二次离子质谱分析

仪器信息网二次离子质谱分析专题为您提供2024年最新二次离子质谱分析价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括二次离子质谱分析参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的二次离子质谱分析您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合二次离子质谱分析相关的耗材配件、试剂标物,还有二次离子质谱分析相关的最新资讯、资料,以及二次离子质谱分析相关的解决方案。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

二次离子质谱分析相关的厂商

  • 北京艾飞拓科技有限公司作为德国 IONTOF 公司的中国总代理,成立于2012年。主要负责飞行时间二次离子质谱仪(ToF-SIMS,新一代型号ToFSIMS M6)、低能离子散射能谱仪(LEIS,型号Qtac100)和高分辨磁力显微镜(hr-MFM,型号VLS-80)这三类产品,在中国大陆及港澳地区的销售、售后、宣传、培训、技术服务等工作。公司成员来自北京大学、中科院物理所等一流院校研究生,“以物理学、材料学、国际贸易等专业背景打造核心团队,秉承引进国际质谱领域先进技术的理念,以提高我国材料分析技术为核心目标,密切与国内多所高校、研究机构、科技公司合作,共同攻克技术难题。”IONTOF是由Alfred Benninghoven教授,Dr.Ewald Niehuis和Thomas Heller先生于1989年创立,创始人Prof.Benninghoven教授是国际静态二次离子质谱的奠基人,他们团队始终带领国际二次离子术的发展,从上世纪80年代初开始,Benninghoven教授和他的研究组就致力于飞行时间二次离子质谱的系统和应用研究。依托于明斯特大学和州纳米中心的技术和人才优势,TOF-SIMS已经发展成为无可替代的表面分析手段。TOF.SIMS 5从2003年定型到现在已经成为市场上相当成功的飞行时间二次离子质谱系统。到2016年,世界上已经有超过350套高性能的TOF.SIMS系统成功地应用在世界各地的公司和学术研究机构中。获取更多资讯,请访问艾飞拓官网:www.iontof.com.cn,或扫描下方二维码关注“IONTOF-CHINA”微信公众号。
    留言咨询
  • 400-860-5168转3314
    ULVAC-PHI是全球领先的超高真空表面分析仪器供应商。专注于研发和生产表面分析仪器,包括光电子能谱仪(XPS)、俄歇电子能谱仪(AES)、飞行时间二次离子质谱仪(Tof-SIMS)和动态二次离子质谱仪(D-SIMS)。通过提供独特的技术解决方案,帮助客户解决各种具有挑战性的问题,从而加速新产品和新技术的发展。产品应用领域包括纳米技术、太阳能技术、微电子技术、存储介质、催化、生物材料、药品以及金属、矿物、聚合物、复合材料和涂料等基础材料。作为唯一一家能够同时提供高性能XPS、AES和SIMS全系列表面分析仪器的制造商,ULVAC-PHI在全面性和完整性的表面分析解决方案领域拥有独特的地位。爱发科费恩斯(南京)仪器有限公司成立于2023年11月,创办理念是为一流的商业产品提供顶级的创新市场营销和售后服务。作为ULVAC-PHI在中国区域的子公司,负责PHI产品在中国的销售和售后服务。主要客户包括清华大学,复旦大学,上海交通大学,南京大学,西安交通大学,厦门大学,山东大学,吉林大学,华南理工大学,中南大学等国内知名高校和科研院所。在全国各地都有销售合作伙伴,能够为您提供全方位的服务。技术专员具备多年超高真空和精密电子分析仪器的使用经验,致力于为合作伙伴提供最佳的产品和服务,以实现最大的效益。
    留言咨询
  • CAMECA SAS 铜牌12年
    400-860-5168转2751
    自1929年成立以来,CAMECA不断为国际一流科研机构提供大型材料分析仪器,并为半导体行业的精准测量需求提供解决方案。CAMECA在多个尖端微量分析技术上开拓进取,精益求精,所提供的设备包括: 二次离子质谱仪(SIMS) ,三维原子探针断层分析术(APT) ,电子探针微量分析 (EPMA) ,低能量电子激发X射线发射光谱(LEXES) CAMECA的总部邻近法国巴黎,分支机构遍及美国,德国,日本,韩国,中国,中国台湾,以及一个全球代理商网络,充分保证我们的支持服务惠及所有用户。 2007年,CAMECA加入AMETEK Inc.,成为这家全球电子和机电产品领先供应商的一部,隶属 AMETEK 材料分析部。
    留言咨询

