静态产品

静态热反应仪/静态发色仪目的:指导静发色仪操作及热敏纸静发色的测定。范围:用于热敏纸张静发色的测定。仪器特性温度70℃-120℃，观看各显示面版上显示温度，当温度接近时，停止调节温度控制面板。注意事项 1测试仪器发热时要注意烫伤。2下放上盖事要注意安全，避免夹手。3 使用完毕后关闭仪器，避免长期打开仪器。4纸张做好发色后在实验室温度下放置5分钟才测试发色浓度。

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数测试仪（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态参数测试仪（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件ST-SP3020 功率器件静态参数测试系统用于测试 IGBTs,MOSFETs, Diode,静态直流参数3000V/2000A ?产品简述 ST-SPX系列产品是主要针对半导体功率器件的静态参数测试而开发设计。通过DUT适配器的转换，可实现对各种封装形式的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs 等半导体器件的静态电参数测试，包括器件、模块以及DBC衬板和晶圆。 设备融入了自动化及智能化的设计理念及功能，支持批量上下料并进行全自动测试。用于规模化量产可节省人力并提高测试产能，适合产线量测以及器件研发设计阶段的实验室测试，设备由主控计算机操控，测试数据自动上传以及保存。测试能力包含输出特性、转移特性、击穿特性、漏电流、阈值电压、二极管压降等。产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃。?测试能力?产品特点? 产品以2000A为一个电流模块,以1000V为一个电压模块，可升级到10KA/10KV. ? 可以连接探针台做 wafer / chip 测试，也可以安装夹具及适配器做模块测试? 针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可? 可进行室温~200℃变温测试,也可实现子单元测试功能? 测试软件具有实验模式和生产模式,测试数据可存储为Excel文件? 栅极电阻可任意调整? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）? 支持半自动和全自动测试? 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点? 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）? 自动化，单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线? 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网? 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。

HUSTEC华科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT静态参数测试仪一：IGBT静态参数测试仪主要特点华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；IGBT静态参数测试仪测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。二：IGBT静态参数测试仪应用范围A：IGBT单管及模块，B：大功率场效应管（Mosfet）C：大功率二极管D：标准低阻值电阻E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测三、IGBT静态参数测试仪特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围10V F：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；序号测试项目描述测量范围分辨率精度1VF二极管正向导通压降0~20V1mV±1%,±1mV2IF二极管正向导通电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A3＞200A时,1A＞200A时,±1%4Vces集电极-发射极电压0~5000V1V±1%,±1V5Ic通态集电极电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A6＞200A时,1A＞200A时,±1%7Ices集电极-发射极漏电流0~50mA1nA±1%,±10μA8Vgeth栅极-发射极阈值电压0~20V1mV±1%,±1mV9Vcesat集电极-发射极饱和电压0~20V1mV±1%,±1mV10Igesf正向栅极漏电流0~10uA1nA±2%,±1nA11Igesr反向栅极漏电流12Vges栅极发射极电压0~40V1mV±1%,±1mV华科智源静态参数测试系统针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。