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离子蚀刻机

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离子蚀刻机相关的论坛

  • 蚀刻废液中的COD含量会很高吗?

    昨天实验室接到了一个分析化学需氧量项目的蚀刻废液样品,在分析过程发现增大了掩蔽剂的量还是会有大量的氯离子产生,最后只能加大稀释倍数来做,稀释了100倍分析,分析结果出来后达到了3500mg/L左右的化学需氧量浓度,请问各路高手此浓度对于蚀刻废液来说正常吗?谢谢。

  • 【原创大赛】氟试剂分光光度法测定线路板蚀刻材料中的氟化物

    电子线路板在蚀刻过程中,如果使用的材料含氟将造成蚀刻槽内蚀刻液循环系统防腐钛金属腐蚀。如喷嘴固定钛螺栓腐蚀脱落,除了影响喷淋效果外,还会因脱落后跌落卡住传动系统,更严重的是会使蚀刻槽底的钛加热套管穿孔,造成更重大损失。另外氟化物还可能附于成品板上,严重时会使已经生产的成品报废(客户退货)。因而对线路板及蚀刻材料氟化物的控制已经是原材料供应商和线路板生产厂家必须进行的工作。“钛在现场的耐腐蚀性往往比实验室确定的更好些。因为大多数介质中的自然污染会提高钛的耐蚀性,这一点与流程工业中所使用的其他材料迥然不同。溶解在硝酸中的硅和包括四价钛离子在内的腐蚀产物对钛都有缓蚀作用。与不锈钢和锆不同,氯化物和溴化物离子对钛腐蚀的影响不大。但一般来说,氟化物离子应低于50ppm。”(《钛在能源与工业中的应用》)。所以在含卤素离子的溶液中,氟含量不超过50ppm都是安全的。所以,我们选用氟离子的测定方法时,测量精度只需要考虑测定误差在±1ppm就完全达到控制要求。线路板酸性蚀刻液的成分含有工业盐酸,而工业盐酸因产地水质的原因可能含氟,如何控制含氟盐酸进入线路板酸性蚀刻液则需要来料检验严格把关。本文为本人在工业盐酸质量控制管理中测定氟化物的一点心得,与大家共同探讨商榷。

  • [求助]请问: 酸性氯化铜蚀刻废液里含有那些元素?

    请问一下:线路板覆铜箔蚀刻工艺中产生的酸性蚀刻废液里都含有那些物质?除了2价铜,有没有1价亚铜离子?具体有那些物质,有没有具体的百分含量数据?另外,酸性蚀刻的机理是什么?我查了一点,但是不是很明白。多谢了!!

  • 蚀刻洗涤液比重检测仪说明书

    [b][url=http://www.f-lab.cn/liquid-densimeters/twd-ew.html]蚀刻洗涤液比重检测仪[/url]TWD-EW-ONLINE[/b]专业为溶液密度在线测定设计的在线比重密度[b]分析仪器[/b],广泛用于三氯化铁、氯化铜蚀刻、碳酸钠水溶液、盐酸与过氧化氢混合液、氢氧化钠溶液洗涤槽及溶液密度、其他工业过程中的浓度控制。[b]蚀刻洗涤液比重检测仪TWD-EW-ONLINE[/b]参照GB/T611、T2423、T22230、T5009、ISO6353、758标准,采用流体静力学浮力法,利用流体动力学伯努利原理在线监测蚀刻和洗涤液的比重变化,然后采用拉格朗日插值法,获取在线监测蚀刻和洗涤液的动态数据。可以转换铀浓度。缓冲装置TP-30采用特殊设计,完全符合流体静力学原理,测试数据更准确。[img=蚀刻洗涤液比重检测仪]http://www.f-lab.cn/Upload/TWD-XX-ONLINE.jpg[/img][b]蚀刻洗涤液比重检测仪TWD-EW-ONLINE特点[/b]●碳酸钠水溶液可以去除不受膜表面光线影响的区域发展。●盐酸和过氧化氢的混合溶液可以去除未覆盖的铜箔腐蚀。●氢氧化钠溶液是一种强电解质,能去除干膜光刻胶。●在印刷电路中,腐蚀速率的降低与溶液比重和氯化铵含量有关。●在蚀刻液中,如果氯离子浓度过高,会导致印刷电路中的金属防腐层腐蚀。●在蚀刻液中,如果氯离子含量太低,会导致铜表面发黑,并固定蚀刻。[b]蚀刻洗涤液比重检测仪TWD-EW-ONLINE[/b]功能:●本体置于操作方便的平台上,本体设有取样罐。●试验液进出取样罐的进出孔,根据取样罐中传感器球的浮力变化,自动显示液体比重。只需连续动作,即可完成蚀刻清洗液的比重测量和监测,并可转换显示在线蚀刻清洗液C%的动态数据。更多液体比重计:[url]http://www.f-lab.cn/liquid-densimeters.html[/url][b][/b]

