晶圆键合机

英国AML 晶圆键合机 AML（"Applied Microengineering Ltd")公司成立于1992年。公司坐落于英国牛津哈威尔科学园，主要从事原位晶圆键合设备生产，并在拥有数百亿英镑高端现代化设备的BONDCENTER的支撑下，为客户服务键合相关服务工作。公司生产的对准键合机是目前市场上唯一能够实现在同一设备上完成原位对准、激发、键合的设备，是MEMS,IC,和III-V键合工艺的最佳选择。在实现原位键合的同时，该设备也被用于压纹、印压、纳米 压印及其它图形转移技术。可用于科研，并具有适合批量生产的全自动设备。AML BONDCENTER为客户提供了制作键合基底，键合器件及3D集成和芯片级封装的最佳场所。 NEW ! IRIS-红外晶圆键合检测& Maszara键合强度设备 红外检测是一种快速、简单的无损检测方法。它可以检测键合后整片晶 圆的空洞、粘接不良或内部的颗粒。 可以对直径200mm的晶圆做出快速检测 ? 可检测的空洞最小高度是250nm ? 空洞横向最小尺寸600um。 IR检测整片键合完成的晶圆 ? 在25mm宽的基板上进行测试。可达检测200mm的晶圆。 ? 可使粘接强度的测量和分析更快速。 ? IRIS键合强度测量已经得到SEMI MS5-0813 “Micro Chevron Testing”标准的认证。 全新的IRIS桌上型分析设备 ? IRIS可以控制产品的失效。 ? 插入角度—可通过设计来固定和控制。 ? 边缘效应-IRIS测量整片晶圆。 自动的Maszara键合强度测试工具 ? 消除由于操作人员的技术和方法引起测量的不确定 性—IRIS提供可重复的刀片插入。 ? 应力腐蚀-IRIS可以以比应力腐蚀速度更快的速度移动叶 片， 从而消除了应力腐蚀造成的误差。 ? 兼容没有图形的晶圆—不像Chevron键合强度测试方法那 样，需要有特定图形的晶圆。 ? 消除操作人员的影响，MAszara测试提供多次的重复结果。 ? 操作更安全-不用人工操作。 ? 整片晶圆的键合强度的mapping图。 ? 测量键合强度可达2.5Jm-2。 ? 键合强度测量支持多种材料的组合，例如：硅、膨化 玻璃、蓝宝石、用户可以输入其它材料的弹性模数。 ? 分析软件可以连续记录晶圆的条状位置；通过自动图像分 析，提取裂缝长度。 全自动分析测量数据， 并生成键合强度的mapping AML键合机晶圆对准键合机,广泛应用于MEMS器件,晶圆级封装技术(WLP),先进真空封装基底,TSV 3D互联工艺等。 AML键合机具有独一无二的原位晶圆对准键合技术：? 激活、对准、键合一体机? 上下基板独立加热，适合Getter材料工艺? 低拥有成本 & 高生产能力? 智能作用力控制? 可靠的全自动对准功能,对准精度可达1微米? 最佳真空键合? 可键合的芯片及晶圆尺寸 为 2” 到 12”? 自动程序控制功能:适用于研发或生产等应用? 图像采集功能:用于识别背面对准标记? 键合前晶圆原位激活、化学表面处理功能? AML的BONDCENTER可为客户提供强大的工艺支持 新!(New!)基於真空的临时键合技术， 在3D IC 工艺中完美的应用，和粘附剂说再见吧！ 节省工艺时间，提高生产效率，高性价比! - 无粘附剂的真空键合 - 键合时间 5 mins - 最高工艺温度 300oC - 解键合时间 10mins - 3D-IC 工艺最理想的选择 基板温度/键合力曲线图，上下基板可在键合过程中保持不同温度 Cu-Cu键合过程中在腔室内使用蚁酸气体对键合表面氧化物进行处理，处理后界面EDX谱图AML 真空晶圆载片- 最新临时键合解决方案,无需使用任何粘附剂 原位等离子体激活处理原位对准系统 FAB12 - 全自动晶圆对准键合机晶圆尺寸: 150mm & 200mm (或300mm)晶圆厚度: Max. stack height 6.5mm晶圆传输: 接触边缘 3mm 区域基础气压: 10-6mbar range抽气时间: 5 min (to 10-4mbar)最大键合力: 25kN卡盒数量: 2 or 3 (FOUP, SMIF or Open Cassette Load Ports)

