霍尔效应磁场检测仪

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。 Figure 1. sensor on test assembly 产品特点:• 超高分辨率• 超低噪音性能• 可在极低温条件下使用• 大动态范围• 高线性• 超低功耗运行 简述:利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。 应用包括：• 精密磁场测量• 场梯度和边缘场的精确映射• 高精度位置，旋转和速度感应• 低温下的超低功率场测量 产品优点:可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：• 可以在 1.8 K - 353 K的极端温度下运行• 在大磁场范围( 9 T)内ppb磁场变化的分辨率• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向 需要特定要求，请联系我们info 性能特点:ParameterSymbolValue (typical)UnitNotesMaximum operating temperature rangeT1.8 to 353KPerformance guaranteed within this range. Operation 1.8 K is possibleMeasurable field rangeB+/- 9TSee Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearityOpen Circuit SensitivityS1100V/AT@ room temperature. see Fig 3 for change with temperatureOpen Circuit Hall VoltageVH110mVI=IN and B=1 T, increases with reducing temperature Spectral Noise Density SDT7 μ???√????10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) Resolution, based on SDT on a 1 T field RSND7 ppm10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)RMS noise??T2?40?T0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)2810 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)Linearity of Hall Voltage% of full scaleFL0.5%-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T rangeCorrected Linearity0.01%-1 to 1 T, after 3rd order correctionPlanar Hall EffectHPL10μTAt I=IN , 1 TNominal Supply CurrentIN0.1mACan be operated down to I=10 nAMaximum Supply CurrentImax1mASupply Side Internal ResistanceRIN22k?B=0 THall Side Internal ResistanceROUT22k?B=0 T Offset Voltage VR08mVTypical offset voltage at I=IN and B=0 T0.6mVMin offset voltage at I=IN and B=0 T34mVMax offset voltage at I=IN and B=0 TTemperature Coefficient of SensitivityTCS-4.7V/AT/K@ room temperature, IN 高场和低温性能 Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T. 封装信息有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。PinNotesVIN+1 or 11Input voltage can be supplied with eitherpolarityVIN-11 or 1VH+6 or 16Hall voltage polarity willdepend on VIN polarity and field polarityVH-16 or 6

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.设备明细：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选）3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %3-3测试样品：3-3-1样品测试仓：全封闭、带玻璃窗口3-4温 度：3-4-1温度区域：80K ~730K3-4-2温控精度：0.1K3-4-3温控稳定性：± 0.1 K3-5电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm3-6电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms3-7载流子浓度：102~1022cm-33-8迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec3-9输入电流：3-9-1电流范围：0.1 pA~10mA3-9-2电流精度：2%3-10输入电压：3-10-1电压范围：± 2.5V,最小可测到6× 10-6V3-10-2电压分辨率：3× 10-7V3-10-3电压精度：2%

