等离子设备

PlasmaEtch 等离子开封设备等离子开封设备PlasmaEtch是一个革命性的气体为基础的半导体蚀刻系统。采用以前从未见过的应用微波气体煽动化学基团为各向同性腐蚀。PlasmaEtch腐蚀大部分样本大小，封装类型和引线键合的类型。无论它是一个传统的金丝样品或者该样品设有铜或银导线，PlasmaEtch都提供了安全可靠的蚀刻。等离子开封设备是为快速蚀刻模具化合物，聚酰亚胺芯片特别研发的，无需攻击敏感的接线便可将芯片开封。优点:1）对铜线、数化铜线及2) 银线线无伤害3) 伤害小 (selectivity 500:1)4)快速等向性蚀刻 5) 无离子、无辐射6) 加力聚焦下游等离子体刻蚀7) 质量流量控制的所有气体8) 低温蚀刻9) 各向同性蚀刻主要特点:1)可定制的蚀刻配方2)蚀刻封装类型多种多样3)优化开封微芯片4)开封处理程序快速5) 高刻蚀率及低成本6) 完全Chemical-free 开盖，符合环保要求7) 针对银线的唯一解决办法8) 移除率约 200 μm/小时 (包括无机填充材料移除)开封后的效果

等离子沉淀设备等离子沉积设备SI 500 D产品介绍 高端ICPECVD设备SI 500 D为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产 生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线 （PTSA）保证了沉积薄膜的优异性能， 如在非常低的沉积温度下（＜100°C）实现低刻蚀速率， 低应力和低界面态密度。 特点 *高密度等离子体*平行板ICP等离子体源*优异的沉积性能*动态温度控制 带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD产品介紹 灵活的PECVD系统SI 500 PPD具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积 SiO2、SiNx、 SiOxN揷口a-SL灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。 特点 *工艺灵活性*预真空室*SENTECH控制软件 PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200产品介绍 直接置片的PECVD设备Depolab 200结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一 起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺（使用载片 器或直接加载到衬底电极）。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。 特点 *低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件 原子层沉积设备SENTECH ALD产品介紹ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行 性。利用ALD、 PECVD和ICPECVD, SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉 积到数微米的薄膜沉积。 特点 *简易的腔体清洗*集成手套箱*节省前驱体*前驱体控制 等离子沉淀设备正片晶片扫描MDPinline优势 在不到一秒的时间内，实现对一个晶片全电子晶片特性的测量,测量参数：少子寿命（全形貌），电阻率 （两行扫 描），迄今为止还没有看到工艺控制、良率和工艺改进的效率允许极快地增加新的生产或工艺，因为来自数千 个晶片的统计信息是在非常短的时间内获得的。 适合于测量出料或进料晶片的材料质量，以及在晶片级别内识别结晶问题，例如在光伏行业.适用于扩 散工艺的完 整性控制、钝化效率和均匀性控制。 快速自动扫描系统MDPinline ingot优势 测量速度，用于先进的光伏工厂的在线多晶硅表征。用1毫米分辨率测量少子在两块上的寿命。同时测 量了导电 类型变化的空间分辨测量和电阻率线扫描. 客户定义的切割标准可以传送到工厂数据库，该数据库允许为下一代光伏工厂进行全自动材料监测。从 而实现了材料质量控制，监测炉的性能，以及失效分析. 特殊的"表面以下”测量技术大大减少了由表面复合造成的数据失真。 激光扫描系统MDPpro优势机或晶圆的整体工具系列• 少子寿命、光电导率、电阻率、p/n导电类型变化和几何样品平整度的同 时自动扫描. 对于156x156x400mm标准砖，测量速度小于4分钟，分辨率为1mm,所有5幅测量图形同时绘制。 坚固耐用的设计和易于设置的性能.对于安装，仅需要电源。带有数据库的工作站包含。

