半导体晶片霍尔效应测试仪

半导体晶片温度控制是目前针对半导体行业所推出的控温设备，无锡冠亚半导体晶片温度控制采用全密闭循环系统进行制冷加热，制冷加热的温度不同，型号也是不同，同时，在选择的时候，也需要注意制冷原理。　　半导体晶片温度控制制冷系统运行中是使用某种工质的状态转变，从较低温度的热源汲取必需的热量Q0，通过一个消费功W的积蓄过程，向较热带度的热源发出热量Qk。在这一过程中，由能量守恒取 Qk=Q0 + W。为了实现半导体晶片温度控制能量迁移，之初强制有使制冷剂能达到比低温环境介质更低的温度的过程，并连续不断地从被冷却物体汲取热量，在制冷技巧的界线内，实现这一过程有下述几种根基步骤:相变制冷:使用液体在低温下的蒸发过程或固体在低温下的消溶或升华过程向被冷却物体汲取热量。平常空调器都是这种制冷步骤。气体膨胀制冷:高压气体经绝热膨胀后可达到较低的温度，令低压气体复热可以制冷。气体涡流制冷:高压气体通过涡流管膨胀后可以分别为热、冷两股气流，使用凉气流的复热过程可以制冷。热电制冷:令直流电通过半导体热电堆，可以在一端发生冷效应，在另一端发生热效应。　　半导体晶片温度控制在运行过程中，高温时没有导热介质蒸发出来，而且不需要加压的情况下就可以实现-80～190度、-70～220度、-88～170度、-55～250度、-30～300度连续控温。半导体晶片温度控制的原理和功能对使用人员来说有诸多优势： 因为只有膨胀腔体内的导热介质才和空气中的氧气接触（而且膨胀箱的温度在常温到60度之间），可以达到降低导热介质被氧化和吸收空气中水分的风险。　　半导体晶片温度控制中制冷原理上如上所示，用户在操作半导体晶片温度控制的时候，需要注意其制冷的原理，在了解之后更好的运行半导体晶片温度控制。

样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3样品薄膜厚度: 60 - 100 nm样品尺寸: 10 * 10 mm实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻 实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS [url=http://www.hakuto-vacuum.cn/product-list.php?sid=131][color=#0000ff]霍尔效应测试仪[/color][/url]测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla[color=#ff0000]* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.[/color][b][color=#000000]样品 ITO1 测试结果:[/color][color=#000000]I-V 测量结果[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-nano.jpg[/img][/color][/b][color=#000000][b]VdP 测量结果[/b][/color][color=#000000] 测量头类型: RT Head 磁场: 9677G 厚度: 80nm[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-vdp.jpg[/img][/color][b]部分测试结论:[/b]1. 得到的电阻值彼此相容.2. 所有的IV 曲线都是线性的3. 所有样本都是欧姆的,统一的,均匀的.4. Van der Pauw 测试为了保证准确性, 测试了2次, 测试结果是相同的. ...[color=#ff0000]* 鉴于信息保密, 更详细的霍尔效应测试案例欢迎联络上海伯东[/color]

本单位欲购买双电测四探针测试仪器和霍尔效应仪器，做科研用。谁能提供一些厂家和型号?谢谢。

美妙之处或可加速推进信息技术进步的进程 新华社北京3月15日电 （记者李江涛）由清华大学薛其坤院士领衔，清华大学、中科院物理所和斯坦福大学研究人员联合组成的团队在量子反常霍尔效应研究中取得重大突破，他们从实验中首次观测到量子反常霍尔效应，这是我国科学家从实验中独立观测到的一个重要物理现象，也是物理学领域基础研究的一项重要科学发现。 该成果于北京时间3月15日凌晨在美国《科学》杂志在线发表。 据介绍，美国科学家霍尔分别于1879年和1880年发现霍尔效应和反常霍尔效应。在一个通有电流的导体中，如果施加一个垂直于电流方向的磁场，由于洛伦兹力的作用，电子的运动轨迹将产生偏转，从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压，这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。而在磁性材料中不加外磁场也可以观测到霍尔效应，这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应。反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的，因此是一类新的重要物理效应。 量子霍尔效应之所以如此重要，一方面是由于它们体现了二维电子系统在低温强磁场的极端条件下的奇妙量子行为，另一方面这些效应可能在未来电子器件中发挥特殊的作用，可用于制备低能耗的高速电子器件。 例如，如果把量子霍尔效应引入计算机芯片，将会克服电脑的发热和能量耗散问题。然而由于量子霍尔效应的产生需要非常强的磁场，因此至今为止它还没有特别大的实用价值，因为要产生所需的磁场不但价格昂贵，而且其体积庞大（衣柜大小），也不适合于个人电脑和便携式计算机。 据了解，量子反常霍尔效应的美妙之处是不需要任何外加磁场，因此，这项研究成果将会推动新一代的低能耗晶体管和电子学器件的发展，可能加速推进信息技术进步的进程。