AFIXX 20m手动系统台式系统设计用于手动将单个基板临时粘合到刚性载体或其他载体上。适用于非常薄的易碎基材和柔性塑料材料。专为实验室开发的临时粘合技术。这是一个多功能系统，非常适合许多R＆D应用程序。AFIXX 20m配备有加热板，可将载体或基材加热到200℃。特点：适用于圆形晶圆片或方形基片；基片尺寸：最大到直径200mm（直径8英寸）或150x150 mm（6 x6英寸），圆形晶圆片可选：直径300毫米（直径12英寸）；带加热板，最高200℃；适用于非常薄的易碎晶圆（40 um）和柔性塑料材料；激光标记可准确对准晶圆和载体；手动调节水平；与硅，化合物和玻璃材料兼容；专为研发和小批量生产而设计；应用：将基材临时粘合到不同类型的载体上：基板上的基板玻璃载体上的基板蓝宝石载体上的基板陶瓷载体上的基材不同的粘合剂，例如：蜡＞通过热处理激活粘合剂受温度和溶剂的影响，活化产品参数：基板尺寸：最大直径200mm（直径8英寸）或150x 150 mm（6 x 6英寸）设备外壳：PP材质工作台表面：微抛光不锈钢和阳极氧化铝材质电源：230（110）VAC / 1Phase/ N / PE / 50（60）Hz真空：-0.8 bar / -600 Torr，管外径8 mm，内径6 mm控制台：350x 350 x 372毫米（13.8 x 13.8x 14.6英寸）加热板模块：350x 411 x 207毫米（13.8 x 16.2x 8.2英寸）主营产品：Laurell匀胶机 Harrick等离子清洗机 Thetametrisis膜厚仪 Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机 Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板 Annealsys高温退火炉 Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统，湿站系统 Wabash/Carver自动压片机

EVG805 半自动解键合机 键合剥离机 应用：薄晶圆临时键合解键合，将已经键合的材料从载板上剥离。应用于TSV，储存器，CMOS，功率器件等的加工过程。 一、简介EVG805是一种半自动系统，用于剥离临时键合和加工的晶圆堆叠，包括器件晶圆，载体晶圆和中间临时键合胶。该工具支持热剥离或机械剥离。薄晶圆可以卸载在单个基板载体上，以便在工具之间安全可靠地转移。 二、特征 开放的黏合剂平台 解键合选项： 热滑脱剥离 脱黏剥离 机械玻璃 程序控制系统 实时监控和记录所有相关的过程参数 薄晶圆处理的独特功能 各种卡盘设计，可支持zui大300 mm的晶圆/基板和载体 高表面地貌晶圆处理 三、参数1.晶圆尺寸：zui大300mm2.配置：一个解键合模块3.备选：紫外光辅解键合；高表面地貌处理能力；不同尺寸晶圆的桥接能力技术/销售热线：邮箱：

EVG公司成立于1980年，公司总部及制造厂均位于奥地利，在美国，日本和台湾有分公司，在全球各地均有销售代理及售后服务部。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG公司是世界上优质的圆片键合系统制造商，其键合系统工艺被认定为MEMS领域的标准工艺，可实现阳极键合、热压键合、中间层粘着键合、 玻璃浆料键合、硅-硅直接键合、共晶键合及SOI键合等所有热压键合工艺，从手动装片系统到全自动片盒送片多工艺室系统，以满足不同客户的应用要求。无论手动/半自动装片，键合工艺全部自动完成；独特的基片夹具及键合室结构设计，实现高精度的圆片键合；上/下极板独立加热控制，加热温度高达650度。EVG510是一款半自动晶圆键合系统，可以处理200mm的晶圆及往下兼容，非常适合于研发和小批量生产。EVG510提供了除上料和下料外的全自动工艺处理过程。EVG510配备了业界公认的EVG高品质的加热和压力均匀性系统。模块化的键合腔室设计用于150mm或200mm晶圆键合，且工艺菜单与其他更高系列的EVG键合机相匹配。 主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级先进封装以及3D互联、TSV工艺。 优质的降低客户成本（COO）精确的硅片低压契型补偿系统以提高良率优异的温度和压力均匀性工艺菜单与其他键合系统通用高真空键合腔室 (可低至 10-5 mbar，使用分子泵)手动上料和下料，全自动工艺过程快速加热和抽真空过程，以提高产出基于Windows 的控制软件和操作界面

EVG850 LTAutomated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer BondingEVG850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™ 等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。 特征利用EVG的LowTemp™ 等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种融合/分子晶圆键合应用 ；生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）； 无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁； ； 机械平整或缺口对齐的预粘合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预粘接室对齐类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50 μm，θ：±0.1°结合力：最高5 N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）LowTemp™ 等离子激活模块2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量最高）通用质量流量控制器：最多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速最高可达到20.000 sccm真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹 配单元：清洁站；清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）； 腔室：由PP或PFA制成清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（最大）。 2％浓度（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成；旋转：最高3000 rpm（5 s）清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）

1、扇出型晶圆级热拆键合&bull FOWLP优化热拆键合 &bull 全自动脱胶 &bull FOWLP晶圆翘曲控制和测量 &bull FOWLP晶圆正反面标记 &bull 可独立的全自动翘曲矫正模式 &bull 符合SEMI E95的MMI &bull 符合SEMI E005和E030的SECS/GEM2、机器描述 半自动热拆键合机: MDM330s/ 全自动热拆键合机ADM330 晶圆尺寸: 300/330 mm 晶圆厚度: 400µ m - 1000µ m 温度控制: 室温 - 240℃ 温度均匀性: ±2℃ 3流程模式 &bull 拆键合和脱胶工艺 &bull 翘曲矫正工艺 &bull 手动装载 翘曲处理能力: 输入：≤ ±15mm输出：1 mm* 晶圆传输系统: 三温无接触传输 子系统: 全自动脱胶

