静压控制器

半导体元器件控温设备中，每个配件都有着不同的作用，由于作用不同，无锡冠亚的半导体元器件控温的阀件和控制器的作用也是不同的。　　半导体元器件控温的水泵，是用于加速水流动的工具，以达到加强水在换热器中换热的效果。半导体元器件控温的水流开关用作管道内流体流量的控制或断流保护，当流体流量到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的压力控制器用作压力控制和压力保护之用，机组有低压和高压控制器，用来控制系统的压力的工作范围，当系统压力到调定值时，开关自动切断（或接通）电路。　　半导体元器件控温的压差控制器用作压力差的控制，当压力差到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的温度控制器用作机组的控制或保护，当温度到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。在我们的产品上，温度的控制常用到，用水箱温度来控制机组的开停机情况。还有些象防冻都需要用到温度控制器。　　半导体元器件控温视液镜用于指示制冷装置中液体管路的制冷剂的状况、制冷剂中的含水量、回油管路中来自油分离器的润滑油的流动状况，有的视液镜带有一指示器，它通过改变其颜色来指出制冷剂中的含水量。（绿色表示干燥，黄色表示潮湿）。因温度变化而引起水的体积变化，膨胀水箱用来贮存这部分膨胀水，对系统起稳压定压的作用，能给系统补偿部分水。　　半导体元器件控温是一项比较新的设备，性能上面要求高一点才能使得半导体元器件控温的运行更加稳定。

目前，我看到Alicat Scientific公司的体积流量控制器是一个差压式流量计＋比例阀来实现流量控制，我们知道，对于色谱柱最终目的是得到我们要的流量，按我的理解，体积流量控制器应该是可以得到与EPC同样的效果的，请各位大虾指教！以下是Alicat Scientific公司的体积流量控制器介绍：ALICAT气体质量流量控制器和体积流量控制器采用一个比例调节阀与流量计相连，用户可以通过内置的PID控制软件来定位阀门位置以设定所需流量值。气体体积流量控制器仅用来设定和测量气体的体积流量，而气体质量流量控制器可以设定和测量气体的质量流量、体积流量和绝对压力，同时可以测量气体的温度。ALICAT气体质量流量控制器内置气体密度变化的补偿功能。标准结构的流量控制器比例调节阀在上游，但用户可选阀门在下游且无需付费，所有的标准产品具有动态显示屏。同时为了节省用户的时间，ALICAT工程师为用户提供了“配件和可选项”以及“ALICAT用户定制特殊功能”，请详见后面说明。

在如今的许多应用中，要求的额定输入电压超过许多现有DC/DC控制器的VIN最大额定值。对此，传统的解决办法包括使用昂贵的前端保护或实现低端栅极驱动器件。这意味着采用隔离拓扑，如反激式转换器。隔离拓扑通常需要自定义磁性，且与非隔离方法相比，设计复杂性和成本也有所增加。存在着另一种解决方案，可以通过使用VIN max（最大输入电压）小于系统输入电压的简易降压控制器来解决问题。这是如何实现的呢？降压控制器通常来源于参考电位（0V）的偏置电源（图1a）。偏置电源来自输入电压；因此，器件需要承受全部的VIN电位。然而，因为开通P通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）所需的栅极驱动电压在VGS低于VIN，P通道降压控制器具有参考VIN（图1b）的栅极驱动电源。关闭P通道MOSFET则仅需简单地将栅极电压变为VIN（0V VGS）（图2）。[align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105529_59985.png[/img][/align][align=center]图1：N通道(a)的VCC偏置生成；和P通道控制器(b)[/align][align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105553_80655.png[/img][/align][align=center]图2：P通道控制器的栅极驱动[/align]非同步P通道控制器导出其偏置电源以驱动P通道栅极，可带来巨大的效益，并且可能实现提供悬浮在0V电位以上的虚拟接地。对于N通道高侧MOSFET，电压来自接地的参考电源。这是使用升压电容器和二极管泵送的电荷，以提供高于VIN源极电位的栅极电压。使用P通道高侧MOSFET可以显著简化该问题。要打开P通道MOSFET，栅极电位需要低于VIN的源极电位。因此，电源仅参考VIN，而非上面提到的VIN和接地。[b]悬浮接地[/b]如何为控制器创建悬浮接地？这很简单，通过使用射极跟随器即可实现。图3所示为这种方案的基本实践。PNP发射极的电位为Vbe（~0.7V），低于齐纳二极管电压电位（Vz）。实质上，您可以将控制器浮动到VIN，并调节控制器的参考值，以限制VIN与器件接地之间的电压。[align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105709_72732.png[/img][/align][align=center]图3：使用简易射极跟踪器方案创建虚拟接地[/align][b]输出电压转换[/b]这里有一项挑战需要克服。由于控制器位于虚拟接地（Vz-Vbe），并产生参考接地（0V）电位的降压输出电压，因此如何才能将输出电压信号转换为位于虚拟接地上方的反馈电压（通常介于0.8V和1.25V之间）？图4说明了具体的挑战。[align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105725_81936.png[/img][/align][align=center]图4：展示VOUT（参考0V接地）与控制器的反馈电压（参考虚拟接地）之间电压电位差的示意图[/align]要关闭环路，您可以使用一对配对晶体管以实践图5所示的电路。一匹配对将反馈信号发送至VIN；另一匹配对产生从VIN到虚拟接地之上电位的电流。[align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105739_91524.png[/img][/align][align=center]图5：非同步控制器和使用配对晶体管的馈电实践的高级原理图[/align][b]输出电压调节[/b]当瞬态电压显著高于LM5085的绝对最大值时，适合应用这一想法。LM5085是一个恒定导通时间（COT）控制器；因此，其导通时间（Ton）与VIN成反比。然而，当将VIN钳位到LM5085时，Ton将不再随着VIN（至功率级）的增加而调整，因为器件将具有由齐纳二极管设置的固定电压，而VIN（至功率级）将不断增大。这将导致频率下降，因为功率级输入电压的增加值超过LM5085的钳位电压；因此调节电压可能会稍微开始增加。因此，为确保以Type 1 纹波注入标准规定纹波注入电压的大小。最终，确保纹波被制定在可接受的范围内，以维持稳定性及最小化当纹波增加时的输出误差。[b]示例原理图[/b]图6所示为绝对最大VIN额定值为150V的48V电源的示意图。示例可以在3A条件下提供12VOUT。[align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105754_43661.png[/img][/align][align=center]图6：使用LM5085在3A设计时为24V至150VIN（最大）/ 12VOUT[/align]图7所示为从原型电路板获得的效率图，图中两大参数为效率（%）和负载电流（A）。[align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105807_58183.png[/img][/align][align=center]图7：不同输入电压下效率（%）与负载电流（A）的关系[/align]图8所示为150VIN时的开关节点电压和电感纹波电流。[align=center][img]https://www.yishangm.com/upload/image/20180427/20180427105818_20270.png[/img][/align][align=center]图8：通道1开关节点电压，通道4电感纹波电流[/align][b]结论[/b]在系统输入电压高于器件最大输入电压额定值的应用中使用P通道非同步降压控制器。该应用的优点在于使用成本较低的控制器，且最大程度地减少了组件数量。