晶圆键合机

仪器信息网晶圆键合机专题为您提供2024年最新晶圆键合机价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括晶圆键合机参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的晶圆键合机您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合晶圆键合机相关的耗材配件、试剂标物,还有晶圆键合机相关的最新资讯、资料,以及晶圆键合机相关的解决方案。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

晶圆键合机相关的厂商

  • 德州源合电气有限公司成立于2013年,是集科技研发、制造、销售、服务为一体的高新技术企业,专业致力于射频卡灌溉控制系统等自动化设备的技术研究及推广。科技力量雄厚,工艺精湛,服务完善,是农业节水灌溉领域成套系统及零部件产品的专业提供商。德州源合电气有限公司不断引进国际先进技术,先后成功研制了农业灌溉领域系列产品,YH系列室外型射频卡灌溉控制装置及室内型射频卡灌溉控制装置等现代化农业节水灌溉配套产品。 公司严格按照ISO9001国际质量管理体系进行现代化管理,各系列产品均已取得省级以上部门的检测报告及认证证书。德州源合电气有限公司以“诚信为本、自主创新、优化服务、合作共赢”为宗旨,愿与各界朋友进行多种形式的交流与合作,共同为建设我国农业水利现代化而努力!
    留言咨询
  • 中认国质(北京)检测技术研究院(机构代码:91110108351644860Q)并经工业和信息化部备案的公益性检验检测认证技术研究服务机构,承担检验检测机构资质认定和实验室认可科学研究、标准制定、技术培训、技术咨询、仪器销售、政策解读和国际交流等服务工作,是行业领先的检验认证综合技术服务机构,在管理体系认证、产品认证、检验检测机构资质认定、实验室认可、进出口商品检验鉴定、二方审核和培训领域具有丰富的经验,在全国32个省市、自治区、直辖市为全国近千家实验室认可机构、检验检测机构提供检验认证服务,帮助企业、机构、建立符合要求的管理体系,满足实验室的要求, 作为一家全国性、公益性检验检测认证、技术培训的服务机构,我院的服务获得了各行业评审组及各地质量技术监督部门的承认和认可,我院本着公平、公正、科学、严谨的态度全心全意为全国实验室认可机构、检验检测机构服务,努力成为国内一流的检验检测认证、技术培训的服务机构。
    留言咨询
  • 我公司销售BD全系列二手流式细胞仪、提供第三方实验服务、从细胞培养、组织处理、样本染色、流式检测、细胞分选、分析、PCR、核酸提取扩增、QPCR等一站式技术服务,欢迎垂询!
    留言咨询

