晶圆分拣器

水果蔬菜检验分拣系统配件是采用德国技术定制研发的水果蔬菜检验系统和水果蔬菜分拣系统。可以识别腐烂的水果。水果蔬菜检验分拣系统配件应用：对于水果和蔬菜产业，我们有一个符合大多数的工业标准的模块分析仪概念。在果蔬行业，挑选出不新鲜产品是至关重要的。一个腐烂的水果很容易毁掉整批水果，因此会造成严重的经济损失，孚光精仪公司与德国精密光学系统供应商合作，开发一个简单易用的水果蔬菜质量分析系统，帮助易商和物流公司管理鲜果的分类，运输和储存，该分析技术采用图像和头部空间分析的组合来告知管理者哪些水果蔬菜存在腐烂。我们鼓励新鲜水果和蔬菜的商业客户联系我们，根据具体需求定制水果蔬菜检验分拣系统。

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晶圆探针台,硅片探针台由中国领先的进口精密仪器和实验室仪器旗舰型服务商-孚光精仪进口销售！孚光精仪精通光学,服务科学,欢迎垂询！晶圆探针台适合显微镜使用,尺寸小,重量轻,价格低硅片探针台适合科研院所和企业的实验室使用。非常适合小于4英寸的晶圆测量,也可用于LED/LD/PD灯光的光强和波长测量晶圆探针台主要指标：硅片探针台chuck stage (吸盘位移台）：3' ' x3' ' 行程晶圆探针台chuck theta （吸盘theta角）：0-30度硅片探针台platen （压盘）：6个微定位器晶圆探针台工作环境要求：晶圆探针台电力：110VAC， 60Hz硅片探针台真空：-250mmHg, 7Liter/min晶圆探针台尺寸：320x320x400mm ( WxDxH,带显微镜尺寸）硅片探针台重量：20kg (带显微镜重量）晶圆探针台附件：晶圆探针台chuck stage push to position硅片探针台chuck stage vacuum based movement晶圆探针台microscope tilting mechanism and quick right angle switchover硅片探针台light intensity/wavelength measurement adapter晶圆探针台RF prob/cables硅片探针台acitive probeslow current/ capacitance probeshigh voltage probeultrasonic cutterCCTVPhotomicrographicspackaged device holderPCB holderThermal systemsLiquid crystal kit晶圆探针台Vibration free tabletop硅片探针台shielding box晶圆探针台Test bench硅片探针台Instrument case晶圆探针台chuck vacuum pattern硅片探针台gold plated chuck晶圆探针台和欧洲进口的硅片探针台,显微镜使用,适合小于4英寸的晶圆测量,是理想的硅片仪器.

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一、晶片切割工具包划线和切割是获得晶片最佳横断面的关键步骤，这套工具包适合多种材料的基板和晶圆（硅，砷化镓,玻璃）。标配如下：笔式钻石刻刀一把直头钻石刻刀一把30度斜角钻石刻刀一把光纤镊一把)晶圆切割钳一把.钢尺一把钨线赠送30X45cm操作垫订购信息：货号产品描述规格7642晶圆切割工具包套二、CleanBreak Pliers晶圆切割钳6 英寸晶圆切割。使用简单方便，干净，适合晶圆和晶圆小条的切割。3/4“ 钳口。配有一套可更换的钳口，以保持最佳的切割性能。订购信息：货号产品描述规格7646CleanBreak Pliers晶圆切割钳个用于在晶圆表面划线或者做标记，也可代替晶圆工具包里的刻刀产品。订购信息：货号产品描述规格7644晶圆刻刀套装（3件）套三、高级精密晶圆刻刀（划线笔）目前最好的晶圆刻刀（划线器），无与伦比的性能能够满足你所有的半导体晶圆划线要求。8点钻石工位。订购信息：货号产品描述规格7645Lattices 晶圆刻刀9划线笔)支 价格仅供参康，详情请电询