霍尔效应实验，YMP-6106B 简介置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象被称为霍尔效应。YMP-6106B型霍尔效应实验采用一个长方体状半导体样品放置于均匀电磁场中，在这个矩形样品中横向通以电流，那么因为霍尔效应而在这个样品的垂直于电流和磁场的方向上产生一个一定大小的电势差，即为霍尔电压。特点基于光学轨道结构，霍尔探头在磁场中的位置二维可调换向开关改变霍尔电流和磁场方向，用“对称测量法”消除附加不等位电势的影响可升级为数字化实验实验内容了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的UH - IS和UH - IM曲线确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率能量在电磁场中传输特性实验，YGP-6201 简介YGP-6201型实验装置采用磁耦合谐振式原理，传输效率优于感应式磁场耦合传输，并且电能传输不受空间非磁性障碍物的影响。本实验装置设计有一对谐振线圈，通过高频交流电源给一个线圈通电作为发射线圈，产生磁场能量。另外一个线圈作为接收线圈，接收后转化为电能输出，最后驱动风扇或者LED灯。本实验可以改变两个线圈距离，线圈相对角度，负载电阻和传输介质等，来研究影响传输效率的因素。特点丰富的测试模块，可基于光学轨道灵活安装功能强大的一体化实验电源，涵盖实验所需的全部输入输出信号轻便美观的谐振线圈，可90o左右旋转风扇与LED双重演示，能量传输效果直观明显可升级为数字化实验实验内容两线圈互感系数及耦合系数的实验近似测定输出功率、传输效率与负载电阻关系测定输出功率、传输效率与线圈距离关系测定输出功率、传输效率与线圈相对角度关系测定输出功率、传输效率与不同介质中电源频率关系测定演示不同负载下的传输效率电学综合实验，YGP-6204简介电学综合实验是供高校物理实验室进行电学元件伏安特性测量、光电元件特性测量，电桥原理及应用、RLC 电路原理及应用、集成放大器原理及其应用等实验而设计的开放式教学实验仪器。该仪器配套有工作电源、数字电压传感器、数字电流传感器、数字微电流传感器、光传感器、温度传感器、各种待测元件、各种控制电路元件等。以上系列设计性、综合性、开放性实验的开设，不仅可以让学生深入了解经典的电学现象和原理，还可以了解目前主流的电子信息技术和产品，深入理解其工作原理和产品特性，使学生可以接触到电子信息技术领域的前沿的科技，并对其未来的发展空间产生想象和兴趣。特点独立模块设计，积木式拼搭组合，充分调动学生的动手能力模块底部采用可视化透明材料，方便观察元器件模块采用可拆卸结构，方便更换元器件配置无线电压传感器、无线电流传感器、无线微电流传感器和数据分析软件传感器采样频率最高可达1KHz，每组数据的采集量可达到100000组以上；采样精度达到0.5%，数字化采集实验数据并实时分析，使得物理定律显而易见实验内容1、电学元件伏安特性的测量；2、光敏元件的应用；3、热敏元件的应用；4、电表的改装与校准；5、单臂电桥原理及应用；6、双臂电桥原理及应用；7、非平衡电桥原理及应用；8、RLC 电路的暂态过程研究；9、RLC电路的谐振特性研究；10、整流、滤波及稳压电路；11、集成放大器及其应用；12、应用电路实验。RLC电路实验，YGP-6207简介YGP-6207 RLC电路实验包括RLC电路的暂态过程研究、RLC谐振电路特性研究等内容。学习的知识点有RL、RC、RLC电路中电流、电压的暂态过程特征，指数衰减时间常数定义和测量方法，衰减振荡周期和时间常数定义和测量方法，RC微分电路的用法和参数选择，RC积分电路的用法和参数选择以及RLC电路稳态、谐振、幅频特性、相频特性、高通电路、低通电路、上限频率、下限频率、截止频率、通频带宽度、谐振频率、电感性、电容性、品质因数、选频、共地、电压谐振、电流谐振、相位差的测量等。本实验装置可实现RLC电路实验的分层次教学，完成其中的基础内容、提升内容、进阶内容以及高阶内容。特点独立模块设计，积木式拼搭组合，充分调动学生的动手能力模块底部采用可视化透明材料，方便观察元器件模块采用可拆卸结构，方便更换元器件使用电压传感器测量时间常数非常容易二极管伏安特性曲线使用软件的曲线拟合功能很容易验证曲线是否呈指数实验内容观测RC、RL、RLC串联电路的幅频/相频特性以及品质因数Q观察RC、RL串联电路的暂态过程，测量其指数衰减时间常数观测不同Q值下RLC串联电路的幅频特性测试；RLC并联电路的幅频/相频特性测试；设计RC低通滤波电路和高通滤波电路观察RLC串联电路的暂态过程及其阻尼振荡规律设计二阶RC滤波电路研究RLC并联电路的暂态行为、设计积分或微分电路等设计整流滤波电路、LC三阶低通滤波电路、无阻尼振荡电路等对电路暂态过程进行计算机显示等直流电桥实验，YGP-6209简介YGP-6209直流电桥实验学习的知识点有直流电桥测电阻，交换（换臂）法，倍率选取、电桥灵敏度测量，电阻率测量等。该实验装置可完成直流电桥实验的基础内容、提升内容、进阶内容以及高阶内容，实现分层次教学。特点独立模块设计，积木式拼搭组合，充分调动学生的动手能力模块底部采用可视化透明材料，方便观察元器件模块采用可拆卸结构，方便更换元器件采用微电流传感器替代传统检流计，实现分层次教学实验内容自组电桥，选择合适的倍率、测量不同未知(中值）电阻的阻值，测出电桥的灵敏度考虑电桥比率臂阻值、检流计灵敏度对整个电桥灵敏度及测量精度的影响，计算未知电阻的不确定度，写出结果表达式搭建双臂直流电桥，依据双臂电桥原理及测量方法，测量金属棒的阻值；测量其长度、直径，计算金属棒的电阻率结合工程技术，研究直流电桥的应用，如：温控、光控电路等结合现代科学技术，利用传感器、数据采集、虚拟技术等，将电桥电压采集到计算机中，在软件方面设计应用更多精彩，请关注下方！

美国 高斯计 数字式霍尔效应电磁场强计产品介绍： 美国 高斯计 数字式霍尔效应电磁场强计代表磁性测量设备的最新设计。该设计采用了数字信号处理技术。动态探头校正允许测量从 0 到 30 kG，基本精度为 1% 。主要功能包括自动零，min./max./peak 保持，自动范围和相对模式。这两种型号都允许用户选择高斯、特斯拉或安培 / 米的读数。5280 和 5270 都具有一个校正后的模拟输出（±3V FS）和一个USB 通信端口。 用户在自定义格式的 LCD 上的提示允许快速，简单的按钮和触摸 操作。所有型号都配备了一个可拆卸的横向探头，零高斯室，使用说明书，硬手提箱，和一个锂离子可充电电池。轴向、超薄横 向和低场探头可作为选择。产品特点：&bull Subark4.3"液晶触摸屏&bull 声音 / 亮度 / 暗模式的控制 &bull 锂离子电池 10 到 14 小时 &bull 通常收费时间为 2 小时&bull 沙痂 USB-C 2.0&bull 远程个人电脑控制选项 &bull 512 kBit 内存（5280）&bull 在范围内时的视听警报（5280）&bull 符合 SubarkCE应用场所：&bull 直流/交流电机测试&bull 磁体测量及分类&bull 磁场分布测试&bull 扬声器品质控制&bull 工具剩磁测量&bull 实验室应用&bull 无损探伤应用&bull 发电厂/变电站干扰磁场测量技术参数：号FWBELL5170FWBELL5180基本精度2% 1%频率范围 DC - 20 kHz DC - 40 kHz屏幕显示采样率4次/秒4次/秒模拟输出采样率-200K次/秒量程 3档3档低量程 200G300G中量程 2KG3KG高量程 20KG30KG分辨率 0.1G 0.1G单位 Gauss, Tesla,A/M Gauss, Tesla, A/M显示位数 3 1/2 LCD 3 3/4 LCD模拟输出 - +3V F.S.模拟输出 -USB工作温度0℃ 至 +50℃储存温度-25℃ 至 +70℃电源 4节AA电池或外接电源尺寸 (长 x 宽 x深) 6.9" (175 mm) x 3.9" (100 mm) x 1.44" (37mm)5180高斯计探头HTD18-0604 4英寸(10.16cm)横向探头STD18-04044英寸(10.16cm)横向探头（标配探头）STD18-04022英寸(5.08cm)横向探头SAD18-19044英寸(10.16cm)轴向探头SAD18-1902 2英寸(5.08cm)轴向探头5170 高斯计探头HTH17-06044英寸(10.16cm)横向探头STH17-04044英寸(10.16cm)横向探头（标配探头）STH17-04022英寸(5.08cm)横向探头SAH17-19044英寸(10.16cm)轴向探头SAH17-19022英寸(5.08cm)轴向探头5170/5180高斯计通用探头 STB1X-0201超薄横向探头(厚度：0.02英寸/0.508mm)MOS51-3204 低场探头5170/5180高斯计通用配件 YA-111校零盒（适用于轴向、横向、低场探头）PSRD-5电源适配器，+5VDC输出、110VAC输入PSRI-5电源适配器，+5VDC输出、220VAC输入

