以档次即是被测电阻。7. ◇测试完毕先将量程拨至(104)档,然后将测量电压拨至10V档, 后将测试按钮拨到中央位置后关闭电源。然后进行下一次测试。8. ◇接好测试线,将测试线将主机与屏蔽箱连接好。量程置于104档,打开主机后面板电源开关按钮。从仪器后面板调电压按钮到所要求的测量电压。(比如:GBT 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 标准中注明要求在500V电压进行测定,那么电压就要升到500V)9. ◇禁止将“RX”两端短路,以免微电流放大器受大电流冲击。10. ◇不得在测试过程中不要随意改动测量电压。11. ◇测量时从低次档逐渐拨往高次档。12. ◇接通电源后,手指不能触及高压线的金属部分。13. ◇严禁在试测过程随意改变电压量程及在通电过程中打开主机。14. ◇在测量高阻时,应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽。15. ◇不得测试过程中不能触摸微电流测试端。16. ◇严禁电流电阻量程未在104档及电压在10V档,更换试样。技术指标1、电阻测量范围 0.01×104Ω~1×1018Ω2、电流测量范围为 2×10-4A~1×10-16A3、仪器尺寸 285mm× 245mm× 120 mm4、内置测试电压 100V、250V、500V、1000V5、基本准确度 1% (*注)6、内置测试电压 100V、250、500、1000V7、质量 约2.5KG8、供电形式 AC 220V,50HZ,功耗约5W9、双表头显示 3.1/2位LED显示安全注意事项1. 使用前务必详阅此说明书,并遵照指示步骤,依次操作。2. 请勿使用非原厂提供之附件,以免发生危险。3. 进行测试时,本仪器测量端高压输出端上有直流高压输出,严禁人体接触 ,以免触电。4. 为避免测试棒本身绝缘泄漏造成误差,接仪器测量端输入的测试棒应尽可 能悬空,不与外界物体相碰。5. 当被测物绝缘电阻值高,且测量出现指针不稳现象时,可将仪器测量线屏 蔽端夹子接 上。 例如: 对电 缆测缆 芯与 缆壳的 绝缘 时,除 将被 测物两 端分 别接于 输入 端与高压 端, 再将电 缆壳 ,芯之 间的 内层绝 缘物 接仪器 “G”,以消 除因 表面漏 电而 引起的测 量误 差。也 可用 加屏蔽 盒的 方法, 即将 被测物 置于 金属屏 蔽盒 内,接 上测 量线。
  • 物理所通过光学二次谐波产生揭示磁电耦合演变
    磁电耦合通常存在于多铁性体系中,即铁电有序性可以由磁场调控,同时(反)铁磁有序性可以由电场来调控,因此这一基本物理特性在多场调控、自旋电子学、传感和能源等领域中具有重要的基础研究意义和应用价值。而由于自支撑多铁性氧化物薄膜或二维体系的不稳定性和易碎性,传统方法限制了相关探测和研究,而使这些同时发生的电磁有序和耦合的表征、机制研究及耦合效应调控变得颇具挑战性。   中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心光物理重点实验室研究员金奎娟与中科院院士杨国桢课题组,致力于利用光学二次谐波产生(Second Harmonic Generation,SHG)表征及探测以揭示复杂氧化物薄膜的空间反演不对称、极化耦合和铁电有序演变等物理的研究。近年来,金奎娟带领的团队,先后围绕SHG探测异质结表面和界面的空间对称破缺,SHG探测氧化物铁电薄膜的铁电相态演变、具有超高热电性能(与华中科技大学张光祖团队合作)的ClO4分子的结构对称性破缺等开展研究。科研人员自主发展了宽温区、高真空度、多气体环境SHG光学探测平台,与清华大学教授林元华和中科院院士南策文团队合作,原位实时探测了弛豫铁电薄膜Sm-doped BiFeO3-BaTiO3中的极化耦合演变,发现并证实了具有超高储能密度的超顺电态。上述成果为发展更先进的SHG方法研究多铁体系中的磁电耦合奠定了基础。   近日,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心L03组博士研究生徐帅与毕业生王洁素(现为北京量子信息科学研究院副研究员)在金奎娟的指导下,使用脉冲激光沉积法制备了多铁性的外延BiFeO3(BFO)薄膜和自支撑BFO薄膜,并利用外加磁场的宽温区SHG技术研究了多铁性BFO薄膜中的磁电耦合效应。该团队系统地探究了不同应力调控下BFO薄膜中铁电有序和反铁磁有序随着外加磁场和温度的演化,并与物理所白雪冬研究员课题组博士陈潘合作,利用透射电镜给出不同应力调控下薄膜中铁电序的演变。   研究人员定义了一个光学磁电耦合常数——表示通过磁场控制多铁性材料中光致非线性极化的能力。研究显示,应变释放以后,自支撑BFO薄膜中光学磁电耦合常数的绝对值减小,且反铁磁有序和铁电有序均被抑制。研究发现,该光学磁电耦合常数在自支撑BFO薄膜中与在衬底上外延生长的薄膜中具有相同的量级,表明磁电耦合效应对于应变释放具有鲁棒性。研究观察到外延BFO薄膜中Néel温度(反铁磁-顺磁转变温度点)为618 K的一级相变和自支撑BFO薄膜中饱和磁矩,相较于外延BFO薄膜,发生了约7倍的增强,而后者主要归因于与电子自旋-轨道耦合相关的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的变化。进一步,研究发现,自支撑BFO薄膜中强大的磁电耦合效应在室温下仍然存在,预示着其未来在柔性多功能器件中的潜在应用。上述成果展示了SHG方法原位无损探测自支撑等多铁性薄膜或二维体系中铁电及反铁磁有序等物理性质的灵敏性和有效性。   近日,相关研究成果以Magnetoelectric Coupling in Multiferroics Probed by Optical Second Harmonic Generation为题,在线发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。北京大学科研人员参与研究。图1.自支撑BFO薄膜的制备及铁电性能表征图2.宽温区(各向异性)SHG和外加磁场(H)的各向异性SHG测试图3.M-H和外加磁场的SHG测试
  • 863项目“高密度存储与磁电子材料关键技术”取得突破
    p  阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术,在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间,863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日,科技部高新司在北京组织专家对该主题项目进行了验收。/pp  该项目开展了与CMOS工艺兼容的阻变与电极材料组合体系研究,研发的TaOx阻变存储器 芯片制造基于中芯国际集成电路制造有限公司8英寸0.13um标准逻辑生产工艺线,芯片级读取时间达到十纳秒级,写操作电压满足0.13um或0.11um技术代标准逻辑工艺IO承受电压 研发了低热导率的新型超晶格相变材料,研发了非对称环状微电极结构相变存储器单元,制备出了相变存储器阵列;开展了磁性隧道结等磁电子材料研究,制备了基于磁遂道结的磁传感器原型器件,完成了基于磁电子材料的具有非易失性锁存功能的双芯和三芯两种单通道数据隔离耦合接口芯片。该项目的实施突破了先进的高密度存储与磁电子材料器件的关键技术,培养了高水平信息存储与磁电子器件研发队伍,对于我国新型电子材料技术与信息产业的发展具有支撑作用。/pp  “十三五”期间,为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展,科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,并将“战略性先进电子材料”列为发展重点之一,重点围绕第三代半导体和微电子材料的研发,着力解决半导体及微电子产业面临的重大共性问题,在核心半导体材料的设计、生产工艺流程的优化以及关键技术的开发等方面形成突破,力争推动跨界技术整合,抢占先进电子材料技术的制高点。/pp/p
  • 创新工作:多铁性六角铁氧体中的巨磁电耦合效应
    多铁性是指铁电性、铁磁性、铁弹性等多种有序的共存。多铁性材料与磁电耦合效应不仅蕴含着丰富的基础物理问题,而且具有重要的应用前景,是近年来凝聚态物理和材料科学的一个研究热点。多铁性材料分为复合材料和单相材料两大类,复合材料的磁电耦合是利用界面效应实现的间接耦合,单相材料的磁电耦合是一种本征的体效应。在过去的十多年里,人们已经发现了种类繁多的单相多铁性材料。然而,已知的单相多铁性材料的磁电耦合效应(磁场控制电化或者电场控制磁性)通常比较微弱,这大地限制了单相多铁性材料在未来磁电子学器件中的应用。如何大幅度提高单相材料的磁电耦合效应成为该领域面临的一个重大挑战。近期,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理实验室孙阳研究员(Quantum Design产品用户)、柴一晟副研究员和博士生翟昆等在一种Y-型六角铁氧体Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22中实现了巨大的磁电耦合效应,获得了高达33000 ps/m的正磁电耦合系数和32000 ps/m的逆磁电耦合系数,创造了单相材料磁电耦合效应的新记录。图1. 六角铁氧体Ba2-xSrxMg2Fe12O22在 10 K下的正磁电耦合效应六角铁氧体是一类具有六角晶系的铁基氧化物,按照结构单元的不同,可进一步划分为M, W, X, Y, Z, 和U型六角铁氧体。由于存在多种磁性相互作用的竞争,在六角铁氧体中可以通过部分元素替换产生丰富的非共线螺旋磁结构。对于一些特定的螺旋磁结构,非共线的自旋之间可以通过逆Dzyaloshinskii-Moriya相互作用产生宏观电化,从而导致磁有序驱动的二类多铁性与磁电耦合效应。在以往的研究中,虽然人们已经在一些六角铁氧体中观察到较强的磁电耦合效应,但是,对于如何在六角铁氧体中进一步实现巨大的磁电耦合效应,还缺乏清晰的认识和思路。 图2. 六角铁氧体Ba2-xSrxMg2Fe12O22(x = 1.6)在 10 K下的逆磁电耦合效应为了理解Y-型六角铁氧体Ba0.4Sr1.6Mg2Fe12O22中巨磁电耦合效应的物理起源,博士生翟昆合成出Ba2-xSrxMg2Fe12O22 (0.0≤x≤1.6) 一系列单晶样品,系统研究了其宏观磁性和磁电耦合效应随Sr含量的变化关系。同时,孙阳研究组与美国橡树岭实验室曹慧波博士等合作,利用中子散射技术详细研究了这一系列单晶样品的磁结构,给出了Ba2-xSrxMg2Fe12O22体系中圆锥状螺旋磁结构随Sr含量及外加磁场变化的相图。图3. 六角铁氧体中自旋锥对称性与磁电耦合系数的关系研究结果发现,六角铁氧体中磁电耦合效应的强度与自旋锥的对称性密切相关:当自旋锥的对称性从四重对称性降低到二重对称性时,在外加磁场驱动下自旋锥可以发生180度翻转;同时,自旋结构产生的电化也会随之发生180度反向。通过元素替换调控磁各向异性使得这一相变发生在零磁场附近,就会导致巨大的磁电耦合系数。因此,该项研究不仅获得了迄今为止单相材料中大的正逆磁电耦合系数,也为如何提高多铁性六角铁氧体中的磁电耦合效应指明了方向。以上研究成果发表于Nature Communications 8,519(2017)。该工作得到了自然科学基金(11534015,11374347),科技部(2016YFA0300701)和中国科学院项目(XDB07030200)的支持。文章来源:(中国科学院物理研究所磁学重点实验室,终解释权归中国科学院物理研究所磁学重点实验室官网所有) 相关产品: SuperME 多铁材料磁电测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C148929.htmTEGeta 多功能热电材料测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C277658.htm完全无液氦综合物性测量系统 DynaCool:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C18553.htmMPMS3-新一代磁学测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C19330.htm
