溅射蒸碳仪

SD-900C 型离子溅射仪外观亮丽做工精致，是针对SEM用户研制生产的一款既能溅射金、银、铜、铂又能蒸发碳膜的一机多用设备。此款机器具有小巧方便操作简单成膜效果好之优点，可以满足广大SEM用户随时样品制备的需要。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 离子溅射部分是比较常用的镀膜方式，是以金属靶材和样品台分别作为阴阳两极，在真空状态下产生辉光放电，使金原子与残存的气体不断碰撞而沉积成薄膜。可以使用Au，Pt，Cr、Al、Cu等靶材。具有成膜均匀，操作简单，所需时间短，过程可控等优点。 热蒸发部分是把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为热蒸发镀膜，热蒸发镀膜技术是历史最悠久的镀膜技术之一。热蒸发主要用于蒸发碳。使用超纯的碳纤维绳为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。因为碳原子能够直接沉积在样品表面而不发生横向移动，所以碳能够形成小于1nm的颗粒。参数：仪器尺寸 ：主机 300mm×360mm×380mm（W×D×H） 蒸镀 300mm×360mm×160mm（W×D×H）真空样品室： 硼硅酸盐玻璃 160mm×110mm（D×H）靶（上部电极）：50mm×0.1mm（D×H）溅射靶材：Au溅射靶材大小：φ50mm样品台：样品台尺寸可安装直径50mm和直径70mm的样品台，样品台可调节高度。也可根据 自身要求定制样品台溅射工作电压：0-1600V (DC)可调溅射电流：0-50mA溅射定时：0-360S蒸碳电流 0-100A(AC)蒸发材料：碳纤维 蒸发工作电压：0-30V蒸发时间：0-1S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种 输入电压：220V(可做110V),50HZ真空泵： 2升机械旋转泵（国产VRD-8）特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。3、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。6、碳纤维绳更加细腻均匀、快速，更有利于分析材料结构

ETD-2000C型离子溅射仪在ETD-2000离子溅射仪基础上，增加了热蒸发附件，可以蒸发碳丝，具有溅射和蒸发两种功能。因此扩展了应用范围，特别适用于扫描电镜实验室样品制备。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 一款既能溅射金、银、铜、铂又能蒸发碳膜的一机多用设备。此款机器具有小巧方便操作简单成膜效果好之优点，可以满足广大SEM用户样品制备的需要。 离子溅射部分是比较常用的镀膜方式，是以金属靶材和样品台分别作为阴阳两极，在真空状态下产生辉光放电，使金原子与残存的气体不断碰撞而沉积成薄膜。可以使用Au，Pt，Cr、Al、Cu等靶材。 具有成膜均匀，操作简单，所需时间短，过程可控等优点。 热蒸发部分是把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为热蒸发镀膜，热蒸发镀膜技术是历史最悠久的镀膜技术之一。热蒸发主要用于蒸发碳。使用超纯的碳纤维绳为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。因为碳原子能够直接沉积在样品表面而不发生横向移动，所以碳能够形成小于1nm的颗粒。参数：仪器尺寸 ：305mm×400mm×390mm（W×D×H）真空样品室： 硼硅酸盐玻璃 160mm×110mm（D×H）靶（上部电极）：50mm×0.1mm（D×H）溅射靶材：Au（标配），也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。溅射靶材大小：φ50mm样品台：样品台尺寸可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台溅射工作电压：0-1600V (DC)可调溅射电流：0-50mA溅射定时：0-360S蒸碳电流 0-100A(AC)蒸发材料：碳纤维 蒸发工作电压：0-30V蒸发时间：0-1S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种 输入电压：220V(可做110V),50HZ真空泵： 2升机械旋转泵（国产VRD-8）特点：1、简单、经济、可靠。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。3、真空保护可避免真空过低造成设备短路。4、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。5、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。6、数字计时器定时自由方便。7、碳纤维绳更加细腻均匀、快速，更有利于分析材料结构需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料

英国真空镀膜公司(Vac Coat)是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者高度认可, 尤其DSR/DST溅射镀膜系列, DCR/DCT热蒸发镀碳系列, 可获得晶粒尺寸很细及无颗粒的高质量均匀薄膜, 十分适用于高分辨率和高质量SEM/TEM/EBSD/EDS样品的制备表征, 已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT-010为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳卷轴系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。一段碳绳蒸发后，新的一段会自动前进，用过的碳绳会掉落到方便的收集盘中。除了易于使用外，自动卷轴系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

