中国科技网讯 据物理学家组织网5月9日(北京时间)报道,美国加州大学河滨分校伯恩斯工程学院的研究人员开发出一种新技术,可借助石墨烯实现大功率半导体设备的大幅降温,解决在交通信号灯和电动汽车中使用的半导体材料散热问题。相关研究报告5月8日发表在《自然·通讯》杂志上。 自上世纪90年代以来,半导体材料氮化镓(GaN)就被用于强光的制造,并因为高效和可耐高电压工作而被用于无线设备中。然而就像所有大功率操作设备一样,氮化镓晶体管会散发出相当多的热量,需要对其快速而有效的移除。科学家已尝试过倒焊芯片和复合基底等多种热量管理途径,但效果都不理想。如何为这些设备降温仍困扰着学界,氮化镓电子工业的市场份额和应用范围也因为难以散热而受到限制。 基于纳米设备实验室开发的新技术,将使这一情况得到改善。研究小组由电子工程学教授亚历山大·巴兰金领导,他们在进行微拉曼光谱温度测量时发现,通过引入由多层石墨烯制成的交替散热通道,能使在高功率运转情况下的氮化镓晶体管中的热点降低20℃,并将相关设备的寿命延长10倍。 巴兰金表示,这代表了热量管理领域的变革性进展。与金属或半导体薄膜不同,多层石墨烯即使在自身厚度仅为数纳米时,也能保持良好的热力性质,这使它们成为了制造侧面导热片和连接线的极佳备选。研究人员在氮化镓晶体管上设计并构建了石墨烯“被子”,使其能从热点处移除和传导热量。计算机模拟则显示,采用热阻更强的基底能使石墨烯“被子”更好地在氮化镓设备上发挥作用。(记者 张巍巍) 总编辑圈点 大功率LED光源寿命是高压钠灯的4倍以上,耗电仅为白炽灯的十分之一,因此正越来越多地用在景观照明、交通信号灯等领域,但是散热问题一直阻碍着它的迅速普及。一般情况下,LED光源工作时所产生的热量占其消耗总功率的70%左右,热量若无法导出,将会影响产品生命周期、发光效率。热点降低20℃,寿命延长10倍。文中提到的降温新方法着实振奋人心,可以想见,一旦技术成熟并投入使用,城市的夜晚将更加绚烂夺目。 《科技日报》(2012-05-10 一版)
CGH40045FE射频功率晶体管是[url=https://www.leadwaytk.com/brand/35.html]CREE[/url]公司提供的一款性能优越的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。它操作在28伏的电压轨道上,为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。该晶体管具有高效率、高增益和宽带性能,适用于线性和压缩放大器电路。[align=center][img=CGH40045FE射频功率晶体管CREE]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252054353284.png[/img][/align][b] 以下是CGH40045FE射频功率晶体管的一些特征:[/b] 1.工作频率高达4 GHz 2.在2.0 GHz时具有16 dB的小信号增益,在4.0 GHz时为12 dB 3.PSAT(饱和输出功率)为55 W 4.工作电压28 V[b] 应用:[/b] 2路私人无线电:适用于私人通信设备中的发射和接收模块。 宽带放大器:用于需要高频宽带放大器的应用,如电信基础设施等。 蜂窝基础设施:可用于蜂窝网络基站和设备的射频传输模块。 测试仪器:适用于各种测试仪器的射频信号放大模块。 A类,AB类,线性放大器:适用于各种调制方式(如OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA)下的线性和压缩放大器设计。[b]产品选型:[/b][table=90%][tr][td=1,1,75][b]Order Number[/b][/td][td=1,1,171][b]Description[/b][/td][td=1,1,92][b]Init of Measure[/b][/td][td=1,1,152][b]Image[/b][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045F[/td][td=1,1,171]GaN HEMT[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252188858765.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045P[/td][td=1,1,171]GaN HEMT[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252198984376.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045F-AMP[/td][td=1,1,171]Test board with GaN HEMT installed[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252207570347.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045P-AMP[/td][td=1,1,171]Test board with GaN HEMT installed[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152] [/td][/tr][/table][font=微软雅黑][/font][url=https://www.leadwaytk.com/]深圳市立维创展科技[/url][font=宋体][size=14px]是[/size][/font][font=Calibri][size=14px][url=https://www.leadwaytk.com/brand/35.html]CREE[/url][/size][/font][font=宋体][size=14px]的经销商,拥有[/size][/font][font=Calibri][size=14px]CREE[/size][/font][font=宋体][size=14px]微波器件优势供货渠道,并长期库存现货,以备中国市场需求。[/size][/font]
