偏压探测器

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偏压探测器相关的厂商

  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司
    东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新，已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一，嘉乐仕凭借优质的产品，卓越的技术和完善的服务，产品遍及祖国各地，并远销美洲，欧洲，非洲，中东，东南亚等国际市场。 　　东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格，质量是我生命“ 为宗旨，视用户为“上帝”，一贯秉承“质量第一、顾客满意，持续改进，争创一流”的方针，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系，且采取有效的市场保护措施，确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。 　　展望未来，嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业，诚信，融合，创新“的企业精神，研制出更好的产品，提供更好的服务，树立更好的形象，愿与各界新老朋友进行更广泛的合作，共创辉煌! 　　嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察，洽商合作，愿与您携手共创更辉煌的明天！ 联系人：卢生15907693763（微信同号）QQ:2777469253 欢迎来电咨询！官网：www.jls668.net
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  • 深圳市汇成探测科技有限公司
    深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值，服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务，公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨，以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信：有了您的支持和我们不断的努力，我们与社会各界同仁携手并进，开拓创新，共创美好未来。
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  • 深圳市檀臻科技有限公司
    深圳市檀臻科技有限公司 Tangent Optics Co.,Ltd檀臻科技专注于光电探测领域，与全球顶级光电仪器及器件厂商合作，致力于为物理光学、生物光子学、化学材料分析、纳米光子学等领域提供优质产品和服务，并不断积累经验为科学研究者和高科技企业提供成像及光谱相关解决方案。目前我们代理的国外仪器、设备及系统生产商产品均为各自领域内的技术领先产品：Cobolt：单纵模、窄线宽、高功率DPSS激光器，多波长激光器HüBNER：OPO激光器，激光合束器，太赫兹成像产品Becker & Hickl： TCSPC单光子计数器，荧光寿命成像-FLIM系统id Quantique：TCSPC单光子计数器，SPAD, 近红外InGaAs SPAD，超导纳米线探测器，量子传感Semrock：高性能荧光滤光片， 拉曼滤光片，激光反射镜，窄带滤光片Princeton Instruments：科学级制冷型CCD，X-ray CCD , EMCCD, ICCD 各种研究级光谱探测与影像探测系统Energetiq：超高亮度，宽光谱LDLS光源SuperLum：超辐射发光二极管，OCT领域首选低相干光源SmartAct：尖端的微米、纳米移动控制系统，机械手，真空、低温系统用移动台
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偏压探测器相关的仪器

  • InGaAs偏压探测器 400-860-5168转1451
    总部在美国的EOT公司成立于1987年，专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器.隔离器以及高速光电探头，为知名的光 纤激光器厂商批量提供产品，并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。 　　法拉第光旋转器／光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中，如多级激光放大器，光参量振荡器，环形激光器，掺饵光纤 放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈)，种子注入型激光器，非线性光学，光传输系统等。 　　产品包括：法拉第旋转器和隔离器，高速光电探测器。 InGaAs偏压探测器 · 监测高重复频率或外调制连续激光 · 频域响应范围: 30kHz-1.8GHz · 上升时间达到175ps
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    厂商： 科艺仪器有限公司
    品牌： EOT
    型号： InGaAs偏压探测器
    价格： 面议
  • Silicon偏压探测器 400-860-5168转1451
    总部在美国的EOT公司成立于1987年，专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器.隔离器以及高速光电探头，为知名的光 纤激光器厂商批量提供产品，并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。 　　法拉第光旋转器／光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中，如多级激光放大器，光参量振荡器，环形激光器，掺饵光纤 放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈)，种子注入型激光器，非线性光学，光传输系统等。 　　产品包括：法拉第旋转器和隔离器，高速光电探测器。 Silicon偏压探测器 · 监测高重复频率或外调制连续激光 · 时域和频域响应测量 · 升时间达到200ps · 光纤输入或者自由空间输入
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    厂商： 科艺仪器有限公司
    品牌： EOT
    型号： Silicon偏压探测器
    价格： 面议
  • 带模拟输出和TTL输出的Silicon和InGaAs偏压探测器 400-860-5168转1451
    总部在美国的EOT公司成立于1987年，专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器.隔离器以及高速光电探头，为知名的光 纤激光器厂商批量提供产品，并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。 　　法拉第光旋转器／光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中，如多级激光放大器，光参量振荡器，环形激光器，掺饵光纤 放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈)，种子注入型激光器，非线性光学，光传输系统等。 　　产品包括：法拉第旋转器和隔离器，高速光电探测器。 带模拟输出和TTL输出的Silicon和InGaAs偏压探测器 · 监测并可利用TTL信号作为外触发电平