低温强磁场原子力/磁力/扫描霍尔显微镜 - attoAFM/attoMFM/attoSHPM系统 纳米尺度下的磁学图像对于研究磁性材料和超导样品是非常重要的，利用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系统，科学家可以在无以伦比的空间分辨率（20nm）和磁场敏感性下分析样品磁性，工作温度从低温、强磁场到室温。attoAFM/attoMFM/attoSHPM采用模块化的设计。利用标配的控制器和样品扫描台，用户仅需要更换扫描头和对应的光学部件即可实现不同功能之间的切换。低温强磁场磁力显微镜 - attoMFM I系统 attoMFM I采用紧凑设计，其主要用于低温和低温环境中。在扫描时，探针是固定的，而进行样品扫描。样品与探针之间的磁力梯度由光纤干涉的模式，通过测量共振频率或相位变化而确定。 在实验过程中，样品和探针保持一定的距离，典型值为10-100nm。工作在共振频率模式时，PLL用于激发微悬臂，进行闭环扫描，实现高的空间分辨率（10.7nm，如下图）。attoMFM I特点与技术优势+ 工作模式：MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM+ 可升到SHPM、共聚焦显微镜、SNOM和STM+ 5X5X5mm粗定位范围，4K+ 30umX30um扫描范围，4K+ MFM高空间分辨率：好于11nm+ 变温范围：mK - 373K+ 兼容强磁场：可达15Tesla+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器，如Quantum Design-PPMS系统 + 其紧凑和可靠MFM扫描头设计+ 闭环式扫描模式+ 外置CCD，用于检测低温环境中样品的位置 + 用于超导体的vortex分布与定扎测量+ 磁性颗粒的局域场测量+ 磁化率和磁滞回线测量+ 超导、磁畴、材料科学研究attoMFM I技术参数+ 样品定位范围：5 X 5 X 5mm，4K+ 样品位移步长：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K+ 扫描范围：40X40 um @300K；30X30 um @4K+ 磁场强度： 0 -15Tesla (取决于磁体）+ 变温范围：mK - 300K （取决于恒温器）+ 工作真空环境：1X10-6mbar - 1bar（He交换气氛） + MFM侧向分辨率：好于20nm+ RMS z-noise水平（4K）：0.05nm+ z bit分辨率（全范围内）：7.6pm+ z bit分辨率（扫描范围内）：0.12pm低温强磁场扫描霍尔显微镜- attoSHPM系统 attoSHPM采用紧凑设计，其主要用于低温和低温环境中。其探针是采用MBE生长的GaAs/AlGaAs霍尔传感器。局域测量通过霍尔探针在样品表面进行扫描而实现，将测得的霍尔电压进行转换，即可计算出局域磁场强度。attoSHPM特点与技术优势+ 可升到MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM、共聚焦显微镜、SNOM和STM+ 5X5X5mm粗定位范围，4K+ 30umX30um扫描范围，4K+ 变温范围：mK - 373K+ 兼容强磁场：可达15Tesla+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器，如Quantum Design-PPMS系统 + 其紧凑和可靠SHPM扫描头设计+ 定量和非破坏性磁性测量，mK温度+ 闭环式扫描模式 + 用于超导体的vortex分布与定扎测量+ 磁性颗粒的局域场测量+ 磁化率和磁滞回线测量+ 超导、磁畴、材料科学研究attoSHPM技术参数+ 利用STM原理/音叉模式探测样品与探针之间的距离+ 样品定位范围：5 X 5 X 5mm，4K+ 样品位移步长：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K+ 扫描范围：40X40 um @300K；30X30 um @4K+ 磁场强度： 0 -15Tesla (取决于磁体）+ 变温范围：mK - 300K （取决于恒温器）+ 工作真空环境：1X10-6mbar - 1bar（He交换气氛） + SHPM探针：MBE生长的GaAs/AlGaAs异质结+ 分辨率：250nm超高分辨 + z bit分辨率，300K ：0.065nm，4.3um扫描范围+ 侧向（xy）bit分辨率，4K：0.18nm，12um扫描范围+ z bit分辨率，4K：0.030nm，2um扫描范围应用案例：PPMS-MFM vortex测量高分辨磁畴测量315mK下vortex测量300mK下SHPM测量AFM在脉冲管制冷机中使用300mK-9T下AFM/STM测量