  • 与祖国共奋进,“雷磁”献礼建国70周年--企业发展篇
    2019年,是新中国成立70周年。70年,光辉岁月弹指挥间,70年,中华大地沧桑巨变。 栉风沐雨七十载,薪火相传科仪魂。 在民族自强和国家富强进程中,“雷磁”作为中国pH计和玻璃电极的诞生地,在科学仪器发展的道路上,已逐渐成长为电化学分析仪器领域的领军企业。1940年,荣仁本先生在永嘉路229弄8号设立雷磁电化研究室,从事于小型电化研究工作,制造涂料电阻,并开始电化学仪器的研制。1949年,新中国成立后,雷磁电化研究室正式向政府登记,作为工业企业,定名雷磁电阻厂。1953年,改名为雷磁电化仪器工业社,迁至威海路12弄14号,生产玻璃电极、酸度计。1956年,雷磁电化仪器工业社在大合营高潮中被批准为公私合营,公私合营成立雷磁仪器厂。1966年,改名为上海第二分析仪器厂。1981年,在工商正式注册“雷磁”商标。1983年,恢复“上海雷磁仪器厂“厂名。2001年,按上海精密科学仪器公司实体化工作要求,变更为上海精密科学仪器有限公司雷磁仪器厂。2002年,使用“雷磁”彩色商标。2008年,雷磁电化学分析仪器荣获“上海市名牌产品”称号。2009年,迁址上海安亭汽车与部件发展产业园,园大路5号。同年,“雷磁”品牌被推荐为“上海市装备制造业与高新技术产业自主创新品牌”。2011年,经上海国资委批准,上海仪电控股公司决定,雷磁仪器等资产,经市场评估后注入上海仪电控股(集团)公司旗下上海仪电电子(集团)有限公司,转制成立“上海仪电科学仪器股份有限公司”。 2014年,“雷磁”品牌被评为“上海市著|名商标”。2015年,按照仪电集团转型发展战略,作为优质资产被纳入上海仪电(集团)有限公司旗下的上市公司云赛智联股份有限公司(股票代码600602),成为智慧城市建设中检测感知业务的主体之一。 从石库门到先进电化学基地,从工业社到股份制公司,历经七十余年发展,不忘初心,牢记使命,始终致力于水质分析仪器和方法的研究开发,逐步发展成为集科学仪器研发、生产、销售、应用、集成、服务为一体的高新技术企业;在国内电化学分析仪器行业独占鳌头,赶超国际先进。所拥有的的“雷磁”品牌,是上海市名牌、上海市著|名商标、并通过上海品牌的认证。 在这美丽的金秋,雷磁人用身体力行的方式抒发着新时代中国人追梦前行的爱国情怀,祝福祖国繁荣昌盛、民族富强,我们铭记艰苦奋斗的历史,继续奋力前行,努力成为领|先的科学仪器制造商、检测溯源系统解决方案与运行服务的供应商,矢志环保事业,让水更清、生活更美好,为祖国的伟大复兴贡献一份力量。
  • 绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?
    绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数? 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器,如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作,将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199,既只为三位数且di一位数为1 时,其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时,不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时,即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源? 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容,这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值,如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大,测试电压越高时,电容器所储藏的电能越大,更容易损坏仪器,特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏,仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳? 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流,有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律,所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题,而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好,对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大? 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流,而仪器有一定内阻,若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高,所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时,读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源? 这是因为机内的电容器充有很高的电压(zui高电压达1200V以上),这些电容器的所带的电能保持较长的时间,如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源,则会将机内的高压电容器很快放电,不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档,虽然断了电源,但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压,将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击,要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压? 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压,无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流,这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的(分布)电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低,当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压,在确保被测量物体不会因电压过高击穿时,要先将量程开关拨到104档后关闭电源,再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的,即电压与电流是不符合欧姆定律,有改变电压时由于电流不是线性变化,所以测量的电阻也会变化。
  • 高精度光学浮区炉助力单晶样品在磁电领域取得重要进展
    在人类漫长的历史发展长河中,“材料学”贯穿了其整个历程。从人类活动早期开始使用木制工具,到随后的石器、金石并用(此时的金属主要指铜器)、青铜、铁器等各个时代,再到后来的蒸汽、电气、原子、信息时代,每个发展阶段无不伴随着人类对材料的认识和利用。在诸多材料中,铁是人类早认识和使用到的材料之一,就我们中国而言,早在西周以前我国就已开始将铁用于生产生活中[1];人们在长期的实践中也开始认识到了相关材料的磁性并将其运用于实践当中,比较有代表性的就是司南的发明。这些在不少历史典籍中都有记载,比如:《鬼谷子谋篇十》记载:“故郑人取玉也,载司南之车,为其不惑也。夫度材量能揣情者,亦事之司南也”;《梦溪笔谈》提到:“方家以磁石磨针缝,则能指南”;《论衡》书曰:“司南之杓,投之于地,其柢指南”等等[2]。由此可见,人们对磁性材料的兴趣也算由来已久。 当时代来到21世纪,化学、物理、生物、医学、计算机等各个领域的技术都有了前所未有的突破,先进的生产力也将人类的文明推进智能工业化、信息化时代,随着而来的是人们对材料的更高要求。在诸多材料当中,由于多铁材料兼具铁磁、铁电特性,二者之间有着特的磁电耦合特性;与此同时,磁场作用下的电化和电场作用下的磁化等性质为未来功能材料探索和发展提供了更为宽广的选择和可能,在存储、传感器、自旋电子、微波器件、器件小型化等领域拥有巨大的潜在应用价值。2007年的《科学》杂志对未来的热点发展问题进行了报道,其中,多铁材料作为的物理类问题入选[3]。因此,研究并深刻理解磁电耦合和多铁材料背后的机理,有着非常重要的理论价值和实践意义。 近期,哈尔滨工业大学的W.Q.Liu等人对磁电材料Mn4Nb2O9单晶样品进行了仔细的研究。研究表明:零磁场测试介电常数时,没有发现介电常数的反常,此时Mn4Nb2O9基态表现为顺电特性;而在磁场条件下,介电常数在Neel温度处发生突变的峰,且随着磁场的增加介电峰也增强,且峰位向低温端偏移,这意味着磁场有抑制反铁磁转变的趋势;高场(H≥4T)下的介电常数-温度依赖关系也跟H2正比关系,由此也表明Mn4Nb2O9是线性磁电材料。更多研究结果可参考文献[4]. 以上图片引自文献[4]. 我们非常荣幸将Quantum Design Japan公司(以下简称QDJ)生产的高精度光学浮区法单晶炉安装于哈尔滨工业大学,并助力W.Q.Liu等学者研究制备出Mn4Nb2O9单晶样品。QDJ公司生产的光学浮区法单晶炉适用于超导材料、铁电材料、磁性材料、半导体材料、光学材料等多种领域材料的晶体制备工作。 该设备主要的技术特色:■ 占地空间小,操作简单,易于上手,立支撑设计■ 采用镀金双面高效反射镜,加热效率更高,温场更加均匀■ 可实现高温度2100°C-2200°C(验收依据为:熔融晶石标样)■ 稳定的电源■ 内置闭循环冷却系统,无需外部水冷装置■ 采用商业化标准卤素灯日本QDJ公司推出的高精度光学浮区法单晶炉外观图 参考文献:[1]. https://baijiahao.baidu.com/s?id=1713600818043231130&wfr=spider&for=pc[2]. https://baike.baidu.com/item/%E5%8F%B8%E5%8D%97/3671419?fr=aladdin[3]. https://www.science.org/doi/10.1126/science.318.5858.1848[4]. Wenqiang Liu, Long Li, Lei Tao, Ziyi Liu, Xianjie Wang, Yu Sui, Yang Wang, Evidence of linear magnetoelectric effect in Mn4Nb2O9 single crystal, Journal of Alloys and Compounds,Volume 886,2021,161272,ISSN 0925-8388, https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161272.
