大功率晶体管测试仪

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件FBSOA1000Forward Bias Safe Operating Area 1000A晶体管正向偏置安全工作区测试系统Transistor Forward Bias Safe Operating Area Test System&bull 用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件级和模块级的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作区测试&bull FBSOA和对应的IV曲线&bull ICE电流0~1000A&bull VCE电压0~100V。&bull VGE驱动电压0~30V&bull vF热敏电压≤5V&bull Pmax最大功率100KW.&bull 脉宽10us~10ms，&bull 柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机全自动程控一、关于安全工作区晶体管的安全工作区，英文全称safe operating area，简称SOA。顾名思义，也就是说只要使用的条件（电压、电流、结温等）不超出SOA圈定的边界，晶体管必然能够按照电路设计正常运行，反之则死。所以，FBSOA是指全控型晶体管的门极电压VGE处于正向偏置（VGEVGEth）时，沟道处于导通状态时的安全工作区。FBSOA是全控型晶体管各种工作状态的集合，必须集合晶体管的其它特性去理解安全工作区的含义。失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。整机产品里面包含的元器件数量少则几十，多则上万甚至更多，应用环境千奇百怪，元器件的失效就不可避免，作为工程师，能做的就是根据整机性能要求充分评估、测试元器件的各项关键参数，出现失效后，复盘设计，复现失效，找出根因，避免失效再次复现。二、FBSOA参数定义右图是简化的FBSOA曲线，本质上讲，FBSOA曲线划定了 四条电压-电流关系的边界线，分别由AB段，BC段，CD段，DE段构成。AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的最大工作电流，这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值密切相关，从图4可以看出，IGBT的门极驱动电压幅值越高，饱和导通状态下的最大工作电流越大。BC段规定了IGBT的最大可重复电流ICpuls，这个电流是4倍的标称电流；FBSOA简化曲线CD段是最复杂的，需要结合IGBT的瞬态热阻来看。大家知道，IGBT有两个工作区，线性区和饱和区，跨越过AB段之后，其实IGBT就处于线性区了，也就是退出饱和导通区了，IGBT的损耗急剧上升，所以，这条边界体现了IGBT能承受的最大耗散功率Ptot。同时可以看出，集射极CE两端电压越高，IGBT所能承受的电流脉冲幅值越低，另外，电流脉冲宽度越大，IGBT所能承受的电流幅值也越低。从图可以看出，蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA，均是单脉冲安全工作区，非连续工作情况下的工作区，所以，必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线，由公式（1）计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。DE段最容易理解，它规定了IGBT的集射极CE击穿电压，需要注意的是，IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的，结温越低，CE击穿电压也越低。三、规格及环境要求&bull  设备尺寸∶800*800*1800mm（2组）∶&bull  设备质量∶800kg∶&bull  海拔高度∶海拔不超过4000m；  &bull 环境要求∶-20℃～60℃（储存）、5℃～45℃（工作）；&bull  相对湿度∶20%RH～75%RH（无凝露，湿球温度计温度45℃以下）；&bull  大气压力∶86Kpa～106Kpa；&bull  防护条件∶无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；&bull  电网要求AC220V、±10%、50Hz±1Hz &bull  压缩空气∶根据配置；&bull  工作时间∶连续。四、产品特点&bull 测试规范：国际标准IEC60747-9、IEC60747-2、国家标准GB/T29332、GB/T4023&bull 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供用户选择，针对不同的封装外观，通过更换“DUT适配器”即可&bull 高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃&bull 计算机程控，测试数据可存储为 Excel 文件以及生成PDF格式，且内置多种通用文档模板供用户选择，还可自定义&bull 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）设备具有安全工作保护功能&bull 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点&bull 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网，支持MES系统和扫码枪连接&bull 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全&bull 电压源电流源模块化设计，根据用户需求等级，自选搭配5. 部分配件清单&bull 系统主机：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-1000，规格/?； &bull 高压电源：数量/1 套，品牌/顾伟，型号/PSW160-14.4，规格/电流0-14.4A 电压0-160V 功率720W 单输出多量程；&bull 驱动电源： 数量/1 套，品牌/顾伟，型号/GPP-2323，规格/双通道输出 电压32V 电流3A；&bull 工 控 机：数量/1 套，品牌/研华，型号/610L，规格/；CPU:酷睿i7.操作系统windows10&bull 机 柜：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-A，规格/高≥2000mm 宽≤800mm 深≤800mm&bull 采集卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB8504，规格/ADC分辨率：14位 输入通道：4通道 采样率：40MS\s 存储深度2GB &bull 多功能数据卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB3132A，规格/操作系统win：XP.7.8.10 AI.AO输入分辨率:16位250K &bull 电压变送器: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/S1205，规格/输入-2~+2 输出-10V~+10V？&bull 霍尔电流传感器: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/CTA1000，规格/连续直流电流1000A 有效电流707 传输比：1：1000 带宽：500KHZ&bull 探头: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/P6251，规格/带宽：250MHZ 衰减比10：1 上升时间：1.4ns？&bull 柔性电流探头：品牌/深圳知用，型号/CP9120L，规格/灵敏度5mv/A 电流1.2KA低频带宽1dB 高频带宽10dB&bull 集成配套包、鼠标、电源线六、系统架构原理图七、局部示意图驱动模块气动工装示意图

DBC-226高精度大功率晶闸管综合测试仪系统概述晶闸管综合参数测试系统，是大功率晶闸管测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1. 该测试系统是一套综合的测试系统，综合测试参数多，技术难度大。2. 该测试系统是一套高压大电流的测试设备，对设备的电气性能要求高。3. 该系统是一套动态和静态参数的集成测试系统，因此该设备的结构设计难度大。4. 该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。5. 该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为 Excel 文件进行处理。 6. 该测试系统是晶闸管出厂检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要测试晶闸管。测试参数；1) 门极触发参数测试单元2) 维持电流测试单元3) 擎住电流测试单元4) 阻断参数测试单元5) 通态压降参数测试单元6) 电压上升率参数测试单元7) 关断时间参数测试单元8) 恢复电荷参数测试单元技术条件环境温度：15～40℃相对湿度：下图给出了该测试台湿度与额定电压的关系，请按照以下条件使用。（注：存放湿度不大于 80%。）大气压力： 86Kpa～ 106Kpa电网电压： AC220V±10%无严重谐波电网频率： 50Hz±1Hz测试范围1. 门极参数测试：VGT、IGT2. 维持电流测试：IH3. 擎住电流测试：IL4. 阻断参数测试：VD、VR 、ID、IR5. 压降参数测试：VTM、ITM 、Vr、Ir、Vf、If、6. 电压上升率参数测试：dv/dt7. 关断时间参数测试：Tq8.恢复电荷参数测试：Qrr、Irr、Trr

