电化时间等离子体共量仪

珀金埃尔默全新Avio 500 ICP-OES：专为高通量检测实验室打造的多元素无机分析设备，完美应对复杂的环境、化学和工业样品 作为原子光谱领域的领导者和创新者，珀金埃尔默公司于2017年7月6日发布全新Avio 500电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）。这款ICP-OES是专为高通量检测实验室打造的多元素无机分析设备，可以应对各个领域的多种类型样品。 作为一款真正的同步检测ICP-OES，Avio 500具备同步背景校正功能，可提供更高的样品通量和数据可靠性；超群的基体耐受性；以及业内最低的氩气消耗量。无论待测元素的种类和浓度范围再宽，Avio 500都可以有效应对，使用户的检测工作符合行业规范。Avio 500的可兼容多个应用领域，包括环境、石化（尤其是润滑油服役情况分析）、地矿、食品、制药、制造业（包括电池制造）等。 以下关键功能使得Avio 500具备卓越的性能：为提升样品通量而设计的同步数据采集功能、为节约使用成本设计的业内最低的氩气消耗量、为缩短样品前处理流程设计的超宽线性范围。无论样品多么复杂，这些功能都可确保检测数据的准确性。 带有快速拆装炬管座的垂直炬焰设计：带来强悍基体耐受性，有效缩短样品预处理时间；平板等离子体™ 技术：仅消耗同类产品一半的氩气就可以生成稳定的等离子体炬，无论样品基体多么复杂；双向观测技术：可同时对等离子体进行全波长轴向和径向观测，高低含量元素一次进样同时分析；全谱全读技术：对全波长进行同步数据采集，无需重复进样就可以获得全部光谱数据；空气刀（PlasmaShear™ ）技术：无需氩气，即可消除等离子体冷尾焰产生的基体干扰，而且完全无需维护；全彩等离子体观测（PlasmaCam™ ）技术：提供全彩色的等离子体实时影像，简化方法开发工作，并使远程诊断成为可能。 此外，Avio 500配备跨平台的Syngistix™ 操作软件，AA、ICP、ICP-MS操作无缝对接。更多有关Avio 500的信息请请访问PerkinElmer官方网站。

