进口四探针粉末测试仪

四探针粉末电阻率测试仪FTDZS-I产品名称：粉末电阻率试验仪（四探针法）产品型号：FTDZS-I参考标准：YS T 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6 部分：粉末电阻率的测定.pdfGB/T 24525-2009 炭素材料电阻率测定方法GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电导率的测定方法中用于仲裁方法的四探针法要求制作产品概述：粉末电阻率试验仪主要用于测量粉末材料电阻率试验的专用仪器.由于粉末材料的密实度不同,在松装和振实密度条件下,所测试得到的数据是不同的,所以测试粉末电阻,要求在规定的压力条件下进行测试.便于进行有效数据的测试及对比.仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源测量试验设置通过触摸屏进行操作和设置，页面布局合理，人性化设计，可对测试结果进行打印。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于导体粉末、半导体粉末、炭素材料等行业，进行检测必备测试设备。 仪器主要技术指标： 一、测量范围：测量半导电电阻率时： 电阻率10-5--105Ω-cm；分辩率10-6Ω-cm测量其他（电线电缆）电阻时： 电阻10-4--2X105Ω，分辨率1uΩ二、 电压测量：1． 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V2． 测量误差 2mA档±(0.5%读数+8字)；20mV—2V挡±(0.5%读数+2字)3． 显示4 1/2 位数字显示0—19999具有极性和过载自动显示，小数点、单位自动显示。三、 恒流源：1． 电流输出：1μA 、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA．2. 电流误差：±(0.5%读数+2字)四、 测量电极：1、测量电极：四探针2、探针间距：1MM 3、电极材质：钨棒4、压片直径：2cm 面积3.142cm^25、粉末试样量：2.501g--2.5099g五、加载装置：1、加载电极1：手动加载2、加载电极2：自动加载3、传感器量程：10KN

ST2722-SZ型四探针法粉体粉末电阻率测试仪产品信息名称：ST2722-SZ型四探针法粉末电阻率测试仪品牌：苏州晶格产品特点 ST2722型半导体粉末电阻率测试仪是四探针法测试粉末电阻率的测量仪器。 四探针法测试台设计符合符合新GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“电阻率-压强曲线，” 原厂专利产品，行业粉末电阻率标准测试方式。产品特写图 操作-加料准备 操作-加料完毕 操作-调节料杯容量控制加料量 读取-电阻率值和测试压强条件参数 二、概述 2.1基本功能和依据标准： ST2722型半导体粉末电阻率测试仪是运用四探针法电阻率测试仪与自动化粉末压片机相组合，测试粉末“电阻率-压强”特性曲线的集成化、智能化测量仪器。四探针法符合新GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。2.2仪器成套组成：整套仪器有ST2722电阻率测试仪主机和SZ或SD型粉末压片机两大部分以及配套的电脑软件组成。 主机是整个系统电气控制显示主要部分，主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统单元以及压力、厚度显示单元、与PC机通讯单元等组成。压片机压片机由粉末标准容器、电极、加压机构、压力检测、厚度检测、连接线缆等单元组成。是粉末压片成型装置，用来装夹粉末（含高分子粉末和金属粉末等），进行压力施加（压片）和自动压力检测、高度检测。（以下简称压片机）。2.3优势特征： 1)测试仪设计，符合国标和行业规范，获国家专利。专利号：ZL201220082173.9 ST2722-SZ四探针法设计符合***新GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。2)同步式连续多点测试，高效快捷、准确度高、重复性好。一次装料，电阻率、压强、高度同步式连续多点测试，可快速绘制粉末“电阻率-压强”曲线。行业推荐粉末电阻率标准测试方式。可避免传统异步式的先压片脱模后再四探针测试的缺项：误差大，重复性差，直至散块不能成形无法测试的问题。3)带智能化电脑软件.可以保存、查询、统计分析数据和打印报告。4）USB通讯接口，通用性好、方便快捷。优于RS232或485方式，这些端口一般电脑都难配了！5）8档位超宽量程。同行一般为五到六档位。6）可脱电脑单机操作,小型化、手动/自动一体化。操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数码键盘输入。7）可拓展功能：压片机可独立当普通压片机用，电阻率测试仪也可以增配四探针测试台、探头拓展为普通四探针测试仪或电池极片电阻率测试仪。2.6适用范围： 本仪器具有操作简便高效、测量精度高、稳定性好、重复性好，一机多用使用方便等特点。也是区别于以往旧款同类测试台新特点！ 本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门、是检验和分析固态和粉态样品质量的一种重要优良工具。三、技术参数3.1.电阻率测量范围、分辨率电 阻 率：10.0×10-6～ k×200.0×103Ω-cm 分辨率1.0×10-6～ 0.1×103Ω-cm,k=1～103.2.电阻率量程划分及误差等级满度显示200.020.002.000200.020.002.000200.020.00量程KΩ-cmΩ-cmmΩ-cm基本误差±2%读数±4字±1.5%读数±4字±0.5%读数±2字±0.5%读数±4字3.3.数字电压表：⑴量程：10mV ～ 100 mV，自动⑵显示: 4位有效数字，显示999.9，小数点、单位自动显示3.4.数控恒流源8档宽量程电流输出：系统自动步进调整，直流电流0.1μA，1.0μA，10μA，100μA，1.0mA,10mA,100mA,1.0A共8档可调。3.5.粉末测试台部分参数：（1）试样成份：成份不限，但不得含有对测试台和电极有腐蚀作用的成份。（2）试样粒度：推荐以40目以下—60目以上（标准筛网），一般其他粒度也可！（3）料杯容积：截面：S=1.0cm2 高度：0～20mm可调,（4）自动高度测试单元，测量误差：±0.02mm。 四位有效显示数00.00～20.00mm，分别率±0.02mm。（5）自动压强测试单元，标准压强：P0=4Mpa±0.05Mpa。 压强量程：20Mpa, P=0～20 Mpa可调。四位有效显示数00.00～20.00MPa，分别率±0.01 MPa。（6）、压力机构采用手动操作、压力平稳可调。3.6.配套PC软件1 USB高速通讯接口。2带数据库方式存储数据，便于历史查询和第三方软件拓展共享。3自动生成excel形式的图表结合的测试报告,包含电阻率-压强曲线图形和详细测试数据。4带测试报告预览、编辑、打印功能。3.7.测试仪外形与重量前宽×长×总高=250mm×220 mm×540mm重 量=10Kg3.8.电源：功 耗：10W输入:220V±10% 50Hz3.9.本仪器工作条件为：温 度： 0-40℃相对湿度： ≥60%工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… …