技术/销售热线： 吴先生一、简介EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150 mm（200 mm键合室的情况下为200 mm）的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM（量产）工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。 二、特征 带有150 mm或200 mm加热器的键合室 独特的压力和温度均匀性 与EVG的机械和光学对准器兼容 灵活的设计和研究配置 从单芯片到晶圆 各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合） 可选涡轮泵（1E-5 mbar） 可升级阳极键合 开放式腔室设计，便于转换和维护 兼容试生产需求： 同类产品中的最/低拥有成本 开放式腔室设计，便于转换和维护 最/小占地面积的200 mm键合系统：0.8㎡ 程序与EVG HVM键合系统完全兼容 三、参数最/大键合力：20kN加热器尺寸：150mm（最/小为单个芯片）200mm（最/小100mm）真空：标准0.1mbar（可选1E-5 mbar） EVG610是一款非常灵活的、适用于研发和小批量试产的对准系统，可处理zui大200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺，例如：真空、软、硬接触和接近曝光；也支持其他特殊的应用，如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。EVG610系统中的工具更换非常简便快捷，每次更换都可在几分钟之内完成，而不需要专门的工程人员和培训，非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统（MEMS）、硅片凸点、化合物半导体等领域，涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 支持背面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u zui小化的占地面积u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制）

EVG501 晶圆键合机 用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。适用于：微流体芯片，半导体器件处理，MEMS制造，TSV制作，晶圆先进封装等。 一、简介EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150 mm（200 mm键合室的情况下为200 mm）的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM（量产）工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。 二、特征 带有150 mm或200 mm加热器的键合室 独特的压力和温度均匀性 与EVG的机械和光学对准器兼容 灵活的设计和研究配置 从单芯片到晶圆 各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合） 可选涡轮泵（1E-5 mbar） 可升级阳极键合 开放式腔室设计，便于转换和维护 兼容试生产需求： 同类产品中的最/低拥有成本 开放式腔室设计，便于转换和维护 最/小占地面积的200 mm键合系统：0.8㎡ 程序与EVG HVM键合系统完全兼容 三、参数最/大键合力：20kN加热器尺寸：150mm（最/小为单个芯片）200mm（最/小100mm）真空：标准0.1mbar（可选1E-5 mbar） 技术/销售热线：邮箱：

EVG510 Wafer Bonding SystemEVG510晶圆键合系统 用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容 EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从基板到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产应用。 EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合配方易于转移，可轻松扩大生产规模。特征独特的压力和温度均匀性兼容EVG机械和光学对准器灵活的设计和配置，用于研究和试点将单芯片形成晶圆各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接粘合）可选的涡轮泵（1E-5 mbar）可升级用于阳极键合开室设计，易于转换和维护生产兼容高通量，具有快速加热和泵送规格通过自动楔形补偿实现高产量开室设计，可快速转换和维护200毫米粘合系统的最小占地面积：0.8平方米配方与EVG的大批量生产粘合系统完全兼容 技术数据：zui大接触力：10、20、60 kN 加热器尺寸150毫米200毫米最小基板尺寸单芯片100毫米真空：标准：0.1毫巴 ；可选：1E-5 mbarzui高温度：标准：550°C；可选：650°C 单芯片加工：是；夹盘系统/对准系统：150毫米加热器：EVG610，EVG620，EVG6200200毫米加热器：EVG6200，SmartViewNT主动水冷；对于底面阳极键合电源：zui高 电压：2 kVzui高 电流：50 mA装载室：详见手册；EVG520 IS Wafer Bonding SystemEVG520IS晶圆键合系统 单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产 EVG520 IS单腔单元可半自动操作zui大200 mm的晶圆，适用于小批量生产应用。 EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计，具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。 诸如独立的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。特征全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站兼容EVG机械和光学对准器单室或双室自动化系统全自动的邦定工艺执行和邦定盖移动集成式冷却站可实现高产量选项：高真空能力（1E-6毫巴）可编程质量流量控制器集成冷却 技术数据：zui大接触力：10、20、60、100 kN； 加热器尺寸150毫米200毫米最小基板尺寸单芯片100毫米真空：标准：1E-5 mbar； 可选：1E-6 mbarzui高 温度（°C）：标准：550； 可选：650单芯片加工：是； 夹盘系统/对准系统150毫米加热器：EVG610，EVG620，EVG6200200毫米加热器：EVG6200，SmartViewNT 主动水冷顶部和底部阳极键合电源：zui高 电压：2 kV； zui高 电流：50 mA装载室：zui高 键合室：2；