[b]职位名称：[/b]销售经理[b]职位描述/要求：[/b]- 物理、化学、电子、材料或相关专业，本科以上学历；- 3年以上相关分析仪器行业销售经验；- 熟练操作办公软件；- 具有一定英语读写能力；- 敬业、勤奋，沟通能力强，学习能力强，有挑战精神；- 能根据工作需要经常出差，能够适应较高的工作业绩压力；[b]公司介绍：[/b] 上海载德半导体技术有限公司是专业的半导体材料、器件的仪器设备供应商，上海载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业等单位。上海载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括： - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System)； - 快速退火炉(RTP)； - 探...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/68276]查看全部[/url]

我国科学家首次发现“量子反常霍尔效应”这一科研成果离诺贝尔物理奖有多近2013年04月11日 来源： 中国科技网 作者： 林莉君 李大庆 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130410/051365597244421_change_wtt3427_b.jpg量子反常霍尔效应的示意图，拓扑非平庸的能带结构产生具有手征性的边缘态，从而导致量子反常霍尔效应 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130410/051365597244437_change_wtt3428_b.jpg理论计算得到的磁性拓扑绝缘体多层膜的能带结构和相应的霍尔电导 “这个研究成果是从中国实验室里，第一次发表出来了诺贝尔物理奖级别的论文，这不仅是清华大学、中科院的喜事，也是整个国家发展中喜事。”4月10日，诺贝尔物理奖得主、清华大学高等研究院名誉院长杨振宁教授高度评价了我国科学家的重大发现——量子反常霍尔效应。 由清华大学薛其坤院士领衔、清华大学物理系和中科院物理研究所组成的实验团队从实验上首次观测到量子反常霍尔效应。美国《科学》杂志于3月14日在线发表这一研究成果。由于此前和量子霍尔效应有关的科研成果已经3获诺贝尔奖，学术界很多人士对这项“可能是量子霍尔效应家族最后一个重要成员”的研究给予了极高的关注和期望。那么什么是量子反常霍尔效应？对它的研究为什么引起世界各国科学家的兴趣？它的发现有什么重大意义？ 重要性 突破摩尔定律瓶颈 加速推动信息技术革命进程 在认识量子反常霍尔效应之前，让我们先来了解一下量子霍尔效应。量子霍尔效应，于1980年被德国科学家发现，是整个凝聚态物理领域中重要、最基本的量子效应之一。它的应用前景非常广泛。 薛其坤院士举了个简单的例子：我们使用计算机的时候，会遇到计算机发热、能量损耗、速度变慢等问题。这是因为常态下芯片中的电子运动没有特定的轨道、相互碰撞从而发生能量损耗。而量子霍尔效应则可以对电子的运动制定一个规则，让它们在各自的跑道上“一往无前”地前进。“这就好比一辆高级跑车，常态下是在拥挤的农贸市场上前进，而在量子霍尔效应下，则可以在‘各行其道、互不干扰’的高速路上前进。”薛其坤打了个形象的比喻。 然而，量子霍尔效应的产生需要非常强的磁场，“相当于外加10个计算机大的磁铁，这不但体积庞大，而且价格昂贵，不适合个人电脑和便携式计算机。”薛其坤说，而量子反常霍尔效应的美妙之处是不需要任何外加磁场，在零磁场中就可以实现量子霍尔态，更容易应用到人们日常所需的电子器件中。 自1988年开始，就不断有理论物理学家提出各种方案，然而在实验上没有取得任何进展。2006年, 美国斯坦福大学张首晟教授领导的理论组成功地预言了二维拓扑绝缘体中的量子自旋霍尔效应，并于2008年指出了在磁性掺杂的拓扑绝缘体中实现量子反常霍尔效应的新方向。2010年，我国理论物理学家方忠、戴希等与张首晟教授合作，提出磁性掺杂的三维拓扑绝缘体有可能是实现量子化反常霍尔效应的最佳体系。这个方案引起了国际学术界的广泛关注。德国、美国、日本等有多个世界一流的研究组沿着这个思路在实验上寻找量子反常霍尔效应，但一直没有取得突破。 薛其坤团队经过近4年的研究，生长测量了1000多个样品。最终，他们利用分子束外延方法，生长出了高质量的Cr掺杂（Bi，Sb）2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜，并在极低温输运测量装置上成功观测到了量子反常霍尔效应。 “量子反常霍尔效应可在未来解决摩尔定律瓶颈问题，它发现或将带来下一次信息技术革命，我国科学家为国家争夺了这场信息革命中的战略制高点。”拓扑绝缘体领域的开创者之一、清华大学“千人计划”张首晟教授说。 