ST2742B型 四探针法电动粉末电阻率测试仪产品信息名称：ST2742B型四探针法[四端子法]电动粉末电阻率测试仪品牌：苏州晶格产品特点ST2742B型 电动粉末电阻率测试仪 是运用四端子法 或四探针法 测试粉末“ 电阻率-压强 ” 性能曲线的测量分析仪器。四端子法符合GB/T 24521-2009和YS/T 587.6-2006有关国标和行 业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。 四探针法测试台设计符合 符合 ***新GBT 30835 -2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551 - 2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A. S . T .M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“ 电阻率-压强曲线， ” 行业粉末电阻率标准测试方式。产品软件界面二、概述 2.1基本功能和依据标准： ST2742B型 电动粉末电阻率测试仪 是运用四端子法 或四探针法 测试粉末“ 电阻率-压强 ” 性能曲线的测量分析仪 仪器组成：整套仪器有四探针（四端子）主机和电动粉末测试台两大部分组成。 主机：是整个系统电气控制显示核心部分，主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统单元以及压力检测、厚度检测、彩色液晶显示窗口等单元组成。 粉末测试台：是连接测试主机，用来装夹半导体粉末（含高分子粉末和金属粉末等），进行电动自动压力施加（压片），并同步进行电阻率测试的装置（以下简称测试台）。 测试台为粉末标准容器、电极、加压机构、压力检测、厚度检测、连接线缆等单元组成。 2.2优势特征：1)测试台设计，符合国标和行业规范。有如下两款： 四端子法符合GB/T 24521-2009和YS/T 587.6-2006有关国标和行业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。 四探针法测试台设计符合 符合 ***新GBT 30835 -2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551 - 2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A. S . T .M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“ 电阻率-压强曲线， ” 行业粉末电阻率标准测试方式。 2）仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入；具有零位、满度自校功能；电压电流全自动转换量程；测试结果由彩色液晶屏直接显示。 3）压力机构采用电动执行，压力（压强）平稳可调、可保持。电子传感器自动同步检测、显示压力（压强）值和样本高度值。故本测试台可一边加压一边同步测试电阻率，可方便测绘粉末样品 “电阻率-压强”的性能曲线；也可以单独作为粉末压制成片的工具使用。 4）本测试仪配有成套PC软件，故不但可以单独（脱机）操作，还可以连接PC软件，自动保存当前测 试数据、查询并统计分析历史数据、打印测试报告等！ 2.3适用范围：本仪器具有测量精度高，操作简便、稳定性好，重复性好，一机多用使用方便等特点。也是区别于以往旧款同类测试台新特点！本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门、是检验和分析固态和粉态样品质量的一种重要优良工具。 三、技术参数3.1.电阻率测量范围、分辨率电阻率:15.0×10- 6 ～200 . 0×10 3 Ω-cm 分辨率1 . 5×10-6 ～0. 1×103 Ω- cm （1 .0×10-6 ～200. 0×101 Ω- cm 分辨率0 . 1×10-6 ～0 .1×101 Ω- cm） 3.2.电阻率量程划分及误差等级满度显示200.020.002.000200.020.002.000200.020.00量程KΩ-cmΩ-cmmΩ-cm基本误差±2%读数±4字±1.5%读数±4字±0.5%读数±2字±0.5%读数±4字 3.3.数字电压表：⑴量程：10mV ～ 100 mV，自动⑵显示: 4位有效数字，显示999.9，小数点、单位自动显示3.4.数控恒流源电流输出：直流电流0. 1mA～1000mA可调，系统自动步进调整。3.5.粉末测试台部分参数：（1）试样成份：成份不限，但不得含有对测试台和电极有腐蚀作用的成份。 （2）试样粒度：推荐以40目以下～60目以上（标准筛网），一般其他粒度也可！ （3）试样容器：内径：φ11 .28mm（S=1. 0cm 2） 高度：0～20mm可调,带高度传感器监测，测量误差： ±0. 02mm。 （4）测试压强 压强量程：30Mpa, P=0～30 Mpa可调。 （5）压力机构采用电动操作、压力平稳可调。压强可以阶梯式、多点预设，一次性自动完成。 四位有效显示数00 . 00～30 .00MPa，分别率 ±0 . 01 MPa。 3.6.测试仪外形与重量前宽×长×总高=300mm×310 mm×470mm重 量=15Kg3.8.电源：功 耗：50W输入:220V±10% 50Hz3.9.本仪器工作条件为：温 度： 0-40℃相对湿度： ≥60%工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。

冠测粉末电阻率测试仪（四探针法）FTDZS-I产品概述：粉末电阻率试验仪主要用于测量粉末材料电阻率试验的专用仪器.由于粉末材料的密实度不同,在松装和振实密度条件下,所测试得到的数据是不同的,所以测试粉末电阻,要求在规定的压力条件下进行测试.便于进行有效数据的测试及对比.仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源测量试验设置通过触摸屏进行操作和设置，页面布局合理，人性化设计，可对测试结果进行打印。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于导体粉末、半导体粉末、炭素材料等行业，进行检测必备测试设备。

覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… …

四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE　ResMap&ndash CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点： 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪（Four point probe(4PP)）设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜，半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量，半导体，光伏特点：1）针尖压力一致2）适用于各种基底材料3）友好的用户界面4）快速测量5）数据可存储 应用：1）方块电阻2）薄片电阻3）掺杂浓度4）金属层厚度5）P/N类型6）I/V测试

最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好，采用双屏蔽高频测试线缆，提高测试参数的精确度，同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件，具备弹性的自定义功能，可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置，符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制，当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数据，设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如，它具有更短的测试时间，通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限，那么该源就被钳位在此极限，从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器，为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器，在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈；解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷；采用单测和分析两种界面，让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术，在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求，特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响，将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量，让测试更加稳定可靠，吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时，这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱（4象限）工作，0.012%基础测量精度（6位半分辨率）。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒（4位半分辨率），通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能，在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉，主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温过程速度慢，效率低下。也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热及高速冷却时，具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却 ，用石英管保护加热试样，无气氛污染。可在高真空，高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比，红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现全新的温度控制操作！高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体 静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力，实现一机多用█ 多功能真空加热 炉，可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置，降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更精准█ 近红外加热，样品受热更均匀，不存在感应电流，达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计，一体化设计机械结构，更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线，抗干扰能力更强，采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘，配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围： RT-800 (最高1650)°C 控温精度：±0.25°C 升温斜率：10°C/min（可设定） 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式：近红外加热 冷却方式：水冷 输入电压：110~220V 样品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm 电极材料：碳化钨针 夹具辅助材料：99氧化铝陶瓷 测量方式：直接四探针 测试功能：I-V、R-T等 数据传输：4个USB接口 设备尺寸：600x500x350mm动态测量范围：电流：10pA to 10A 电压：1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度，5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能

四探针低电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式（选购）11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm13.净重量：约6kg14.标配外选购：1）.标四探针低电阻率测试仪本标准修改采用SEMIMF84-1105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMIMF397-1106《硅棒电阻率测定两探针法》。本标准与SEMIMF84-1105和SEMI MF 397-1106相比,主要变化如下:--中厚度修正系数F(W/S)表格范围增加 一按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。本标准代替GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《硅、锗单品电阻率测定直排四探针法》。本标准与GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下变化:一一删除了锗单晶测定的相关内容 一用文字描述代替了原标准GB/T 1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的表格 --修改了直排四探针法中计算公式 --补充了干扰因素。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本标准主要起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:--GB1552-1979、GB1551--1979、GB5251--1985、GB5253-1985、GB 6615-1986 GB/T 1551-1995、GB/T1552--1995。四探针低电阻率测试仪1范围本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法.本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1X10-Ω・ cm~3X10' Ω.cm.2环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。3干扰因素3.1光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要排列成一直线的四根探针垂直地压在距离边缘6mm以上的平坦试样表面上,将直流电流I在两外探针间通入试样,测量内侧两探针间所产生的电势差V,根据测得的电流和电势差值,按式(1)计算电阻率。对圆片试样还应根据几何修正因子进行计算。测量示意图见图1.p=2xs￥..…………--…(1)式中:一电阻率,单位为欧姆厘米(Ωcm) V-测得的电势差,单位为毫伏(mV) I一通入的电流,单位为毫安(mA) S一探针间距,单位为厘米(cm).四探针低电阻率测试仪直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.5.2电学测量装置由下列几部分组成。5.2.1任何满足7.1.6要求的电路均可用来进行电学测量。推荐电路(见图2)包括下述几部分。电位选择开关恒流源标准电阻数字电压表0.001mA一100mA电流选择开关探针装置圈2推荐电路图5.2.2恒流源,电流范围为10-'A~10-*A,纹波系数不大于士0.1%,稳定度优于士0.05%。5.2.3电流换向开关。5.2.4标准电阻,0.01 0~100000Ω.0.05级.5.2.5双刀双掷电位选择开关,图2推荐电路需要这一开关来选择测量标准电阻或试样上电势差。5.2.6数字电压表,可用来测量以毫伏为单位的电势差或者连同电流源一起校准到能直接读出电压-电流比值。测量满量程为0.2mV~50mV,分辨率为±0.05%(3&half 位有效数字),输入阻抗大于10°倍试样电阻率。如试样电阻率仅限定在某一数值范围内,一个较小满量程范围就足够了。5.3样品架/台,用于固定试样的合适夹具。5.4散热器,用一直径至少为100 mm,厚为38 mm的铜块来支撑圆片试样和起散热器作用(图3)。它应包括一个容纳温度计的小孔,使温度计能放置在离试样10mm范围内的散热器中心区。散热器上放一片10 μm~25μm厚的云母片,使试样和散热器电绝缘。在云母片和铜块间、温度计孔中填充矿物油活动有机硅散热以减少热阻。散热器安放应能使探针尖端阵列中心在试样中心的1mm以内。散热四探针低电阻率测试仪GB/T 1551-2009器应与电学测量装置的接地端相连接。为了迅速对准试样中心,可在散热器表面加工一个与铜块同心的浅圆环。一样品云母片38mm温度计100mm图3带有样品、云母片和温度计的散热器5.5 研磨或喷砂设备,用以提供平坦的试样表面。研磨设备应能将圆片试样研磨到厚度变化不大于试样中心处厚度值的±1.0%，5.6机械或电子厚度测量仪,能测量试样不同位置的厚度,精度优于±1.0%。5.7千分尺或游标卡尺,分辨率优于士0.05 mm。5.8微移动机构,能以0.05 mm~0.10mm增量使探针装置或硅表面以垂直于探针尖端连线方向并平行于硅表面移动。5.9 工具显微镜,分辨率为1μm。5.10显微镜至少放大400倍。5.11温度计或其他测温仪器0℃~40℃,分度值为0.1℃。5.12欧姆计,能指示大于10°Ω绝缘电阻。5.13超声波清洗器,具有适当频率(18 kHz~45 kHz)和功率。5.14化学实验室器具(如塑料烧杯、量筒、处理和清洗酸及其蒸气所需的设备等)。6试样制备6.1 试样用W14#(粒径为10μm)金刚砂研磨上下表面,保证无机械损伤、无沾污物。6.2在不包括参考面或参考缺口的圆周上测量直径3次,计算试样的平均直径D。试样直径应大于10倍平均探针间距S,直径变化不大于D的D/5S%,记下D值。6.3在试样上测量9个点的厚度(见图4)。要求各测量点厚度与试样中心点厚度的偏差不大于士1.0%,记下试样的中心厚度W.

