磁控溅射仪

日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000采用了电磁管电极，能够最大限度地减轻对样品的损坏，并在样品表面涂覆一层均匀粒子。适用于高分辨率的扫描式电子显微镜。日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品直径：60 mm日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品高度：20 mm 特点：采用LCD触摸屏，可以更加简便地设定加工条件可处理较厚或较大的样品(选配件)记忆功能可存储常用加工条件规格：

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

GVC-2000手套箱专用磁控溅射仪（手套箱专用离子溅射仪）自动化程序控制，一键式操作，让镀膜更加高效。该设备采用触摸控制，外置泵组设计，采用平面磁控溅射靶设计，从而使试样在热效应最小的条件下得到最有效的溅射效果，常用于锂电池电极防氧化研究中。一、手套箱专用离子溅射仪技术参数1、输入电压：AC220V±10%，50Hz2、工作电压：DC2400V3、最大功率（主机与机械泵）：500W4、工作原理：磁控溅射5、工作环境：温度 5～40℃，湿度60%6、存储环境：温度-10~60℃，湿度80%7、真空泵：两级直联旋片式真空泵 1L/s8、整机尺寸（长×宽×高）：424×271×255（mm）9、重量（主机）：11 kg10、真空腔：φ128×130mm11、样品杯：φ90×1 / φ25×4 / φ15×612、工作气体：Air / Ar13、保护功能：过流、真空双保护14、可选靶材：金、铂、银、铜、铝、铅等常用金属二、手套箱专用离子溅射仪主要特点1、可用于纯氩、纯氮环境，使样品免受氧气、水蒸气或其他污染。2、助力新型电池研究3、提供全套解决方案及交钥匙服务。

磁控溅射技术GSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。GSC-1000带有10"派热克钟罩腔体，2个2"的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能选配项：Thickness Monitor 膜厚监测应 用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

磁控溅射仪 SSG-50M　　为了使电子显微镜中的样品能够成像，它们需要有导电性，通过在样品上形成导电层的镀膜，用来抑制电荷，减少热损伤，并提高在SEM中定位检查所需的二次电子信号。测试原理：　　在封闭腔室中，放置阳极靶材，充入气体，保持一定的真空度，在阳极和阴极之间加载高压，会发生辉光放电现象。电离的气体离子会轰击、侵蚀阳极靶材。靶材原子会因此向四周扩散，在磁力的束缚下在一定范围内沉积，最终在样品表面形成一个均匀的镀层。这个镀层可以抑制荷电，减小热损伤，提高二次电子产率，从而改善扫描电镜观察效果。平时使用时，最常见靶材的是金靶。正是这个原因，离子溅射仪也俗称“喷金仪”。然而，为了获得更细小的晶粒尺寸、更薄的连续镀层，有时候也会使用其他靶材（比如铬、铂金、铜）。产品概览 产品特点样品腔尺寸：圆柱形，直径150mm x高度120mm；样品腔真空度：极限真空度：＜0.1Pa，工作真空度：0-10Pa，恒压控制；样品台：可以装载样品8-15个，高度可调范围为40mm；靶材：Au 靶为标配，Pt，Cu（选件）规格：直径57mm x 0.1mm厚；溅射电流：微处理器控制，安全互锁，可调，最大电流200mA，程序化数字控制；溅射头：低电压平面磁控管，靶材更换快速，环绕暗区护罩；真空计：皮拉尼真空计，测量范围：0.01Pa-常压；真空泵：双级直连式高速真空泵，抽速：66L/min，真空度：10-2Pa；厚度监控：使用高分辨厚度监控仪，精确测定所镀膜的厚度；（选配）操作方式：触摸屏控制，手动和自动模式可选，操作简便；机箱设计：长宽高40*35*50cm，坚固防腐蚀的箱体，带有电源、电压、电流、真空度等显示。

