脉冲射频辉光放电光谱仪

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脉冲射频辉光放电光谱仪相关的厂商

  • 400-860-5168转3805
    北京恒天科力科技发展有限公司,自2001年成立以来,来一直致力于为各行业提供最优秀的分析仪器及分析解决方案。长期以来作为众多国内外知名分析仪器的中国地区独家代理商或区域一级代理商,我们力求为用户提供最优质的产品和最周全的售后服务。 主营产品有辉光放电光谱仪、气相色谱仪、液相色谱仪、紫外分光光度计、红外光谱仪、原子吸收分光光度计、气质联用仪、液质联用仪、总有机碳分析仪、电子天平、材料试验机、各种规格洗瓶机、各种规格氮气发生器、实验室前处理设备以及零备件耗材。公司广泛服务于工业制造、航空航天、化工、环保、大学、科研院所、农牧业、食品、地矿、质检、疾控、公安等行业和领域。满足客户的需求是恒天科力科技的追求! 长期以来作为众多国内外知名分析仪器的中国地区独家代理商或区域一级代理商,我们力求为用户提供最优质的产品和最周全的售后服务。
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  • 北京科扬光电技术有限公司坐落于北京中关村永丰高新技术产业基地,是一家专业从事电光调制和光电探测技术相关产品的研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。公司的主要产品有10G、40G&100G NRZ\DPSK\QPSK\SSB等多种类型电光调制单元、专门致力于弱光信号探测的APD光电探测模块和光学相干探测的光平衡探测模块、200M/1G/10G/40G 等多种带宽PIN光电探测模块、脉冲/保偏/大功率等系列的掺铒光纤放大器以及覆盖3G/6G/18G等各个频段的射频光模块等等,主要应用于光纤通信、激光雷达、管道监测、科学研究、工厂器件测试、微波光子学等多个领域,同时可以为客户量身打造高速电光信号转换、弱光信号检测以及射频光传输等方面的相关产品及解决方案。
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  • 纳恩科技总部位于深圳市南山区,在香港设有研发分公司,公司专注于等离子材料表面处理和真空镀膜技术研发,目前主要产品包括真空等离子磁控溅射镀膜设备,离子溅射仪,等离子刻蚀设备,等离子表面处理设备,辉光放电仪等。 公司核心研发团队来源于香港大学等离子实验室,香港理工大学材料工程学院和美国佐治亚理工学院的微电子学院。团队成员有5年在硅谷开发先进半导体设备的经验,我们意识到许多现有的半导体等离子处理系统仍在使用十几年前的技术,并且价格昂贵。因此,我们决定将针对半导体行业和核研究开发的最先进的等离子技术引入经济实惠的等离子设备中。 自成立以来,纳恩科技围绕等离子处理系统所需核心电源及底层算法进行技术布局,不断拓展自主设计能力。目前已完成以MCU,ARM为核心的射频芯片开发平台,实现了芯片的结构化和模块化开发。 具有高精度模拟、网络阻抗匹配、功率驱动、功率器件、射频和底层核心算法的设计能力,可针对不同细分领域等离子处理系统需求,快速做出底层硬件组合,提高等离子系统的稳定性和效率。 纳恩科技成立至今已为清华大学、香港大学、华为2012实验室、北京大学、中国科学院、南方科技大学、美国康奈尔大学、宾夕法尼亚大学、等中外众多知名企业、大学研究机构提供过等离子处理设备和解决方案,并专注于发展面向未来新材料市场的应用技术,助力客户开发出激动人心的新工艺!