总览ISDI是高性能CMOS图像传感器领域的创新者，提供定制传感器设计和标准产品。产品范围包括专用设计到大批量制造。ISDI成立于2010年，团队由一群在CMOS图像传感器方面拥有丰富知识和经验的半导体设计师组成，他们从科研项目获得了经验。自成立以来，ISDI已从科学传感器的设计师发展为广泛应用的晶圆级成像设备的制造商。数字接口设计可以直接连接到FPGA或ASIC。对于50μm和100μm传感器，开发板可配备相机链、USB或GigEVision连接，用于快速评估传感器性能，这些也可作为成像系统硬件快速原型设计的参考。所有传感器均设计用于X射线环境下的低噪声操作，适用于光纤板（FOP）键合或直接沉积型闪烁体。包含多型号可选:TY-2222 TY-1511 TY-1412 TY-1107 HP-1615 HP-2301 HP-1501 IS-3131 IS-2121 IS-1510 IS-0510 IS-1512 IS-1207 PS-2824 PS-1412 PS-1206 PS-0606 IS-1313技术参数CMOS图像传感器: 产品系列多功能、功能丰富的图像传感器，结合了ISDI专利的抗辐射低噪声像素结构。特点:滚动快门曝光可切换高低满井来提高和降低灵敏度芯片上的温度传感器动态可编程感兴趣区域(ROI)有效面积 (h x v) cm分辨率(h x v)最大帧率( fps)数据输出包装尺寸(cm)单芯片ADCRow time ( ROI) µs低满井Low full well高满井High full well低频焊LFW 高频焊HFWTY-222221.7 x 22.02173 x 220111268 x LVDS27.0 x 21.8 16/14 bit 8.2 360 ke- 3.2 Me- 72.7dB 81.0dBTY-151114.5 x 11.01451 x 110011222 x LVDS14.5 x 13.5TY-141214.0 x 12.01401 x 120011618 x LVDS14.0 x 14.4TY-11077.2 x 11.1721 x 111011212 x LVDS7.2 x 13.5HP-161516.1 x 15.01610 x 15009224 x LVDS16.1 x 17.6 14 bit 7.1 365 ke- 3.0 Me- 70.2dB 73.6dBHP-230123.3 x 0.762331 x 7648044 x LVDS23.5 x 6.1HP-150114.8 x 0.761484 x 7648028 x LVDS15.0 x 6.1IS-313130.9 x 30.73095 x 307366300 x CMOS31.2 x 35.5 14 bit 9.8 410 ke- 2.6 Me- 72.0dB 74.0dBIS-212120.6 x 20.52063 x 204966200 x CMOS20.6 x 25.3IS-151010.3 x 15.31031 x 15366650 x CMOS10.3 x 17.7IS-051010.3 x 5.11031 x 51219850 x CMOS10.3 x 7.4IS-151211.5 x 14.81537 x 198430 (86 @ 2*2 binning)6 x analogue11.5 x 16.3none17 290 ke- 2.8 Me- 70.5dB 74.4dBIS-120711.5 x 6.51537 x 86468 (192 @ 2*2 binning)6 x analogue11.5 x 7.9none17PS-282428.0 x 24.05606 x 48022972 x LVDS28.1 x 28.814 bit14.2 260 ke- 2.0 Me- 69.9dB 73.6dBPS-141214.0 x 12.02802 x 24002918 x LVDS14.1 x 14.414 bit14.2PS-120611.96 x 6.02391 x 12005916 x LVDS12.0 x 8.414 bit14.2PS-06065.4 x 6.01071 x 1200598 x LVDS5.35 x 8.414 bit14.2IS-131313.0 x 13.02600 x 260016 (30 @ 2*1 binning)7 x analogue13.1 x 15.5none24150 ke-2.0 Me-64.4dB75.1dB

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

品牌：久滨名称：取样刀 主要用途： 适用于切取各种毛纺、棉纺、化纤、针织等织物的圆形样品。可迅速精密地将各种织物，切割成一个特定面积之圆形样品，秤重后可得出每平方米之克数。技术参数：取样面积：100cm2试样直径：113mm裁割深度：4mm体积：7cm×14cm重量： 4.6kg使用方法：1，将待裁织物平铺在橡胶垫上，将圆盘取样器放在织物上，拉出取样器上的锁紧置，旋转约90度，一手扶住外罩，一手握住波纹手轮，并施加一定压力，然后顺时针旋转波纹手轮（转角大于90度），即可将圆试样裁取。2，取样器使用后即锁紧装置，旋转至原位，使刀片不能外露，以免伤手和其他物品。结构与调整1，切刀刀片为双面刀片共有四片，为圆外接四等份均布，刀片可以更换，具体操作为：松开十字螺钉（每片上有四颗螺钉），取下刀片压板与取样刀片，换上新的刀片，压上刀片压板，注意使刀片口为顺时针切向，并使四片刀口处于同一平面，然后拧紧十字螺钉即可。2，仪器底部有直纹刻痕，用于固定试样，便于切割，防止试样打滑。注意事项：1，本仪器刀片刀口锋利，使用中不得将手放在底部，以免损伤。2，仪器裁取试样应该在橡胶垫上进行，仪器不用时擦拭干净，放在仪器盒中，以免损伤。