晶圆键合机相关的仪器

  • 晶圆键合机 400-860-5168转2459
    英国AML 晶圆键合机 AML("Applied Microengineering Ltd")公司成立于1992年。公司坐落于英国牛津哈威尔科学园,主要从事原位晶圆键合设备生产,并在拥有数百亿英镑高端现代化设备的BONDCENTER的支撑下,为客户服务键合相关服务工作。公司生产的对准键合机是目前市场上唯一能够实现在同一设备上完成原位对准、激发、键合的设备,是MEMS,IC,和III-V键合工艺的最佳选择。在实现原位键合的同时,该设备也被用于压纹、印压、纳米 压印及其它图形转移技术。可用于科研,并具有适合批量生产的全自动设备。AML BONDCENTER为客户提供了制作键合基底,键合器件及3D集成和芯片级封装的最佳场所。 NEW ! IRIS-红外晶圆键合检测& Maszara键合强度设备 红外检测是一种快速、简单的无损检测方法。它可以检测键合后整片晶 圆的空洞、粘接不良或内部的颗粒。 可以对直径200mm的晶圆做出快速检测 ? 可检测的空洞最小高度是250nm ? 空洞横向最小尺寸600um。 IR检测整片键合完成的晶圆 ? 在25mm宽的基板上进行测试。可达检测200mm的晶圆。 ? 可使粘接强度的测量和分析更快速。 ? IRIS键合强度测量已经得到SEMI MS5-0813 “Micro Chevron Testing”标准的认证。 全新的IRIS桌上型分析设备 ? IRIS可以控制产品的失效。 ? 插入角度—可通过设计来固定和控制。 ? 边缘效应-IRIS测量整片晶圆。 自动的Maszara键合强度测试工具 ? 消除由于操作人员的技术和方法引起测量的不确定 性—IRIS提供可重复的刀片插入。 ? 应力腐蚀-IRIS可以以比应力腐蚀速度更快的速度移动叶 片, 从而消除了应力腐蚀造成的误差。 ? 兼容没有图形的晶圆—不像Chevron键合强度测试方法那 样,需要有特定图形的晶圆。 ? 消除操作人员的影响,MAszara测试提供多次的重复结果。 ? 操作更安全-不用人工操作。 ? 整片晶圆的键合强度的mapping图。 ? 测量键合强度可达2.5Jm-2。 ? 键合强度测量支持多种材料的组合,例如:硅、膨化 玻璃、蓝宝石、用户可以输入其它材料的弹性模数。 ? 分析软件可以连续记录晶圆的条状位置;通过自动图像分 析,提取裂缝长度。 全自动分析测量数据, 并生成键合强度的mapping AML键合机晶圆对准键合机,广泛应用于MEMS器件,晶圆级封装技术(WLP),先进真空封装基底,TSV 3D互联工艺等。 AML键合机具有独一无二的原位晶圆对准键合技术:? 激活、对准、键合一体机? 上下基板独立加热,适合Getter材料工艺? 低拥有成本 & 高生产能力? 智能作用力控制? 可靠的全自动对准功能,对准精度可达1微米? 最佳真空键合? 可键合的芯片及晶圆尺寸 为 2” 到 12”? 自动程序控制功能:适用于研发或生产等应用? 图像采集功能:用于识别背面对准标记? 键合前晶圆原位激活、化学表面处理功能? AML的BONDCENTER可为客户提供强大的工艺支持 新!(New!)基於真空的临时键合技术, 在3D IC 工艺中完美的应用,和粘附剂说再见吧! 节省工艺时间,提高生产效率,高性价比! - 无粘附剂的真空键合 - 键合时间 5 mins - 最高工艺温度 300oC - 解键合时间 10mins - 3D-IC 工艺最理想的选择 基板温度/键合力曲线图,上下基板可在键合过程中保持不同温度 Cu-Cu键合过程中在腔室内使用蚁酸气体对键合表面氧化物进行处理,处理后界面EDX谱图AML 真空晶圆载片- 最新临时键合解决方案,无需使用任何粘附剂 原位等离子体激活处理原位对准系统 FAB12 - 全自动晶圆对准键合机晶圆尺寸: 150mm & 200mm (或300mm)晶圆厚度: Max. stack height 6.5mm晶圆传输: 接触边缘 3mm 区域基础气压: 10-6mbar range抽气时间: 5 min (to 10-4mbar)最大键合力: 25kN卡盒数量: 2 or 3 (FOUP, SMIF or Open Cassette Load Ports)