[align=center][img=BLP05H6700XR功率晶体管Ampleon,199,170]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20240603/1717380641473459.png[/img][/align] BLP05H6700XR功率LDMOS 晶体管是由 [url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url] 公司生产的一款高性能产品,主要针对 HF 至 600 MHz 频段的广播、工业、航空航天和国防应用进行优化。该晶体管具有 700 W 的额定功率,并具备以下特点和优势: - 易于控制功率输出 - 集成双面 ESD 保护,支持 C 类操作和完全关断 - 卓越的耐用性,VSWR 高达 65 : 1 - 高效率的功率传输 - 优良的热稳定性 - 专为宽带工作设计,覆盖 HF 至 600 MHz - 50 V 工作电压,便于宽带匹配 - 提供直引线和鸥翼式引线两种封装形式 - 符合 RoHS 标准[b] 应用信息[/b] 在脉冲 RF 信号条件下,晶体管的主要参数如下: 频率 (f): 108 MHz 漏源电压 (Vds): 50 V 功率输出 (PL): 700 W 功率增益 (Gp): 26 dB 效率 (ηD): 75% 应用领域包括工业、科学和医疗应用,广播发射机应用,以及航空航天和国防应用。该晶体管以其优异的性能和坚固的设计,确保在苛刻环境下的可靠性和效率。[b]相关推荐:[/b][url=https://www.ldteq.com/article/3471.html]0.4-1.0GHz UHF功率晶体管Ampleon[/url][color=#0070c0] [/color][url=https://www.ldteq.com/article/3474.html]1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/article/3478.html]2.3-2.7GHz S波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/article/3483.html]3.3-5.0GHz S/C波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/]立维创展[/url][size=14px][size=15px][color=#0070c0][/color][/size][size=15px][color=#333333]专业代理[url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url]产品,拥有价格优势,欢迎咨询。[/color][/size][/size]
错误信息提示:通过功率晶体管的电流超出容限。晶体管电流超出容限后,晶体管会烧吗?打开等离子体舱门,靠近舱门能闻到轻微的线烧味。请问各位有没有遇到过这样的问题?是怎么解决的?
最近,我们那台ICP(710OES)经常会出现大功率管报错的情况,报错时会出现像划玻璃一样刺耳的声音,然后就是等离子体熄灭,不过这种现象是偶尔发生,维修工程师给出的建议是更换大功率管,不便宜啊,好几万呢。大家来看看,这是什么原因造成的呢?
晶体管特性图示仪是一种可以检测晶体管的特性参数的电子测量仪器。晶体管特性图示仪操作简便,主要有六个旋钮,每个旋钮代表不同的功能作用。它们分别是用来测试调控电流开关、电压开关、峰值电压开关、功耗限制电阻、零电压、零电流开关。晶体管特性图示仪的工作原理大致是这样的:通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数,通过摄影装置可记录所需的特性曲线;根据需要还可以测试隧道二极管、场效应管、VMOS管、达林顿管及可控硅等半导体材料制做的器件。晶体管特性图示仪可同时在示波器管荧光屏上显示两只同类型半导器件的特性曲线。晶体管特性图示仪的具体参数如下:集电极扫描电压0-500V 二端测试电压0-5KV、 集电极电流1μA-500mA/div 、具有脉冲阶梯信号。
[size=14px]功率氮化镓晶体管是一种高性能、高效率的功率放大器,被广泛用于无线通信、雷达系统、卫星通信和电力应用等领域。它具有很高的开关速度、低损耗和较高的工作频率范围,适用于高频率和高功率的应用。[/size][url=https://www.ldteq.com/brand/97.html][size=14px]Ampleon[/size][/url][size=14px]产品型号为C4H27F400AV,是400W GaN 封装非对称Doherty 功率氮化镓晶体管,适用于频率为 2496 MHz 至 2690 MHz 的基站应用。[/size][b][img=Gen4 400W GaN终级放大器 用于2496-2690MHz MBB应用,200,200]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231121/1700552509129241.png[/img][img=C4H27F400AV,184,111]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231121/1700552604106099.png[/img][/b][size=14px][b]C4H27F400AV具有以下特点和优势:[/b][/size][size=14px][/size] 1、数字预失真能力极佳。 