微波等离子体原射仪

绿色、环保、低成本、空气运行的元素分析技术 安捷伦4100 MP-AES拥有更安全、更经济、更高效的运行速度。更高的灵敏度、更低的检测限（亚ppb级）、全面超越火焰原子吸收光谱仪的分析效率。最具创新的是：安捷伦4100 MP-AES 采用了空气运行，无需再使用易燃及昂贵的气体，极大地降低了运行成本，提升了实验室的安全保障。产品特点最低的运行成本：安捷伦 4100 MP-AES 无需使用易燃、昂贵的气体，可实现无人值守操作，大大降低了运行成本高性能：电磁耦合微波等离子体光源相比原子吸收的火焰原子化器， 提供了更加优异的集体耐受力和适应力，以及更加出色的检测限简洁实用：专业的应用软件程序设计，即插即用的硬件设置，确保任何用户都能够快速安装操作，无需复杂的方法开发、校准或培训更高的实验室安全：除了无需使用易燃的氧化性气体外，4100 MP-AES使实验室无需引入多种复杂气体，无需人工搬运气体钢瓶可靠、耐用： 4100 MP-AES 运行稳定，适应性强。适用于危险气体采购价格昂贵、运输不便的边远地区，是采矿、食品及农业、化工、石化和制造等行业的理想选择

珀金埃尔默全新Avio 500 ICP-OES：专为高通量检测实验室打造的多元素无机分析设备，完美应对复杂的环境、化学和工业样品 作为原子光谱领域的领导者和创新者，珀金埃尔默公司于2017年7月6日发布全新Avio 500电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）。这款ICP-OES是专为高通量检测实验室打造的多元素无机分析设备，可以应对各个领域的多种类型样品。 作为一款真正的同步检测ICP-OES，Avio 500具备同步背景校正功能，可提供更高的样品通量和数据可靠性；超群的基体耐受性；以及业内最低的氩气消耗量。无论待测元素的种类和浓度范围再宽，Avio 500都可以有效应对，使用户的检测工作符合行业规范。Avio 500的可兼容多个应用领域，包括环境、石化（尤其是润滑油服役情况分析）、地矿、食品、制药、制造业（包括电池制造）等。 以下关键功能使得Avio 500具备卓越的性能：为提升样品通量而设计的同步数据采集功能、为节约使用成本设计的业内最低的氩气消耗量、为缩短样品前处理流程设计的超宽线性范围。无论样品多么复杂，这些功能都可确保检测数据的准确性。 带有快速拆装炬管座的垂直炬焰设计：带来强悍基体耐受性，有效缩短样品预处理时间；平板等离子体™ 技术：仅消耗同类产品一半的氩气就可以生成稳定的等离子体炬，无论样品基体多么复杂；双向观测技术：可同时对等离子体进行全波长轴向和径向观测，高低含量元素一次进样同时分析；全谱全读技术：对全波长进行同步数据采集，无需重复进样就可以获得全部光谱数据；空气刀（PlasmaShear™ ）技术：无需氩气，即可消除等离子体冷尾焰产生的基体干扰，而且完全无需维护；全彩等离子体观测（PlasmaCam™ ）技术：提供全彩色的等离子体实时影像，简化方法开发工作，并使远程诊断成为可能。 此外，Avio 500配备跨平台的Syngistix™ 操作软件，AA、ICP、ICP-MS操作无缝对接。更多有关Avio 500的信息请请访问PerkinElmer官方网站。

产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

微波等离子体去胶机VP-Q10等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积10升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