  • 磁性随机存储器(MRAM)和斯格明子研究的最新利器!可精确调控磁性薄膜或晶圆磁性的离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®
    今年1月,三星电子在学术期刊 Nature 上发表了全球基于 MRAM(磁性随机存储器)的存内计算研究。存内计算由于毋需数据在存储器和处理器间移动,大大降低了 AI 计算的功耗,被视作边缘 AI 计算的一项前沿研究。三星电子的研究团队通过构建新的 MRAM 阵列结构,用基于 28 nm CMOS 工艺的 MRAM 阵列芯片运行了手写数字识别和人脸检测等 AI 算法,准确率分别为 98% 和 93%。研究人员表示,MRAM 芯片应用于 in-memory computing(内存内计算)电脑,十分适合进行神经网络运算等,因为这种计算架构与大脑神经元网络较为相似。 MRAM 器件在操作速度、耐用性和量产等方面具有优势,但其较低的电阻使 MRAM 存储器在传统的存内计算架构中无法达到低功耗要求。在本篇论文中,三星电子的研究人员构建了一种基于 MRAM 的新存内计算架构,了这一空白,这是MRAM研究的又一新突破。 近期,国内的众多课题组也在MRAM研究上取得了许多重量的工作。例如北航的赵巍胜课题组在2020年发表在APL上的——具有垂直各向异性的氦离子辐照W-CoFeB-MgO Hall bars中的自旋轨道矩(SOT)驱动的多层转换一文中,运用了特的氦离子辐照技术对W(4 nm)/CoFeB (0.6 nm)/MgO (2 nm)/Ta (3 nm)多层膜进行了结构的调控,通过对调控前后以及过程中磁学和电学性质变化的研究,表明这种使用离子辐照调控多层电阻的方法在实现神经形态和记忆电阻器件领域显示出巨大的潜力。图中Kerr 图像显示了 SOT 诱导的磁化转换过程中Hall bars电流的增加,白色虚线表示纵向电流线和横向电压线。红色方框对应于氦离子辐照区域。(ii) 和 (iv) 中的黄色箭头代表畴壁运动的方向。 离子辐照除了在MRAM研究领域小试牛刀外,在斯格明子的研究中也令人眼前一亮。 法国自旋电子中心(SPINTEC) 和法国Spin-Ion公司合作发表在NanoLetters上的一篇文章,题目为:氦离子辐照让磁性斯格明子“走上正轨”。文中指出,氦离子辐照可被用于在“赛道上”“创造”和“引导”斯格明子,文章证明了氦离子辐照带来的垂直磁各向异性和DMI的变小,可导致稳定的孤立斯格明子的形成。图中红色轨道尺寸为6000×150 nm2,间距为300 nm,用氦离子辐照的区域。图中显示了氦离子辐照的红色轨道区域不同磁场下的MFM图像。 以上两篇文章采用的离子辐照设备来自法国Spin-Ion公司。法国Spin-Ion公司于2017年成立,源自法国研究中心/巴黎-萨克雷大学的知名课题组。Spin-Ion公司采用Ravelosona博士的创新技术,在磁性材料的离子束工艺方面有20年的经验,拥有4项和40多篇发表文章。Spin-Ion公司推出的产品——可用于多种磁性研究的离子辐照磁性精细调控系统Helium-S,可通过紧凑和快速的氦离子束设备控制原子间的位移。该设备使用特有的离子束技术在原子尺度上加工材料,可通过离子束工艺来调控薄膜和异质结构。目前全球已有20多家科研和工业的用户以及合作伙伴使用该技术。2020年Spin-Ion公司在中国也已安装了套系统,Helium-S有的技术能力正吸引来自相关科研圈和工业领域越来越多的关注。 产品主要应用领域:磁性随机存储器(MRAM):自旋转移矩磁性随机存储(STT-MRAM), 自旋轨道矩磁性随机存储(SOT-MRAM), 磁畴壁磁性随机存储(DW-MRAM)等自旋电子学:斯格明子,磁性隧道结,磁传感器等磁学相关:磁性氧化物,多铁性材料等其他:薄膜改性,芯片加工,仿神经器件,逻辑器件等 产品特点:● 可通过紧凑和快速的氦离子束设备控制原子间的位移,通过氦离子辐照可调控磁性薄膜或晶圆的磁学性质。● 可提供能量范围为1-30 keV的He+离子束● 采用创新的电子回旋共振(ECR)离子源● 可对25毫米的试样进行快速的均匀辐照(如几分钟)● 超紧凑的设计,节省实验空间● 也与现有的超高真空设备互联 测试数据:调控界面各向异性性质和DMI 低电流诱发的SOT转换获取 控制斯格明子和磁畴壁的动态变化 用户单位 已经购买该设备的国内外用户单位:University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Beihang University (China)Nanyang Technological University and A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany) 文章列表:[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona, J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14 21(7):2989-2996 参考文献:[1]. Nature 601, 211-216(2022)[2]. Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[3]. Nano Lett. 2021 Apr 14 21(7):2989-2996
  • 材料变温电阻特性测试仪
    成果名称材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介:本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计,采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度,样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连,数据采集迅速准确;用户界面直观友好,能极大方便用户的使用。主要技术参数:一、信号源模式:大电流模式;小电流模式;脉冲电流模式。二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。三、电阻测量精度: ± 0.1%FS。四、变温范围:液氮温度~900 ℃。五、温度测量精度:热电阻0.1%± 0.1℃;热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源:220 VAC。七、额定功率:500W。八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。应用前景:本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。知识产权及项目获奖情况:本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术,曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。
  • 上海微系统所等制备出石墨烯基量子电阻标准芯片
    电阻标准是电学计量的基石之一。为了适应国际单位制量子化变革和量值传递扁平化趋势,推动我国构建电子信息产业先进测量体系,补充国家量子化标准,开展电学计量体系中电阻的轻量级量子化复现与溯源关键技术研究至关重要。与传统砷化镓基二维电子气(2DEG)相比,石墨烯中的2DEG在相同磁场下量子霍尔效应低指数朗道能级间隔更宽,以其制作的量子霍尔电阻可以在更小磁场、更高温度和更大电流下工作,易于计量装备小型化。此外,量子电阻标准的性能通常与石墨烯的材料质量、衬底种类和掺杂工艺相关。如何通过克服绝缘衬底表面石墨烯成核密度与生长调控的瓶颈,获得高质量石墨烯单晶,并以此为基础,优化器件结构和工艺,开发出工作稳定且具有高比对精度的量子电阻标准芯片至关重要。近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所报道了采用在绝缘衬底表面气相催化辅助生长石墨烯,成功制备高计量准确度的量子霍尔电阻标准芯片的研究工作。相关研究成果以“Gaseous Catalyst Assisted Growth of Graphene on Silicon Carbide for Quantum Hall Resistance Standard Device)”为题,发表于期刊《Advanced Materials Technologies》上。研究人员首先采用氢气退火处理得到具有表面台阶高度约为0.5nm的碳化硅衬底,然后以硅烷为气体催化剂,乙炔作为碳源,在1300°C条件下,生长出高质量单层石墨烯。该温度条件下衬底表面台阶依然可以保持在0.5nm以下。采用这种方法制备的石墨烯可以制成量子电阻标准器件,研究团队直接将该量子电阻标准器件集成于桌面式量子电阻标准器,在温度为4.5K、磁场大于4.5T时,量子电阻标准比对准确度达到 1.15×10-8,长期复现性达到3.6×10-9。该工作提出了适用于电学计量的石墨烯基工程化、实用化的轻量级量子电阻标准实现方案,通过基于其量值的传递方法,可以满足不同应用场景下的电阻量值准确溯源的需求,补充国家计量基准向各个行业计量系统的量传链路。中科院上海微系统与信息技术研究所是该研究工作第一完成单位,陈令修、王慧山和孔自强为共同第一作者,通讯作者为上海微系统所的王浩敏研究员和中国计量科学研究院的鲁云峰研究员。该研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金项目、中科院先导B类计划和上海市科委基金的资助。论文链接:https://doi.org/10.1002/admt.202201127
  • 《高绝缘电阻测量仪(高阻计)》国家校准规范顺利通过审定
    近日,全国电磁计量技术委员会在广西壮族自治区南宁市召开了全国电磁计量技术委员会年会暨国家计量技术规范审定会,来自计量、仪器仪表、电力等行业86个单位的代表200人参加了会议。北京市计量检测科学研究院电磁所张磊、谷扬和王跃佟三位同志参加了此次会议。会上,由北京市计量院作为主起草单位编制的《高绝缘电阻测量仪(高阻计)》国家校准规范顺利通过审定。   由北京计量院作为主起草单位编制的《高绝缘电阻测量仪(高阻计)》国家校准规范,经过起草组成员一年多的认真筹备,多方听取专家意见,顺利通过了专家审定。专家一致认为,起草组广泛征集了全国各个地区高阻计校准工作中存在的问题,特别是针对不同温湿度条件下进行了大量的实验工作,进行归纳汇总后,制定出适用于全国范围内的高绝缘电阻测量仪(高阻计)校准规范。经过与会专家的充分讨论,对高阻计校准规范的编制工作给予了充分肯定,全票通过审定。   电磁所张磊同志作为电磁委员会委员,全程参与了七项计量技术规范审议工作,认真听取规范起草人的报告,对规范报审稿进行了逐条审查,并且提出了宝贵意见。   《高绝缘电阻测量仪(高阻计)》修订工作,结合了全国各个地区的实际使用和工作情况,规范了高阻计的校准项目和方法,澄清了原来检定过程中存在的一些模糊问题,使生产者、试验者有统一的规范可依。会议之余,北京市计量院同志和同行进行专业上交流,了解更多行业动态,为北京市计量院电磁计量工作的发展起到良好推动作用。
  • 宁夏计质院直流标准电阻校准能力验证获“满意”结果
    近日,宁夏计质院参加中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所组织的“直流标准电阻校准能力验证计划”获得满意结果。直流标准电阻是电磁学基本量,作为一个标准阻值的参照或比较,它的准确一致对其它电磁学量值统一有着举足轻重的作用。此次能力验证,宁夏计质院严格按照相关要求,认真做好样品实验工作和数据处理,按时完成样品交接,及时提交实验数据和结果,最终各项测量结果与参考值之差都在合理预期之内,结果为“满意”。通过能力验证,进一步验证了宁夏计质院“一等直流电阻标准装置”检定人员业务素质和实验室能力水平,能够有效保证我区直流标准电阻量值传递的准确可靠。宁夏计量质量检验检测研究院(简称:宁夏计质院)成立于2017年8月,经自治区编委会批准,由宁夏计量测试院、宁夏产品质量监督检验院、宁东能源化工基地质量监督检验与计量测试所整合组建而成,为自治区市场监督管理厅直属公益类检验检测研究事业单位,是国家市场监督管理总局授权的法定计量检定和产品质量检验检测机构。宁夏计质院主要承担国家计量基准和宁夏公用计量标准的研究、建立、保存、维护、计量器具检定校准以及产(商)品质量监督检验、产品质量仲裁检验、产品质量鉴定、各种取证(生产许可证、CCC认证、产品认证等)检验、委托检验等工作。开展计量质量产学研一体化的合作与科研,为社会各界提供计量质量专业技术、能力提升、质量管理培训和咨询等技术服务。
  • 雷磁电化学2021年度市场营销工作会议成功召开举行
    2021年2月27日,上海仪电科学仪器股份有限公司(简称上海仪电科仪)雷磁电化学2021年度市场营销工作会议在上海市瑞立酒店浦江厅召开。上海仪电科仪董事长兼总经理汤志东,雷磁电化学党总支书记纪小军,雷磁电化学常务副总经理唐建华、副总经理金建余、总经理助理赵品杰和毕海玲等领导出席会议。会上各部门条线经理分别对商务中心、服务中心、市场分部、产品发展部的工作进行了总结和交流。同时,总经理助理毕海玲给大家带来了“经营道德准则”的主题培训,要求员工要牢固法治意识、责任意识、担当意识,继续加强学习,提升素质,恪尽职守,依法履职;副总经理金建余给大家带来了“雷磁产品发展”的主题培训,让大家对雷磁的产品结构以及未来发展有了更清楚的认知。随后,常务副总经理唐建华对市场营销部的2021年度工作做了详细部署,强调工作重心和安排规划。总经理助理毕海玲:“经营道德准则”主题培训副总经理金建余:“雷磁产品发展”主题培训常务副总经理唐建华讲话2020年是极不平凡的一年,但是“雷磁”实验室电化学仪器、自动滴定仪/水分仪、比色法水质分析仪、在线水质监测仪等各系列产品线均实现“逆势上扬”,这些离不开每位员工的辛苦付出,会上为获得2020年度最|佳销售奖、最|佳拓展奖、最|佳风控奖、最|佳应用工程师、最|佳服务奖、最|佳新人奖、最|佳服务奖的员工颁发了荣誉证书并给予嘉奖。最|后,董事长兼总经理汤志东对本次工作会议进行了总结指导,充分肯定了2020年疫情当前攻坚克难所取得的成绩,分析了当前的市场形势,指出了2021年发展重点,我们不仅要凝心聚力、承压奋进,更要积极开拓市场新局面、迎接新挑战、创造新的高度。董事长兼总经理汤志东讲话2020年,我们“防疫”“经营”两手抓,共克时艰,逆势上扬;2021年,我们践行初心、担当使命,扬帆起航再出发!