创新性 让实验材料同时具备“速度、高度和灵巧度” 从美国物理学家霍尔丹于1988年提出可能存在不需要外磁场的量子霍尔效应，到我国科学家为这一预言画上完美句号，中间经过了20多年。课题组成员、中科院物理所副研究员何珂告诉记者：“量子反常霍尔效应实现非常困难，需要精准的材料设计、制备与调控。尽管多年来各国科学家提出几种不同的实现途径，但所需的材料和结构非常难以制备，因此在实验上进展缓慢。” “这就如同要求一个运动员同时具有刘翔的速度、姚明的高度和郭晶晶的灵巧度。在实际的材料中实现以上任何一点都具有相当大的难度，而要同时满足这三点对实验物理学家来讲是一个巨大的挑战。”课题组成员、清华大学王亚愚教授这样描述实验对材料要求的苛刻程度。 实验中，材料必须具有铁磁性从而存在反常霍尔效应；材料的能带结构必须具有拓扑特性从而具有导电的一维边缘态，即一维导电通道；材料的体内必须为绝缘态从而对导电没有任何贡献，只有一维边缘态参与导电。 2010年，课题组完成了对1纳米到6纳米（头发丝粗细的万分之一）厚度薄膜的生长和输运测量，得到了系统的结果，从而使得准二维超薄膜的生长测量成为可能。 2011年，课题组实现了对拓扑绝缘体能带结构的精密调控，使得其体材料成为真正的绝缘体，去除了其对输运性质的影响。 2012年初，课题组在准二维、体绝缘的拓扑绝缘体中实现了自发长程铁磁性，并利用外加栅极电压对其电子结构进行原位精密调控。 2012年10月，课题组终于发现在一定的外加栅极电压范围内，此材料在零磁场中的反常霍尔电阻达到了量子霍尔效应的特征值h/e2—25800欧姆——世界难题得以攻克。 课题组克服薄膜生长、磁性掺杂、门电压控制、低温输运测量等多道难关，一步一步实现了对拓扑绝缘体的电子结构、长程铁磁序以及能带拓扑结构的精密调控，最终为这一物理现象的实现画上了完美的句号。 “下一步我们主要的努力方向是全面测量材料在极低温下的电子结构和输运性质，寻找更好的材料体系，在更高的温度下实现这一效应。那时，也许我们能对其应用前景作更好的判断。”王亚愚告诉记者。 外界评说 这是凝聚态物理界一项里程碑式的工作 “实验成果出来以后，量子霍尔效应的发现者给我发了一封邮件。他写道：我深信拓扑绝缘体和量子反常霍尔效应是科学王冠上的明星。”张首晟向记者展示了这封邮件。 《科学》杂志的一位审稿人说：“这项工作毫无疑问地证实了与普通量子霍尔效应不同来源的单通道边缘态的存在。我认为这是凝聚态物理学一项非常重要的成就。”另一位审稿人说：“这篇文章结束了多年来对无朗道能级的量子霍尔效应的探寻。这是一篇里程碑式的文章。” 延伸阅读 霍尔效应与反常霍尔效应 霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的一个物理效应。在一个通有电流的导体中，如果施加一个垂直于电流方向的磁场，由于洛伦兹力的作用，电子的运动轨迹将产生偏转，从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压，这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。产生的横向电压被称为霍尔电压，霍尔电压与施加的电流之比则被称为霍尔电阻。由于洛伦兹力的大小与磁场成正比，所以霍尔电阻也与磁场成线性变化关系。 1880年，霍尔在研究磁性金属的霍尔效应时发现，即使不加外磁场也可以观测到霍尔效应，这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应。反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同，因为这里不存在外磁场对电子的洛伦兹力而产生的运动轨道偏转。反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的，因此是一类新的重要物理效应。 量子霍尔效应的相关研究已3次获得诺贝尔奖 量子霍尔效应在凝聚态物理的研究中占据着极其重要的地位。它就像一个富矿，一代又一代科学家为之着迷和献身，他们的成就也多次获得诺贝尔物理奖。 1985年，诺贝尔物理奖颁给了德国科学家冯·克利青，他于1980年发现了整数量子霍尔效应。 1998年，诺贝尔物理奖颁给了美国科学家：美籍华人物理学家崔琦以及施特默、劳弗林。前两人于1982年发现了分数量子霍尔效应，而后者则对这一效应进一步给出了理论解释。 2010年，诺贝尔物理奖颁给了英国科学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫。他们俩在2005年发现了石墨烯中的半整数量子霍尔效应。 此外，量子化自旋霍尔效应于2007年被发现，2010年获得欧洲物理奖，2012年获得美国物理学会巴克利奖。（记者 林莉君 李大庆） 《科技日报》（2013-04-11