二次离子质谱分析相关的仪器

  • 飞行时间二次离子质谱(TOF- SIMS)是一种表面敏感的技术,提供表面分子,元素及其同位素前几个原子层的组成图像。所有元素和同位素,包括氢气都可以用飞行时间二次离子质谱分析。在理论上,该仪器可以在一个无限大的质量范围内提供很高的质量分辨率(在实践中通常是大约 10000amu)。PHI TRIFT V nano飞行时间质谱仪(三次对焦飞行时间)是一种高传输、并行检测仪器,其目的是由主脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子可以得到zui佳的收集状态,并可同时用于有机和无机表面特征分析。TRIFT分析仪的工作原理会把离子在光谱仪中不断的重新聚焦。使二次离子质谱允许更多重大的实验得以进行。主离子束zui先进的设计,允许经由计算机控制去同时达到高横向分辨率的成像和高质量的图谱分辨率。PHI TRIFT V nanoTOF是第五代SIMS仪器,该仪器具有独特的专利时间飞行(TOF)分析仪,它拥有市场上TOF-SIMS仪器中zui大的角度和能量接受标准,实现了高空间分辨率质量分辨率和使用具有优良离子传输能力的三重重点半球形静电分析器。PHI TRIFT V nanoTOF还具有很高的能力,可以图像具有非常复杂的几何形状的样本而没有阴影。
    留言咨询
  • 二次离子质谱探针 400-860-5168转0702
    仪器简介:EQS 是差式泵式二次离子质谱(SIMS-Secondary Ion Mass Spectrometer ‘Bolt-On’ probe),可分析来自固体样品的二次阴、阳离子和中性粒子。采用最新技术的SIMS 探针,便于连结到现有的UHV表面科学研究反应室。 技术参数:应用: 静态 /动态SIMS 一般目的的表面分析 整体的前端离子源,便于RGA和 SNMS 兼容的离子枪/ FAB 枪 成分/污染物分析 深度分析 泄漏检测 与Hiden SIMS 工作站兼容主要特点: 高灵敏度脉冲离子计数检测器,7个数量级的动态范围 SIMS 成像,分辨率在微米以下 光栅控制,增强深度分析能力 45°静电扇形分析器, 扫描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM. 所有能量范围内,离子行程的最小扰动,及恒定离子传输 差式泵3级过滤四极杆,质量数范围至2500amu 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 Penning规和互锁装置可提供过压保护 通过RS232、RS485或Ethernet LAN,软件 MASsoft控制
    留言咨询
  • PHI nanoTOF3+ 特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力,更加出色的分析精度 飞行时间二次离子质谱仪新一代 TRIFT 质量分析器,更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能,助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出,特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品,即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异,因此导致 质量分辨率变差,并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正, 保证相同二次离子的飞行时间一致, 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势,而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子设备先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下,其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下,其空间分辨模式优于50 nm。通过结合强度高离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器,可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下,只需几分钟的测试时间,均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能,程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压, 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单, 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 :①在进样室拍摄样品台照片 ;②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ;③按下分析键,设备自动开始分析。 过去,必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ; 现在,无论操作人员是否熟练,都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 :样品尺寸可达100mmx100 mm, 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ;结合分析序列编辑器(Queue Editor),可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子设备获得证书的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品,而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术,通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束,可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和,无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子设备 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室, 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断,请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析: 只需一个离子源即可完成标配离子设备FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中, 液态金属离子具设备备 FIB功能, 可以使用单个离子设备对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机, 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外,可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时,可以获得FIB加 工区域的3D影像 ;Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据在TOF-SIMS测试中,MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片,对于质量数接近的大分子离子, MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2,对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片,MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能, 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据,为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱:可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外,在 冷却分析后更换样品时,可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源(Ar-GCIB):有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏,从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源:无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额,使用Cs源可增强负离子产额 ;O2源可增强正 离子产额
    留言咨询