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    厂商： 科艺仪器有限公司
    品牌： EOT
    型号： 带模拟输出和TTL输出的Silicon和InGaAs偏压探测器
    价格： 面议
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偏压探测器相关的资讯

  • 集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器
    红外辐射(760nm-30μm)作为电磁波的一种，蕴含着物体丰富的信息。红外光电探测器在吸收物体的红外辐射后，通过光电转换、电信号处理等手段将携带物体辐射特征的红外信号可视化。其具有全天候观测、抗干扰能力强、穿透烟尘雾霾能力强、高分辨能力的特点，在国防、天文、民用领域扮演着重要的角色，是当今信息化时代发展的核心驱动力之一，是信息领域战略性高技术必争的制高点。众所周知，波长、强度、相位和偏振是构成光的四大基本元素。其中，光的偏振维度可以丰富目标的散射信息，如表面形貌和粗糙度等，使成像更加生动、更接近人眼接收到的图像。因此偏振成像在目标-背景对比度增强、水下成像、恶劣天气下探测、材料分类、表面重建等领域有着重要应用。在短波红外领域，InGaAs/InP材料体系由于其带隙优势，低暗电流，和室温下的高可靠性已经得到了广泛的应用。目前，一些关于短波偏振探测技术的研究已经在平面型InGaAs/InP PIN探测器上开展。然而，平面结构中所必须的扩散工艺导致的电学串扰使得器件难以向更小尺寸发展。同时，平面结构中由对准偏差导致的偏振相关的像差效应也不可避免。与平面结构相比，深台面结构在物理隔离方面具有优势，具有克服上述不足的潜力。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心E03组长期从事化合物半导体材料外延生长与器件制备的研究。E03组很早就开始了对近红外及短波红外探测器材料与器件的研究，曾研制出超低暗电流的硅基肖特基结红外探测器【Photonics Research, 8, 1662(2020)】，研究过短波红外面阵探测器小像元之间的暗电流抑制及串扰问题【Results in Optics, 5, 100181 (2021)】等。最近，E03组研究团队的张珺玚博士生在陈弘研究员，王文新研究员，邓震副研究员地指导下，针对光的偏振成像，并结合亚波长光栅制备技术，片上集成了一种台面型InGaAs/InP基PIN短波红外偏振探测器原型器件。该原型器件具有的深台面结构可以有效地防止电串扰，使其潜在地实现更小尺寸短波红外偏振探测器的制备。图1是利用湿法腐蚀和电子束曝光等微纳加工技术制备红外探测器及亚波长光栅的工艺流程。图2和图3分别是制备完成后的红外探测器光学显微镜图片和不同取向的亚波长光栅结构SEM图片。图1. 集成有亚波长Al光栅的台面型InGaAs PIN基偏振探测器的工艺流程示意图。图2. 两种台面尺寸原型器件的光学显微镜图片 (a) 403 μm×683 μm (P1), (b) 500 μm×780 μm (P0)。图3. 四种角度 (a) 0°, (b) 45°, (c) 90°, (d) 135° Al光栅形貌。图4是不同台面尺寸的P1和P0器件(无光栅)在不同条件下的J-V特性曲线和响应光谱。在1550 nm光激发，-0.1 V偏压下，P1和P0器件的外量子效率分别为 63.2% and 64.8%，比探测率D* 分别达到 6.28×1011 cm？Hz1/2/W 和6.88×1011 cm？Hz1/2/W，表明了原型器件的高性能。图4. InGaAs PIN原型探测器(无光栅)的J-V特性曲线和响应光谱。(a) 无光照下，P1和P0的暗电流密度Jd-V特性曲线；不同入射光功率下，(b) P1和(c) P0的光电流密度Jph-V特性曲线，插图是-0.1V下光电流密度与入射光功率之间的关系曲线； (d) P1和P0的响应光谱曲线。图5表明器件的偏振特性。从图5可以看出，透射率随偏振角度周期性变化，相邻方向间的相位差在π/4附近，服从马吕斯定律。此外， 0°, 45°, 90°和135°亚波长光栅器件的消光比分别为18:1、18:1、18:1和20:1，TM波透过率均超过90%，表明该偏振红外探测器件具有良好的偏振性能。图5. (a) 1550 nm下，无光栅器件和0°, 45°, 90°和135°亚波长光栅器件的电学信号随入射光极化角度的变化关系；(b) 光栅器件透射谱。综上所述，研究团队制备的台面结构InGaAs PIN探测器，其响应范围为900 nm -1700 nm，在1550 nm和-0.1 V (300K) 下的探测率为6.28×1011 cmHz1/2/W。此外，0°，45°，90°和135°光栅的器件均表现出明显的偏振特性，消光比可达18:1，TM波的透射率超过90%。上述的原型器件作为一种具有良好偏振特性的台面结构短波红外偏振探测器，有望在偏振红外探测领域具有潜在的广泛应用前景。近日，相关研究成果以题“Opto-electrical and polarization performance of mesa-structured InGaAs PIN detector integrated with subwavelength aluminum gratings”发表在Optics Letters【47，6173(2022)】上，上述研究工作得到了基金委重大、基金委青年基金、中国科学院青年创新促进会、中国科学院战略性先导科技专项、怀柔研究部的资助。另外，感谢微加工实验室杨海方老师在电子束曝光等方面的细心指导和帮助。物理所E03组博士研究生张珺玚为第一作者。
    时间： 2022-12-22
    作者： 情绪波动
  • 可调谐红外双波段光电探测器，助力多光谱探测发展
    红外双波段光电探测器是重要的多光谱探测器件，特别是近红外/短波红外区域，相较于可见光有更强的穿透能力，相较于中波红外可以以较低的损耗识别冷背景的物体，因此广泛应用于民用和军事领域。当前红外双波段探测器主要面临光谱不可调谐，器件结构复杂而不易与读出集成电路相结合的挑战。据麦姆斯咨询报道，近日，合肥工业大学先进半导体器件与光电集成团队在光电子器件领域取得重要进展，研究团队研发了一种光谱可调谐的近红外/短波红外双波段探测器，相关研究成果以“Bias-Selectable Si Nanowires/PbS Nanocrystalline Film n–n Heterojunction for NIR/SWIR Dual-Band Photodetection”为题，发表于《先进功能材料》（Advanced Functional Materials, 2023: 2214996.）。第一作者为许晨镐，通讯作者为罗林保教授，主要从事新型高性能半导体光电子器件及相关光电集成技术方面的研究工作。该研究使用溶液法制备了硅纳米线/硫化铅异质结光电探测器（如图1（a）），工艺简单，成功将硅基探测器的光谱响应拓宽到2000 nm。