[b]职位名称：[/b]售后服务经理[b]职位描述/要求：[/b]1.至少三年以上精密仪器行业售后服务经验。2.具有真空镀膜机、高温炉或半导体测试设备售后经验者优先。3.善于沟通、理解客户需求，能抗压工作和频繁出差。4.善于学习、自我激励并具团队精神。5.良好的英语阅读及书写能力。[b]公司介绍：[/b] 上海载德半导体技术有限公司是专业的半导体材料、器件的仪器设备供应商，上海载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业等单位。上海载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括： - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System)； - 快速退火炉(RTP)； - 探...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/72256]查看全部[/url]

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我使用的是霍尔HL 5500PC这种霍尔测试仪，今天使用是在计算机界面上突然出现这样一排数字：警告EABO timeout on data 请各位大侠帮我分析一下是什么问题？谢了

一、中国大陆半导体产业发展现状 （一）高速发展的中国大陆半导体产业 中国大陆由於PC、手机及数位消费电子等整机产品的制造向中国大陆地区转移，带动了上游晶片市场需求的增加，半导体市场规模首次突破人民币2000亿元，总销售额达到人民币2074.1亿元，增长率高达41％。其中，PC首次成为中国大陆半导体市场最大的应用领域，对高阶晶片的需求量也大幅增长。 从2001年开始，全球半导体业的平均资本支出每年萎缩了30％，而中国大陆半导体业的资本支出年增长率却高达50％。目前中国大陆地区有中芯国际、上海先进、华虹NEC、和舰和宏力五个主要晶圆代工厂，光是8英寸晶圆厂就达8个，总月产能达到15.5万片，较2003年单月的8.4万片大幅增长83％。 在未来几年，受到中国大陆经济高速增长的拉动、政策的扶持、2008北京奥运会以及2010上海世博会等众多因素的影响，中国大陆半导体需求将持续高速增长，预计2004年中国大陆半导体市场销售额将达到人民币2800亿元，到2008年市场规模将达到人民币6000亿元以上。 （二）不断追赶高端技术 虽然中国大陆的半导体制造制程整体上落后於台湾，但由於近年来的迅猛发展，中芯国际、宏力、苏州和舰等晶圆代工厂陆续进入了0.18mm制程的量产阶段，中国大陆各主要晶圆代工厂都有计划在今年年底前导入0.13mm的制程。而且，为了能与晶圆代工业巨头台积电、联电相抗衡，中国大陆晶圆代工报价普遍低於台湾，正不断蚕食台、联两家的市场份额。 从2004起，中国大陆前4大晶圆代工厂相继导入0.18mm制程，直到产品的量产，相关的制程技术已经达到了成熟阶段，且中国大陆晶圆代工厂在技术上也在快速追赶台湾晶圆厂。 对於半导体设计业，整机生产的下游客户大多集中在中国大陆地区，中国大陆晶圆厂又有能力提供越来越先进的制程，部分台湾半导体设计业者甚至计画将主力产品转移至中国大陆代工厂。 因此，在市场规模迅速扩大的同时，中国大陆半导体的制造工艺与国际先进水准将日益缩小，0.13mm的晶片制造将规模化，0.09mm的工艺也将走向市场，系统晶片（SoC）将成为发展的主 要方向。 （三）中国大陆半导体产业的地区分布 从地域上来看，中国大陆半导体产业主要分布在长江三角洲、京津环渤海湾和珠江三角洲地区，三个地区的产值占全中国大陆半导体行业产值的95%以上。 在三大经济区域中，由於长三角地区近几年的高速发展，成为中国大陆地区半导体最主要的开发和生产基地，在中国大陆半导体产业中占有重要地位。在半导体设计方面，长三角地区的半导体设计业销售额占中国大陆地区的45%左右。晶圆制造约占中国大陆的70%左右，2003年近80%的封装测试企业和近65%的封装测试量都集中在长三角地区。目前，长三角地区已形成半导体设计、制造、封装、测试及设备、材料等配套齐全、较为完整的半导体产业链。在半导体产业链下游整机部分，长三角地区的笔记型电脑产量占中国大陆的80％，DVD产量占50％以上。目前，长三角地区已经有上海张江开发区、苏州工业园、无锡等众多电子园区和上海、杭州、无锡三个半导体设计产业化基地，还有常州高新技术开发区和常州新区。中芯国际、宏力半导体、先进和华虹NEC都落户在上海张江开发区；台积电落户在了上海松江开发区；和舰落户在苏州工业园。这些晶圆生产企业带动了集群效应，初步形成了长三角地区半导体设计、晶圆制造、封测、设备材料企业以及下游整机生产完整的半导体产业链。 