束蒸发系统

实验室型薄膜蒸发系统及分子蒸馏系统优莱博薄膜蒸发系统及分子蒸馏系统是针对于常规蒸馏效果不佳的分离浓缩应用特别设计推出的。因其成膜蒸发，高真空度 ，连续操作等特点，特别适用于热敏性物料，易起泡物料，高粘度物料等的蒸馏和浓缩操作。 工作原理薄膜蒸发在被加热的蒸发器圆筒形内表面，一个旋转的刮膜系统将原料刮成均匀的薄膜。刮膜系统能够使液膜形成良好的湍流效果，优化传热和传质过程，从而能大大地提高蒸发效率。 原料中的低沸点组分在短时间内从液膜中蒸发出来。 物料在蒸发器内的停留时间非常短。蒸发出轻组分气体在外置冷凝器中冷凝。重相的浓缩物由蒸发器底部持续排出。在薄膜蒸发器中，能够处理高粘度的物料以及易于结晶的物料。薄膜蒸发器内操作压力可以低至 1mbar。薄膜蒸发的优点 连续的蒸馏过程 物料停留时间短 高蒸发率 由于操作压力低，因而所需的加 热温度低 可以处理高沸点、高粘度物料 薄膜蒸发器可以连接带有一定理论塔板数的精馏柱 蒸发器内壁不易结垢短程蒸馏 短程蒸发器是将薄膜蒸发器和冷凝器集成在一体的设备。轻组分的蒸汽在短程蒸发器内置冷凝器上冷凝。 蒸发面和冷凝面之间的路径非常短，因此，气相的压力降非常低。短程蒸馏的优点 连续的蒸馏过程 高湍流、高蒸发率：被刮成的膜始终保持高湍流的状态，增加了质量和热量的传递 停留时间短：降低了产品的热应力 一步蒸馏：无需循环 在蒸发器内壁上形成很薄的液膜：无静液面高度的影响 无产品结焦：在加热的蒸发器上由于薄膜的高湍流，使产品不会滞留在蒸发器表面 可进行高粘度产品的蒸馏：提供te殊设计的刮膜系统 操作压力低：ji低的操作压力可降低物质的沸点，zui低可达 0.001mbar（0.1Pa） 装置设计非常紧凑不同蒸馏方法的对比表不同蒸馏方法的对普通蒸馏薄膜蒸发短程 / 分子蒸馏物料被加热的时间非常长 ( 按小时计 )非常短 ( 数十秒 )非常短 ( 数十秒 )真空度一般 ( 几个到几十 mbar)很高 (1mbar)非常高 (0.001mbar)所需要的蒸发温度高比较低非常低热敏性物料的分离不适宜适宜非常适宜对于易于起泡的物料分离不适宜非常适宜适宜是否能够连续化蒸馏不能能能高粘度样品的浓缩或分离不适宜非常适宜适宜溶剂脱除效率一般非常好 ( 外冷凝器面积不受限制）好 TF40 薄膜蒸发或 MD52 分子蒸馏系统蒸馏主体（2 选 1）TF40 薄膜蒸发器主体zui高耐温 350℃，刮膜转速 100-500rpm，蒸发面积 0.04 ㎡，蒸发能力 0.1-1.5L/h，冷凝面积 0.2 ㎡，zui大物料粘度 1000cp，接触物料材质为 3.3 高硼硅玻璃 &1.4571（316Ti）不锈钢MD52 分子蒸馏仪主体zui高耐温 350℃，刮膜转速 60-500rpm，蒸发面积 0.052 ㎡，蒸发能力 0.1-2L/h，冷凝面积 0.08 ㎡（分子蒸馏蒸气压低，效率高，无须太大冷凝面积），zui大物料粘度 5000cp，接触物料材质为 3.3 高硼硅玻璃 &1.4571（316Ti）不锈钢蒸发器加热模块（4 选 1）ITHERM-B1 循环水浴zui高温度 100℃，加热功率 1.5KW，稳定性 ±0.05℃DD-BC4 循环油浴zui高温度 200℃，加热功率 2KW，稳定性 ±0.01℃MS-BC4 循环油浴zui高温度 300℃，加热功率 2KW，稳定性 ±0.01℃MX-BC4 循环油浴zui高温度 300℃，加热功率 3KW，稳定性 ±0.01℃冷凝器冷却模块（2 选 1）CS3 冷却循环器-20 到 100℃，制冷功率 300W，带加热，流量 10L/minFL300 冷却循环器-20 到 40℃，制冷功率 300W，噪音更低，流量 15L/min真空模块（3 选 1）SXD.4 防腐蚀隔膜泵 + 真空计 + 真空调节阀系统zui低真空度可到 20mbar耐腐蚀，低噪音冷肼模块 +R-8D 旋片真空泵 + 真空计 + 真空调节阀系统zui低真空度可到 0.05mbar冷肼模块 +R-8D 旋片真空泵 + 油扩散泵 + 真空计 + 真空调节阀系统zui低真空度可到 0.001mbar进料模块（2 选 1）500ml 进料器，针型阀控制流量针型阀S型回路结构在确保连续蒸馏情况下的系统真空同时，可以实现随时加料1000ml 进料罐 + 高精密齿轮泵 + 单向进料阀连续进料套件-出料模块（2 选 1）三分出料器 +250ml 收集瓶 2 个 +4000ml 收集瓶 1 个在不放散真空的条件下可收集两个条件的清晰馏份重组分及轻组分高精密齿轮泵连续出料套件出料速度连续可调，出料精度 0.1Hz 的 产品应用领域油脂及食品 从食用油和鱼油中分离游离脂肪酸 从食用油和鱼油中脱除杀虫剂 甾醇的精制 浓缩单甘酯 浓缩鱼油酯中的 EPA 和 DHA 浓缩生育酚 浓缩胡萝卜素 干燥卵磷脂 从羊毛脂中脱除杀虫剂 羊毛脂颜色改进石化产品 从原油的减压渣油中分离微晶蜡 精制人工合成的以及石化产品的蜡 煤化工 费托合成蜡不同牌号蜡的切割聚合物 纯化和浓缩聚合物的单体 纯化和浓缩聚合物 脱除聚合物中的溶剂和单体化学、农化、医药产品 1, 4 丁二醇（BDO）精制 聚四氢呋喃醚（PTMEG）精制 多聚甲醛的精制 乳酸的纯化与精制 己内酰胺的提纯与蒸馏 浓缩和提纯二聚脂肪酸 从有机硅和有机硅树脂中脱除挥发组分 浓缩杀虫剂、除菌剂、除草剂 浓缩和提纯甘油 分馏和脱除天然蜡中的低沸点组分 异氰酸酯预聚体中游离的脱除（如 HDI,MDI） 脱除溶剂 除臭和去除农药残留 羊毛脂颜色改进 丙烯酸及丙烯酸酯的精制 医药中间体的蒸馏与精制 中药提取物有效成分的提纯 da麻二酚 (CBD) 的提纯香精和香料 提纯烟草提取物 烟用精油的提纯 脱除萜烯和浓缩精油 纯化香精香料中的芳香物质 浓缩柠檬香料 浓缩胡椒和辣椒提取物回收再循环 回收与精制废润滑油、刹车油、甘油和变压器油 回收和处理制药过程母液 回收有机中间体