双电测电四探针方阻电阻率测试仪环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。干扰因素光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈尽可能使用非导电的工作桌工作台。操作人员和待测物之间不得使用任何金属。操作人员的位置不得有跨越待测物去操作或调整测试仪器的现象。测试场所必须随时保持整齐、干净，不得杂乱无章。测试站及其周边之空气中不能含有可燃气体或在易燃物质。4.3.4人员资格本仪器为精密仪器，必须由训练合格的人员使用和操作。4.3.5安全守则操作人员必须随时给予教育和训练，使其了解各种操作规则的重要性，并依安全规则操作。圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.双电测电四探针方阻电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm双电测电四探针方阻电阻率测试仪安全要点● 非合格的操作人员和不相关的人员应远离测试区。● 万一发生问题，请立即关闭电源并及时处理故障原因。双电测电四探针方阻电阻率测试仪衣着规定操作人员不可穿有金属装饰的衣服或戴金属手饰和手表等，这些金属饰物很容易造成意外的感电。4.3.7医学规定绝对不能让有心脏病或配戴心律调整器的人员操作。4.4测试安全程序规定 一定要按照规定程序操作。操作人员必须确定能够完全自主掌控各部位的控制开关和功能。双电测电四探针方阻电阻率测试仪操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④_x0001_ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。

四探针测试仪产品名称：四探针测试仪产品型号：HCTZ-2S品牌：北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，采用两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料：碳化钨，常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表，在测量电阻率的同时，一块数字表适时监测全程的电流变化，及时掌控测量电流，一块显示2、3探针间的测量电压，另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压，可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金，硬度高、常温不生锈，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接，软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线，兼容性：适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro，采用labview系统开发，符合导体、半导体材料的各项测试需求，具备强大的稳定性和安全性，并具备断电资料的保存功能，图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能；可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件：时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告：可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能：可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻：1×10-4~2×105Ω， 分辨率：1×10-5~1×102Ω电阻率：1×10-4~2×105Ω-cm， 分辨率：1×10-5~2×102Ω-cm方 阻：5×10-4~2×105Ω/□， 分辨率：5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程：20.00mV~2000mV误差：±0.1%读数±2字数控恒流源量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA,1A误差：±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针：Ф0.5mm，直流探针间距1.0mm，探针压力：0~2kg可调薄膜方阻探针：Ф0.7mm，直流或方形探针间距2.0mm，探针压力：0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书，规范操作2、轻拿轻放，避免仪器震动，水平放置，垂直测量3、仪器不使用时请切断电源，连接线无需经常拔下，避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束，套好护套，避免人为断针

多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-4～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统，设备的安全性；选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电 流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域： █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃（ito）材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能： █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点： 多功能真空加热炉，一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度， █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率； █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更准确； █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计，一体化设计机械结构，稳定、可靠； █ 程控电子升压技术，纹波低、TVS防护系统，保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针； █ huace pro 强大的控制分析软件。

1：四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号：HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。　术　　标 ： 测量范围 电阻率：10-5～105 &Omega .cm(可扩展)； 方块电阻：10-4～106 &Omega /□(可扩展)； 电导率：10-5～105 s/cm； 电阻：10-5～105 &Omega ； 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10&mu V； 输入阻抗：1000M&Omega ； 度：± 0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；性、量程自动显示；四探针探头基本标 间距：1± 0.01mm； 针间缘电阻：&ge 1000M&Omega ； 机械游移率：&le 0.3%； 探针：碳化钨或速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片：0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口，速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。连接电脑使用时带自动测量 能，自动选择适合样品测试电流量程；标准使用环境 温度：23± 2℃； 相对湿度：&le 65%； 无频干扰； 无强光直射；配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2：多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器（100ml） 型号：HAD/CZY-100产品介绍：主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势：1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端，沿切割印掰断，用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端（防止漏气），插入所要检测标注的气体通道口上（稍用力插紧）。注意方向性，箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管，按以上方法均插好之后，接通电源，即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器，使其符合标（见附表）。6、检测结束，拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下，并垂直于地面放在与目光基本不平的位置，观察管上颜色变化所刻度，既为被检测气体的浓度。 （1）双重优点：测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化，是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。（2）适应性好：检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种，从零点到几个PPM（10-6）到百分之几十，适用范围很大，为分析作提供了很大方便。（3）操作简便：为专业检验人员提供了很大的方便，操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。（4）使用安：使用时手动操作，无需要电源、热源，在有易燃易气体存在的场所能安使用。（5）分析速度快：由于操作方便，使得每次分析所需时间大为缩短，般仅需十几分钟即可得知结果，其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。（6）测量度：在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件，采用不同标准气标定，克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示：以上产品资料与图片顺序相对应。