EVG540 Automated Wafer Bonding SystemEVG540 自动晶圆键合系统 全自动晶圆键合系统，适用于最大300 mm的基板 EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机，设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装，3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。 EVG540基于模块化设计，为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。 特征单室粘合机，最大基板尺寸为300 mm与SmartView和MBA300兼容自动处理多达四个粘合卡盘符合高安全标准 技术数据最大加热器尺寸：300毫米；装载室：2；轴机器人最高 键合室：2； EVG560 Automated Wafer Bonding SystemEVG560 自动晶圆键合系统 全自动晶圆键合系统，用于大批量生产 EVG560自动化晶圆键合系统最多可容纳四个键合室，并具有各种键合室配置选项，适用于所有键合工艺和最大300 mm的晶圆。 EVG560键合机基于相同的键合室设计，并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能，可提供高产量的生产键合。 机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。 特征全自动处理，可自动装卸粘合卡盘多达四个键合室，用于各种键合工艺与包括SmartView的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载粘合室和冷却站远程在线诊断 技术数据最大加热器尺寸：150、200、300毫米装载室5轴机器人最高键合模块4

EVG560 Automated Wafer Bonding SystemEVG560 自动晶圆键合系统 全自动晶圆键合系统，用于大批量生产 EVG560自动化晶圆键合系统最多可容纳四个键合室，并具有各种键合室配置选项，适用于所有键合工艺和最大300 mm的晶圆。 EVG560键合机基于相同的键合室设计，并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能，可提供高产量的生产键合。 机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。 特征全自动处理，可自动装卸粘合卡盘多达四个键合室，用于各种键合工艺与包括SmartView的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载粘合室和冷却站远程在线诊断 技术数据最大加热器尺寸：150、200、300毫米装载室5轴机器人最高键合模块4

EVG501 Wafer Bonding SystemEVG501 晶圆键合系统 适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统 EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从单个芯片到150 mm（200 mm键合室为200 mm）的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学，研发机构或小批量生产的理想选择。 EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合配方易于转移，可轻松扩大生产规模。 特征独特的压力和温度均匀性兼容EVG机械和光学对准器灵活的研究设计和配置从单芯片到晶圆各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接粘合）可选的涡轮泵（1E-5mbar）可升级用于阳极键合开室设计，易于转换和维护兼容试生产开室设计，易于转换和维护200毫米粘合系统的最小占地面积：0.8平方米配方与EVG的大批量生产粘合系统完全兼容 技术数据最大接触力：20千牛；加热器尺寸150毫米200毫米； 最小基板尺寸单芯片100毫米真空：标准：0.1毫巴可选：1E-5 mbar 最高 温度：450°摄氏度单芯片加工：是； 夹盘系统/对准系统150毫米加热器：EVG610，EVG620，EVG6200200毫米加热器：EVG6200，SmartViewNT主动水冷 对于底面阳极键合电源：最高 电压：2 kV； 最高 电流：50 mA

EVG510 Wafer Bonding SystemEVG510晶圆键合系统 用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容 EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从基板到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产应用。 EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合配方易于转移，可轻松扩大生产规模。 特征独特的压力和温度均匀性兼容EVG机械和光学对准器灵活的设计和配置，用于研究和试点将单芯片形成晶圆各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接粘合）可选的涡轮泵（1E-5 mbar）可升级用于阳极键合开室设计，易于转换和维护生产兼容高通量，具有快速加热和泵送规格通过自动楔形补偿实现高产量开室设计，可快速转换和维护200毫米粘合系统的最小占地面积：0.8平方米配方与EVG的大批量生产粘合系统完全兼容 技术数据：最大接触力：10、20、60 kN 加热器尺寸150毫米200毫米最小基板尺寸单芯片100毫米真空：标准：0.1毫巴 ；可选：1E-5 mbar最高温度：标准：550°C；可选：650°C 单芯片加工：是；夹盘系统/对准系统：150毫米加热器：EVG610，EVG620，EVG6200200毫米加热器：EVG6200，SmartViewNT主动水冷；对于底面阳极键合电源：最高 电压：2 kV最高 电流：50 mA装载室：详见手册；

GEMINI FB Automated Production Wafer Bonding SystemGEMINIFB 自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔合 技术数据半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。 EVG的GEMINI FB XT集成熔合系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的SmartView NT3键合对准器，该键合对准器是专门为50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 特征新型SmartViewNT3面对面键合对准器，晶片对晶片对准精度低于50 nm多达六个预处理模块，例如：清洁模块、LowTemp™ 等离子激活模块、对齐验证模块、脱胶模块、XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现最高吞吐量 可选功能：脱胶模块；热压粘合模块； 技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米最高 处理模块数

GEMINI Automated Production Wafer Bonding SystemGEMINI自动化生产晶圆键合系统 集成的模块化大批量生产系统，用于对准晶圆键合 GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现最高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和最大200毫米（300毫米）的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量增加，集成度高以及阳极，硅熔融，热压和共晶键合等多种键合工艺方法。 特征全自动集成平台，用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合底部，IR或SmartView对齐的配置选项多个粘接室晶圆处理系统与键卡盘处理系统分开带有交换模块的模块化设计结合了EVG精密对准仪和EVG500系列系统的所有优势与独立系统相比，占用空间最小可选的过程模块：LowTemp™ 等离子活化晶圆清洗外套模块紫外线粘合模块烘烤/冷却模块对齐验证模块 技术数据最大加热器尺寸：150、200、300毫米装载室5轴机器人最高 绑定模块：4；最高 预处理模块200毫米：4300毫米：6