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脉冲射频辉光放电光谱仪相关的仪器

  • Thermo Scientific ELEMENT GD结合了辉光放电离子源和双聚焦高分辨率质量分析器,可以定性定量分析固体样品中包括C、N、O在内的几乎所有元素,是直接、快速分析高纯样品杂志含量和镀层材料元素组成的最佳工具。 ELEMENT GD集中了辉光放电和高分辨质谱的优势,在以下方面有杰出表现: 样品测试通量高:ELEMENT GD离子源和样品夹的设计使可缩短换样和分析时间,显著提高生产率; 检测器线性范围宽:检测器线性范围达12个数量级,可一次扫描同时检测基体和痕量元素组成; 具有固定宽度的低、中、高分辨率狭缝,采用高分辨率可直接分析有质谱干扰的同位素。
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  • 解密镀层工艺、解析镀层结构——Profiler 2辉光放电光谱仪是解密镀层工艺、解析镀层结构的强有力手段,可以通过元素变化获得镀层结构、层间扩散、元素富集、表面处理、镀层均一性等信息,从而改善工艺条件等。主要应用行业有金属冶金、半导体器件、LED芯片、薄膜太阳能电池、锂电池阴阳、光学玻璃、核材料等。 GD-Profiler 2 作为超快镀层分析的理想工具,非常适合于导体和非导体复合镀层的分析,操作简单、便于维护,是镀层材料研发、质控的理想工具。 使用脉冲式射频辉光源,可有效分析热导性能差以及热敏感的样品。 采用多项技术,如高动态检测器(HDD),可测试ppm-100%的浓度范围,Polyscan多道扫描的光谱分辨率为18pm~25pm等。 分析速度快(2-10nm/s) 技术参数:1、射频发生器-标准配置、复合D级标准、稳定性高、溅射束斑为平坦、等离子体稳定时间短,表面信息无任何失真。2、脉冲工作模式既可以分析常规的涂/镀层和薄膜,也可以很好地分析热导性能差和热易碎的涂/镀层和薄膜。3、Polyscan多道(同时)光谱仪可全谱覆盖,光谱范围从110nm-800nm,可测试远紫外元素C、H、O、N和Cl。4、HORIBA的原版离子刻蚀全息光栅保证了仪器拥有大的光通量,因而拥有卓越的光效率和灵敏度。5、高动态检测器(HDD)可快速、高灵敏的检测ppm-100%含量的元素。动态范围为5×1010。6、宽大的样品室方便各类样品的加载。7、功能强大的Quantum软件可以灵活方便的输出各种格式的检测报告。8、HORIBA独有的单色仪(选配)可大地提高仪器灵活性,可实现固定通道外任意一个元素的同步测试,称为n+1。9、适用于ISO14707和16962标准。仪器原理:辉光放电腔室内充满低压氩气,当施加在放电两的电压达到一定值,超过激发氩气所需的能量即可形成辉光放电,放电气体离解为正电荷离子和自由电子。在电场的作用下,正电荷离子加速轰击到(阴)样品表面,产生阴溅射。在放电区域内,溅射的元素原子与电子相互碰撞被激化而发光。更多指标参数请访问HORIBA官网
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  • GDA 750/GDA 550是高灵敏度、高性能的辉光放电光谱仪,可适用于表面和涂镀层的化学元素含量分析。 多达79个分析通道,采用PMT检测器,GDA 750/GDA 550型辉光放电光谱仪是高分辨率、高灵活性和高分析精度的仪器,同时可安装独有的高分辨率CCD光学系统(选装件),允许同时分析所有元素,具备全谱功能,也可在现有的方法中添加任一元素的任一谱线。 这种灵活性在实际分析中,尤其对于元素含量和深度测定中至关重要。所有元素,包括轻元素(H,O,N,CI,和C)均可测定。 在含量-深度测量中,分析深度可达200um以上, 层分辨率可达1纳米。GDA 750/GDA 550也可进行基体总量分析,尤其对于复杂基体,具备优异的线性校准曲线。检出限可达亚ppm级。 GDA 750/GDA 550装备有最新一代的辉光激发光源,溅射直径从1mm至8mm。采用通用样品夹具,也可进行小样品和异形样品的分析,无需更换特殊电极。 GDA 750也可选装配置脉冲式射频光源(选装件),用于分析非导体材料。采用脉冲式射频光源后,可分析非导体、热敏感样品,如:陶瓷、玻璃、有机涂层、有机薄膜。还可选装配置特殊样品转移室(选装件),用于分析极薄的薄膜和在空气中易氧化的薄膜。激发光源-同一激发光源允许安装直径为1mm至8mm电极,从而保证优秀的稳定性和重复性高效的样品直接冷却。可直接分析热敏感样品、极薄的金属薄膜和有机薄膜。