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霍尔接近开关传感器

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霍尔接近开关传感器相关的仪器

  • 耐高压高灵敏度单极霍尔开关1. 规格说明商品名称耐高压高灵敏度单极霍尔开关(单极感应N极)感应方式磁铁感应电源电压5-24VDC检测距离有效检测距离0-10mm负载电流不超过40MA输出形式NPN三线常闭型输出状态无磁场时输出高电平,有磁场时输出低电平检测物体金属材料外接引线30cm外形规格M6×0.75,全螺纹,长度10mm接线方式红线正极,黑线负极,黄线信号,请勿接反典型应用无刷电机换向、流量传感器、位置传感器、速度传感器2. 详细参数(Ta=25℃,Vsup=5V)参数符号最小值典型值最大值单位电源电压VSUP3.8540V工作电流ISUP69mA输出电流Isink30mA输出上升时间Tr1us输出下降时间Tf1.5us工作点Bop306080Gauss释放点Brp104060Gauss回差Bhys102040Gauss工作温度Ta-40125℃3. 磁电转换特性该传感器设计用于北极响应。当磁通密度(B)大于工作点Bop时,输出以低电平,输出保持不变,直到磁通量(B)小于释放点Brp时,输出以高电平。该产品20元/只,100只起订。
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  • Lake Shore霍尔传感器 400-860-5168转0980
    霍尔效应是指当电流流动时,导体置于磁场中,导体片上会产生电压。霍尔效应传感器通过提供与磁通密度成正比的输出电压来测量或检测磁场。Lake Shore为各种应用提供一系列霍尔传感器,不仅仅局限于简单的磁场检测应用,例如编码器、非接触式开关和电子罗盘,也适用于现场测量应用。主要特征 ☛ 多种封装类型☛ 有效面积小☛ 单轴或三轴配置☛ 适用于极端环境(低温、辐射、真空)霍尔传感器是一种 4 引线装置。控制电流 (IC) 引线通常连接到一个电流源,如 Lake Shore 的121型。121型可提供多个与各种霍尔传感器兼容的固定电流值。 霍尔电压引线可直接连接到高阻抗电压表等读出仪器上,也可连接到电子电路上进行放大或调节。设备信号电平范围为微伏至数百毫伏。 霍尔传感器的输入与输出并不隔离。事实上,两个端口之间通常只存在输入电阻数量级的阻抗。为防止错误的电流路径导致较大的误差电压,电流供应必须与输出显示器或下游电子设备隔离。不同类型霍尔传感器性能对比 2DexInAs—stableInAs—sensitiveGaAs材料类型使用二维电子气(2DEG)结构的薄膜技术砷化铟块状材料,掺杂后具有高稳定性砷化铟块状材料,掺杂后具有高灵敏度砷化镓薄膜温度范围1 K* ~ 402 K (-272 °C* ~ 125 °C) * 低温版本在研发中1.5 K ~ 375 K (-271.5 °C ~ 102 °C)208 K ~ 373 K (-65 °C ~ 100 °C)233 K ~ 402 K (-40 °C ~ 125 °C)互换性好—灵敏度值范围窄、线性度优异、偏移电压小差—灵敏度范围足够大,需要了解平均灵敏度值差—灵敏度范围足够大,需要了解平均灵敏度值差—灵敏度范围足够大,需要了解平均灵敏度值坚固性好差差好Lake Shore 仪器兼容性F71 或 F41 特斯拉计选择即插即用传感器--完整的传感器校准和温度补偿功能,可提供与完整的高斯计探头相当的精度425 或 475 高斯计使用 HMCBL 电缆;仅使用单一灵敏度值完成现场转换,这意味着高斯计不进行线性和温度补偿425 或 475 高斯计使用 HMCBL 电缆;仅使用单一灵敏度值完成现场转换,这意味着高斯计不进行线性和温度补偿不兼容平面霍尔效应无,是测量未知方位场的理想选择显著,块状材料产生了足够的平面霍尔效应,因此只能精确测量已知方向的磁场显著,块状材料产生了足够的平面霍尔效应,因此只能精确测量已知方向的磁场部分,薄膜元件可能会出现少量的平面霍尔效应误差额定电流下的灵敏度50.5 ~ 52.5 mV/T5.5 ~ 11 mV/T55 ~ 125 mV/T110 ~ 280 mV/T灵敏度温度系数200 ppm/°C50 ppm/°C800 ppm/°C600 ppm/°C额定驱动电流1 mA100 mA100 mA1 mA典型输入电阻800 Ω2 Ω2 Ω750 Ω典型输入电阻温度系数0.7%/°C0.15%/°C0.18%/°C0.2%/°C最佳偏移电压(等效磁场)±25 µ V (0.5 mT)±50 µ V (4.5 mT)±75 µ V (0.6 mT)±2.8 mV (10 mT)
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  • Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx昊量光电全新推出的Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx.Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx是一种 cmos 磁场传感器,可在同一时间和同一地点采集所有三个磁场分量(Bx、By 和 Bz)。该传感器集成了三组相互正交的霍尔效应元件(一组水平元件和两组垂直元件),每组元件都配有偏置电路和放大器。集成霍尔元件非常紧凑,占地面积小,约为 100 x 100 μm2。因此,传感器的空间分辨率非常高。所采用的 CMOS 技术实现了垂直和水平霍尔元件的高精度制造,从而使三个测量轴具有较高的角度精度(正交性)。在霍尔元件偏压中应用旋转电流技术,可显著抑制偏移、低频噪声和平面霍尔效应。 传感器提供从直流到 300kHz 的高模拟带宽。内置的温度传感器可以测量场敏感区域的当前芯片温度。Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx参数规格:可选择主动灵敏度轴 1D、2D 或 3D高磁分辨率:1uT高空间分辨率:100um x 100um for 3轴六种可选范围:从 40mT 到 4T高频带宽,DC 至 300kHz内置高分辨率温度传感器灵敏度、失调、噪声和漂移的片内校正片上参数化模拟、PWM 和 SPI 数字输出可编程阈值比较器Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx应用领域:3D定位传感器(线性和角度)1D、2D 和 3D 接近传感器磁力计测量探头多探头阵列具有可选量程的电流传感器选件SENIS 3轴霍尔磁传感器芯片评估套SENIS 3轴霍尔磁传感器芯片评估套设计用于评估真正的三轴磁场传感器,该传感器是 CMOS 集成器件,可在 100 x 100 x 10 µ m3 的场敏感体积 (FSV) 中矢量测量三个磁通分量 Bx、By 和 Bz(图 1)。FSV 低于芯片封装表面约 0.75 mm。产品详细信息可联系我们或下载数据资料!更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商,代理品牌均处于相关领域的发展前沿;产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务。