EVG520 IS Wafer Bonding SystemEVG520IS晶圆键合系统 单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产 EVG520 IS单腔单元可半自动操作最大200 mm的晶圆，适用于小批量生产应用。 EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计，具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。 诸如独立的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。 特征全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站兼容EVG机械和光学对准器单室或双室自动化系统全自动的邦定工艺执行和邦定盖移动集成式冷却站可实现高产量选项：高真空能力（1E-6毫巴）可编程质量流量控制器集成冷却 技术数据：最大接触力：10、20、60、100 kN； 加热器尺寸150毫米200毫米最小基板尺寸单芯片100毫米真空：标准：1E-5 mbar； 可选：1E-6 mbar最高 温度（°C）：标准：550； 可选：650单芯片加工：是； 夹盘系统/对准系统150毫米加热器：EVG610，EVG620，EVG6200200毫米加热器：EVG6200，SmartViewNT

ComBondAutomated High-Vacuum Wafer Bonding SystemComBond自动化的高真空晶圆键合系统 高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键 EVG ComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求。 EVG ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到高端MEMS封装，高性能逻辑和“超越CMOS”器件。 EVG ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制。 EVG ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的粘合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成。 EVG ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温粘合，这种金属可以在周围环境中快速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的粘结界面以及出色的粘结强度。特征高真空，对齐，共价键合在高真空环境（510-8 mbar）中进行处理原位亚微米面对面对准精度高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除优异的表面性能导电结合室温过程多种材料组合，包括金属（铝）无应力粘结界面高粘结强度用于HVM和R＆D的模块化系统多达六个模块的灵活配置基板尺寸最大为200毫米完全自动化 技术数据真空度：处理：7E-8 mbar；处理：5E-8毫巴集群配置处理模块：最小 3，最大 6加载：手动，卡带，EFEM可选的过程模块：键合模块ComBond激活模块（CAM）烘烤模块真空对准模块（VAM）晶圆直径：高达200毫米；

GEMINI Automated Production Wafer Bonding SystemGEMINI自动化生产晶圆键合系统 集成的模块化大批量生产系统，用于对准晶圆键合 GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现最高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和最大200毫米（300毫米）的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量增加，集成度高以及阳极，硅熔融，热压和共晶键合等多种键合工艺方法。 特征全自动集成平台，用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合底部，IR或SmartView对齐的配置选项多个粘接室晶圆处理系统与键卡盘处理系统分开带有交换模块的模块化设计结合了EVG精密对准仪和EVG500系列系统的所有优势与独立系统相比，占用空间最小可选的过程模块：LowTemp™ 等离子活化晶圆清洗外套模块紫外线粘合模块烘烤/冷却模块对齐验证模块 技术数据最大加热器尺寸：150、200、300毫米装载室5轴机器人最高 绑定模块：4；最高 预处理模块200毫米：4300毫米：6

ACCμRA OPTOApplications• Laser diode, laser bar • VCSEL, photo diode• LED• Prisms, lenses, mirrors • Micro assembly • Flip-chip bonding, die bonding• Chip-to-chip, chip-to-substrate bonding Specifications• Accuracy* ±0.5 μm• Post-bond accuracy: +/- 1 μm • Range of force : 20 g to 1 kg• Temperature up to 400°C Independent heating for chip and substrate • High resolution vertical movement 74 mm, resolution 0.01μm Driven by brushless motor

EVG 850 LTAutomated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer BondingEVG850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™ 等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。 特征利用EVG的LowTemp™ 等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种融合/分子晶圆键合应用 ；生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）； 无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁； ； 机械平整或缺口对齐的预粘合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预粘接室对齐类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50 μm，θ：±0.1°结合力：最高5 N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）LowTemp™ 等离子激活模块2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量最高）通用质量流量控制器：最多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速最高可达到20.000 sccm真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹 配单元：清洁站；清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）； 腔室：由PP或PFA制成清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（最大）。 2％浓度（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成；旋转：最高3000 rpm（5 s）清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）； LowTemp™ 等离子活化室红外检查站 EVG850 Automated Production Bonding System for SOIEVG850 SOI的自动化生产粘合系统 自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用 技术数据SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产粘合系统，SOI粘合的所有基本步骤-从清洁和对准到预粘合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。 EVG850是唯一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。 特征生产系统可在高通量，高产量环境中运行； 自动盒带间或FOUP到FOUP操作无污染的背面处理； 超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对齐的预粘合； 先进的远程诊断技术数据 晶圆直径（基板尺寸）：100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作 预粘接室对齐类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50 μm，θ：±0.1°结合力：最高5 N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件） 清洁站清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（最大）。 2％浓度（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：最高3000 rpm（5 s）清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）； LowTemp™ 等离子活化室；