  • 快速灵活强大丨HPROBE 磁性自动测试设备 开启晶圆测试新纪元
    在全球半导体产业高速发展的今天,中国正以其前瞻性的战略布局和政策支持,推动国内半导体行业的跨越式发展。随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,我国对半导体器件的需求日益增长,对器件可靠性与性能指标的要求也越发严格。晶圆测试:质量与效率的保障 晶圆测试是半导体制造过程中不可或缺的一步,它能够确保芯片在制造过程中的每一个阶段都能达到设计规格和性能要求。自动化和高精度的测试设备可以显著提高测试速度,缩短生产周期;通过精确检测,确保每一片晶圆的可靠性和一致性,降低不良品率;有效的测试可以减少返工和废品,从而降低生产成本。 在晶圆测试中,磁性器件需要在磁场扫描下测试,而传统的设备和方法较为耗时,会增加芯片的制造成本。在晶圆上方以高扫速改变磁场是工业化大批量生产正面临的挑战,今天要为大家介绍的Hprobe 磁性自动测试设备,其专利的磁场发生器技术,可以完美应对这项挑战。Hprobe 磁性自动测试设备 Hprobe 磁性自动测试设备是通过实现每个器件的快速测试时间,以更高的通量对晶圆在磁场下进行电探测。其专利技术3D磁场发生器和Hcoil-2T磁场发生器,能够满足大规模生产中对晶圆级电子探测的要求,独特设计的磁场发生器通过电源供电和空气冷却,不需要复杂的液体冷却。快速:更高的磁扫率,每秒高达10000件样品,实现高通量测试,并与批量生产的测试时间相匹配。灵活:具有独立可控空间轴的三维磁场,用于垂直和平面磁场的任意组合。强大:单一方向的超高强度磁场,结合更快的扫描速度,可在20微秒内达到2特斯拉。 Hprobe 磁性自动测试设备使用100-300mm自动晶圆探针台。集成了磁场发生器的测试头被置于晶圆探针台上。测试设备与以下自动探针台兼容:TEL (Tokyo Electron Limited)、ACCRETECH、Electroglas。技术原理 1、三维磁场发生器:三维磁场发生器能够产生三维磁场,其中每个空间轴可被独立驱动。该发生器具有多种组态,可在特定的1D、2D或3D方向上更大化磁场强度或表面覆盖。磁场的扫描速率在场强和角度上是可控的,扫描速率可达每秒10000件样品。 2、Hcoil-2T 磁场发生器:Hcoil-2T 磁场发生器是一种创新性的超紧凑型技术,能够以更快的扫描速度在单一方向产生超强磁场。利用这项技术,可以在不到20微秒的时间内达到±2特斯拉磁场。主要特点平面内和垂直方向的高磁场强度磁场的三维控制场强和角度扫描(旋转场)嵌入式校准传感器自动化测试程序MRAM参数提取软件可用于100至300 mm晶圆与标准探针卡兼容完整且可定制的软件,可创建测试序列和自动探测空气冷却测试设备1、测试头:磁场发生器集成在测试头中,后者被安装在自动晶圆探针台上,与单个直流或射频探针和探针卡兼容。 2、仪表架:测试设备使用高端控制和传感设备。测试设备的仪器组态可以按照用户需求而配置。3、磁场校准套件:磁场发生器配有磁场校准组件,由三维磁传感器和自动定位系统组成,用于在与被测设备完全相同的位置校准磁场。 4、软件:带图形用户界面GUI(graphical user interface)的软件,用于磁场的生成、校准,以及MRAM和磁传感器的自动化电测量。软件还包括晶圆厂自动化和生产控制功能。IBEX平台(用于MRAM测试) IBEX平台与200毫米和300毫米自动晶圆探针台兼容,专用于测试MRAM磁性隧道结,以及基于自旋转移矩(STT-MRAM)、自旋轨道矩(SOT-MRAM)和电压控制(VC-MRAM)技术的位单元。该系统能够在快速可变磁场和超窄脉冲信号下进行高通量测试。1、IBEX-P MRAM参数测试 IBEX-P系统以单通道或多通道配置运行,测试结构中包含过程控制和监控(PCM),因而可用于晶圆验收测试(WAT)时生产产量的统计过程控制(SPC)。 IBEX使用Hprobe的带有图形用户界面的专用一站式软件,既可在研发环节中手动操作,又可在全自动晶圆厂中自动操作。该软件包括专用于MRAM器件的更优化生产测试程序。 该系统采用Hprobe的磁场发生器专利技术,将磁场发生器集成到测试头中,后者安装在晶圆探针台上。 该测试设备由精选高端仪器驱动, 从而以更快的测试时间来表征MRAM磁性隧道结或位单元。涉及的仪器包括Keysight、Tektronix和NI等品牌,并使用Hprobe的专有构架模块集成。2、IBEX-F功能测试 IBEX-F系统专用于测试位阵列和片上系统(SoC)嵌入式MRAM存储器。 测试系统以单点或多点配置运行,用于MRAM阵列的表征和测试。其目的是进行产品开发、验证和鉴定,并转入生产。它还可用于嵌入式MRAM器件的大规模生产环境,在后端(BEOL)过程中进行芯片探测(CP)的筛选和分级。 该测试设备由精选高端仪器驱动,从而以更快的测试时间来表征MRAM磁隧道结或位单元。涉及的仪器包括Keysight、Tektronix和NI等品牌,并使用Hprobe的专有构架模块集成。关于MRAM 测试 与传统采用电荷存储数据的半导体存储器不同,MRAM(磁阻随机存取存储器)是一种非易失性存储器,使用磁化(例如电子自旋)方向来存储数据位。 与现有的半导体技术相比,MRAM具有许多优点,因为它本质上是非易失性的(例如,当电源切断时能够保存数据),同时还表现出非常好的耐久性(例如读/写周期数)和较低的运行功率。全新一代的MRAM为pSTT-MRAM(垂直自旋转移矩随机存取存储器),已被业界选择取代28/22nm以下技术节点的嵌入式闪存,目前各大半导体代工厂均可提供该产品。LINX 平台(用于传感器测试) LINX平台与200mm和300mm自动晶圆探针台兼容,用于测试基于xMR(磁阻)和霍尔效应技术的磁性传感器。该系统能够在静态和快速变化的磁场下进行测试,磁场在空间任何方向可控。LINX-1–磁性传感器测试仪 LINX-1测试仪专用于磁性传感器芯片的晶圆级分选。 该产品使用Hprobes的带有图形用户界面的专用一站式软件,以单通道或多通道配置来生成和校准磁场,包括静态或动态模式下优化的磁场生成模式。该系统具有可编程功能,可与用户的测试平台集成。 LINX-1采用Hprobe专有的磁场发生器技术,与3轴自动化测试头集成。它可以使用手动或自动加载的探针卡进行操作。 磁场的产生由高性能仪器驱动,以实现稳定的静态磁场或高扫描率的可变场。 仪器组包括Keysight、Tektronix和NI等品牌,并使用Hprobe的专有构架模块集成。关于传感器测试 磁性传感器检测由磁铁或电流产生的磁场和地磁场的强度。它们将磁场或磁编码信息转换成电信号,供电子电路处理。磁性传感器正变得越来越流行,因为它们可以用于多种应用场合,如传感位置、速度或运动方向。磁性传感器有以下几种类型: 霍尔效应传感器 霍尔效应传感器由半导体衬底上的条形载流导体构成,当置于磁通量中时,通过霍尔效应产生垂直于电流方向的电压。霍尔效应传感器被广泛应用于汽车和工业领域。AMR传感器 各向异性磁阻(AMR)传感器由条形或带状磁性各向异性材料组成,其等效电阻与磁化方向和导电方向的夹角有关。与其他磁电阻传感器相比,AMR传感器具有相对较低的磁电阻(MR)率。它们被用于工业、商业和空间技术,作为位移或角度传感器以及地磁场传感器。GMR传感器 巨磁阻(GMR)传感器具有三明治结构,由被界面导电层隔开的磁性薄膜组成。该传感器有两种电阻状态:当两个磁性层磁化方向平行时,器件为低阻态;而当两个磁性层磁化方向相反时,器件为高阻态。GMR传感器是一种温度稳定性好的精密磁场传感器。它们已被广泛应用于硬盘驱动器(HDD)行业以及工业应用中。TMR传感器 隧道磁阻(TMR)传感器由被隧穿势垒层分离的铁磁多层膜组成。TMR器件的电阻与两铁磁层磁化方向的夹角有关。与其它种类的磁场传感器相比,TMR传感器具有更好的信噪比、更高的精度、以及更低的功耗。TMR传感器在温度和寿命方面具有可靠稳定的性能。因此,TMR传感器在要求苛刻的应用中是首选。 关于Hprobe 法国Hprobe公司成立于2017年,总部位于具有“法国硅谷”的美誉格勒诺布尔,是SPINTEC(全球领先的自旋电子学研究实验室之一)的一家衍生公司。 法国Hprobe基于独有的三维磁场发生器等专利技术,致力于为磁性器件和传感器的晶圆级表征和测试提供系统解决方案。目前产品提供的服务内容涵盖磁技术开发所有阶段,能针对性的为MRAM(STT、SOT、VCMA)和磁性传感器(TMR、GMR等)进行表征和测试提供专用设备和服务。 依托投资方的自身优势,普瑞亿科半导体事业部聚焦国内半导体产业工艺发展,与Hprobe协力打造国内领先的晶圆级表征和测试系统解决方案,致力于为中国半导体行业客户提供研究级和生产级的MRAM和磁检测解决方案和服务支持。
  • 美国福禄克推出全新超级精密电阻测温仪
    美国福禄克公司近日推出了由HART部门研发的全新1594A/1595A超级精密电阻测温仪,该仪器集准确度、价值和创新性于一身,可用于标准铂电阻(SPRT)、铂电阻(PRT)以及热敏电阻的检定和校准。  Fluke1594A/1595A超级精密电阻测温仪具有足够的准确度,满足基标准实验室所需。其准确度高达0.06ppm(0.000015°C),而其价格却经济实惠,完全可以满足二级实验室的预算需求。计量校准人员使用该超级精密电阻测温仪进行的所有测量都符合预期要求,方便随时验证,完全值得信赖。其领先于市场的特性包括:电阻比率自校准适用于所有测量,值得信赖;校准内部参考电阻,快速而简便;低测量噪声;快速的测量速度。
  • Advanced Materials:高压制备首个兼具大电极化和强磁电耦合的单相多铁性材料