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  • 霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。 Figure 1. sensor on test assembly 产品特点:• 超高分辨率• 超低噪音性能• 可在极低温条件下使用• 大动态范围• 高线性• 超低功耗运行 简述:利用石墨烯固有的低噪声特性,无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应,并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。 应用包括:• 精密磁场测量• 场梯度和边缘场的精确映射• 高精度位置,旋转和速度感应• 低温下的超低功率场测量 产品优点:可满足各种应用需求。可以利用的优点包括:• 可以在 1.8 K - 353 K的极端温度下运行• 在大磁场范围( 9 T)内ppb磁场变化的分辨率• 低至 10 nA的工作电流,节省了功率,仅产生5 pW的散热• 平面霍尔效应可忽略不计,有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向 需要特定要求,请联系我们info 性能特点:ParameterSymbolValue (typical)UnitNotesMaximum operating temperature rangeT1.8 to 353KPerformance guaranteed within this range. Operation 1.8 K is possibleMeasurable field rangeB+/- 9TSee Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearityOpen Circuit SensitivityS1100V/AT@ room temperature. see Fig 3 for change with temperatureOpen Circuit Hall VoltageVH110mVI=IN and B=1 T, increases with reducing temperature Spectral Noise Density SDT7 μ???√????10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) Resolution, based on SDT on a 1 T field RSND7 ppm10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)RMS noise??T2?40?T0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)2810 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)Linearity of Hall Voltage% of full scaleFL0.5%-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T rangeCorrected Linearity0.01%-1 to 1 T, after 3rd order correctionPlanar Hall EffectHPL10μTAt I=IN , 1 TNominal Supply CurrentIN0.1mACan be operated down to I=10 nAMaximum Supply CurrentImax1mASupply Side Internal ResistanceRIN22k?B=0 THall Side Internal ResistanceROUT22k?B=0 T Offset Voltage VR08mVTypical offset voltage at I=IN and B=0 T0.6mVMin offset voltage at I=IN and B=0 T34mVMax offset voltage at I=IN and B=0 TTemperature Coefficient of SensitivityTCS-4.7V/AT/K@ room temperature, IN 高场和低温性能 Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T. 封装信息有效面积:1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。PinNotesVIN+1 or 11Input voltage can be supplied with eitherpolarityVIN-11 or 1VH+6 or 16Hall voltage polarity willdepend on VIN polarity and field polarityVH-16 or 6
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  • 技术参数:32925-50 流量计,椭圆齿轮,1/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹),0.53至26.4加仑/小时 液体类型:无颗粒高粘度液体(5至1000厘泊) 最大颗粒尺寸:127微米 流速:0.53至26.4加仑/小时 最高环境温度:176华氏度(80摄氏度) 最大压力:75磅/平方英寸(5.2巴) 准度:读数的± 1% 连接:1/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹) 输出:集电极开路NPN 传感器输出:3785脉冲/加仑 剩余电压:4.5至24伏直流 接触材料:聚苯硫醚(PPS)主体,聚苯硫醚(PPS)转子,316不锈钢轴,腈O型环 规格:2英寸长x 2英寸宽x 2 -5/8英寸高 32925-52 流量计,椭圆齿轮,316不锈钢,1/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹),0.53至26.4加仑/小时 32925-54 流量计,椭圆齿轮,聚苯硫醚(PPS),1/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹),4至132加仑/小时 32925-56 流量计,椭圆齿轮,316不锈钢,1/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹),4至132加仑/小时 32925-58 流量计,椭圆齿轮,铝,1/2英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹),0.26至8加仑/分 32925-60 流量计,椭圆齿轮,316不锈钢,1/2英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹),0.26至8加仑/分 32925-62 流量计,椭圆齿轮,聚苯硫醚(PPS),1英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹),0.8至21加仑/分主要特点:坚稳设计无需流量调节 具有霍尔效应开关的流量计 可以通过NPN集电极开路产生脉冲输出,要求有4.5至24伏直流的输入