仪器简介：全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；电子束蒸发系统：1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System5.离子电镀系统Ion Plating System6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System技术参数：1.电子束源&电源 单个或者可自由切换换电子束源： --蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6) --坩埚容量：7 ~ 40 cc (最大可达200 cc) --标准：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) --最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积 --偏转角度：180o, 270o --输出功率：6, 10, 15, 20 kW --支持两个或者三个电子束源在一个系统上 --可连续或者同时沉积两种或三种材料 --高速率沉积 2.薄膜沉积控制： IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制 --沉积过程参数可控 --石英晶体振荡传感器 --光学检测系统用于光学多层薄膜沉积：测量波长范围350-2000 nm，分辨率1 nm --薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制 --薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制 --支持大面积沉积 --支持在线电子束蒸发沉积 --基底尺寸：20~100英寸 --薄膜均匀性 ±1.0 to 5.0 % 3.真空腔体： --圆柱形腔体 --直径：φ500 ~ 1,500 mm --高度：800 ~ 1500 mm --方形腔体 --根据客户的需求定制 4.真空泵和测量装置： --低真空：干泵和convectron真空规 --高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规 --超高真空：双级涡轮分子泵，离子泵和离子规 5.控制系统PLC和 触摸屏计算机： --硬件: PLC, 触摸屏计算机 --包括模拟和数字输入/输出卡 --显示器: LCD --自动和手动程序控制 --程序控制：加载，编辑和保存 --程序激活控制： --泵抽真空，蒸发沉积，加热， 旋转等 --膜厚度检测和控制多层薄膜沉积 --系统状态，数据加载等 --问题解答和联动状态扩展功能：1、质量流量控制器：反应和等离子体辅助惰性气体控制 2、离子源和控制器：等离子体辅助沉积 3、射频电源：基底预先处理 4、温度控制器：基底加热 5、热蒸发器：1 or 2 boat 6、蒸镀源cell：1 or 2 for doping 7、冷却器：系统冷却