PVA-TePla微波等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，去胶均匀。典型应用：去除光刻胶 Photo-resist stripping 去除残胶 Wafer descum晶圆和衬底的清洁 Wafer and substrate cleaningsu-8灰化 Su-8 ashing氮化硅、聚酰亚胺等的刻蚀 Etching of silicon nitride, pi, etc.刻蚀钝化层 Etching of passivation layers逆向分析/失效分析中的器件开封 Device decapsulation for failure analysis微量分析中低温材料灰化 low temperature ashing of materials for chemical trace analysis过滤器和薄膜的清洁 Cleaning of filters and membranes规格参数：2.45GHz风冷微波电源（0～600w可调），石英或陶瓷腔体，防腐蚀不锈钢MFC,多至6路气体，兼容8英寸及以下晶圆PC 工控机控制，运行数据自动存储；分级控制权限，防止操作图形化触控屏界面，运行状态图形化实时显示。自动/手动随意切换可选配法拉第桶可选配温控系统可选配压力控制系统外形尺寸：775×749×781 mm 认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001IoN Wave 10 等离子体去胶机是PVA TePla 在微波等离子体处理工艺中的新产品。该批次式晶圆灰化设备成本低廉、尺寸适用、性能先进。IoN Wave 10 使用新的、性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制。其工艺监测和数据采集软件可实现最严格的质量控制。IoN Wave 10 占地面积小，安装维护简单。依靠微波等离子体技术，该设备在提供极高的光刻胶灰化速度的同时，降低了产品暴露在静电中风险。

产品应用适用于新材料（包括薄膜，纤维，粉末以及高性能复合材料等）的制备，金属制品的表面强化和防腐蚀，纺织品的后整理，高聚物聚合及其表面改性，微电子器件及高功率电子器件和光电子器件的制造，纳米材料的制备和器件的开发，高效照明光源和紫外光源的开发，有毒有害气体的分解净化及其它三废处理等多个工业技术领域。产品特点1、采用卧式高温管道式腔体结构，气路为左进右出，中间设置等离子观察口2、左侧设置2路混气气氛结构3、设置防漏波监视口，等离子激发状态，观察内部等离子体反应情况4、采用PLC程序控制模式，具有更智能的工艺控制模式。技术参数产品类型微波等离子体炉型号 / 品名MKP-T2HA 微波等离子体炉微波参数功率0～1600W / 2450MHz 无级可调微波腔体材质 / 密封不锈钢一体焊接成型，真空密封，极限真空-0.099MPa等离子腔体反应器卧式石英管结构，微波等离子产生区（40×400mm）观察口单观察口气流控制系统全密封，采用真空结构，进出气口，2路气氛操控系统温控～1700℃红外测温控制PLC智能控制，彩色触摸屏人机对话操作数据支持预制多个方案，多段记忆，数据导出；时间、温度曲线显示，即时监控安装尺寸宽*深*高1500×800×800mm，台式放置

产品应用适用于新材料（包括薄膜，纤维，粉末以及高性能复合材料等）的制备，金属制品的表面强化和防腐蚀，纺织品的后整理，高聚物聚合及其表面改性，微电子器件及高功率电子器件和光电子器件的制造，纳米材料的制备和器件的开发，高效照明光源和紫外光源的开发，有毒有害气体的分解净化及其它三废处理等多个工业技术领域。产品特点1、采用井式高温管道式腔体结构，密封盖体可以自动升降，取放物料更方便2、密封盖体上设置4路气氛结构，2路喷雾接口，设置旋转电机，驱动内置托架和物料3、设置防漏波监视口，（1）平常状态下LED灯观察内部物料情况（2）等离子激发状态，观察内部等离子体反应情况4、采用PLC程序控制模式，具有更智能的工艺控制模式。技术参数产品类型微波等离子体炉型号 / 品名MKP-T4UA 微波等离子体炉微波参数功率0～3200W / 2450MHz 无级可调微波腔体材质 / 密封不锈钢一体焊接成型，真空密封，极限真空-0.099MPa等离子腔体反应器卧式石英管结构，微波等离子产生区（Φ300×400mm）观察口单观察口气流控制系统全密封，采用真空结构，进出气口，6路气氛操控系统温控～1700℃红外测温控制PLC智能控制，彩色触摸屏人机对话操作数据支持预制多个方案，多段记忆，数据导出；时间、温度曲线显示，即时监控安装尺寸宽*深*高1200×1000×1900mm，落地放置