瑞士Safematic CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射、蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用溅射和蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。SP-010 & SP-011溅射模块两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM等导电薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV版本。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可以进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需破真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。HS-010真空储存箱HS-010真空储存箱可在真空条件下存放备用镀膜头、备用行星台或旋转台、所有溅射靶材和碳附件，使它们处于清洁状态。通过集成的真空管路与镀膜主体单元连接，利用CCU-010抽真空系统对储物箱抽真空。可选地，用户也可用外接真空泵替代。舒适的手动锁定装置和放气阀允许对储物箱进行独立的抽真空和放气控制。额外的标准真空腔室可有效地避免蒸碳和溅射金属之间的交叉污染。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件使用基于PC的Coating-LAB软件，可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚，镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV普通真空镀膜仪版本作为真空镀膜系统的基础单元，专为 SEM 和 EDX 的常规高质量溅射和/或碳镀膜而设计。客户可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪

GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪配备了热蒸发附件，具有溅射和蒸发两种功能。不但可以用等离子溅射的方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或其他金属单质的薄膜。GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪能够满足扫描电子显微镜样品表面喷金、蒸金或蒸碳过程使用以及非导体材料实验电极的制作，也可以用于材料研究中各种新材料性能的实验。本机体积小，节省实验室空间，操作简单，清理方便，适合初学人员的使用，尤其适用于各大高校的实验室、科研院所、及各企业的实验室的使用。配备了热蒸发附件，可以蒸发碳丝或者其他材料，如铝、不锈钢等材料，同时具有溅射和蒸发的功能。因此扩展了应用范围，特别适用于扫描电镜样品表面喷金或蒸金、蒸碳使用。产品名称GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪产品型号GSL-1100X-SPC-16C安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、靶：?50mm2、样品台：?50mm3、真空室：?160mm×110mm4、真空度：4×10-1mbar-2×10-2mbar5、极限电流：50mA6、可设定极限时间：9999s7、极限电压：1600V DC可调8、真空泵：4L两级机械旋转泵，极限真空2×10-2mbar（也可选配国产分子泵）产品规格尺寸：L400mm x W310mm x H390mm 重量：50 kg标准配件1金靶材1个2碳绳1根3热蒸发附件1套4进气针阀1个5保险丝2个可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

EMS 离子溅射仪EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器EMS150R S Plus 机械泵抽真空喷金仪/离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus 机械泵抽真空喷碳仪/蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus真空镀膜仪，集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，结构紧凑，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供无与伦比的多用途镀膜。 此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。 EMS150T S Plus高真空离子溅射仪（分子泵超高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等） EMS150T E Plus高真空碳蒸镀仪（分子泵超高真空适用于TEM/Cs-TEM使用） EMS150T ES Plus高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑） EMS300R T超大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm超大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）产品特点：快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。 采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间最佳的真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。 易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。 功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。 适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏 ● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手 ● 新的彩色LED可视状态指示灯 ● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备 ● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析技术参数仪器尺寸585mm W x 470mm D x 410mm H (打开镀膜头时总高 650mm)重量28.4kg包装尺寸725mm W x 660mm D x 680mm H (36.8kg)工作腔硼硅酸盐玻璃，152mm ? (内) x 127mm H安全钟罩PET材质显示145mm 320 x 240 彩色图形TFT (Thin Film Transistor)显示用户界面直观全图形界面，触摸屏控制溅射头标配 57mm ?、0.1mm厚金靶（Q150R S，Q150R ES）样品台50mm ?旋转样品台，带6个15mm、10mm、6.5mm或1/8”钉形样品座孔，旋转速度8-20 rpm真空机械泵Edwards RV3 50L/s双程机械泵真空测量标配Pirani规极限真空2 x 10-2mbar工作真空3 x 10-2 mbar与5 x 10-1mbar之间操作过程溅射0-80mA，最大溅射时间60 min碳蒸镀电流脉冲：碳绳，1-60 A；1.4mm ?碳棒，1-90 A辉光放电0-80mA，DC+及DC-模式其它工作气体Ar气，99.999%，N2为排放气体（选件）电源90-250V ~ 50/60 Hz 1400 VA认证CE

一、公司背景介绍： （1）郑州科探仪器设备是高质量定制物理气相沉积（PVD）系统的设计者和制造商，客户服务和售后服务出色。拥有7年以上真空和薄膜沉积技术经验。其研发团队在学界科学家和工程师的支持下，高度积极地开发新设计以满足客户的特殊要求。 （2）郑科探的工程团队设计和制造的组件符合高质量标准。KT-Z1650PVD真空镀膜机已通过分销商销往许多大学和研究中心，并得到了很好的参考和反馈。 二、仪器描述：小型溅射仪郑州科探KT-Z1650PVD，能够在非导电或导电不良的样品上涂布金（Au），钯（Pd），铂（Pt）和金/钯（Au/Pd）的薄膜。在较短时间内即可形成具有细粒度的均匀薄膜，使样品适用于扫描电子显微镜（SEM）分析。仪器结构紧凑，全自动控制，设计符合人体工程学，所得结果一致，可重复性高。 三、产品特点： 彩色触摸屏：数据输入简单快速。 通过触摸屏中直观检测数据和曲线；历史页面可显示历史涂层信息。 可控镀膜速率，可得到更精细的晶粒结构。 可手动或自动，根据时间或根据厚度进行溅射。 样品台更换简单：标准旋转样品台或选用行星式旋转样品台。 标准样品台高度可调、可倾斜、可旋转；行星式旋转样品台为多孔样品带来好的喷金效果。四、小型溅射仪郑州科探KT-Z1650PVD厂家供应技术参数：控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