    留言咨询
  • 晶圆键合机 400-860-5168转3827
    AFIXX 20m手动系统台式系统设计用于手动将单个基板临时粘合到刚性载体或其他载体上。适用于非常薄的易碎基材和柔性塑料材料。专为实验室开发的临时粘合技术。这是一个多功能系统,非常适合许多R&D应用程序。AFIXX 20m配备有加热板,可将载体或基材加热到200℃。特点:适用于圆形晶圆片或方形基片;基片尺寸:最大到直径200mm(直径8英寸)或150x150 mm(6 x6英寸),圆形晶圆片可选:直径300毫米(直径12英寸);带加热板,最高200℃;适用于非常薄的易碎晶圆(40 um)和柔性塑料材料;激光标记可准确对准晶圆和载体;手动调节水平;与硅,化合物和玻璃材料兼容;专为研发和小批量生产而设计;应用:将基材临时粘合到不同类型的载体上:基板上的基板玻璃载体上的基板蓝宝石载体上的基板陶瓷载体上的基材不同的粘合剂,例如:蜡>通过热处理激活粘合剂受温度和溶剂的影响,活化产品参数:基板尺寸:最大直径200mm(直径8英寸)或150x 150 mm(6 x 6英寸)设备外壳:PP材质工作台表面:微抛光不锈钢和阳极氧化铝材质电源:230(110)VAC / 1Phase/ N / PE / 50(60)Hz真空:-0.8 bar / -600 Torr,管外径8 mm,内径6 mm控制台:350x 350 x 372毫米(13.8 x 13.8x 14.6英寸)加热板模块:350x 411 x 207毫米(13.8 x 16.2x 8.2英寸)主营产品:Laurell匀胶机 Harrick等离子清洗机 Thetametrisis膜厚仪 Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机 Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板 Annealsys高温退火炉 Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统,湿站系统 Wabash/Carver自动压片机
    留言咨询
  • EVG805 半自动解键合机 键合剥离机 应用:薄晶圆临时键合解键合,将已经键合的材料从载板上剥离。应用于TSV,储存器,CMOS,功率器件等的加工过程。 一、简介EVG805是一种半自动系统,用于剥离临时键合和加工的晶圆堆叠,包括器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶。该工具支持热剥离或机械剥离。薄晶圆可以卸载在单个基板载体上,以便在工具之间安全可靠地转移。 二、特征 开放的黏合剂平台 解键合选项: 热滑脱剥离 脱黏剥离 机械玻璃 程序控制系统 实时监控和记录所有相关的过程参数 薄晶圆处理的独特功能 各种卡盘设计,可支持zui大300 mm的晶圆/基板和载体 高表面地貌晶圆处理 三、参数1.晶圆尺寸:zui大300mm2.配置:一个解键合模块3.备选:紫外光辅解键合;高表面地貌处理能力;不同尺寸晶圆的桥接能力技术/销售热线:邮箱:
    留言咨询