Avio™ 200 系统能处理难度最高的、未经稀释的高基体样品，为ICP 带来全新的性能及灵活性。而且，前所未有的性能还带来了无可比拟的易用性。独特的硬件特性与业界最直观易用的软件相结合，使多元素测量变得与单元素分析一样简单。作为市场上最小巧的 ICP，Avio 200 可通过以下性能，提供最高效的操作、最可靠的数据和最低的拥有成本：所有 ICP 中最低的氩气消耗最快的 ICP 启动（从关机状态启动，光谱仪在短短几分钟内即可准备就绪）对所有适用的元素都具有出色的灵敏度与分辨率具有双向观测技术的最宽线性范围性能可靠、功能强大、经济实惠、Avio 200 具备您所寻求的 ICP所具有的一切。既然可以成为开拓者，谁还愿意当操作者？Avio 200 ICP 专为满足最具挑战性的客户需求并超越此类需求而设计，凭借一系列专有独特的功能，可帮助您运行多个样品，所取得的成本效益远超以往任何时候。最低的运行成本借助获得专利的 Flat Plate™ (平板) 等离子体技术，Avio 仅需消耗其他系统一半的氩气量，即可生成强健、耐基体的等离子体，同时赋予您：所有 ICP 中最低的操作成本无需再进行与传统螺旋负载线圈有关的冷却和维护，提供出色的运行时间和生产力另外，为了提高效率，珀金埃尔默仪器具有获得专利的动态波长，稳定功能。可令您从关机状态启动，在短短几分钟内即可进行分析，因而您大可在仪器不使用时随意关掉。强大的双向观测功能与提供轴向和径向观测而牺牲性能的同步垂直双向观测 ICP 系统不同，Avio 200 系统获得专利的双向观测功能，可测量所有波长，不会造成光或灵敏度的损失。即使是波长大于 500 纳米或低于 200 纳米的元素也完全可以测量，即便是在 ppb 的含量水平。该 Avio 系统独特的双向观测设计也提供了可扩展的线性动态范围，确保实现：样品制备和稀释最小化高、低浓度可以在同一运行中进行测量更好的质量控制和更准确的结果减少重复运行集成等离子体观测相机可简化您的开发方法，同时借助 Avio 200 系统的 PlasmaCam™ 技术，尽享远程监控等离子体的便利。作为行业首创，彩色相机可帮助您：实时观测等离子体执行远程诊断查看进样部件革新性 PlasmaShear 系统，可实现无氩干扰消除为了消除轴向观测的干扰，需要消除等离子体的冷尾焰。没有其他同类仪器能比 Avio 200 更有效、更可靠或更经济。其他 ICP 消除尾焰需要消耗高达 4 升/分钟的氩气流量，Avio系统独特的 PlasmaShear™ 技术只需空气即可。无需高维护、高提取系统或锥体。就是一个完全集成的、完全自动化的、能提供无故障轴向分析的干扰消除系统。CCD 检测器，可实现无与伦比的准确度和精密度借助全波长功能，Avio 200 系统的强大电荷耦合器件（CCD）检测器能不断提供正确的答案。Avio 系统的 CCD 检测器可同时测量所选谱线及其谱线附近波长范围，实时扣背景，实现出色的检测精密度。在分析过程中，它还可以同时执行背景校正测量，进一步提高准确度和灵敏度。带有快速转换炬管底座的垂直等离子体，可实现无与伦比的基体灵活性即使 ICP 正在运行，Avio 200 系统的垂直炬管无需工具也能进行简便快捷的调节，可提供更大的样品灵活性并简化维护。炬管底座的设计与众不同，具有以下特点：一个可拆卸的、独立于炬管的中心管，旨在减少维护和破损的可能性自动自对准，即使在拆卸后也能提供一致的深度设置兼容各种雾化器和雾室，可提高灵活性友情提示：根据型号及配置不同，仪器价格会有不同，欲了解详情请与我司联系。

Nu 生产的飞行时间等离子体质谱仪 主要特点： 1、可获得高灵敏度的成熟离子提取和聚焦光学器件2、新型分段反应池，具有多个气体控制器，可消除干扰3、专利的物理离子束衰减器，提高质谱仪的工作动态范围4、变频离子采样，高分辨率飞行时间 (TOF) 质谱仪按应用优化灵敏度5、采用 Bradbury-Nielson 离子门，选择进入TOF的质量数范围6、可靠耐用的MagneTOF检测器，动态范围宽，可在信号超出范围时快速恢复7、快速数据采集和处理电子器件，可为关键应用提供微秒级不间断数据8、可选装全尺寸四极杆，配有专利旁路离子光学，可覆盖整个质量数范围，且无质量偏差