2、高效率 3、专门为宽带操作而设计 4、较低的输出电容可以提高Doherty应用的性能。 5、内部匹配,使用方便[size=14px][b]应用:[/b][/size][size=14px]C4H27F400AV 射频功率放大器,适用于2496 MHz至2690 MHz频率范围内的基站和多载波应用。[/size][b][size=16px]参数:[/size][/b][table=1140][tr][td]象征[/td][td]参数[/td][td]条件[/td][td]最小值[/td][td]典型值/否[/td][td]麦克斯[/td][td]单位[/td][/tr][tr=rgb(249, 249, 249)][td]f范围[/td][td]频率范围[/td][td] [/td][td]2496[/td][td] [/td][td]2690[/td][td]兆赫[/td][/tr][tr][td]P[font=&]L(5dB)[/font][/td][td]5 dB增益压缩时的标称输出功率[/td][td] [/td][td] [/td][td]400[/td][td] [/td][td]W[/td][/tr][tr=rgb(249, 249, 249)][td=7,1]测试信号:1-c W-CDMA[/td][/tr][tr][td]VDS[/td][td]漏源电压[/td][td]PL(AV)= 56.2 瓦 [0][/td][td] [/td][td]48[/td][td] [/td][td]V[/td][/tr][tr=rgb(249, 249, 249)][td]Gp[/td][td]功率增益[/td][td]PL(AV)= 56.2 瓦 [0][/td][td]13.2[/td][td]14.5[/td][td] [/td][td]分贝[/td][/tr][tr][td]ηD[/td][td]排水效率[/td][td]PL(AV)= 56.2 瓦 [0][/td][td]49[/td][td]54[/td][td] [/td][td]%[/td][/tr][tr=rgb(249, 249, 249)][td]RL[font=&]in[/font][/td][td]输入回波损耗[/td][td]PL(AV)= 56.2 瓦 [0][/td][td] [/td][td]-14[/td][td]-8[/td][td]分贝[/td][/tr][tr][td][font=&]ACPR[/font][/td][td]邻道功率比[/td][td]PL(AV)= 56.2 瓦 [0][/td][td] [/td][td]-27[/td][td]-22[/td][td]dBc(分贝克)[/td][/tr][/table][b]关于[url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url][/b] Ampleon是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、开发和制造功率氮化镓晶体管(GaN HEMT)和功率晶体管(LDMOS)等高性能射频(RF)和微波器件。作为一家独立的公司,Ampleon拥有广泛的产品组合,涵盖各种应用领域,包括通信、消费电子、医疗、工业、航空航天和国防等。他们的产品提供高效、可靠的功率放大解决方案,帮助客户实现更好的性能和效益。Ampleon在全球范围内拥有多个研发中心和制造工厂,以确保高质量和快速交付。他们的技术团队不断推动创新,致力于开发新的技术和产品,以满足市场的需求并应对未来的挑战。[size=14px][color=#333333]立维创展专业代理[url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url]产品,拥有价格优势,欢迎咨询。[/color][/size]
Thermo 之前的IRIS ii 用的是不是大功率管?
请问 大功率管的价格大约是多少啊?
今天,我们实验室一台ICP的大功率管挂了。查了上次更换时间,差不多一年。这消耗也太大了吧。不知道大家的ICP的功率管使用情况怎样?1、使用功率是多少?2、每天运行时间?3、多长时间换一次?
如题---高频头和大功率管的应用和区别---望维修工程师参加
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414109_1841898_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414110_1841898_3.jpg
据美国物理学家组织网4月19日(北京时间)报道,由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布,他们制造出了一种核心组件直径只有1.5纳米的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件,具有极为广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。 单电子晶体管是用一个或几个电子就能记录信号的晶体管,其尺度都处于纳米级别。随着集成电路技术的发展,电子元件的尺寸越来越小,由单电子晶体管组成的电路日益受到研究人员的青睐,其高灵敏度的特性和独特的电气性能使其成为未来随机存储器和高速处理器制造材料的有力竞争者。 据研究人员介绍,这种新型单电子晶体管的核心组件是一个直径只有1.5纳米的库伦岛,另外还有一两个电子负责对信号进行记录。负责该项研究的匹兹堡大学文理学院物理学和天文学教授杰里米·利维称,该晶体管未来可用于研制具有超密存储功能的量子处理器。这种处理器将能轻松应对那些让目前全世界所有的计算机同时工作数年也计算不完的复杂问题。同时因其中央的库伦岛可以被当作人工原子,该晶体管还可用来制造自然界原本并不存在的新型超导材料。 