基于有限元分析法的COMSOL软件分析表明，一方面，有序的硅纳米线阵列具有较大的器件面积，提升了载流子的输运能力，且纳米线阵列具有较好的周期性，入射光可以在纳米线结构之间连续反射，产生典型的陷光效应。另一方面，小尺寸的纳米线阵列可以看作是微型谐振器，可以形成HE₁ₘ谐振模式，增强特定入射光的光吸收。通过调制外加偏压的极性，器件可以实现近红外/短波红外双波段探测、近红外单波段探测、短波红外单波段探测三种探测模式的切换。器件还具有较高的灵敏度，在2000 nm光照下的探测率高达2.4 × 10¹⁰ Jones，高于多数短波红外探测器。图1 双波段红外探测器结构图及相关仿真和实验结果图2 偏压可调的近红外/短波红外双波段探测及探测率随光强的变化曲线此外，该研究还搭建了单像素光电成像系统（如图3（a）），在2000 nm光照下，当施加-0.15 V和0.15 V偏压时，该器件能对一个简单的英文字母实现成像。但是不施加偏压时，缺无法清晰成像。这表明只需要对器件施加一个小的偏置电压时，就可以将成像系统的工作区域从近红外调整到短波红外，具有较高的灵活性。图3 光电成像系统及成像结果这项研究得到了国家自然科学基金、安徽省重点研发计划、中央高校基本科研业务费专项资金等项目的资助。
    时间： 2023-06-29
    作者： 筱筱
  • 非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器
    高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBₙn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期，由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳，通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地（GSG）探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性，结电容特性和室温射频响应特性的表征。材料生长、器件制备和测试通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示：先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错，接着生长重掺杂（10¹⁸ cm⁻³）n型InAsSb接触层，然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂（10¹⁵ cm⁻³）InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层，通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少，有助于空穴向接触电极的传输，同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂（10¹⁸ cm⁻³）n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中，Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后，通过原子力显微镜（D3100，Veeco，USA）和高分辨X射线衍射仪（Bede D1，United Kingdom）对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm²的样片。样片经过标准工艺处理，包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺，制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体（ICP）和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性，因此包括三个电极分别为Ground（接地）、Signal（信号）和Ground，其中两个Ground电极相连，与下接触层形成欧姆接触，Signal电极与上接触层形成欧姆接触，如图1（c）和（f）所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪（Keithley 4200，America）测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过，在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm，与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时，饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪（Keysight PNA-XN5247B，America）对器件进行射频响应特性测试。结果与讨论材料质量表征图1（a）和（d）的X射线衍射谱结果显示，从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中，nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度，GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此，InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec，符合预期，表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此，nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的（b）和（e）中，显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm²的区域内，nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 Å和2.1 Å。图1 （a）和（a）分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱；（b）和（e）分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图；（c）和（f）分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片器件的变温暗电流特性图2（a）显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线，通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2（b）显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R₀A随反向偏压的变化曲线，温度下降的梯度（STEP）为25 K。图2（c）显示了在400 mV反向偏压下，nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R₀A与温度倒数（1000/T）之间的关系，温度变化的梯度（STEP）为25 K。