BW-3010B晶体管光耦参数测试仪（双功能版）品牌： 博微电通名称：晶体管光耦参数测试仪(光耦&光电传感器双功能版)型号： BW-3010B用途： BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。 BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器和光电传感器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试，BW-3010B为各种三极管型4脚光藕提供了输入正向压降（VF）和输出反向耐(ICEO)、耐压BVCEO、传输比(CTR)等 。中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中，测试条件可以任意设置，测试正向压降和输出电流可达1A，操作简便，实用性强。广泛应用与半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、产品选型等重要检测设备之一。产品电气参数：产品信息产品型号：BW-3022A产品名称：晶体管光耦参数测试仪；物理规格主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量：＜4.5Kg主机颜色：白色系电气环境主机功耗：＜75W环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；相对湿度：≯85%；大气压力：86Kpa～106Kpa；防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；工作时间：连续；服务领域： 应用场景： ▶ 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） ▶ 检验筛选（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） 产品特点： ▶ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单 ▶ 大容量EEPROM存储器,储存量可多达1000种设置型号数. ▶ 全部可编程的DUT恒流源和电压源. ▶ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路. ▶ 高压测试电流分辨率1uA,测试电压可达1500V； ▶ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题； ▶ 软件自校准功能； ▶ 自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试； ▶ DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型，显示测试结果是否合格,并有声光提示； ▶ 两种工作模式：手动、自动测试模式。 BW-3010B主机和DUT的管脚对应关系型号类型P1 T1P2 T2P3T3P4T4光藕PC817AA测试端KK测试端EE测试端CC测试端 BW-3010B测试技术指标：1、光电传感器指标:输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向电流(Ir)测试范围分辨率精度测试条件0-200UA0.2UA2%+2RDVR:0-20V集电极电流(Ic)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA0.2MA1%+2RDVCE:0-20V IF:0-40MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-40mAIF:0-40mA输出漏电流(Iceo)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000mA2UA2%+2RDVR:0-20V2、光电耦合器：耐压(VCEO)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1400V1V2%+2RD0-2mA输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向漏电流(ICEO)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDBVCE=25V反向漏电流(IR)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDVR=0-20V电流传输比(CTR)测试范围分辨率精度测试条件0-99991%1% +5RDBVCE：0-20VIF:0-100MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-1.000AIF:0-1.000A可分档位总数：10档 BW-3010B测试定义与规范：AKEC:表示引脚自左向右排列分别为 光耦的,A K E C极.VF:IF: 表示测试光耦输入正向VF压降时的测试电流.Vce:Bv:表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电压.Vce:Ir: 表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电流.CTR:IF:表示测试光耦传输比时输入端的测试电流。CTR:Vce:表示测试光耦传输比时输出端的测试电压。Vsat:IF:表示测试光耦输出导通压降时输入端的测试电流。Vsat:Ic:表示测试光耦输出导通压降时输出端的测试电流。

泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子

EN-2005C 功率器件综合测试系统（大功率晶体管特性曲线图示仪）系统概述西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。系统软件支持器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上USB接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。 一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常快捷方便。概述EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。测试系统特点 IV曲线显示/局部放大 程序保护电流/电压,以防损坏 品种繁多的曲线 可编程的数据点对应 增加线性或对数 可编程延迟时间可减少器件发热 保存和重新导入入口程序 保存和导入之前捕获图象 曲线数据直接导入到EXCEL 曲线程序和数据自动存入EXCEL 程序保护电流/电压,以防损坏测试范围广（19总大类，27分类）系统规格及技术指标主极电压： 1mV-2000V电压分辨率： 1mV主极电流： 0.1nA-50A扩展电流： 100A电流分辨率： 0.1nA测试精度： 0.2%+2LSB测试速度： 0.5mS/参数工作温度：25℃--40℃ 工作湿度：45%--80% 贮存湿度：10%--90% 工作电压：200v--240v 电源频率：47HZ--63HZ 通信接口：RS232 USB 系统功耗：150w设备尺寸：450mm×570mm×280mm质 量： 35KG 测试范围测试范围 / 测试参数序号测试器件测试参数01二极管DIODEIR；BVR ；VF02晶体管（NPN型/PNP型）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF03J型场效应管J-FETIGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04MOS场效应管 MOS-FETIDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS05双向可控硅TRIACVD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-06可控硅SCRIDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH07绝缘栅双极大功率晶体管IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS08硅触发可控硅STSIH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW-09达林顿阵列DARLINTONICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON10光电耦合OPTO-COUPLERICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)11继电器RELAYRCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME12稳压、齐纳二极管ZENERIR；BVZ；VF；ZZ13三端稳压器REGULATORVout；Iin；14光电开关OPTO-SWITCHICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF15光电逻辑OPTO-LOGICIR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF16金属氧化物压变电阻MOVID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；17固态过压保护器SSOVPID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 18压变电阻VARISTORID+； ID-；VC+ ；VC-19双向触发二极管DIACVF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

ST-SP2000（1250A）轨道机车大功率IGBT器件静态参数测试仪轨道级大功率半导体模块 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 静态参数测试仪主要用于轨道机车 变流器IGBT参数测试、筛选、配对主极输出 2000V / 1250A，分辨率*高至1mV / 10pA ? 产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护*大电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

产品目录? 晶体管图示仪（曲线追踪仪）? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备：包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备：包括 Tr， Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试：包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试：包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围：Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）?产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894