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

Lake Shore 8400系列霍尔效应测量系统结合了先进的交流和直流磁场霍尔效应测量方法，应用领域十分广泛。交流磁场测量选件非常适合测量传统直流场霍尔方法难以测量的新兴材料（迁移率低于1 cm2/Vs，包括半导体和电子材料，如光伏（太阳能电池）和热电材料、新的显示材料和有机电子材料等。8400系列霍尔效应测量系统提供了一个强大的测试平台，可以根据用户具体需求进行配置，包括变温选件、高电阻和低电阻选件以及光学通道等，极大程度上满足用户的测量需求，并大大简化实验过程。主要特征 ☛ 标准直流磁场测试迁移率范围：1 ~ 106 cm2/Vs☛ 可选交流磁场选件测试迁移率低至0.001 cm2/Vs☛ 可选变温范围15 K ~ 1273 K☛ 磁场最达2.2 T☛ 标准电阻范围：0.5 mΩ~10 mΩ，可选200 GΩ☛ 低阻选件电阻低至~0.5 μΩ可测量参数直接测量参数间接测量参数♢ 直流/交流磁场♢ 霍尔系数♢ 霍尔电压♢ 霍尔迁移率♢ 电阻率♢ 磁阻♢ 欧姆检查♢ 载流子类型♢ 四线法电阻♢ 载流子浓度♢ I-V曲线设备参数84048407DCACDCAC测量参数迁移率1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs载流子浓度8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-38 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3电阻率1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm电学测试参数*标准电阻测试范围读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法 0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS高阻选件配置读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS低阻选件配置电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电流±1 pA ~ ±100 mA±1 pA ~ ±100 mA恒流输出电压100 V100 V环境（磁场和温度）室温下磁场大小**(25 mm [1 in] 极头间隙)1.67 T使用标准50 mm直径极头1.35 T选用100 mm直径极头1.18 T使用标准50 mm直径极头0.95 T选用100 mm直径极头2.08 T 使用标准100 mm直径极头2.23 T 选用 50 mm直径极头1.19 T使用标准100 mm直径极头1.30 T选用 50 mm直径极头变温下磁场大小**(50 mm [2 in] 极头间隙)0.89 T使用标准50 mm直径极头0.88 T选用100 mm直径极头0.63 T使用标准50 mm直径极头0.62 T选用100 mm直径极头1.44 T使用标准100 mm直径极头 0.68 T使用标准100 mm直径极头运行交流磁场频率NA0.05 和 0.1 HzNA0.05 和 0.1 Hz样品尺寸标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm系统标配温度 室温室温单点液氮模块温度77 K77 K闭循环恒温器模块温度标准闭循环恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 400 K 光学型闭循环低温恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 350 K高温炉模块温度室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 磁体极柱直径4 英寸7 英寸极头直径标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)极头间隙（室温工作时）25 mm (1 英寸)25 mm (1 英寸)极头间隙（变温工作时）50 mm (2 英寸)50 mm (2 英寸)磁场均匀性25 mm 极头间隙, 50 mm 直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm极头间隙, 100 mm直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm325 mm极头间隙, 50 mm直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm3冷却（电磁铁和电源）标准7.6 L/min , 闭循环制冷机选件10.3 L/min标准19 L/min , 闭循环制冷机选件 23 L/min三相双极性电磁铁电源最大输出±35 V ±70 A (2.5 kW)±75 V ±135 A (9.1 kW)其他附件冷却水总功耗标准4.25 kW 加闭循环制冷机时7.45 kW标准13.4 kW 加闭循环制冷机时16.6 kW