二次离子质谱分析相关的资讯

  • 二次离子质谱可以测什么?
    二次离子质谱(secondaryionmassspectroscopy,简称SIMS),是一种非常灵敏的表面成份精密分析仪器,原理利用质谱法分析初级离子入射靶面后,样品表面被高能聚焦的一次离子轰击时,一次离子注入被分析样品,把动能传递给固体原子,引起中性粒子和带止负电荷的二次离子发生溅射,然后根据溅射的二次离子的质量信号,对被轰击样品的表面和内部元素分布特征进行分析。通过不同的操作模式,测试可以得到表面质谱、表面成像、深度剖析和三维分析信息,用来完成工业生产和科研研究过程中所需的掺杂和杂质深度数据;浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析;芯片结构及杂质元素定性定量分析;薄膜的组成和杂质的测量等,这种技术本身具有“破坏性”的物质溅射,可以应用在包括但不仅限于金属及合金、半导体、绝缘体、有机物、生物膜分析对象上。质量分析器可采用单聚焦、双聚焦,飞行时间、四极杆、离子阱、离子回旋共振等,其中飞行时间离子质谱TOF-SIMS是通过将二次离子质谱分析技术(SIMS)与飞行时间质量分析器(TOF)结合起来,由于其一次脉冲就可得到一个全谱,离子利用率最高,能最好地实现对样品几乎无损的静态分析,分析速度快和样品的消耗极少,分析质量范围宽,对有机、无机材料都有很好的分析能力。
  • 二次离子质谱2012年市场总需求不到1亿美元
    尽管质谱仪更多的应用于生命科学相关领域,但是还是有一些质谱(MS)技术是专门用于表面科学研究。其中最突出的是二次离子质谱(SIMS)。像大多数涉及电子或离子光学的表面科学技术一样,二次离子质谱是在真空条件下进行。二次离子质谱用一次离子束轰击表面,将样品表面的原子溅射出来成为带电的离子,这些二次离子利用质谱分析器进行分析,得到样品的元素组成数据。可用的质量分析器包括单四极、飞行时间和磁分析器等。离子束是扫描过样品,得到一个样品表面的二维图像。离子束还可以逐层溅射样品,进行深度剖面分析。2012年二次离子质谱行业市场需求分布  二次离子质谱广泛应用于分析半导体等材料、数据存储等电子产品,二次离子质谱对表面非常灵敏,使其可以分析沉积在这些材料上的薄膜;二次离子质谱也被用于科研单位及政府机构的实验室;虽然材料分析是二次离子质谱比较常见的,但也可以用于环境领域空气中颗粒物分析。2012年,二次离子质谱的市场总需求不到1亿美元。  上述数据摘录于2013年10月SDi发布的市场分析和预测报告&ldquo Mass Spectrometry: Limitless Innovation in Analytical Science&rdquo 。编译:刘丰秋
  • 飞行时间二次离子质谱将在材料表面分析领域大有所为
    TOF-SIMS(飞行时间二次离子质谱)采用一次离子轰击固体材料表面,产生二次离子,并根据二次离子的质荷比探测材料的成分和结构。TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术,可以精确确定样品表面元素的构成:通过对分子离子峰和官能团碎片的分析可以方便的确定表面化合物和有机样品的结构,配合样品表面的扫描和剥离,可以得到样品表面甚至三维的成分图。相对于XPS、AES等表面分析方法,TOF-SIMS可以分析包括氢在内的所有元素,可以分析包括有机大分子在内的化合物,具有更高的分辨率。  2013年,德国ION-TOF公司在中国成功安装了4台TOF-SIMS,据介绍该仪器目前在中国的保有量也不过10台左右。在2013 全国表面分析科学与技术应用学术会议召开期间,德国ION-TOF公司中国区总代理北京艾飞拓科技有限公司总经理高聚宁接受了仪器信息网编辑的采访,介绍了德国ION TOF公司的基本情况,以及TOF-SIMS技术目前的发展应用情况。北京艾飞拓科技有限公司总经理高聚宁  Instrument:首先,请您介绍一下ION TOF公司,及其TOF-SIMS产品的技术发展历史?  高聚宁 :国际上对TOF-SIMS分析研究已经有近35年历史,代表性单位是德国ION-TOF公司所在的德国明斯特大学。可以说,ION-TOF的历史就是TOF-SIMS的发展史。下面的照片是1977年在德国明斯特召开的第一届国际SIMS会议的参加者。