晶片切割工具包划线和切割是获得晶片最佳横断面的关键步骤，这套工具适合多种材料的基板和晶圆（硅，砷化镓,玻璃）。标配如下：l 笔式钻石刻刀一把l 直头钻石刻刀一把l 30度斜角钻石刻刀一把l 光纤镊一把)l 晶圆切割钳一把.l 钢尺一把l 钨线l 赠送30X45cm操作垫订购信息：货号产品描述规格7642晶片切割工具包套

激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

产品概要：MPl悬臂探针卡广泛应用于金凸点和焊盘晶圆测试，用于显示驱动器、逻辑和存储设备。基本信息：MPI的悬臂式探头是对细间距、小焊盘尺寸、高速、清洁少、多DUT、高引脚数和超低泄漏要求的相应解决方案。技术优势：1、使用对角线或托架应用程序执行多个DUT配置，以实现超常规对齐和平面度2、减少高温或低温试验期间的热变形3、R+和U+结构的高速解决方案，用于严格的Pl和Sl应用4、通过先进的探针材料和设计，稳定低接触电阻性能5、交付周期短，是工程设备的理想选择应用方向：MPl悬臂探针卡广泛应用于金凸点和焊盘晶圆测试，用于显示驱动器、逻辑和存储设备。

晶圆盒/硅片盒用于承装2至6英寸晶片/硅片，可以确保晶片/硅片在运输和储运的过程中不被损坏和污染。并使清洁和处理晶片/硅片的过程非常方便。

产品名称：花篮，PFA花篮，硅片清洗篮，太阳能硅片清洗架材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。 温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。 晶圆容量：25片 型号:A194-60MB 晶圆直径(mm):150mm (6英寸） 尺寸(mm): 143.38mm x 177.8mm x 171.45mm 材料:天然PFA(氟树脂)

晶圆刻刀套装用于在晶圆表面划线或者做标记，也可代替晶圆工具包里的刻刀产品。订购信息：货号产品描述规格7644晶圆刻刀套装（3件）套

圆偏振器?透射率超过42%?备有料和膜基片材质供选择?备有左旋及右旋偏振两种设计圆偏振器非常适用于减少各种成像应用中的眩光，以及提高显示器在光亮环境中的可见性。这些圆偏振器能为波长介于400 – 700nm的可见光提供卓越的透射率。塑料基片能提高该产品的耐久性能，而膜基片则能提高灵活性，并根据应用需求轻松裁剪。圆偏振器备有左旋及右旋偏振两种设计供选择。Common Specifications构造 :Polarizing Film基底:Plastic厚度容差 (%):±10透射率 (%) :42波长范围 (nm):400 - 700线性元件的效率:99.98订购信息直径 (mm)直径容差 (mm)尺寸 (mm)尺寸容差 (mm)厚度 (mm)产品号12.5+0.0/-0.3--2.2#88-09520+0.0/-0.3--2.2#88-09625+0.0/-0.3--2.2#88-09725.4+0.0/-0.3--2.2#88-09825.4+0.0/-0.3--2.2#88-10150+0.0/-0.5--2.2#88-09950.8+0.0/-0.5--2.2#88-10050.8+0.0/-0.5--2.2#88-102-25.0 x 25.0+0.0/-0.30.3#88-083-25.4 x 25.4+0.0/-0.30.3#88-084-50.0 x 50.0+0.0/-0.50.3#88-085-50.8 x 50.8+0.0/-0.50.3#88-086-50.8 x 50.8+0.0/-0.50.3#88-092-100.0 x 100.0+0.0/-1.00.3#88-087-100.0 x 100.0+0.0/-1.00.3#88-093-150.0 x 150.0+0.0/-1.00.3#88-088-200.0 x 200.0+0.0/-1.00.3#88-089-250.0 x 250.0+0.0/-1.00.3#88-090-500.0 x 600.0+0.0/-3.00.3#88-091-500.0 x 600.0+0.0/-3.00.3#88-094