磁控离子溅射仪为扫描电镜用户在制样过程中提供了更广泛的选择，以便适用支持扫描电子显微镜所需的涂层要求。磁控溅射的原理是，在电场内在叠加一个磁场，这样电子在叠加场内做螺旋运动，行程很长，每个电子电离的气体分子比直流多很多很多，所以可以在低电压下，有较好的真空度。溅射产生同样的镀膜效果。但是因为磁控真空度相对高，所以镀膜的颗粒小，膜层附着力好，靶材的利用率也高。 在直流溅射过程中，样品的温升主要来自于负离子在电场作用下对样品的轰击，在磁控溅射中，负离子都被磁场束缚了，所以基本没有对样品的轰击，所以温升基本没有，很适合温度敏感性的样品制备。

产品详情DENTON 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台： DENTON 真空使创新成为可能，并已超过50年。全球成千上万的薄膜沉积工具安装,包括一个大型的、在全球范围内安装的精密光学沉积系统——工程师和研究人员依靠DENTON 的薄膜创新驱动更高的吞吐量,更好的收益和低拥有成本(首席运营官),受益于综合服务和支持,和一个专门的研发项目,提供可行的技术。探索者提供了薄膜工业中最广泛的配置和沉积模式:电子束蒸发、电阻蒸发、溅射、离子镀和离子辅助沉积。DENTON 薄膜沉积平台• R & D• 批量生产• 在线生产• 蒸发• 溅射• PE-CVD DENTON 的区别你们的过程就是我们的过程。我们与您合作设计一个系统，以解决您的确切薄膜涂装工艺的需要。当我们给你运送工具时，它已经准备好生产了。• 我们的系统规模可以满足您的生产需求• 我们永远相信客户• 全球支持网络 在DENTON，我们关心你的成功• 工厂验收测试• 个性化培训• 远程、实时支持• CE / UL / CSA兼容系统 能溅射电、磁、复合材料。柔性阴极，调整到冲击角也可用。 强大的控制系统可在半手动模式或全自动模式与一个推动自动化，以减少系统停机时间。 Processpro升级提供:1.所有登顿真空产品的一致性控制。2.标准软件使其易于支持和避免昂贵的定制费用。3.源代码为您的程序，以便您可以自定义您的程序。4.网络功能使资源管理器网络上支持实时、远程支持和升级的节点。 灵活的室大小可容纳多达10英寸的衬底。 多个泵配置多种扩散、低温和涡轮泵配置可用于满足您的预算和工艺。后方或底部安装的泵提供方便的访问服务，根据您的工作场所的需要。典型的应用PE-CVD• 材料研究• 小批处理系统• 3 d对象• 覆盖各种材料 溅射• 材料研究• 产品质量控制和质量保证• 半导体失效分析• CD掌握• 纳米技术• 化合物半导体• oled 蒸发• 材料研究• 离子辅助沉积(IAD)• 医疗设备• 电信• CD掌握• 发射• 保护涂层选项：

Cressington 108 Auto/ Manual SPUTTER COATER英国Cressington Scientific Instruments Ltd享誉业内电镜，电子探针以及电极薄膜制备配套高性能真空镀膜仪方案的先驱者，自上世纪六十年代，伴随着商业扫描电镜的普及和电极镀膜制备的需求，Cressington的配套镀膜设备也一并研发和配套使用，并始终获得科研工作者一致好评。经过半个多世纪的发展，英国Cressington依然专注于紧凑型镀膜产品的设计研发和保持业内很佳性能及很高市场占有率，现阶段已有超过万名客户群，也是配套高真空扫描电镜，电子探针及电极薄膜制备的优选镀膜仪品牌。其创新的冷态溅射镀膜技术不但可以获得高质量膜层，也解决了长久以来困扰用户的热损伤和热变形问题，而其另一创新溅射电流回路设计也保证了真正均匀一致的镀膜, 包括108, 108A, 108Auto, 108C, 208HR, 208C全系列, 且2023年Cressington推出全系列新款，其在功能性上，耐用性上，以及配置上都有所升级和优化，具体联系我司项目负责人。为了保障中国用户权益，英国Cressington公司从2011年经过认真考核后设立了官方中国区授权总代理商(只此一家)：溢鑫科创，以保障旗下所有产品在中国的前期市场开拓和后期服务支持。