电子束蒸发技术NEE-4000（M）电子束蒸发系统概述：NANO-MASTER NEE-4000电子束蒸发系统为双腔体的配置，其中样品台位于主腔体内，二级腔体则用于安置电子束源。这种在两个腔体之间带有门阀的配置可以作为预真空锁，使得电子束源腔体保持真空的情况下，实现基片通过主腔体放入基片到样平台(或夹具)上或从中取出。在需要自动装/卸载基片时，他可以通过第三方的预真空锁来实现，这可以设置于立方体的左侧。通过PC计算机控制，系统可以提供多电子束源的共蒸发能力，以及对组分或组分梯度进行编程的能力。NEE-4000（M）电子束蒸发系统特点：顺序蒸发或共蒸发双电子束源多凹槽电子枪可编程电子束扫描10KW开关电源涡轮分子泵，极限真空5x10-7Torr手动上下载片，带预真空锁材料和衬垫更换非常方便晶振式膜厚监测仪通过LabView软件实现PC计算机控制菜单驱动，四级访问密码保护完全的安全联锁NEE-4000（M）电子束蒸发系统Features：Sequential or Co-Evaporation Dual E-Beam Source Multi-Pocket E-Gun Programmable Beam Scan10 KW Switching Power Supply Turbomolecular Pump, 10-7Torr Manual Load/Unload w/Load Lock Easy Material and Liner ChangeCrystal Thickness Monitor PC Controlled with LabVIEW Recipe Driven, Password Protected Fully Safety Interlocked

1. 产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统是一种先进的物理气相沉积（PVD）技术设备，主要用于在超高真空环境下，通过电子束加热蒸发源材料，使其蒸发并在基片表面沉积形成薄膜。该系统广泛应用于物理学、材料科学、动力与电气工程等域，特别适用于纳米材料、太阳能光伏电池、半导体器件等高精度薄膜的制备。2 设备用途/原理：1. 薄膜制备：该系统能够制备各种金属、半导体、氧化物等材料的薄膜，满足不同材料和器件的制备需求。2. 科学研究：在材料科学研究中，用于探索新材料、新结构的物理和化学性质。3. 工业生产：在半导体、光电子、太阳能电池等行业中，用于大规模生产高精度、高质量的薄膜产品。3 设备特点CMP抛光机具有以下几个显著特点：1 高真空度：系统能够达到高的真空度（≤6.0E-5Pa），有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。2 电子束加热：采用电子束加热技术，具有热效率高、束流密度大、蒸发速度快等优点，能够蒸发高熔点材料，制备高纯薄膜。3 多源蒸发：系统配备多个蒸发源（如6个40cc坩埚），可同时或分别蒸发多种不同材料，实现多层膜的均匀沉积。4 精确控制：配备高精度的膜厚监控仪和控制系统，能够实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制，确保薄膜的均匀性和一致性。5 灵活定制：样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架等多种选择，可根据用户基片尺寸设计工件架。6 稳定可靠：系统整体设计合理，结构紧凑，具有良好的设备稳定性和可靠性，以及完善的售后及质保服务。综上所述，高真空电子束蒸发薄膜沉积系统以其高真空度、高精度、多源蒸发和灵活定制等特点，在薄膜制备域具有广泛的应用景和重要的科学价值。4 特色参数：本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形开门真空室尺寸:700x700x900mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动控制系统：通过工控机和 PLC 实现对整个系统的控制，具有自动和手动控制两种功能，操作过程可在触摸屏上进行，提供配方设置、真空系统、电子枪系统、工艺系统、充气系统、冷却系统等人机操作界面；在工控机上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设置。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