多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEMnanoEM是Moorfield Nanotechnology推出的一款高精度的磁控溅射喷金仪。该系统可配备SEM样品托、TEM网、普通样品等多种专用样品台，满足各种高精度的喷金或电生长需求。除了溅射金属电外，nanoEM还具有大的拓展空间，虽然作为台式设备，nanoEM配备了输出功率可达300W的溅射源，系统还可选择样品台旋转、样品倾斜、自动压强控制等多种功能。丰富的选件和配置可以满足学术研究的多种样品生长需求，可升成为一台多功能的磁控溅射薄膜制备系统。该设备作为灵活的高精度金属溅射仪备受各大实验室的青睐。主要特点：◎ 能够达到学术研究的多功能喷金仪◎ SEM托、TEM网、普通样品多种专用样品台可选◎ 可安装两个2英寸溅射源◎ 通用的溅射靶材◎ 本底真空5×10-7 mbar◎ 流量计控制生长气氛◎ 可调式DC溅射源，输出功率可达300W◎ 全自动，引导式触屏控制◎ 完备的安全性设计◎ 易于维护◎ 兼容超净室◎ 稳定的性能表现系统选件：◎ 腔体视窗◎ 真空泵型号可选◎ 气压全自动控制系统◎ 溅射源挡板◎ 等离子体辉光电◎ 样品台旋转与倾斜◎ 晶振膜厚监测系统

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

一、产品应用： JS-600M小型磁控溅射仪采用二极（DC）直流溅射原理设计，带磁控靶头，有水冷功能。设备操作简单方便，适用于扫描电子显微镜（SEM）样品制备,非导体材料实验电极的制作。 磁控溅射为冷溅射，对样品表面的升温较低，适用对温度较敏感的薄膜样品。用户可以根据自己的需要自行选择不同的真空条件，溅射电流。大尺寸的真空腔体设计，满足大样品的溅射需求。标配一片金靶，纯度为99.999%，为获得高质量的金膜提供了良好的基础。二、配置及技术指标：1.水冷却磁控靶，靶面直径为50mm；冷却水接口：6*4mm快速插头。2.主机规格：L360mm*W300mm*H380mm3.靶（上部电极）：金：直径：50mm，厚度：0.1mm4.真空样品室：直径：160mm，高：110mm5.溅射面积：Ф50mm 6.工作真空：2×10-1—6×10-2 mbar7.离子电流表：0-100mA8.定时器：根据溅射习惯设定单次溅射时间。9.针阀： 配有进气口，微量充气调节，可连接φ4*2.5mm软管。10.工作室工作媒介气体：空气或氩气等多种气体11.溅射电压：-1600 DCV12. 飞跃真空泵（VRD-4）：1.1L/S三、 产品特点1. 轻便、溅射面积大2. 可以溅射铂、金及银等金属3. 溅射效率高，可水冷降温 备注：JS-600M小型磁控溅射仪可适用的靶材：金、铂、银

仪器特点：腔体材料：不锈钢，铝，或者Bell Jar；分子泵：70，250，500 l/sec； 一级泵：机械泵或干泵；13.5MHz, 300-600W射频电源；1KW直流电源；QCM在线厚度测量，厚度分辨率0.1nm；带有观察窗的门，方便样品取放；Labview软件，PC控制；多重密码保护；全安全互锁设计； 选配功能：向上，向下，侧向溅射；射频，直流、脉冲直流溅射；共溅射，反应溅射；组合溅射；射频、直流偏置(1000V)；基底加热：不高于700摄氏度；厚度监控；基底射频等离子清洗；Load-Lock，以及自动样品取放； 不同型号选择：NSC系列，立式磁控溅射系统；NSC系列，立式紧凑磁控溅射系统；NSC系列，台式磁控溅射系统；双腔体系统，NSR系列，磁控溅射+反应离子刻蚀(RIE)；双腔体系统，NSP系列，磁控溅射+PECVD；双腔体系统，NST系列，磁控溅射+热蒸发；

VTC-600G高真空磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600G高真空磁控溅射仪可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。可制备多种薄膜，应用广泛。体积小，操作简便。整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600G高真空磁控溅射仪产品型号VTC-600G主要参数1、结构：台式前开门结构，后置抽气系统。 2、极限真空：6.0X10-5Pa。 3、漏率：1h≤0.5Pa。 4、抽气时间大气至5.0X10-3约20分钟。 5、真空泵组：机械泵+分子泵。 6、样品台:φ140、室温-500℃、精度±1℃ （可根据实际需要提升温度） 自转5rpm-20rpm内可调。 可根据客户需求选配加装偏压功能， 以实现更高质量的镀膜。7、加气系统：质量流量计2路。 （氩气/氮气各一路） 8、靶头与样品台中轴线夹角为34° 9、靶头数量：3个（互成120°）。10、 靶枪冷却方式：水冷 11、靶材尺寸：φ2″，厚度0.1-5mm （因靶材材质不同厚度有所不同）12、产品规格：尺寸：整机尺寸：700mm×852mm×1529mm；序号名称数量图片链接1样品台挡板（可选）