四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤4%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。

四探针电阻率测试仪/四探针电阻率仪/方阻测试仪/方阻仪/四探针电阻率测定仪（自动测试台+带软件） 型号：KDK-KDY-1四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另块数字表（以分之几的度）适时监测程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。主机还提供度为0.05%的恒流源，使测量电流度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些箔层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，地保护箔膜。“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器，测量硅片时可自动行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均习庋。给测量带来很大方便。2、主机能数（1）测量范围：可测电阻率：0.0001～19000Ω?cm可测方块电阻：0.001～1900Ω?□（2）恒流源：输出电流：DC 0.001～100mA 五档连续可调量程：0.001～0.01mA0.01～0.10mA0.10～1.0mA1.0～10mA10～100mA恒流度：各档均低于±0.05%（3）直流数字电压表：测量范围：0～199.99mV灵敏度：10μV基本误差：±（0.004%读数+0.01%满度）输出电源：≥1000ΩM（4）供电电源：AC 220V±10% 50/60 Hz 率：12W（5）使用环境：温度：23±2℃ 相对湿度：≤65%无较强的电场干扰，无强光直接照射（6）重量、体积：主机重量：7.5kg体积：365×380×160（单位：mm 长度×宽度×度）备注：等测量时（测电阻率），度3%电气测量时（测电阻），度在0.3%以内 备注：仪器包括：主机台；测试架（包括台面）个；四探针头1个；软件