    磁电多铁性材料是指同时具有磁有序与电化有序的一类多功能材料,利用两种有序的共存和相互耦合,可以实现磁场调控电化或者电场改变磁性质。多铁性材料作为具有重要应用前景的自旋电子学材料体系获得了广泛研究,有望用于实现下一代信息存储器、可调微波信号处理器、超灵敏磁电传感器等领域。而实际应用要求材料同时具备大的电化强度以及强的磁电耦合效应,且这种兼容性在以往的单相多铁材料中很难存在。因此,寻找兼具这两种优异性能的单相多铁性材料是十分迫切但又具挑战的科学问题。 近期,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理实验室龙有文研究员(Quantum Design公司用户)团队,利用特的高温高压技术,次成功制备了具有A位有序钙钛矿结构的BiMn3Cr4O12体系,并罕见地发现该单相材料同时具备大电化强度以及强磁电耦合效应。 图1 BiMn3Cr4O12的一系列磁电测试结果(a)磁化率及其居里-外斯定律拟合;(b)比热与介电常数;(c)热释电与电化强度;(d)磁化曲线;(e)低温热释电;(f)低温电化强度 通过磁化率、磁化强度、比热、介电常数、电化强度、电滞回线、高分辨电镜、同步辐射X光衍射与吸收谱、中子衍射等一系列综合结构表征与物性测试,龙有文团队发现,随着温度降低,BiMn3Cr4O12在135 K经历了一个铁电相变,在该铁电相变温度以下可观察到显著的电滞回线,并导致大电化强度的出现。 图2 BiMn3Cr4O12不同温度下的电滞回线,展示了大电化强度 当温度降低到125 K时,BiMn3Cr4O12经历了一个反铁磁相变,中子衍射证明该反铁磁转变源于B位Cr3+离子的G-型长程反铁磁有序,而A' 位的Mn3+离子仍未形成磁有序。在125 K以下,长程磁有序与铁电化共存,但该反铁磁序不能诱导电化相变,因此材料进入到具有大电化强度的类多铁相(电化强度可能会比较大,但磁电耦合很小)。 图3 磁场对BiMn3Cr4O12电化的调控,展示了强的磁电耦合效应 当温度继续降低至48 K时,A' 位的Mn3+离子也实现G-型长程反铁磁有序,并且A' 位Mn3+离子与B位Cr3+离子一起组成的自旋有序结构导致化磁点群的形成,可以打破空间反演对称性。因此,48K时的反铁磁相变诱导另一个铁电相变,伴随强的磁电耦合效应的出现,此时材料同时呈现二类多铁相(材料具有较强的磁电耦合,但电化强度往往很弱)。由此可见,低温下BiMn3Cr4O12既包含类多铁相又包含二类多铁相,从而大的电化强度与强的磁电耦合效应在这一单相多铁材料中同时实现,突破了以往这两种效应在单相材料中难以兼容的瓶颈,大大推进多铁性材料的潜在应用。 相关研究结果于近期发表在Adv. Mater. 29, 1703435(2017), 并被该期刊选为Inside Cover。该工作获得了国内外同行的广泛合作,同时获得了科技部、自然科学基金委、中国科学院等项目的支持。 文章来源:(中国科学院物理研究所 | 北京凝聚态物理实验室,终解释权归中国科学院物理研究所 | 北京凝聚态物理实验室官网所有) 相关产品:SuperME 多铁材料磁电测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C148929.htm TEGeta 多功能热电材料测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C277658.htm完全无液氦综合物性测量系统 DynaCool:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C18553.htmMPMS3-新一代磁学测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C17089.htm多功能振动样品磁强计 VersaLab 系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C19330.htm
  • 电阻加热蒸发源及控制器研制
    table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0"tbodytrtd width="86"p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="535" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong电阻加热蒸发源及控制器/strong/p/td/trtrtd width="95"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="535" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "中国科学院物理研究所/p/td/trtrtd width="95"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="182"p style="line-height: 1.75em "郇庆/p/tdtd width="126"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="202"p style="line-height: 1.75em "qhuan_uci@yahoo.com/p/td/trtrtd width="95"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="531" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "□正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 √可以量产/p/td/trtrtd width="95"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="531" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "√技术转让 √技术入股 □合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong成果简介: /strong/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/7a88eaa5-8603-403c-bd0d-271d8a438f3c.jpg" title="1.jpg" width="400" height="180" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 180px "//pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/5ecfa9a4-14a2-4f8a-86d4-7292f56fab4f.jpg" title="2.jpg" width="500" height="103" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 500px height: 103px "//pp style="line-height: 1.75em " 电阻加热坩埚的方式,对材料进行热蒸发。该部件采用超高真空兼容设计(CF35 法兰), 具有水冷和手动挡板功能。其水冷采用特殊设计结构,具有水冷效率高、不需要区分进水/ 出水口的特点。专利设计的坩埚结构,可以在不破坏加热钨丝的情况下更换蒸发材料。目前 该设备已在国内外多家单位进行了尝试性推广,包括中科院物理所、清华大学、北京大学、 南京大学、华东理工大学、法国 CEA、美国加州大学 Irvine 分校、美国 LBNL,效果良好。 其主要技术指标为:br/ 安装法兰: CF35br/ 超高真空兼容性: 是 – 可烘烤至 200℃ br/ 腔内直径: 34mmbr/ 腔内长度: 110mm~500mm 可定制 br/ 源数量: 1br/ 冷却方式: 水冷 br/ 坩埚材料: 99.8%三氧化二铝 br/ 工作温度: 250℃~1200℃ /pp style="line-height: 1.75em " 温度测量: 有 K型热电偶 br/ 所配套控制器,具有 PID 控制和多段可编程功能。输出功率可定制,控温精度高。有上 位机软件,界面友好、使用方便。主要技术指标为:br/ 最大输出功率: 576W(36V/16A)--可定制 br/ 加热方式: 交流 br/ 控温表头: 多种控温表头可选 br/ 温度传感器: K 型热电偶(C 型热电偶可定制)/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong应用前景:/strongstrong /strongbr/ 主要用于分子束外延系统以及其他超高真空设备中的有机材料及低温无机材料的热蒸 发沉积。应用范围广,每年国内市场需求在数百套以上。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况: /strongbr/ 发明专利:201410538769.9/p/td/tr/tbody/tablepbr//p
  • 得利特升级多款液体介质体积电阻率测定仪
    石化产业是国民经济重要的支柱产业,产品覆盖面广,资金技术密集,产业关联度高,对稳定经济增长、改善人民生活、保障国防安全具有重要作用。但仍存在产能结构性过剩、自主创新能力不强、产业布局不合理、安全环保压力加大等问题。石油化工产业作为高污染性产业,面临结构性改革的矛盾,国家政策引导对于促进石化产业持续健康发展具有重要意义。得利特顺应发展研发生产了系列石油产品分析仪器。最近技术人员仍然继续着研发工作并且将原来的产品做了部分升级改造。A1150液体介质体积电阻率测定仪符合DL/T421标准,适用于测定绝缘油和抗燃油体积电阻率,可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点采用双CPU微型计算机控制。控温、检测、打印、冷却等自动进行。采用**转换器,实现体积电阻率的高精度测量。具有制冷和加热功能。整机结构合理,安全方便。技术参数测量范围:0.5×108~1×1014Ωcm分辨率:0.001×107Ωcm重复性: ≤15% 再现性: ≤25%控温范围:0~100℃ 控温精度:±0.5℃电极杯参数:极杯类型:Y-18      极杯材料:不锈钢显示方式:液晶显示打印机:热敏型、36个字符、汉字输出环境温度:5℃~40℃ 环境湿度:≤85%工作电源:AC220V±10% ,50Hz功 率:500W外形尺寸:500mm×280mm×330mm重  量:17.5kgA1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据,根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。具有结构简单、线性度好、灵敏度高、测试结果稳定、操作安全等优点,其性能远高于通常的电压电流法。仪器由参数测量系统、油杯加热控温系统两部分组成,具有自动计时、液晶显示功能。可测量绝缘油体积电阻率。 技术参数测试电压:500VDC测试范围: 10 7~10 13Ωcm重复性: >10 12Ωcm ≯25% ,<10 12Ωcm ≯15% 加热功率: 100W 控温范围: 10℃~100℃ 控温精度: ±0.5℃ 测量误差: ≤±10%测试电极杯: 3个环境温度:0~40℃相对湿度:≤85% 工作电源: AC220V±10%,50Hz