在京津环渤海区域，有北京、天津、山东、河北、辽宁行政区域，其中北京、天津的资讯产业在中国大陆占有重要地位。中国大陆第一座12英寸晶圆厂，中芯国际四厂正是设在北京经济技术开发区；现被中芯国际收购的原摩托罗拉8英寸晶圆厂位於天津。晶圆生产业是高耗水工业，而且对水质和空气的品质要求非常高。但北京地区面临缺水的环境以及沙尘暴气候，这无疑增加晶圆生产的成本，不过，北京在发展环境、市场条件、技术基础和人才资源上的优势大大抵消了环境上的影响。 珠江三角洲地区是中国大陆地区电子产品的重要制造地，集中了大量的下游整机制造商，对进口半导体产品的依赖程度极高，消费量占中国大陆进口总量的80%以上。 二、中国大陆半导体的优惠扶持政策 半导体业在中国大陆的迅速发展，尽管有中国大陆中央政府和地方政府在土地、环境、手续等方面的大力支持，也有中国大陆市场的巨大需求和运作成本较低等因素的存在，但不可否认的是，目前中国大陆政府所颁布的各种优惠政策和给予的各种优惠措施也同样功不可没。其中，首当其冲的是国务院在2000年颁布和实施的《鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》，即业界所称的“18号文件”。其次，中国大陆财政部、税务总局、海关总署和各地政府还分别在自己的责任范围内为鼓励半导体行业制定了优惠政策的实施细则，如关於《鼓励软体产业和积体电路产业发展有关税收政策问题》的通知（财税[2000]25号）、《财政部、国家税务总局关於进一步鼓励软体产业和积体电路产业发展税收政策的通知》（财税〔2002〕70号）、上海市《关於本市鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策规定》、《江苏省鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》等。这些政策的颁布为半导体产业链上游的半导体设计、中游的晶圆生产、下游的封装测试环节给予了优惠，进一步推动半导体产业在中国大陆的发展。 （一）在半导体设计企业方面 “18号档”将半导体设计企业视同於软体企业，享受与软体企业同等优惠。而依据18号档和其他相关档可知，半导体企业优惠政策主要为： 1、 所得税方面，可以享受自获利年度开始“两免三减半”的优惠政策； 2、 增值税方面，在销售自行设计的半导体产品时，可以享受“2010年前按17％的法定税率徵收增值税，对实际税负超过3％的部分即徵即退”的优惠； 3、 对经认定的半导体设计企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税； 4、 半导体设计企业设计的半导体，如在境内确实无法生产，可在国外生产晶片，其加工合同(包括规格、数量)经行业主管部门认定后，进口时按优惠暂定税率徵收关税； 5、 半导体设计企业的工资和培训费用，可按实际发生额在计算应纳税所得额时扣除； 6、 企业对购进半导体产品，凡购置成本达到固定资产标准或构成无形资产，可以按照固定资产或无形资产进行核算。投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧或摊销年限可以适当缩短，最短可为2年。 不过要提醒注意的是，要享受这样的优惠条件，半导体设计企业应按照《积体电路设计企业及产品认定管理办法》之规定获得资讯产业部和税务总局的认定，并取得《积体电路设计企业认定证书》和《积体电路产品认定证书》。 （二）关於半导体生产企业方面 按照目前半导体企业的分类可知，除了半导体设计企业之外，其他制造、封装测试等企业都属於半导体生产企业，根据“18号档”和其他相关规定可知，目前中国大陆对於半导体生产企业的优惠政策主要有： 1、所得税方面：作为生产性企业，可以依照《外商投资企业和外国企业所得税法》等规定，享受“两免三减半”之税收优惠。 2、增值税方面： 半导体生产企业销售自己生产的半导体产品（含单晶矽片），2010年前按17%法定税率徵收增值税，对实际税负超过3%的部分即徵即退；对投资超过80亿人民币或半导体线宽小於0.25微米的，企业所得税为“五免五减半”。 3、对经认定的半导体生产企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税。 4、投资额超过80亿元人民币或半导体线宽小於0.25微米的半导体生产企业，除了享受所得税“五免五减半”之外，对於其进口自用生产性原材料、消耗品，免徵关税和进口环节增值税。 5、对於半导体生产企业的生产性设备，投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧年限可以适当缩短，最短可为3年。