标准磨口 短颈圆底烧瓶由上海书培实验设备有限公司提供，产品质量优越，规格种类齐全，欢迎新老客户来电咨询选购。标准磨口 短颈圆底烧瓶产品介绍：底部呈球状的透明玻璃烧瓶，一种常用的加热与放映容器，用途广泛，可以加热，一般垫在石棉网与铁架台等仪器上。标准磨口 短颈圆底烧瓶产品规格：产品名称容量（ml）口径（mm）价格（元）标准磨口短颈圆底烧瓶251415标准磨口短颈圆底烧瓶501418标准磨口短颈圆底烧瓶1001420标准磨口短颈圆底烧瓶1501424标准磨口短颈圆底烧瓶251916标准磨口短颈圆底烧瓶501920标准磨口短颈圆底烧瓶1001925标准磨口短颈圆底烧瓶1501930标准磨口短颈圆底烧瓶2501938标准磨口短颈圆底烧瓶5001945标准磨口短颈圆底烧瓶10001955标准磨口短颈圆底烧瓶502422标准磨口短颈圆底烧瓶1002425标准磨口短颈圆底烧瓶1502429标准磨口短颈圆底烧瓶2502435标准磨口短颈圆底烧瓶5002445标准磨口短颈圆底烧瓶10002455标准磨口短颈圆底烧瓶20002465标准磨口短颈圆底烧瓶502925标准磨口短颈圆底烧瓶1002932标准磨口短颈圆底烧瓶1502938标准磨口短颈圆底烧瓶2502945标准磨口短颈圆底烧瓶5002955标准磨口短颈圆底烧瓶10002960标准磨口短颈圆底烧瓶20002980产品使用时注意事项：一：蒸馏或分馏要与胶塞、导管、冷凝器等配套使用蒸馏烧瓶二：加热时使用石棉网，使均匀受热三：注入的液体不要超过其容积2/3，不少于其体积的1/3

晶圆盒/硅片盒用于承装2至6英寸晶片/硅片，可以确保晶片/硅片在运输和储运的过程中不被损坏和污染。并使清洁和处理晶片/硅片的过程非常方便。

匠心艺术之作70mm2 FAST SDD Amptek最新研发了一款TO-8封装的70mm2 FAST SDD探测器。它的封装和Amptek其他所有探测器封装一样。这样使得70mm2 FAST SDD成为非常方便的替代品。在同样性能下，计数率是25mm2SDD探测器的3倍。特性 l 70mm2有效面积准直到50mm2l 123ev FWHM @5.9keVl 计数率2,000,000cpsl 高峰背比-26000:1l 前置放大器上升时间l 窗口：Be(0.5mil) 12.5um或C2(Si3N4)l 抗辐射l 探头晶体厚度500uml TO-8封装l 制冷ΔT 85Kl 内置多层准直器 应用l 超快台式和手持XRF光谱仪l SEM中EDS系统的样品扫描或测绘样品l 在线过程控制l X射线分拣机l OEMFASTSDD-70规格参数 通用探头类型硅漂移探头（SDD）探头大小70mm2准直到50mm2硅晶体厚度500um5.9keV处55Fe能量分辨率峰化时间4us时，分辨率为123-135eV峰背比20000:1（5.9keV与1keV计数比）探头窗口Be:0.5mil(12.5um)或C2（Si3N4）准直器内部多层准直器电荷灵敏前置放大器CMOS增益稳定性℃外壳尺寸XR-100FastSDD-703.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm)重量XR-100FastSDD-704.4盎司（125g）总功率XR-100FastSDD-70质保期1年使用寿命取决于实际使用情况，一般5-10年仓储和物流长期存放：干燥环境下10年以上仓储和物流：-40℃到+85℃，10%到90%湿度，无凝结工作条件-35℃到+80℃TUV 认证认证编号：CU 72101153 01检测于：UL61010-1:2009 R10.08 CAN/CSA-C22.2 61010-1-04+GI1输入前放电源 XR-100FastSDD-70 OEM 配置±8V@15mA，峰值噪声不超过50mV。PA210/PA230或X-123：±5V探头电源 XR-100FastSDD-70-100到-180V@25uA，非常稳定，变化制冷电源电流电压最大450mA最大3.5V，峰值噪声注： XR-100FastSDD-70包含它自身的温度控制器输出前放灵敏度极性输出上升时间反馈典型的3.6mV/keV（不同的探头灵敏度不同）正输出信号（最大1KΩ负载）复位型温度监控灵敏度根据配置不同而变化当使用PX5，DP5，或X-123时，直接通过软件读取开尔文温度 FastSDD-70 探头可用于Amptek所有的配置中