SWT系列点焊机采用最先进晶体管电源，它具有瞬间大功率焊接功能。是目前电阻焊接工艺中最理想的焊接方法，它能达到瞬间完 成焊接的目的，使得焊接物品具有焊接牢固，焊点美观无氧化发黑现象，由于焊接时间极短，焊接热能量小，对焊件的影响和伤 害甚微。该机采用微电脑控制，各项参数键盘设置，LCD显示各项参数和状态，使得该机具有很好的易用性。它广泛用于锂电池 制造和精密五金件制造焊接工序。SWT-2119/2419晶体管点焊机适用于动力锂电池组连接片的焊接、五金件焊接，广泛用于新能源汽车、电动车生产。1、规格型号:SWT-2119电流：8000A焊接能力：0.01mm-0.25mm驱动形式：气动/脚踏焊接时间：1.0-4.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz2、规格型号:SWT-2419电流：8000A焊接能力：0.01mm-0.25mm驱动形式：气动/脚踏焊接时间：1.0-4.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz

SWT系列点焊机采用最先进晶体管电源，它具有瞬间大功率焊接功能。是目前电阻焊接工艺中最理想的焊接方法，它能达到瞬间完 成焊接的目的，使得焊接物品具有焊接牢固，焊点美观无氧化发黑现象，由于焊接时间极短，焊接热能量小，对焊件的影响和伤 害甚微。该机采用微电脑控制，各项参数键盘设置，LCD显示各项参数和状态，使得该机具有很好的易用性。它广泛用于锂电池 制造和精密五金件制造焊接工序。单针对焊点焊机主要用于五金片、软包电池极耳加电子线焊接、五金件焊线以及保护片的焊接 规格型号:SWT-1116大电流：4000A焊接能力：0.01-0.15驱动形式：脚踏焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ3/φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz

SWT系列点焊机采用最先进晶体管电源，它具有瞬间大功率焊接功能。是目前电阻焊接工艺中最理想的焊接方法，它能达到瞬间完 成焊接的目的，使得焊接物品具有焊接牢固，焊点美观无氧化发黑现象，由于焊接时间极短，焊接热能量小，对焊件的影响和伤 害甚微。该机采用微电脑控制，各项参数键盘设置，LCD显示各项参数和状态，使得该机具有很好的易用性。它广泛用于锂电池 制造和精密五金件制造焊接工序。该机为单脚踏驱动双针点焊机，不用气源，只需电源，操作简单灵活，应用于：扣式电池连接片焊接、五金件焊接、数码电池连接片的焊接、动力电池组合。 1、规格型号：SWT-2118电流：4000A焊接能力：0.01mm-0.15mm驱动形式：气动/脚踏焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ3输入电源：AC220V±10%/50Hz 2、规格型号：SWT-2418电流：4000A焊接能力：0.01mm-0.15mm驱动形式：气动焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ3输入电源：AC220V±10%/50Hz

大功率热阻测试仪ENR0620 热阻测试系统系统概述近年来由于电子产业的蓬勃发展，电子组件的发展趋势朝向高功能、高复杂性、大量生产及低成本的方向。组件的发热密度提升，伴随产生的发热问题也越来越严重，而产生的直接结果就是产品可靠度降低，因而热管理（thermalmanagement）相关技术的发展也越来越重要。电子组件热管理技术中常用也是重要的考量标准之一就是热阻（thermal resistance）西安易恩电气ENR0620 热阻测试系统，本系统测试原理符合 JEDEC51-1 定义的动态及静态测试方法）运用实时采样静态测试方法（Static Method），广泛用于测试各类 IC（包括二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SOC、SIP、MEMS 等）、大功率 LED、导热材料、散热器、热管等的热阻、热容及导热系数、接触热阻等热特性。测试功能测试器件测试功能IGBT瞬态阻抗(Thermal Impedance)从开始加热到结温达到稳定这一过程中的瞬态阻抗数据。MOSFET二极管稳态热阻(Thermal Resistance)包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 当器件在给一定的工作电流后。热量不断向外扩散，达到了热平衡，得到的结果是稳态热阻值。在没有达到热平衡之前测试到的是热阻抗。三极管可控硅线形调压器装片质量的分析主要测试器件的粘接处的热阻抗值，如果有粘接层有气孔，那么传热就要受阻，这样将导致芯片的温度上升，因此这个功能够衡量粘接工艺的稳定性。LEDMESFETIC可以得到用不同占空比方波测试时的阻抗与热阻值。内部封装结构与其散热能力的相关性分析多晶片器件的测试SOA Test浪涌测试配置 /系统单元配置组成单元项目配置主机平台软件功率2A/10V 采样单元测量控制软件测试延迟时间（启动时间）1us 数控单元结果分析软件采样率1us 功率驱动单元建模软件测试通道数2（最大 8 个）测试通道1-8个功率放大器提高驱动能力10~100 倍扩展选件电性规格系统特征加热电流测量精度 低电流测量02A 系统: ±1mA 10A 系统: ±5mA 20A 系统: (±10mA)●测试启动时间仅为 1 s，几分钟之内就 可以得到器件的全面热特性；●先进的静态实时测量方法，采样间隔最快可达 1 s， 采样点高达 65000 个，有效地保证了数据的准确性和完备性；高电流测量02A 系统: ±4mA 10A 系统: ±20mA 20A 系统: (±40mA)●市场上最高的灵敏度 FoM=10000 W/℃，很高的灵 敏度 SNR4000，结温测试精度高达 0.01℃；加热电压测量精度±0.25% ，0~50V 热电偶测量精度(T 型)典型 ±0.1°C , 最大±0.3°C●强大的测试软件和数据分析软件保证了后期扩展功能的提升。交流电压220VAC，5A，50/60Hz电压（标配）50V电流（标配）20A（选配）200A,400A,800A,1000A节温感应电流1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(标配)测试原理根据IEDEC静态测量原理，改变器件输入功率，使器件温度发生变化，在达到热平衡之前，ENR0620以1uS的高速采样率实时记录温度随着时间变化的瞬态响应曲线；在得到温度响应后，根据R_thiA=T / P 计算稳态热阻；将上述瞬态响应转换为结构函数形式，方便用户分析器件热流传导路径上的各层结构。系统未采用“脉冲方法”。因为“脉冲方法”采用延时测量技术，限制了测量精度，且“脉冲方法”在测量瞬态温度响应市应非实时记录数据。而是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程，测试结果的精确性无法保证。