利维和其同事将这种超小型单电子晶体管命名为“SketchSET”。原因在于这项技术受到了一种名为蚀刻素描画板(Etch A Sketch)的启发,这种晶体管的制造原理也与其类似。在实验中,通过原子力显微镜,研究人员用一种极为尖锐的电导探针就能在钛酸锶晶体界面上用1.2纳米厚的一层铝酸镧“蚀刻”出所需的晶体管。 据介绍,SketchSET是第一个完全由氧化物制成的单电子晶体管,并且其库伦岛内能容纳两个电子。经过库伦岛的电子数量可以是0、1或2,而不同数量的电子将决定其具有怎样的导电性能。 利维表示,这种单电子晶体管对电荷极为敏感,且所使用的氧化物材料具有铁电效应,该晶体管还可制成固态存储器,即便没有外部电源,该晶体管存储器也不会丢失此前存储的信息。此外,这种晶体管对压力变化也极为敏感,根据这一特性可用其来制成纳米尺度的高灵敏度压力传感设备。 1959年一个芯片上只能放一个晶体管,今天家用计算机微处理器上的晶体管数量已达11.7亿,是半导体材料支撑起了电子计算机时代。下一代计算机如何发展?无论是基于单电子晶体管的量子计算机,还是基于蛋白质技术的生物计算机,我们还是要从新材料上找答案。当前已经有多种单电子晶体管研制出来,也许这些方案将来都派不上用场,然而每次实验都会向成功迈进一步,最后开启计算机新时代的新材料一定会在这些实验中脱颖而出。
[size=14px]氮化镓 CoolGaN? 400V 增强型功率晶体管IGT40R070D1可实现极致的效率和可靠性[/size][size=14px]这CoolGaN? 400Ve-mode GaN HEMT是行业基准的衍生产品CoolGaN? 600V 技术.这种增强型功率晶体管 (IGT40R070D1) 通过在体二极管中引入零反向恢复电荷和非常小的线性输入和输出电容,克服了线性度和功率损耗等技术障碍。该IGT40R070D1针对D类音频放大器它提供出色音频体验的应用程序。[/size][b][size=14px]功能概要[/size][/b][size=14px]增强型晶体管 – 常关开关[/size][size=14px]超快开关[/size][size=14px]无反向恢复电荷[/size][size=14px]能够反向传导[/size][size=14px]低栅极电荷、低输出电荷[/size][size=14px]卓越的换向坚固性[/size][size=14px]符合 JEDEC 标准(JESD47 和 JESD22)[/size][b][size=14px]好处[/size][/b][size=14px]由于 400V 级别的最佳品质因数 (FOM),提高了效率[/size][size=14px]表现出非常低的噪音水平[/size][size=14px]与同类最佳硅开关相比,THD 更低[/size][size=14px]与现有控制IC兼容[/size][b][size=14px]潜在应用[/size][/b][size=14px]D类音频放大器更多相关英飞凌产品信息请访问立维创展ldteq.com[/size]
选型信息:BLA6H0912-500BLA6H0912L-1000;BLA6H0912LS-1000 BLA9H0912L-1200P BLA9H0912LS-1200P(G)BLA9H0912L-250(G) BLA9H0912LS-250(G)BLA9H0912L(S)-700 BLA9H0912L(S)-700G更多相关[url=https://link.zhihu.com/?target=https%3A//www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url]品牌产品信息可咨询立维创展[url=https://link.zhihu.com/?target=https%3A//www.ldteq.com/]ldteq.com[/url]BLA6H0912-500500 W LDMOS功率晶体管,适用于960 MHz至1215 MHz范围内的航空电子发射机应用,如Mode-S、TCAS、JTIDS、DME和TACAN。[font=-apple-system, BlinkMacSystemFont, &][color=#191b1f][img=,540,117]https://pic4.zhimg.com/80/v2-33456b9cdfde0459dc3c839113153aef_720w.webp[/img][/color][/font][font=-apple-system, BlinkMacSystemFont, &][color=#191b1f][img=,552,88]https://pic4.zhimg.com/80/v2-b99c086f43f2b6fa59283d9f5702943b_720w.webp[/img][/color][/font]BLA6H0912L-1000;BLA6H0912LS-10001000W LDMOS 脉冲功率晶体管,用于 960 MHz 至 1215 MHz 频率范围内的航空电子发射器应用,例如 Mode-S、TCAS、JTIDS、DME 和 TACAN。[img=,538,120]https://pic4.zhimg.com/80/v2-1096cb62ae3dee16e7cd8dfd85b08aeb_720w.webp[/img][img=,541,120]https://pic3.zhimg.com/80/v2-29599ed3eb796bf034cd4411364d4c7a_720w.webp[/img]BLA9H0912L-1200P BLA9H0912LS-1200P(G)[font=-apple-system, BlinkMacSystemFont, &][color=#191b1f][img=,544,151]https://pic2.zhimg.com/80/v2-2c8581312dc775d05271de0815d5a719_720w.webp[/img][/color][/font][font=-apple-system, BlinkMacSystemFont, &][color=#191b1f][img=,551,142]https://pic4.zhimg.com/80/v2-a896b2b7e64a4a3ef989964d610bb213_720w.webp[/img][/color][/font]BLA9H0912L-250(G) BLA9H0912LS-250(G)250 W LDMOS 功率晶体管,适用于频率范围为 960 MHz 至 1215 MHz 的航空电子应用。