孚光精仪进口圆锥透镜,圆台圆锥透镜,Axicon,平凹圆锥透镜,双凸圆锥透镜--中国最大的进口精密光学器件供应商！一.平凸圆锥透镜 Conical lens 平这款平凸圆锥透镜能够把激光束聚焦成激光环。圆锥透镜把平行的激光束转变成环状激光，与球面镜联合使用，将产生角聚焦效果，非常适合激光钻孔使用。圆台圆锥透镜产生非衍射的Bessel光束，这种特色增强了光导性能，而在Rayleigh范围的高斯光束的导光性却受到限制。高阶Bessel光束在原子导引（原子光学导引，原子激光导引）领域远远优于其它空心光束。平凸圆锥透镜规格和参数：材料：BK7,UVFS直径公差：+0.0, -0.15 mm厚度公差：+/-0.1 mm边缘厚度：3.5 mm. Available down to 2 mm顶角：90deg净孔径：90%顶角公差：+/-0.5deg平整度：L/4 @ 632.8 nm光洁度：40-20 scratch & dig设计波长：632.8nm镀膜：根据用于要求提供二.平凹圆锥透镜平凹圆锥透镜由一个平面和一个凹圆锥平组合而成。这种平凹圆锥透镜能够光点转换成沿轴的光线。而且，平凹圆锥透镜中心都有一个小孔，这个小孔是由加工需要造成的，小孔的直径大约在1mm平凹圆锥透镜规格和参数材料：BK7,UVFS直径公差：+0.0, -0.15 mm厚度公差：+/-0.1 mm边缘厚度：9mm顶角：90deg净孔径：90%顶角公差：+/-0.5deg平整度：L/4 @ 632.8 nm光洁度：40-20 scratch & dig设计波长：632.8nm镀膜：根据用于要求提供三.双凸圆锥透镜双凸圆锥透镜具有一个凸圆锥面和一个凸球面。双凸圆锥透镜规格和参数材料：BK7,UVFS直径公差：+0.0, -0.15 mm厚度公差：+/-0.1 mm边缘厚度：9mm顶角：90deg净孔径：90%顶角公差：+/-0.5deg平整度：L/4 @ 632.8 nm光洁度：40-20 scratch & dig设计波长：632.8nm焦距：20-10000mm任选曲率半径公差：+/-3%镀膜：根据用于要求提供圆台圆锥透镜,Axicon询问提示：请填写如下询问单，复制后发送Email给我们即可：MaterialUVFSBK7Diameter, mmApex angle,CommentsQuantity

离轴椭圆形反射镜??金刚石车削对齐表面?适用于有限共轭反射通用规格基底:Aluminum 6061-T6表面质量:60-40表面粗糙度（埃）:镀膜类型:Metal产品介绍TECHSPEC® 离轴椭圆形反射镜是有限共轭聚焦镜，用于以设定角度成像。这些反射镜具有固定的共轭图像和物体路径长度，提供从物体平面到成像平面路径长度的最高2.5倍放大。离轴椭圆形反射镜常用于在傅立叶转换红外光谱(FTIR)系统，其中宽带光源需要使用带轴外设计的金属反射器，以满足空间限制。TECHSPEC® 离轴椭圆形反射镜的底座上具有金刚石车削的圆柱形表面，其半径等于椭圆形主轴的距离，用于将反射镜与主轴和平坦参考表面对齐，该表面与主轴垂直，由金刚石车削而成。如果您的应用需要具有定制规格的离轴椭圆形反射镜，请与我们联系。技术数据产品信息放大率涂层尺寸 (mm)产品编码2XProtected Aluminum (400-2000nm)25.40 x 25.40#12-4952XProtected Gold (700-10000nm)25.40 x 25.40#12-4962.5XProtected Aluminum (400-2000nm)31.75 x 31.75#12-4972.5XProtected Gold (700-10000nm)31.75 x 31.75#12-498

椭圆形平板分光器?45°时呈圆形?提供可视及NIR覆膜选择?同轴和线内照明的理想选择TECHSPEC® 椭圆形平板分光器将分光效率zui大化，同时使所需的安装空间zui小化。当方向保持45°时，分光器能够产生一个圆形孔，其大小与短轴直径相当。TECHSPEC® 椭圆形平板分光器提供可视或NIR 50% 反射/50% 投射分光器覆膜，并且特有高效率多层防反射（AR）覆膜减少背部反射。Common Specifications表面平整度:基底:N-BK7反射/透射比 (R/T):50/50平行度（弧分）:技术数据订购信息波长范围 (nm)短轴 (mm)长轴 (mm)产品号400 - 70012.50 +0.0/-0.1017.68 +0.0/-0.40#48-913700 - 110012.50 +0.0/-0.1017.68 +0.0/-0.40#48-914700 - 110012.50 +0.0/-0.1017.68 +0.0/-0.40#47-167400 - 70025.00 +0.0/-0.1035.36 +0.0/-0.70#48-915700 - 110025.00 +0.0/-0.1035.36 +0.0/-0.70#48-916400 - 70050.00 +0.0/-0.1070.71#48-917700 - 110050.00 +0.0/-0.1070.71#48-918700 - 110050.00 +0.0/-0.1070.71#48-912