品牌： 华科智源 名称： IGBT测试仪 型号： HUSTEC-1600A-MT 用途： 广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机等行华科智源HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用1) 物理规格 设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）mm； 质量：30kg2) 环境要求 海拔高度：海拔不超过 1000m；储存环境：-20℃～50℃； 工作环境：15℃～40℃。相对湿度：20%RH ~ 85%RH ；大气压力：86Kpa～ 106Kpa。 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；3) 水电气 用电要求：AC220V，±10%； 电网频率：50Hz±1Hz

华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用1) 物理规格 设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）mm； 质量：30kg2) 环境要求 海拔高度：海拔不超过 1000m；储存环境：-20℃～50℃； 工作环境：15℃～40℃。相对湿度：20%RH ~ 85%RH ；大气压力：86Kpa～ 106Kpa。 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；3) 水电气 用电要求：AC220V，±10%； 电网频率：50Hz±1Hz

品牌： 华科智源 名称： 晶体管图示仪 型号： HUSTEC-DC-2020 用途： 测试二三极管，MOS管，IGBT，晶闸管，可控硅等件测试仪设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外接各类夹具和适配器，还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 模化、自动化测试） 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试） Ø 失效分析（对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案） Ø 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） Ø 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） Ø 量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件； (2) PC 机为系统的主控机； (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面； (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC，100K/S 采样速率； (6) 程控高压源 10~1400V，提供 2KV 选配； (7) 程控高流源 1uA~40A，提供 100A,300A,500A 选配； (8) 驱动电压 10mV~40V； (9) 控制极电流 10uA~10mA； (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确；(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验； (12) Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin） (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机最高测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容，诸如 Cka，Ciss，Crss，Coss； (16) 脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需另加升温装置； 测试参数 (1) 二极管类：二极管 Diode Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；(2) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka； (3) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；(4) 二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；(5) 二极管类：瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ； (6) 二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；(7) 二极管类：三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；(8) 三极管类：三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts （选配）、Value_process； (9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；(10)三极管类：单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm； (11)三极管类：MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ； (12)三极管类：双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss；(13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss； (14)三极管类：IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；(15)三极管类：三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt； (16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt； (17)三极管类：高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt； (18)保护类：压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (20)保护类：双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (21)稳压集成类：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk； (22)稳压集成类：基准 IC（TL431）Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka； (23)稳压集成类：四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk； (24)稳压集成类：开关稳压集成器 选配； (25)继电器类：4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）； (26)光耦类：4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；(27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX 系列、A12XX 系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位 IC（选配）；

大功率IGBT模块测试设备igbt测试仪简介 普赛斯功率器件静态测试设备，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。测试系统组成普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至皮安级漏电流；集电极-发射极，最大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；最高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率最高支持1MHz。 系统特点高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发； 系统参数测试项目集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等大功率IGBT模块测试设备igbt测试仪测试夹具针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供 整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。选择普赛斯仪表的理由武汉普赛斯是国内最早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；普赛斯仪表特色：高电流、高电压测试，3500V电压下可测量皮安级漏电流，1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。

SWT-6000A微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源，主机采用高速微处理器控制，控制精度高，时间响应快， 工作模式丰富，它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面，被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性，主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用，是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制，电源适应能力强。该电源是我司最新推出高端焊接电源，焊接电流通过晶体管进行高速切换，无需变压器，焊接电流上升速度成倍提高，可极短时间内对工件进行高品质焊接。具有焊机参数自检对比功能，以确保每个焊点质量达标。规格型号:SWT-6000A(4000A/10000A)最*焊接电流：6000A(4000A/10000A)焊接电压：12V焊接能力：0.01-0.20mm（0.01-0.12mm/0.01-0.30mm）焊接模式：定电压/定电流焊接时间：1.0-3.0mS外型尺寸：380*230*320mm输入电源：AC220V±10%/50Hz