[img=,547,116]https://pic4.zhimg.com/80/v2-0413cbb051afb4a1fbb36df2c29815ab_720w.webp[/img][img=,548,171]https://pic2.zhimg.com/80/v2-90deb2a3e7c12eff2a2d8b1a30750c4d_720w.webp[/img]BLA9H0912L(S)-700 BLA9H0912L(S)-700G700 W LDMOS 功率晶体管,适用于频率范围为 960 MHz 至 1215 MHz 的航空电子应用。[img=,556,122]https://pic4.zhimg.com/80/v2-e8c38edd864a7bdadf7a8644d38bf2db_720w.webp[/img][img=,542,163]https://pic1.zhimg.com/80/v2-3261f04eb5dc5151461d7006ce0ec7d8_720w.webp[/img]特点和优势:轻松控制电源集成ESD保护脉冲格式灵活性高出色的坚固性高效率优异的热稳定性专为宽带操作(960 MHz 至 1215 MHz)而设计内部匹配,易于使用符合指令 2002/95/EC,关于有害物质的限制应用:960 MHz 至 1215 MHz 范围内的航空电子雷达应用。 LDMOS功率晶体管具有以下特点: 高功率输出:LDMOS功率晶体管能够提供相对较高的功率输出。它适用于需要具备高功率输出能力的应用场景。高工作频率:LDMOS功率晶体管在射频范围内具备较高的工作频率特性。它通常可以覆盖从几百兆赫兹到几个千兆赫兹的频率范围。 良好的线性度:LDMOS功率晶体管具有较好的线性度和低失真特性,使得信号能够被准确地放大而不引入过多的非线性失真。 高能效:LDMOS功率晶体管在高功率输出时通常具有较高的能效比,能够提供相对高的能量转换效率。 提供可靠性:LDMOS功率晶体管常常设计具有较高的可靠性,以满足要求在恶劣环境和高温条件下长时间可靠运行的需求。
BLL9G1214L-600 BLL9G1214LS-600[b]选型:[img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231121/1700537083899742.png[/img]LDMOS L波段雷达功率晶体管[/b]600 W LDMOS功率晶体管,适用于1.2 GHz至1.4 GHz频率范围内的L波段雷达应用[img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231121/1700537071420795.png[/img][b]特点和优势[/b]高效率出色的坚固性专为 L 波段操作而设计优异的热稳定性轻松控制电源集成双面ESD保护,实现出色的关断状态隔离脉冲格式灵活性高内部匹配,易于使用符合关于有害物质限制 (RoHS) 的指令 2002/95/EC[b]应用[/b]频率范围为 1.2 GHz 至 1.4 GHz 的 L 波段雷达应用[font=微软雅黑, &][size=15px][color=#333333] 立维创展ldteq.com专业代理Ampleon产品,拥有价格优势,欢迎咨询。[/color][/size][/font]
截至3月20日,在曙采超稠油蒸汽驱杜84-33-69井现场,辽河油田采油工艺研究院井下大功率电加热提干装置,自1月11日成功投运,已连续平稳运行70天,加热功率突破1兆瓦,在每小时5.5吨的注汽速度下,井底蒸汽干度提高36%。[align=center][img=,600,400]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/fdd4978e-fb07-4ca1-ada5-2f204901bf59.jpg[/img][/align][align=center]超稠油蒸汽驱杜84-33-69井现场[/align]这标志着世界首台套1兆瓦井下大功率电加热蒸汽提干装置试验成功,迈出了辽河油田实现能耗及碳排总量双控降的坚实一步,在国内外稠油热采领域开辟出一条崭新的绿电消纳、降碳减排之路。[back=#c6d9f0][b][color=#ff0000]研究背景[/color][/b][/back]作为国内陆上最大的稠油生产基地,辽河油田主要通过蒸汽锅炉实现注蒸汽热采开发,期间产生的热损失会极大增加能耗和碳排放量,严重制约油田绿色低碳转型发展。[align=center][img=,600,389]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/3e3a48aa-674b-4dcc-b3ec-8c499022d490.jpg[/img][/align][align=center]油田生产现场[/align]为实现国家“碳达峰、碳中和”目标,辽河油田围绕集团公司“清洁替代、战略接替、绿色转型”发展战略,加大清洁能源替代和控碳减碳力度,油田公司加大了井下大功率电加热技术攻关力度,按照 400千瓦、1兆瓦、3兆瓦“三步走”战略部署开展技术攻关与应用,助力辽河油田实现绿色转型发展。