美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计是基于霍尔效应的磁场强度测量仪表的进展，是目前采用DSP设计的手持式高斯计。量程0-30KG,很小基本误差1%。5170高斯计特点包括自动零点，自动量程，很大值/很小值/值保持，相对模式等。所有的型号均可以选择高斯或特斯拉读数。美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计产品说明： 美国F．W．BELL公司在世界上生产的高斯计/磁场计这个领域有很高声誉，具有五十多年的生产经验，产品在世界各国具有很好的口碑。公司严格执行ISO9001的生产标准，生产的十多种产品不但有很高的性能价格比，而且有完善的售后服务保证，解决客户的后顾之忧。有的产品十多年前随生产线配套进入中国，至今仍然可靠使用。2004年,F．W．BELL公司在世界上高斯计的市场占有率为46%，也是独占鳌头。 新的一代FW5100系列手持式高斯计替代了以前的5000系列手持式高斯计，代表了世界上先设计的磁场测试设备。5100系列手持式高斯计是基于霍尔效应的磁场强度测量仪表的较新代表，是目前独特采用DSP设计的手持式高斯计。F.W.BELL的探头动态补偿技术确保了在0～30000高斯量程内的1%的基本精度。新的一代FW5100主要功能包括：自动校零、很大/很小/很值保持、自动量程和相对模式。所有的型号均可以选择高斯、特斯拉或安倍每米读数。其中5180高斯计具有一个校准后的模拟输出（±3VFS）和一个USB通讯口与计算机通信，可以将测量的数据存到电脑上很久保存，方便以后数据整理。FW5100系列手持式高斯计的内置软件没了复杂的校准过程。大液晶显示器，方便用户可以简单快捷的通过按键来完成各种操作。FW5100系列高斯计配备了可拆卸的径向探头、校零盒、操作手册、便携箱、4节AA电池，配备的可选件有轴向探头、超薄探头、低场探头等。 FW5100系列高斯计适用范围从很敏感的实验室环境到很恶劣的工业环境。FW5100系列高斯计所有部件均按ISO9001标准生产，并通过CE认证。美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计特性： 数据记录功能 采用DSP设计的手持式高斯计 0.1 G 分辨率 单位可选择高斯，特斯拉，A/M 高精度 2倍于竞争对手的响应频率 模拟量输出及USB接口 轻便手持式 自动零点/自动量程 很大值/很小值保持 高性能价格比 测量 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计应用： 直流/交流电机测试 磁体测量及分类 磁场分布测试 扬声器品质控制 工具剩磁测量 实验室应用 无损探伤应用 发电厂/变电站干扰磁场测量 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计技术参数：型号51705180基本精度2%1%频率范围DC - 20 kHzDC - 40 kHz屏幕显示采样率模拟输出采样率4次/秒没有4次/秒200K次/秒量程3档3档低量程200G300G中量程2KG3KG高量程20KG30KG分辨率0.1G0.1G单位Gauss, Tesla,Gauss, Tesla, A/M显示位数3 1/2 LCD3 3/4 LCD模拟输出-+3V F.S.模拟输出-USB 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计一般信息：工作温度0℃ 至 +50℃储存温度-25℃ 至 +70℃电源4节AA电池或外接电源尺寸 (长 x 宽 x深)6.9" (175 mm) x 3.9" (100 mm) x 1.44" (37mm) 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计探头和附件：5170探头型号5180探头型号HTH17-0604 4" Transverse ProbeSTH17-0404 4" Transverse Probe (incl. w/5170)STH17-0402 2" Transverse ProbeSAH17-1904 4" Axial ProbeSAH17-1902 2" Axial ProbeSTB1X-0201 Ultra Thin Probe (0.020" thick)HTD18-0604 4" Transverse ProbeSTD18-0404 4" Transverse Probe (incl. w/5180)STD18-0402 2" Transverse ProbeSAD18-1904 4" Axial ProbeSAD18-1902 2" Axial Probe STB1X-0201 Ultra Thin Probe (0.020" thick)

产品详情德国Attocube低温强磁场原子力/磁力/扫描霍尔显微镜attoAFM/attoMFM/attoSHPM 纳米尺度下的磁学图像对于研究磁性材料和超导样品是非常重要的，利用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系统，科学家可以在无以伦比的空间分辨率（20nm）和磁场敏感性下分析样品磁性，工作温度从极低温、强磁场到室温。 attoAFM/attoMFM/attoSHPM采用模块化的设计。利用标配的控制器和样品扫描台，用户仅需要更换扫描头和对应的光学部件即可实现不同功能之间的切换。 attoMFM I采用紧凑设计，其主要用于低温和极低温环境中。在扫描时，探针是固定的，而进行样品扫描。样品与探针之间的磁力梯度由光纤干涉的模式，通过测量共振频率或相位变化而确定。 在实验过程中，样品和探针保持一定的距离，典型值为10-100nm。工作在共振频率模式时，PLL用于激发微悬臂，进行闭环扫描，实现极高的空间分辨率（10.7nm，如下图）。 attoMFM I特点与技术优势 + 工作模式：MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM+ 可升级到SHPM、共聚焦显微镜、SNOM和STM+ 5X5X5mm粗定位范围，4K+ 30umX30um扫描范围，4K+ MFM极高空间分辨率：好于11nm+ 变温范围：mK - 373K+ 兼容强磁场：可达15Tesla+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器，如Quantum Design-PPMS系统 + 极其紧凑和可靠MFM扫描头设计+ 闭环式扫描模式+ 外置CCD，用于检测低温环境中样品的位置+ 用于超导体的vortex分布与定扎测量+ 磁性颗粒的局域场测量+ 磁化率和磁滞回线测量 + 超导、磁畴、材料科学研究 attoMFM I技术参数 + 样品定位范围：5 X 5 X 5mm，4K+ 样品位移步长：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K+ 扫描范围：40X40 um @300K；30X30 um @4K+ 磁场强度： 0 -15Tesla (取决于磁体）+ 变温范围：mK - 300K （取决于恒温器）+ 工作真空环境：1X10-6mbar - 1bar（He交换气氛）+ MFM侧向分辨率：好于20nm+ RMS z-noise水平（4K）：0.05nm+ z bit分辨率（全范围内）：7.6pm+ z bit分辨率（扫描范围内）：0.12pm 低温强磁场扫描霍尔显微镜- attoSHPM系统 attoSHPM采用紧凑设计，其主要用于低温和极低温环境中。其探针是采用MBE生长的GaAs/AlGaAs霍尔传感器。局域测量通过霍尔探针在样品表面进行扫描而实现，将测得的霍尔电压进行转换，即可计算出局域磁场强度。 attoSHPM特点与技术优势+ 可升级到MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM、共聚焦显微镜、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范围，4K+ 30umX30um扫描范围，4K+ 变温范围：mK - 373K+ 兼容强磁场：可达15Tesla+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器，如Quantum Design-PPMS系统 + 极其紧凑和可靠SHPM扫描头设计 + 定量和非破坏性磁性测量，mK温度+ 闭环式扫描模式+ 用于超导体的vortex分布与定扎测量+ 磁性颗粒的局域场测量+ 磁化率和磁滞回线测量 + 超导、磁畴、材料科学研究 attoSHPM技术参数+ 利用STM原理/音叉模式探测样品与探针之间的距离+ 样品定位范围：5 X 5 X 5mm，4K+ 样品位移步长：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K+ 扫描范围：40X40 um @300K；30X30 um @4K+ 磁场强度： 0 -15Tesla (取决于磁体）+ 变温范围：mK - 300K （取决于恒温器）+ 工作真空环境：1X10-6mbar - 1bar（He交换气氛）+SHPM探针：MBE生长的GaAs/AlGaAs异质结+ 分辨率：250nm超高分辨 + z bit分辨率，300K ：0.065nm，4.3um扫描范围+ 侧向（xy）bit分辨率，4K：0.18nm，12um扫描范围+ z bit分辨率，4K：0.030nm，2um扫描范围

霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越 -自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确 -样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

美国MMR公司，与斯坦福大学合作开发了专利的致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。其主要客户有Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院等。霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。主要参数：1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）4. 温度稳定度：=0.1K5. 温度响应：1K/sec 6. 致冷片：10X14 mm7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec9. 载流子浓度：103~1019cm-310. 电流范围：1 pA~100mA11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到6X10-6 V12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G OhmsTel: 86 21 62083715

台湾EMT7065霍尔效应仪 霍尔效应仪可以测量Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。EMT7065霍尔效应仪运用先进的Keithley电子仪表，和我们在极端的条件下能够很好的整合一整套系统，我们的霍尔效应仪温度范围可以达到4K-1000K，磁场可以升级到9T。可以结合许多极端环境平台： 从4K到1000K温度不改变样品架制冷机温度可达到1000K宽泛的测量范围无需跟换腔体进行操作坚固设计并安装在冷却器的上端，换样品时不会接触到。许多标准的安装配置可用-可定制适合你的冷端或者样品架安装配置可以使用许多不同的封闭式和开放式循环制冷机提供高温系统以及温度控制器

HSEM系列电磁铁霍尔效应测试系统由电磁铁、霍尔测试仪、控制器、样品变温选件等部分组成。根据选取配置不同可实现±1.5T的磁场、10K样品温度、1273K样品温度等性能。具有磁场范围大、温区广等特点。可满足客户在不同温度或不同磁场下对材料的电阻率、载流子浓度、载流子类型、霍尔系数、电子迁移率等参数进行测量。系统特点：&bull 具有连续可变的磁场环境，可选±0.8T或±1.5T两种配置&bull 具有较丰富的温度选件，包含：室温、液氮单点、10K-400K闭循环低温选件、室温-1273K高温选件&bull 迁移率范围：0.01-10^6&bull 可测样品电阻范围：10mΩ-100GΩ&bull 载流子浓度：8 × 102 到 8 × 1023 cm-3&bull 室温屏蔽盒为样品提供室温测试环境，提供多种室温样品卡，满足各种规格的样品的霍尔测试。&bull 可通过滑轨快速切换低温恒温器与室温屏蔽盒，可快速切换样品或更换样品环境，提高换样效率。测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：（A硅（单晶硅、非晶硅）CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等）&bull 有机材料：（OFET、OLED）&bull 透明导电金属氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnOIGZO（铟镓锌氧化物）等）&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2参数和指标：型号HSEM-08HSEM-15磁场大小±0.8T±1.5T迁移率1*10-2 to 1*106 cm2 / Vs载流子浓度8x102-8x1023/cm3样品阻值范围10mΩ-100GΩ电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品尺寸标准10mm*10mm可定制Φ50mm或其他尺寸支持温度选件液氮选件闭环低温选件高温炉

韩国Ecopia霍尔效应测量系统HMS3000，HMS5000 韩国Ecopia霍尔效应测量系统主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型 主要参数：样品固定方式：弹簧探针或引线治具温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）温度稳定度：=0.05K温度响应：1K/sec致冷片：10X14 mm电阻率：10-6~1013 Ohm*cm载流子迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec载流子浓度：102~1022cm-3电流范围：0.1 pA~10mA电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms常用型号：HMS3000， HMS5000

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所...

MMR Hall Effect Measurement System controlled continuously variable temperature MMR可控连续变温霍尔效应测试系统1. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数2. 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。3. 磁场强度： 0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择4. 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K5. 电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm6. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms7. 载流子浓度：102~1022cm-38. 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec 仪器优点：1. 采用van der Pauw法测试 2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个 3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出 4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统 5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优 6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试7.允许在一定气体环境下测试8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率

产品介绍测量包括：• 迁移率测试• DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs• AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs• 载流子浓度测试• 电阻率测试• 电阻测量• 低电阻范围 1uohm to 1Mohm• 宽电阻范围 1uohm to 100Gohm• 高电阻范围 1ohm to 100Gohm• 范德堡法测试范围• 霍尔巴法测试 磁帽:• 可更换帽• 标准25mm• 在0-130mm间距连续可调• 更大帽直径可选,50mm,75mm 电磁铁:• ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface• ±35V, ±70A电源• 磁场±IT@25mmpolegap• 线圈电阻: 0.5 ? (20°C)• 水冷温度选项:• 低温 3K-300K• 高温300K-1273K 纳米磁学高斯计:• 磁场扫描采用集成高斯计• 磁场校准采用霍尔探头• 高灵敏度的磁场测量• 所有参数可通过软件控制 样品架:• 4,6 or8范德堡或霍尔巴测试设计• 易于样品安装与弹簧连接• 5mmx5mm样品大小(提供更大选件)• 多个样品安装 控制器和软件:• 使用我们软件可逐层的进行迁移率分析• 基于C# 的全自动软件分析• 非常宽的温度测试范围,3-1,300K• 采用高斯计进行磁场的控制• 非常容易的进行范德堡霍尔巴方法样品测试• 提供软件终身升级上海睿忱英国 NanoMagnetics 仪器 HEMS 霍尔效应测量系统, 多样品实验, 非常适合材料研究等应用.