如可直接分析50um的不锈钢薄膜-优化的氩气流量控制,可以同时实现低检出限和高深度分辨率-专门设计的自动清扫装置,保证了高精度、高重复性测量-最大样品分析厚度45mm,最小厚度50um-完全程序自动控制的直流光源(DC),电压最高可达1500V,电流250mA-完全程序自动控制的射频光源(RF),功率最大150W,电压、电流自动监控,实时等离子自动调节、脉冲工作模式(选装件、仅GDA 750有效)-选装件:自动进样器,程序控制100位光学系统-光谱分辨率优于20pm(FWHM)-光谱范围:190nm--800nm-Paschen-Runge光学系统, 焦距750mm-全息原刻光栅,2400线/mm-出射狭缝,预设所有元素通道-可同时安装63个分析通道,选用选装件(400mm),可再附加16个分析通道-方便易操作的透镜清洁,可立即进行分析-优化的检测器高压系统,定量测试时,线性动态范围106-检测器增益自动调节-选装件:高性能CCD光学系统, 光谱范围200nm--800nm。光谱分辨率可达0.02nm(FWHM)。与主光学系统同时工作-CCD光学系统可无限制添加分析通道,真正实现全谱同时测量-选装件:单色仪,光谱范围可扩展至1500nm。可同时安装3个光栅,独立工作。真空系统-全不锈钢壳体,可充分保证痕量元素的分析,尤其对于N元素分析-光室真空采用二级旋转叶片真空泵,噪音50dB-光源使用无油真空泵,完全免除C,H,O,S,P等元素污染-内置安全阀设计,以避免突然断电对旋转叶片泵的损害-选装件:涡轮分子泵WinGDOES软件-WindowsXP或更高平台运行-使用界面简单、易懂,分级管理和操作-功能强大-方法建立简便,在线指导-校准样品管理,珍稀样品添加-多种校准模式-QDP定量分析校准-用户定制测量报告模式-数据处理和再处理功能-多种格式数据输出-分析过程中界面语言切换应用-热处理精确测量所关心元素的含量-深度分布,定性、定量检测表面污染物、夹杂物和物相比例-涂镀层可获得涂镀层完整的化学组分信息、层厚度,元素含量-深度分布。非导体涂镀层,如:油漆、釉等可采用RF光源分析-硬质合金层快速分析硬质合金层和热处理工件的渗层化学组分-陶瓷采用RF光源可精确可靠的测量-电镀测量电镀层的复杂结构和过渡界面信息,化学组分含量、层厚、质量分布,也可进行缺陷鉴别和分析-化学组分精确测量化学元素含量高精度、高重复性检测快速分析:60s可分析从H至U的所有元素, 检测范围从ppm至100%-太阳能电池薄膜检测太阳能光伏电池薄膜中化学元素含量分布,如:Cu(In,Ga)Se2辉光放电光谱仪主要应用领域-汽车制造及零部件-金属加工、制造-冶金-航空、航天-电子工业-玻璃、陶瓷-表面处理:化学气相沉积、物理气相沉积等-电镀-光伏电池、锂电-科学研究
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脉冲射频辉光放电光谱仪相关的资讯

  • 辉光放电光谱仪:方便快速的镀层分析手段
    研究镀层特性,有哪些常用的分析技术?  如今,大多数材料不是多层结构,如薄膜光伏电池、LED、硬盘、锂电池电极、镀层玻璃等就是表面经过特殊处理或是为改善材料性能或耐腐蚀能力采用了先进镀层。为了很好地研究和评价这些功能性镀层特性,有多种表面分析工具应运而生,如我们熟知的X射线光电子能谱XPS、二次离子质谱SIMS、扫描电镜SEM、透射电镜TEM、椭圆偏振光谱、俄歇能谱AES等。  为什么辉光放电光谱技术受青睐?  辉光放电光谱仪作为一种新型的表面分析技术,虽然近年来才崭露头角,但已受到了越来越多的关注。与上述表面分析技术相比,辉光放电光谱仪在深度剖析材料的表面和深度时具有不可替代的独特优势,它的分析速度快、操作简单、无需超高真空部件,并且维护成本低。  辉光放电光谱仪最初起源于钢铁行业,主要被用于镀锌钢板及钢铁表面钝化膜等的测定,但随着辉光放电光谱技术的逐步完善,仪器的性能也得以提升,可分析的材料越来越广泛。  其性能的提升表现在两方面:一方面随着深度分辨率的不断提升,辉光放电光谱技术已可以逐渐满足薄膜的测试需求。现在,辉光放电光谱仪的深度分辨率可达亚纳米级别,可测试的镀层厚度从几纳米到150微米,某些特殊材料可以达到200微米。  另一方面是辉光源的性能改善,以前辉光放电光谱仪主要用于钢铁行业的测试,测试的镀层样品几乎都是导体,DC直流的辉光源即可满足该类测试,但随着功能性镀层的不断发展,越来越多的非导体、半导体镀层出现,这使得射频辉光源的独特优势不断凸显。射频辉光源既可以测试导体也可以测试非导体样品,无需更换任何部件和测试方法,使用方便。如果需要测试热敏材料或是为抑制元素热扩散则需选用脉冲射频辉光源。