FT-301系列自动导体粉末电阻率测试仪（多功能型）FT-301 Series intelligent powder resistivity test system (upgrade)一、概述Overview：采用一体化结构设计，将粉末比电阻的测量与粉体电阻率/电导率分析为一体，测量与数据分析通过PC软件完成，粉体压强与电阻值、电阻率、电导率值的变化关系；粉体受到压缩直至平稳时，描述了粉体在压缩体积变化过程中，电性能的变化趋势，还可描述粉体压缩后压力减少过程中粉体因自身特性内聚力反弹形变或恢复过程变化曲线图谱；采用自动操作模式运行，自动数据分析与管理。四端法测量模式。二、适用范围Scope of application：需要对电性能进行分析的导电性粉末，如：锂电池材料、石墨烯、石墨类、碳素粉末、焦化、石化、粉末冶金等生产加工企业部门；高等院校、科研部门，质量检验机构，质量管理部门，研发部门等。三、参数资料Parameters规格型号modelFT-301AFT-301BFT-301CFT-301D1.电阻resistance10-8～2×105Ω10-7～2×107Ω10-6～2×106Ω10-5～2×106Ω2.电阻率范围Resistivity10-8～2×105Ω-cm10-7～2×107Ω-cm10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm3.电导率Conductivity5 ×10-5～108s/cm5×10-7～107s/cm5×10-6～106s/cm5×10-6～105s/cm4.测试电流范围 current0-10A，最小100uA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA 8.PC软件界面display电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算、横截面、高度、曲线图谱、报表等.resistance, resistivity, conductivity, temperature, pressure value, the unit automatically conversion, cross-section, height9.高度量程和精度高度测量范围：0.001-10.001mm，测量分辨率0.001mm，可测0.1mm厚度样品14.压力选购a.200kg； b.300kg； c.500kg； d.1000kg15.粉末模具标配：a.压力200kg和300kg机型模具内径10mm； b. 压力500kg和1000kg机型模具内径20mm； 模具行程高25mm ； 16.加压方式Pressurized way自动Automatic关联产品：FT-100A/100B/100E振实密度测试仪；FT-100F压实密度仪；FT-2000A/B自动粉体综合特性测试仪 ；FT-201系列自动导体粉末电阻率测试仪（经济型）温馨提示：粉体/颗粒分析仪器；粉体/颗粒检测实验室；粉体/颗粒仪器租赁；粉体/颗粒分析解决方案---瑞柯仪器FT-201系列自动导体粉末电阻率测试仪（经济型）一、概述Overview：采用PC软件自动测量，自动读取样品压缩过程中高度以及实时电阻/电阻率/电导率过程数据.自动生成报表，描述过程变化曲线图谱，自动步进加压，自动脱模，自动恒压测量，USB和232通讯端口，四端法测量模式，恒流源测量，自动档位切换，可选择压力量程，紫铜度金电极，旋转式电极结构，操作便利.二、适用范围Scope of application：需要对电性能进行分析的导电性粉末，如：锂电池材料、石墨烯、石墨类、碳素粉末、焦化、石化、粉末冶金等生产加工企业部门；高等院校、科研部门，质量检验机构，质量管理部门，研发部门等。三、参照标准：GB∕T24521-2018炭素原料和焦炭电阻率测定方法 YS/T 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6部分粉末电阻率的测定三、参数资料Parameters规格型号FT-201A FT-201B FT-201C1.电阻 10-7～2×107Ω 10-6～2×106Ω 10-5～2×106Ω2.电阻率范围10-7～2×107Ω-cm10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm3.电导率5×10-7～107s/cm5×10-6～106s/cm5×10-6～105s/cm8.PC软件界面电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算、横截面、高度、曲线图谱、报表等.9.高度量程和精度高度测量范围：0.01-10.01mm，测量分辨率0.01mm13.压力选购a.200kg； b.300kg； c.500kg； d.1000kg14.粉末模具标配：a.压力200kg和300kg机型模具内径10mm； b. 压力500kg和1000kg机型模具内径20mm； 模具行程高25mm ； 15.加压方式自动配套产品：自动粉体综合特性测试仪系列；自动粉体流动测试仪系列；自动粉末电阻率测试仪系列；粉体密度测试仪系列；粉体休止角/安息角测定仪系列；水分仪，粒度仪温馨提示：导体粉末如：石墨粉，碳粉，电池材料，焦炭，金属粉末，石墨烯，碳素及新材料导体类粉体，通过自动测量方式，解决人为误差对测试结果的影响，从而获得稳定数据，通过图谱形态可以观察出粉体在不同压实密度下的变化趋势，这种方法是通用的，在一些研究领域，我们还有多功能自动机型，主要在，重复性和精度，适合在研究分析使用---瑞柯仪器FT-8400系列自动绝缘粉末电阻率测试仪（多功能型） 一．概述Overview：绝缘粉末电阻率测试仪通过分析绝缘粉末在不同压强/压力下，表征粉末在不同的空隙率状态下电绝缘性能的变化趋势.从而预测评估粉末在实际生产，研发，质量提供参考依据. 采用PC软件操作，粉体压缩前及压缩后压力增减过程中粉体因自身特性内聚力反弹形变或恢复过程变化曲线图谱；自动测试过程数据曲线及图谱分析，实时分析压强/压力与电阻，电阻率，电导率的变化关系，及报表生成，存储，打印等；荷重单元可选择性量程配置，直读粉末压缩位移值，显示电阻值、电阻率、压强值、单位自动换算， 二.适用范围：应用于：塑料粉末，涂料，树脂粉末，化工粉末，橡胶粉等具有类似性质之绝缘粉体颗粒物料的测量与分析.也适应于测量绝缘粉末因压缩过程中内聚力变化从而产生静电测量分析.三．型号及指标Models and indicators：规格型号/ Specification modelFT-8400AFT-8400B1.电阻范围resistance range104Ω～1×1013Ω104Ω ～1×1016Ω2.电阻率范围resistivity range104Ω～1×1013Ω-cm104 ～ 2.0×1016 Ω-m3. 测试电压0-1000V 4.电阻精度resistance1%--5% (标准电阻)1%-15% (标准电阻)不同量程误差范围5.PC软件界面电阻、电阻率、单位切换、电流、电压、厚度 、图谱显示，压力设定，压强，报表导出，波形刷新，时间设定，启动、停止、运行6.测试方法测试粉末采用两电极法，（固体材料可外接三环电极法） 7.模具mold:标配：a.压力200kg和300kg机型模具内径10mm； b. 压力500kg和1000kg机型模具内径20mm； 模具行程高25mm ；8. 压力选购:a.200kg； b.300kg； c.500kg； d.1000kg9. 模腔行程：0-20mm10. 样品高度Sample height 样品高度范围：0.001-10.000mm，测量分辨率0.001mm，可测样品压缩厚度0.1mm 11. 恒压时间： time:0-99.9s12.温湿度范围Temperature and humidity常温-50度；湿度：20%-98%/13. 标配标准件Standard Partsa.标准校准电阻1个；b.标准高度校准件1个14.测试方式自动测量Automatic measurement15. 加压方Pressurized 自动Automatic16. 脱模方式Stripping 自动Automatic17.电极材质Electrode铜电极Copper material18.吸尘系统Vacuuming system 外置吸尘处理External dust treatment19.误差： errors1%-15%受材料特性及量程误差范围不同.20.工作电源: Power supply输入: AC 220V±10% ,50Hz ：60W21. 标配外选购Others buya.电脑和打印机依据客户要求配置； b.计量证书1份 c.水分仪 d.真密度仪FT-8200系列自动四探针粉末电阻率测试仪（多功能型）FT-8200 Double current four probe powder resistivity test system 一、功能概述：Functional overview测量到-5次方或-6次方，采用集成电路模块； USB，232通讯接口，直流恒流源 ，提供四点探针法测量模式，采用PC软件操作，粉体压缩前及压缩后压力增减过程中粉体因自身特性内聚力反弹形变或恢复过程变化曲线图谱；自动测试过程数据曲线及图谱分析，实时分析压强/压力与电阻，电阻率，电导率的变化关系，及报表生成，存储，打印等；二、参照标准：Meet Standard1）四探针测试仪参照GB/T 1551、GB/T1552-1995，ASTM F84美国A.S.T.M 标准。The four-probe tester meets GB/T 1551, GB/t1552-1995, ASTM F84 U.S. A.S.T.M standard.2）四探针法粉末测试平台参照GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电导率的测定方法中用于仲裁方法的四探针法要求制作三、适用范围：Scope of application用于锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料电阻率的测量；也应用于需要采用四探针法测量的导体或半导体粉末材料的分析与检测；用于石墨类粉状材料电阻率的测量；应用于企业品质检测；研发部门，大中专院校；科研院所；及质量检测机构.四、参数资料Parameters规格型号/ Specification modelFT-8200AFT-8200BFT-8200CFT-8200D1.方块电阻范围sheet resistance range10-5～2×105Ω/□10-6～2×105Ω/□10-4～2×104Ω/□10-4～1×107Ω/□2.电阻率范围resistivity range10-6～2×106Ω-cm10-7～2×107Ω-cm10-5～2×105Ω-cm10-5～2×108Ω-cm电导率范围Conductivity range5×10-6～106ms/cm5×10-7～107ms/cm5×10-5～105ms/cm5×10-8～105ms/cm3.测试电流范围test current range0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA、1000mA0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10mA ---200pA4.电流精度current ±0.1% accuracy±2%软件界面电阻、电阻率、方阻、温度、单位切换、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、图谱显示，压力设定，压强，报表导出，波形刷新，时间设定，启动、停止、运行6.测试方式Test method双电组合测量ordinary single electrical measurement7.模具mold:标配：a.压力200kg和300kg机型模具内径10mm； b. 压力500kg和1000kg机型模具内径20mm； 模具行程高25mm ；8. 压力选购pressure:a.200kg； b.300kg； c.500kg； d.1000kg9. 模腔行程：Die cavity stroke:0-20mm（样品压实厚度建议在4mm内）（Sample compaction thickness is recommended in 4mm）10. 样品高度Sample height 样品高度范围：0.001-10.000mm，测量分辨率0.001mm，可测样品压缩厚度0.1mm 11. 恒压时间： time:0-99.9s12.温湿度范围常温-50度；湿度：20%-98%/13. 标配标准件a.标准校准电阻1个；b.标准高度校准件1个14. 测试方Test mode a.四点探针法 Four - point probe methodb.自动测量Automatic measurement15. 加压方Pressurized 自动Automatic16. 脱模方式Stripping 自动Automatic17.电极材质Electrode铜针Copper material18.吸尘系统外置吸尘处理External dust treatment19.误差： errors3%； 重复性误差2%以内（平均性误差，人为因数外）注明FT-8200D ≤5%-10%以内（因材料差异不同影响）20.工作电源: Power supply输入: AC 220V±10% ,50Hz ：60W21. 标配外选购Others buya.电脑和打印机依据客户要求配置； b.计量证书1份 c.水分仪 d.真密度仪FT-7200系列自动四探针粉末电阻率测试仪（经济型）一、功能概述：Functional overview采用集成电路模块； USB，232通讯接口，直流恒流源 ，提供四点探针法测量模式，采用PC软件操作，自动测试过程数据曲线及图谱分析，实时分析压强/压力与电阻，电阻率，电导率的变化关系，及报表生成，存储，打印等；二、参照标准：Meet Standard1）四探针测试仪参照GB/T 1551、GB/T1552-1995，ASTM F84美国A.S.T.M 标准。2）四探针法粉末测试平台参照GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电导率的测定方法中用于仲裁方法的四探针法要求制作.三、适用范围：Scope of application用于锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料电阻率的测量；也应用于需要采用四探针法测量的导体或半导体粉末材料的分析与检测；用于石墨类粉状材料电阻率的测量；应用于企业品质检测；研发部门，大中专院校；科研院所；及质量检测机构.四、参数资料Parameters规格型号/ Specification modelFT-7200AFT-7200B1.方块电阻范围sheet resistance range10-5～2×105Ω/□10-4～2×104Ω/□2.电阻率范围resistivity range10-6～2×106Ω-cm10-5～2×105Ω-cm电导率范围Conductivity range5×10-6～106ms/cm5×10-5～105ms/cm3.测试电流范围test current range0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度current ±0.1% accuracy软件界面电阻、电阻率、方阻、温度、单位切换、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、图谱显示，压力设定，压强，报表导出，波形刷新，时间设定，启动、停止、运行6.测试方式Test method四探针法+自动测量模式7.模具mold:标配：a.压力200kg和300kg机型模具内径10mm； b. 压力500kg和1000kg机型模具内径20mm； 模具行程高25mm ；8. 压力选购:a.200kg； b.300kg； c.500kg； d.1000kg9. 模腔行程：Die cavity stroke:0-20mm（样品压实厚度建议在4mm内）（Sample compaction thickness is recommended in 4mm）10. 高度量程和精度高度测量范围：0.01-10.01mm，测量分辨率0.01mm11. 恒压时间： time:0-99.9s13. 标准件选购a.标准校准电阻1-3个； b.标准高度校准件1个.14. 测试方Test mode a.四点探针法 Four - point probe methodb.自动测量Automatic measurement15.加压方Pressurized 自动Automatic16. 脱模方式Stripping 自动Automatic17.电极材质Electrode铜针Copper material19.误差： errors≤4%；重复性误差3%以内.（因不同材料本身特性因素影响，误差不同，人为因数除外）20.工作电源: Power supply输入: AC 220V±10% ,50Hz ：60W21. 标配外选购Others buya.电脑和打印机依据客户要求配置； b.计量证书1份 c.水分仪 d.真密度仪a. computers and printers based on customer configuration requirements.b. Measurement certificate 1. c. moisture meter d. true density meter温馨提示：新材料研究领域，如半导体材料备制中，混合粉末，涂层粉末，添加剂等方法，改变原有材料性质从而达到一种新的功能材料，此时的粉体材料属于半导体性质，在涂层或使用前都需要检验材料的质量，如导电性是否达到指标要求，均匀性等；这些指标通过四探针法，粉末电阻率测试仪来获得---瑞柯仪器，