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：1T 电磁体3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：25 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

Metrolab HallinSight 3D-霍尔磁场相机-表磁分布测量昊量光电全新推出的Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量。Metrolab HallinSight是由弗劳恩霍夫集成电路研究所 （Fraunhofer IIS）开发的一项技术。Metrolab HallinSight评估套件代表了精确的矢量磁测量，可以高度灵活地适应不同的要求和应用。HallinSight矢量磁场成像技术能够实时测量磁场的所有三个维度。磁场矢量可以以每秒1000次的测量速度在μT范围内确定。以平面阵列的形式，该技术可以作为磁场相机来实现，并用于描述静态或动态磁场的特征。HallinSight技术的高灵活性，使其有可能实现对沿线或平面以及空间体积的磁场的测量。各种通信接口可用于整合到实验室和工业设置的现有环境中。独特的矢量测量HallinSight 矢量磁场成像技术能够实时测量所有三个磁场轴3 轴霍尔传感器以 4 uT 解析磁场矢量 分辨率速率高达 1 kHz。该霍尔磁场相机可表征静态或动态磁场HallinSight技术的灵活性使得沿线或平面测量磁场成为可能！HallinSight系统实时映射动态磁场。32×32、16×16 或 32×2 三轴霍尔传感器阵列分别以 25、100 和 250 Hz 的速率测量从几 μT 到几 T。Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量突出亮点&bull 随时可用的真实三维磁场测量（矢量），在2.5毫米的网格内进行空间分辨率测量&bull 有可能为更高的分辨率使用内插算法&bull 集成温度传感器&bull 整个测量系统的磁力校准&bull 用于可视化和分析的Windows软件&bull 整合LabVIEW和Python库&bull 磁中性测量范围&bull 通过USB和串行ASCII协议进行通信Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量应用范围&bull 磁铁制造中的质量控制&bull 检测磁性材料的缺陷（如裂缝、空洞）。&bull 永磁体的特性（如场强、磁化）。&bull 非破坏性的材料测试（例如，磁反偏压）。&bull 多维位置测量&bull 测量高动态的磁场（如梯度场）。&bull 检测隐藏的电流（如太阳能电池板）。&bull 静态或变化的磁场（如电机、线圈）的可视化Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量技术规格&bull 在 2.5 mm 网格上测量 &bull 横向几何位置误差 50 μm&bull 垂直几何位置误差 10 μm&bull 正交误差 0.1°&bull 分辨率4 μT&bull 包括 4 个测量范围± 100 mT、± 400 mT、± 800 mT、± 2'000 mT&bull 测量速率高达 250 Hz关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

产品详情 美国MMR 霍尔效应测量系统 H5000 美国 MMR 公司，与斯坦福大学合作开发了专利的致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。 霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。 主要参数： 1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）3. 磁场：5000Gauss 永磁铁，5000Gauss 电磁场， 1.4T 电磁场（可选）4. 温度稳定度：=0.1K5. 温度响应：1K/sec6. 致冷片：10X14 mm7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec9. 载流子浓度：103~1019cm-310. 电流范围：1 pA~100mA11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到 6X10-6 V12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms 参考客户： Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院，深圳大学，华南理工大学，上海光机所，上海微系统所，四川大学，上海交通大学，常州大学，东北大学，厦门大学，新疆理化研究所，北京物理所等。

仪器简介：该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 VDP6800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。 目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。技术参数：磁场强度：0.65T/1T 常温和液氮温度(77K)下测量 输出电流：2nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-6 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 仪器重量：6kg主要特点：1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。7、可与四点探针公用系统