icpTOF的优越性能icpTOF电感耦合等离子体-飞行时间质谱耦合了Thermo Scientific公司的 iCAP RQ平台（包含离子源和真空接口）和TOFWERK高性能飞行时间质谱分析仪。iCAP RQ平台提供了多类型的样品进样方式，高强度并稳固的ICP，更加简单的椎体和离子电镜维护程序和Q-cell科技。飞行时间质谱分析仪在保证跟四级管（QMS）同等灵敏度的同时，为icpTOF增加了快速全谱分析，更宽的线性动态范围和高达6000的质量分辨率。鉴于其快速全谱图采集和所有元素同位素的同步分析，icpTOF是单颗粒多元素分析和快速激光蚀刻成像的理想检测器。所有元素。一直以来。 icpTOF记录全谱图以提供回溯分析，因此 您不会错过任何分析物或干扰信号。高质量分辨率 icpTOF 2R高达6000的质量分辨率让排除干扰离子更加容易。精确的同位素比率 icpTOF可同时测量所有同位素，从而最大程度上消除离子源和进样过程扰动对测量结果的影响。分析精度趋近于统计限制。高速检测 icpTOF每隔30微秒就可记录一张全谱图，使其成为快速瞬态信号（如单个纳米颗粒，流体包裹体和单激光脉冲烧蚀）的最佳检测器。icpTOF R， icpTOF 2R， 和icpTOF S2 型号规格一览icpTOF R， icpTOF 2R和icpTOF S2 在Thermo Scientific公司的 iCAP RQ平台（包含离子源和真空接口）上耦合了TOFWERK高性能飞行时间质谱分析仪。这三种型号性能各有千秋，适用于您的多种应用需求。icpTOF 2R搭配一款更长的飞行时间质谱模块，提供高达6000的质量分辨率，是对同标称质量的离子分离要求较高的分析案例的理想选择。S2型号的超高灵敏度可以提升生物样品成像的空间分辨率，同时也可以在分析细小颗粒物时有更好的信噪比。质量分辨能力（在FWHM的dm/m）敏感性（cps/ppb 代表 238U）全元素分析ICP备300050000是的ICP备2R600030000是的ICP备2号900300000是的icpTOF硬件设计增长的离子飞行时间带来更好的质量分辨能力这两款icpTOF都配备了支持Q-cell碰撞/反应技术的iCAP RQ平台（蓝色），有效降低复杂基底可能带来的干扰icpTOF 2R搭配的飞行时间模块（黄色）长度是icpTOF的两倍，大大提升了仪器的质量分辨能力'陷波'技术有效衰减等离子体和样品基底相关的离子强度 铪含量较高的'Plesovice'锆石的激光脉冲烧蚀实验信号。'陷波'技术用来将28 -硅, 40 -氩气等离子体, 90 -锆石和 179 -铪等信号控制在10mV以下。

原理：等离子体等离子体分析飞行时间质谱仪是一个全新的仪器，它结合了GD等离子体的溅射速度和飞行时间质谱的灵敏度，实现了高分辨率和高灵敏度条件下固体材料的快速化学深度剖析。重点应用领域： 掺杂分析（半导体、光电子、太阳能光伏、传感器、固态光源） 表面和整体污染鉴定（PVD镀层、摩擦层、） 腐蚀科学和技术（示踪物、标记监测、同位素分析） 界面监测 参数： 采集速率：每30μs一张全质谱 质量分辨率：选择高分辨率模式时，在m/z208可达5000 动态范围：107 质量准确度40ppm 灵敏度:103cps/ppm 深度分辨率：nm 正负离子模式 4个离子的灵活消隐功能 简单易用的水平样品装载 产品特点： 样品分析快速无预处理：无需超高压腔 适用于各种材料及镀层分析 全质量覆盖：可提供从H到U元素的完整质谱和分子信息，包括同位素监测 独有3D数据 ，脉冲射频模式(专利) 高深度分辨率：测试薄层可至1nm到厚层：厚层可达100μm 无需校准的半定量分析：溅射和电离过程分离，使得基体效应最小化原理图：应用实例：富含O18氧化钽的同位素分析Si PV的杂质识别 Si中B的定量掺杂 InGaN中Mg的定量分析