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

半导体芯片高低温测试机在运行的过程中，每个配件的性能都是很关键的，无锡冠亚的半导体芯片高低温测试机中真空泵一旦发生故障的话，就需要及时维修以及保养，这些都是不可少的。　　半导体芯片高低温测试机真空泵完好标准是机体整洁，零部件完整齐全，质量符合要求。真空表、电流表等仪表齐全、灵敏、准确，并有定期检验标志。基础稳固可靠，地脚螺栓和各部螺栓连接紧固、齐整，丝扣外露长度符合规定。管线、阀门等安装合理，标志分明，符合要求。各零部件的安装间隙应达到规定要求。半导体芯片高低温测试机真空泵运行性能要求要注意半导体芯片高低温测试机的润滑良好，油质符合要求，实行“五定”，设备运转平稳无杂音，其振动和噪声不应超过有关规定，设备负荷运转时，温度、压力、流量、电流等参数应符合相关标准。　　半导体芯片高低温测试机真空泵设备及环境要求需要注意泵体清洁，外表无尘灰、油垢。基础底座表面及周围无积水、废液及其他杂物等。阀门及管件接头等处不得有泄漏。填料密封处泄漏不超过规定。　　半导体芯片高低温测试机真空泵日常维护需要注意半导体芯片高低温测试机周围环境应保持清洁、干燥，通风良好，检查冷却水路是否畅通，检查各润滑部位的润滑油是否符合规定。每班必须检查各部紧固螺栓，不得有松动现象，经常检查真空罐中的液位是否正常有效，并进行必要紧固。随时检查真空表、电流表的读数是否正常。随时注意观察半导体芯片高低温测试机运转有无异常声响或振动，必要时可报告有关部门进行状态。操作人员必须严格按《操作规程》进行操作，巡回检查发现问题必须及时处理。　　半导体芯片高低温测试机中真空泵的故障解决也是影响整个半导体芯片高低温测试机运行的效果的，以及后期真空泵的保养也是很重要的，这些都是不可忽视的，望悉知。