plasma等离子清洗机工作原理：等离子体是正离子和电子的密度大致相等的电离气体。由离子、电子、自由激进分子、光子以及中性粒子组成，是物质的第四态。在等离子体中除了气体分子、离子和电子外，还有存在受到能量激励状态电中性的原子或原子团(又称自由基)，以及等离子体发射出的光线，其中波的长短、能量的高低,在等离子体与物体表面相互作用时有着重要的作用。（1）原子团等自由基与物体表面的反应（2）电子与物体表面的作用（3）离子与物体表面的作用（4）紫外线与物体表面的反应运用等离子体的特殊化学物理特性，plasma等离子清洗机的主要用途如下：1. 去除灰尘和油污、去静电；2. 提高表面浸润功能，形成活化表面；3. 提高表面附着能力、提高表面粘接的可靠性和持久性；4. 刻蚀物的处理作用.plasma等离子清洗机作用效果：（A）对材料表面的刻蚀作用--物理作用 等离子体中的大量离子、激収态分子、自由基等多种活性粒子，作用到固体样品表面，清除了表面原有的污染物和杂质，而且会产生刻蚀作用，将样品表面变粗糙，形成许多微细坑洼，增大了样品的比表面。提高固体表面的润湿性能。（B）激活键能，交联作用等离子体中的粒子能量在 0~20eV，而聚合物中大部分的键能在 0~10eV，因此等离子体作用到固体表面后，可以将固体表面的原有的化学键产生断裂，等离子体中的自由基中的这些键形成网状的交联结构，大大地激活了表面活性。（C）形成新的官能团--化学作用如果放电气体中引入反应性气体，那么在活化的材料表面会发生复杂的化学反应，引入新的官能团，如烃基、氨基、羧基等，这些官能团都是活性基团，能明显提高材料表面活性。深圳市东信高科自动化设备有限公司,专注等离子表面处理工艺。网址：

等离子清洗设备 PC-300紧凑耐用的设备概要PC-300是一种平行板式等离子清洗机，用于清洗样品表面的有机和无机污染。该工艺室允许用户安装多个电极架，架式电极配置的灵活性支持从研究到小批量生产的各种产品的批量处理。主要特点和优点最大加工尺寸为320mm x 230mm灵活的架式电极可以在RIE或等离子体蚀刻模式下处理各种样品。凭借其时尚、紧凑的设计，PC-300需要最小的空间。全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。带触摸屏的PLC控制器提供直观的图形界面干式泵和系统布局便于维护。可靠和耐用的系统，全球安装了150多个系统。应用塑料包装和引线框架的表面清洁。光学元件和模具的精密清洗表面改性（润湿性和附着力的改善光阻剂的灰化、剥离和除尘。清除有机污染物

等离子清洗设备 PC-1100多功能和耐用的设备概要PC-1100是一种平行板式等离子清洗机，用于清洗样品表面的有机和无机污染。该工艺室允许用户安装多个电极架，架式电极配置的灵活性支持从小型电子元件到大型基板等多种产品的批量处理。主要特点和优点最大加工尺寸为400mm x 400mm灵活的架式电极可以在RIE或等离子体蚀刻模式下处理各种样品。工艺室可配置多个大型加工架，以满足大批量生产的要求。全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。带触摸屏的PLC控制器提供直观的图形界面干式泵和系统布局便于维护。可靠、耐用的系统，全球安装了150多个系统。应用塑料包装和引线框架的表面清洁。光学元件和模具的精密清洗表面改性（润湿性和附着力的改善光阻剂的灰化、剥离和除尘。清除有机污染物

等离子沉积设备SI 500 D 高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。 SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 500 D ICPECVD等离子沉积设备 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从室温到350?°C 激光终点检测 备选电极偏置

Panasonic Plasma Dicing 松下等离子切割设备Plasma Dicer APX300 Plasma Dicer APX300 松下APX300是一款专为高附加值硅基芯片和小型芯片开发的等离子切割设备，与传统机械切割设备相比，具有切割效率高、wafer无损伤、wafer利用率高等特点。 应用领域：高性能传感器/储存器、物联网等领域具有微小、轻薄、易碎、需要清洁等特点的wafer切割，例如：low-k wafer（易碎）、3D/TSV芯片（轻薄）、图像传感器（清洁度要求高）、MEMS（易碎）、RFID芯片（微小）。 等离子切割设备的应用领域产品优势：1. 无损伤，切口整齐平整，无杂质碎屑，在电镜下观测形貌无损伤。 等离子切割与传统机械切割在硅片断裂形式上的不同 等离子切割与传统机械切割在切面形貌上更平整，且结构上无应力损伤 等离子切割后，芯片的抗弯强度提高并且数据分布更窄2. wafer利用率高、在小芯片切割上具有成本优势 切割道最小可达20μm，最多可提高30%的wafer利用率 整片一次性切割，芯片尺寸越小，单片效率越高