四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

LST-331四探针方阻电阻率测试仪 一、LST-331四探针方阻电阻率测试仪描述：采用范德堡测量原理能解决样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，提供通讯接口，PC软件数据处理及数据分析.中文或英文语言版本.二.LST-331四探针方阻电阻率测试仪参照标准：硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及国标设计制造；GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.三.适用范围：适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析半导体材料质量的工具；液晶显示，自动测量和系数补偿，并带有温度补偿功能，自动转换量程；采用芯片控制，恒流输出，选配：PC软件，保存和打印数据，生成报表用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试等相关产品四、.型号及参数 规格型modelLST-3311.方块电阻范围10^-5～2×10^5Ω/□2.电阻率范围 10^-6～2×10^6Ω-cm测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1%5.电阻精度≤0.3%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：30W 9.误差≤4%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台；5.标准电阻.11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针12.标准电阻（选购）规格：1mΩ、10mΩ、100mΩ、1Ω、10Ω、1kΩ、10kΩ、100kΩ、1MΩ 五、标准配置外订购明细：序号型号品名单位数量备注1340-CSX测试线套1209A标准电阻个1-5选购规格和数量306A四探针测试平台套1含探头1个406B四探针探头个1方型或直线型选购5340-TTZ镀金弹簧铜针4根组14根为一组6340-WTZ弹簧钨针4根组14根为一组7340-RJ分析软件套18PC电脑+打印机套1依据客户要求配置9300-JL检测技术服务份1计量证书1份10WDCGQ温度传感器套1常温-125度331-YB延保服务 年1-3