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  • 霍尔电流传感器霍尔传感器 安科瑞 霍尔传感器厂家直销 霍尔传感器全国批发AHKC-EKAA霍尔电流传感器主要适用于交流、直流、脉冲等复杂信号的隔离转换,通过霍尔效应原理使变换后的信号能够直接被AD、DSP、PLC、二次仪表等各种采集装置直接采集,广泛应用于电流监控及电池应用、逆变电源及太阳能电源管理系统、直流屏及直流马达驱动、电镀、焊接应用、变频器,UPS伺服控制等系统电流信号采集和反馈控制,具有响应时间快,电流测量范围宽精度高,过载能力强,线性好,抗干扰能力强等优点。1开环霍尔电流传感器1.1.1型号说明1.1.2技术指标1.1.3开口式开环霍尔电流传感器1.1.3.1 规格尺寸(mm)1.1.3.2规格参数对照表注:额定电流未标注表示输入电流交直流均可测量,订货时请注明。1.2闭口式霍尔电流传感器1.2.1 规格尺寸1.2.2规格参数对照表注:额定电流未标注表示输入电流交直流均可测量,订货时请注明。1.2.3接线方式1.2.3.1霍尔开口/闭口式开环电流传感器接线端子定义1.2.3.2霍尔(真有效值)电流传感器接线端子定义2闭环霍尔电流传感器闭环霍尔电流传感器又叫霍尔磁平衡式电流传感器,它是在上述原理的基础,加上了磁平衡原理,即集磁环将原边电流所产生的磁场聚集后,作用于霍尔元件,使其有电压信号输出,经放大输入到功率放大器,输出补偿电流流经次级补偿线圈。级次线圈产生的磁场与原边电流产生的磁场相反,因而补偿了原边磁场,使霍尔输出逐渐减小,当原次级磁场相等时,补偿电流不再增大,这就是磁平衡原理。这种线路主要由磁电转换部分、放大电路部分及驱动补偿线路部分等组成。2.1型号说明2.2规格尺寸2.2.1AHBC-LTA外形尺寸2.2.2AHBC-LT1005外形尺寸2.2.3 规格参数对照表注:输入电流交直流均可测量,订货时请注明。2.2.4接线方式接线端子定义注:①模拟量输出地需要和电源地连接。②请选择正确的电流流入方向。3直流漏电流传感器直流漏电流传感器是一种利用磁通门原理(Fluxgate)将被测直流电流转换成与该电流成比例输出的直流电流或电压信号的测量模块,原副边之间高度绝缘。通常输出标准的直流DC4-20mA、DC0-5V、DC0-10V等信号,此标准信号可以被多种采集设备采集,如PLC、RTU、DAS卡等,用于多种电流监控的场合。漏电流传感器环绕安装在直流回路的正负出线上,当装置运行时,实时检测各支路传感器输出的信号,当支路绝缘情况正常时,流过传感器的电流大小相等,方向相反,其输出信号为零;当支路有接地时,漏电流传感器有差流流过,传感器的输出不为零。因此通过检测各支路传感器的输出信号,就可以判断直流系统接地支路。该原理选线精度高,不受线路分布电容的影响。3.3.1型号说明3.3.2 规格尺寸3.3.3 规格参数对照表3.3.4接线方式接线端子定义4直流电压传感器ACTDS系列直流电压传感器是一种利用光电隔离原理将被测直流电压转换成将原边电压转换成与原边电压成比例输出的直流电流或直流电压信号的测量模块,原副边之间高度绝缘,具有高精确度、高线性度、高集成度、体积小结构简单、长期工作稳定且适应各种工作环境的特点。广泛地应用在电力、石油、煤矿、化工、铁路、通信、楼宇自控等行业的电气设备的系统控制及检测。★用于测量直流电压★响应速度快★过载能力强★精确度高★DIN导轨安装★原副边3.5kV高度绝缘4.1型号说明4.2 技术指标4.3 规格尺寸4.4 接线方式霍尔传感器霍尔变送器电流变送器电流传感器开口式霍尔开环霍尔电流传感器
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  • 微小流量传感器多年来,它巩固了其在全球市场的影响力,以提供定制的电子解决方案。在某些领域,它是影响力很大,尤其是在咖啡机自动化领域。凭借其在电子领域的多年经验,其有效员工由多名技术人员组成,能够满足客户的自动化需求。微小流量计传感器产品类别:Gicar显示器Gicar通讯接口Gicar探头Gicar电源Gicar电平调节器Gicar微小流量计产品介绍:压力:1.2MPA螺纹连接温度: 120°C(适用于 John 型号:65°C)喷嘴直径0.57, 0.7,1.0 ,1.1 ,1.15, 1.3,1.5 , 1.8, 2.0,2.5 ,3.7, 6.0 毫米扇子:2个磁铁(2M),电源电压: 5-24VDC输出电压: 25 伏直流输出电流: 25毫安电力输出: 极化 2.2 kΩ 不带 LED | 10 kΩ 带 LED | 打开收集器测量精度: +/- 3%重复性:优于 0.25%优势特点:结构设计小巧,易于安装维护防水防尘,经久耐用,使用寿命长超声波焊接,性能稳定作用于积聚在不锈钢表面的铅(脱铅)的化学清洗工艺适用于食品行业的电沉积金属间合金由不锈钢加工制成微小流量计传感器主要应用:1、工业洗碗机2、工业包装3、医用器材4、电器面板及自动化5、浓缩咖啡机微小流量传感器是一种采用涡轮原理设计专门测量微小流量的专用流量计,它具有极高的精度,特别是在高温和高压的条件下也是如此。由于灵巧的结构设计,在工作时不会形成沉淀,所以仪表的工作完成是洁净的。例如半导体集成电路和芯片的生产流程中使用的刻蚀剂,具有极强的耐腐蚀性,并如有一个极微小的颗粒落下,也会使芯片成为废品,这些产品都能满足。工作参数使用条件压力范围:可耐压2MPa精度等级:±3%提供电源:5~24VDC温度范围:-10℃~+120℃电流输出:25mA电压输出:25VDC壳体:不锈钢塑胶 轴承:INO×18/8(1.4305)不锈钢 叶轮:PVDF(聚偏氟乙烯) 磁体:SrFeO陶瓷,超声焊接密封:MVQ(硅橡胶“O”型圈)安装方式:水平安装重复精度:±0.25%外形尺寸(L×B×H):40×55×40mm螺纹:G1/4输出:NPN霍尔集电极开路三线制脉冲流量范围表:仪表口径(mm)测量范围 (L/min) 仪表系数(cm3/imp) 流量频率特性1.0mm 0.03-0.45L/MIN 2223P/L F=37Q1.2MM 0.1-1L/MIN 1830P/L F=30Q2.5MM 0.15-2.4L/MIN 776P/L F=13Q3.0MM 0.2-5L/MIN 577P/L F=9.2Q4.0MM 0.24-8L/MIN 406P/L F=6.76Q
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  • 霍尔效应测试仪器 400-860-5168转3339
    1.设备名称:霍尔效应测试仪2.功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数:3-1测试范围:Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场:3-2-1磁场强度:0.5T3-2-2磁场类型:电磁体3-2-3磁场均匀性:磁场不均匀性<±1 %10年内磁场变化<±0.2%3-3温 度:3-3-1温度区域:77K和300K3-4电阻率范围:1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围:0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度:107~1021cm-33-7迁移率:10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流:3-8-1电流范围:1000 pA~10mA3-8-2电流解析度:1 pA (lowest range)3-8-3电流精度:2%3-9输入电压:3-9-1电压范围:±10V3-9-2电压分辨率:1μV4.仪器特点:4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压,特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台(室温和液氮温度)5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面
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  • YD62 防爆转速传感器可直接替代霍尔开关,其核心部件是采用磁敏电阻作为检测元件,是一种新型的转速传感器,经过全新的信号处理电路令噪声降低,功能更完善。YD62已被广泛应用于各种领域。检测距离4mm,能检测到接近开关无法检测的小摸齿与其它类型的齿转速传感器相比,YD62所测得的转速的误差小,线性度高,可实现零转速;灵敏度高,可靠性强,寿命长;触发距离远,可实现距离输送;抗磁电干扰能力强;具有良好的抗冲击性和抗震性。二、特点● 灵敏度高;高可靠性;寿命长;触发距离远● 信号触发为铁(软)磁材料● 可实现远距离输送● 抗电磁干扰能力强● 良好的抗冲击性和抗震性三、工作原理工作原理如下图:感应原件经放大和输出保护组成,矩形波电压输出。
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  • 霍尔效应测试仪器 400-860-5168转3339