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC量产设备概要RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电极材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP多功能负载锁设备概要RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电极材料等难蚀材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

真空式等离子处理系统CRF-VPO-8L-S名称（Name）真空式等离子处理系统型号（Model）CRF-VPO-8L-S控制系统（Control system）PLC+触摸屏电源（Power supply）380V/AC,50/60Hz,3kw中频电源功率（MF Power）600W/13.56MHz容量（Volume）80L（Option）层数（Electrode of plies）8（Option）有效处理面积（Area）400（L）*300（W）（Option）气体通道（Gas）两路工作气体可选： Ar、N2、CF4、O2 产品特点：超大处理空间，提升处理产能，采用PLC+触摸屏控制系统，有效控制设备运行。可按照客户要求定制设备腔体容量和层数，满足客户的需求。保养维修成本低，便于客户成本控制。高精度，快响应，良好的操控性和兼容性，完善的功能和专业的技术支持。应用范围：主要适用于生物医疗行业，印制线路板行业，半导体IC领域，硅胶、塑胶、聚合体领域，汽车电子行业，航空工业等。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工SiC、SiO₂ 的高速加工蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料

多功能低温等离子清洗机设备：诚峰智造喷射型AP等离子处理系统CRF-APO-DP1020-A名称（Name）喷射型AP等离子处理系统型号（Model）CRF-APO-DP1020-A电源（Power supply）220V/AC,50/60Hz功率（Power）1000W/25KHz处理高度（Processing height）5-15mm处理宽幅（Processing width）20-80mm（Option）内部控制模式（Internal control mode）模拟控制工作气体（Gas）Compressed Air （0.4mpa）产品特点：可选配多种类型喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制；应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；国防工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。

深圳等离子设备厂家：诚峰智造喷射型AP等离子处理系统CRF-APO-DP1010-D名称（Name）喷射型AP等离子处理系统型号（Model）CRF-APO-DP1010-D电源（Power supply）220V/AC,50/60Hz功率（Power）1000W/25KHz处理高度（Processing height）5-15mm处理宽幅（Processing width）1-6mm（Option）内部控制模式（Internal control mode）数字控制外部控制模式（External control mode）RS485/RS232数字通讯口、模拟量控制口工作气体（Gas）Compressed Air （0.4mpa）产品特点：可选配多种类型喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；具有RS485/232数字通讯口和模拟量控制口，满足客户多元化需求。设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制；应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；国防工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。

UV光解设备工作原理：利用特制的高能高臭氧UV紫外线光束照射恶臭气体，改变恶臭气体的分子链结构，使有机或无机高分子恶臭化合物分子链，在高能紫外线光束照射下，降解转变成低分子化合物，如CO2、H2O等。等离子净化设备工作原理：利用高能电子、自由基等活性粒子和废气中的污染物作用，使污染物分子在极短的时间内发生分解，并发生后续的各种反应以达到降解污染物的目的。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)概要RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。选项干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。

C6L是一种按键控制的台式等离子处理系统，非常适用于多种材料的表面活化、清洁和改性，包括聚合物、金属、玻璃和陶瓷。提供单进气口或双进气口版本以及机载气体混合气管，能够处理多种气体以进行优化处理，包括空气、氧气、氢气、氩气、氮气和许多其他气体。&bull 等离子体清洗&bull 等离子表面活化以提高附着力&bull 等离子蚀刻&bull PDMS 和微流体设备&bull PEEK 和其他工程聚合物&bull 聚四氟乙烯&bull 金属&bull 陶瓷&bull 玻璃和光学器件 系统规格参数：&bull 射频电源：40KHz / 0-200W 可选装：13.56MHz / 100W 无需匹配&bull 不锈钢真空舱： Φ200mm×L200mm 约6L、可选石英舱体&bull 电极：高级网状一对一均匀性电极&bull 托盘：185×190×3 mm&bull 机箱规格：W552×H350×D380mm &bull 控制系统：手动控制&bull 真空泵：抽速 约4m3/h&bull 处理气体：1气路 、可选配2路&bull 自由设置参数：处理时间、功率、气体