脉冲模式下,功率不是持续性的作用到样品上,可以很好地抑制不期望的元素扩散或是造成热敏样品的损坏,确保测试结果的真实准确。  辉光放电光谱的工作原理  辉光放电腔室内充满低压氩气,当施加在放电两极的电压达到一定值,超过激发氩气所需的能量即可形成辉光放电,放电气体离解为正电荷离子和自由电子。在电场的作用下,正电荷离子加速轰击到(阴极)样品表面,产生阴极溅射。在放电区域内,溅射的元素原子与电子相互碰撞被激化而发光。辉光放电源的结构示意图,样品作为辉光放电源的阴极  整个过程是动态的,氩气离子持续轰击样品表面并溅射出样品粒子,样品粒子持续进入等离子体进行激化发光,不断有新的层在被溅射,从而获得镀层元素含量随时间的变化曲线。  辉光放电等离子体有双重作用,一是剥蚀样品表面颗粒 二是激发剥蚀下来的样品颗粒。在空间和时间上分离剥蚀和激发对于辉光放电操作非常重要。剥蚀发生在样品表面,激发发生在等离子体中,这样的设计可以很好地抑制基体效应。  氩气是辉光放电最常用的气体,价格也相对便宜。氩气可以激发除氟元素外所有的元素,如需测试氟元素或是氩元素时需采用氖气作为激发气体。有时也会使用混合气体,如Ar+He非常适合于分析玻璃,Ar+H2可提高硅元素的检出,Ar+O2会应用到某些特殊的领域。  光谱仪的主要功能是通过收集和分光检测来自等离子体的光以实现连续不断监控样品成分的变化。光谱仪的探测器必须能够快速响应,实时高动态的观测所有元素随深度的变化。辉光放电光谱仪中多色仪是仪器的重要组成部分,是实现高动态同步深度剖析的保障。而光栅是光谱仪的核心,光栅的好坏决定了光谱仪的性能,如光谱分辨率、灵敏度、光谱仪工作范围、杂散光抑制等。辉光放电是一种较弱的信号,光通量的大小对仪器的整体性能有至关重要的影响。  如何进行定量分析?  和其他光谱仪一样,通过辉光放电光谱仪做定量分析也需要建立标准曲线。不同的是,辉光放电光谱仪的标准曲线不仅是建立信号强度和元素浓度之间的关系,还会建立时间和镀层深度间的关系。  下图是涂镀在铁合金上的TiN/Ti2N复合镀层材料的元素深度剖析,直接测试所得的信号强度(V)vs时间(s)的数据经过标准曲线计算后可获得浓度vs深度的信息,可清晰的读取各深度元素的浓度。  想建立标准曲线就会涉及到标准样品,传统钢铁领域已经有非常成熟的方法及大量的标准样品可供选择。然而一些先进材料和新物质,很难找到标准样品做常规定量分析。HORIBA研发的辉光放电光谱仪针对这类样品开发了一种定量分析方法,称为Layer Mode,该方法可以使用一个与分析样品相类似的参比样品建立简单的标准曲线,实现对待测样品的半定量分析。  辉光放电光谱的主要应用  除了传统应用领域钢铁行业,辉光放电光谱仪现在主要应用于半导体、太阳能光伏、锂电池、硬盘等的镀层分析。下面就这些新型应用阐述一下辉光放电光谱仪的独特优势。  1. 半导体-LED芯片  如上图所示,LED芯片通常是生长在蓝宝石基底上的多镀层结构,其量子阱活性镀层非常薄(仅有几纳米),而且还包埋在GaN层下。这种结构也增加了分析的难度。典型的表面技术如SIMS和XPS可以非常好表征这个活性镀层,但是在分析过程中要想剥蚀掉上表面的GaN层到达活性镀层需要耗费几个小时,分析速度慢,时效性差。  辉光放电光谱仪的整个分析过程仅需几十秒即可获得LED芯片镀层中各元素随深度的分布曲线,可快速反馈工艺生产过程中遇到的问题。  2、太阳能光伏电池  太阳能电池中各成分的梯度以及界面对于光电转换效率来说至关重要,辉光放电光谱仪可以快速表征这些成分随深度的分布,并通过这些信息优化产品结构,提高效率。分析速度快、操作简单、非常适用于实验室或工厂大量分析样品。  3、锂电池  锂离子电池的正极材料是氧化钴锂,负极是碳。  锂离子电池的工作原理就是指其充放电原理。当对电池进行充电时,电池的正极上有锂离子生成,生成的锂离子经过电解液运动到负极。而作为负极的碳呈层状结构,它有很多微孔,到达负极的锂离子就嵌入到碳层的微孔中,嵌入的锂离子越多,充电容量越高。  同理,当对电池进行放电时(即我们使用电池的过程),嵌在负极碳层中的锂离子脱出,又运动回到正极。回到正极的锂离子越多,放电容量越高。我们通常所说的电池容量指的就是放电容量。  辉光放电光谱仪可以通过测试正负电极上各种元素随深度的分布来判定其质量及使用寿命等。  辉光放电光谱仪除独立表征样品外,还可以和其他分析手段相结合多方位全面的进行表征。如辉光放电光谱仪可以与XPS、SEM、TEM、拉曼和椭偏等技术共同分析。  总体来说,辉光放电光谱仪是一种非常方便快速的镀层分析手段。它的出现极大地解决了工艺生产中质量监控、条件优化等问题,此外还开拓了新的表征方向。  关于HORIBA 脉冲射频辉光放电光谱仪  HORIBA研发的脉冲射频辉光放电光谱仪是一款用于镀层材料研究、过程加工和控制的理想分析工具。脉冲射频辉光放电光谱仪可对薄/厚膜、导体或非导体提供超快速元素深度剖析,并且对所有的元素都有高的灵敏度。  脉冲射频辉光放电光谱仪结合了脉冲射频供电的辉光放电源和高灵敏度的发射光谱仪。前者具有很高的深度分辨率,可对样品分析区域进行一层层剥蚀 后者可实时监测所有感兴趣元素。  (本文由HORIBA 科学仪器事业部提供)