图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片（a）暗电流密度-电压曲线；（b）微分电阻和器件面积的乘积R₀A随反向偏压的变化曲线；（c）R₀A随温度倒数变化曲线器件暗电流的尺寸效应由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用，因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流，进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3（a）显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系，尺寸变化的梯度（STEP）为10 μm。图3（b）显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R₀A随反向偏压的变化曲线。图3（d）中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率，根据斜率的倒数计算出约为1.7×10⁴ Ωcm。图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R₀A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R₀A随台面直径的变化；（d）（R₀A）⁻¹与周长对面积（P/A）变化曲线器件的结电容图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。器件的射频响应特性通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。结论通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm²，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10⁴ Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×10³ Ωcm，而pBn和nBn的R₀A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm²和5.27 Ωcm²。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。论文链接：http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157
    时间： 2024-01-29
    作者： Sunshine
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    高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XB?n势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期，由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳，通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地（GSG）探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性，结电容特性和室温射频响应特性的表征。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]材料生长、器件制备和测试[/b][/back][/size][/align]通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示：先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错，接着生长重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb接触层，然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂（101? cm?3）InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层，通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少，有助于空穴向接触电极的传输，同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中，Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后，通过原子力显微镜（D3100，Veeco，USA）和高分辨X射线衍射仪（Bede D1，United Kingdom）对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm2的样片。样片经过标准工艺处理，包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺，制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体（ICP）和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性，因此包括三个电极分别为Ground（接地）、Signal（信号）和Ground，其中两个Ground电极相连，与下接触层形成欧姆接触，Signal电极与上接触层形成欧姆接触，如图1（c）和（f）所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪（Keithley 4200，America）测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过，在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm，与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时，饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪（Keysight PNA-XN5247B，America）对器件进行射频响应特性测试。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结果与讨论[/b][/back][/size][/align][b]材料质量表征[/b]图1（a）和（d）的X射线衍射谱结果显示，从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中，nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度，GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此，InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec，符合预期，表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此，nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的（b）和（e）中，显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm2的区域内，nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 ?