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC最大ø 350毫米的托架概要RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø 350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。主要特点和优点最大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)先进的ICP源HSTC&trade （Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。应用GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻SiN和SiO2的蚀刻电介质和金属的蚀刻用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工

美国MARCH AP-600等离子系统——紧凑型、桌面式等离子处理设备 AP-600是特别设计的均匀清洗和处理的等离子设备，具有易操作性强、可靠性高、低成本的优点。AP-600是完全独立的系统，需要很小的空间。等离子腔体、控制设备、13.56MHz的等离子发生器和自动匹配网络都安装在底盘上，一个连锁的门和面板提供了维护通道。等离子腔体由耐用的高品质铝做成的，并且带有铝支架。腔体里有最多达7个可移动的、可调整的电源极或接地极支架，以适应更款范围的器件、组件或工装（盒、盘或舟）。 清洗、表面活化、改善粘性AP-600系统适合多种多样的等离子清洗、表面活化和改善粘性等应用，广泛应用在半导体器件制造、微电子封装和组装、医疗设备器件和生命科学器件的制造等。AP-600适合多种工艺气体，例如Ar、O2、H2、He及氟化合物气体，通过2个（标准配置）气体质量流量控制器控制气体的标准，系统还可以选配2个气体质量流量控制器来提高系统的控制性能。 半导体和微电子应用举例：粘片前进行处理，提高芯片附着力；键合前进行处理，提高键合强度；塑模和封装前进行处理，减少封装分层；倒装片采用底部填充工艺前进行处理，可以提高填充速度、减少空洞率、增加填充高度及一致性、增加填充物的附着力。 AP-600性能：触摸屏控制及图形用户界面，提供实时过程显示；灵活的支架，具有适应多种器件、组件及工装的能力；带有自动匹配网络的13.56MHz的RF发生器，保证设备优异过程一致性；设备满足简便的定期校准需要。 主要参数：组成高品质铝结构，带有热塑性塑料面板处理腔体、控制设备、RF发生器、匹配网络（真空泵）内置规格569W×704H×869D（mm）

上海伯东代理比利时 Europlasma 专利等离子体涂层技术 Nanofics@ 通过沉积超薄纳米涂层, 实现生物医药行业产品的亲水hydrophilic 特性. 其中 Nanofics@ 10 水接触角 WCA 10°, 亲水特性广泛应用于人体植入, 针座活化, 医用辅料等相关行业.Europlasma 无卤素等离子涂层设备 1200 PLC 参数腔室材料: 铝有效尺寸: 700 x 700 x 1200 mm.容积：490L舱门: 装有可视窗口标准样品托盘: 8个 标准尺寸: 620 * 675 mm真空度测量皮拉尼真空计真空泵干式真空泵泵组, 抽速 480 立方米每小时频射发生器根据客户应用需求定制控制系统PLC 可实现下列功能17 英寸触摸屏, 自动控制反应过程 根据处理材料设定不同的处理工艺参数 测定真空泵压力, 抽真空时间, 充气速度, 工作压力, 处理时间. 温度.频射发生器输入电压等指标 监测所有的运行指标, 保证各项参数在设定范围之内 设定操作进入密码.电源380V AC, 三相, 50Hz, 40A反应气体一个气体输入端口,含气体流量控制器（MFC）气体输入直径1/4英寸（6.45mm） 管道, 输入压力:1Bar尾气排放直径 28mm 输出端口性能急停开关 真空泵保护锁 高温保护锁 CE认证. Europlasma 等离子涂层设备适用于涂覆如下产品:1. 可穿戴电子设备: 无线耳机, 手环, 手表等2. 薄膜: 锂电池行业, 精密仪器等3. 无纺布和功能性纺织物: 运动户外产品4. 无卤素 PCB 元器件5. 医用器材: 医用导管, 口罩, 其他防护设备等. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士,分机109上海伯东版权所有, 翻拷必究！