GEMINI FB Automated Production Wafer Bonding SystemGEMINIFB 自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔合 技术数据半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。 EVG的GEMINI FB XT集成熔合系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的SmartView NT3键合对准器，该键合对准器是专门为50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 特征新型SmartViewNT3面对面键合对准器，晶片对晶片对准精度低于50 nm多达六个预处理模块，例如：清洁模块、LowTemp™ 等离子激活模块、对齐验证模块、脱胶模块、XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现最高吞吐量 可选功能：脱胶模块；热压粘合模块； 技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米最高 处理模块数6 +SmartViewNT可选功能脱胶模块热压粘合模块BONDSCALE™ Automated Production Fusion Bonding SystemBONDSCALE™ 自动化生产熔合系统 启用3D集成以获得更多收益 技术数据EVG BONDSCALE旨在满足广泛的融合/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决国际设备和系统路线图（IRDS）中确定的“更多摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对齐技术，与现有的熔融粘合平台相比，BONDSCALE大大提高了晶圆粘合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。 BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动融合系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。 特征在单个平台上的200 mm和300 mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底 技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米；最高 数量或过程模块：8；通量：每小时最多40个晶圆处理系统4个装载口； 特征多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™ 等离子活化模块，对准验证模块和脱 胶模块XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现最高吞吐量光学边缘对齐模块：Xmax / Ymax = 18 μm 3σ

ACCμRA 100法国SET的键合压力控制在不同的范围内采用了不同的高精度压力传感器，确保了在不同的压力范围内，都能够得到非常好的压力控制精度。Applications• Laser diode, laser bar • VCSEL, photo diode• LED• Prisms, lenses, mirrors • Micro assembly • Flip-chip bonding, die bonding• Chip-to-chip, chip-to-substrate bondingSpecifications• Accuracy* ±0.5 μm• Post-bond accuracy: +/- 1 μm • Range of force :20 g to 100kg• Temperature up to 450°C Independent heating for chip and substrate • High resolution vertical movement 74 mm, resolution 0.05μm Driven by brushless motor

产品详情N-TEC全自动晶圆贴片压合机228-3FA 卖点。SECS / GEM 功能。适用单面 / 双面膜。全自动贴片压合 ( 可贴合晶圆 + 陶瓷盘 / 玻璃等材料 ) 机台优势。压合受力均匀。快速抽换膜料和更换废料滚动条。 作业方式步骤一：操作人员将 6 吋晶圆卡匣、晶圆载盘卡匣、及各膜料放置预定位置后开始作业。 步骤二：利用机械手臂，将 6 吋晶圆从卡匣取出，经中心对位及正反面判读后，再放置于晶圆吸附平台上。 步骤三：晶圆吸附平台移至胶膜贴合位，利用压轮及夹膜机构夹住胶膜并滚压移载台移动至切割位。 步骤四：切割刀下降至预定位置，旋转刀具切割膜料，切割完成后上升。 步骤五：移载台移至撕膜位，利用撕膜胶带将6吋晶圆上之离型膜黏起后，移载台移至真空压合位。 步骤六：机械手臂将晶圆载盘从卡匣取出，经中心对位及正反面判读后，再放置于上吸附盘。 步骤七：真空压合机构下降至预定位置，真空罩开始吸真空，到达预定真空值后开始进行 6 吋晶圆与晶圆载盘之贴合。 步骤八：完成贴合后，机械手臂再将成品取回，放置成品区卡匣，完成。《持续重复步骤二~步骤八。》 设备规格设备尺寸2800 mm × 1200 mm × 2500 mm ( Ｗ×Ｄ×Ｈ )设备重量2000 kg电源ＡＣ 220 V ∕ 50 A空气源5~8 Kgf/cm2 (12 ?Tube) 设备应用范围晶圆尺寸6″晶粒尺寸无雷切深度无贴合物尺寸8″ 机台特性： [RETURN]