半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

中国科技网讯 以往的研究表明，二维碳薄片石墨烯拥有一个通用的光吸收系数。而据物理学家组织网近日报道，现在，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的科学家首次证实，所有的二维半导体也同样普遍适用于一个类似的简单吸光规律。他们利用超薄半导体砷化铟薄膜进行的实验发现，所有的二维半导体，包括受太阳能薄膜和光电器件行业青睐的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，都有一个通用的吸收光子的量子单位，他们称之为“AQ”。相关研究论文发表在美国《国家科学院学报》上。 从太阳能电池到光电传感器再到激光器和各类成像设备，许多当今的半导体技术都是基于光的吸收发展起来的。吸光性对于量子阱中的纳米尺度结构来说尤为关键。量子阱是由带隙宽度不同的两种薄层材料交替生长在一起形成的具有量子限制效应的微结构，其中的电荷载流子的运动被限制在一个二维平面上，能带结构呈阶梯状分布。 “我们使用无需支撑的厚度可减至3纳米的砷化铟薄膜作为模型材料系统，来准确地探测二维半导体薄膜的厚度和电子能带结构对光吸收性能的影响。”论文的通信作者、劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部的科学家兼加州大学伯克利分校电气工程和计算机科学教授阿里·贾维说，“我们发现，这些材料的阶梯式光吸收比与材料的厚度和能带结构无关。” 他们将超薄的砷化铟膜印在由氟化钙制作的光学透明衬底上，砷化铟膜吸收光，氟化钙衬底不吸光。贾维说：“这样我们就能够根据材料的能带结构和厚度来研究厚度范围在3纳米到19纳米之间的薄膜的吸光性能。” 借助伯克利实验室先进光源的傅立叶变换红外分光镜，贾维团队在室温下测出了从一个能带跃迁到下一个能带时的光吸收率。他们观察到，随着砷化铟薄膜能带的阶梯式跃迁，AQ值也以大约1.7%的系数相应地逐级递增或者递减。 “这种吸光规律对于所有的二维半导体来说似乎是普遍适用的。”论文另一个通信作者、电气工程师伊莱·雅布洛诺维奇说，“我们的研究结果加深了对于强量子限制效应下的电子—光子相互作用的基本认识，也为了解如何使二维半导体拓展出新奇的光子和光电应用提供了独特视角。”（陈丹） 《科技日报》（2013-8-5 二版）

科技日报北京1月22日电 德国维尔茨堡—德累斯顿卓越集群ct.qmat团队的理论和实验物理学家开发出一种由铝镓砷制成的半导体器件。这项开创性的研究发表在最新一期《自然物理学》杂志上。由于拓扑趋肤效应，量子半导体上不同触点之间的所有电流都不受杂质或其他外部扰动的影响。这使得拓扑器件对半导体行业越来越有吸引力，因为其消除了对材料纯度的要求，而材料提纯成本极高。拓扑量子材料以其卓越的稳健性而闻名，非常适合功率密集型应用。新开发的量子半导体既稳定又高度准确，这种罕见组合使该拓扑器件成为传感器工程中令人兴奋的新选择。利用拓扑趋肤效应可制造新型高性能量子器件，而且尺寸也可做得非常小。新的拓扑量子器件直径约为0.1毫米，且易于进一步缩小。这一成就的开创性在于，首次在半导体材料中实现了微观尺度的拓扑趋肤效应。这种量子现象3年前首次在宏观层面得到证实，但只是在人造超材料中，而不是在天然超材料中。因此，这是首次开发出高度稳健且超灵敏的微型半导体拓扑量子器件。通过在铝镓砷半导体器件上创造性地布置材料和触点，研究团队在超冷条件和强磁场下成功诱导出拓扑效应。他们采用了二维半导体结构，触点的排列方式可在触点边缘测量电阻，直接显示拓扑效应。研究人员表示，在新的量子器件中，电流—电压关系受到拓扑趋肤效应的保护，因为电子被限制在边缘。即使半导体材料中存在杂质，电流也能保持稳定。此外，触点甚至可检测到最轻微的电流或电压波动。这使得拓扑量子器件非常适合制造尺寸极小的高精度传感器和放大器。[来源：科技日报][align=right][/align]

新华社伦敦4月14日电（记者刘石磊）中国科学家从实验中首次观测到量子反常霍尔效应，英国牛津大学专家对此发现予以高度评价，并指出这一成果预示着一个令人兴奋的新时代的来临。 牛津大学物理系讲师索斯藤·赫斯耶达尔说：“这一成果预示着一个令人兴奋的新时代的来临——对于基础物理学来说，观察到量子反常霍尔效应让研究新的量子系统成为可能；对于更广泛的（电子）设备领域来说，这一成果为研发新式电子器件提供了基础。” 英国牛津大学物理系讲师陈宇林指出，在反常霍尔效应发现120年后，清华大学和中科院物理所的研究团队，在磁性掺杂的拓扑绝缘体材料中实现了量子反常霍尔效应，这是一个很了不起的成就。 陈宇林解释说：“反常霍尔效应是固体中由电子自身的自旋和轨道运动耦合导致的一个输运过程。而在量子反常霍尔绝缘体中，自发磁矩和自旋轨道耦合结合产生了拓扑非平凡电子结构，引起在无外加磁场条件下的量子霍尔效应。因为只有一个自旋通道参与电子导电，使其无损耗的导电比量子自旋霍尔体系更不容易被干扰，这将更有利于应用在低损耗电子和自旋电子学器件中。” 陈宇林认为，这个成就也肯定了近年来中国对基础研究的重视和投入。他说：“在拓扑绝缘体领域，华人科学家和中国国内的研究组作出了巨大的贡献。在过去两年中，清华大学和中科院物理所的研究人员做了大量工作，克服了各种困难，终于在世界上首次实现了这个优美的物理学现象。这说明只要有合适的条件，中国的科研是可以走在世界前沿的。”