沃特塞恩DM-8000型微波等离子体CVD设备可提供最大70mm金刚石生产能力，实现高效率、无人化管理的稳定批量产出。 超洁净级的真空系统 全进口的集成化供气系统 样品台冷却系统采用Duel-Loop控制 自动化的工艺生长控制系统 在线视觉检测功能DM-8000型微波等离子体CVD设备-专业的培育钻石设备，工艺简单易学，生长迅速，提供技术支持。人造钻石就是这么简单。需要更详细的参数请联系沃特塞恩销售人员，我们会给你发送详细的规格书，也可为你解答各种疑问！

系统配置：■安捷伦4100MP-AES微波等离子体原子发射光谱仪■必须的组件（管道、线路）这台仪器状况良好，已经在SpectraLabScientific进行了测试。所有套件和组件均包含90天保修。仪器实物图：仪器简介：◇最低的运行成本——安捷伦4100MP-AES无需使用易燃、昂贵的气体，可实现无人值守操作，大大降低了运行成本◇高性能——电磁耦合微波等离子体光源相比原子吸收的火焰原子化器，提供了更加优异的集体耐受力和适应力，以及更加出色的检测限

法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150 SSDR150 微波等离子体化学气相沉积系统专门用于合成 CVD 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学级窗口。SSDR150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够完美地适用于高校科研和企业生产。 SSDR150 系统特点。 铝合金腔体+内置石英管反应室，支持长时间高功率下工作。工艺气压可达 350 mbar 或更高，可以高速率生长单晶。微波源为 2.45GHz、最大功率 6 kW，高耦合效率。标准配置 4 条气路，最多可增加至 7 条气路（掺杂气路）。2 英寸水冷样品台，高度电动可调、精度优于 10μm (可选)。双色红外高温计测试样品表面温度，范围 475-1475 °C。爱德华兹分子泵+ 干泵，最佳真空度≤ 3×10-7 mbar。高水平金刚石生长工艺培训及演示（内容根据应用而定）。全自动控制、半自动和手动可用，图形化操作界面（GUI）。多级用户设置和管理、远程诊断和维护、数据导出接口。多用途：高纯度单晶、厚单晶、大单晶、掺杂、光学窗口。设备维护少、安全、可靠、稳定、性价比高 应用领域。切削刀具、耐磨涂层、热沉材料、SAW。光学窗口、激光晶体、电化学电极、CNT。生物传感器、微机电系统、光电探测器。商用宝石、低压高温退火处理、量子计算 SSDR150 性能表现多晶金刚石:• 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• 生长速率: 高达 10 μm/h, 取决于生长工艺 单晶金刚石: • 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• EPR 测试氮浓度 : [Ns0] 1 ppb• 1332 cm-1 FWHM 金刚石拉曼谱线: 1.6 cm-1• 4000 – 10000 cm-1无红外波段吸收• 生长速率: 高达 20 μm/h, 取决于生长工艺条件

设备介绍：微波等离子清洗机的机理，主要是依靠等离子体中活性粒子的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。就反应机理来看，等离子体清洗通常包括以下过程：无机气体被激发为等离子态；气相物质被吸附在固体表面；被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；产物分子解析形成气相；反应残余物脱离表面。设备特点：微波等离子清洗机技术的最大特点是不分处理对象的基材类型，均可进行处理，对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。微波等离子清洗机还具有以下几个特点：容易采用数控技术，自动化程度高；具有高精度的控制装置，时间控制的精度很高；正确的等离子体清洗不会在表面产生损伤层，表面质量得到保证；由于是在真空中进行，不污染环境，保证清洗表面不被二次污染设备应用：微波等离子清洗系统广泛应用于晶圆、玻璃基板、陶瓷基板、IC载板、引线框架、IGBT模块、带治具的MEMS传感器、射频器件等领域的表面处理

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8/12英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