    1.设备名称:霍尔效应测试仪2.功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数:3-1测试范围:Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场:3-2-1磁场强度:0.45T 永磁体3-2-2磁场类型:永磁体3-2-3磁场均匀性:磁场不均匀性<±1 %10年内磁场变化<±0.2%3-3温 度:3-3-1温度区域:77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围:1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围:0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度:107~1021cm-33-7迁移率:10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流:3-8-1电流范围:1000 pA~10mA3-8-2电流解析度:2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度:2%3-9输入电压:3-9-1电压范围:±10V3-9-2电压分辨率:1μV4.仪器特点:4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压,特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台(室温和液氮温度)5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件
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  • Lake Shore霍尔探头 400-860-5168转0980
    特斯拉计和高斯计需要霍尔探头来感应磁场,Lake Shore为用户提供多种类型的霍尔探头,以适应不同的场景。请确保所选探头与连接的特斯拉计或高斯计兼容。Lake Shore霍尔探头选型指引FP系列H系列M系列兼容主机F71/F41特斯拉计475/455/425高斯计460/421/420高斯计性能地磁场至35 T地磁场至35 T地磁场至30 T超高的精度和分辨率高精度和分辨率高精度和分辨率DC ~ 50 kHzDC ~ 20 kHzDC ~ 20 kHz外形因素手持式探头手持式探头手持式探头可安装探头——校准过的传感器未校准过的传感器—方向轴向轴向轴向横向横向横向三轴—三轴Lake Shore霍尔探头概览FP系列霍尔探头 ✔ 适用磁场范围广,从地磁场至35 T超强磁场✔ 0.1 mm2超小的传感器有效面积,测试精度更高✔ 内置温度和线性(磁场)补偿功能✔ 多种手柄和测量杆可选,适合各种应用TruZero&trade 技术使探头无需重新校零✔ 易于使用的功能,如有效区域和极性指示器✔ 可根据具体应用定制探头400系列霍尔探头✔ 适用磁场范围广,从地磁场至30~35 T超强磁场✔ 灵活的探头配置,满足您的各种应用需求✔ 提供多种具有不同性能特点的传感器类型✔ 可根据具体应用定制探头
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  • 半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统昊量光电全新推出的半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统。利用半导体参数分析仪RTM2的集成开关矩阵实现无限的精度和稳定性用于片状、霍尔和电阻张量的测量。半导体参数分析仪RTM2主要功能:&bull 半导体参数分析仪RTM2专为自动精密测量电阻和相关量而设计。半导体参数分析仪RTM2将直流和交流测量与独特的集成开关矩阵结合在一起。&bull 半导体参数分析仪RTM2具有锁定放大器的低噪、具有高端万用表 8 位以上的动态范围和无与伦比的稳定性,可研究 ppb 级效应。nΩ研究变得前所未有的简单。&bull 创新的连接器设计允许传统的 BNC 操作与被动屏蔽或主动防护屏蔽。这将直流阻抗上限扩展到了 Tera-Ohm 范围,并将交流带宽提高了约两个数量级,以测试MΩ器件。&bull 半导体参数分析仪RTM2只需一台设备就能自动记录完整的电阻张量(Rx、Ry、RH),即使是在无图案的薄膜上。&bull 半导体参数分析仪RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及传感器、晶片和设备测试。在快速多路复用设置中进行交流测试的独特能力,可在现场生产过程中实现更严格的元件分选。半导体参数分析仪RTM2开关矩阵的优点:&bull 万用表或锁相放大 器等传统精密设备依赖于与被测设备(DUT)静态连接的四线电阻测量方法。这种方法不可避免地会受到来自被测设备和测量设备本身的各种干扰影响。&bull 惠斯通电桥或平版印刷霍尔条图案等测量安排可用于减少某些干扰的影响,但它们都依赖于实际电阻器或蚀刻图案的精确和稳定的对称性,这在实践中是无法实现的。&bull 相比之下,矩阵开关可以在时域中分离干扰的影响。其中一个例子是van-der-Pauw范德堡方法,它可以精确区分纵向和横向电阻,即使是在没有光刻图案的不规则形状样品上也是如此。&bull 另一个例子是某些直流仪表采用的 "自动归零(auto-zeroing)",以补偿偏移漂移。但这还不够。半导体参数分析仪RTM2的全矩阵切换功能及其与紧密多路交流测量的完全兼容性为我们带来了无限可能。&bull 可以对偏移和增益漂移进行补偿,从而实现无限的稳定性。这里的 "无限 "是字面意思:可实现的精度不是 7、8 或 10 位数,而是您愿意等待的位数。在自己的实验室里进入计量圈子吧!&bull 还可以对整个仪器的复合非线性进行补偿。这样就可以测试亚ppm 级的 I-V 非线性,从而在较低和较温和的电流密度下看到更高阶的传输物理。半导体参数分析仪RTM2突出亮点&bull 基于集成开关矩阵的可重构设备架构&bull 8 个用户自定义端口(BNC 连接器),功能(输入、输出和/或参考)可自由确定&bull BNC 屏蔽可配置为无源接地或有源屏蔽&bull 使用固定连接(开尔文或霍尔几何)进行传统的交流和直流 4 线测量&bull 交替连接的交流和直流测量(电阻张量测量、范-德-波测量或电阻率测量)&bull 同时测量薄膜纵向和横向电阻的精确绝对值,无需光刻图案&bull 常用测量模式的软件预设,可指定任何用户特定的切换序列&bull 基于 TCP 的通信,可轻松集成到任何环境中(如 Labview、C、Python)半导体参数分析仪RTM2主要的优势:&bull 可替代所有用于电气特性测量的标准设备(例如锁定放大器、SMU、DMM)&bull 通过集成的矩阵开关克服了静态 4 点测量的局限性&bull 提供范-德-波测量和电阻张量测量的预设值,并允许用户进行全面配置&bull 无需进行复杂的样品制备(如平版印刷)。&bull 可轻松连接多种不同的测量装置(如探针台 、低温 恒温器、真空系统等)&bull 节省测量时间,提高样品吞吐量半导体参数分析仪RTM2主要的应用领域&bull 材料研究与表征&bull 固体物理 &bull 半导体物理&bull 磁性器件 &bull 柔性电子器件&bull 自旋电子学 &bull 新型功能电子材料和器件工业研发和晶片/设备测试&bull 微电子设备 &bull 存储器&bull 晶体管、二极管 &bull LED/OLED &bull 太阳能电池 &bull 显示器、TCO &bull 传感器半导体参数分析仪RTM2典型测试示例:&bull 在标准几何结构(开尔文和霍尔布局)中进行超低噪声、高稳定性交流和直流 4 线测量&bull 对不规则、无结构薄膜样品进行范德保开关连接 4 线测量&bull 基础物理学和计量学中的亚ppm 相对变化和非线性测量&bull 零偏移霍尔 4 线测量(即使是非结构化样品,也能准确分离纵向电阻和横向电阻)&bull 比率电阻测量,消除样品和设备漂移&bull 高驱动谐波失真测量&bull 脉冲和测量例程半导体参数分析仪RTM2规格参数:产品详细信息可联系我们或下载数据资料!关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商,代理品牌均处于相关领域的发展前沿;产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务。