蜀牛500ml厚口短颈圆底烧瓶造型：是一个短颈、口大而厚实的圆球体状的球瓶。圆底烧瓶的厚口是在吹制圆底烧瓶后不经圆口，在烧瓶未冷却前在大炉上另外再挑选玻璃料，直接在瓶颈上粘接一圈，然后经过爆口、磨平而成。口厚大，可以安装搅拌器、温度计、蒸馏管等多种配件，进行较复杂的蒸馏操作，且在安装配件时，可以增加机械强度，耐受冲击和压力；颈短可以减少馏程，提高蒸馏速度；瓶体呈圆球体形，增大受热面，并使受热均匀。使用方法：与圆底烧瓶相同。用途：除具有圆底烧瓶的用途外，由于瓶颈短，口较大，可以容纳较多的配套仪器进行复杂的蒸馏操作。又因其口较大，配套仪器的安装亦较为方便。

蜀牛3000ml厚口短颈圆底烧瓶造型：是一个短颈、口大而厚实的圆球体状的球瓶。圆底烧瓶的厚口是在吹制圆底烧瓶后不经圆口，在烧瓶未冷却前在大炉上另外再挑选玻璃料，直接在瓶颈上粘接一圈，然后经过爆口、磨平而成。口厚大，可以安装搅拌器、温度计、蒸馏管等多种配件，进行较复杂的蒸馏操作，且在安装配件时，可以增加机械强度，耐受冲击和压力；颈短可以减少馏程，提高蒸馏速度；瓶体呈圆球体形，增大受热面，并使受热均匀。使用方法：与圆底烧瓶相同。用途：除具有圆底烧瓶的用途外，由于瓶颈短，口较大，可以容纳较多的配套仪器进行复杂的蒸馏操作。又因其口较大，配套仪器的安装亦较为方便。

高质量的切割钳，配备用于晶圆劈裂的三点切割钳口，以及用于玻璃和陶瓷的平面金属钳口。有6英寸（54361）和8英寸（54362）两种规格。

蜀牛2000ml厚口短颈圆底烧瓶造型：是一个短颈、口大而厚实的圆球体状的球瓶。圆底烧瓶的厚口是在吹制圆底烧瓶后不经圆口，在烧瓶未冷却前在大炉上另外再挑选玻璃料，直接在瓶颈上粘接一圈，然后经过爆口、磨平而成。口厚大，可以安装搅拌器、温度计、蒸馏管等多种配件，进行较复杂的蒸馏操作，且在安装配件时，可以增加机械强度，耐受冲击和压力；颈短可以减少馏程，提高蒸馏速度；瓶体呈圆球体形，增大受热面，并使受热均匀。使用方法：与圆底烧瓶相同。用途：除具有圆底烧瓶的用途外，由于瓶颈短，口较大，可以容纳较多的配套仪器进行复杂的蒸馏操作。又因其口较大，配套仪器的安装亦较为方便。

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蜀牛1000ml厚口短颈圆底烧瓶造型：是一个短颈、口大而厚实的圆球体状的球瓶。圆底烧瓶的厚口是在吹制圆底烧瓶后不经圆口，在烧瓶未冷却前在大炉上另外再挑选玻璃料，直接在瓶颈上粘接一圈，然后经过爆口、磨平而成。口厚大，可以安装搅拌器、温度计、蒸馏管等多种配件，进行较复杂的蒸馏操作，且在安装配件时，可以增加机械强度，耐受冲击和压力；颈短可以减少馏程，提高蒸馏速度；瓶体呈圆球体形，增大受热面，并使受热均匀。使用方法：与圆底烧瓶相同。用途：除具有圆底烧瓶的用途外，由于瓶颈短，口较大，可以容纳较多的配套仪器进行复杂的蒸馏操作。又因其口较大，配套仪器的安装亦较为方便。