产品特点 WB240等离子清洗机/去胶机采用专利高密度微波等离子技术，用于半导体生产中晶圆的清洁、去胶和等离子体预处理，微波等离子体清洗具有高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。 　微波等离子清洗机主要用途：等离子体表面改性有机物表面等离子去胶邦定强度增强等离子体刻蚀应用等离子体灰化应用增强或减弱浸润性其它等离子体系统应用 技术参数◆ 外形尺寸(不包括报警灯) 1000(W)×800(D)×1750(H)mm◆ 仓体结构 石英，约20升 ◆ 等离子发生器(德国) 频率2.45GHZ,功率0-1000W连续调节,可连续长时间工作◆ 控制系统 触摸电脑+PLC全自动控制,采用欧姆龙、西门子等世界著名品牌电器元件，性能稳定可靠,并具有手动、自动两种模式◆ 真空系统(真空压力PID闭环自动控制) 英国爱德华斡旋式干泵 美国MKS真空压力控制节流阀及薄膜式传感器 台湾气动真空角阀、充气阀、不锈钢真空波纹管◆ 充气系统 美国MKS高精度电子质量流量计(3路气体配制) 美国世伟洛克气体管路及接口组件，德国双级减压阀 日本SMC及CKD高真空气阀组件 相关应用-晶圆光刻胶清洗

微波等离子清洗去胶机用于半导体生产中晶圆的清洁和等离子体预处理，微波等离子高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。微波等离子清洗机实现清洁、活化去胶、刻蚀功效台式微波等离子去胶机采用高密度2.45GHZ微波等离子技术，用于集成电路、半导体生产中晶圆的清洁去胶、硅片去除污染物和氧化物、提高粘接率，微波等离子体清洗、去胶机能够对微孔、狭缝等细小的空间进行处理，具有高度活性、效率高，且不会对电子装置产生离子损害。 通过工艺验证，微波等离子清洗机降低了接触角度，提高了引线键合强度。台式微波等离子清洗机的相关应用 等离子清洗机器的应用包括预处理、灰化/光致抗蚀剂/聚合物剥离、芯片碰撞、静电消除、介质蚀刻、有机污染去除、芯片减压等。使用等离子清洗机不仅能去除光致抗蚀剂和其他有机物质，而且可以活化和增厚芯片表面，提高芯片表面的润湿性，使芯片表面更有粘合力。微波等离子清洗机在半导体封装工艺中的应用：1. 防止包封分层2. 提高焊线质量3. 增加键合强度4. 提高可靠性，尤其是多接口的高级封装为何选择我们？专注研发、制造、生产各种规格等离子清洗机20多年，合作企业涵盖半导体、电子、光电、纺织、塑胶、汽车、塑胶、生物、医疗、印刷、家电、日用品及环保等众多行业，服务过300+优质客户免费咨询讲解、免费样品测试处理、免费上门培训安装调试可根据不同的客户需求提供一对一定制化设备解决方案，欢迎来厂考察

产品特点 WB4545采用高密度微波等离子技术，用于半导体生产中晶圆的清洁和等离子体预处理，微波等离子高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。等离子体表面改性有机物表面等离子体清洁邦定强度增强 等离子体刻蚀应用等离子体灰化应用增强或减弱浸润性去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用焊接前进行表面清洁、去除焊剂、引线键合之前的表面准备消除表面污染、表面消毒相关应用防止包封分层提高焊线质量增加键合强度光刻胶剥离或灰化清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高可靠性，尤其是多接口的高级封装产生亲水或疏水表面产品优势：先进微波技术 ，清洗干净彻底，无残留成份，无需干燥处理无电极等离子发生器和高密度自由基使料盒内部清洗处理达到高度一致性定制等离子反应器气体输入和泵速的控制离子密度高，一致性好在线兼容优化加工条件 低运营成本无废水，符合环保要求低能耗 技术参数 ◆ 外形尺寸(不包括报警灯) 1000(W)×800(D)×1750(H)mm ◆ 仓体结构(铝，约125升) 450(W)×450(D)×450(H)mm ◆ 旋转平台 Φ 350mm ，转速可调节◆ 等离子发生器(美国) 频率2.45GHZ,功率0-1200W连续调节,可连续长时间工作◆ 控制系统 触摸电脑+PLC全自动控制,采用欧姆龙、西门子等世界著名品牌电器元件，性能稳定可靠,并具有手动、自动两种模式 ◆ 真空系统(真空压力PID闭环自动控制) 英国爱德华爪式干泵 GV100 美国MKS真空压力控制节流阀及薄膜式传感器 台湾气动真空角阀、充气阀、DN63不锈钢真空波纹管◆ 充气系统 美国MKS高精度电子质量流量计(2路气体配制) 美国世伟洛克气体管路及接口组件，德国双级减压阀 日本SMC及CKD高真空气阀组件