生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统型号/定义：ST-DC1520_FATLST-(Semiconductor Test) DC (Direct current) 1520 (1500V2000A）FATL（fully auto test line）用于大功率 IGBTs模块静态直流参数测试，生产线全自动量产测试1500V/2000A，短路电流2500A? 功能单元概览实景照片结构单元说明基础部分产线架构，水印*西安天光测控*水印 伺服系统整体系统的控制的电控系统水印*西安天光测控*水印 输送单元产线输送带及电机水印*西安天光测控*水印 机械臂通过往复运动取放被测模块水印*西安天光测控*水印 预加热单元加热模块水印*西安天光测控*水印 冷却单元同时带有风冷和水冷两套水印*西安天光测控*水印 托盘铝基板材质的托盘，针对DUT外观定制? 量产测试简述水印*西安天光测控*水印 “生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统”人工操作部分只有两项（被测模块的“放”和“取”）。产线启动，先由工作人员将其被测模块放置在专用托盘内。放置模块的托盘被输送带输送至预加热区域进行加热。加热后输送将其输送至测试区，由测试臂识别抓取放置测试主机的托盘（测试主机的托盘会自动弹出）。测试主机托盘收回并关闭安全门进行电测试，测试完毕，弹出托盘，被测模块被机械臂抓取送至冷却区域，冷却区域提供风冷和水冷两种方式。冷却完毕，输送带将被测模块送至成品区，等待下一步工序。水印*西安天光测控*水印 ? 产线测试能力水印*西安天光测控*水印 分类项目基础参考实际响应静态电源高稳定性自主电源（高度适配，扩展灵活）；静态电压等级1500V1500V（支持扩展）水印*西安天光测控*水印 静态电流等级2000A2000A（支持扩展）水印*西安天光测控*水印 静态测试时间　水印*西安天光测控*水印 单次测：5s/上臂或下臂（测试单元）；水印*西安天光测控*水印 模块测试：42s/模块，分两次测；静态机械动作时间2s （设备移动；测试单元及DBC之间切换）静态测试产能1000模块/D水印*西安天光测控*水印 半自动，一次测一个上臂/下臂，换料30s, 一天按20h计算水印*西安天光测控*水印 DBC：3600/(42+30)*3=150DBC/H,3600*20/(42+30)*3=3000DBC/D(设计一次放3个DBC)模块：3600/(42+30) =50模块/H,(3600*20)/(42+30)= 1000模块/D静态切换方式 （继电器或机械切换）　水印*西安天光测控*水印 继电器切换水印*西安天光测控*水印 Handler进出料机械控制方式半自动 （手动放料、自动进出）半自动（气动式夹具柜）,可以预留分选机接口；或全自动（外购全自动机械臂）水印*西安天光测控*水印 手动放料，自动进出；高温取放戴手套；温度高温测试200℃高温支持室温到200℃，分辨率 0.1℃温度高温监控Tc监测支持Ta, Tc监测；水印*西安天光测控*水印 温度加热方式水印*西安天光测控*水印 设备：自带可控型恒温加热板电加热；模块：可代购或自购温箱；温度升温、降温时间水印*西安天光测控*水印 升温：20~30 min降温：风冷20~30min 自冷2~3h温度温度控制精度水印*西安天光测控*水印 常温-125℃±1.0℃ 125℃-150℃±1.5℃150℃-200℃±2℃温度温度校准/水印*西安天光测控*水印 夹具DBC&模块 兼容性切换时间小于30min响应，设计同时放两套夹具，无需手动换置；其它特性水印*西安天光测控*水印 /水印*西安天光测控*水印 ? 技术规格分类测试指标典型值 西安天光测控测量范围测量解析度和精度测试条件静态Kelvin contact四线开尔文接触检测支持/水印*西安天光测控*水印 /静态NTC测试水印*西安天光测控*水印 5kΩI=1mA支持/水印*西安天光测控*水印 /静态栅极-发射极漏电流IGES（正反）25℃：±45nA150℃：±60nA(VGE = ±20V)IGE: 0-10uAIGE测试解析度：1nAIGE测量精度：+/-2%+/-5nAVGE输出精度：+/-2%+/-0.2VVge: +/-5-40VVCE: 0V tp（脉宽）: 40-100ms,静态集电极-发射极电压BVCES水印*西安天光测控*水印 25℃：750V水印*西安天光测控*水印 VCE: 0-1500VVCE测试解析度：1VVCE测量精度：+/-0.5%+/-2VICE输出精度：+/-5%VCE输出精度：+/-1%+/-1VVGE=0VICE: 0.1-100mAVCE max: 100-1500Vtp（脉宽）: 5-200ms 静态集电极发射极饱和电压VCESAT水印*西安天光测控*水印 25℃：1.45V125℃：1.60V150℃：1.65V（VGE = 15V IC = 550A）VCE: 0-10VVCE测试解析度：1mVVCE测量精度：+/-1%+/-1mVIC输出精度：+/-3%+/-0.2AVGE输出精度：+/-2%+/-0.2VVGE: 1-30VICE: 2-2000Atp（脉宽）: 500us静态集电极-发射极截止电流ICES水印*西安天光测控*水印 25℃：0.5mA125℃：20mA150℃：10mA（VCE=750V）ICE: 0-300mAICE测试解析度：ICE*大值的0.1%ICE测量精度：+/-2%+/-10uAVCE输出精度：+/-1%+/-1VIC*大值输出精度：+/-5%VGE=0VVCE: 100-1500VICE max: 0.1–100mAtp（脉宽）: 5 -200ms 静态栅极-发射极阀值电压测试VGETH25℃：5.9V(IC=20mA)水印*西安天光测控*水印 VGE: 0-20VVGE测试解析度：5mVVGE测量精度：+/-1%+/-5mVIC输出精度：+/-3%+/-0.05mAVGE=VCEICE: 0.1mA –100mAtp（脉宽）: 2-10ms静态二极管压降测试VF水印*西安天光测控*水印 25℃：1.45V125℃：1.50V150℃：1.50V（IF=550A）水印*西安天光测控*水印 VEC: 0-10VVEC测试解析度：1mVVEC测量精度：+/-1%+/-1mVIEC输出精度：+/-3%+/-0.2AVGE=0VIEC: 2-2000Atp（脉宽）: 500us? 系统介绍 “生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统”主要针对半导体功率器件的静态参数测试而开发设计。通过DUT适配器的转换，可实现对各种封装形式的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs 等半导体器件的静态电参数测试，包括器件、模块以及DBC衬板和晶圆。水印*西安天光测控*水印 设备融入了自动化及智能化的设计理念及功能，支持批量上下料并进行全自动测试。用于规模化量产可节省人力并提高测试产能，适合产线量测以及器件研发设计阶段的实验室测试，设备由主控计算机操控，测试数据自动上传以及保存。测试能力包含输出特性、转移特性、击穿特性、漏电流、阈值电压、二极管压降等。产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃水印*西安天光测控*水印 产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态参数（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs 等功率器件