  • 辉光放电光谱技术受青睐 市场前景可瞻——访HORIBA辉光放电光谱仪应用支持工程师武艳红及汕头大学王江勇教授
    pspan style="font-family: 楷体,楷体_GB2312, SimKai "  1968年,W.R.Grimm(格里姆)推出了辉光放电光源,很快发展为辉光放电光谱(GD-OES)和表面分析技术,用于材料及镀层金属的逐层分析 1978年,出现了第一台商品化仪器 20世纪90年代,GD-OES在表面分析领域上得到迅速发展....../span/ppspan style="font-family: 楷体,楷体_GB2312, SimKai "  与其它表面分析技术相比,辉光放电光谱仪在深度剖析材料的表面和深度时具有不可替代的独特优势,它的分析速度快、操作简单、无需超高真空部件,并且维护成本低。鉴于此,辉光放电光谱仪受到了越来越多专业人士的关注,其应用领域也不仅仅限于最初的钢铁行业,可分析的材料越来越广泛。/span/ppspan style="font-family: 楷体,楷体_GB2312, SimKai "  那么,辉光放电光谱仪目前的技术水平和市场情况怎么样?用户的实际反馈情况如何?为了深入了解辉光放电光谱仪的技术及市场概况,日前仪器信息网编辑特别采访了HORIBA辉光放电光谱仪应用支持工程师武艳红及汕头大学王江勇教授。/span/pp  span style="color: rgb(255, 0, 0) "strong辉光放电光谱仪中国市场需求量逐年提升/strong/span/ppspan style="color: rgb(255, 0, 0) "strongbr//strong/span/pp style="text-align: center "img title="1.jpg" style="width: 177px height: 246px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201708/insimg/750dd2b6-0440-4ffc-8f38-83060d85a331.jpg" width="177" vspace="0" hspace="0" height="246" border="0"//pp style="text-align: center "strongHORIBA辉光放电光谱仪应用支持工程师武艳红/strong/ppstrong  仪器信息网:从行业发展角度分析,辉光放电光谱仪目前的技术水平如何?有哪些新的技术亟待推出或者有哪些技术瓶颈亟待突破?/strong/pp  strong武艳红:/strong目前,辉光放电光谱仪已经是一类成熟的表面分析设备,被广泛应用到各个领域的定性和定量分析中。辉光放电光谱技术是有损分析技术,在分析后会在表面留有一个溅射坑,但溅射坑使得分析更加深入,检出限更好,当然样品不可回收也是它的主要缺点。不过,如果对内部结构感兴趣的话也可以利用这个溅射坑为其他表面分析设备服务,比如样品剥蚀完后还可以用扫描电镜观测袒露出来的内部表面结构,或是与XPS联合使用获得镀层结构、元素、分子等方面的信息。此外,辉光放电光谱仪目前在定量方面仍受限于国际标准样品的种类及数量,无法为新型镀层材料做定量曲线,尤其是新型材料还处于定性分析阶段,或实验室自行制备参比样品进行定量。/pp  strong仪器信息网:您认为辉光放电光谱仪未来的市场需求情况怎么样?/strong/pp  strong王江勇:/strong目前辉光放电光谱仪主要应用于工业界,比如,钢铁及半导体等行业,相信今后随着相关理论工作进一步地跟进与完善,辉光放电光谱仪不仅会拓宽其在工业领域的应用范围,而且也将逐渐被学术界所接受,更多地应用于表面、薄膜、涂层科学研究,所以,可以肯定辉光放电光谱仪未来市场的需求会越来越大。/pp style="text-align: center "img title="2.