WB5050是使用微波等离子体发生器的远程冷等离子体刻蚀系统。手动设备适合于许多不同的应用，例如应力去除、特殊表面合理和晶圆减薄。该等离子系统的干法刻蚀作用是由下游腔室引导的活性等离子微粒（自由基）产生的纯化学反应。　WB5050微波等离子刻蚀机操作简便，易于手工装载和卸载。该工艺不需要任何额外的基体清洗。严格使用纯自由基进行表面处理。无电子和无离子工艺是成功处理NAND和DRAM等极端敏感的硅基体的关键因素。等离子体由位于工艺腔室顶部，距晶圆上方2.45 GHz的磁控管产生，可以处理所有尺寸的晶圆，包括8"和12" 的带框架的晶圆。　 该等离子刻蚀设备适用于工艺开发和中试生产产品特点： 极低的基板热负荷，专为SU-8灰化及硅蚀刻进行了优化（如MEMS应用） 可蚀刻或移除所有有机物质如SU-8，或其他环氧基物质 速度快 无有机残留物 纯化学蚀刻：无离子损伤，各向同性 无热冲击：仅依靠反应能量进行。对金属无损伤，如镍, 镍/铁, 金, 铜等 对硅及硅化合物仅有极轻微损伤，如SiO2 或 Si3N4 可进行高度比极大的蚀刻 可剥离超厚光刻胶层（大于1mm） 能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻 温度控制高达200℃ 基板尺寸可达 460mm x 460mm 高蚀刻速率 在超大面积上超过200um/h(批量9x6”晶圆) 并与厚度无关 硬烘烤条件(HB)下蚀刻率与穿透性无关； 非HB及200℃ HB的蚀刻率差别小于10% 高度自动化，对每块基板可实现结束点检测 高度符合环保要求 相关应用- MEMS- 半导体晶圆刻蚀

微波等离子去胶机VP-RS20真空腔体不锈钢材质，腔体容积20升，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到去胶、清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体刻蚀、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA等离子体去胶处理。

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的 作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的 相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas 公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转 化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积 质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制 备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1.CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团，因此为高速 生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节 和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技 术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体团集中在腔体中，远离石英管，所以对石英管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

ICP电感耦合等离子体原子发射光谱仪过程主要分三步，即激发、分光和检测。第一步：激发光源使试样蒸发汽化，离解或分解为原子状态，原子也可能进一步电离成离子状态。原子及离子在光源中激发发光；第二步：利用分光器把光源发射的光色散为按波长排列的光谱；第三步：利用光电器件检测光谱，按所测得的光谱波长对试样进行定性分析，或按发射光强度进行定量分析。1、软件操作系统的特点1.1全中文操作界面，具有绘图功能，简便易用 1.2计算机控制自动寻峰,自动扫描,自动衰减1.3单一及复杂的元素间干扰校正1.4自动背景校正和背景扣除1.5谱线库储存有24000多条分析谱线，可自行添加1.6开机自动诊断调试1.7二次回归和高斯曲线计算含量的测量方式 应用：1、可检测物体分类包括：金属(钢铁,有色金属)、化学、药品、石油、树脂、陶瓷等；生物、医药、食品等环境(自来水,环境水,土壤,大气粉尘)等2、检测范围ICP原子发射光谱仪是一种可以测定试样中的金属元素和部非金属元素的大型分析仪器，可以对试样进行定性、半定量和定量分析。它的测量范围可从微量到常量3、光谱仪可检测元素检出限公司经营产品覆盖电感耦合等离子体发光光谱分析（ICP）、X射线荧光光谱仪（XRF）、离子色谱仪（IC）、高效液相色谱仪（HPLC）、气相色谱仪（GC）、原子吸收光谱仪（AAS）、微波消解仪、纯水机等仪器及其配件。公司秉承“立诚信之本，方品质之规，体科学之道"的企业精神，以“诚信为本，品质至上，客户第一"的经营理念，以专业、全面的技术支持和快捷的售后服务为后盾。公司服务客户群体遍布制药、环保、食品、政府、高校、化工、第三方检测等领域。公司提供优质的产品和服务，得到广大客户的高度认可。公司将与客户一起携手并进，互惠互利、共同发展。