产品简介：450型电子束蒸发镀膜系统用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。产品型号450型电子束蒸发镀膜系统技术参数系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。　　技术指标：　　极限真空度：≤6.7×10 Pa　　恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　真空室：真空室500x500 x600mm采用U型箱体前开门，后置抽气系统e型电子枪：阳极电压：6kv、8kv(1套)　　坩埚：水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml　　功率：0-6KW可调　　电阻蒸发源(可选)　　电压：5、10V　　功率：电流300A，输出功率3Kw1套，可切换水冷电　　极3根，组成2个蒸发舟　　基片尺寸：可放置4″基片　　样品台：基片可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热温度 ≤800°C±1°C，可调手动控制样品挡板组件1套　　气路系统：质量流量控制器1路　　石英晶振膜厚控制仪：监测膜厚显示范围：0-99μ9999?

1.产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成，体现立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装，操作面板一端处在相对要求较高超净环境，其余部分（含低温泵抽系统）处在相对要求较低超净环境。2.设备用途：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。该系统的主要功能是利用电子束蒸发技术在基片上沉积各种薄膜材料。3.产品优势：限真空度高：能够达到≤6.×10^-5 Pa，这有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。电子枪功率可调范围大：电子枪功率 0—10kW 可调，可以满足不同材料蒸发和薄膜沉积的需求，适应多种工艺条件。配备水冷式坩埚：4 穴坩埚，每个容量不少于一定数值（具体容量可能因型号而有所不同），可容纳多种材料同时蒸发。样品台性能优良：可容纳较大尺寸的样品，并且能够加热至较高温度（具体温度可能因型号而有所不同），转速可在一定范围内调节，满足不同实验需求。具备精确的膜厚监测仪：彩色 LCD 显示屏，提供英文或中文版本，设有“quick setup”（快速设定）菜单、多个区分上下文按钮以及简便的参数设定旋钮，易于设定和操作，且测量速率和分辨率较高，存储容量大，能够使用单传感器或多传感器监控源材料，提供精确的源分布监控，有利于实现对薄膜沉积过程的精确控制和质量监测。包含金属蒸发源组件：可提供多套蒸发电源，大输出功率满足一定要求（如 1.8kW，电压 6V，电流×A），有助于提高薄膜沉积的效率和稳定性。拥有较高的分子泵抽速：≥×l/s，能够快速有效地抽取真空室内的气体，维持高真空环境。其他方面：可能还具有良好的设备稳定性、可靠性，以及完善的售后及质保服务等。4.产品参数：真空室结构:U形开门真空室尺寸:900×900×1100mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.5米x3.9米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

1. 产品概述：主要由蒸发真空室、e 型电子枪、热阻蒸发组件、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成，具备自动控制软件系统。2. 设备用途/原理：沈阳科仪 DZS500 系统用途广泛。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。在科研领域，它常用于材料研究和新型器件的开发；在工业生产中，可用于大规模制造高质量的薄膜产品。例如，在制造液晶显示器的导电薄膜时，能够保证薄膜的导电性和均匀性，提高产品的性能和质量。3. 特色参数：o 真空室结构：采用 U 形前开门。o 真空室尺寸：500x500x600mm。o 极限真空度：≤6.67e-5Pa。o 沉积源：4 个 11cc 坩埚。o 样品尺寸与温度：可放置 φ4 英寸的 1 片样品，最高温度可达 800℃。o 占地面积：约 2.7 米 x1.7 米 x2.1 米。o 电控描述：全自动。o 工艺：片内膜厚均匀性≤±3%。 o 特色参数：样品可自转，转速可调。4. 设备特点沈阳科仪 DZS500 系统的真空室具有一些显著特点。其极限真空度表现出色，通常能够达到≤6.67×10⁻ ⁵ Pa（经烘烤除气后）。停泵关机 12 小时后，蒸发室真空度≤5Pa，这表明其真空保持能力较强。真空室的结构通常为 U 形前开门，尺寸一般为 500×500×600mm。这种设计不仅方便操作，还有利于维持真空环境的稳定性。在实际应用中，良好的真空室特点能够为薄膜沉积提供高质量的真空条件，减少杂质和气体对薄膜质量的影响。比如在制备高精度光学薄膜时，稳定的真空环境能够确保薄膜的均匀性和纯度。