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

磁控溅射技术NSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-1000带有10”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。由于NSC-1000的空间有限，我们不能在NSC-1000系统上提供更多的电源和磁控管。我们可以提供我们的NSC-1000系统，用于SEM应用，也可以用于溅射金属到最大6”的晶圆片。NSC-1000磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-1000磁控溅射系统选配项：Thickness Monitor 膜厚监测NSC-1000磁控溅射系统应用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

磁控溅射技术NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-4000（A）带有14”立方形不锈钢腔体，4个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，350 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢腔体260l/s或350l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统选配项：RF、DC溅射热蒸镀能力RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-3000（M）磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000带有12”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（M）磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70，250或500 l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-3000（M）磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

DISCOVERY 635/785 多耙直流/射频磁控溅射台 丹顿真空的Discovery系列在世界许多著名的研究机构得到广泛的应用，是业内公认的灵活、可靠的磁控溅射系统。从15年前开发以来，该系统已经销售超过100台，在国内销售12台。Discovery系列适合于研发及小批量生产。系统采用独特的共焦溅射结构，能够使用较小的磁控溅射靶枪在较大的面积的工件上得到较好的均匀性（例如：采用传统的垂直溅射方式，为了在6英寸工件上得到±5%的均匀性，需要使用8英寸直径靶枪，而采用共焦溅射方式，则可以采用3英寸磁控溅射靶枪，即可达到同样的均匀性指标）。因此在同样的要求下，采用的靶枪及电源相对较小，所以能够降低设备成本及运行成本，同时，丹顿真空也提供传统的垂直溅射方式系统。Discovery 系列都可以安装多个磁控溅射靶枪，可以实现多种溅射模式，包括直流/射频/脉冲溅射，共溅射，射频偏压溅射；可以实现三级加热，最高加热温度可以达到900 °C；可以配置进样室（单片或多片），最大可以处理的工件直径可以达到 250mm ；系统真空室规格从18英寸（457mm）到 35英寸（890mm）可选；高真空采用分子泵或低温泵获得；可以采用PLC触摸屏控制系统或计算机控制系统。 系统主要配置：※ 多耙直流/射频磁控溅射※ 旋转工作台（可以升级为射频偏压工件台）※ 上溅射或下溅射可选※ 不锈钢真空室，带观察窗

磁控溅射技术NSC-4000（M）磁控溅射系统概述： NANO-MASTER杰出的溅射系统可构建成多腔体和多蒸发源的配置，在介质上溅射金属和介质材料，最大可支持200mm的衬底。系统可以配置DC直流、RF射频和Pulse DC脉冲直流等电源来进行序列溅射或共溅射。 系统使用涡轮分子泵组，工艺腔极限真空可达5 x 10-7Torr。可以通过调节靶基距，实现所需要的均匀度和沉积速率的调节。旋转样品台可提供薄膜最优的均匀性。 自动膜厚监控仪可提供以目标膜厚为工艺终点条件的全自动工艺控制，达到目标膜厚时系统将自动停止工艺。样品台最高可加热到800度，并可提供射频偏压。NSC-4000（M）磁控溅射系统产品特点：电抛光14"立方体或21"x21"x22"不锈钢优化蒸镀腔体680 l/sec 涡轮分子泵，串接机械泵或干泵4x 15CC pocket电子枪电子束源和基片遮板 6KW开关电源，杰出的消弧性能自动Pocket索引以及可编程的扫描控制器膜厚监测，可设置目标膜厚作为工艺终点条件旋转样品台，提供高均匀性带观察视窗的腔门，便于放片/取片PC全自动控制，具有高度的可重复性Labview软件的计算机全自动工艺控制控多级密码保护的授权访问设计EMO保护以及完全的安全联锁NSC-4000（M）磁控溅射系统选配项：基板支持加热(最高可达800°C)或冷却支持旋转GLAD斜角入射沉积腔体尺寸可定制1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料倾斜磁控枪射频偏压样品台离子源用于基片预清洗离子辅助溅射增加RF电源和DC电源用于共溅射增加热蒸发源和电子束蒸发源增加MFC用于反应溅射自动上下片其它包含冷泵等的各种真空泵选配NSC-4000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学涂覆和ITO涂覆保护涂层带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂层微电子图案OLED应用中的TCO透明导电薄膜** 硬涂层