上海那艾实验仪器设备[那艾仪器厂家]网站 全国送货厂家一手货! 品质保证!实验仪器非电子产品,使用效率和售后服务很重要。我们同品质比价格,同价格比效率,同效率比售后。设备仪器属于精密设备 客户订单录档案 免费1年质量保质,任何问题提供配件保养维护上海那艾仪器注以实验仪器设计、研发,生产,销售为核心的仪器企业,目热卖销售生产有一体化蒸馏仪,中药二氧化硫蒸馏仪,COD消解仪,高氯COD消解仪,硫化物酸化吹气仪,全自动液液萃取仪,挥发油测定仪等等。单模微波合成仪（NAI-DMH）在常压单模微波合成仪基础上进行技术革新，实现了高压条件下进行化学反应的功能。环形大容量单模微波谐振腔，可以实现常压回流反应和高压密闭反应的自由转换，具有更自由的反应选择性和容器的兼容性。 主要特征1、CPU操作系统Linux开放式操作平台，内置256GB硬盘，10寸触摸屏可实现远程控制和网络管理，一机完成所有操作；2、整机外壳由碳纤维加强聚合材料+涂层组成，高强度结构和防腐防锈性能，微波腔体采用316级全不锈钢，多层防腐耐高温特氟隆涂层 ；3、微波谐振腔11 列环形通道，能势阱效应，环行聚焦单模自动识别技术，标配反应罐自动识别系统，一键合成，自动匹配标准应用方法和功率参数；4、设有定时功能，0~999S , 0~999M, 0~999H范围内任意设定培养时间无线温控 标配发射光全体积监控，自动检测和控制全罐的反应温度；5、标配自动压力监控实时检测和追踪压力变化0-500psi，+1psi，达到设定压力时，智能卸压并自动关闭微波；6、优化微波动力学能量模式，提高合成反应转化率，对反应变化实时动态匹配功率发射；7、大功率湍流排风冷却特别设计，实现反应同步冷却和反应后快速风冷；8、双重搅拌方式标配原位电磁搅拌，和机械搅拌(可选)，速度可调；9、视频安全监控 内置标配500万高清网络摄像头，观察反应状态和进程；10、电磁屏蔽单向循环晶体，吸收体保护，零负载运行微波屏蔽测试，符合UL标准。11、在超出指定时间内施加全功率，检测器将关闭系统，以防止失控 。技术参数产品型号NAI-DMH控制系统Linux开放式操作系统，内置256GB硬盘控制软件SynerayPC软件环形腔体积300mL环形单模微波温控范围0-350℃；±0.1℃微波源功率专业微波源2450MHz(行业标准)，安装功率:900W控制精度0-100%全范围非脉冲连续微波Auto-tuning调节+0.818W触控屏10寸压力反应瓶10mL(兼容微量0.2mL~7mL反应)，35mL，100mL循环回流反应125mL(可带各种冷凝回流，分液漏斗和搅拌)培训视频可在Discover20显示器上观看点播培训视频

西安厂商直供大功率浪涌测试仪ENL3010 浪涌测试系统系统概述ENL3010 浪涌测试系统 ，设备可输出17.7mS、80kA的电流，对被测器件进行浪涌电流试验；浪涌电流测试系统西安易恩电气 ENL3010 浪涌测试系统 ，该测试台通过电容充放电原理产生电流波形，根据不同的测试条件，设定好各试验参数，再通过调节不同的电感值（手动调节）来改变不同的电流宽度来输出测试要求的电流值，测试的电压和电流波形同时被采集到示波器和相关的控制电路，反馈给PLC,并由HMI显示测试结果；PLC控制系统本系统采用PLC对整个系统进行控制，PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制，并且对测试数据进行采集且与HMI（人机界面）进行通讯，由HMI对测试结果进行显示，完成了整个系统的自动控制功能；PLC不仅控制开关的动作，而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控，并与硬件进行互锁，实现了可靠的安全控制功能。HMI（人机界面）控制系统 HMI对以下试验参数进行设定： 试验次数 重复时间 漏电流设定 电容电压设定 电容选择 脉宽选择 VD/VR选择，设定完毕后可在测试界面中选择并调用参数HMI对以下试验参数进行显示：浪涌电流 阻断电压 阻断漏电流 电容电压 脉冲次数规格/环境环境温度： 15～40℃相对湿度： 小于60%大气压力： 86Kpa～ 106Kpa电网电压： AC220V±10%无严重谐波电网频率： 50Hz±1Hz功能指标技术指标测试参数电流能力17.7mS80KA浪涌电流阻断电压脉宽10ms15.3ms17.7ms阻断漏电流电容电压脉冲次数

监视器附件 6SY8101-0AA31干扰抑制滤波器 6SB2076-4AA00-0AA0干扰抑制滤波器 6SY8101-0AA37风扇 6SY8101-0AA66电源变压器 短路器 6SY8101-0AA77风扇 6SY8101-0AB06风扇 6SL3994-0FX05-0AA0干扰抑制滤波器 6SY8101-0AC00风扇 6SL3994-0FX03-0AA0制动电阻 6SY8101-0AC07SITOR 模块 6QA5111-0AK21闸流晶体管 6SB2071-0AA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-1AA00-0AA0晶闸管 6SD2180-3AA0闸流晶体管 6SB2071-4BA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-6AA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-7AA00-0AA0变压器 6SB2072-1AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-4AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-5AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-5BA00-0AA0电流互感器 6SB2072-6AA00-0AA0电容器 6SB2073-3DA00-0AA0闸流晶体管 6SD2180-1AA0闸流晶体管 6SD2180-2AA0风扇 6SL3994-0FX04-0AA0闸流晶体管 6SD2180-5AA0闸流晶体管 6SD2180-6AA0电流实际值转换器 6SD2181-2AA0变压器 6SD2181-4AA0电泳放电器面板 6SD2182-0AA0电泳放电器面板 6SD2182-1AA0电泳放电器面板 6SD2182-2AA0电泳放电器面板 6SD2182-3AA0径流式风扇 6SL3944-0FX00-0AA0晶闸管 6SL3953-6PX00-0AA0

适合LED、大功率LED光电参数分选测试，应用于研发、检测部门及LED生产现场快速测试。 技术指标： 光度测量范围：0.01lm～1.9999× 105lm 电性能参数： 程控恒流源输出范围：1.0mA～1.0A 程控恒压源输出范围：0.1V～10.0V 正向电流IF的测量范围：1.0mA～1.0A 正向电压VF的测量范围：0.1V～10.0V 反向漏电流IR的测量范围：0.01&mu A～100.0&mu A 反向电压VZ的测量范围：0.1V～38.0V 测试精度：0.5%F.S.