PECVD沉积技术NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：独立型立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

THA2700氦等离子体发射光谱分析模块仪器功能 THA2700氦等离子体发射光谱分析模块可以安装于气相色谱分析仪，作为色谱分析的检测器，用于定量分析各种气体成分浓度。由于分析模块具有很高的灵敏度，因此适合不同浓度范围的分析，尤其适合微量或痕量气体分析，并使得色谱分析更加简便，分析结果更加准确。工作原理氦等离子体发射光谱分析模块采用高频高压电源电离气体，产生正电荷离子和自由电子，形成等离子体环境。正电荷离子、自由电子在电场的作用下分别加速移向负极、正极。由于碰撞，离子和电子将自身能量传递给原子，使得气态原子被激发。原子被激发后，其外层电子发生能级跃迁，在返回基态时发射特征光谱。通过对特征光谱的检测，分析出各种气体成分的浓度。技术参数 工作环境温度: (5～40)℃；输出信号：-2.5V～+2.5V；24V直流电源：≥10W，纹波电流≤120mVp-p；气路接口：1/16英寸；流量范围：10mL/min～100mL/min；常规流量：20mL/min。技术指标分析成分：H2,O2,N2,CH4,CO,CO2,H2S,N2O,CNHM等；载气：高纯氦气；检出限：≤10×10-9；含尘量：≤0.1um；重量：约1.5kg；主体尺寸：约170*111*90mm。技术优势u 原子发射光谱，灵敏度高，准确度高。u 高频高压电离源，稳定性好，无辐射、放射性问题。u 无消耗性部件，仪器使用寿命长。典型工程应用领域u 空分氦气分析u 高纯气体分析u 科学实验室气相色谱u 工业在线气相色谱

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统主要用途：★该系统既可用作传统的化学气相沉积设备，又可用作微波能化学气相沉积设备，同时又是微波等离子化学气相沉积设备★主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域★该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能，微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰［3］、纳米粉体合成、处理水污染等领域 产品特点：★垂直反应器的设计可使等离子高密度；对称的微波发生器装置，使产生的等离子环境更均匀★谐振腔内没有内部电极，可以避免电极放电所产生的污染，而且，它的运行气压范围比较宽，所产生等离子体密度高、区域大，稳定性高，且不与真空器接触，从而避免了器壁对薄膜的污染★操作便捷：气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构，使取放物料过程简化，只需一支卡箍便可完成气路连接，方便操作，取消了复杂的法兰安装过程，减少了安装造成的损坏★多功能：4种加热方式可选可变：微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热；适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理★双温区结构：上部等离子区或加热区下部样品台加热区★独家开发的微波场专用传感器，精准控温★安全：独家采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计，多重防泄漏保护*标配装有专业微波抑制器*内置微波泄漏传感器★节能：使用寿命长：磁控管微波加热，避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题，也避免了因加热元件损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源，确保设备能够连续稳定长时间运行★嵌入式微机一体化温度控制系统；实现稳定性控温★无须烘炉过程：炉腔整体自身发热，加热均匀★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度★配有万向轮调节底脚，方便移动和固定 技术参数：型号/modelWBDQC-4可加热材料非易燃易爆的任何材料微波频率2.45GHZ±50MHz加热方式等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热最大功率/ KW(连续、可调)4样品腔长度标配100mm可根据用户需求订制加热样品腔(材质)石英管（微波等离子工作模式）石英管&刚玉管（其它加热方式）控温范围/℃1100℃石英样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选；1500℃刚玉样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm 可选；温度测试元件微波场专用传感器温度分辨率/℃0.1样品台最高温度范围室温-1200℃、更高温度可选配控温精度/℃ 1200℃以下±1；1200℃以上±2℃温度偏差/℃温度稳定波动度/℃冷却方式风冷恒温区长度/mm标配100mm可根据用户需求订制升温速率(标配)0～200℃/min（微波等离子工作模式除外）任意设定，可编程、分段加热温度控制方式10段可设工艺参数，7寸触摸屏操作，带数据存储功能；提供手动、自动、恒温控制模式，曲线实时显示控制气体控制气体：H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选流量控制标配 2 套质量流量控制器：七星华创（真空保护阀门后置，匹配真空模式）；精度：0.8%最大耐压1MPa；控制响应时间：10ms真空系统真空泵RVP2008；压力范围：10 -3 Torr~760 Torr最大抽速：8.5m 3 /h真空计数显真空计：1atm-10 -1 Pa标配质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件，可以内置实时显示和保存生长参数气路其他配置气柜、气路及阀门等端口不锈钢 KF50 法兰接口电源电压（V）220微波泄漏量/ mW/㎝2≤0.4外型尺寸（长′宽′高）/mm1100×750×1900 选配功能：质量流量控制系统；美国Alicat质量流量&控制器

ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪产品介绍： ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪是公司经多年技术积累而开发的电感耦合等离子体发射光谱仪，用于测定各种物质（可溶解于盐酸、硝酸、氢氟酸等）中的微量、痕量金属元素或非金属元素的含量，自动化程度高、操作简便、稳定可靠。 ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪广泛应用于稀土、地质、冶金、化工、环保、临床医药、石油制品、半导体、食品、生物样品、刑事科学、农业研究等各个领域。工作环境：内容 适应范围贮存运输温度 15℃-25℃贮存运输相对湿度 ≤70％大气压 86-106 kPa电源适应能力 220±10v 50-60MHz工作湿度 ≤70％工作温度 15℃-30℃ 技术指标：固态电源技术指标电路类型：电感反馈式自激振荡电路，同轴电缆输出，匹配调谐，功率反馈闭环自动控制工作频率：27.12MHz±0.05%频率稳定性：＜0.1%输出功率：800W—1200W输出功率稳定性：＜0.3%电磁场泄漏辐射强度：距机箱30cm处电场强度E：＜2V/m 进样系统技术指标输出工作线圈内径25mm矩管，三同心型，外径20mm的石英矩管同轴型喷雾器外径6mm双筒形雾室外径34mm 氩气流量计规格和载气压力表规格1.等离子气流量计（100-1000）L/h (1.6-16L/min)2.辅助气流量计（10-100）L/h (0.16-1.66L/min)3.载气流量计（10-100）L/h (0.16-1.66L/min)4.载气稳压阀（0-0.4MPa）5.冷却循环水：水温20-25℃ 流量5L/min 水压0.1MPa 单色器技术指标光路：Czerny-Turner焦距：1000mm光栅规格：离子刻蚀全息光栅，刻线密度3600线/mm(可选用刻线密度2400线/mm)线色散率倒数：0.26nm/mm分辨率：≤0.007nm(3600刻线）. ≤0.015nm(2400刻线）扫描波长范围：3600线/mm扫描波长范围：190—500nm 2400线/mm扫描波长范围：190—800nm步进电机驱动最小步距:0.0006 nm出射狭缝：12μm入射狭缝：10μm 光电转换器技术指标光电倍增管规格：R293或R298光电倍增管负高压：0-1000V稳定性＜0.05% 整机技术指标：扫描波长范围：195nm～500nm（3600L/mm光栅）195nm～800nm（2400L/mm 光栅）重复性：（即短期稳定度）相对标准偏差RSD≤1.5％稳定性：相对标准偏差RSD≤2％

德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas Mpcvd 915MHz 系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-6" 2.45GHz系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独 家 专 利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。