表面等离子体共振互作仪-BI-2500系列具有3通道流动模式, 能够精确地检测小分子(100Da)与蛋白质的相互作用, 可用于蛋白质亲和常数的测定。其创新性的模块化设计使用户能够灵活地选配多种分析模块, 从而进行包括生物探测芯片的研发, 电化学SPR,多种液相和气相传感等类的研究。表面等离子体共振互作仪尤其是它装备的快速探测器更有利于研究。工作站：光源 670 nm，检测速度 0.5 ms，入射角 70-76度，折射率：1到1.11（空气）和1.31至1.40（液体）SPR角度范围：40℃- 47deg（空气）和67deg - 81deg（液体）检测灵敏度& 短期噪音 0.01 毫度长期漂移 ： 0.5 毫度 当扣除参比时(当周围环境漂移 1 ℃/h)基线噪声和漂移规格：基线噪声＜0.06 R（0.01mdeg）；基线漂移小于0.3Ru（0.05mdeg）每小时。 2. 溶液传输用 BI- - DirectFlow TM 半自动进样双通道精确进样技术；流动池材料 PEEK (生物相容)；流速 1.0-10,000 μL/min (具体流速取决于应用)；注射体积 50μL to 10mL(具体体积取决于应用)；通道体积 1μL；注射最短时间 0.2 s；动力学常数 ka 1 x 108 M-1s-1 , kd 1 x 10-6 s-1；亲和常数 KD = 10-3 M (1 mM) to 10-12 M (1 pM)；最小可分析的分子量 100 Dalton；分析模块 BI-直流模块3. 控制系统：预装BI软件包的计算机 ；Windows 7操作系统 计算机接口 USB 2.04.软件功能；功能强大且操作简便的软件包；实时收集SPR数据 ；供精确的进样用的程控注射定时器

Vitesse飞行时间等离子体质谱仪（TOF-ICP-MS）速度快，灵敏度高，选择性强——Nu Instruments宽质量数范围快速数据采集：适合于激光剥蚀成像和纳米颗粒分析灵敏度高：可分析固体样品中的微米级痕量元素特征，测定纳米颗粒物的元素组成分析物选择性强： 分段式反应池针对多元素分析进行了优化物理分辨率高：飞行时间 (TOF) 质谱仪可提供无干扰分析反应池前可选加一个全尺寸四极杆，增强干扰处理能力Vitesse是一种飞行时间电感耦合等离子体质谱仪，它为高速多元素测试应用而专门设计的终极工具，如激光剥蚀成像和纳米粒子分析。通过一系列的样品附件装置，也可以进行高速的传统ICP-MS分析。反应池前可选加一个全尺寸四极杆，用以增加所使用的化学药剂的选择性，增强干扰处理能力。从 ICP 源采样，获得全部或部分质量数范围的同时离子包，几乎不会丢失样品信息。低至 30μs 的快速读取时间，能够测定单个纳米颗粒物中的所有金属元素和大多数非金属元素。在使用最新激光剥蚀系统时，单激光点样品洗出时间为毫秒级，能够实现从微米大小的样品获得宽范围的元素信息或在几分钟内生成几平方毫米的元素图像。通过组合谱图，可获得更好的数据统计，可获得溶液样品的高度精度的元素和同位素组成。Nu Instruments成立于1995年，是电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、辉光放电质谱(GD-MS)、同位素比质谱(IRMS)、热电离质谱(TIMS)和惰性气体的市场领导者。Nu的高端质谱仪是用于表征各种样品的同位素或元素组成的分析仪器，提供宝贵的信息，如历史，年龄，来源或纯度。Nu的创新质谱仪安装在世界各地的学术界，政府和工业研究实验室，并服务于广泛的应用，如：测定各种地质样品中的同位素比率以提供数据数据，创建生物医学或地质样品的元素图像，测量同位素比率以确定出处，食物样品的起源，测量纳米颗粒大小和确定材料的纯度。Nu于2016年加入AMETEK。Nu的总部，制造工厂和实验室位于英国北威尔士。

原理：等离子体分析飞行时间质谱仪结合了辉光放电等离子体的溅射速度和时间飞行质谱的快速以及高灵敏度，实现了高分辨率和高灵敏度条件下固体材料的快速化学深度剖析。应用领域：● 掺杂分析（半导体、光电子、太阳能光伏、传感器、固态光源）● 表面和整体污染鉴定（PVD 镀层、摩擦层、电气镀层、光学镀层、磁性镀层）● 腐蚀科学和技术（示踪物、标记监测、同位素标记）● 界面监测技术参数：● 采集速率：每30μs一张全质谱● 质量分辨率：选择高分辨率模式时，在m/z 208可达 5000● 动态范围：107● 质量准确度：40 ppm● 灵敏度：103 cps/ppm● 深度分辨率：nm● 正负离子模式● 4个离子的灵活消隐功能● 简单易用的水平样品装载产品特点：● 样品分析快速无预处理：无需超高压腔● 适用于各种材料及镀层分析● 全质量覆盖：可提供从 H 到U元素的完整质谱和分子信息，包括同位素监测● 3D 数据，脉冲射频模式● 高深度分辨率：测试薄层可至 1nm● 薄层到厚层：层厚可达 100μm● 无需校准的半定量分析：溅射和电离过程分离，降低基体效应