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  • 产品简介我公司研发的 LoRa霍尔阀控水表模块,采用LoRa扩频技术进行无线数据传输。具有低功耗、稳定性强、传输距离远等特点,同时配合先进高效的组网算法,通过相邻节点互相中继的方法,实现复杂环境的超长距离通讯。具有安装便利,维护简单、抄收便捷、无需布线、不受安装环境限制等优点。功能特点1.智能分址唤醒机制,有效降低功耗并互不干扰;2.九级中继,实现超远距离和复杂环境下的组网;3.扩频因子和发射功率可修改,改善传输距离与功耗的平衡;4.宽范围信道可设,避免无线干扰;5.支持表端预付费,内嵌5级阶梯水价,告警水量、透支水量可设置;6.具有阀门控制及阀门异常检测功能,阀门动作上报至云平台;7.定期开关阀门防锈死,开关周期可设置;8.电池欠压、传感器故障、磁干扰等异常报警。适用领域1.适用于城镇居民住宅小区等表具较为集中的区域户用计量;2.适用于出租房、学校、酒店商厦、城市水务等场景计量。
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  • L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(温度可达240°C)可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示特点? 载流子浓度? 电阻率? 迁移率? 电导率? α (水平电阻值/垂直电阻值)? 霍尔常数? 磁致电阻输入电流:500nA 到 10mA (500nA 步长)霍尔电压:0.5 到 4.5V分辨率:65pV样品形状:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可达 5mm磁场强度:可达 1T传感器:液氮温度到 240°C
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  • 产品简介我公司研发生产的 NB-IoT霍尔水表模块,信号网络深度覆盖地下表井、管道井等区域,超低功耗,通讯稳定可靠,窄带4G网络传输,无需加装采集器或集中器,无需调试,即装即用。可选配带阀门驱动功能,实现远程控制水表开关阀。支持阶梯水价。支持表端预付费、上位机预付费、后付费、混合付费等多种付费模式,有效解决了传统水表和智能水表存在的问题和不足,极大地满足了水务行业的发展需求。功能特点1.计量数据主动上报至云平台,上报周期或定点上报时间可设置;2.具备小时、日、月等周期数据和密集数据记录功能;3.支持表端预付费,内嵌5级阶梯水价,告警水量、透支水量可设置;4.记录模块上传次数、发送时间、接收时间,监控电池状态;5.上传时间离散化,网络负载均衡,避免拥堵;6.电池欠压、传感器故障、磁干扰等异常报警;7.支持电信平台、移动平台、自定义平台接入;8.支持红外和OTA在线升级,持续优化表具功能。适用领域1.适用于有NB-IoT信号覆盖的农村户用计量;2.适用于布线困难的城镇居民住宅小区分户计量;3.适用于农村承包水厂、城镇供水、农业水利灌溉、田园道路绿化、校园集体宿舍、酒店商厦、自来水厂、污水处理厂等场景计量。
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  • 美国 KRI 霍尔离子源 eH 400上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 400 特性• 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 限度地减少停机时间 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统• 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300 V VDC - 离子源直径~ 4 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度3.0' - 直径3.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离6-30” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:• 离子辅助镀膜 IAD• 预清洁 Load lock preclean• In-situ preclean• Low-energy etching• III-V Semiconductors• Polymer Substrates 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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  • ● 采用可与PLC、常闭装置直接连接的直流二线式,降低接线成本。● 附带设定显示,可指示稳定检测区域。(绿色/红色LED,常闭型用红色显示)。● 配备从任何角度都看得到的指示灯(荧光指示灯)。● IP67的高密封性。● M12、M18、M30分别检测铝时,检测距离为2mm、2.5mm及5mm。(典型值) 另,本公司为日本山武品牌制定代理商,全部由山武公司直接供货,山武旗下工业自动化产品全部可以订货,部分常用产品备有大量库存,现货部分产品价格优惠。其他代理品牌有中国台湾阳明,美国霍尼韦尔,德国施克,韩国鲜光安全光幕,HWL品牌接近开关等多种国外进口品牌产品。产品种类包含:光电、接近、限位、激光、超声波、位移、压力、流量、温湿度、液位、漏液传感器;伺服马达;记录仪;固态继电器;数字调节器;图像传感器;光幕;计数器;计时器;相序电压保护器;液位控制器;燃烧控制产品等
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  • HSPM-05VT变温霍尔测试系统由霍尔测试仪、液氮存储式恒温器以及永磁铁运动机构组成,可以给样品提供一个80K到500K的连续变温、0.5T垂直磁场测试环境,可以测试变温下的霍尔参数,为既需要低温又需要高温的科学实验提供了极大的便利。这是一款性价比极高,也是使用用户较多的霍尔测试系统,可以实现较大范围的温度测试,也可配其它电表,作为一个纯粹的温度环境和磁环境用于其它测试。系统特点:&bull 双层样品座设计,底部为光学样品座,通过增加四探针加四接线柱样品座盖板实现探针样品座功能。接线柱支持增加探针,改造为六探针样品座,能同时满足霍尔巴样品和范德堡样品的测试。&bull 装有调节支架,可调整恒温器竖直方向的位置。&bull 磁铁移动装置可使永磁铁前后移动和翻转。&bull 可快速打开样品室,更换样品。&bull 液氮可以通过顶端的液氮补充口方便的灌装,补充液氮不会影响系统的控温。&bull 恒温器带有液氮流量调节杆,可以用来调节恒温器的冷量。&bull 与低温同轴电缆和三同轴/SMA接头配合使用,漏电流小于1pA@1V。&bull 内置加热器和传感器与外部的控温仪配合实现低温恒温器的变温和控温。测试材料:&bull 热电材料:碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池:(A硅(单晶硅、非晶硅)CIGS(铜铟镓硒)、碲化镉、钙钛矿等)&bull 有机材料:(OFET、OLED)&bull 透明导电金属氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnOIGZO(铟镓锌氧化物)等)&bull 半导体材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料:石墨烯、BN、MoS2等参数和指标:标准电阻范围10mΩ-100GΩ迁移率10-2-106cm2/VS载流子浓度8x102-8x1023/cm3电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品尺寸Φ50mm样品接触方式四探针样品座,可升级六探针或接线柱样品温度80-500K样品环境真空磁场0.5T磁场调节方式手动位移及翻转磁铁间隙30mm磁场均匀区10mm*10mm*10mm优于5%