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201708/insimg/9b4addd0-8eee-4b0b-afed-fbb63472c775.jpg"//pp style="text-align: center "strong汕头大学 王江勇教授/strong/pp  strong仪器信息网:为什么会选择购置辉光放电光谱仪?主要是基于哪方面的科研需求?/strong/pp  strong王江勇:/strong实验室选择购置辉光放电光谱仪主要有以下原因:深度分辨率较高,溅射速度快 较其它深度剖析设备价格低 完善现有的深度剖析定量分析理论模型 薄膜相变及功能多层膜成分的表征需求等。/pp  strong仪器信息网:贵实验室采购的辉光放电光谱仪的配置情况如何?目前的使用情况如何?取得了哪些研究成果?/strong/pp  strong王江勇:/strong我们实验室于2016年购置的HORIBA GD-Profiler 2辉光放电光谱仪, 配有47个谱线通道,并配有一个可进行扫描的单色通道,可以说是目前配置最为完备的辉光放电光谱仪,原则上可以测量所有元素的辉光激发光谱。另外,该谱仪还配备了去年开发出来的新附件-微分干涉测厚仪(DIP),可进行溅射坑深度的实时测量。/pp  该仪器目前使用良好,几乎每天都有使用。在成果方面,从理论上定量分析了溅射坑形貌对深度分辨率的影响 实验上,对各种基底材料(包括有机材料)最佳的深度剖析条件进行了探索,以确保高分辨率深度剖析的测量。总体来说,目前已对纳米级的金属-金属、氧化物、功能多层膜等进行了高分辨率的深度剖析测量。/pp  strong仪器信息网:为什么会选择HORIBA的辉光放电光谱仪?/strong/pp  strong王江勇:/strong选择HORIBA的辉光放电光谱仪是基于多方面的考虑:产品技术比较成熟,性价比高,售后团队强大等。/pp  从仪器技术的角度,HORIBA的辉光放电光谱仪的射频光源可以适用于导体、半导体及非导体材料,应用面广,符合实验室多类型材料分析的需求 全自动脉冲分析模式对于玻璃衬底样品、热敏感样品或脆性样品的分析至关重要,可以有效抑制元素在分析过程中的元素层间扩散或样品受热下非期望性变化 深度分辨率高,样品剥蚀坑底部更加平整,有效支撑理论计算和模型建立 此外,HORIBA的辉光放电光谱仪还有多项专利技术为仪器性能改善、实际分析带来益处。/pp  span style="color: rgb(255, 0, 0) "strong多项专利技术 HORIBA辉光放电光谱仪优势明显/strong/span/pp style="text-align: center "img title="3.jpg" style="width: 300px height: 357px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201708/insimg/142d7c83-5317-4315-aeb8-ffdf91597c79.jpg" width="300" vspace="0" hspace="0" height="357" border="0"//pp  strong仪器信息网:HORIBA在辉光放电光谱仪方面的研发历史?目前主推的仪器类型?/strong/ppstrong  武艳红:/strong1984年HORIBA拥有了辉光放电光谱仪产线,从此踏上了辉光放电光谱仪不断改进、创新研发之路。。在过去的三十年间,HORIBA应用了17项专利技术以提高其性能,如高动态检测器、全自动脉冲式射频源、polyscan技术、超快速溅射、微分干涉测厚系统(DIP)等。现在辉光放电光谱仪可以分析含量ppm级以上元素随镀层深度的变化,深度分辨率小于1nm,可测深度200um。目前主推的仪器型号为GD-Profiler 2,最新技术有DIP深度测试附件等。/pp  strong仪器信息网:HORIBA的辉光放电光谱仪器相比同类产品有哪些优势?/strong/ppstrong  武艳红:/strong相对于其它表面分析技术如SIMS、XPS、俄歇、能谱仪等,辉光放电光谱仪分析速度快、操作简单且无需超高真空(UHV),良好的深度分辨率还可为扫描电镜剥蚀制备样品。/pp  在同类竞争产品中,HORIBA的辉光放电光谱仪在光谱分辨率相同的情况下,能减小设备的焦长,可提高仪器的稳定性和光通量 采用两个真空泵维持辉光灯的气氛的稳定性,使其深度分辨率低于1nm HDD高动态检测器的线性动态范围可达10^9,当样品浓度从无到100%变化时不会饱和溢出,且无需手动设置电压 HORIBA作为全球光栅领导者,可根据设备特性改良光栅使其光谱分辨率和光谱响应达到当前最佳水平。/pp  strong仪器信息网:HORIBA辉光放电光谱仪在中国的用户情况?