可以用于蒸镀半导体、金属膜，纳米级单层及多层功能膜。 1、真空室：1.1、真空室内腔尺寸：500×500×680mm 可与手套箱联接使用。 1.2、真空室材料：整个真空室采用 SUS304 不锈钢材料制造，内表面抛光，外表面喷丸处理；极限真空度高。1.3、真空室结构：真空室四周配有不锈钢防污染屏蔽板；前滑门、后拉门、侧面抽气系统结构，四壁壳体外壳水冷，采用不锈钢水冷槽通水冷却。1.4、观察窗：Φ100mm 观察窗 2 个，观察窗内有遮挡活动板，配有两套防辐射射玻璃（一套备用）。1.5、CF35 陶瓷封接引线法兰：2 个（照明及内烘烤引线 1 个、预留空置 6芯电极法兰 1 个）1.6、晶振膜厚仪接口 1 个 2、工件架旋转与烘烤：2.1、采用调速电机调节转速、磁流体密封；3 到 60rpm 无级调速 2.2、样品托盘尺寸：可放置单片 4 英寸（配有单独样品托和样品夹具）。 2.3、样品温度：样品盘带有水冷； 2.4、基片与蒸发源之间距离 350～500mm 可调， 3、直流离子轰击 3.1、离子轰击：轰击电压 3000V,电流 160mA 及以上。可清洗样品表面。 3.2、配轰击铝棒 1 根 4、蒸发源：电子束蒸发源4.1、用超高真空 E 型电子枪； 4.2、270°E 型电子枪及高压电源，电子枪功率 0--8KW 可调；4.3、电子枪阳极电压：6kv、8 kv；两挡 4.4、电子束可二维扫描调节，最大扫描正负 15mm（X，Y）；4.5、六工位水冷式电动坩埚；每穴容积 11-22ml 4.6、可调角度气动控制蒸发挡板，采用磁流体密封； 4.7、电子枪配有触摸屏，可远控； 4.8、带有高压灭弧自动复位功能。 5、真空抽气系统 5.1、复合分子泵与控制电源：可达 6.0×10-5Pa，真空漏率≤10-7Pa.l/s，真空室从大气到抽到≤6.0×10-4Pa，小于 30min。 5.2、分子泵与真空室连接采用 DN200 气动挡板阀门； 5.3、机械泵和分子泵连接采用不锈钢金属波纹管；5.4、 系统漏率：系统停泵关机 12 小时后，真空室的真空度≤10Pa。 6、石英晶体测厚仪：采用石英晶体振荡膜厚监控仪◇用于监控镀膜蒸发速率及控制膜层物理厚度 ◇配单个水冷探头 ◇监测膜厚显示范围：0～99μ9999&angst ◇厚度分辨率：1&angst ◇速率显示分辨率： 0～9999.9 &angst ◇控制精度： 0.01 &angst ◇监测时间显示范围：1 分～99 小时 7、真空测量系统：复合数显真空计热偶规： 1.0x103Pa ---1.0x10-1Pa 电离规：（CF35 刀口法兰） 1.0x10-1Pa ---1.0x10-5Pa8、水冷系统 配备水冷循环系统：满足设备需求（功率大于 2kW） 9、其他： 9.1 不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等 9.2 产品相关的金属密封铜圈及氟橡胶密封圈 1 套9.3 电子枪灯丝 5 9.4 坩埚 10