[b][color=#ff0000][back=#c6d9f0]井下大功率电加热技术[/back][/color][/b]采油院企业高级专家张福兴表示:“以往稠油注汽都是在井口烧天然气,这套装置通过电加热器实现井口内外转换,可以在井下对蒸汽进行二次加热,相当于一个地下的清洁锅炉,大大提高了加热效率,可以通过降低锅炉出口干度的方式减少天然气用量,与此同时通过电加热达到提升井底蒸汽干度的效果。”井下大功率电加热技术工作原理看似简单,但每次技术升级难度极大。十三年的攻关历程,才带来了井下大功率电加热技术的成功突破。2011年:率先研发出150千瓦、450℃电点火装备,在多个油田推广应用90余井次,增油降本效果显著。2021年:成功研发出国内领先的400千瓦井下大功率电加热提干技术。2022年:着手研究1兆瓦井下大功率电加热技术。2023年:成功研发出世界首台套1兆瓦井下大功率蒸汽提干装置。从400千瓦到1兆瓦,意味着什么?张福兴表示,这是革命性、颠覆性的突破。[align=center][img=,600,400]https://img1.17img.cn/17img/images/202403/uepic/590bcb77-432d-4fdb-ab8a-f907654517d8.jpg[/img][/align][align=center]科研人员多次深入现场[/align]在没有任何成熟经验借鉴参考下,科研团队通过成百上千次理论计算、仿真模拟及室内试验,历时15个月研发,成功突破450℃高温、4千伏高电压绝缘、每米5000瓦高功率密度、外径38毫米极限预制工艺、井口长期高温高压密封技术等7大行业性难题,总体技术达到国际领先水平。项目组计划在深层SAGD、超稠油蒸汽驱开展包括杜84-33-69井在内的3口井先导试验3年,试验期内预计总节约天然气36.75万方,累增油1.2万吨。下一步,项目组将依托集团公司科技专项《稠油大幅度提高采收率关键技术研究》及板块公司先导试验项目《稠油开发井下大功率电加热技术研究与试验方案》,推动传统地面燃气锅炉向新型井下清洁蒸汽发生器转变,在规模推广1兆瓦大功率电加热技术的基础上,加快攻克3兆瓦井下蒸汽发生技术,全面提升电气化率,完成能耗结构调整、实现绿色转型发展。到2030年,井下大功率电加热技术将在辽河油田超稠油蒸汽驱、深层SAGD等领域实现规模应用。从世界首座电热熔盐储能注汽试验站到世界首台套1兆瓦井下大功率电加热蒸汽提干装置,永攀科研高峰的辽河人不惧失败不畏挑战再次攻克难关创造奇迹。[来源:中国石油报][align=right][/align]
有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题科技日报 2012年03月28日 星期三 本报讯(记者刘霞)据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题,在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。 晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去40年间,科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。业界认为,半导体工业正在快速接近晶体管小型化的物理极限。现代晶体管的主要问题是产生过多的热量。 最新研究表明,他们研制出的TFET性能可与目前的晶体管相媲美,而且能效也较以往有所提高,有望解决上述过热问题。 科学家们利用电子能“隧穿”过固体研制出了这种TFET。“隧穿”在人类层面犹如魔术,但在量子层面,它却是一种非常常见的行为。 圣母大学的电子工程学教授阿兰·肖宝夫解释道:“现今的晶体管就像一个拥有移动门的大坝,水流动的速度也就是电流的强度取决于门的高度。隧穿晶体管让我们拥有了一类新的门,电流能够流过而非翻过这道门,另外,我们也对门的厚度进行了调整以便能打开和关闭电流。” 宾州州立大学的电子工程系教授苏曼·达塔表示:“最新技术进展的关键在于,我们将用来建造半导体的材料正确地组合在一起。” 肖宝夫补充道,电子隧穿设备商业化的历史很长,量子力学隧穿的原理也已被用于数据存储设备中,借用最新技术,未来,一个USB闪存设备或许能拥有数十亿个TFET设备。 科学家们强调说,隧穿晶体管的另一个好处是,使用它们取代目前的晶体管技术并不需要对半导体工业进行很大的变革,现有的很多电路设计和电路制造基础设施都可以继续使用。 尽管TFET的能效与现有晶体管相比稍逊色,但是,去年12月宾州州立大学和今年3月圣母大学的科研团队发表的论文已经表明,隧穿晶体管在驱动电流方面已经取得了创纪录的进步,未来有望获得更大的进展。 达塔说:“如果我们在能效上取得更大成功,将是低能耗集成电路上的重大突破,这反过来会加大我们研制出能自我供能设备的可能性,自我供能设备同能量捕获设备结合在一起,有望使我们研制出更高效的健康检测设备、环境智能设备以及可移植医疗设备。” 总编辑圈点: 滚动的台球,碰到桌壁后总会反弹。而量子理论不排除“穿壁而过”的可能性——在基本粒子级的尺度下,“隧穿”的几率不能忽视。隧穿曾是晶体管电路设计者需要防范的现象,然而科学家最终利用它造出了新式晶体管。几年前就有计算机试用了这种新式硅片,它要求的电压更小,且在待机状态下不耗电。隧穿晶体管技术一旦投入商用,CPU的设计者就不必忧虑发热的老问题了。
晶体管毫伏表由输入保护电路、前置放大器、衰减放大器、放大器、表头指示放大电路、整流器、监视输出及电源组成。晶体管毫伏表输入保护电路用来保护该电路的场效应管。衰减控制器用来控制各档衰减的接通,使仪器在整个量程均能高精度地工作。整流器是将放大了的交流信号进行整流,整流后的直流电流再送到表头。 晶体管毫伏表的监视输出功能主要是来检测仪器本身的技术指标是否符合出厂时的要求,同时也可作放大器使用。
大功率的X光管(3KW或4KW)正在工作时,突然停电,而冷却系统是水冷系统,这种突然停电一定会造成X光管报废吗?其损坏的几率有多大?或者将损伤X光管多少工作时间的寿命?一般这种X光管需要多少钱?谢谢!!!