韩国ATI 晶圆检查机WINDWafer inspection system ITEM Descriptions 视觉： 2D, 3D光学模块，实时自动对焦 检验测量项目： &bull 2D正常&锯切检查：裂纹、缺口、颗粒、划痕、图案缺陷、污染、NCF空洞、探针标记、残留等。 &bull 2D凹凸检查：排错、残留、压痕、丢失、划痕、异常(攻击)等。 &bull 2 d测量：圆片边缘修剪，切口(锯圆片)，凹凸直径 &bull 3 d测量：凹凸高度，翘曲，共面性，晶片厚度，BLT 应用程序： 200㎜& 300㎜晶片,300㎜& 400㎜环陷害晶片*自由转换 机架类型： 细钢丝，白色粉末涂层 加载端口： 圆片环形盒(8 "，12 ")，圆片盒(FOUP，开口盒) 晶片对齐：200㎜& 300㎜晶片,300㎜& 400㎜环帧定位 自动化： 秒/宝石300㎜,半E84, *合规标准 尺寸： 1900㎜x 1680㎜x 2100毫米,3.5吨 Vision： 2D, 3D Optic Module, Real-time Auto FocusInspection & Measurement Items： &bull 2D Normal & Sawing Inspection： Crack, Chipping, Particle, Scratch, Pattern Defect, Contamination, NCF Void, Probe Mark, Residue, etc. &bull 2D Bump Inspection： Misalign, Residue, Press, Missing, Scratch, abnormal(Attack), etc… &bull 2D Measurement： Wafer Edge Trim, Kerf(Sawing Wafer), Bump Diameter &bull 3D Measurement： Bump Height, Warpage, Coplanarity, Wafer Thickness, BLT Applications： 200㎜ & 300㎜ Wafer, 300㎜ & 400㎜ Ring Framed Wafer * Conversion FreeFrame type： HAIRLINE SUS STEEL, White Powdered coating Load Port： Wafer Ring Cassette(8’’, 12’’), Wafer Cassette(FOUP, Open Cassette)Wafer Alignment： 200㎜ & 300㎜ Wafer, 300㎜ & 400㎜ Ring Frame AlignmentAutomation： SECS/GEM 300㎜, SEMI E84, * Compliance most of standards Dimension： 1900㎜ x 1680㎜ x 2100mm, 3.5ton 晶片宏观检测 ? 利用双镜头系统实现高产能? 可检测切割完成后的芯片? 切缝检测? 利用从相邻的4个晶粒中提取出一个最佳晶粒，实现D2D高级算法? 内置验证检查模组? 自主研发的镜头，具有视野广，像素高的特点。? 采用实时自动对焦模组? 可选IR检测，裂缝及硅片内部碎片 - 裂纹检测 晶片变薄 & 切割领域检测 - 三维检测Bump

ComBondAutomated High-Vacuum Wafer Bonding SystemComBond自动化的高真空晶圆键合系统 高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键 EVG ComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求。 EVG ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到高端MEMS封装，高性能逻辑和“超越CMOS”器件。 EVG ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制。 EVG ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的粘合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成。 EVG ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温粘合，这种金属可以在周围环境中快速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的粘结界面以及出色的粘结强度。 特征高真空，对齐，共价键合在高真空环境（510-8 mbar）中进行处理原位亚微米面对面对准精度高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除优异的表面性能导电结合室温过程多种材料组合，包括金属（铝）无应力粘结界面高粘结强度用于HVM和R＆D的模块化系统多达六个模块的灵活配置基板尺寸最大为200毫米完全自动化 技术数据真空度：处理：7E-8 mbar；处理：5E-8毫巴集群配置处理模块：最小 3，最大 6加载：手动，卡带，EFEM可选的过程模块：键合模块ComBond激活模块（CAM）烘烤模块真空对准模块（VAM）晶圆直径：高达200毫米；

晶圆级衍射光波导光学检测系统皮米级周期计量 / 快速无损 / 形貌量测 Metrondie-SRG 晶圆级衍射光波导光学检测系统 是一款专为晶圆级光波导样品提供的专业光学检测系统，采用先进的角分辨光谱技术，配合强大的 AI 算法以及可溯源的标准物质，能够快速、准确获取一维、二维光栅的衍射效率及其形貌参数，为用户在衍射光栅的设计与加工过程中提供快速、无损的监控手段，不断提高产品生产良率。 Metrondie-SRG 晶圆级衍射光波导光学检测系统 典型应用领域： 光栅衍射效率测量 衍射效率是评价光栅性能的核心指标，需要系统具有同时测量角度和波长的能力。 光栅周期计量 周期作为衍射光波导的基本参数，影响着光在波导内部正确的传输与衍射，可溯源的方法是周期计量中的关键所在，需要具有复现和量值传递作用的标准物质作参考。 光栅形貌量测 高性能衍射光波导具有较为复杂的光栅形貌，对形貌无损快速的检测是晶圆批量制程中的核心诉求，需要系统具备多维度光学信号抓取能力并支持人工智能算法高效分析。 光栅取向测量 光波导中不同区域光栅的取向差异对成像至关重要，需要系统支持旋转角精确调节。 Metrondie-SRG 晶圆级衍射光波导光学检测系统 在以上领域的应用得益于如下几个特点： 1 角分辨光谱技术 得益于 -70°~70° 的广角量程与优于 0.02° 的角度精度，可准确捕捉 多级次 衍射强度随波长和角度的精确分布； 2 晶圆级测量 采用高兼容性样品台，有效覆盖 4~12 寸 晶圆的全面检测需求。同时，结合智能化软件，支持晶圆版图输入，实现了对衍射光波导晶圆的批量 mapping 检测； 3 人工智能算法 引入在线优化、深度学习和库搜索等前沿算法，将物理模型与多维光谱信息紧密融合，可实现 海量模型 的构建与优化，实时获取衍射光波导光栅的精确形貌参数； 4 高精度电动位移台 选用高精度 四轴电动 位移台，可实现 X, Y, Z 轴 微米级 空间定位精度，平面取向 θ 角 弧秒级 角度定位精度，支持衍射光波导全方位自动检测。Metrondie-SRG 光学量测示意图