MYS10iL 等离子清洗设备 随着电子装配和半导体市场的快速发展，整个工业对生产效率及可靠度的要求也不断提升。MYS 系列清洁设备通过消除传统真空式等离子体处理的等待时间，带来巨大产能和整体良率提升，同时能确保安全地处理所有敏感性电子元件。轴心的等离子清洗机，采用业内唯一的专利技术，敞开式常压环境下对产品进行等离子清洗，无需真空环境（抽真空），且不会带来放电损伤，可以在常压条件下作业，与前后工序可连接为自动化生产线，针对客户不同尺寸产品进行定制化，极大提升的生产效率和自动化水平。MYS10iL 等离子清洗设备产品特性MYS10iL 系列是为半导体、电子、SMT、光电、医疗等各个领域应用而开发的全自动在线式等离子处理系统。&bull 常压式氩气等离子系统&bull 100mm宽等离子在线式批量处理，相比传统方式效率提升2-5倍，使用成本降低30%以上 &bull 100%中性等离子，对敏感电子元器件，不产生等离子轰击、静电、火花、电弧、粉尘、高温、水波纹、紫外线， 不会对产品带来任何伤害，更为安全友好&bull 多种化学制程：O2制程去除有机污染物，H2制程去除金属氧化物，活化产品表面&bull 不会对产品产生颗粒污染且不会有液体污染物

高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

Panasonic Plasma Dicing 松下等离子切割设备Plasma Dicer APX300 Plasma Dicer APX300 松下APX300是一款专为高附加值硅基芯片和小型芯片开发的等离子切割设备，与传统机械切割设备相比，具有切割效率高、wafer无损伤、wafer利用率高等特点。 应用领域：高性能传感器/储存器、物联网等领域具有微小、轻薄、易碎、需要清洁等特点的wafer切割，例如：low-k wafer（易碎）、3D/TSV芯片（轻薄）、图像传感器（清洁度要求高）、MEMS（易碎）、RFID芯片（微小）。 等离子切割设备的应用领域产品优势：1. 无损伤，切口整齐平整，无杂质碎屑，在电镜下观测形貌无损伤。 等离子切割与传统机械切割在硅片断裂形式上的不同 等离子切割与传统机械切割在切面形貌上更平整，且结构上无应力损伤 等离子切割后，芯片的抗弯强度提高并且数据分布更窄2. wafer利用率高、在小芯片切割上具有成本优势 切割道最小可达20μm，最多可提高30%的wafer利用率 整片一次性切割，芯片尺寸越小，单片效率越高

废气恶臭治理低温等离子设备厂家直供，是采用双介质阻挡放电形式产生等离子体，利用所产生的高能电子、离子、自由基等活性粒子激活、电离、裂解工业废气中的废气成份，使之发生分解、氧化等一些列复杂的化学反应，再经过多级净化，从而消除各种污染源排放的异味、臭味污染物。 处理风量：3000-200000CMH适用成分：二噁英类、挥发性有机物（VOC）、硫化氢、氨氮类、硫醇类、硫醚类、苯类、硝基类、烃类、醛类等应用领域：印刷、喷漆、石油、化工、医药、造纸、橡胶、塑料、餐厨食品、污水处理、垃圾处理、饲料及饲养、烟草等多个领域的恶臭及异味处理 废气恶臭治理低温等离子设备厂家直供工作原理低温等离子体技术是采用脉冲高压高频等离子体电源和齿板放电装置，电子获得能量，通过激发或电离将能量转移到分子或原子中，获得能量的分子或原子被激发，同时部分分子被电离产生高强度、高浓度、高电能的离子、活性集团，之后这些活性基团与分子或原子、活性基团与活性基团之间相互碰撞后生成稳定产物和热能。另外，高能电子也能被卤素和氧气等电子亲和力较强的物质俘获成为负离子。这类负离子具有良好的化学活性，在化学反应中起着重要的作用。 废气中的污染物质可与这些具有较高能量的物质发生反应，使废气分子电离、解离和激发，然后引发一系列复杂的氧化还原反应，使复杂大分子污染物转变成为简单小分子无机物，或使有毒有害物质转变成无毒无害或低毒低害的物质，从而使污染物得以降解去除。

