辨二次离子质谱仪

Phoenix热电离质谱仪是为以更高灵敏度和精确度检测非气态元素同位素比值而设计。高灵敏度取决于对离子透镜系统和电离灯丝区域高真空组合的精心设计。高精确度取决于高灵敏度，低噪音值，稳定的检测器系统；这些精湛的设计可以检测出纳安培级（nA, 1x10-9 A）的极微弱的离子流，甚至可检测出单离子（1.6x10-19 A）。Phoenix是极限检测能力的杰出代表之一。设计特点：-ATONA新型专利放大器动态范围达100V（专利号GB2552233）-所有商用TIMS中，Phoenix具有更大的电 磁体半径 ，确保其有更佳的离子传送、质量分辨率和稳定性-以兼具正、负子检测能力为标准-高度稳定的高电压和磁场控制可以使质量漂移值20ppm /大于40 分钟-可旋转焦平面使焦平面时刻与离子运动轨迹相垂直，确保了更佳的峰值，而无需考虑离子束倾斜进入接收器产生的二次离子影响-Phoenix X62可同步检测UO2+-具有10年质保无需更换的超长寿命法拉第杯-所有商用TIMS中，Phoenix 具有更强能力的真空泵，能以更快速度制备极端真空环境，提高仪器生产力。 -样品室采用了优质不锈钢设计并预留了一系列端口为样品预热，冷阱，进氧等。-能装载20个样品的样品盘可旋转与离子运行轨迹正交确保了样品间交叉污染可能性为零-带视窗的铰链门上可安装高温计-装配了所有上用TIMS中能力更大的离子真空泵，确保了更佳的极端真空和更佳的丰度灵敏度-更高级别的灵敏度取决于更大的离子提取缝隙和更佳聚焦系统-Daly检测器具有更大的动态离子检测范围-可选次级电子倍增器SEM-可选多接收离子计数器使用了转换倍增技术-可选安装在轴线上的迟滞过滤系统（WARP）能显著提升丰度灵敏度，安装WARP后Daly或SEM可检测出＜1x10-8 237U wrt 238U-除Daly检测器和SEM检测器外，其他所有检测器均为独立的并可单独驱动。可以提供更加灵活的配置。-功能强大和操作灵活的软件系统保证数据重现性-完善的在线工作能力允许远程控制仪器操作应用领域：地球科学：同位素地球化学、同位素年代学核科学：超低丰度同位素杂质的分析、燃耗及核燃料纯度分析、U、Li等同位素标准参考物质的研制行星科学：行星年代学及化学演化过程研究

飞行时间二次离子质谱（TOF- SIMS）是一种表面敏感的技术，提供表面分子，元素及其同位素前几个原子层的组成图像。所有元素和同位素，包括氢气都可以用飞行时间二次离子质谱分析。在理论上，该仪器可以在一个无限大的质量范围内提供很高的质量分辨率（在实践中通常是大约 10000amu）。PHI TRIFT V nano飞行时间质谱仪（三次对焦飞行时间）是一种高传输、并行检测仪器，其目的是由主脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子可以得到zui佳的收集状态，并可同时用于有机和无机表面特征分析。TRIFT分析仪的工作原理会把离子在光谱仪中不断的重新聚焦。使二次离子质谱允许更多重大的实验得以进行。主离子束zui先进的设计，允许经由计算机控制去同时达到高横向分辨率的成像和高质量的图谱分辨率。PHI TRIFT V nanoTOF是第五代SIMS仪器，该仪器具有独特的专利时间飞行（TOF）分析仪，它拥有市场上TOF-SIMS仪器中zui大的角度和能量接受标准，实现了高空间分辨率质量分辨率和使用具有优良离子传输能力的三重重点半球形静电分析器。PHI TRIFT V nanoTOF还具有很高的能力，可以图像具有非常复杂的几何形状的样本而没有阴影。

PHI nanoTOF3+ 特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度 飞行时间二次离子质谱仪新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子设备先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合强度高离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子设备获得证书的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子设备 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子设备FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子具设备备 FIB功能， 可以使用单个离子设备对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额