BI-2500型系列小型台式检测仪 表面等离子体共振仪 全新的Biosensing Instrument BI-2500小型台式表面等离子体共振(SPR)仪具有3通道流动模式, 能够精确地检测小分子(100Da)与蛋白质的相互作用, 可用于蛋白质亲和常数的测定。其创新性的模块化设计使用户能够灵活地选配多种分析模块, 从而进行包括生物探测芯片的研发, 电化学SPR,多种液相和气相传感等类的研究。尤其是它装备的快速探测器更有利于研究氧化还原引起的蛋白质构象变化中的快速动力学。 3通道表面等离子体共振仪高灵敏度小分子检测宽广的响应时间适用于动力学和亲和力测定多种创新型的模块便于用户优化实验和灵活应用保证合理的仪器价位 3通道SPR的效益BI-2500的3通道检测不仅提供了更大的灵活性而且还能够加快研发分析，其测量输出量要比2通道的SPR系统高一倍。 选配模块：电化学-双流、电化学SPR、气相SPR

【(广东)鼎诚科技】SPR电化学联用表面等离子体共振仪 详情

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产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

Aurora Z10冷等离子体种子处理仪统提供“Activated Air”活性气体，就像雷击周围的空气一样，可以改善种子健康，提高整体植物产量。冷等离子体种子活化过程的核心优势是提高发芽的一致性和发芽率以及幼苗的生长速度，这反过来又提高了种植者的产量和产量。该系统是移动的，需要外部电源和互联网连接。系统通过云连接，远程机器监控易于掌控整个活化过程。特点：&minus CEA的先进种子健康系统，冷等离子体促进种子健康和作物产量&minus 仅使用空气和电力，不添加化学物质&minus 低工作功耗（200W）&minus 专为垂直农场和温室设计规格：样品仓：10L处理量：2升（1公斤）的种子10.4英寸触摸显示屏远程监控控制超低功耗小于200w重量：143Kg

澳柯玛AXD系列医用等离子体空气消毒器有三种款式：吸顶式风量：600/1000/1500m3/h中间进风，四面出风，循环更彻底吸顶式安装，多在工程装修时安装；释放房间，空间保持房间原貌。壁挂式风量：600/1000m3/h简约大气，强劲风力，壁挂式安装，有效节约房间地面空间。移动柜式风量：600/1000/1300/1500m3/h方便移动，静无止静，小型移动机型，可多房间移动使用，作为紧急感染情况应急使用；大型移动柜式机型，可对更大体积空间消毒，有效节约投入设备数量。产品特点可在有人状态下运行，且对人体没有任何伤害外壳采用优质镀锌钢板，结构稳定，防老化防自燃采用新型多功能等离子体模组，杀菌效率高，积尘效果好选用优质分子过滤器，可有效去除有机气体和异味配有手动、 预约模式，满足用户更多使用需求手控、遥控多种控制方式供用户选择工作时间累计功能，清洗维护自动提醒功能增强消毒功能，可紧急处理室内感染问题预约模式可实现自动开关机，释放用户时间模块化设计，方便维护负氧离子功能，清新空气故障自动报警功能产品参数