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  • 山武azbil小型接近开关APM-D3A1现货促销侧面检测NPN NO 特点:APM系列放大器内置小型接近开关,不受安装场所限制的小型接近传感器。配有止转凸台,安装简便厚度仅5.9mm(侧面检测型),省空间宽度8mm的小型结构,检测距离为2.5mm采用止转凸台,一根螺栓即可简单安装,且无需安装配件指示灯从三个方向可视,方便查看动作形态品种丰富,应用广泛 APM-D3A1侧面检测型尺寸:8-25*5.9mm动作距离:2.5mm检测面位置:侧面有止转凸台输出/动作状态:NPN NO另,本公司为日本山武品牌制定代理商,全部由山武公司直接供货,山武旗下工业自动化产品全部可以订货,部分常用产品备有大量库存,现货部分产品价格优惠。其他代理品牌有中国台湾阳明,美国霍尼韦尔,德国施克,韩国鲜光安全光幕,HWL品牌接近开关等多种国外进口品牌产品。产品种类包含:光电、接近、限位、激光、超声波、位移、压力、流量、温湿度、液位、漏液传感器;伺服马达;记录仪;固态继电器;数字调节器;图像传感器;光幕;计数器;计时器;相序电压保护器;液位控制器;燃烧控制产品等。
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  • 产品简介我公司研发生产的 NB-IoT霍尔阀控水表模块,信号网络深度覆盖地下表井、管道井等区域,超低功耗,通讯稳定可靠,窄带4G网络传输,无需加装采集器或集中器,无需调试,即装即用。可选配带阀门驱动功能,实现远程控制水表开关阀。支持阶梯水价。支持表端预付费、上位机预付费、后付费、混合付费等多种付费模式,有效解决了传统水表和智能水表存在的问题和不足,极大地满足了水务行业的发展需求。功能特点1.计量数据主动上报至云平台,上报周期或定点上报时间可设置;2.具备小时、日、月等周期数据和密集数据记录功能;3.支持表端预付费,内嵌5级阶梯水价,告警水量、透支水量可设置;4.能远程控制阀门,检测阀门异常,将阀门动作数据上报云平台;5.定期开关阀门防锈死,开关周期可设置;6.记录模块上传次数、发送时间、接收时间,监控电池状态;7.上传时间离散化,网络负载均衡,避免拥堵;8.电池欠压、传感器故障、磁干扰等异常报警;9.支持电信平台、移动平台、自定义平台接入。 适用领域1.适用于有NB-IoT信号覆盖的农村户用计量; 2.适用于布线困难的城镇居民住宅小区分户计量; 3.适用于农村承包水厂、城镇供水、农业水利灌溉、田园道路绿化、校园集体宿舍、酒店商厦、自来水厂、污水处理厂等场景计量。
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  • 因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 2000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性&bull 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数型号eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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  • 一、产品简介 HD-LS300-A便携式流速仪(简称便携式流速仪)是为水文站、厂矿、环保监测站、农田排灌、水文地质调查等部门在野外进行明渠流速、流量测量而研制的。 二、产品用途 LS300-A便携式流速仪可配套流速旋浆传感器,,旋浆螺旋角、螺距、制作工艺和材料等都进行了重新设计,旋浆反光面采用的电镀工艺,耐磨损,信号强,起动流速、测速范围、线性度、同心度、率定系数和均方差等指标均较以往传感器有很大的改进和提高。 LS300-A流速流量测算仪作为传统型转子式流速仪器的主要配套产品,用于接收给定时段内流速仪产生的信号,并由此自动测算出该时段内平均流速、流量、可加扩展功能测量水位、计算规则断面面积。 LS300-A流速流量测算仪主要适用于接收各种干簧管式流速仪、接触丝式转子流速仪、光纤式流速仪、霍尔式流速各种流速仪产生的信号,并具有存储功能、通讯功能。 该仪器结构简易、轻巧方便、耗电省、、自动化程度高、稳定可靠,参照明渠流量测量标准,配置8高温旋桨,是国内目前一款便携式流速测量仪器。 二、技术参数 测速公式:v=a+b*R/T(m/s)(自动计算) 测速范围:0.01—4.00m/s(可到5.00m/s) 测算误差:≤1.5% 显示:4*16位液晶显示 测量方式:测杆定位测量 测量深度:0.45m 采样容量:采用mf-89可编程函数计算器读出结果值 读取方式:采用mf-89可编程函数计算器读出结果值 工作温度:0°C〜 50°C 功耗:50mA 电源:DC7.2V 通讯方式:RS232 时钟误差:小于等于2min/year 发射原件:原件寿命长,可达10000小时以上;发射光束穿透力强,可适用于一定浊度的液体 传感器:采用光纤导光,除非接触检测外,并具有防水耐温、防爆、抗强磁场和抗电器干扰等优点 仪表可以估测瞬时流量、累计流量,关于流量计算具灌溉渠道系统量水规范GB/T201303-201 三、功能特点 1.低功耗,可直流供电,手持式设计,携带方便; 2.传感器讯号线长度可定制,无需调节发射原件供电电压,简化操作; 3.发射光穿透力强,可以适用于一定浊度的液体; 4.传感器采用光纤导光,具有非接触检测、防水、防爆、耐温、抗强磁场和抗电气干扰等优点; 5.传感器头部微型设计,可应用于狭小的测量环境; 6.测量不受液体温度和质量的影响; 7.可编程函数计算器读取结果 8.仪器采用模块结构,便于检修更换 四、测量原理 流速测量:流速仪在水力推动下,其内置信号装置产生转数信号。从而,可根据某个单位时段内流速仪产生的信号总数,由以下公式计算出流速:v=a+b*R/T(m/s) v一测流时段内平均流速(m/s) b一旋桨(或旋杯)水力螺距(m) a一流速仪常数(m/s) T一测流历时(s) R—T时段内流速仪转子的总转数 对某个个体流速仪来说,b和a为定值。因此,测流时,只要测出T和R值,即可计算出流速。 流量测量:输入被测断面类型,并手工输入(或者通过辅助传感器测量)规则断面的水位、宽度计算断面面积,仪表更具Q=V*S测算流速Q值 五、测量模式 单次测量模式:仪器按“单次测量”仪表根据设置“测量时间”,和测量时间内的脉冲数,根据公式计算单位时间内的平局流速。每按一次“单次测量”测量一次流速; 连续测量模式:仪表按“测量时间”周期进行连续循环测量。 多点测量模式:先设置界面测量点位数,通常一个断面每个位置流速不一样,我们根据规范对被测断面进行多个流速点测量,获取数据后计算平均流速。
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  • 霍尔效应测试系统HET 400-860-5168转3827
    霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括 Si、ZnO、SiGe、Sic,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越 -自动控制磁场方向的改变,更加便捷准确 -样品装夹快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数,可以确定电流携带者的类型,是正电荷的空穴还是负电荷的电子,从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系,因此通过测量霍尔系数,可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率,即电荷载流子在材料中移动的能力,从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息,可以更全面地评估材料的电性能,为电子器件和电路设计提供重要参考
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  • 霍尔效应测试仪 400-860-5168转3181
    霍尔效应测试仪  霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍  该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。  主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则  仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。  除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。  Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统,再加上平实的价格, 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。  目前广泛应有于半导体厂商。  主要特点  1、高精密度电流源  输出电流之精确度可达2nA,如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测,即高电阻值材料之量测。  2、高精密度电表  使用超高精度电表,电压量测能力可达nV等级,上限可达300V,极适合用于量测低电阻值材料。  3、外型精简、操作简单  外型轻巧、美观大方,磁铁组之极性更换也很灵活容易,独特之液氮容器设计,可确保低温量测之稳定性最佳。  4、I-V曲线  采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线,藉此评判样品的欧姆接触好坏。  5、单纯好用之操作画面  使用者只需在同一张操作画面中,就可以完成所有的设定,实验结果由软件自动计算得到,并在同一张画面中显示出来,省却画面切换的麻烦,结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。  6、自行开发之弹簧样品夹具,特殊设计之弹簧探针,其强度加强可改善探针与接触点之电气接触,提高量测之可靠度。  技术参数  磁场强度:0.65T/1T   常温和液氮温度(77K)下测量   输出电流:2nA-100mA   迁移率(cm2/Volt-sec):1-107  阻抗:10-6 to 107  载流子浓度(cm-3):107 - 1021  样品夹具:  Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦);  测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)  仪器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm  仪器重量:6kg
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  • 霍尔效应测试仪 400-860-5168转1545
    霍尔效应测试仪  霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍  该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。  主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则  仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。  除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。  Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统,再加上平实的价格, 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。  目前广泛应有于半导体厂商。  主要特点  1、高精密度电流源  输出电流之精确度可达2nA,如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测,即高电阻值材料之量测。  2、高精密度电表  使用超高精度电表,电压量测能力可达nV等级,上限可达300V,极适合用于量测低电阻值材料。  3、外型精简、操作简单  外型轻巧、美观大方,磁铁组之极性更换也很灵活容易,独特之液氮容器设计,可确保低温量测之稳定性最佳。  4、I-V曲线  采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线,藉此评判样品的欧姆接触好坏。  5、单纯好用之操作画面  使用者只需在同一张操作画面中,就可以完成所有的设定,实验结果由软件自动计算得到,并在同一张画面中显示出来,省却画面切换的麻烦,结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。  6、自行开发之弹簧样品夹具,特殊设计之弹簧探针,其强度加强可改善探针与接触点之电气接触,提高量测之可靠度。  技术参数  磁场强度:0.65T/1T   常温和液氮温度(77K)下测量   输出电流:2nA-100mA   迁移率(cm2/Volt-sec):1-107  阻抗:10-6 to 107  载流子浓度(cm-3):107 - 1021  样品夹具:  Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦);  测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)  仪器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm  仪器重量:6kg