西安厂家直供大功率MOS动静态测试系统规格环境A. 环境温度： 25±10℃，B． 相对湿度： 湿度不大于65%C. 大气压力： 86Kpa～ 106KpaD. 工作电压：三相五线制AC 380V±10%，或者单相三线制AC 220V±10%E． 电网频率： 50Hz±1HzF. 压缩空气： 0.4～0.6MpaG. 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；功能简介此设备具有以下测试单元。注：开关时间，二极管反向恢复，栅极电荷需要可在分装后测试，静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。开关时间测试单元开启延迟时间（Td(on)） 上升时间（Tr）关断延迟时间（Td(off)） 下降时间（Tf）开启损耗Eon 关断损耗Eoff二极管反向恢复测试单元反向恢复时间（Trr） 反向恢复电荷（Qrr）栅极电荷测试单元阈值电荷（Qg（th）） 栅电荷（Qg）静态全参数测试单元RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25雪崩测试单元雪崩电流（I），雪崩电压(V)，雪崩能量(E)测量的MOSFET动态参数参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg拖尾时间tz 测量的DIODE动态参数参数名称符号参数名称符号反向恢复时间trr反向恢复电荷Qrr

分立器件测试仪主要技术参数分立器件测试仪系统主要技术参数列表如下： 主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V)主极电流 50A(加选件可扩展到100A至2500A)控制极电压 20V(加选件可扩展到80V)控制极电流 10A(加选件可扩展到40A)电压分辨率 1mV电流分辨率 100pA(加选件可扩展到1pA)测试速度 5ms/参数3300V、2500A以上可订制可测试器件种类该系统是专为测试大功率半导体分立器件而设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下19个类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：器件测试种类二极管DIODE稳压（齐纳）二极管ZENER晶体管TRANSISTOR(NPN/PNP)单向可控硅（普通晶闸管）SCR双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC金属－氧化物－半导体场效应管MOSFET(N-CH/P-CH)结型场效应管JFET(N-CH/P-CH)三端稳压器REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变）绝缘栅双极大功率晶体管IGBT(N-CH/P-CH)光电耦合器OPTO-COUPLER(NPN/PNP)达林顿阵列器件DARLINTON光电开关管OPTO-SWITCH继电器RELAY(A,B,C型）金属氧化物压变电阻MOV压变电阻VARISTOR智能功率模块IPM集成功率模块PIM

大功率温度控制系统 - Max TCMax TC大功率温度控制系统，可为被测器件提供从 -60°C 至 175°C 的温度范围。温度范围：-60°C 至 +175°C冷却功率：52W@ -40°C , ～200W@0°C降温、升温速度快：25°C to -40°C in, 2 min. 25°C to 90°C in, 1 min高温精度：±0.1°C无需压缩空气，无需辩驳却装置/液体霜冻自由控制适合任何插座或锡料焊接器件 软件校准操作时对人及球境是无害的优越的控制器性能可以完美的与自动测试设备结合应用范围： 锡焊设备嵌设备测试仪处理器Chucks 夹头Transceiver 收发器

SWT-10000A微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源，主机采用高速微处理器控制，控制精度高，时间响应快， 工作模式丰富，它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面，被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性，主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用，是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制，电源适应能力强。微电脑晶体管点焊机为机头与电控箱分离式，可做成单针/双针机头，该焊接电源广泛用于自动化设备焊接配套使用，具有焊接质量自动检测功能，极大的提高了焊接品质。主要用于：组合电池连接片的焊接，电池组合，五金件焊接。规格型号：SWT-10000A（6000A）电流：10000A （6000A） 驱动形式：气动预焊电流：0-99%焊接电音：0-99%焊接时间：1-3.0mS焊接电源：晶体管电源输入电源：AC220V±10%/50Hz焊接电流：0-9.99KA对比电流：0-9.99KA输入气源：4-8MPa电极直径：φ3/φ6焊针压力：0.5-2.5KGF电极行程：1-10mm高度可调范围：65-130mm（可定制）台面尺寸：850*700mm

HUSTEC华科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT静态参数测试仪一：IGBT静态参数测试仪主要特点华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；IGBT静态参数测试仪测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。二：IGBT静态参数测试仪应用范围A：IGBT单管及模块，B：大功率场效应管（Mosfet）C：大功率二极管D：标准低阻值电阻E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测三、IGBT静态参数测试仪特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围10V F：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；序号测试项目描述测量范围分辨率精度1VF二极管正向导通压降0~20V1mV±1%,±1mV2IF二极管正向导通电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A3＞200A时,1A＞200A时,±1%4Vces集电极-发射极电压0~5000V1V±1%,±1V5Ic通态集电极电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A6＞200A时,1A＞200A时,±1%7Ices集电极-发射极漏电流0~50mA1nA±1%,±10μA8Vgeth栅极-发射极阈值电压0~20V1mV±1%,±1mV9Vcesat集电极-发射极饱和电压0~20V1mV±1%,±1mV10Igesf正向栅极漏电流0~10uA1nA±2%,±1nA11Igesr反向栅极漏电流12Vges栅极发射极电压0~40V1mV±1%,±1mV华科智源静态参数测试系统针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。

8500系列是一个专为在真实条件下对EV及其它任何储能设备性能进行测试而设计的高功率全自动测试系统。此测试系统可支持将放电能量回馈给电网。8500系列设备可以由一个或多个通道组成，此设备可在一定功率下持续工作。结合MACCOR标准测试软件，可对动力电池及其它储能装置做标准的循环测试和各种模拟实验包括FUDS,SFUDS,DST等，电压最高可达到1000V,电流可以达到1000A，其测量精度是同类设备中最高的。8500系列设备是您高功率电池测试最好的选择。测试应用：所有化学材料的EV,HEV,PHEV电池能量储存设备动力传动系统及发动机大功率PV系统大功率燃料电特征和优点：1. 20ms的数据采集时间及100ms的最小步时间在控制和测量上都是相当高水准的，更小的步时间及数据采集为选件。2. 独立的测试步可以恒流，恒电压，恒功率，恒电阻等模式进行组合操作。3. Maccor’s独有的G2B(电网到电池)和B2G（电池到电网）系统，让您的大功率测试耗能最少。相关主要技术规格：1. 测试设备最大电压：1000V2. 测试设备最小电压：1%FS3. 测试设备电压精度：±0.02%FS+0.02%RD4. 测试设备最大电流：1000A5. 测试设备最小电流（恒流及恒功率模式）：1%FS6. 测试设备电流精度：±0.05%FS+0.1%RD7. 测试设备功率：无限制，最大功率为P=U*I8. 测试设备分辨率：16bit