  • 国家重点研发计划项目"低场量子电阻测量仪"通过验收
    近日,由514所航天河公司牵头的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”专项“低场量子电阻测量仪”项目顺利通过国家科技部、高技术研究发展中心组织的综合绩效评价验收。 验收会以视频的方式进行,科技部高技术研究发展中心组织了来自清华大学、北京大学、中科院、中国计量院等单位的国内顶级技术专家和财务专家形成的评审专家组。项目负责人徐思伟研究员对项目执行情况进行了汇报、黄晓钉研究员对项目技术进展进行了汇报。 专家组严格按照项目任务书,对项目目标和考核指标完成情况、研究成果水平及创新性、成果示范推广及应用前景、项目组织管理及内部协作配合、人才培养等情况进行综合绩效评价。经过质询和讨论,专家组一致认为:项目攻克了多项核心技术,高质量完成了任务书规定的研究内容和考核指标,通过终期验收。 “低场量子电阻测量仪”项目由514所航天河公司牵头,北京东方计量测试研究所、中国计量科学研究院、中船重工鹏力(南京)超低温技术有限公司、中国科学院电工研究所、湖南银河电气有限公司、中国工程物理研究院计量测试中心和北京博华鑫诺科技有限公司联合承担。项目组经三年艰辛努力,研制出新型量子电阻测量仪,可满足国内电阻计量和精密电阻测量的广泛需求。 项目组利用“低场量子电阻测量仪”产品的技术优势,已经在型号测试、军工计量和高精度仪表研制领域开展了应用研究,对装备计量保障和国产精密仪器技术指标的提升发挥了重要作用。后续,514所将进一步持续开展推广应用工作,服务国计民生。
  • 实现对电阻器良好的质量控制?FLIR红外热像仪帮助德国客户做到了
    电子元件是电器设备中数量最多的零件,因此降低电子元件的故障率,对于生产商们而言至关重要。确保实现这一目标的有效方式是检查每个独立元件,从而确保质量控制。今天,小菲就来给大家说说一家法兰克福制造商通过使用FLIR公司提供的热像仪系统,对电阻器良好的完美质量控制的案例!产品故障率较高,问题亟待解决Isabellenhütte Heusler是一家生产汽车行业用的热电偶电阻合金、接线板合金和被动元件的制造商,其位于法兰克福附近的迪伦堡。Isabellenhütte的产品被汽车行业用于燃油喷射系统和其它电子控制单元。这家公司因其产品质量过硬而享有很高的国际声誉。为获得和维持其全球客户要求的高质量标准,这家公司在质量控制和研发方面注入巨资。但尽管大力投资,客户仍上报5%的故障率。依据Isabellenhütte的严苛标准,即使10-8的故障率也被视作不可接受。因此,该公司决定对所有部件实施良好控制。部件缺陷可能产生于部件制造过程中,这些缺陷随后会导致内置电子器件故障。结果是最终电子系统达不到设计的耐久性,为设备供应商和汽车公司带来潜在质量问题。全自动质量控制得益于FLIR热成像系统红外热成像系统的监控过程Isabellenhütte采用的解决方案是安装一套来自FLIR公司的红外热像仪系统。该系统被用于检测生产过程中的每个部件。在质量控制过程中,每个电阻器在极短时间内被充电。该系统能在不足1秒时间内拍摄一张红外图像,以此检查电阻器可能存在的缺陷。下图中显示的热点是由于故障设备的表面温度较高造成的。有缺陷的电阻被FLIR热像仪捕捉到拍摄完成后,通过电脑将检测到的highest温度与电阻器的平均表面温度进行对比。如果MAX值和平均值之间的差值超过预定义值,那么意味着该部件存在异常热点。当检测到热点,会自动产生一个触发信号,将故障部件从生产线中移除。从进入到退出检测机器,整个过程不足1秒。相应的部件故障区域的热图像保存在数据库中,用于统计过程控制。集成FLIR红外热像仪的系统可以检测到电阻中最小的缺陷“FLIR红外热像仪是良好方案”“经证实,红外热成像技术,尤其是FLIR红外热像仪,是确保我们的质量标准比以往更高的良好方法,”Isabellenhütte生产经理Eichman先生表示。“我们如今全天24小时自动化监控我们的生产,由于不再需要操作员进行监控,我们能节约人力成本。我们对红外热像仪的初始投资在极短时间内便可收回。更重要的是,我们实现了对每一个电阻的良好质量控制,使我们能够向客户交付完美无瑕疵的产品,极大地降低后续系统的故障率!”每个部件都由FLIR热像仪单独检查毫无疑问,Isabellenhütte努力提供完美产品的做法受到要求苛刻的客户的高度赞扬,正是这些产品让客户始终居于其各自领域的领导地位。FLIR 红外热成像监控系统用于此应用的红外热像仪是FLIR ThermoVisionTM A320M。现如今有更多性能出色的产品可以完美替代它。比如FLIR A310,它是一款紧凑小巧的固定安装式红外热像仪,可安装在几乎任何地方。它可以检测到最小0.05℃的温差。独有的测量分析功能和报警功能使FLIR A310成为许多应用的理想工具。还有连续状态和安全监控用红外热像仪——FLIR AX8,它具备视频流输出功能,能提供每一个装置和自动报警的实时视频。兼容以太网/IP和Modbus TCP,因此可将分析和报警结果轻松共享至可编程逻辑控制器。目前,FLIR还有多款产品可供选择哦~FLIR A310FLIR AX8状态监控的目的是在故障发生前识别问题,防止发生成本高昂的停机事件。FLIR连续状态和安全监控用红外热像仪有助于您防止意外断电、非计划停机、服务中断和机电设备故障,非常适合监测配电柜、加工和制造区域、数据中心、发电和配电设施、运输和公共交通、仓储设施和冷库等。
  • 【技术指导】油介损及体积电阻率测定仪的油杯三种清洗方法及常见故障
    油介损及体积电阻率测定仪油杯清洗方法、常见故障A1170技术指导产品介绍产品名称:油介损及体积电阻率测定仪产品型号:A1170概 述:油介损及体积电阻率测定仪用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率,包括变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。适应标准:GB/T5654油杯三种清洗方法测量前,应对油杯进行清洗,这一步骤非常重要。因为绝缘油对极微小的污染都有极为敏感的反应。因此必须严格按照下述方法要点进行。方法一:⑴ 完全拆卸油杯电极;⑵ 用中性擦皂或洗涤剂清洗。磨料颗粒和磨擦动作不应损伤电极表面;⑶ 用清水将电极清洗几次;⑷ 用无水酒精浸泡各零件;⑸ 电极清洗后,要用丝绸类织物将电极各部件的表面擦拭干净,并注意将零件放置在清洁的容器内,不要使其表面受灰尘及潮气的污染;⑹ 将各零部件放入100℃左右的烘箱内,将其烘干。有时由于油样很多,所以在测试中往往会一个接一个油样进行测试。此时电极的清洗可简化。具体做法如下:⑴ 将仪器关闭,将整个油杯都从加热器中拿出,同时将内电极从油杯中取出;⑵ 将油杯中的油倒入废油容器内,用新油样冲洗油杯几次;⑶ 装入新油样;⑷ 用新油样冲洗油杯内电极几次,然后将内电极装入油杯。这种以油洗油的方式可大大提高了测量速度,但如遇到特别脏的油样或长时间不用时,应使用方法一。方法二:⑴ 将电极杯拆开(参见油杯示意图)。⑵ 用化学纯的石油醚和苯彻底清洗油杯的所有部件。⑶ 用丙酮再次清洗油杯,然后用中性洗涤剂漂洗干净。⑷ 用5%的磷酸钠蒸馏水溶液煮沸5分钟,然后,用蒸馏水洗几次。⑸ 用蒸馏水将所有部件清洗几次。⑹ 将部件在温度为105~110℃的烘箱中,烘干60~90分钟。⑺ 各部件洗净后,待温度降至常温时将其组装好。方法三:超声波清洗方法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件。⑶ 在超声波清洗器中用肥皂水将所有部件振荡20分钟;取出部件,有自来水及蒸馏水清洗;在用蒸馏水振荡20分钟。方法四:溶剂清洗法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件,更换二次溶剂。⑶ 先用丙酮,再用自来水洗涤所有部件。接着用蒸馏水清洗。⑷ 将部件在温度为105~110℃的烘箱中,烘干60~90分钟。 当试验一组同类没有使用过的液体样品时,只要上次试验过的样品的性能优于待测油的规定值,可使用同一个电极杯而无需中间清洗。如果试验过的前一样品的性能值劣于待测油的规定值,则在做下一个试验之前必须清洗电极杯。常见故障1、屏幕显示“电极杯短路”答:首先查看内电极与外电极的定位槽是否对准,再检查“内电极”安装是否有松动。2、屏幕显示“请进行【空杯校准】”答:空杯电容值不在60±5pF的范围内的时候,需要空杯校准;①油杯的内外电极未放好或内电极未组装好,有放电现象;②油杯不干净,在内外电极之间有杂质需要进行清洗 。3、蜂鸣器响5声后仪器返回到开机界面。答:①检查空杯电容值是否在60±5pF范围之内,②检查油杯是否放 好,有无放电现象。4、在做直流电阻率时,电化60秒时间不变化。答:检查仪器的时钟是否在运转,调整时钟。5、被设电压参数个位显示不为零时,怎么办?答:用【减小】键使被设电压值变为最小,再用【增加】键调整即可。
  • 经典库尔特原理及其发展——颗粒表征电阻法(下)