  • 制样蚀刻

    不知道蚀刻的作用是什么?主要是处于什么观察目的??

  • 金属电化学蚀刻入手

    在材料领域工作多年,刚进入电化学领域,在这个圈内还是新人,想从金属电化学蚀刻开始入手,但我的基础有限,又找不到这方面的书籍.希望各位大哥大姐给指点指点!

  • 【求助】各位有没有了解冷冻蚀刻技术的?

    近期学院里有位老师看文献里用到了冷冻蚀刻技术,或者叫冷冻复型技术。原理是这样的,由于要分析的样品是原油里面的沥青成分,常温下是固体,但是都是些高沸点大分子的物质,在高温下有可能会融化,不能直接到TEM里面做,所以先把一点沥青放到冷冻蚀刻机的样品室内,然后液氮冻住,在以45度角往上面喷一层Pt或者C的颗粒,叫做投影,然后再垂直喷一层C膜。最后把样品取下来,把沥青用溶剂溶解掉,剩下的那层碳膜做TEM分析,可以得到沥青表面颗粒分布的复型图像。原理罗嗦了半天,估计各位有搞生命科学或者医学的朋友早就看明白了,这个方法好像需要专用的冷冻复型机器,不知道各位有没有用过的或者了解的,方便的话提供一下品牌、价位,或者哪位可以做合作分析的,提供个联系方式给我,谢谢了。我的邮箱:jeffrylee@126.com

  • 冷冻蚀刻技术相关

    各位老师,你们好!我想了解一下做冷冻蚀刻的相关的东西。文献中基本介绍的方法,具体用的仪器和过程都没有涉及。哪位老师做这方面的研究,还请赐教!

  • 戴安应用文献之-AN119半导体刻蚀酸中阴离子型氟化物表面活性剂的测定

    特殊行业应用实例: 全氟化表面活性剂在半导体酸蚀刻溶液中起润湿剂的作用。酸蚀刻剂能够在二氧化硅材质上雕刻出细的划痕。在半导体的制作中,如果酸蚀刻剂的润湿性不好可能有气泡生成,这些气泡会附着在刻蚀表面,影响信号。可以通过增加少量的表面活性剂减少气泡的形成,从而提高溶液的润湿性。下载链接:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100244/paperDetail.asp?ID=12249

  • 标题:超低温试验箱时刻准备着!

    标题:超低温试验箱时刻准备着! 编辑:北京雅士林夏季正悄悄来临,一切东西的温度开始持续上升。太阳也不似冬日暖阳,即使天气在不断升温,但超[b]低温试验箱[/b]时刻都在准备着!1、采用的是进口压缩机全封闭式复迭式压缩机制冷方式。2、拥有强力送风循环多翼式风机。3、具有聚氨酯硬质发泡、超细玻璃纤维棉双层保温系统。4、双层密封耐高温橡胶门封条。对于即将来临的高温,大家要准备好防晒哦!雅士林人和低温试验箱时刻准备着您的光临。

  • 当“精英阶层”时刻准备“跳船”