ION-TOF公司创建于1989年,是专门研究和生产飞行时间二次离子质谱仪器(TOF-SIMS)的高科技公司。其创始人贝宁豪文(Beninghoven)教授是静态二次离子质谱的奠基人,创建并长期担任国际二次离子质谱学会议主席。1977年在德国明斯特召开的第一届国际SIMS会议的参加者ION-TOF创始人贝宁豪文教授  ION-TOF公司创立前,在Beninghoven教授指导下,明斯特大学物理系已经开发了第一代到第三代的二次离子质谱仪器,公司创建后的产品是从第三代TOF-SIMS开始销售的。2003年10月,ION-TOF推出了第五代TOF.SIMS 5仪器。2005年,ION-TOF推出了具有独立专利的Bi源,可以完全取代原来的Ga源和金源。该分析源对无机物和有机大分子等的分析都可以胜任,并且在不损失系统的空间分辨率的前提下大大提高其质量分辨率。第一代SIMS(1982年)  2010年,ION-TOF开发了第二代Bi源,使得空间分辨率和质量分辨率又上了一个新台阶。第二代Bi源还可以提供Mn离子,对国际最新的G-SIMS(Gentle-SIMS)分析提供支持。  2012年,ION-TOF公司对分析器新研制了EDR功能,对系统结果矫正和定量分析很有帮助。还推出了可以用于有机大分子和生物分析的Gas Cluster Source。新的研究成果将TOF-SIMS的分析从无机物拓展到有机大分子和生物分析领域,可以广泛应用在半导体,物理,化学,材料,生命科学,医药等领域。  Instrument:请您谈谈TOF-SIMS技术未来的发展趋势?  高聚宁:TOF-SIMS未来的发展趋势,我认为主要在以下三个方面:  一是应用领域的拓展,尤其是在生物和有机大分子应用方面的拓展。这包括多方面的内容,如对有机分析源的开发完善,有机分析源已经从Au,C60,发展到现在的Bi源和气体团簇离子源(GCIB)。对于生物和有机分子的分子离子峰获得已经取得突破性进展。而在另一方面,有机材料的结果非常复杂,需要有经验的专门分析人员。我们正在尝试一种简化谱图的方法,G-SIMS提供了一种思路,但仍有待完善。  其次是定量分析。由于Matrix效应,某种元素的离子产额是与当时所处的化学环境相关的。所以TOF-SIMS的定量分析比较复杂,需要对标准样品同时进行分析对比。另外,成份含量可以相差到十几个量级。如何保证在如此大的跨度下不损失,不丢失测试信号也是一个难点。ION-TOF已经有很好的尝试,如与XPS结合,EDR功能的开发等。  最后是与其他表面分析手段的结合,如形貌(AFM),SEM,XPS,LEIS(Low-Energy Ion Spectroscopy),激光共聚焦显微镜等。这些分析手段可以帮助用户获得全方位的表面和界面信息,并通过结果对比,解析出样品表面和界面的原始状态。但这些手段实现原位分析还需要一个过程。ION-TOF正在着手这方面的研究,并已经取得了部分成果。  Instrument:您认为TOF-SIMS的市场发展前景怎么样?  高聚宁:目前,国际上一致公认TOF-SIMS将是XPS之后的可以广泛应用的分析平台,所以对其前景非常看好。现在,国际上已经安装了约280套TOF-SIMS,每年约20-25台的增长量。相比之下,中国的TOF-SIMS研究刚刚起步,目前仅有约10套系统,这还包括ION-TOF今年安装的4套系统!按照我们的分析,中国TOF-SIMS的保有量和年销量都应该达到世界的1/4。这还需要很多的培训和推广工作。  Instrument:您如何看待TOF-SIMS在中国高校科研院所及企业单位的市场需求前景?  高聚宁:目前,世界上TOF-SIMS的用户群半导体工厂和科研院所用户各占半壁江山。如韩国Samsung集团就安装了超过10台的TOF-SIMS。然而,随着TOF-SIMS在生物分析领域的拓展,科研院所和高校的需求将会增加。对中国的用户,我们在生物领域的研究已经达到世界先进水平,尤其是中医中药的研究也非常需要TOF-SIMS这样的分析手段,所以我个人非常看好TOF-SIMS在中国科研单位的前景。而对于工厂企业的需求,一些半导体工厂已经在中国设立了研究基地。而配合生产线进行失效分析也会有大量的需求。其他分析领域,如钢材,汽车等领域,国外已经广泛应用TOF-SIMS,而国内仍然需要一定时间追赶国际步伐。