高纯度金靶材磁控溅射仪在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜,研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发速率的提高,薄膜的结构变得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化,而方阻均匀性变差,但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此,选用适合的蒸发速率对Au膜质量有很大影响。高纯度金靶材应用领域：离子溅射仪在扫描电镜中应用十分广泛，通过向样品表面喷镀金、铂、钯及混合靶材等金属消除不导电样品的荷电现象，并提高观测效率，另外可以使用喷碳附件对样品进行蒸碳，实现不导电样品的能谱仪元素定性和半定量分析。高纯度金靶材磁控溅射仪KT-Z1650PVD厂家供应技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

磁控溅射镀膜机 - 紧凑，适合科研，极高性价比！型号：AP-MMS1产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属、氧化物等；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：直流磁控溅射，射频磁控溅射；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；5/ 靶枪：2英寸直径 (选配：3英寸)；6/ 直流电源：2KW(800V - 2.5A)；7/ 气体传输模块：MFC控制，氩气，100sccm；

产品简介：VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪是一款桌面式等离子磁控溅射镀膜仪，包含一个2英寸水冷靶头（另有1英寸靶头可选）和可旋转样品台。水冷靶头使镀膜后的样品表面不会因镀膜温度过高而变形，甚至损坏样品；样品台可旋转，可以使样品边旋转边镀膜，使镀膜后的样品表面膜厚均匀。设备外形小巧，性价比高，是制作各种金属薄膜理想的镀膜设备，可选配各种金属靶材和真空泵搭配设备使用。VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪采用PLC控制面板对设备进行控制，操作方便直观。 VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪操作视频 产品型号VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪技术参数1、输入电源：220VAC 50/60Hz2、溅射电流：0-150 mA可调3、功率：＜2KW4、输出电压：1600VDC（max）5、溅射腔体（1）.采用石英腔体，尺寸：166mm OD x 150mm ID x 290mm H（2）.密封：采用O形密封圈密封6、溅射头&样品台（1）.二英寸带水冷的磁控溅射头（注意：水冷机不是标配）另有1英寸靶头可选（2）.一个直径50mm不锈钢样品台，样品台可旋转，旋转速率0-5 RPM（3）.安装有一可手动操作的溅射挡板（4）.样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：30-80mm（5）.靶头支架，可以在非溅射状态放置溅射靶头（6）.溅射面积：4英寸（max）7、控制面板6" PLC集成触摸屏控制面板，可控制真空、电流、靶材位置和基片加热温度8、真空系统（1）安装有KF25真空接口（2）数字真空压力表（Pa） （3）此系统运行需要Ar气，并且气瓶上安装有减压阀（设备中不包含）（4）采用机械泵 1.0E-2 Torr（5）采用涡旋分子泵 1.0E-5 Torr（6）可在本公司选购各种真空泵9、进气含一个控制进气的针阀和一个放气阀，本设备接气需要安装减压阀10、靶材（1）靶材尺寸要求：Φ50mmx(0.1-2.5) mm(厚度)（2）适合溅射Au,Ag,Cu,Al,Ti,等金属（可在我公司选购）产品规格1、产品外型尺寸：（L）460 mm × （W）330 mm × （H）520 mm2、净重：20 kg（不包含泵及水冷机）可选配件薄膜测厚仪加热样品台浮子流量计

高真空磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。距离可调整基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 角度可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。控制系统采用计算机＋PLC两级控制系统安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000采用了电磁管电极，能够最大限度地减轻对样品的损坏，并在样品表面涂覆一层均匀粒子。适用于高分辨率的扫描式电子显微镜。日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品直径：60 mm日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品高度：20 mm 特点：采用LCD触摸屏，可以更加简便地设定加工条件可处理较厚或较大的样品(选配件)记忆功能可存储常用加工条件规格：项目说明放电类型磁控二极管放电型（电场垂直于磁场）电极组成反向平行盘（嵌入磁铁）电压最大0.4Kv DC（直流可变）电流最大40mA DC喷镀速率(最大）[条件]压力：7Pa放电电流:40mA标靶与样品表面之间的距离:20mmPt靶(选配件)15nm/minPt-Pd靶（选配件）20nm/minAu靶(选配件)35nm/minAu-Pd靶（选配件）25nm/min样品尺寸最大直径Ф60mm最大高度20mm机械泵135/162 L/min(50/60Hz)靶材﹡2Pt, Pt-Pd (8: 2), Au, Au-Pd(6: 4)电源要求单相,100VAC(±10%)15A(50/60Hz)3-针插头线缆(3m)尺寸宽度450mm长度391mm高度390mm重量主机:约25Kg 机械泵:约28kg﹡1：喷镀速率仅供参考﹡2：主机内不包括靶材。请从选项中选择（鉑,铂-钯,金,金-钯)