[url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url]的 1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管是一款高性能、高可靠性的功率半导体产品。它在无线通信、雷达、卫星通信等领域具有广泛的应用,能够满足高功率、高效率和高可靠性的要求。这款射频功率晶体管采用了先进的半导体工艺和材料,具有出色的热稳定性和电气性能。它能够在高频率和高功率的工作环境下保持稳定的性能,并具有良好的线性度和噪声特性。此外,Ampleon的射频功率晶体管还经过严格的测试和验证,以确保其在各种恶劣的工作环境下都能保持优异的性能。无论是在高温、低温、湿度还是震动等复杂环境中,它都能稳定工作,满足客户的需求。 产品型号: B10G1819N10DL B10G2022N10DL B11G1822N60D BLC10G15XS-301AVT BLC10G16XS-600AVT BLC10G18XS-301AVT BLC10G18XS-360AVT BLC10G18XS-400AVT BLC10G18XS-551AVT BLC10G18XS-552AVT BLC10G18XS-602AVT BLC10G19XS-551AV BLC10G19XS-600AVT BLC10G19XS-601AVT BLC10G22XS-301AVT BLC10G22XS-400AVT BLC10G22XS-401AVT BLC10G22XS-551AVT BLC10G22XS-551AVT BLC10G22XS-570AVT BLC10G22XS-600AVT BLC10G22XS-602AVT BLC10G22XS-603AVT BLC8G21LS-160AV BLC9G21LS-60AV BLC9G22LS-160VT BLM10D1822-60ABG BLM10D1822-61ABG BLM7G1822S-40PB BLM7G1822S-40PBG BLM8D1822S-50PB BLM8D1822S-50PBG BLM9D1819-08AM BLM9D1822-30B BLM9D1822S-60PBG BLM9D1920-08AM BLM9D2022-08AM BLP9G0722-20G C4H18W500A C4H22W500A[url=https://www.ldteq.com/]立维创展[/url][font=微软雅黑, &][color=#666666][size=15px][/size][size=15px]专业代理[url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url]产品,拥有价格优势,欢迎咨询。[/size][/color][/font]
60W射频管打标机应该选多大功率的冷水机?
[b]选型:[/b]BLC2425M10LS250;BLC2425M10LS250Y;BLC2425M10LS500PY;BLC2425M10LS500PZ;BLP2425M10S250PBLC2425M9LS250Z;BLC2425M9LS250BLF2425M9L30J BLF2425M9L30U BLF2425M9LS140J BLF2425M9LS140U BLF2425M9LS30J BLF2425M9LS30U[b]BLC2425M10LS250[/b]基于 LDMOS 的 250 W 功率晶体管,适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的各种商业和消费类烹饪、工业、科学和医疗应用。该BLC2425M10LS250专为高功率连续波应用而设计,采用高性能塑料封装。[align=center][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700115728962257.png[/img][/align][align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700115758836192.png[/img][/b][/align][b][b][b]BLC2425M10LS500PY[/b][/b][/b]基于 LDMOS 的 500 W 功率晶体管,适用于各种商业和消费类烹饪、工业、科学和医疗应用,频率范围为 2400 MHz 至 2500 MHz。该BLC2425M10LS500P专为高功率连续波应用而设计,采用高性能塑料封装。[align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700116965608316.png[/img][/b][/align][align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700116896869992.png[/img][/b][/align][align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700117027360369.png[/img][/b][/align][b]BLP2425M10S250P[/b]基于 LDMOS 的 250 W 功率晶体管,适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的各种商业和消费类烹饪、工业、科学和医疗应用。该BLP2425M10S250P专为高功率连续波应用而设计,采用高性能塑料封装。[align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231121/1700536036884928.png[/img][/b][/align][align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231121/1700536047567174.png[/img][/b][/align][b]BLC2425M9LS250Z;BLC2425M9LS250[/b]250 W LDMOS功率晶体管,适用于工业、科学和医疗(ISM)应用,频率范围为2400 MHz至2500 MHz。该BLC2425M9LS250专为高功率连续波应用而设计,采用高性能塑料封装。[align=center][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700117387482365.png[/img][/align][align=center][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700117402160337.png[/img][/align][b]BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30[/b]30W LDMOS功率晶体管,适用于工业、科学和医疗(ISM)应用,频率范围为2400 MHz至2500 MHz。BLF2425M9L30 和 BLF2425M9LS30 是专为高功率 CW 应用而设计的驱动器,采用高性能陶瓷封装。[align=center][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700125809447588.png[/img][/align][align=center][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700125819909893.png[/img][/align][b]BLF2425M9LS140[/b][font=&]140 W LDMOS功率晶体管,适用于工业、科学和医疗(ISM)应用,频率范围为2400 MHz至2500 MHz。该BLF2425M9LS140专为高功率连续波应用而设计,采用高性能陶瓷封装。[/font][align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700125947129574.png[/img][/b][/align][align=center][b][img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231116/1700125956293026.png[/img][/b][/align][b]特点和优势:[/b] 高效率 出色的坚固性 集成ESD保护 专为宽带操作(2400 MHz 至 2500 MHz)而设计 内部输入和输出匹配更多相关[size=16px][color=#333333]Ampleon[/color][/size]品牌产品信息可咨询立维创展ldteq.com
大家来讨论一下,目前大功率升温的功能在国内外带石墨炉的原子吸收仪器中是否绝大部分都具有?大功率升温的优缺点又是如何呢?