美国BELL(贝尔) 5270/5280霍尔效应便携式高斯计采用了数字信号处理技术，其动态探头校正允许测量0至30 kg，基本精度为1%，是BELL 5170/5180的替代型号。新升级的BELL 5270/5280高斯计也由原有的按键设计改为触摸屏设计。美国BELL(贝尔) 5270/5280霍尔效应便携式高斯计产品简介：5200系列霍尔效应便携式高斯计代表了磁性测量设备的新设计。该设计采用了数字信号处理技术。F.W.Bell的动态探头校正允许测量0至30 kg，基本精度为1%。主要功能包括自动调零，*小/*大/峰值保持，自动范围和相对模式。两种型号都允许用户选择高斯、特斯拉或安培/ 米读数。5280和5270均具有校正模拟输出(±3V FS)和USB通信端口。5200系列手持式高斯计的内置软件消除了复杂的校准程序。定制格式LCD上的用户提示允许快速、简单的按钮和触摸操作。*有型号都配有可拆卸的横向探头、零高斯室、说明书、硬质手提箱和锂离子充电电池。可选择轴向、超薄横向和低场探头。探测器选项：52705280STH17-0404，4横向STD18-0404，4横向STH17-0402，2横向STD18-0402，2横向SAH17-1904，4轴SAD18-1904，4轴SAH17-1902，2轴向SAD18-1902，2轴HTH17-0604，4横向HTD18-0604，4横向STB1X-0201，超薄，横向MOS51-3204，低磁场应用程序：敏感的实验室环境坚固的工业环境磁场强度验证磁性部件/电机的测量北/南及性漏磁检测美国BELL(贝尔) 5270/5280霍尔效应便携式高斯计主要功能和优势：4.3液晶触摸屏声音/亮度/黑暗模式控制使用锂离子充电电池可使用10至14小时充电时间通常为2小时USB-C 2.0远程PC控制选项512 kbit内部存储器(5280)范围内的音频/视频警报(5280)符合CE标准美国BELL(贝尔) 5270/5280霍尔效应便携式高斯计技术参数：型号52705280基本直流精度2%1.1%频率带宽DC-20千赫DC-25千赫更新率:显示模拟每秒10次更新。100K样 本/秒。每秒10次更新。100K样 本/秒。范围:超低范围低范围中档高*1G200G2公斤20公斤1G300G3公斤30公斤分辨率:超低范围低范围中档高*1毫克0.1G 1G 10G1毫克0.1G 1G 10G读数高斯、特斯拉、安培/米高斯、特斯拉、安培/米工作温度0摄氏度至50摄氏度储存温度-25℃至70℃仪表重量0.98磅（443克）尺寸8.00英寸X 3.85英寸X 1.87英寸（20.32厘米X 9.78厘米X 4.75厘米）合规EN IEC 61326-1:2021跌落试验符合IEC 61010-1:2010标准的1米跌落

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所、华南理工、天合光能...

HSPM-07RT室温永磁铁霍尔测试系统由高精度霍尔测试仪、室温永磁铁夹具平台、测试电脑及软件组成，可在固定磁场下实现霍尔效应的测量，系统结构桌面式结构设计、体积小，测试效率高，是实验室快速检测和工厂质检的不二选择。系统有77K液氮单点选件，提供样品在77K低温下完成霍尔效应测量。 系统采用科学合理的共地设计，内部电学信号线全部采用三同轴线缆，保障了高阻半导体材料的测量，可以准确测量出样品的的载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。室温永磁铁夹具平台，可以轻松移动和翻转磁场，能同时满足快速霍尔和直流霍尔测试，采用PCB插拔样品卡设计，兼顾范德堡和霍尔巴样品。系统特点：&bull 磁场优于 0.7T（室温测量）；磁场优于0.5T（液氮单点选件）&bull 永磁铁通过滑轨移动，可以轻松翻转，同时兼顾快速霍尔和直流霍尔测试&bull 简单的插拔样品卡设计，可实现快速方便的样品处理，兼顾霍尔巴和范德堡样品的霍尔测试&bull 样品卡包含弹簧铍铜探针四探针样品卡、折弯钨探针四探针样品卡和焊接样品卡，满足不同样品测试需求&bull 科学合理的共地和三同轴结构设计，保障了系统高阻测试性能，电阻可至100GΩ&bull 测试腔有气路阀门，可通入氮气、氩气进行保护，也可抽取真空&bull 可增添77K低温选件，测试液氮单点温度下的霍尔参数测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等&bull 有机材料：OFET、OLED等&bull 透明导电金属氧化物TCO：ITO、AZO、ZnO、IGZO（铟镓锌氧化物）等&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等参数和指标：主机型号HSPM-07RT标准电阻范围10mΩ-100GΩ迁移率 10-2 -106 cm2/VS载流子浓度 8x102 -8x1023/cm3霍尔电压分辨率为1μV电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品测试四探针样品卡样品尺寸：25mm*25mm焊接样品卡样品尺寸：10mm*10mm可选样品尺寸：50mm*50mm样品接触方式手动探针扎针或焊接样品温度室温，可选77K单点样品环境气氛（氮气或氩气）或真空磁场0.7T（室温）0.5T（液氮单点）永磁铁运动方式手动水平移动及翻转运动磁铁间隙20mm（室温）30mm（77K单点选件）磁场均匀区10mm*10mm*10mm优于5%

便携式磁场强度质量检测仪THM1176优势便携设计：掌上电脑+三维霍尔探头，方便现场测量。三维磁场测量：同时完成x，y，z三个维向及总参量测量，避免一维探头带来的方向依赖。量程覆盖nT到20 T，精度高达读数的±1%.便携式磁场强度质量检测仪THM1176功能THM1176目前世界上wei一一款三维霍尔磁场强度检测仪，用于医用核磁共振磁场强度检测及其它磁场测量应用。标准《医用磁共振成像系统（MRI）检测规范JJF（京）30-2002》《WS/T263-2006医用磁共振成像（MRI）设备影像质量检测与评价规范》优势便携设计：掌上电脑+三维霍尔探头，方便现场测量。三维磁场测量：同时完成x，y，z三个维向及总参量测量，避免一维探头带来的方向依赖。量程覆盖nT到20 T，精度高达读数的±1%.功能THM1176目前世界上wei一一款三维霍尔磁场强度检测仪，用于医用核磁共振磁场强度检测及其它磁场测量应用。标准《医用磁共振成像系统（MRI）检测规范JJF（京）30-2002》《WS/T263-2006医用磁共振成像（MRI）设备影像质量检测与评价规范》便携设计：掌上电脑+三维霍尔探头，方便现场测量。三维磁场测量：同时完成x，y，z三个维向及总参量测量，避免一维探头带来的方向依赖。量程覆盖nT到20 T，精度高达读数的±1%.