磁控溅射蒸发镀膜仪VTC-1RF-SPC是一套可实现射频磁控溅射和蒸发镀膜功能的系统，包含射频电源、温控型蒸发镀膜模块、真空系统，水冷设备，磁控溅射靶头，不锈钢腔室等。产品名称VTC-1RF-SPC磁控溅射蒸发镀膜仪产品型号VTC-1RF-SPC主要参数 电源：AC380V/50HZ 额定功率：4.2KW外形尺寸：长840*宽750*高1900mm重量：约310KG不锈钢腔室 内径φ250*高度360mm 腔体前部带有一个CF100的真空密封法兰，密封法兰上面安装了一个石英观察窗口； 腔体右侧带有一个从CF60法兰接口，用于和分子泵进行连接 腔室上部有一个LF250法兰接口，法兰端盖上部固定有溅射靶头和样品台； 腔体左侧带有一个KF63法兰接头，用于连接蒸发模块； 腔体右侧带有一个CF35法兰接口，用于连接薄膜测厚仪； 腔体后部带有两个精密调节针阀，用于控制进气量，通过调节进气量的大小，实现腔体内不同真空度的溅射； 腔体后部预留一个1/16英寸的卡套接口，用于客户后期连接质谱仪的检测管道。腔室真空度： 冷态下，用VRD-48机械泵抽30分钟，≤1Pa 冷态下，用FF-160/700分子泵抽30分钟，≤8*10-4Pa溅射靶头磁控溅射靶头固定在上法兰端盖上，通过焊接波纹管密封，方向朝上，和样品台形成45度夹角 标配1英寸的磁控溅射靶头，内部嵌有冷却水管，可以通水冷实现对磁钢和靶材的冷却，从而能够可以长时间进行溅射； 配有一手动操作的挡板，当第一次溅射清除靶材表面的氧化层和污物层，挡住基片，防止污染基片； 样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：60-100mm。 磁控溅射靶头和法兰端盖可以电动升降 （可选配2英寸磁控溅射靶头）样品台样品台固定在腔体上法兰端盖上，方向垂直朝下样品台通过磁流体密封，可实现样品台旋转样品台旋转速度：0.5-5r/min可调样品台尺寸：φ100mm，通过螺旋压盖固定样品，可选配≤φ100mm的各种尺寸掩膜版，以实现对不同样品尺寸的镀膜制备样品台最高温度可达700度（≤30min），长期使用温度500度，样品台加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PTD调节实现精确控温，控温精度±3℃。样品台和法兰端盖可以电动升降蒸发模块 从腔室右端采用KF50快接法兰与不锈钢腔体进行连接，保证腔室的真空度 采用钨丝作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制 标配采用S型热电偶，蒸发工作温度为200-1300度 蒸发模块加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PID调节实现精确控温，控温精度±3℃。 蒸发模块和样品台之间的距离为：60mm 蒸发模块坩埚尺寸：外径φ19.6*内径φ15.4*高度24mm,可选配其它材质坩埚，如不锈钢坩埚等。控制面板控制面板采用一个7寸触摸屏实现集成控制 可在触摸屏上操作真空系统，显示真空度 可在触摸屏上进行样品台加热温控程序的设定和蒸发模块温控系统的设定 可控制样品台的旋转并设置样品台旋转速度 控制电动插板阀的启动和关闭射频电源 输入电源：220V 输出功率：0-300W 输出频率：13.56 MHZ 冷却方式：设备内部的冷却方式为风冷 尺寸：132（长）*442（宽）*405mm（高）（可根据溅射靶材不同选配直流电源）分子泵 分子泵型号：FF-160/700 抽气速率：700L/S 极限压强：6*10-7Pa（不带负载） 启动时间：＜4min 额定转速：36000 R/min 冷却方式：风冷加水冷 抽气口接口尺寸：CF160 带电动插板阀：可在触摸屏中控制电动阀的启动和关闭分子泵控制器 型号：TCP-II 电压：AC220V/50HZ 输出功率：750W 加速时间：5min 输出频率：0-1300HZ复合真空计 型号：ZDF-III 工作电压：AC220V 50/60HZ 电阻规阻值：约85欧 自动保护（电离）＞10Pa 电阻规测量范围：105-10-1Pa 电离规测量范围：100-10-5Pa前级机械泵（选配） 抽真空接口为KF40接口 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) 电机功率：1500W 电机电源：AC380V/50HZ 极限真空：4*10-2Pa(不带负载) 真空计：ZDZ-52T V01型电阻真空计水冷设备（选配） 型号：KJ-5000 工作电流：1.4-2.1A 制冷量：2361Btu/h 尺寸：55×28×43cm（长×宽×高）膜厚检测仪（选配） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分别率为0.10 &angst LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