/strong/ppstrong  武艳红:/strongHORIBA辉光放电光谱仪目前主要应用于渗氮渗碳、镀锌钢板、LED芯片、太阳能光伏、金属镀层、半导体器件、彩涂板、微弧氧化陶瓷、表面处理等领域。中国对辉光放电光谱仪的接触历史比较短,客户主要集中于钢铁行业、高校研究所和半导体公司。代表客户如鞍钢、武钢、汕头大学、复旦大学、清华大学、原子能研究所、LED公司等。/pp  strong仪器信息网:针对辉光放电光谱仪,HORIBA在市场方面的推广重点在哪里?/strong/ppstrong  武艳红:/strong从近年来用户的关注可以看出,目前主要的问题还是如何快速的让更多科研院所、半导体公司了解该技术。HORIBA每年都会投入大量的市场费用,用于技术交流会、会议赞助、网络讲堂、线下光谱学堂等,以便越来越多的人能够熟知辉光放电技术,并通过这个技术将自己的研究推向更高。/pp  strongspan style="font-family: 楷体,楷体_GB2312, SimKai "后记:/span/strongspan style="font-family: 楷体,楷体_GB2312, SimKai "今年8月份,由汕头大学等单位协办的“a title="" href="http://www.instrument.com.cn/news/20170821/227131.shtml" target="_blank"2017年全国表面分析科学与技术应用学术会议/a”于8月10日-13日在在汕头大学召开。本届学术会议旨在推动我国表面分析科学及其应用技术的发展,促进国内外表面分析研究领域的专家学者交流,探讨表面分析技术与其它学科的共同发展,进一步拓展表面分析技术的应用领域。参加本届会议的代表约130多人,创历届之最,云集了国内外学术界的专业人士,除了来自国内的代表外,还有来自美国、德国、法国、日本、匈牙利、西班牙、新加坡及南非等的国外代表。/span/ppspan style="font-family: 楷体,楷体_GB2312, SimKai "  大会开幕式由汕头大学王江涌教授主持,会议组织安排的六个大会报告既是各位专家对自己研究成果的精彩总结、也是对国内外近年来表面分析科学及其应用技术的高度概括,对广大年轻人的表面分析科学及其应用技术学习、成长和进一步凝练方向具有重要的指导意义,大会报告更是令大家开拓了新的视野。/span/p
  • 用户培训班预告——HORIBA射频辉光放电光谱仪(GD-OES)的应用(上海)
    尊敬的用户: 您好!感谢您一直以来对HORIBA的支持和关注。 射频辉光放光谱仪(GD-OES)是一款适用于材料表面分析和镀层界面元素分析的工具,它正被广泛应用于半导体、陶瓷/玻璃、镀膜钢铁、薄膜和粉末等样品的测试。 为了帮助HORIBA各系列GD-OES的用户提高仪器操作水平以及理论水平,以充分发挥仪器的性能,我公司将举办为期三天的GD-OES应用技术培训班。欢迎有培训需要的用户积报名。 主 办:HORIBA Scientific(Jobin Yvon光谱技术)培训时间:2013年11月20 日-22日培训地点:HORIBA Scientific上海应用中心 (上海市天山西路1068号联强国际广场A栋1层D单元,近2号线淞虹路地铁站)培训对象:HORIBA射频辉光放电光谱仪用户主 讲:Celia Olivero(法国应用实验室经理)、余卫华、武艳红(应用工程师)培训安排: 培训费用:1、1600元/人(保修期内可提供2人/次免费培训),请于11月12日前将费用转至HORIBA公司账户并予以确认。2、培训期间,我们将为您免费提供午餐,住宿、差旅等费用需贵单位自理。报名联系:联 系 人:Ms. Shen (沈小姐) 电 话:021-62896060-161 邮 箱:yilei.shen@horiba.com报名截止:2013年11月12日账户信息:公司名称:堀场(中国)贸易有限公司开户行:三菱东京日联银行(中国)有限公司上海分行账号:404029-00000308854(人民币) 关注我们:邮箱:info-sci.cn@horiba.com新浪官方微博:HORIBA Scientific微信二维码:

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  • 【求助】成都哪儿可以做辉光放电光谱仪测试?

    成都附近哪儿可以做辉光放电光谱仪测试? 各位大哥大姐帮帮忙啊!我主要是想测试涂层表面成分以及深度分布,除了辉光光谱仪外,还有什么仪器可以测试的,本人不是太懂这方面的,向各位请教一下!