    作者:郭松民文章来源:博客网  无意当中在新华网上看到一份“已经取得外国国籍的明星名单”,觉得分外震惊——原来这些整天活跃在中国的荧屏、银幕、舞台上,逗我们开心也赚我们银子的明星们,大部分早已不再是中华人民共和国的公民了!他们有的是大不列颠女王陛下的子民,如“皇阿玛”张铁林;有的是山姆大叔的子民,如第五代导演陈凯歌;最不济的胡兵,手里也还握有一本泰国护照……   进一步了解之后,我发现原来先入籍国外再回到国内来“捞世界”,并不仅仅是演艺界独有的现象,而是政、商、学界一个相当普遍的现象。网上流传着好几种版本的名单,各界名人应有尽有,从来不见有人出来辟谣,可见并非是空穴来风。而在一些东窗事发的高官的保险柜里,发现一国乃至几国的护照,也已经不算什么耸人听闻的新闻了。  现在是一个强调自由的时代,一个人愿意选择哪国国籍,应该说那是他个人的自由,别人无庸置喙。但如果一个国家的精英阶层,普遍地怀揣一本外国护照,或者渴望能够揣上一本外国护照,那就是一个严重的问题了。因为这意味着:掌握着这个国家的政治、经济和文化权力的精英们,在内心深处却并不认同这个国家,更不打算与她患难与共!   精英们时刻准备“跳船”——这个判断让我一想起来就感到惊怵和不安。你能想象当泰坦尼克号撞上了冰山后,船长和船员率先跳上舢板逃走,船上会是一种什么样的情景吗?  精英们“跳船”心理严重,必然会导致他们行为的短期化。因为对他们来说,既然自己可以随时脚底抹油,那么任何着眼于长远的安排都是没有必要的。最典型的例子莫过于不久前刚刚发生的福建闽林集团总裁林凤良卷款外逃事件,他用“高息”为诱饵,从民众那里“借贷”了十几亿元,然后一走了之。无疑,他在玩这场游戏的时候,一开始就知道必然会有这么一天,而他在这一天之前的全部活动,也无非是在为这一天做准备罢了——这一天是他的节日。  理解了精英们的这种心理,我们也就理解了,为什么当中国的贫富差距已经到了一个非常严重的程度的时候,还会有学者强调最大的危险是“平均主义”?为什么当许多地方的生态已经接近崩溃的时候,还会有官员认为GDP的增长才是最重要的?为什么会有富人敢于无情地嘲笑穷人“成为房奴活该”?等等。我相信他们也象林凤良一样,早已预见到这样做的结果必然会导致“沉船”,我怀疑他们甚至是渴望“沉船”的。因为船沉之日,就是他们获得“自由”之时——就象林凤良那样,他们终于不用再继续伪装了,终于不用担心时刻可能被人戳穿了,终于可以大大方方地享用“自己的”财富了。  精英们时刻准备“跳船”,那么没有能力和机会“跳船”的普通民众应该怎么办?  我觉得这个问题非常重要,必须予以严肃的考虑。如果不然,那么我们就很有可能在某一个早晨醒来,发现自己陷入了和那些借贷给林凤良的人一样的命运,那时才哭天不灵,叫地不应呢!   具体到今日中国的现实,普通的社会公众究竟应该关心什么问题呢?在我看来,就是大家都要关心中华民族的长远利益!丢掉对那些准备“跳船”的精英们的幻想,把中国崛起的责任,抗在自己的肩上。  这样说似乎还是比较抽象,我举个例子:假如一个大学生找不到工作,如果他仅仅是自怨自艾,或者仅仅想到再考几张资格证书,那我就要说,他还是存有太多的幻想,在政治上也是不成熟的。但如果他意识到,大学生的失业问题,其实是和国家的贸易政策、教育政策以及中国在全球国际分工中的地位是密切相关的!他开始关心这些问题,并积极参加相关的公共政策的讨论,那我就要说,他开始表现出“政治能力”了。我们不难设想,如果人人都能这样关心公共政策,那么,那些已经做好“跳船”准备的精英们,也就很难再把自己短期利益冒充成国家民族的长远利益了。  如果不同阶层,不同处境的社会公众,都从自己特殊的角度来思考和关心中华民族的长远利益的话,那会出现一种什么状况呢?我记得德国哲学家海德格尔有一句很有名的话,他说:人所面对的基本问题只有一个,而且仅仅一个。他的著名女弟子汉娜.阿伦特对这句话作了经典的补充,她说:当不同的人们从其不同的角度,关怀同一个问题的时候,理性就出现了,政治就出现了,用马克斯.韦伯的话说,就是这个民族在政治上就“成熟”了。  精英们正是看到了危险,所以他们才时刻准备“跳船”,但人民却只能和这条“中国号”巨轮患难与共,所以人民就必须在政治上“成熟”,也只能“成熟”!

  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • 休闲时刻 1

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  • 休闲时刻 22

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  • 休闲时刻 20

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  • 休闲时刻 19

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  • 休闲时刻 10

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  • 休闲时刻 13

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