VTC-180EVS溅射蒸发一体机主要应用于大专院校、科研机构、企业实验室及微小产品进行真空镀膜等真空处理的工艺研究、样板试制、操作培训和生产。 产品名称VTC-180EVS溅射蒸发一体机主要特点1、磁控溅射和电阻蒸发双应用。本机采用可磁控溅射与电阻蒸发免拆卸转换结构，可快速实现蒸发源的转换。2、桌面小型一体化结构。本机对真空腔体、镀膜电源及控制系统进行整合设计，体积与一台A3 打印机相仿（不包含真空机组，480x320x460mm，宽X 高X 深）3、单、三靶溅射。本机的磁控溅射单元装有三支2 英寸磁控靶或一支3 英寸磁控靶。以适应不同用户的需求。三靶溅射单元装有靶挡板及靶切换半开关，并与挡板联动。4、高性能开关式直流溅射电源。本机配装我公司自行研制的高性能溅射用直流电流，由于采用开关电源所以对溅射过程中产生的弧光放电具有非常强的抑制作用；电源还具有恒流和恒功率两种溅射工作方式，以适用不同用户的需求。5、双蒸发源。蒸发单元中装有两组蒸发电极可安装不同的蒸发源，适应相应的镀膜材料。6、高稳定度恒流蒸发电源。本机配装0.1%精度蒸发电源，并具有恒流输出功能，对蒸发舟能起到很好的保护作用。7、镀膜厚度与速率控制。本镀膜机可选配本公司研制石英晶体膜厚控制仪，在镀膜过程中可对镀膜速率和膜层厚度进行控制。8、数据记录。镀膜机可将采集到的镀膜数据保存到U 盘，便于用户分析控制(选配)。9、模块化设计。本机将所有功能单设计成标准化模块，根据用户不的需求对相应模块进行组合。以达到最优化的镀膜环境。并便于用户维修与维护。10、图形化操作界面及触屏控制。本机操作控制采用7 英寸TFT 显示屏显示操作界面，触屏操作，实现全图形化界面，易用易懂。技术参数1、溅射靶规格： 2 英寸/3 支（带挡板）或3 英寸1 支 2、蒸发电源功率： 1000W/5V/200A3、蒸发电极有效距离： 55mm4、样品台规格: 直径150mm(可选配旋转、挡板和偏压功能)5、供电电压： AC220V/2000W6、溅射电源功率： 500W/600V7、膜厚测量精度： 0.1? 或0.01?（高精度型）8、充气流量: 50SCCM/100SCCM(两路选配)9、气源压力: 0.15KPa10、外接真空机组: 2 升(AC220V)可选配国产扩散泵机组、国产机组或进口机组。11、真空接口规格： KF4012、极限真空度: 2.0x10-3Pa、2.0x10-4Pa13、工作真空度: 3~0.5Pa（磁控）14、冷却水压力: 0.2~0.4Kpa15、使用环境温度: 35℃16、使用环境湿度: 75%(相对湿度)不结露17、使用环境海拔: 1500m产品规格1、外型尺寸: 480x320x460(宽x 高x 深)不包含真空泵2、重量: 约47Kg 不包含真空泵

台式高精度薄膜制备与加工系统Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立25年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。Moorfield公司近十年来与曼彻斯特大学诺奖技术团队紧密合作，推出的台式高精度薄膜制备与加工系列产品由于其体积小巧、性能、易于操作更是受到很多科研单位的赞誉。Moorfield Nanotechnology推出的台式设备体积小巧，但性能已经可以和大型设备相媲美。这些设备已经进入了欧洲的实验室，诸如曼彻斯特大学、剑桥大学、帝国理工学院、诺森比亚大学、巴斯大学、埃克塞特大学、伦敦玛丽女王大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学、西班牙光子科学研究所、英国物理实验室等著名单位都是Moorfield Nanotechnology的用户和长期合作者。诸多的用户与合作者让产品的性能和设计理念得到了高速发展，并迈入全球化的进程。如今Quantum Design中国子公司与Moorfield Nanotechnology正式合作，作为中国的代理和战略合作伙伴，将为中国用户提供高性能的设备与优质的服务。除了台式设备之外我们还提供多种大型设备和定制服务。全系列产品即将上线，敬请期待……台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列—nanoCVD超快速高质量石墨烯生长设备，整个过程30分钟内搞定！CVD被公认为是石墨烯具有应用前景的制备手段。NanoCVD系列台式设备是专为制备高质量的石墨烯与碳纳米管而开发的高性能台式CVD系统。与曼彻斯特大学诺奖团队的长期合作使得该系列产品在制备石墨烯等碳基纳米材料方面具有雄厚的技术积累。该系列产品操作简便，生长条件控制，生长迅速、制备出的样品具有高质量、高可重复性，可清楚的观测到分数量子霍尔效应。尤其适合于需要快速得到高质量石墨烯或碳纳米管用于高端学术研究的团队。点击查阅详细信息台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD可媲美大型PVD的台式高性能PVD系统 ，爆款热销中！基于多年大型薄膜制备系统的设计与研发所积累的丰富经验，Moorfield Nanotechnology推出了台式高性能多功能PVD薄膜制备系列产品。该系列产品是为高水平学术研究研发的小型物理气相沉积设备。该系列产品包含磁控溅射、金属/机物热蒸发系统。这些设备虽然体积小巧但是性能，能够快速实现高质量纳米薄膜、异质结的制备，通常在大型设备中才有的共溅射功能也可以在该系列产品上实现。便捷的操作、智能的控制、高效的制备效率让您的学术研究进入快车道。点击查阅详细信息台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。点击查阅详细信息台式气氛\压力控制高温退火系统—ANNEAL从高真空到各种气氛都能控制的高端热处理系统Moorfield Nanotechnology专门为制备高质量的样品而推出的台式气氛\压力控制高温退火系统，该系统可以满足从高真空到各种气氛的退火需求。对气压和温度都能进行控制，该系统不仅仅是普通的退火系统更是二维材料、基片等进行可控热处理的重要保障。该系统颠覆了传统箱式、管式炉的粗放退火方式，开创了退火的新篇章。点击查阅详细信息多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEM是一台喷金仪，但不仅仅是喷金仪！多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEM是Moorfield Nanotechnology为SEM、TEM样品的表面导电处理以及普通样品的高质量电生长而设计的金属溅射系统。系统配备SEM样品托、TEM样品网、普通薄膜样品等多种专用样品台。虽然该系统主要为溅射金属而设计，但是该设备的性能已经达到了高质量薄膜样品的制备标准。通过选择不同的配置可以兼顾样品的表面导电处理、电制备与学术研究型薄膜样品的制备。因此nanoEM是一台不可多得的多功能高磁控溅射喷金仪。

EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器：EMS150R S Plus – 喷金仪/离子溅射仪（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus – 喷碳仪/碳蒸镀仪（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus–真空镀膜仪（ 集150R S和150R E功能于一体, 结构紧凑）EMS150T S Plus– 高真空离子溅射仪（分子泵高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等）EMS150T E Plus– 高真空碳蒸镀仪（分子泵高真空适用于TEM/Cs-TEM使用）EMS150T ES Plus–高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑）EMS300R T–大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）150R是一款多功能紧凑型机械泵抽真空镀膜系统，对于SEM样品制备及其它镀膜应用非常理想。直径为165mm/6.5”的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品 – 尤其用于在SEM应用中提高成像质量。150R S Plus机械泵抽真空离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。150R E Plus机械泵抽真空蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。150R ES Plus集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供多用途镀膜。此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。

高纯度金靶材磁控溅射仪在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜,研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发速率的提高,薄膜的结构变得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化,而方阻均匀性变差,但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此,选用适合的蒸发速率对Au膜质量有很大影响。高纯度金靶材应用领域：离子溅射仪在扫描电镜中应用十分广泛，通过向样品表面喷镀金、铂、钯及混合靶材等金属消除不导电样品的荷电现象，并提高观测效率，另外可以使用喷碳附件对样品进行蒸碳，实现不导电样品的能谱仪元素定性和半定量分析。高纯度金靶材磁控溅射仪KT-Z1650PVD厂家供应技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

108自动真空溅射仪是目前较为先进的对样品进行预处理的仪器。主要适用于扫描电子显微（SEM）和X射线微观分析等表征工作前的镀金等贵金属处理。同时，彻底排除了真空度对成膜质量的影响，溅射电流，可“暂停”的时间控制和进气量的调节控制保证了溅射的质量。1、108自动溅射仪提供了完全自动或手动操作两种工作模式，其中包括自动放气和进放氩气控制。2、在自动模式中，可以通过数显工作时间或MTM-20膜厚监控仪（可选件）来实现镀膜的可重复性。3、为了获得高质量的镀膜，镀膜仪会根据一定的成膜速率和真空室内的气压来调控工作电流值。4、采用直流磁控管低压“超冷”溅射，使得镀膜时对试样的热影响最小。5、电子阀结合针阀设计使得放气、充气操作简单快捷。6、可以快速更换溅射靶材 技术参数表腔体尺寸120mm OD x 120mm height (4.75x 4.75")靶材标配Au 选配Au:Pd, Pt, Pt:Pd规格57mm dia x 0.1mm thick样品台12孔SEM钉型样品台支架高度60mm可调真空度大气压 - 0.001mb工作电压200-240 VAC, 50Hz工作功率300W