    前文回顾:发明人库尔特的传奇人生——颗粒表征电阻法(上)一、经典库尔特原理在经典电阻法测量中,壁上带有一个小孔的玻璃管被放置在含有低浓度颗粒的弱电解质悬浮液中,该小孔使得管内外的液体相通,并通过一个在孔内另一个在孔外的两个电极建立一个电场。通常是在一片红宝石圆片上打上直径精确控制的小孔,然后将此圆片通过粘结或烧结贴在小孔管壁上有孔的位置。由于悬浮液中的电解质,在两电极加了一定电压后(或通了一定电流后), 小孔内会有一定的电流流过(或两端有一定的电压),并在那小孔附近产生一个所谓的“感应区”。含颗粒的液体从小孔管外被真空或其他方法抽取而穿过小孔进入小孔管。当颗粒通过感应区时,颗粒的浸入体积取代了等同体积的电解液从而使感应区的电阻发生短暂的变化。这种电阻变化导致产生相应的电流脉冲或电压脉冲。图1 颗粒通过小孔时由于电阻变化而产生脉冲在测量血球细胞等生物颗粒时所用的电解质为生理盐水(0.9%氯化钠溶液),这也是人体内液体的渗透压浓度,红细胞可以在这个渗透压浓度中正常生存,浓度过低会发生红细胞的破裂,浓度过高会发生细胞的皱缩改变。在测量工业颗粒时,通常也用同样的电解质溶液,对粒度在小孔管测量下限附近的颗粒,用 4%的氯化钠溶液以增加测量灵敏度。当颗粒必须悬浮在有机溶剂内时,也可以加入适用于该有机溶液的电解质后,再用此有机 溶液内进行测量。通过测量电脉冲的数量及其振幅,可以获取有关颗粒数量和每个颗粒体积的信息。测量过程中检测到的脉冲数是测量到的颗粒数,脉冲的振幅与颗粒的体积成正比,从而可以获得颗粒粒度及其分布。由于每秒钟可测量多达 1 万个颗粒,整个测量通常在数分钟内可以完成。在使用已知粒度的标准物质进行校准后,颗粒体积测量的准确度通常在 1-2%以内。通过小孔的液体体积可以通过精确的计量装置来测量,这样就能从测量体积内的颗粒计数得到很准确的颗粒数量浓度。 为了能单独测量每个颗粒,悬浮液浓度必须能保证当含颗粒液体通过小孔时,颗粒是一个一个通过小孔,否则就会将两个颗粒计为一个,体积测量也会发生错误。由于浓度太高出现的重合效应会带来两种后果:1)两个颗粒被计为一个大颗粒;2)两个本来处于单个颗粒探测阈值之下而测不到的颗粒被计为一个大颗粒。颗粒通过小孔时可有不同的途径,可以径直地通过小孔,但也可能通过非轴向的途径通过。非轴向通过时不但速度会较慢,所受的电流密度也较大,结果会产生表观较大体积的后果,也有可能将一个颗粒计成两个[1]。现代商业仪器通过脉冲图形分析可以矫正由于非轴向流动对颗粒粒度测量或计数的影响。图2 颗粒的轴向流动与非轴向流动以及产生的脉冲经典库尔特原理的粒度测量下限由区分通过小孔的颗粒产生的信号与各种背景噪声的能力所决定。测量上限由在样品烧杯中均匀悬浮颗粒的能力决定。每个小孔可用于测量直径等于 2%至 80%小孔直径范围内的颗粒,即 40:1 的动态范围。实用中的小孔直径通常为 15 µm 至 2000 µm,所测颗粒粒度的范围为 0.3 µm 至 1600 µm。如果要测量的样品粒度分布范围比任何单个小孔所能测量的范围更宽,则可以使用两个或两个以上不同小孔直径的小孔管,将样品根据小孔的直径用湿法筛分或其他分离方法分级,以免大颗粒堵住小孔,然后将用不同小孔管分别测试得到的分布重叠起来,以提供完整的颗粒分布。譬如一个粒径分布为从 0.6 µm 至 240 µm 的样品,便可以用 30 µm、140 µm、400 µm 三根小孔管来进行测量。 库尔特原理的优点在于颗粒的体积与计数是每个颗粒单独测量的,所以有极高的分辨率,可以测量极稀或极少个数颗粒的样品。由于体积是直接测量而不是如激光衍射等技术的结果是通过某个模型计算出来的,所以不受模型与实际颗粒差别的影响,结果一般也不会因颗粒形状而产生偏差。该方法的最大局限是只能测量能悬浮在水相或非水相电解质溶液中的颗粒。使用当代微电子技术,测量中的每个脉冲过程都可以打上时间标记后详细记录下来用于回放或进行详细的脉冲图形分析。如果在测量过程中,颗粒有变化(如凝聚或溶解过程,细胞的生长或死亡过程等),则可以根据不同时间的脉冲对颗粒粒度进行动态跟踪。 对于球状或长短比很接近的非球状颗粒,脉冲类似于正弦波,波峰的两侧是对称的。对很长的棒状颗粒,如果是径直地通过小孔,则有可能当大部分进入感应区后,此颗粒还有部分在感应区外,这样产生的脉冲就是平台型的,从平台的宽度可以估计出棒的长度。对所有颗粒的脉冲图形进行分析,可以分辨出样品中的不同形状的颗粒。 大部分生物与工业颗粒是非导电与非多孔性的。对于含贯通孔或盲孔的颗粒,由于孔隙中填满了电解质溶液,在颗粒通过小孔时,这些体积并没有被非导电的颗粒物质所替代而对电脉冲有所贡献,所以电感应区法测量这些颗粒时,所测到的是颗粒的固体体积,其等效球直径将小于颗粒的包络等效球直径。对于孔隙率极高的如海绵状颗粒,测出的等效球直径可以比如用激光粒度仪测出的包络等效球小好几倍。 只要所加电场的电压不是太高,通常为 10 V 至 15 V,导电颗粒譬如金属颗粒也可以用电阻法进行测量,还可以添加 0.5%的溴棕三甲铵溶液阻止表面层的形成。当在一定电流获得结果后,可以使用一半的电流和两倍的增益重复进行分析,应该得到同样的结果。否则应使用更小的电流重复该过程,直到进一步降低电流时结果不变。 在各种制造过程中,例如在制造和使用化学机械抛光浆料、食品乳液、药品、油漆和印刷碳粉时,往往在产品的大量小颗粒中混有少量的聚合物或杂质大颗粒,这些大颗粒会严重影响产品质量,需要进行对其进行粒度与数量的表征。使用库尔特原理时,如果选择检测阈值远超过小颗粒粒度的小孔管(小孔直径比小颗粒大 50 倍以上),则可以含大量小颗粒的悬浮液作为基础液体,选择适当的仪器设置与直径在大颗粒平均直径的 1.2 倍至 50 倍左右的小孔,来检测那些平均直径比小颗粒至少大 5 倍的大颗粒 [2]。 二、库尔特原理的新发展 可调电阻脉冲感应法可调电阻脉冲感应法(TRPS)是在 21 世纪初发明的,用库尔特原理测量纳米颗粒的粒度与计数。在这一方法中,一个封闭的容器中间有一片弹性热塑性聚氨酯膜,膜上面有个小孔,小孔的大小(从 300 nm 至 15 m)可根据撑着膜的装置的拉伸而变来达到测量不同粒度的样品。与经典的电阻法仪器一样,在小孔两边各有一个电极,测量由于颗粒通过小孔而产生的电流(电压) 变化。它的主要应用是测量生物纳米颗粒如病毒,这类仪器不用真空抽取液体,而是用压力将携带颗粒的液体压过小孔。压力与电压都可调节以适用于不同的样 品。由于弹性膜的特性,此小孔很难做到均匀的圆形,大小也很难控制,每次测得的在一定压力、一定小孔直径下电脉冲高度与粒度的关系,需要通过测量标准颗粒来进行标定而确定。图3 可调电阻脉冲感应法示意图当小孔上有足够的压力差时,对流是主要的液体传输机制。 由于流体流速与施加的压力下降成正比,颗粒浓度可以从脉冲频率与施加压力之间线性关系的斜率求出。但是需要用已知浓度的标准颗粒在不同压力下进行标定以得到比例系数[3]。 这个技术在给定小孔直径的检测范围下限为能导致相对电流变化 0.05%的颗粒直径。检测范围的上限为小孔孔径的一半,这样能保持较低程度的小孔阻塞。典型的圆锥形小孔的动态范围 为 5:1 至 15:1,可测量的粒径范围通常从 40 nm 至 10 µm。 此技术也可在测量颗粒度的同时测量颗粒的 zeta 电位,但是测量的准确度与精确度都还有待提高,如何排除布朗运动对电泳迁移率测量的影响也是一个难题[4]。微型化的库尔特计数仪随着库尔特原理在生物领域与纳米材料领域不断扩展的应用,出现了好几类小型化(手提式)、微型化的库尔特计数仪。这些装置主要用于生物颗粒的检测与计数,粒度不是这些应用主要关心的参数,小孔的直径都在数百微米以内。与上述使用宏观压力的方法不同的是很多这些设计使用的是微流控技术,整个装置的核心部分就是一个微芯片,携带颗粒的液体在微通道中流动,小孔是微通道中的关卡。除了需要考虑液体微流对测量带来的影响,以及可以小至 10 nm 的微纳米级电极的生产及埋入,其余的测量原理和计算与经典的库尔特计数器并无两致。这些微芯片可以使用平版印刷、玻璃蚀刻、 防蚀层清除、面板覆盖等步骤用玻璃片制作[5], 也可以使用三维打印的方式制作[6]。一些这类微流控电阻法装置已商业化。图4 微流计数仪示意图利用库尔特原理高精度快速的进行 DNA 测序近年来库尔特原理还被用于进行高精度、快速、检测误差极小的 DNA 或肽链测序。这个技术利用不同类型的纳米孔,如石墨烯形成的纳米孔或生物蛋白质分子的纳米孔,例如耻垢分枝杆菌孔蛋白 A(MspA)。当线性化的 DNA-肽复合物缓慢通过纳米孔时,由于不同碱基对所加电场中电流电压的响应不同,通过精确地测量电流的变化就可对肽链测序。由于此过程不影响肽链的完整性,如果将实验设计成由于电极极性的变化而肽链可以来 回反复地通过同一小孔,就可以反复地读取肽链中的碱基,在单氨基酸变异鉴定中的检测误差率可小于 10-6[7,8]。图5 纳米孔 DNA 测序库尔特原理的标准化 早在 2000 年,国际标准化组织就已成文了电感应区法测量颗粒分布的国际标准(ISO 13319),并得到了广泛引用。在 2007 年与 2021 年国际标准化组织又前后两次对此标准进行了修订。中国国家标委会也在 2013 年对此标准进行了采标,成为中国国家标准(GB/T 29025-2012)。参考文献【1】Berge, L.I., Jossang, T., Feder, J., Off-axis Response for Particles Passing through Long Apertures in Coulter-type Counters, Meas Sci Technol, 1990, 1(6), 471-474. 【2】Xu, R., Yang, Y., Method of Characterizing Particles, US Patent 8,395,398, 2013. 【3】Pei, Y., Vogel, R., Minelli, C., Tunable Resistive Pulse Sensing (TRPS), In Characterization of Nanoparticles, Measurement Processes for Nanoparticles, Eds. Hodoroaba, V., Unger, W.E.S., Shard, A.G., Elsevier, Amsterdam, 2020, Chpt.3.1.4, pp117-136.【4】Blundell, E.L.C.J, Vogel, R., Platt, M., Particle-by-Particle Charge Analysis of DNA-Modified Nanoparticles Using Tunable Resistive Pulse Sensing, Langmuir, 2016, 32(4), 1082–1090. 【5】Zhang, W., Hu, Y., Choi, G., Liang, S., Liu, M., Guan, W., Microfluidic Multiple Cross-Correlated Coulter Counter for Improved Particle Size Analysis, Sensor Actuat B: Chem, 2019, 296, 126615. 【6】Pollard, M., Hunsicker, E., Platt, M., A Tunable Three-Dimensional Printed Microfluidic Resistive Pulse Sensor for the Characterization of Algae and Microplastics, ACS Sens, 2020, 5(8), 2578–2586. 