8寸晶圆压膜机品牌：Powatec 型号：L-200 产地：瑞士 关键字：晶圆压膜机、8寸PPOWATEC L-200手动晶圆贴膜机主要用于将薄膜贴到晶圆上，对晶圆起保护作用以用于后续抛光，减薄，切割等半导体工艺，独特的设计允许一次性将粘性蓝膜或 UV 膜层压到晶圆上，集成的三个气动销可保证晶圆居中，一个除静电的真空吸盘用于吸附晶圆，在层贴膜过程可保证薄膜晶圆干净，配合使用橡胶辊，可保证无气泡，专用的切割装置可保证沿着晶圆边缘准确快速切割。主要特点：最大 8" 晶圆尺寸，兼容2"4"6"，材质不限工作台带有除静电功能胶带张力可调快速轻松地转换为各种晶圆和薄膜紧凑而坚固的桌子设计安装和启动时间短运营成本低UPH，胶带晶圆/小时高达 80 片符合IEC 204-1安全标准 选项：PTW保护胶带自动卷绕装置 ASB防静电棒AIB去静电器

手动晶圆扩膜机品牌：Powatec 型号：Manual 产地：瑞士 关键字：晶圆扩膜机、扩膜机、手动扩膜机POWATEC 扩展工具允许在切割后对箔进行扩展。较大直径的夹环放置在扩展工具的上部支架中。较小的夹环放置在扩展工具的底座上。在两个支架之间，将膜架上的切割晶片放置在基板上。然后将夹持环压在一起，从而使箔片膨胀。现在芯片之间更大的间隙使芯片键合机更容易从粘性箔中拾取芯片。 主要特点： Frame Carrier和握环尺寸可以自由组合 可以安装带箔的握环 紧凑而坚固的工具 安装和实施时间短 易于维护 生产率高达90次扩展/小时。选项： 手动压力机，魏德曼型

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

价格仅作为参考，我司配置有很多种，具体价格根据需求咨询在线客服或者拨打电话，谢谢！ 综合感知网 森林物候火险因子综合监测站综合运用物联网、智能微传感器和多源感知信息融合技术实现森林气象、物候和可燃物信息的探测采集，通过数据自动上报，为火险预警模型提供实时数据源，为指挥决策提供应用服务。监测站是集多维多源传感探测于一体的复合式感知探测设备，通过大面积布设无人值守的含水率传感器，气象因子传感器，配合物候探测传感器以及物联管理模块，实时采集多种森林火险因子，实现可燃物含水率的分析，为森林火险预警模型提供精准、多维、近实时的大数据来源。 森林可燃物全自动预警系统由智能传感器、传输控制器及安装附件组成。其中，智能传感器实现空气温度、空气湿度、环境光照度、风速、风向、降雨量、土壤含水率、地表凋落物含水率、物候等火险因子的立体多维感知。 当受环境限制，无公网环境是，北斗边缘计算融合网关可运用边缘计算技术和北斗短报文通信技术，实现无公网地区的AI边缘融合分析及结果上报。由边缘计算模块，网关模块以及卫星通信模块组成，可实现林内无信号地区监测的边缘分析与数据回传功能。技术参数设备名称技术要求 森林物候火险因子综合监测站可燃物含水率传感器 1.地表凋落物含水率传感器：测量范围：0~100%；测量精度：±5%（含水率≤35%时）；±10%（35%＜含水率≤100%）。凋落物种类：多种；2.地表可燃物物候状态传感器可观察分析地表可燃物状态与变化情况；按天进行数据上报；可根据用户需求下发指令进行信息采集；3.土壤含水率传感器：测量范围：0~50%Vol；测量精度：±5%。 4.地表温度传感器：分辨率：0.01℃；精度误差：±0.3℃；工作 范围：-40～125℃。 5.地表湿度传感器：分辨率：0.04%RH；精度误差：±2%RH；工作范围：0～100%RH。 6.一体化可靠设计：7.工作温度 -35℃～＋65℃ 。多要素气象传感器 1.温度 测量范围：-40-85℃ 分辨率：0.1℃ 准确度：±0.3℃ (@25℃，典型）；2.湿度 测量范围：0-100%RH 分辨率：0.1%RH±3%RH 准确度：(10-80%RH）无凝露时；3.气压 测量范围：300-1100hpa 分辨率：0.1hpa 准确度：≦±0.3hPa（@25℃，950hPa-1050hPa）；4.风速 测量范围：0-60m/s 分辨率：0.01m/s 准确度：3%5.风向 测量范围：0-360°分辨率：0.1±3°（风速 ＜10m/s时）；6.降雨量 测量范围：0-200mm/h 分辨率：0.2mm 准确度：10%；7.光照度 测量范围：0-200KLUX 分辨率：10LUX 准确度：3% 相关配件配套太阳能板：根据设备所需功率进行太阳能板配置；充电及电源管理设备：太阳能输入，可控设备供电；太阳能电池：可保证连续7日阴雨天气环境下供电；北斗边缘计算融合网关1、支持北斗3代短报文上报。2、支持AI物候边缘计算与分析。