UV光解和等离子技术是现今应用于有机废气降解超常用的两种方法。采用这两种办法，都能将废气中的有机成份，分解为无害的水及二氧化碳，并预防了二次污染。但这两种方法，仍各有优缺点。UV光解是利用特殊的低压紫外灯管能同时发射出185nm紫外线和254nm紫外线的双光谱特性。灯管发射出的185nm紫外线，能触发空气中的O2（氧），转化为O3（臭氧）。臭氧具有很强的氧化能力，其与废气中的碳氢化合物（如苯类、烃类、醇类、脂类等）充分混合接触后，在灯管发射出的254nm紫外线的照射催化条件下，能将这些有害污染物，直接氧化分解为水和二氧化碳。由此可见，紫外灯管发射出的185nm紫外线，起到了提供氧化反应物的作用；而灯管发射出的254nm紫外线，起到了提供光解反应顺利进行的必要反应条件的作用。但紫外灯管的臭氧产生能力较低，如现在使用超为普遍的150W U形臭氧紫外线灯管，在氧气充足的条件下，每小时的臭氧产生量约为900mg左右，即其单位功率每小时的臭氧产生量仅为6mg/w。而臭氧作为光解反应中的一种主要的反应物质，其产生量的多少，直接影响着处理效果的好坏。等离子技术，是利用高压的电场，使空气中的O2电离产生O3，其臭氧产生效率要比紫外灯管高很多。但等离子管几乎不发射出紫外线。缺少了紫外线的催化作用，在单纯采用等离子工艺的废气处理装置中，臭氧与有机废气的反应变得缓慢困难，同样制约了设备的处理效能。因此，我们将这两种处理方案结合起来。将等离子装置布置在光解设备的前段，离子装置产生的O3与有机废气混合后，流经紫外线灯管。紫外线灯管能进一步地触发O3的生成，同时在灯管254nm紫外线的催化作用下，O3与有机物的反应效能大幅提升，从而取得理想的处理效果。由于等离子装置较紫外灯管高得多的臭氧产生效能，使得设备的功耗随之降低，节能效果显著。等离子光氧一体机常出故障及排除方法高压电源工作室指示灯：正常运行情况为：电源红灯常亮和工作灯常亮（绿灯闪亮属于正常现象，属于电源的自我保护）或者电源上部信号灯常亮。1.运行过程中，高压电解模块有声音，属正常现象。2.通电出现电极打闪电光及携带声，应是设备运输过程中剧烈晃动造成设备顶端电极接触到 管壁，或接近管壁、或有铁屑落入电场造成，将其恢复原位或清理即可。顶端电极接触及靠近管壁有打火现象，切断电源，手动使其居中即可。注维修时务必要切断电源。3.设备自动断电，可能由于粉尘水雾进入设备内，造成设备复核加大，自动断电。4.若电源指示灯频闪，请耐心等待十分钟以上，属于运行启动中，超过半个小时后仍闪动，应关闭电源，打开净化器的前门，检查各部件是否异常及有无异物，确定无误后仍不成功，则应关闭电源，对电极进行清洗，晾干后，放入设备重新启动。5.外部电源指示灯闪烁或不亮，开启设备无声音，可能因运输过程振动造成设备功率减小，可手动调节电源底部指示灯左侧手动调节扭，顺时针旋转增大功率，逆时针减小。注：以上可能排除后设备仍不能正常工作，请联系我公司专业维修人员维修。前置滤网更换周期由业主根据现场运行情况而定，催化板更换周期：6 - 12个月请定期查看设备进风口过滤板是否饱和，视具体情况需要更换。请定期查看设备内高压电解模块使用情况，视具体情况需要定期清理。清理方法：用碱水浸泡模块半个小时以上，拿出高压水冲洗，或用刷子清洁后擦干即可。UV光解灯管指示灯每个灯管配置一个镇流器，镇流器自带指示灯，指示灯常亮代表灯管运行正常，否则断电后检查线路是否有松动现象，如果没有其他问题，联系我公司进行协调更换设备配置两个电控柜，每个电控柜分别设置：启动，停止，急停按钮。设备通电后，启动按钮运行，停止按钮停止，急停按钮紧急停止。1:设备在210-230V电压中运行，低于210V，长期使用将影响寿命；高压230V，将直接烧毁紫外线灯。2；设备使用中请勿开启正面紫外线检修门，本机集中装配20支紫外线灯，3m范围将对皮肤和眼睛造成伤害，发光时更不可以触摸，会直接烧伤皮肤。2：镇流器启动，输出的电压较高，运行时温度＞60°，请勿触摸。3：紫外线电离能力极强，运行中务必保证良好通风。4：高温、潮湿导致空气绝缘性能下降，紫外线电离速度、能力提高，可能出现热击穿。5：空气能见度下降，影响光通量，将导致处理效率下降6：紫外线光管表面结垢，将直接导致净化效率。7：镇流器、灯架配置若干冷却风机，风机必须良好工作，否则直接影响紫外线灯寿命。8：大风、雷电、高热等恶劣天气，务必停止设备运行