晶圆键合机相关的资讯

  • 合晶两岸同步扩建12英寸硅晶圆厂,有望于2025年底完成
    半导体硅晶圆大厂合晶7月3日宣布,响应地缘政治布局在两岸扩建的12英寸硅晶圆厂,可望在2025年底完成、2026年量产,迎接下波半导体荣景。合晶董事长焦平海受访时表示,合晶已走过半导体景气谷底,第二季度运营明显回升,虽然未呈现V型反转,却已重回上升轨道。耕耘中国大陆市场20多年的合晶,应地缘政治变化,去年同步在中国台湾彰化二林及河南郑州兴建12英寸晶圆厂,随着全球半导体区域布局陆续底定及进入量产阶段,硅晶圆下单量回升,去年下半年半导体修正期宣告结束。合晶总经理张宪元说,彰化二林厂将于2025年底完工,月产能20万片,主要供应包括台积电、联电、力积电和英飞凌、安森美、意法半导体等国际客户;郑州厂也预计2025年底至2026年完工,月产能20万片,主要供应大陆地区客户。焦平海表示,合晶为加强集团整体运作,配合今年2月上海合晶在中国大陆上市,公司将执行内部竞合分工策略,达成公司加速成长目标。 因应地缘政治,为接轨全球供应链,将朝市场差异化规划 产品技术差异化部分,会在既有8英寸及12英寸优势产品进行技术优化,提升产品质量和良率,降低成本,拉大与竞争者差距。合晶新产品技术资深处长徐文浩表示,合晶在化合物半导体也获得技术重大突破,将主攻应用最广的氮化镓磊晶领域,包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓等,并与策略伙伴共同开发氮化镓应用方案及特殊碳化硅基板技术,抢占新一代半导体新材料商机。此外,合晶转投资硅基氮化镓磊芯片和模组厂鸿镓科技,及瑞典碳化硅基氮化镓磊晶片厂SweGaN,卡位高频、高压电动车逆变器及电源管理芯片。焦平海强调表示,今年运营谷底已过,第二季度运营已明显季增,预期下半年可望稳定成长。
  • 半导体晶圆键合设备提供商,芯睿科技完成亿元A轮融资
    近期,苏州芯睿科技有限公司(以下简称“芯睿科技”)宣布完成亿元A轮融资,本轮融资由新微资本、金浦新潮投资、盛宇投资、中车时代投资、季华资本、文治资本等多家知名投资机构和产业资本共同参与完成。芯睿科技官微消息显示,本轮融资资金将主要用于开发大尺寸高精度晶圆键合设备。芯睿科技成立于2021年,专注于半导体晶圆键合设备研发、生产及销售,核心技术团队均有20年以上半导体设备开发经验。公司产品应用覆盖半导体各领域包括射频器件、功率器件、先进封装、光通讯等,工艺能力覆盖2-12英寸,产品已经服务于中芯集成、三安集成、卓胜微、长光华芯、中电科等客户。
  • 华海清科首台十二英寸超精密晶圆减薄机出货
    作为我国集成电路装备行业的核心企业之一,华海清科股份有限公司成功推出了具有自主知识产权的十二英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300,于9月27日发往某客户大生产线。这款设备能满足3D IC制造、先进封装等制程的超精密晶圆减薄工艺需求,可提供超精密磨削、抛光、后清洗等多种功能配置,具有高刚性、高精度、工艺开发灵活等优势,主要技术指标达到了国际先进水平,填补了集成电路3D IC制造及先进封装领域中超精密减薄技术的空白。Versatile-GP300采用的工艺很巧妙。团队在设计之初,创新性地将高效减薄和抛光工艺集成,既能实现超平整减薄与表面损伤控制,又兼顾高效率与综合性价比,更匹配3D IC晶圆减薄市场的迫切需求。在我国3D IC制造、先进封装等领域中,十二英寸高精度晶圆减薄机全部依赖进口。如今,华海清科的首台十二英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300已完成厂内测试,出机进入客户产线验证。这是华海清科又一产品在实现国产半导体装备自主可控道路上的重要突破。“念念不忘,必有回响”。华海清科团队在自主研发道路上,始终秉承着初心,一如既往地用精益求精的态度,不断追求技术突破,不断丰富产品系列,为加速推动集成电路国产设备替代进程、更好地服务社会贡献力量。

晶圆键合机相关的方案

晶圆键合机相关的资料

晶圆键合机相关的试剂

晶圆键合机相关的论坛

  • 溶剂混合对检测的影响

    流动相的配制与混合具有其特殊的意义和作用,混合不当都会对正常的检测造成不同程度的影响,下面几种情况都是色谱检测时经常遇到的,那么,您遇到下面的情况是怎么处理哒呢?下面的混合对检测会造成什么影响呢?欢迎各位版友提出您的建议和处理措施!=======================================================================~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1:流动相的配制方式不同对组分保留时间的影响 a:分别量取规定数量的溶剂和水,然后混合在一起。 b:先量取一定体积的溶剂,然后再加水稀释至规定的总体积。 c:先量取一定体积的水,然后再加入溶剂至规定的总体积。2:流动相比例阀混合温度的变化对检测的影响 a:甲醇与水的混合放出热量。 b:乙腈与水的混合吸收热量。3:流动相的泵前低压混合与流动相的泵后高压混合对检测的影响 a:四元泵低压泵前混合。 b:二元泵高压泵后混合。4:流动相溶剂与缓冲盐互溶性对检测的影响 a:高浓度的溶剂与缓冲盐梯度混合。 b:纯溶剂与水的梯度混合。

  • 6系圆铸锭铝合金的晶界侵蚀剂有哪些?

    6系圆铸锭铝合金的晶粒侵蚀后晶界显示不是很清晰,且不完整。我使用了不同比例的混合酸(氢氟酸、盐酸和硝酸)及氢氟酸侵蚀,都得不到理想的效果。我的侵蚀剂配比如下:1、2毫升氢氟酸+3毫升盐酸+5毫升硝酸+190毫升水;2、0.5毫升氢氟酸+99.5毫升水;3、5毫升盐酸+5毫升硝酸+10毫升氢氟酸+180毫升水。各位还有其他的侵蚀剂配比方式么?