和2.1 ?。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/92230b98-4dac-4ee0-aeaa-282dcd342995.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图1 （a）和（a）分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱；（b）和（e）分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图；（c）和（f）分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片[/color][/align][b]器件的变温暗电流特性[/b]图2（a）显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线，通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2（b）显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线，温度下降的梯度（STEP）为25 K。图2（c）显示了在400 mV反向偏压下，nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R?A与温度倒数（1000/T）之间的关系，温度变化的梯度（STEP）为25 K。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a8f8001f-cd03-42f4-a32f-8b1acc94131d.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片（a）暗电流密度-电压曲线；（b）微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线；（c）R?A随温度倒数变化曲线[/color][/align][b]器件暗电流的尺寸效应[/b]由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用，因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流，进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3（a）显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系，尺寸变化的梯度（STEP）为10 μm。图3（b）显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线。图3（d）中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率，根据斜率的倒数计算出约为1.7×10? Ωcm。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e7fba8aa-eabe-40a4-a863-6ebcdd264744.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R?A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R?A随台面直径的变化；（d）（R?A）?1与周长对面积（P/A）变化曲线[/color][/align][b]器件的结电容[/b]图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/c09b63df-6442-42f2-b548-df4f539db6eb.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。[/color][/align][b]器件的射频响应特性[/b]通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/95acbbf7-8557-4619-b4cd-5829d636aced.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图[/color][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/541829b0-a336-4b7e-a75b-0a15f8dfd06a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线[/color][/align]图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结论[/b][/back][/size][/align]通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10? Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×103 Ωcm，而pBn和nBn的R?A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm2和5.27 Ωcm2。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。[b]论文链接：[/b][url]http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157[/url][来源：MEMS][align=right][/align]

  • 单独背散射探测器和高位探测器（混合二次电子和背散射电子）选择问题

    最近单位采购，一直纠结于某款热场电镜和冷场电镜。热场电镜的景深十分出色，但分辨率较为一般，除二次电子探测器（低位和高位）外，还配了单独的背散射电子探测器、主流能谱仪、五轴马达台、红外CCD相机。。。冷场电镜的景深也不错，分辨率十分出色，出二次电子探测器外，背散射电子的探测功能通过高位探测器改变偏压实现，不是那么主流的能谱仪、三轴马达台。。。价格估计两家都做得蛮拼的。各位前辈有没有什么建议？

  • 【分享】半导体探测器

    【分享】半导体探测器