电子束蒸发技术NEE-4000（A）全自动电子束蒸发系统概述：NANO-MASTER NEE-4000电子束蒸发系统有两种不同的构造可供选择。第一种为垂直紧连的双腔架构，其中主腔体是14英寸的立方体，其内有样品台，底部二级腔体则用于安置电子束源。这种构造可在两个腔体之间装有门阀互锁，可实现主腔体放取片过程保持电子束源和坩埚的真空状态。若需实现自动上下片，通过在主腔体左边增加带真空阀门的进样室即可。这样，主腔体可以持续保持10-7托范围的低压，装片后几分钟内就可进行蒸镀。第二种构造为一个独立大腔体，基板上安装电子束蒸镀腔、磁控枪和热蒸镀。该构造可涂覆多种尺寸的晶圆，过程中使用行星运动的样品台。 NANO-MASTER公司可通过样片掩膜实现组合蒸镀，并可通过电脑控制单个电子束蒸镀的蒸镀速率。NEE-4000系统特点：电抛光14"立方体或21"x21"x22"不锈钢优化蒸镀腔体 680 l/sec 涡轮分子泵，串接机械泵或干泵 4x 15CC pocket电子枪 电子束源和基片遮板 6KW开关电源，杰出的消弧性能 自动Pocket索引以及可编程的扫描控制器 膜厚监测，可设置目标膜厚作为工艺终点条件 旋转样品台，提供高均匀性 带观察视窗的腔门，便于放片/取片 PC全自动控制，具有高度的可重复性 Labview软件的计算机全自动工艺控制控 多级密码保护的授权访问设计 EMO保护以及完全的安全联锁NEE-4000系统可选项:基片加热(最高可到800℃)或冷却 带旋转的倾斜沉积 行星运动式基片夹具 基片RF/DC偏压 基片清洗的离子源以及离子辅助蒸镀 附加物理沉积源（热蒸镀，磁控溅射） 用于反应蒸镀的MFC 不同的泵组选择 进样室和自动上下片/可支持单片和25片片夹NEE-4000系统应用:剥离 光学涂覆 铜铟镓硒(CIGS) 约瑟夫森连接 OLED

BJD-2000和FC-2000系统是通用型蒸发镀膜设备，通过选用不同的附件配置，适合大部分应用要求。除了高效运行和兼容洁净室的特点，这些系统还具有更大的灵活性，以方便使用。其中FC-2000是一款具有快速工艺周期能力以及真空锁结构的系统，可以在装卸基片时让电子束蒸发源保持在高真空状态。而BJD-2000则没有真空锁结构。 虽然是Temescal产品家族系列中最小型的设备，但同样具有Temescal一贯的设计思想，也拥有与大型生产设备一样的高稳定性、高可靠性以及易维护性的特点。为了满足用户对未来产能提升的要求，BJD-2000和FC-2000还可以在现场升级成更高产能的2800系列系统。

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品 - 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 - 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中 - 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc - 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品 - 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 - 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中 - 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc - 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品 - 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 - 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中 - 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc - 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品 - 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 - 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中 - 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc - 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户 - 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标： - 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能， - 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体） - 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min） （2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。 - 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc - 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户 - 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标： - 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能， - 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体） - 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min） （2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。 - 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc - 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户 - 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标： - 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能， - 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体） - 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min） （2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。 - 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc - 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户 - 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标： - 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能， - 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体） - 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min） （2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。 - 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc - 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；电控系统；配气系统等部分组成。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等3.产品配置：真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350×370mm限真空度:≤6.6E-4Pa沉积源:1个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:大可放置4片20mmx25mm的基片，基片不加热，可自转，速度5～20转/分；占地面积（长x宽x高）:约1米x1米x1.9米电控描述:手动样品台：可放置基片，并可能具有旋转、加热等功能，以满足不同的工艺需求。例如，加热功能可以使样品达到一定温度，适应某些材料的沉积要求；旋转功能有助于提高薄膜的均匀性。控制系统：采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发速率、沉积时间等。多种材料沉积能力：可以沉积多种不同的薄膜材料，以满足不同的应用需求。良好的稳定性和可靠性：确保系统能够长时间稳定运行，保证薄膜沉积的重复性和一致性。可视化操作界面：可能具有直观的操作界面，方便用户进行操作和监控。不同型号的 SMART 蒸发薄膜沉积系统在具体参数和功能上可能会存在差异，例如真空度的高低、蒸发源的类型和功率、样品台的尺寸和可调节范围、膜厚监测的精度等。