【7】Derrington, I.M., Butler, T.Z., Collins, M.D., Manrao, E., Pavlenok, M., Niederweis, M., Gundlach, J.H., Nanopore DNA sequencing with MspA, P Natl Acad Sci, 107(37), 16060-16065, 2010. 【8】Brinkerhoff, H., Kang, A.S.W., Liu, J., Aksimentiev, A., Dekker, C., Multiple Rereads of Single Proteins at Single– Amino Acid Resolution Using Nanopores, Science, 374(6574), 1509-1513, 2021. 作者简介许人良,国际标委会颗粒表征专家。1980年代前往美国就学,受教于20世纪物理化学大师彼得德拜的关门弟子、光散射巨擘朱鹏年和国际荧光物理化学权威魏尼克的门下,获博士及MBA学位。曾在多家跨国企业内任研发与管理等职位,包括美国贝克曼库尔特仪器公司颗粒部全球技术总监,英国马尔文仪器公司亚太区技术总监,美国麦克仪器公司中国区总经理,资深首席科学家。也曾任中国数所大学的兼职教授。 国际标准化组织资深专家与召集人,执笔与主持过多个颗粒表征国际标准 美国标准测试材料学会与化学学会的获奖者 中国颗粒学会高级理事,颗粒测试专业委员会常务理事 中国3个全国专业标准化技术委员会的委员 与中国颗粒学会共同主持设立了《麦克仪器-中国颗粒学报最佳论文奖》浸淫颗粒表征近半个世纪,除去70多篇专业学术论文、SCI援引近5000、数个美国专利之外,著有400页业内经典英文专著《Particle Characterization: Light Scattering Methods》,以及即将由化学工业出版社出版的《颗粒表征的光学技术及其应用》。点击图片查看更多表征技术
  • 得利特升级油体积电阻率测定仪正式投入市场
    石油产品质量分析在其生产、储运和市场流通环节起着重要作用,石油产品分析仪器现已广泛应用于油田、炼油厂、陆海空交通运输、海关及油品质量监督部门。作为中国仪器仪表行业重要组成部分的油品分析仪器,在疫情席卷全球的情况下,仍然在各大行业中起到必不可少的作用。随着各项技术工艺的发展,仪器仪表产品也在不断的更新换代。各大分析仪器品牌如雨后春笋,在市场中同台竞技,用户可选择的产品也更多了。企业不断推出自己的品牌产品。在刚刚过去的半年里,又有不少企业研发出多项仪器仪表新品。 得利特为了跟上油品分析仪器发展大潮,不断积累经验,创新技术,研发升级自产油品分析仪,近日,又有一款升级产品投入市场,它就是油体积电阻率测定仪。下面得利特为大家讲一下它的升级点在哪里?A1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据,根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。技术参数测试电压:500VDC测试范围: 10 7~10 13Ωcm重 复 性:>10 12Ωcm ≯25% ,<10 12Ωcm ≯15% 加热功率: 100W 控温范围: 10℃~100℃ 控温精度: ±0.5℃ 测量误差: ≤±10%测试电极杯: 3个环境温度:0~40℃相对湿度:≤85% 工作电源: AC220V±10%,50Hz 升级点:1.采用双CPU微型计算机控制。2.控温、检测、打印、冷却等自动进行。3.采用**转换器,实现体积电阻率的高精度测量。4.具有制冷和加热功能。5.整机结构合理,安全方便。
  • 深圳检验检疫局接地电阻检测能力国际领先
    近日,深圳检验检疫局机电实验室在国际权威能力验证机构澳大利亚IFM质量服务有限责任公司(简称IFM)组织的接地电阻能力验证中获得满意结果,标志着该局机电实验室接地电阻的检测能力达到国际领先水平。此次能力验证既证实了该局机电实验室接地电阻试验的出色检测能力,也为该局机电实验室明确自身在全球检测机构中定位及未来发展方向提供了平台。  IFM是国际电工委员会电工产品安全认证体系(IECEE)指定的能力验证机构。此次能力验证检测涵盖范围广,样品包含了3个电阻,并且分别要求在3个电流状态下进行测量,至少需要测量9组,共18个数据,基本覆盖了日常检测工作中的各种情况 此次能力验证参与实验室数量多。全球共有302家实验室参加本次验证,其中231家实验室获得满意结果,占76%,参加实验室多为国际电工委员会授权认可的国际技术领域最具权威的检测机构。此次能力验证引入了实验室间环境控制、仪器设备先进性水平的比较。通过实验室间环境温度控制的数据,横向比较了实验室的环境控制能力,并且分析了不同环境控制能力下的检测数据。
  • 中科院物理研究所举办第六届公众科学日
    物理创新 • 科技进步  ----中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)第六届公众科学日  签到处、总接待处:中国科学院物理研究所D楼一层大厅  时 间:2009年5月16日周六 上午9:00—11:30  下午 2:00—4:00  地 点:海淀区中关村南三街八号(中关村三桥往南100米)中国科学院物理研究所  活动内容: 赵忠贤院士科普报告:神奇的超导体、科学家科普咨询、实验室开放项目演示  实验室开放项目:  超导物理国家重点实验室:磁悬浮列车  磁学国家重点实验室:磁,无所不在 巨磁电阻GMR和隧穿磁电阻TMR材料在计算机和磁随机存储器中的应用 脉冲激光沉积设备   光学浮区炉生长磁性氧化物单晶 磁性纳米结构生长和表征  表面物理国家重点实验室:扫描隧道显微镜 扫描隧道显微镜研究有机分子薄膜的自组装生长  光学物理重点实验室:微波波段光子晶体的测试 量子成像与量子保密通讯 超短超强激光物理研究和应用 飞秒激光器  先进材料与结构分析实验室:电子显微镜相关知识  纳米物理与器件实验室:晶体生长展示 晶体展示 未来电池技术  极端条件物理重点实验室:高压热冰演示实验 低温现象演示  凝聚态理论与材料计算实验室:凝聚态理论与材料计算实验室科普知识介绍  固态量子信息与计算实验室:激光扫描共聚焦荧光显微镜
  • 中环电炉发布1750℃炉温SX-G03173M台式高温箱式电阻炉新品
    产品特点一、结构实用性;先进的空气隔热技术,结合热感应技术,当炉体表面温升到达50℃时,排温风扇将自动启动,使炉体表面快速降温。二、使用安全性;1、炉门开启自动断电功能;使炉门打开后自动断电。2、超温保护功能;当温度超过允许设定值后,自动断电及报警。3、漏电保护功能;当炉体漏电时自动断电。以上功能确保了使用的安全性。三、控制智能化;1、电炉温度控制系统采用人工智能调节技术,具有PID调节、模糊控制、自整定功能,并可编制各种升降温程序。2、国产智能控温系统可定值升温(不可编程),国产程序控温系统可编辑30段程序控温,进口程序控温系统可编辑40段程序控温。3、电炉内配置有485转换接口,可实现与计算机相互连接,通过专用的计算机控制系统来完成与单台或多达200台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。四、设计独立性;该设备为专利产品,具有多项独立自主的知识产权专利,外观美观、结构合理、使用方便。彩色触摸屏显示画面有仪表屏、光柱图、实时曲线、历史曲线、数据报表、报警报表等、全中文触摸式操作,功能全面并且使用方便。 电炉特殊保护功能电流限幅功能此功能延长了硅钼棒加热元件使用寿命对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护,保护用户在误操作时电炉使用安全。 电流缓启动功能对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护,即使中途取放物料,也可使测温系统随时响应温度变化。 炉膛材料采用专利新型陶瓷耐火材料炉温可达1750℃1、使用温度高达1750℃;可长时间使用在1700℃;2、无纤维-无环境污染和人体健康危害的危险 高纯度,不吸波;3、洁净度高。材料都经过高温烧结,不含有机粘接剂和有机挥发物;4、强度高,不易掉渣。耐磨,抗冲刷;5、适用于还原气氛和碱性气氛;创新点:1750℃炉温SX-G03173M台式高温箱式电阻炉1750℃炉温SX-G03173M台式高温箱式电阻炉
  • 中环电炉发布1700℃炉温SX-G系列节能高温箱式电阻炉新品
    1700℃电炉特殊保护功能 电流限幅功能 此功能延长了硅钼棒加热元件使用寿命,对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护,保护 用户在误操作时电炉使用安全。 电流缓启动功能 对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护,即使中途取放物料,也可使测温系统随时响应 温度变化。 产品特点 一、结构实用性; 1、炉膛材料采用优质的新型特种耐火纤维制品制成,节能40%以上,温场均匀; 加热元件采用表面温度1800℃的优质硅钼棒。 2、先进的空气隔热技术,结合热感应技术,当炉体表面温升到达50℃时,排温 风扇将自动启动,使炉体表面快速降温。 二、使用安全性; 1、炉门开启自动断电功能;使炉门打开后自动断电。 2、超温保护功能;当温度超过允许设定值后,自动断电及报警。 3、漏电保护功能;当炉体漏电时自动断电。 以上功能确保了使用的安全性。 三、控制智能化; 1、电炉温度控制系统采用人工智能调节技术,具有PID调节、模糊控制、自整定功能, 并可编制各种升降温程序。 2、国产智能控温系统可定值升温(不可编程),国产程序控温系统可编辑30段程序控 温,进口程序控温系统可编辑40段程序控温。 3、电炉内配置有485转换接口,可实现与计算机相互连接,通过专用的计算机控制系统来 完成与单台或多达200台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。 四、设计独立性; 该设备为专利产品,具有多项独立自主的知识产权专利,外观美观、结构合理、使用方便。 彩色触摸屏 显示画面有仪表屏、光柱图、实时曲线、历史曲线、数据报表、报警报表等、全中文触摸 式操作,功能全面并且使用方便。 创新点:1700℃炉温SX-G系列节能高温箱式电阻炉1700℃炉温SX-G系列节能高温箱式电阻炉
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