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[i]SEMI World Fab Forecast [/i]报告预计，2024年产能将增长6.4%，达到每月3000多万片晶圆。在政府的大力资助下，预计中国将在扩大半导体生产方面引领世界，预计2024年将有18家新晶圆厂开始生产。在2023年晶圆处理能力增长 5.5% 至 2960万 WSPM之后，晶圆处理能力大幅增长6.4%。随着针对人工智能（AI）和高性能计算（HPC）应用程序的处理器需求持续快速增长，英特尔、台积电和三星铸造在前沿逻辑方面的发展主要推动了这一扩张。SEMI预计，从2022年到2024年，将有多达82个新的晶圆厂上线，其中包括计划于2023年上线的11个项目和2024年雄心勃勃的42个项目。这些新设施将使用从100毫米到300毫米的一系列晶片尺寸和数十种成熟的前沿工艺技术，这表明整个半导体行业正在进行多样化的扩张。在政府资金和对芯片制造商的各种激励措施的支持下，中国准备引领这一扩张。2023年，中国芯片制造商的产能预计将同比增长12%，达到760万WSPM。这一增长预计将在2024年加速至13%，达到860万WSPM的产能。预计2024年，中国将有18家新晶圆厂开始运营。其他地区也在为全球芯片生产能力的提高做出贡献。台湾仍将是半导体产能第二大地区，预计2023年将增至540万WSPM，2024年将增至570万WSPM。韩国和日本紧随其后，韩国预计在2024年达到510万WSPM。美洲、欧洲、中东和东南亚也在为增长做准备，每个地区都将在2024年推出几个新的晶圆厂。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/77bf543c-ae5b-46dd-89b8-b10b25f2302e.jpg[/img][/align][align=center]（图片来源：SEMI）[/align]就半导体行业的特定细分市场而言，预计代工供应商将主导设备采购，2024年其产能将增至创纪录的1020万WSPM。尽管2023年的速度有所放缓，但包括DRAM和3D NAND在内的存储器段预计将逐渐增加容量。在汽车电气化的推动下，离散和模拟细分市场预计也将大幅增长，突显出全球半导体行业扩张的多样性和动态性。[来源：仪器信息网译] 未经授权不得转载[align=right][/align]

我有一半导体晶片想做PL谱看看空位和缺陷。材料的Eg是2.2-2.4ev问;我应选516nm（对应能量2.4ev）以下波长的激光如325nm 的he-cd激光来做激发光么？不同波长的激发光对PL谱强度和峰位有什么影响没？还有，为什么低温的时候谱峰强度高呢？

请问如何用电化学来表征半导体的PN结效应，例如i-t，v-t或者i-v等手段，并且做一点解释，谢谢。

求霍尔效应HL 5500PC操作说明书，谢谢！

附件为半导体的生产流程图，简单介绍芯片的生产过程 石头-多晶硅-单晶硅（深蓝色）-切片（灰白色）-磨片-PN结扩散（深灰色）-上光胶-蚀刻-扩散-蒸发沉淀、覆盖氧化绝缘层（反复多次），颜色发生变化，每个步骤都不相同 单晶硅：硅晶圆材料，原子晶体结构，易碎，芯片厚度一般在0.4mm以下 芯片：由单晶硅经过多次化学反应，其中掺杂的离子很多，有多层扩散、覆盖、再腐蚀等过程组成，芯片生产过程中，要求材料的纯度极高，特别清洗过程的水都是纯水，空气粉尘等级10万级，掺杂的离子纯度要求很高，化学反应的气体一般是剧毒的。材料的纯度之高，如果有其它材料混入，芯片一般会报废，或者芯片的性能大打折扣（主要表现在漏电）！ 芯片的扩散是立体的，不单单是一个层，在每道工艺的之后，芯片的颜色一般都会发生变化，不再是单纯的某一种颜色，不可分离的。 [color=#DC143C] 大家认为多种颜色的芯片混合检测,能接受吗?不能接受,又是如何处理的,谢谢回复![/color][img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=105862]半导体流程图示[/url]