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[size=18px]在平时工作中,身边总是有人在问波长色散分析仪的探测器用的是什么检测器?是什么原理?有的为啥还有需要气体的,搞的好麻烦,气体爆炸怎么办……今天我们就来聊聊[b]波长色散分析仪的检测器[/b]。波长色散的x荧光光谱仪由于要使用分光晶体,从而使得待测元素的分析仪谱线可以较好的分离,故通常使用分辨率不那么高的流气式正比计数器和NaI闪烁计数器作为光谱仪的探测器。主要说说流气式正比计数器[b]气体正比计数器又可以分为封闭式和流气式正比计数器[/b],由于封闭式正比例计数器分辨率太低,而且温差电冷能量探测器已经实用化,所以封闭式正比例计数器将会慢慢被淘汰。我们主要来说说流气式正比例计数器,一般情况下,流气式正比计数器为一个直径2cm住状体,中间有一根20-30μm的金属丝,用作前放信号和外部高压的接头,筒状体内部充入惰性气体和淬灭气体,通常为90%的氩气和10%的甲烷气体混合器,并在金属丝和柱壳间施加1400V~1800V的电压。当流气式正比计数器中的探测气体收到X射线的照射时,或产生大量的负电子和正电性氩离子组成的离子对。假设入射X射线的光子能量为E,产生离子对的有效电离能 为V,由入射X射线光子产生的平均离子对数n与入射X射线光子的能量成正比,与离子对的有效电离能成反比:n=E/V产生的电子在电压作用下会逐渐加速飞向样机金属丝,并引发进一步的氩原子电离,这一效应被称为电离增益,流气正比探测器的电离增益一般为6*10四次方。。。。经放大后的电流由电容收集,产生的脉冲电压与入射光子的能量成正比。在这里需要注意的是,脉冲高度和强度的区别。[b]脉冲高度:[/b]指由单个X射线产生的单个脉冲电压幅度。[b]X射线强度:[/b]指每秒钟测得的脉冲数。重点来了,[b]探测器的分辨率一般定义为峰高一半处所对应的谱峰宽度,简称谱峰半高宽。[/b]流气式正比计数器一般适用于较长波长的X射线探测,通常用于0.15~5nm波长的X射线探测,对于0.15以下的波长,探测的灵敏度很低,这也就是为什么目前很多的X荧光分析仪会设置有多个检测器的原因。希望这样的小知识普及能够让大家明白什么是流气式正比计数器,并且知道他的原理,这样见到这类型的分析仪就不会在这边面有疑问啦![/size]
正比计数器proportional counter 用气体作为工作物质,输出脉冲幅度与初始电离有正比关系的粒子探测器,可以用来计数单个粒子,并根据输出信号的脉冲高度来确定入射辐射的能量。这种探测器的结构大多采用圆柱形,中心是阳极细丝,圆柱筒外壳是阴极,工作气体一般是隋性气体和少量负电性气体的混合物。入射粒子与筒内气体原子碰撞使原子电离,产生电子和正离子。在电场作用下,电子向中心阳极丝运动,正离子以比电子慢得多的速度向阴极漂移。电子在阳极丝附近受强电场作用加速获得能量可使原子再电离。从阳极丝引出的输出脉冲幅度较大,且与初始电离成正比。正比计数器具有较好的能量分辨率和能量线性响应,探测效率高,寿命长,广泛应用于核物理和粒子物理实验。 1-50keV的X射线经常用正比计数器进行探测。要求是具有较薄的入射窗口,以获得较低的低能端探测下限,较大的观测面积,以及良好的气密性。常用的是铍窗正比计数器。当代X射线探测器多采用正比计数器阵列和装有多根阳极丝和阴极丝的多丝正比室,以获得更大的有效观测面积。 近年来制作的气体闪烁正比计数器,能量分辨率比一般气态正比计数器约高一倍。为了观测较弱的X射线源,需要高灵敏度的探测器,为此制作了大面积窗口正比计数器,如小型天文卫星-A携带的窗口面积为840厘米的铍窗正比计数器,采用的是正比计数器组合的方法。此外,确定X射线源的位置需要有高分辨率的探测器;而为了制造这种探测器,就相应地需要制作对测定位置灵敏度高的正比计数器。
半导体探测器(semiconductor detector)是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅,其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚,1949年麦凯(K.G.McKay)首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后,晶体管电子学的发展促进了半导体技术的发展。半导体探测器有两个电极,加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时,即产生电子-空穴对。在两极加上电压后,电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷,从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中,入射粒子产生一个电子-空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右,因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料,而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度,必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型(下图由左至右)。金硅面垒型探测器1958年首次出现,锂漂移型探测器60年代初研制成功,同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用,半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/12/200912291643_192752_1615922_3.jpg[/img]