仪器简介：e-flux Mini e-Beam蒸发器是一种超高压蒸发器，适用于温度范围为400K至3100K的中小型材料。可以直接从棒状（26mm）的蒸发器中蒸发，也可以从坩埚中蒸发。集成通量监测器可实现最大沉积控制。高效的水冷却确保了操作过程中可忽略不计的放气。电子束电子束蒸发器非常紧凑，安装在CF-40法兰（2.75“OD）上。很容易安装在已经有的 UHV 或 MBE系统上。 主要应用是：表面科学，薄膜沉积，薄膜掺杂 主要蒸发材料： Mo, Ta, W, Au, Ag, Pt, Al, Cu, Ni, Ti, C, Si, Cr技术参数：真空腔体内长度: 190mm (without options). Special length possible on request.最大真空端直径: 34mm安装法兰口径: NW40CF (2.75"OD)烘烤温度: max. 200°Crod feed棒材: 25mm, optionally 50mm坩埚体积: 0,3ccm坩埚材料: Mo, Ta, W, pyrol. Graphite, BN liner, Al2O3, Quartz沉积速率: from 0,01A/s to 2nm/s束流发散角: ±15° (±12° with flux monitor)电子束功率: max. 600W控制器: 19" rack mount, 3U high,230VAC/50Hz选项:挡板 (manual and motorised)flux monitor/flux controller, Deposition Controller*热电偶离子阱各种坩埚 (see above) with end caps for horizontal mountmotorised rod feedcontrol options (schematic)主要特点：独有特点:1,发射电流稳定性:The emission current stabilizer is a closed loop control to keep the emissioncurrent constant automatically with rod melting down or decrease of crucible content2,LED提示棒材位置An LED alerts when the evaporation rod has to be fed. Threshold can be customer set.3,可输入需要的发射电流The emission current can now be set directly on a linear scale for easy reproduction.4,离子阱选项The ion trap option allows to deflect all charged particles out of the beam.

该设备以电子束蒸发方式镀膜设备，主要用于制备各种导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜，微纳器件微加工，电镜样品预处理等，尤其适用蒸镀各种难熔金属材料。不仅可用于玻璃片、硅片等硬质衬底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性衬底上镀膜。 设备技术参数1、使用条件：环境温度5℃～40℃ 电源：三相380 V,功率：≤20 KW，水压：≤2.5bar2、真空室尺寸：蒸发室尺寸：φ500×H500(㎜)3、电子枪：新型电子枪1套，6穴坩埚4、样品转盘：样品尺寸：≤φ150mm，样品可旋转，也可上下升降调节样品到电子枪距离(样品托形状按用户要求设计),加热温度≤500℃5、系统真空度：? 极限真空：经12～24小时烘烤，连续抽气≤5x10-5Pa? 抽气速率：从大气开始40分钟内真空度≤5x10-4Pa? 系统漏率：整机漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵关机12小时后，测量真空室真空度≤10Pa6、抽真空系统：FB1200分子泵+机械泵(TRP-36)系统，并设置旁路抽气7、镀膜监测：采用SQM160膜厚仪进行监测。8、镀膜厚度的不均匀度≤6%