    半导体探测器（semiconductor detector）是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚，1949年麦凯（K.G.McKay）首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后，晶体管电子学的发展促进了半导体技术的发展。半导体探测器有两个电极，加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时，即产生电子-空穴对。在两极加上电压后，电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷，从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中，入射粒子产生一个电子－空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右，因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料，而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度，必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型（下图由左至右）。金硅面垒型探测器1958年首次出现，锂漂移型探测器60年代初研制成功，同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用，半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/12/200912291643_192752_1615922_3.jpg[/img]

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  • 闪烁探测器
    这款标准闪烁探测器采用YAG:Ce闪烁体,YAP:Ce晶体,LuAG:Ce晶体,BGO晶体, CaF:Eu晶体,CsI:Tl闪烁晶体制作而成，百分之百欧洲进口，具有全球一流的闪烁转换效率，是电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV成像或探测的理想闪烁探测器。标准的闪烁体探测器是圆形薄片，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的闪烁探测器,闪烁体探测器, 闪烁晶体，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。 这些闪烁体探测器和闪烁晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测。闪烁探测器我们提供的闪烁探测器,闪烁体探测器,闪烁晶体由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce闪烁晶体材料构成。目前提供如下三种选择：*标准的闪烁晶体：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。*带衬底闪烁体探测器：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm.*独立薄YAG:Ce闪烁探测器: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下：YAG:Ce闪烁晶体：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大直径是10mm YAP:C闪烁体探测器：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm.这种独立使用的闪烁探测器非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护闪烁晶体，或者提供陶瓷或钢铁外壳保护的闪烁体探测器。Standard detectors usually have the shape of cylindrical plates. Typically, diameters range from 2 mm up to 50 mm and thickness from 0.1 to 5 mm. A variety of other shapes and sizes, including prisms, spheres and thin plates can be made. An optional (one) face, both faces, or all surfaces can be polished. A thin aluminum, carbon or ITO (Indium Tin Oxide) entrance window can be made as an optional extra. An optional Zr layers can be applied on the entrance window for EUV radiation. Also see Optional extras.These detectors are intended to be used for the detection of electrons, X-ray, gamma, UV and EUV radiation.
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： ¥45
  • 线型光束感烟探测器滤光片减光片
    线型光束感烟探测器滤光片减光片 减光片： 减光值为0.9db和10db。 检查方法： 确认线型光束感烟火灾探测器与火灾报警控制器连接并接通电源，处于正常监视状态。将减光值为0.9dB的滤光片置于线型光束感烟火灾探测器的光路中并尽可能靠近接收器，观察火灾报警控制器的显示状态和线型光束感烟火灾探测器的报警确认灯状态。如果30s内发出火灾报警信号，记录其响应阈值小于1.0dB，结束试验。 如果30s内未发出火灾报警信号，继续试验，将减光值为10dB的滤光片置于线型光束感烟火灾探测器的光路中并尽可能靠近接收器，观察火灾报警控制器的显示状态和线型光束感烟火灾探测器的报警确认灯状态。如果30s内未发出火灾报警信号，记录其响应阈值大于10.0dB。 判断标准： 探测器的响应阈值应不小于1.0db，不大于10db. 规格 单位 厂价 25mL 支 1200.00 50mL 支 1600.00 100mL 支 2000.00
    供应商： 北京朋利驰科技有限公司
    品牌： 朋利驰
    价格： ¥800
  • 保偏分光探测器
    保偏分光探测器特征：高消光比低插入损耗高可靠性分光比可选(1%,2%,5%,10%等)小尺寸应用： EDFA产品的监控WDM通道监控光通讯网络监控光路保护监控仪器仪表及设备光路探测光电特性(T = 25℃)：参数规格：参数：数值工作波长(nm)1550, 1064带宽(nm)±40点击率 (%)1%5%Tap Ratio (mA/W)8 40插入损耗(dB)≤0.35≤0.6消光比(dB)≥20回波损耗(dB)≥45光纤类型熊猫型工作温度 (℃)0 ~ +70储存温度(℃)-40 ~ +85功率负荷 (mW)300封装尺寸(mm)Ф5.5 × L26封装尺寸： 订单信息：PMTPM波长耦合尾纤光纤类型长度连接器 106413101550 1%=1/995%=5/9510%=10/90S=Specify250=250um bare fiber900=900um loose tube5=PandaFiber0.8=0.8mS=Specify00=noneFC,SC,LC,MU, ST/UPC,APC
    供应商： 上海尖丰光电技术有限公司
    品牌： 尖丰光电
    价格： 面议
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