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

1、 设备组成：高压电源、气体控制系统、紫外诱变消毒系统、等离子体发生系统、交互式触摸LCD、自动控制系统、环境参数监控系统、照明系统。2、 设备使用器皿：专用的加样器、标准的90mm的玻璃培养皿3、 控制系统：工作温湿度监测显示、气体流量监测显示、参数设置、模式设置、启动/停止、软件版本升级、设备自检、环境消毒、照明控制。4、 等离子体观察窗尺寸：220mm x 150mm5、 安全防护等级：IP536、 诱变时间设定范围：0 – 3600s7、 报警：工作异常、设备部件异常会报警8、 提醒：正常启动、消毒结束、诱变结束会铃声提醒9、 自动控制诱变距离：0 – 25mm10、 气体流量自动控制范围：10 – 16 slpm11、 设备尺寸：465mm(H) x 420mm(W) x 465mm(D)12、 工作气体：99.999%高纯氮气13、 整机功率：300W（MAX）14、 电源：220VAC±10% 50Hz15、 等离子体最大功率：10W16、 氮气接口：6mm双卡套快速接口17、 工作温度：-10℃ - 40℃18、 工作湿度：≤ 70%

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC量产设备概要RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电极材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP多功能负载锁设备概要RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电极材料等难蚀材料的加工。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

一、产品简介：常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。二、应用领域原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。三、产品参数分类技术参数整机功率300W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统单样品处理冷却系统外接制冷系统等离子体射流温度≤37℃四、应用案例案例一：放线菌抗生素产量显著提高突变率、正突变率分别为30%、21%，获得一株阿维菌素B1a产量提高23%。（常压室温等离子体对微生物的作用机理及其应用基础研究[D].王立言.清华大学 2009）等离子体诱变前后阿维链霉菌的形态变化（注：W为野生菌株；G1-8为典型突变菌株）案例二：藻类正突变率高、突变库表型丰富总突变率和正突变率在特异增长率上分别达到45%和25%，并且突变库中表型丰富。（PLOS ONE，2013,8（10）：1-12）案例三：应用ARTP诱变大肠杆菌，提高苏氨酸产量获得一株苏氨酸高产菌株，摇瓶产酸达到50.6 g/L，与出发菌相比，提高了99.6%，经50次传代，遗传性稳定。（现代食品科技，2013，29(8)：1888-1892） a1 a2出发菌株与1905#突变菌的菌体形态

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)概要RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。选项干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。性能特点 手持操作 专为敏感基材设计 等离子功率密度高 高效激发冷等离子体 产生温度 50 °C冷等离子体

等离子体热处理炉为德国生产，具有等离子清洗、表面处理、材料表面修饰、材料热处理的功能。 仪器特点及基本参数：具有等离子体清洗、表面修饰、表面处理、表面活化的功能；具有真空能力(10-5mbar)；芯片倒装凸点(Bump)；凸点焊接；键合；功率器件焊接；样品尺寸：170X200mm，或300x300mm；温度：650摄氏度；24支红外灯加热；2路MFC气路；

等离子体流化床反应器 /包衣机打破粉体处理的边界PROCEPT和ＭPG强强联合推出了等离子体流化床反应器使粉末的功能化和包囊化加工达到了一个全新水平。对于作为修饰基团的有机化合物没有限制，可以是纯溶液、混合物、乳化液、纳米颗粒悬浮液或高分子溶液等离子体流化床包衣机的主要技术参数：批处理粉体粉体处理量：1L反应器50g-200g, 4L反应器200g-1kg颗粒大小要求：50μm-3mm (依据密度0.5kg/L)等离子气体类型：N2、 Ar、 He、 CO2，气体混合物或其他PROCEPT/MPG等离子体流化床包衣机（等离子体流化床反应器）等离子体流化床包衣机融合了PROCEPT公司流化床反应器和MPG公司PlasmaSpot的技术优势。采用可移动滑轮落地时设计，全触摸屏系统控制。特点：为粉体样品表面功能化和包囊化提供了新选择可用有机化学分子和生物分子触摸屏PC控制系统，实时参数记录和表格数据报告功能一步法、干表面处理工艺纳米或微米级外壳厚度处理（单分子多层表面加工能力）适合水敏感、温度敏感的底物无需溶剂、无需干燥、无需保温时间极大缩短了表面修饰工艺时间（10倍---100倍）关键工艺参数均可由控制单元进行处理，如加热和冷却温度设定，等离子体电压等灵活而先进的前沿技术在线取样方便应用表面修饰控释放外壳生物标记造影诊断剂共价结合药物生物分子定位定位释放外壳防腐包衣杀病毒包衣防菌包衣等离子体流化床反应器的其他应用领域：新能源汽车电池材料、太空新材料、电子产品材料、先进复合材料、包装材料、纸张及天然纤维、功能纺织品等