✽ 集合多项电源功能，可有效满足电子束加热等多种工作模式。✽ 在电子束工作模式中，被加热物体可选择接地或接高压，同时控制实现对 灯丝的电流控制和对被加热物体的高压控制。✽ 高压低流单元和低压高流单元可分别做独立电源使用。✽ 标准机型技术指标为：36V3A低压单元、1000V300mA高压单元，可根据 客户需要定制不同范围的低压高流单元和高压低流单元。✽ 高精度、高分辨率、低温漂、高稳定性（整机温漂小于 50ppm，精度 0.1%， 分辨率：V=10mV、I=1mA)；✽ 操作方便，智能数字化控制系统。前面板的显示屏实时显示灯丝的电压值、 电流值、加速场的电压值、电流值等；✽ 具有过压、过流、短路保护；✽ 开关电源和线性电源的理想结合（即有开关电源的高效率，又有线性电源 的低纹波）。电子束蒸发工作模式 功能：✽ 具有恒流和恒压两种模式✽ 低压单元：电压最高36V，电流最大3A。✽ 高压单元：最大高压1000V，最大发射电流300mA。（可根据客户需求定制不同系列的低压单元和高压单元）

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

6529自动蒸发监测系统名称：自动蒸发监测系统 型号：6529 产地：澳大利亚用途：6529自动蒸发监测系统通过一个蒸发皿记录蒸发和降雨量数据，配备美国A级蒸发皿及其全部安装配件。6529系统设计在长期无需维护情况下使用，水位传感器和数据采集器内部电池可使用一年。水位控制系统是太阳能供电的，用户可通过储水池或自来水管道等供水系统向蒸发皿补水。配套的数据记录仪可设定测量和记录时间间隔，信号处理，如平均值，最大值，最小值等。可选配增加一个水温传感器和一系列气象传感器，可确定蒸发与当地环境的关系。这对研究蒸发作用，土壤水分蒸发蒸腾损失总量和建立相关模型是必需的。并可配备远程传输设备，将数据采集器中的数据通过有线、卫星电话或无线通讯连接等方式传输到远程的接收主机上。特点：测量和记录蒸发作用及降雨量；监测和控制蒸发皿里的水位；对维护和基础设施要求少；使用标准美国A级蒸发皿；可使用远程传输设备，远程获取数据。技术规格：测量范围30~250毫米（空盘到满盘）分辨率0.2毫米（蒸发或降雨量）精度±0.4毫米水位复位可设定，默认每天预定时间复位到200毫米（±1毫米）水位存储容量512K耗电0.3Ah/天电池12V 7Ah密封铅酸电池充电12V 2W带铝框太阳能板蒸发皿内径1208毫米×外径1290毫米×深250毫米，美国A级蒸发皿支架1300毫米×1300毫米，人造软木托盘蒸发皿盖12毫米正方形网格，热镀锌钢网控制机箱铝质，320×300×750毫米（长x宽x高）系统重量约52公斤产地：澳大利亚点将科技-心系点滴，致力将来！ table： (上海) (北京) (昆明) (合肥) Email: (上海) (北京) (昆明) (合肥) 扫描点将科技官方微信，获取更多服务：

PRO Line PVD 75多功能溅射、电子束和热蒸发沉积平台Kurt J. Lesker Company PRO Line PVD 75 是基于主力 PVD 75 平台的下一代薄膜沉积系统。PVD 75 在全球拥有 400 多台设备，是一款久经考验、坚固耐用且用途广泛的设计。PRO Line PVD 75 建立在原始设计的成功基础上，改进了系统基础压力和抽空时间。技术的腔室设计、具有高级编程功能的行业最佳软件控制系统、自动基板加载以及用于优化薄膜性能的众多功能是这种创新的设计提供的一些关键优势。® 规格室箱形304L不锈钢腔体内部尺寸：15.25“ 宽 x 16.50” 深 x 24“ 高（387.4mm x 419.1mm x 609.6mm）铝，O 形圈密封，铰链，前检修门沉积技术热蒸发最多四艘 4 英寸的单艘船，或六艘 2 英寸的船组件TORUS 磁控溅射源多达 6 个 2 英寸或 3 英寸光源多达 4 个 4 英寸信号源电子束蒸发源4 口袋 8cc8 口袋 12cc6 口袋 20ccLTE10 有机沉积源最多两个 10cc 源沉积方向热蒸发向上TORUS 磁控溅射源向上、向下或侧溅射电子束蒸发向上LTE有机沉积向上底物操作旋转、加热、冷却、偏置、负载锁定兼容电源DC、PDC、RF、MF 和 HIPIMS 电源