二次离子质谱分析相关的方案

二次离子质谱分析相关的资料

二次离子质谱分析相关的试剂

二次离子质谱分析相关的论坛

  • 【分享】什么是二次离子质谱分析?

    二次离子质谱(SIMS)是一种用于分析固体材料表面组分和杂质的分析手段。通过一次离子溅射,SIMS可以对样品进行质谱分析、深度剖析或成二次离子像。SIMS具有很高的元素检测灵敏度以及在表面和纵深两个方向上的高空间分辨本领,所以其应用范围也相当广泛。涉及化学、生物学和物理学等基础研究领域及微电子、催化、新材料开发等各个领域。 二次离子质谱法对于大部分元素都有很高的探测灵敏度,其检测下限可达百亿分之几的数量级。对痕量组分能进行深度剖析,可在微观(µ m级)上观察表面的特征,也可以对同位索进行分析和对低原子序数的元素(如氢、锂、铍等)进行分析。 ①痕量分析二次离子质谱法有极高的分辨率,可以达到十亿分之几的数量级。因此,可以对痕量的物质做出定性分析以确定其在表面的存在。当然进行这种分析要求排除所有可能影响结果的干扰。防止表面吸附物污染被测试表面,测试要在高真空和高纯度的离子束条件下进行。 ②定量分析定量分析采用的是以标样为基础的分析方法。一次离子的种类、能量和电流密度、样品环境、探测器效率以及二次离子分析器的能带通道确定之后,就能使用元素的相对灵敏度系数对样品进行确切的分析。只要二次离子质谱仪的灵敏度足以探测到基体的所有主要成分,所得结果就是这种基体材料成分的原子百分比。 ③深度分析深度分析的一般方法是监控样品中某元素的二次离子信号随溅射时间的变化。对于均匀基体材料,通过适当的标定试验(已知镀层厚度、陷口深度等)就能把时间转换为深度。元素的定量可以由二次离子强度的变化及二次离子强度定量分析方法得到。

  • 二次离子质谱分析技术及其应用1

    1 二次离子质谱学发展简史... 42 SIMS的原理和仪器结构... 52.1 原理... 52.2 质谱分析器(质谱计) 62.2.1 磁质谱计... 72.2.2 四极质谱计... 72.2.3 飞行时间质谱计... 82.2.4 其他质量分析器... 102.3 SIMS仪器类型... 103 SIMS与其它表面分析技术的比较... 113.1 SIMS的主要优缺点... 113.2 与其它微分析技术比较... 134 SIMS的研究和应用... 144.1 元素及同位素分析... 144.2 颗粒物微分析研究... 164.3 团簇、聚合物分析及生物医学等方面的研究... 174.4 SIMS在化合物半导体材料分析中的应用... 194.4.1 常规分析... 204.4.2 最低测量极限... 214.4.3 高分辨率SIMS分析... 234.4.4 解剖分析... 245 SIMS的新进展... 256 几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术... 26[url=http://bbs.in

  • 二次离子质谱分析技术及其应用2

    4 SIMS的研究和应用... 144.1 元素及同位素分析... 144.2 颗粒物微分析研究... 164.3 团簇、聚合物分析及生物医学等方面的研究... 174.4 SIMS在化合物半导体材料分析中的应用... 194.4.1 常规分析... 204.4.2 最低测量极限... 214.4.3 高分辨率SIMS分析... 234.4.4 解剖分析... 245 SIMS的新进展... 256 几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术... 266.1 NANO SIMS 50型二次离子质谱仪... 286.1.1 小束斑离子枪和短工作距离的二次离子接收透镜的新设计... 286.1.2 二次离子接受器由单种离子接收改为多种离子同时接收... 29