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

一.1. 设备特点本设备具有如下技术特点:可靠的系统性能 系统设备实行自检以及全面过程的状态及参量监测、监控，并具有故障显示及报警保护功能。友好的显示界面液晶方式的人机图文操作界面，丰富的信息显示和设备工作参量设置。灵活的控制方式可实现主机面板控制、远程控制；也可实现人工控制，或自动化在线控制方式。适合多种使用场合模拟量或脉冲频率方式实现“速度 Vs 功率”跟踪控制要求；等离子的处理能量强度（亦即输出功率）可以随受处理材料的移动速度（工厂流水线的传动速度）线性跟踪调节。进而达到均匀一致的处理效果。多种喷射枪嘴选用。可适合多种的处理应用场合。先进的远程控制 可通过RS485方式远程控制（没有事前约定情况下不予提供），也可根据客户要求定制 二、设备参数 NO项目规格备注等离子控制电源主机规格1尺寸（长x宽x高)460*190*405mm详细规格参主机结构(机箱风扇处预留30-50MM便于机箱散热）2重量约15kg3需求电源AC220±10%V,50/60Hz,3wire单相+接地线整机最大功耗1500W接地电阻＜4欧姆4等离子输出功率1200w（可调）可使用功率视实际条件而定5电浆有效直径25mm（可选择）视条件及样品而定6工作进气接头Φ8mm连接至主气源7气体使用量CDA:120L/min视条件及样品而定8需求气源0.4Mpa无油无水气源9配置空间放置在通风良好（环境温度小于30度）的地方。保留左右及上方有150mm以上散热的空间，保留后方有150mm的线路空间等离子喷枪规格1尺寸（H)278.5mm×79.5mm详细规格参安装尺寸2重量5kg其他规格1处理距离与待清洁物距离10-15mm视条件及样品而定2输出线缆长度3000mm如客户有特别要求，可定制

产品描述Europlasma JuniorPLC 低压等离子表面处理设备可以实现产品的清洗, 功能性改性, 处理温度 40℃ 以下材料: 铝有效尺寸: 直径230mm x 深度250mm容积: 10.4升托盘: 订制根据处理材料设定不同的处理工艺参数JuniorPLC 低压等离子表面处理设备 技术参数：若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

等离子表面处理技术的应用领域包括橡胶、复合材料、玻璃、布料、金属等，涉及各行各业，这篇文章中我们主要介绍其在橡胶、塑料领域一些行业的具体应用。我们在工业应用中发现一些橡胶塑料件在进行表面连接的时候会出现粘接困难的问题，这是因为聚丙烯、PTFE等橡胶塑料材料是没有极性的，这些材料在未经过表面处理的状态下进行的印刷、粘合、涂覆等效果非常差，甚至无法进行。有些工艺用一些化学药剂对这些橡塑表面进行处理，这样能改变材料的粘接效果，但这种方法不易掌握，化学药剂本身具有毒性，操作非常麻烦，成本也较高，而且化学药剂对橡塑材料原有的优良性能也有影响。利用等离子技术对这些材料进行表面处理，在高速高能量的等离子体的轰击下，这些材料结构表面得以最大化，同时在材料表面形成一个活性层，这样橡胶、塑料就能够进行印刷、粘合、涂覆等操作。应用等离子技术对橡塑表面处理，其操作简单，处理前后没有有害物质产生，处理效果好，效率高，运行成本低。折叠在橡胶、塑料行业等离子表面处理技术的应用领域包括橡胶、复合材料、玻璃、布料、金属等，涉及各行各业，这篇文章中我们主要介绍其在橡胶、塑料领域一些行业的具体应用。