[b]选型:[/b]BLM2425M7S60P ;BLM2425M7S60PY[b]BLM2425M7S60P ;BLM2425M7S60PY[img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231117/1700189866460228.png[/img]LDMOS 2级功率MMIC:[/b]60 W 双通道 2 级功率 MMIC 晶体管,适用于工业、科学和医疗 (ISM) 应用,频率范围为 2400 MHz 至 2500 MHz。该BLM2425M7S60P专为高功率连续波应用而设计,采用高性能塑料封装。[img=image.png]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231117/1700189852793930.png[/img][b]特点和优势:[/b]高效率高功率增益出色的坚固性优异的热稳定性集成ESD保护各个阶段的偏置可从外部访问片上匹配,易于使用专为宽带操作而设计(频率 2400 MHz 至 2500 MHz)[b]应用:[/b]频率范围为 2400 MHz 至 2500 MHz 的工业、科学和医疗应用。更多[font=微软雅黑, &][size=16px][color=#333333]Ampleon[/color][/size][/font]相关产品信息请访问立维创展ldteq.com
大功率磁力搅拌器功率到底有多大大功率磁力搅拌器一般是指的功率 比较大的磁力搅拌器但我公司 以功率来说搅拌器的话 一般是指的电动搅拌器比如大功率电动搅拌器目前我公司可以做到的大功率电动搅拌器 为250W 超过250W 是要进行定做的 定做可做到750W 以上
新设计在开发实用光学晶体管方面迈出了重要一步2011年05月07日 来源: 科技日报 作者: 常丽君 本报讯 据物理学家组织网5月5日报道,德国维尔斯特拉斯应用分析和随机研究所和马克思·波恩研究所的科学家携手,提出了一种新型全光晶体管的设计方案,即使用一束光脉冲控制另一束,形成完全由光控制的“光路”。最新设计解决了该领域目前面临的多道难题,相关论文发表在最近出版的《物理评论快报》上。 用光子取代电子来传导光,使传统电缆或线路“变身”为“光路”,最终用光子计算机替代电子计算机,是物理学家一直孜孜追求的目标。因为,与电子晶体管相比,光晶体管在转换速度、散热等诸多性能上拥有无可匹敌的优势。 此类研究的关键是找到一个“开关”,将一束光的能量转移到另一束光上。要实现这一点,常规方法是改变光纤属性。而更好的方式是使用另一束脉冲——“控制脉冲”来实现“全光转换”,以此形成某种完全由光操控的“光路”。 在最新研究中,科学家使用一束较弱的分散脉冲来控制另一束较强的信号脉冲,分散控制脉冲比信号脉冲弱7倍。这两束脉冲能在一个非线性介质中以不同频率、相同方向和几乎相同的速度传播。如果后发脉冲能赶上另一束脉冲,两束脉冲就会相互作用。 从控制脉冲的角度而言,信号脉冲好比是宇宙白洞的边界,以它为边线,外面任何物质都无法进入,因此,科学家们设想,将信号脉冲和控制脉冲锁在这片“势力范围”内足够长的时间,直到控制脉冲改变信号脉冲的强度、频率、速度或形状等属性,控制脉冲就能像开关一样调控信号脉冲,实现其在晶体管中的功能。 研究人员在论文中指出,如果后发脉冲被前面脉冲所产生的“边界线”所影响,信号脉冲就会和控制脉冲发生能量交换。无论“边界线”的拥有者是谁,只要两束脉冲的速度非常接近,都会发生能量转移。而且,信号脉冲还能被重复调控,设计出实际可行的路线。而实现该“全光电路”的关键,就是通过调节控制激光来多次调整信号脉冲的衰减或增益。 研究人员还指出,全光晶体管还克服了光的级联能力和扇出的难题。因为强脉冲不会分散传播或破裂成多重脉冲,可输出强脉冲作为下一次转换的输入,由此实现转换路线的光级联。虽然目前全光晶体管还未得到演示,新设计在开发实用光学晶体管方面迈出了重要一步。(常丽君)
JJG (电子) 04014-1988 晶体管特性图示仪[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=50932]JJG (电子) 04014-1988 晶体管特性图示仪[/url]
日本物质材料研究机构今天公布,他们与东京大学等共同开发出一种新型晶体管,可使电子器件的电力消耗控制在目前的百万分之一左右。新型晶体管不但能使电子产品大幅减少耗电量,还可让便携式通信工具充电次数减少,可能实现今后的计算机瞬间启动开机。 晶体管是利用半导体的微小部件,利用电流的开关控制电子信号进行数据记录和演算,是计算机、电视、手机等电子机器的“大脑”。迄今为止,晶体管的工作原理是通过电子的移动控制动作,但因其漏电无法防止,大量电能无谓地耗损。而新型晶体管通过铜原子离子化实现移动和复元,并不依靠电子移动,可以把绝缘体做得较厚,漏电可以得到很好控制。由于移动的铜原子很少,仅有数十个,新型晶体管电力消耗仅为现在晶体管的百万分之一。 随着智能手机等便携式通信工具智能化提高,其耗电量越来越大,须频繁充电才能保证正常使用。新型晶体管由于耗电量小,能大幅减少充电次数,市场前景非常看好。开发该技术的研究小组准备与企业合作,数年后实现该晶体管的市场化。 该成果刊载于12月24日出版的《日本物理学会》杂志电子版。
请问不用扩散泵,直接用大功率机械泵能抽到可工作的真空度吗?此机械泵可抽到[color=#d40a00]-5 torr 哪位可以告诉一下,谢谢![/color]