法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150 SSDR150 微波等离子体化学气相沉积系统专门用于合成 CVD 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学级窗口。SSDR150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够完美地适用于高校科研和企业生产。 SSDR150 系统特点。 铝合金腔体+内置石英管反应室，支持长时间高功率下工作。工艺气压可达 350 mbar 或更高，可以高速率生长单晶。微波源为 2.45GHz、最大功率 6 kW，高耦合效率。标准配置 4 条气路，最多可增加至 7 条气路（掺杂气路）。2 英寸水冷样品台，高度电动可调、精度优于 10μm (可选)。双色红外高温计测试样品表面温度，范围 475-1475 °C。爱德华兹分子泵+ 干泵，最佳真空度≤ 3×10-7 mbar。高水平金刚石生长工艺培训及演示（内容根据应用而定）。全自动控制、半自动和手动可用，图形化操作界面（GUI）。多级用户设置和管理、远程诊断和维护、数据导出接口。多用途：高纯度单晶、厚单晶、大单晶、掺杂、光学窗口。设备维护少、安全、可靠、稳定、性价比高 应用领域。切削刀具、耐磨涂层、热沉材料、SAW。光学窗口、激光晶体、电化学电极、CNT。生物传感器、微机电系统、光电探测器。商用宝石、低压高温退火处理、量子计算 SSDR150 性能表现多晶金刚石:• 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• 生长速率: 高达 10 μm/h, 取决于生长工艺 单晶金刚石: • 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• EPR 测试氮浓度 : [Ns0] 1 ppb• 1332 cm-1 FWHM 金刚石拉曼谱线: 1.6 cm-1• 4000 – 10000 cm-1无红外波段吸收• 生长速率: 高达 20 μm/h, 取决于生长工艺条件

常压室温等离子体（ARTP）同传统的低气压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪（ARTP Mutagenesis Breeding Machine）。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。非转基因手段，保证生物的安全性使用范围广，突变性能高专有氦气等离子体诱变技术，能量高，基因损伤强度大操作简便安全，易维护、运行费用低 截止到2022年08月29日，中文文献404篇，英文文献167篇，专利230篇，学位论文165篇，共计966篇。分类技术参数整机功率1000W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm操作室环境洁净室（百级洁净无菌风）样品处理系统7个样品连续处理和自动收集冷却系统内置制冷系统等离子体射流温度≤37℃工作环境要求温度15~25℃，湿度≤60%应用范围原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等)应用案例案例一：应用ARTP筛选耐高盐环境突变菌株经等离子体处理后，阴沟肠杆菌在含有7.5% NaCl的培养基中培养时出现耐盐突变株，对TPH的降解百分数比出发菌株高2.5倍，而且将突变株培养于LB + 9.0% NaCl条件下时，可快速地将K+积聚于细胞内、将EPS积聚于细胞外。（耐盐阴沟肠杆菌的选育及其在油盐污染土壤修复中的应用[D].花秀夫.清华大学 2009）案例二：细菌领域成果多、效果显著筛选到高产L-亮氨酸的突变株，产量达到18.55 mg/g，比出发菌株提高2.91倍。（Nature Communications，9（2018））案例三：霉菌产色素能力大幅度提升突变菌株产橙、黄色素能力比出发菌株分别提高136%、43%。（核农学报，2016,30（4）：654-661）