二次离子质谱分析相关的耗材

  • 配套112FR-NEPTUNE Plus多接收等离子质谱仪用PFA进样管
    CETAC ASX-112FR-NEPTUNE Plus多接收等离子质谱仪用进样瓶、进样管材料:PFA或四氟体积:10、35ml可定制型号:NJ-ZH
  • ETP电子倍增器-用于磁质谱 14132
    质谱行业的革新 ETP 公司是SGE 集团下属的子公司,为质谱行业提供产品与解决方案的先行者。自1980 年起,ETP 公司就一直致力于电子倍增器的开发。ETP 电子倍增器使用广受好评的活性膜专利技术,使其拥有优异的性能和长久的使用寿命。ETP 的产品是全球终端用户和制造业者的不二之选。 电子倍增器(ETP)工作原理质谱仪的组件一般质谱仪所含组件如下列图1 所示:进样装置和分离装置、离子源、质谱分析组件、离子检测和数据处理系统。 ETP 电子倍增器有两年的货架质保期,所以很多用户可以留一个替换的倍增器备用,以便及时更换,将停机时间缩到最短。 电子倍增器的特点专利材料,具备非常高的二次电离效能;空气稳定性;2 年的保质期保证;非连续打拿极设计,延长使用寿命。 ETP 生产的电子倍增器采用了专利的材料,该材料具有多种适合制造电子倍增器的特性,有非常高的二次电离能力,从而使每一个打拿极都有非常完美的电子增量。此材料在空气中相当稳定,实际上ETP 电子倍增器可以在使用前可存放数年。ETP 电子倍增器所使用活性膜材料具有超高稳定性,使得ETP 有2年质保期。许多测试实验室都留一个替换的ETP 电子倍增器备用、可以即时安装,这样可以使仪器停机时间缩到最短,从而提高了工作效率。典型的GC-MS用ETP电子倍增器打拿极的有效面积约为1000mm2,而连续打拿极电子倍增器的有效面积仅为160mm2 (一个直径1mm和50mm长的通道),这增加的表面积扩大了电子倍增过程的“工作量”,有效地减缓了老化过程、延长了工作寿命并且增加了电子增量的稳定性。 活性膜技术活性膜倍增器(Active Film Multipliers)兼有单通道打拿极和非连续打拿极技术的最佳特征:? 最高的敏感度;? 长寿命;? 最宽的动态范围。 离子光学最优化打拿极光学特性进行了最优化从而获得离子检测的最高效能,从而得到最高的灵敏度并提高仪器的信噪比。 活性打拿极半导体生产工艺的新技术生产出高效率的打拿极表面,它具有绝对的空气稳定性,打拿极表面积大将得到更长的使用寿命和非常宽的动态范围。 厚膜电阻器单片电路厚膜电阻器是为获得最佳的动态范围和最长使用寿命的各种应用特别设计的。 所有的ETP 采用多重电子倍增电极,因为具有比通道式倍增的表面积,从而使用寿命更长和灵敏度更高。ETP电子倍增器是在空气中稳定,它们可以反复暴露于大气中而不退化,可以保存两年之久。ETP电子倍增器-用于磁质谱订货信息:生产商和仪器类型货号CamecaSIMS 3F 和 4FSIMS14133SIMS 5F 和 6FSIMS14133HInficon (Balzers)SEV 217SIMS14140JEOLAX 和 SX 系列Multiple14185KratosMS25、MS50、MS80Multiple14132Nu InstrumentsNu PlasmaMagnetic Sector14143Nu Plasma 带过滤器、Nu AttoMMagnetic Sector14144Thermo Electron MATMAT 262、NeptueMultiple14180HVG AnalyticalZAB、7070 系列Multiple14130
  • 定制CETAC自动进样杯PFA多接收质谱仪进样管
    CETAC ASX-112FR-NEPTUNE Plus多接收等离子质谱仪用进样瓶、进样管材料:PFA或四氟体积:10、35ml可定制型号:NJ-ZH
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制