晶圆键合机相关的耗材

  • 激光晶圆划片机配件
    激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机,它具有较小的尺寸,安装操作非常简单,比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜,可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片,太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位,并监控激光功率等参数,为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离,晶圆背向接触烧结(Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆,通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面,被称作发射极,当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前,边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米)。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割,并配备了一流的机械视图功能,可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。
  • 键合晶体
    我们提供世界上先进的键合晶体技术和优质的键合晶体。 我们采用独特的非粘合剂(光胶)的晶体粘结技术,基于晶体段边界的精密光学接触和扩散键合技术制造键合晶体,We use our own adhesive free bond technology based on precise optical contact of bonded surfaces and diffusion bonding across of solid state boundary of crystal segments.基于上述先进的技术,我们提供先进的键合晶体,这些键合晶体或复合晶体作为晶体微片,可用于微片激光(microchip laser)的制造和实验。我们设计制造YAG+ Nd:YAG键合晶体,YAG+Tm:YAG键合晶体,YAP+Tm:YAP键合晶体,YAG/Er:YAG键合晶体, YAG/Yb:YAG复合晶体,YAG/Yb:LuAG键合晶体等非掺杂段和掺杂段梯度键合的晶体微片.我们还提供被动Q开关V:YAG或Cr:YAG与上述增益激光材料键合的晶体微片。 We design predominantly diffusion bonded Nd:YAG, Tm:YAG, Er:YAG, Yb:YAG and Yb:LuAG rods consisting of undoped and doped segments with gradient doping. We also produce diffusion bonded gain material to passive Q-switch of V:YAG or Cr4+:YAG.Nd:YAG键合晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体和Nd:YAG晶体棒,由掺杂Nd:YAG晶体和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种 Nd:YAG键合晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效应,特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如:Nd:YAG复合晶体,5x(4+8)mm规 格,二极管轴向泵浦的效率超过29.5%。 微片激光器和晶体微片微片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的晶体微片融合了制冷的非掺杂部件,Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。镜片可以直接放在晶体正面,这种晶体微片结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。 这种键合晶体采用先进键合晶体技术,基于晶体段边界光学接触和扩散键合技术,是全球最佳的晶体微片和复合晶体.
  • 安捷伦化学电离(CI) 源_北京谱合生物科技有限公司
    化学电离(CI)源因为CI 源的操作压力远比EI 源高,故与EI 相比,需要更经常地清洗。只要出现与离子源污染相关的性能异常就应该清洗离子源。将分析性能作为您的指示。当清洗CI 源时,要特别注意CI 推斥极、离子源体和拉出极板。确保清洗离子源体和拉出极板上的0.5 mm 直径的孔。清洗该离子源的方法非常类似于清洗EI 离子源的方法。采用EI 的清洗操作步骤,以下内容除外:.CI 离子源可能看起来不脏,但是,化学电离留下的沉积物非常难以除去。彻底清洗CI 离子源.使用圆形木质牙签轻轻擦拭离子源体上的电子入口孔和拉出极板上的离子出口孔.不能使用卤代溶剂。最后一步清洗要使用己烷5977/5975/5973/7000 MSD 化学电离源部件(CI)项目 说明 部件号1 透境组配套螺丝G1999-200222 螺帽,镀金 G1999-200213 接口端密封件/弹簧G1999-604124 推斥极绝缘体 G1999-204335 透镜绝缘体 G3170-205406 拉出极柱体 G1999-204447 拉出极板G1999-204468 5977 CI 350 推斥极组件 G3170-604169 入口透镜组件 G3170-2012610 离子源体G1999-2043011 离子聚焦透镜 G1999-2044312推斥极G1999-2043213 灯丝组件(CI),2/包 G7005-6007214 垫圈,SPR CRVD,内径1.6 至1.8 mm,外径4 mm,不锈钢 3050-1375
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制