本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。

电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used：1.覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等， 功能描述Description：四探针单电测量方法液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配：PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准：1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

FT-3671系列全量程四探针测试仪一.概述：四探针法，可测微欧到兆欧方阻值量程，采用AD芯片控制，恒流输出， PC软件运行，自动数据测量和系数修正，直读方阻，电阻，电阻率和电导率数据；中文或英文语言版本；具有屏蔽功能；参考美国 A.S.T.M 标准。单晶硅物理测试方法二.适用范围：1.导电性新材料、铝箔、铜箔、铝涂层、碳纤维材料、电极材料；2.一般的涂层材料、薄膜、薄片基底材料研究.3.大学、研究所、R&D部门对新材料宽量程电阻率或电导性能研究使用.三.参数资料：规格型号FT-3671A经济型FT-3671B自动型1.方块电阻范围 10^6～2×10^7Ω/□2.电阻率范围 10^7～2×10^8Ω-cm3.测试电流范围 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA,100nA ,10nA , 1nA4.电流精度1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA±0.1% 100nA ,10nA , 1nA±2%5.电阻精度10^2Ω以下量程≤0.5% 10^2Ω以上量程≤10% 6.PC软件界面操作PC软件界面显示：电阻、电阻率、方阻、电导率、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、过程图谱，报表生成.7.测试方式手动测量自动测量8.工作电源输入: AC 220V±10%.50Hz功 耗：100W 9.误差小量程≤4%（标准样片结果） 大量程≤10%10.校准方式标准电阻和标准样片11.测试探头探针间距选购： 2mm；3mm两种规格 探针材质选购：碳化钨针、镀金磷铜半球形针

高温型粉末电阻率测试仪FT-354一.应用说明：1.在高温环境下采用压片法实时测试粉体电性能，分析粉体在高温环境下电阻，电阻率（电导率），与压强和温度的实时变化关系，模拟材料在使用环境和自身特性高温环境下的电性能状态.为品质管理，新品研发调整配比, 生产工艺调整提供参考数据.对材料未来使用的不确定性影响因数进行预测分析，建立产品从研发到生产的数据库.高温型粉末电阻率测试仪FT-354二.功能概述:1.采用集成电路模块； USB，232通讯接口，直流恒流源 ，四点探针法(方块电阻)或四端法(体积电阻)测量模式，采用PC软件操作 2.粉体受到温度变化压缩前及压缩后压力增减过程中粉体因自身特性内聚力反弹形变或恢复过程变化曲线图谱；自动测试过程数据曲线及图谱分析，实时分析温度/压强/压力与电阻，电阻率，电导率的变化关系，及报表生成，存储，打印等；3.数据的对比分析,如常温与其他温度条件下曲线图谱关系分析.三、适用范围：高温型粉末电阻率测试仪FT-3541.四点探针法适用于半导体粉末材料的分析与检测；如需要在高温下分析粉末电导率的新材料锂离子负极材料等新应用材料.2.四端法适用于导电粉末材料体积电阻的测量分析.如需要在高温下分析粉末电导率的导点材料；石墨类，碳素等3.应用于企业品质检测；研发部门，大中专院校；科研院所及质量检测机构. 四.参数资料规格型号FT-354AFT-354BFT-354CFT-354D1.方阻/电阻范围10-5～2×105Ω/□10-6～2×105Ω/□10-7～2×107Ω10-8～2×105Ω2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-7～2×107Ω-cm10-7～2×107Ω-cm10-8～2×105Ω-cm电导率范围5×10-6～106ms/cm5×10-7～107ms/cm5×10-7～107s/cm5 ×10-5～108s/cm3.测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA、1000mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA 0-10A，100uA4.电流精度 ±0.1% 软件界面 电阻、电阻率、方阻、温度、单位切换、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、图谱显示，压力设定，压强，报表导出，波形刷新，时间设定，启动、停止、运行6.测试方法四探针法（方块电阻）四端法（体积电阻）7.模具标配：a.压力200kg和300kg机型模具内径10mm； b. 压力500kg和1000kg机型模具内径20mm； 模具行程高25mm ； 根据客户要求选购8. 压力选购a.200kg； b.300kg； c.500kg； d.1000kg9. 模腔行程：0-20mm（样品压实厚度建议在4mm内）10. 样品高度 样品高度范围：0.001-10.000mm，测量分辨率0.001mm，可测样品压缩厚度0.1mm 11. 恒压时间： time:0-99.9s12.温度范围常温-800度；13. 标配标准件a.标准校准电阻1个；b.标准高度校准件1个14. 测试方式PC软件操作15. 加压方式 自动16. 脱模方式 自动17.电极材质紫铜18.吸尘系统外置吸尘处理19.误差： 3%； 重复性误差2%以内（平均性误差，人为因数外）20.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 21. 标配外选购 a.电脑和打印机依据客户要求配置； b.计量证书1份 c.水分仪 d.真密度仪

四探针,四探针测试仪,表面电阻测试仪,电阻率测试仪,方阻计,方阻仪,FT-361超低阻双电四探针测试仪一、概述：本品为解决四探针法测试超低阻材料方阻及电阻率，最小可以测试到1uΩ方阻值，是目前同行业中能测量到的最小值，采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。选购：本机还可以配合各类环境温度试验箱体使用，通过不同的测量治具满足不同环境温度下测量方阻和电阻率的需求.二、广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等 三、参数资料1.方块电阻范围：10-6～2×102Ω/□2.电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA.4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 2.方形探头； 3.直线形探头； 4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。