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  • 激光脉冲选通系统
    高重复频率(10KHz、20KHz、50KHz、100KHz)激光脉冲选通系统高速激光脉冲选通系统专门为再生激光放大种子注入和脉冲提取而设计,也适合激光脉冲拾取/斩波、锁模脉冲选通、Q开关和倒腔应用。该高速激光脉冲选通系统适合腔内和腔外两种应用,脉冲上升时间和下降时间短至3ns, 它提供了可靠、全固态、高电压开关设计和优良的电光普克尔盒方案。高速激光脉冲选通系统利用高速HV MOSFET开关电路和普克尔盒技术,提供了4种重复频率/电压范围,它使用方便,寿命长,可靠性强,无噪音。高速激光脉冲选通系统高压MOSFET开关模块比较适合RTP电光调制器在550&mdash 2000nm范围内的半波电压,也适合BBO电光调制器在200-532nm上的电压需求。用户只需要旋转控制器面板上的旋钮,就能使得系统在全部电压范围上工作---从小于四分之一电压到半波电压而损失其效率或改变上升和下降时间。与该高速激光脉冲选通系统相配备的电光调Q模块主要有两种:一种是1147型RTP普克尔盒,另一种是1150系列BBO普克尔盒。这两种普克尔和的资料在普克尔和专栏中给出。高速激光脉冲选通系统参数:光谱范围:200-2200nm最大输出脉冲@PRF: 10KHz, 20Khz, 50KHz, 100KHz上升时间:3-4ns光学脉宽:输入输出脉冲延迟:50ns-1000ns输出脉冲抖动:更多高速激光脉冲选通系统,激光脉冲选通系统,脉冲选通系统内容请浏览:
  • 激光脉冲整形器
    我们提供的这款进口激光脉冲整形器是一种性能高度可靠,完全固态化的激光脉冲整形系统。这款激光脉冲整形器的上升和下降时间快到3ns, 非常适合再生放大器的开关,激光脉冲的选择控制,锁模脉冲选通,腔倒空以及Q开关应用。该激光脉冲选择器具有可靠,最低辐射噪音,固态,高电压开关等优点,适合内腔和外腔应用。这套激光脉冲整形器本身包含了高压驱动,电光调制器和高速开关驱动,可独立使用,只需要24V直流电和两个外部出发信号就可以操作使用。激光脉冲整形系统非常紧凑可靠,全固态设计,完全符合美国和欧盟的EMC标准,对人体充分安全。激光脉冲整形器可在宽范围电压下工作,高压驱动模块输出的电压满足300-2000nm电光调制器的半波电压和四分之一波电压的要求。输出脉冲的幅度可通过自带的电位器调节。激光脉冲整形系统参数波长范围:LiNbO3: 700-2500nm KD*P: 300-1100nm上升和下降时间:3-4ns脉宽范围:输出脉冲重复频率:1Hz-2KHz输入输出脉冲抖动:输出脉冲延迟:35ns触发输入电阻:50ohms触发输入脉冲电压:2-5V触发输入脉宽:50-500ns电力要求:24VDC@up to 1.5A尺寸:4x4.5x9.5英寸领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!
  • HD-系列 短脉冲激光器
    短脉冲激光器——Short-pulse laser通过对晶体形状、散热和光腔设计的优化组合,使得INNOSLAB激光器对比其它激光器类型拥有非常多的优点和其它激光器类型不具备的独特性能.-短脉宽和高峰值功率–产生的极其微小的热区域,更适于高精度加工-近似理论值极限的高光束质量-更适合微加工-高功率和功率可提升-更高的生产效率-结构紧凑和性能稳定可靠–低运行成本-高效率-低能耗,利于环保-输出光斑分布的高灵活性-绿色加工和最大的能源效率INNOSLAB短脉冲和超短脉冲激光器标准产品包括以下各种电光调Q的INNOSLAB激光器,使用不同的激活介质,具有不同的脉冲能量、输出功率和波长:-光束质量: M2 -脉冲能量可达到60mJ-脉宽可达到4ns以下-峰值功率可达到7MW-脉冲重复频率可到150 kHz-平均功率可达600W-波长1064、532、355、266nmINNOSLAB激光器和放大器的一个与众不同的杰出特性在于其光束形状可量身定制:从圆形高斯模式到一维线状平顶以及两维方形平顶等等。HD-系列短脉冲激光器——HD-Series short-pulse laserHD-系列是具备高功率和高脉冲能量电光调Q的INNOSLAB激光器.技术参数:-光束质量: M2 -脉冲能量达60mJ-脉宽可小于4ns-峰值功率达7 MW-重复频率可达150kHz-平均功率达600W-波长1064、532、355、266nm主要应用:-光伏领域,如薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池导电层和绝缘层的烧蚀-显示领域,如导电层的织构化,硅片的有序横向晶化-科研领域,如作为染料激光器、OPO以及Ti:宝石激光器的泵浦,粒子成像测速 综述:
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