150T Plus为紧凑的分子涡轮泵镀膜系统，适合SEM、TEM及许多薄膜应用。150T Plus 集成了溅射和碳蒸镀两种沉积镀膜功能的高分辨镀膜系统 新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手● 新的彩色LED可视状态指示灯● 双核ARM处理器，可快速响应● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析主要特点: ● 金属溅射或碳蒸发一体化设计，节省空间 ● 适合FE-SEM制样的精细镀膜和薄膜应用 ● 涡轮分子泵高真空系统，适合不氧化贵金属和易氧化其它金属靶材 ● 全自动触摸屏控制，快速数据输入，操作简单 ● 可储存多个客户自定义镀膜方案：对多用户实验室十分理想 ● 预编程自动真空控制 ● 使用膜厚监控选件精确控制膜厚 ● 智能系统识别，自动感知用户所插入镀膜头的类型 ● 高真空碳蒸镀，对SEM和TEM镀碳膜应用非常理想 ● 先进的碳棒蒸镀枪设计和电流控制技术，操作简单，重现性好● Drop-in式快速换样品台（标配旋转台） ● 真空闭锁功能，让工作腔室在待机使用时亦处于真空状态 ● 不破坏真空条件下的溅射时间可长达60分钟，适合材料科研应用 ● 人体工程学设计，整体成型机壳，维护、拆装容易 技术参数: ● 工作腔室：165mm外径 x 127mm高 ● 触摸屏全图像用户界面 ● 靶材：标配直径57mm x 厚0.3mm Cr靶● 样品台：标配旋转台，直径60mm，转速8-20 rpm ，可选配旋转倾斜台。● 真空系统： 涡轮分子泵：带有空气冷却的涡轮分子泵 旋转机械泵：双程旋转机械泵 ● 极限真空度：5 x 10-5mbar● 溅射真空度： 5 x 10-3 到 5 x 10-1mbar之间● 溅射电流：0-150mA；可预设膜厚或使用内置定时器（选配） ● 溅射时间：最长60分钟 ● 碳蒸发：稳定的无纹波直流电源控制的脉冲蒸发，确保碳棒可重复蒸碳，电流脉冲1~90A。● 尺寸和重量：仪器机箱585mm宽x 470mm长 x 410mm高 (总高: 650mm)

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

HHV BT150和BT300适用于电镜样晶制备以及其他常规科研用途的新型台式镀膜设备 技术信息：BT150腔室：真空玻璃制，圆柱体165mm直径×150mm高，配内爆防护罩；可选配200mm高度的腔室初级真空泵： 12时／h抽速的双级旋片真空泵；可选配无油干泵分子泵（选项）：621/s抽速的涡轮分子泵 极限真空（无分子泵）：5×10E-2mba「（3分钟内）极限真空（有分子泵） ：5×10E-5mba「（8分钟内） 输入电源： 110/230V, 50/60Hz，单相 工艺附件金属溅射：单个溅射靶枪（54mm直径靶材） 适用溅射靶材：Au, Au/Pd, Cu, Fe, C「等 贱射选项：用于溅射易氧化的金属（如Al），需配置分子泵选项 碳纤维蒸发： 脉冲沉积，可选择电流及除气模式 碳棒蒸发：脉冲沉积，可选择电流及除气模式 水冷SEM样品台： 6个SEM样品位，水冷和偏压功能旋转SEM样品台：6个SEM样品位，单轴旋转或行星运动式 常规科研用旋转样品台：适合最大4” 或100mm直径基片 BT300腔室： 真空玻璃制，圆柱体30mm直径×150mm高，配内爆防护罩；可选配200mm高度的腔室初级真空泵：12时／h抽速的双级旋片真空泵；可选配无油干泵分子泵（选项）：621/s抽速的涡轮分子泵 极限真空（无分子泵）：5×10E-2mba「（12分钟内） 极限真空（有分子泵）： 5×10E-5mba「（20分钟内） 输入电源： 110/230V, 50/60Hz，单相 工艺附件金属溅射： 单个、 双个或者三个溅射靶枪（54mm直径靶材）适用贱射靶材：Au, Au/Pd, Cu, Fe, Cr等溅射选项：用于溅射易氧化的金属（如Al），需配置分子泵选项旋转样品台：常规科研用，适合最大4” 或100mm直径基片（双靶），或150mm直径基片（三靶） 行星运动式样品台： 常规科研用，优化沉积均匀性，适合最大200mm直径基片（三靶） 认证标识：BT150和BT300具有CE标识 主要特点 简单的操作会全彩、 高分辨率、 触摸屏控制系统为可存储和编辑工艺配方多达30个会工艺数据可输出到大容量存储器或计算机会可选的集成式薄膜厚度监测仪为自动识别工艺附件 工功能的薄膜沉积技术会惰性金属溅射（SEM应用）为碳纤维及碳棒蒸发（TEM应用）会用于碳膜表面的亲水改性的辉光放电装置（TEM应用）会普通金属的溅射镀膜（常规科学研究应用， 需要配分子泵选项）会金属的热阻蒸发镀膜为自动快门挡板的选项 多种样晶台为水冷及偏压的SEM样品台女旋转的SEM样品台为行星式运动的SEM样品台会适合最大4” 或100mm直径基片的旋转样品台（BT150)为适合最大8” 或200mm直径基片的旋转／行星运动式样品台（BT300) 新型设计的HHV BT150和BT300是面向电镜工作者及科学研究者需求的经济型台式镀膜系统。BT150己具有电镜工作者所需的全面镀膜能力， 而BT300配置了更大的真空腔室， 可满足更广泛的其他常规科研镀膜应用。通常情况下， 这些系统采用金属溅射来制备SEM样品， 而采用碳纤维（或碳棒）蒸发来制备TEM样品。碳蒸发镀膜也可以用于×射线微区分析的样品。BT系列系统还可配置成适合于常规科学研究需求的金属溅射及金属蒸发能力。 具有自动样晶镀膜能力的触摸屏操控系统为了使用方便， 这两款BT设备都配置了彩色的、 高分辨率的触摸屏操控系统。控制系统可存储多达30个工艺配方程序， 可随时调用执行。控制系统能向外输出工艺数据 便于存储及分析。它还能自动识别所安装的工艺附件。 种类繁多的可选样晶台BT系列设备具有多种样品台可供选择。用于承载SEM样品座的静态样品台具有水冷功能， 可防止样品过热， 而且还含有溅射刻蚀及清洗的装置。使用刻蚀装置可以提高某些样品的图像对比度， 而不太脆弱的样品还能通过刻蚀来去除吸附的水汽， 从而改善薄膜附着力。 BT150可选择旋转甚至行星运动式设计的样品台， 最大基片尺寸可达4英寸或者100mm。而BT300也可选择类似的旋转样品台，其最大基片尺寸可达8英寸或者200mm， 满足更广泛的研究需要。 集成的薄膜厚度测量仪BT系列设备的选项中包括全集成式的薄膜厚度监测系统。该系统集成在触摸屏控制器内， 可提供溅射膜厚的控制。 简单的靶材更换BT150和BT300采用简单快速的靶材更换设计， 在必要时可对样品进行不同材料的镀膜。配置旋片泵的系统可以溅射惰性金属，如金、 金／tE、 铀和铜。增加可选的分子泵之后， 这两款系统还能溅射容易氧化的金属， 比如铝。 真空泵选项BT系列设备可以配置双级旋片真空泵， 用于碳蒸发及惰性金属溅射等普通应用。而可选的分子泵可以提供设备更优秀的性能：真正的高真空环境， 以及溅射非惰性金属（比如铝）的能力。 BT系列设备也可以配置干式真空泵， 满足无油真空的要求。 安全设计及认证BT150和BT300具有完善的安全使用及互锁设计， 确保操作人员安全。这些设备可以提供CE标识以及UL认证。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