VTC-600-2HD是一款带有两个靶头的磁控溅射镀膜仪，其中一个靶头采用直流（DC）溅射，可溅射金属靶材制备金属膜，另一个采用射频（RF）溅射，可溅射金属和氧化物靶材，制备金属或氧化物膜.设备上安装有薄膜测厚仪可以实时监测薄膜的厚度。此设备可制作各种单层或多层薄膜，如铁电、导电，合金，半导体，陶瓷，介电，光学，氧化物和PTFE薄膜等。而且设备体积较小操作方便，是一套理想的实验工具。技术参数结构（点击图片查看详细资料）输入电源220VAC 50/60Hz, 单相2000W (包括泵)溅射电源安装有两个溅射电源直流（DC）电源：500W，针对于制作金属膜射频（RF）电源：600W，可制作氧化物和金属膜同时可选配300W的射频电源 磁控溅射头仪器中安装有2个磁控溅射头，而且都带有水冷夹层，可通入冷却水对靶材降温其中一个溅射头与射频电源相连接，主要是溅射绝缘性靶材另一个溅射头与直流电源相连接，主要溅射导电性靶材靶材尺寸要求：金属靶：直径为50mm,最大厚度1.5mm 陶瓷靶：直径为50mm,最大厚度6mm仪器中标配一个不锈钢靶和氧化铝陶瓷靶溅射头所需冷却水：流速10ml/min（仪器中配有一台流速为16ml/min的循环水冷机） 也可以根据自己的要求选择2个射频溅射头或3个射频溅射头，订购前需于本公司销售人员联系真空腔体真空腔体：300 mm Dia x 300 mm h，采用不锈钢制作观察窗口： 100 mm腔体打开方式采用上顶开，使得换靶更加容易 载样台载样台尺寸：140mm （最大可放置4"的基底）载样台可以旋转，其速度为：1 - 20 rpm （可调）载样台最高可加热温度为500℃，控温精度为+/- 1.0 °C气体流量控制器仪器内部安装有2个质量流量计量程为：0-200sccm气体流量设置可以在6英寸的触摸屏上进行操作真空泵系统配有一套分子泵系统（德国制作），采用一键式操作 薄膜测厚仪一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据外形尺寸L1300mm× W660mm× H1200mm重量160 kg质保期一年质保期，终生维护

VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪和两个电源，一个射频电源用于非导电材料的溅射镀膜，一个直流电源用于导电材料的溅射镀膜，可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。1、配置两个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，一个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。2、可制备多种薄膜，应用广泛。3、体积小，操作简便。产品名称VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪产品型号VTC-600-2HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带Ø 6mm双卡套接头）及减压阀4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要参数1、电源电压：220V 50Hz2、功率：900W3、腔体内径：Ø 300mm4、极限真空度：9.0×10-4Pa5、样品台加热温度：RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度）6、靶枪数量：2个（可选配其他数量）7、靶枪冷却方式：水冷8、靶材尺寸：Ø 2″，厚度0.1-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）9、直流溅射功率：500W；射频溅射功率：300W。（靶电源种类可选，可选择两个直流电源，也可选择两个射频电源，或选则一个直流一个射频电源）10、载样台：Ø 140mm，可根据客户需求选配加装偏压功能，以实现更高质量的镀膜。11、载样台转速：1rpm-20rpm内可调12、工作气体：Ar等惰性气体13、进气气路：质量流量计控制2路进气，一路为100SCCM，另一路为200SCCM。产品规格1、主机尺寸：500mm×560mm×660mm2、整机尺寸：1300mm×660mm×1200mm3、真空室规格：φ300×300mm4、重量：160kg标准配件1直流电源控制系统1套2射频电源控制系统1套3膜厚监测仪系统1套4分子泵（德国进口或者国产更大抽速）1台5冷水机1台6聚酯PU管（Ø 6mm）4m可选配件金、铟、银、铂等各种靶材可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜

VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪配置三个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。1、配置三个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。2、可制备多种薄膜，应用广泛。3、体积小，操作简便。4、整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。5、可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪产品型号VTC-600-3HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带Ø 6mm双卡套接头）及减压阀4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要参数1、电源电压：220V 50Hz2、总功率：＜2.5KW3、腔体内径：Ø 300mm4、极限真空度： E-6mbar（配合本公司设备使用可达到 E-5mbar）5、工作温度：RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度）6、靶枪数量：3个7、靶枪冷却方式：水冷8、靶材尺寸：Ø 2″，厚度0.1mm-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）9、直流溅射功率：500W（可选）10、射频溅射功率：300W/500W（可选）11、载样台：Ø 140mm，可根据客户需求选配加装偏压功能，以实现更高质量的镀膜。12、载样台转速：1rpm-20rpm内可调13、保护气体：Ar、N2等惰性气体14、进气气路：质量流量计控制2路进气，1个流量为100 SCCM，1个流量为200 SCCM产品规格主机尺寸：500mm×560mm×660mm，整机尺寸：1300mm×660mm×1200mm；重量：160kg标准配件1直流电源控制系统2套2射频电源控制系统1套3膜厚监测仪系统1套4分子泵（德国进口或者国产更大抽速）1台5冷水机1台6聚酯PU管（Ø 6mm）4m可选配件金、铟、银、铂等各种靶材可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜掩膜版振动样品台

VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪，一个弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜，一个强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。1、配置两个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，一个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。2、可制备多种薄膜，应用广泛。3、体积小，操作简便。产品名称VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪产品型号VTC-600-2HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）及减压阀4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要参数1、电源电压：220V 50Hz2、功率：2KW（不含真空泵）3、极限真空度：9.0×10-4Pa4、样品台加热温度：RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度）5、靶枪数量：2个（可选配其他数量）6、靶枪冷却方式：水冷7、靶材尺寸：?2″，厚度0.1-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）8、直流溅射功率：500W；射频溅射功率：300W。（靶电源种类可选，可选择两个直流电源，也可选择两个射频电源，或选则一个直流一个射频电源）9、载样台：?140mm，可根据客户需求选配加装偏压功能，以实现更高质量的镀膜。10、载样台转速：1rpm-20rpm内可调11、工作气体：Ar等惰性气体12、进气气路：质量流量计控制2路进气，一路为100SCCM，另一路为200SCCM。产品规格1、主机尺寸：500mm×560mm×660mm2、整机尺寸：1300mm×660mm×1200mm3、真空室规格：φ300×300mm4、重量：160kg标准配件1直流电源控制系统1套2射频电源控制系统1套3膜厚监测仪系统1套4分子泵（德国进口）1台5冷水机1台6冷却水管（?6mm）4根可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪配置三个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。1、配置三个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。2、可制备多种薄膜，应用广泛。3、体积小，操作简便。4、整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。5、可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600-3HD双靶磁控溅射仪产品型号VTC-600-3HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）及减压阀4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要参数1、电源电压：220V 50Hz2、总功率：＜2.5KW3、极限真空度： E-6mbar（配合本公司设备使用可达到 E-5mbar）4、工作温度：RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度）5、靶枪数量：3个6、靶枪冷却方式：水冷7、靶材尺寸：?2″，厚度0.1mm-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）8、直流溅射功率：500W（可选）9、射频溅射功率：300W/500W（可选）10、载样台：?140mm，可根据客户需求选配加装偏压功能，以实现更高质量的镀膜。11、载样台转速：1rpm-20rpm内可调12、保护气体：Ar、N2等惰性气体13、进气气路：质量流量计控制2路进气，1个流量为100 SCCM，1个流量为200 SCCM产品规格主机尺寸：500mm×560mm×660mm，整机尺寸：1300mm×660mm×1200mm；重量：160kg标准配件1直流电源控制系统2套2射频电源控制系统1套3膜厚监测仪系统1套4分子泵（德国进口）1台5冷水机1台6冷却水管（?6mm）4根可选配件金、铟、银、铂等各种靶材掩膜版振动样品台