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  • 瑞士Senis-3MH6-E 高精度特斯拉计-可互换霍尔探头昊量光电全新推出的3MH6-E 高精度特斯拉计-可互换霍尔探头。 带有集成霍尔探头的低噪声特斯拉计包含一个高精度磁场模拟电压传感器,具有高电平温度补偿输出信号,用于测量磁通密度的三个分量:Bx、By 和 Bz。 数字模块还应用于模拟换能器以形成数字特斯拉计。 数字特斯拉计提供了主机通过USB串行接口自动采集数据的可能性。 通过这种方式,客户可以使用其编程工具(如C,C++,C#,Python,Delphi,LabVIEW等)轻松地将测量程序集成到他们的测量系统中。温度测量功能允许用户在监控磁场的同时获取当前温度值。低噪声数字特斯拉计是一种高精度、温度非常稳定的设备,用于精确测量磁场。每个特斯拉计都使用所连接探头的单独校正数据进行校准,因此霍尔探头可以通过保持相同的 100ppm 精度来互换。传感器由两个模块组成:1. 具有各种电缆长度的可互换霍尔探头(模块 H)和2.电子(模块 E)。3MH6-E 高精度特斯拉计-可互换霍尔探头突出亮点&bull 带集成 C 型 3 轴霍尔探头(Bx、By、Bz)和温度传感器的特斯拉计&bull 直流和交流磁场的测量&bull 确保探头互换性(可互换霍尔探头,校准数据存储在集成的 EEPROM 中)&bull 非常高的磁性直流分辨率:优于 1ppm(@2T范围:平面为 1μT,垂直视场分量为 2μT)&bull 自动量程、归零、保持、蕞大值/蕞小值&bull 内部和外部触发器 – 单次、手动和连续&bull 可选择高斯 (G) 和特斯拉 (T) 单位&bull 嵌入式计算机(安卓上的GUI)&bull 远程数据采集和可视化PC软件在Windows 10 / 7上运行(通过USB设备端口)3MH6-E 高精度特斯拉计-可互换霍尔探头规格参数&bull 4 种可选磁场测量范围:± 100mT、500mT、2T、20T(校准高达 ±9T)&bull 直流测量精度:测量范围的0.01%(100ppm)&bull 探头互换性:适用于所有 4 个量程&bull 磁性分辨率:2ppm(24位A/D转换)&bull 频率带宽: 直流 – 2.5kHz (-3dB)&bull 可选采样率(可选):高达 7.5k样本/秒&bull 可选平均时间:1 个样本至 100 个样本&bull 灵敏度的温度稳定性:读数为20ppm/°C&bull 外部触发:单次和手动(测量时间间隔:0.1秒至5分钟)/连续(高达7.5kHz)&bull 测量数据记录:可选择存储间隔 0.5 – 60 秒(蕞长 300 天)3MH6-E 高精度特斯拉计探头尺寸3MH6-E 高精度特斯拉计设备应用界面关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商,代理品牌均处于相关领域的发展前沿;产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务。
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  • PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称:霍尔效应测试仪2.功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数:3-1测试范围:Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场:3-2-1磁场强度:0.45T 永磁体3-2-2磁场类型:永磁体3-2-3磁场均匀性:磁场不均匀性<± 1 %10年内磁场变化<± 0.2%3-3温 度:3-3-1温度区域:77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围:1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围:0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度:107~1021cm-33-7迁移率:10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流:3-8-1电流范围:1000 pA~10mA3-8-2电流解析度:2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度:2%3-9输入电压:3-9-1电压范围:± 10V3-9-2电压分辨率:1&mu V 4.仪器特点:4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压,特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台(室温和液氮温度)5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。
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  • 霍尔流速计测松装密度(AS-300A)简介霍尔流速计用于测定粉末流速及松装密度。适用于自由流动的金属粉末及其它粉末的测量。该测量是通过标定过的霍尔流速计漏斗来完成的。该漏斗孔径2.5毫米,斜度为60度。这些尺寸都是国际国内标准明确规定的。汇美科生产AS-300M经济型霍尔流速计与AS-300A全自动霍尔流速计。AS-300A全自动霍尔流速计能自动测量金属粉末的流速。另外,它也可以测量金属粉末的松装密度。该产品满足了研究及检测人员对于流速及松装密度更高一级的要求,被广泛应用于各个工业领域。该仪器使用传感器来感应粉体的流动,测量结束后自动停止并显示结果。完全避免了因为人为误差对测量的精度及重复性的影响,节省了操作者大量的宝贵时间。技术参数测量物理特性1:流速测量物理特性2:松装密度所需样品量:50克计时范围:1-9999秒仪器尺寸:长33 x 宽 x 31 x 高23厘米重量:16公斤产品特点霍尔漏斗满足国际国内标准要求。霍尔漏斗经进口标准粉末金刚砂标定。密度量杯按照国际标准进行标定。实时显示流动时间。自动测量,自动停止。LED显示测量结果。应用领域所有金属粉及添加物的流速的测定。霍尔流速计汇美科
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  • 霍尔流速计产品简介霍尔流速计用于测定粉末流速及松装密度。适用于自由流动的金属粉末及其它粉末的测量。该测量是通过标定过的霍尔流速计漏斗来完成的。该漏斗孔径2.5毫米,斜度为60度。这些尺寸都是国际国内标准明确规定的。汇美科生产AS-300M经济型霍尔流速计与AS-300A全自动霍尔流速计。AS-300A全自动霍尔流速计能自动测量金属粉末的流速。另外,它也可以测量金属粉末的松装密度。该产品满足了研究及检测人员对于流速及松装密度更高一级的要求,被广泛应用于各个工业领域。该仪器使用传感器来感应粉体的流动,测量结束后自动停止并显示结果。完全避免了因为人为误差对测量的精度及重复性的影响,节省了操作者大量的宝贵时间。技术参数测量物理特性1:流速测量物理特性2:松装密度所需样品量:50克计时范围:1-9999秒仪器尺寸:长33 x 宽 x 31 x 高23厘米重量:16公斤产品特点霍尔漏斗满足国际国内标准要求。霍尔漏斗经进口标准粉末金刚砂标定。密度量杯按照国际标准进行标定。实时显示流动时间。自动测量,自动停止。LED显示测量结果。应用领域所有金属粉及添加物的流速的测定。全自动智能型霍尔流速计AS-300A
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  • 因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性 无栅极 高电流低能量 发散光束 45可快速更换阳极模块 可选 Cathode / Neutralize 中和器美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用 辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD) Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度4545454545气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用F = Filament HC = Hollow Cathode xO2 = Optimized for O2 current 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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