ISC150离子溅射仪升级版本，采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。 本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。 另外附加原位等离子清洗选配模块，针对SEM样品清除碳氢污染（有机物积碳污染），实现样品表面活化和亲水化处理。注：对于医疗器械类产品，请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况

产品名称：等离子薄膜溅射仪 GSL-1100X-SPC-12产品简介：GSL-1100X-SPC-12型等离子薄膜溅射仪是为扫描电镜和电子探针等进行试样制备的设备，可进行真空蒸碳、真空镀膜和离子溅射，它也可以在高纯氩气的保护之下进行多种离子处理。用本设备处理的试样既可用于样品的外貌观察又可以进行成分分析，尤其是成分的定量分析更为适宜。本仪器装有分子泵，分子泵系统特别适用于对真空要求高、真空环境好的用户选用。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：抽速快，操作简便，真空度高，安全可靠技术参数：●试样处理室 （1）钟罩：内径250mm× 高度340mm （2）玻璃处理室： 玻璃罩 A：内径88mm× 高度140mm 玻璃罩 B：内径88mm× 高度57mm （3）试样台：直径40mm（最大） （4）试样旋转：电动 （5）挡板：电动 （6）蒸发加热器：可同时安装两个加热器 ●真空系统 （1）抽气系统：由分子泵、机械泵组成的高真空机组 （2）真空检测：热偶计、冷规 （3）常用真空度：1.3× 10-2 ~6× 10-3Pa （4）操作：手动 ●处理电源 （1）高压电源：DC3千伏10mA连续可变，用表指示。 （2）低压电源：AC10V100A连续可变，电流用表指示。 （3）电源要求：AC220V 50HZ 10A ●气体要求 氩气纯度99.9%（对样品有特殊要求时可使用） ●冷却要求 本系统采用F100/110F―普通轴承风冷涡轮分子泵，其冷却方式为风扇强制风冷和通水冷却两种，当工作环境低于32℃时，可采用风冷冷却，当工作环境温度高于32℃时，则必须采用水冷。重量：约150公斤 体积：L800mm× W560mm× H1340mm可选配件：氧化铝坩埚，石英坩埚，真空泵等具体信息请点击查看：