多路大功率激光器老化测试系统解决方案针对千瓦级大功率半导体激光器，普赛斯推出国产化极优性价比大功率激光器老化测试系统解决方案.设备可扩展至4层结构，每层设计若干路，每路支持1-16只激光器芯片的串联老化。图：LDI系列大功率激光器老化测试系统系统包括高温环境控制装置、直流或脉冲驱动电源、收光装置、光纤、光谱仪(选配)、循环水冷系统、定制夹具、温度采集器及上位机等.其中,电源采用普赛斯全新开发、自主设计的HCPL系列大功率激光器测试电源。60A CW模式，600A QCW模式值得一提的是,随着国内半导体产业的不断发展,以及行业解决“卡脖子”难题的决心,国产化仪器仪表的时代已然到来！武汉普赛斯仪表坚持自主创新，争做国货之光！半导体激光器参数测试设备认准普赛斯仪表产品简介 普赛斯多路大功率激光器老化系统是专为解决千瓦级大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题而创新开发推出的一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强，并具有防过冲、防反冲、抗浪涌的稳压及恒流的双重保护电路等功能，为大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块的老化测试提供了一个完整的解决方案，器件装载使用抽屉式结构，设备可以灵活扩展最高至4层结构，每层设计若干路，每路支持1-16只激光器的串联老化。 普赛斯多路大功率激光器老化系统采用全新开发、自主设计的大电流脉冲恒流源，可以兼容CW模式以及QCW模式，支持直流恒流、直流扫描、脉冲直流、脉冲扫描等四种模式。该系统包括高温环境控制装置、直流或脉冲驱动电源、收光装置、光纤、光谱仪（选配）、循环水冷系统、定制夹具、温度采集器及上位机等。实现上位机程序进行自动测试，自动采集半导体激光器驱动电流、激光器电压、激光器光功率、环境温度。实现多单元、高效率、自动监控并记录上传测试数据的一体化测试系统。 多路大功率激光器老化测试系统特点 单抽屉最多支持16路8抽屉； 各通道互相独立； 电流回读，同步自动测量电压、光功率等数据； 加热膜加热，温控范围：室温～125℃； 电源抗浪涌设计； 收光装置水冷； 绝对精度±1℃，不同DUT温度均匀性±2℃； 老化数据自动记录与数据导出； 产品应用 大功率LED的LIV测试及产线批量老化 大功率激光器的LIV测试及产线批量老化 大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块的稳定性及可靠性测试 普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。

SWT-1419微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源，主机采用高速微处理器控制，控制精度高，时间响应快， 工作模式丰富，它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面，被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性，主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用，是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制，电源适应能力强。 SWT-1418微电脑晶体管点焊机带自动送料装置专用于镍片与电子线 焊接，也可以分开使用，方便快捷，焊接牢固。专用焊棒，不粘针，不炸火。规格型号：SWT-1419电流：8000A焊接能力：0.01-0.20驱动形式：气动焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz

大功率台式顺序波长色散型X射线荧光光谱仪固体、液体、粉末、合金和薄膜的元素分析氧到铀的元素分析与竞争对手的XRF系统相比Rigaku Supermini200在高分辨率仪器中提供了优越的基本参数和经验软件功能，占地面积小。作为一款高功率台式顺序波长色散x射线荧光(WDXRF)光谱仪，Supermini200具有独te的低成本(Coo)、高分辨率和低检测限(LLD)，可用于几乎任何材料中通过铀(U)进行氧(O)元素分析。WDXRF性能好，成本低 Rigaku Supermini200光谱仪不仅是您的XRF元素分析需求的经济实惠的选择，运行成本也很低。P10气体用于流量比例检测器是唯yi的消耗品。Supermini200不需要冷却水、管道或外部冷水机，从而减少了系统维护，降低了系统的整体使用寿命成本和每年的耗材和维护预算。WDXRF用于轻元素性能该仪器的核心能力是分析具有广泛的轻元素和重元素的复杂基质材料，从痕量到高浓度水平。凭借其高功率(200 W) x射线管，Rigaku Supermini200为轻元素提供高XRF灵敏度，具有zhuo越的光谱分辨率，可解决复杂矩阵中的线重叠，而无需复杂的数学峰值反褶积。分析低浓度的轻元素(F、Na、Mg、Ca、Si、Al和P)很容易。对困难样品的最高分辨率Supermini200 WDXRF光谱仪配备了一个三位置晶体转换器，其中LiF(200)和PET作为标准晶体安装。RX25或Ge可以选择性地添加，RX25为从氧到镁的峰提供了非常高的分辨率。通过铀(O→U)分析氧分析固体，液体，粉末，合金和薄膜大气:氦或真空x射线管:50kv, 200w pd阳极主波束滤波器:Zr为标准 可选探测器:闪烁计数器和F-PC(S-PC不需要P10气体可选)晶体:3位转换器样品尺寸:可容纳直径51.5毫米的样品自动换样器(ASC)标准:10个样品位置(51.5 mm直径的样品)可选:12个样品位置(最大44mm直径的样品)真空:标准旋转泵电源:100 - 120V (50/ 60hz) 15A或200 - 240V (50/ 60hz) 10A操作简单2001年理学台式WDXRF代表了现代工业模式的转变，它即具有大WDXRF的优势又极大的降低了费用，安装也变得方便。推出的高功率200W 台式Supermini系统保持了台式机的所有优势。灵敏度高200W光源驱动使Supermini灵敏度满足在金属，水泥，环境和法规执行上超低检出限的要求。功能强大Supermini 灵活性强，可分析从F到U的固体，液体和粉末，在真空或充氦环境。标准配置12位自动进样器，自动操作。作为ZSX系列理学台式波长色散X射线荧光系统中的成员，Supermini配置了可以与其他成员共用的所有软件。数据处理功能强大且简单，使用理学标志的流程条界面进行定性和定量分析。大功率台式顺序波长色散型X射线荧光光谱仪特点高功率台式WDXRF光谱仪200W 射线光管缩短测量时间提高灵敏度适用于矿石分析使用MDL方法分析基体复杂样品安装方面的台式设计无需液氮及冷却循环水应对WEEE/RoHS & ELV 指令可以分析痕量重元素降低操作费用低P-10气体流量空冷光管CE认证高效分析12位自动进样器