抗磁场温度传感器

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。 Figure 1. sensor on test assembly 产品特点:• 超高分辨率• 超低噪音性能• 可在极低温条件下使用• 大动态范围• 高线性• 超低功耗运行 简述:利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。 应用包括：• 精密磁场测量• 场梯度和边缘场的精确映射• 高精度位置，旋转和速度感应• 低温下的超低功率场测量 产品优点:可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：• 可以在 1.8 K - 353 K的极端温度下运行• 在大磁场范围( 9 T)内ppb磁场变化的分辨率• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向 需要特定要求，请联系我们info 性能特点:ParameterSymbolValue (typical)UnitNotesMaximum operating temperature rangeT1.8 to 353KPerformance guaranteed within this range. Operation 1.8 K is possibleMeasurable field rangeB+/- 9TSee Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearityOpen Circuit SensitivityS1100V/AT@ room temperature. see Fig 3 for change with temperatureOpen Circuit Hall VoltageVH110mVI=IN and B=1 T, increases with reducing temperature Spectral Noise Density SDT7 μ???√????10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) Resolution, based on SDT on a 1 T field RSND7 ppm10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)RMS noise??T2?40?T0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)2810 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)Linearity of Hall Voltage% of full scaleFL0.5%-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T rangeCorrected Linearity0.01%-1 to 1 T, after 3rd order correctionPlanar Hall EffectHPL10μTAt I=IN , 1 TNominal Supply CurrentIN0.1mACan be operated down to I=10 nAMaximum Supply CurrentImax1mASupply Side Internal ResistanceRIN22k?B=0 THall Side Internal ResistanceROUT22k?B=0 T Offset Voltage VR08mVTypical offset voltage at I=IN and B=0 T0.6mVMin offset voltage at I=IN and B=0 T34mVMax offset voltage at I=IN and B=0 TTemperature Coefficient of SensitivityTCS-4.7V/AT/K@ room temperature, IN 高场和低温性能 Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T. 封装信息有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。PinNotesVIN+1 or 11Input voltage can be supplied with eitherpolarityVIN-11 or 1VH+6 or 16Hall voltage polarity willdepend on VIN polarity and field polarityVH-16 or 6

K3A低温 低噪声磁场传感器/低温特斯拉计昊量光电全新推出的K3A低温低噪声磁场传感器/低温特斯拉计。K3A低温低噪声磁场传感器/低温特斯拉计可精确测量低至约1K的低温下磁场的大小和方向。尺寸为4.5 x 4.5 x 9mm，其传感器头非常紧凑。它具有蕞小的场敏感体积，小于0.6 mm3。高精度电子器件具有极低的漂移，超高分辨率和低噪音。K3A低温低噪声磁场传感器为每个磁场方向提供模拟电压。可在低温下进行精确校准(0.25%)和高场校准(高达±9 T)K3A低温低噪声磁场传感器/低温特斯拉计突出亮点&bull 在低温下测量3D (Bx, By, Bz)磁场，温度低至约1k&bull 高度紧凑的传感器头:4.5 x 4.5 x 9mm&bull 蕞小的场敏感体积小于0.6 mm3&bull 稳定，低噪音，超高分辨率和低漂移电子&bull 在固定温度下精确校准0.25%至5 K可作为选项&bull 高场校准高达±9 T可选磁性和电气规格范围规格可选择备注Measurement range±2 T ±2 T ±5 T ±9 TStandard calibration at room temperature, optional @ any temperature down to (4 ± 2) K.Output±10 VDifferential output @ ±full scalecalibration accuracy1 %0.25 %Percentage defined with respect to full scale field up to ±5 T. Optional: 0.25 %, a corresponding High-field DC Calibration table is providedOffset 0.5 mTOffset fluctuation and drift 2 µ T (1 ppm full scale)@ Room temperatureLong term stability of sensitivity 1 % over 10 yearsTemperature coefficient 25 ppm/KNoise spectral density @ f 1 Hz 0.06 µ T/Hz1/2Region of 1/f-noiseNoise spectral density 0.04 µ T/Hz1/2Region of white noise (@ f fC)Corner frequency fC10 Hzwhere 1/f-noise = white noiseFrequency Bandwidth0 - 1 kHzRecommended operating conditionsParameterMinTyp.Max.UnitProbe operation temperature177320KElectronics operation temperature102335°CSupply Voltage mains115230VElectronics supply voltage0 - 24VDimensions and weightParameterUnitElectronic box size230 x 109 x 45mmElectronic box weight0.8kgInterconnecting cable length12mProbe size4.5 x 4.5 x 9mmSize of field sensitive volume1.5 x 1.3 x 0.3mm3A低温低噪声磁场传感器/低温特斯拉计应用领域&bull 在低温下绘制磁场分布&bull 对脉冲振荡器系统进行特性描述&bull 应用于实验室中&bull 磁体系统的质量控制和监测产品详细信息可联系我们或下载数据资料！关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

F3A模拟磁场传感器/模拟高斯计F3B昊量光电全新推出的F3A模拟磁场传感器/模拟高斯计F3B。 F3A模拟磁场传感器/模拟高斯计F3B表示一系列磁场-电压传感器，带有完全集成的三轴霍尔探头。霍尔探头包含一个 cmos 集成电路，其中集成了三组相互正交的霍尔元件、偏置电路、放大器和温度传感器。集成霍尔元件所占面积非常小（150 x 150 µ m2），因此探头的空间分辨率非常高。CMOS 集成电路技术使垂直和水平霍尔元件的制造精度非常高，从而使探头的三个测量轴具有很高的角度精度（正交误差小于 1°，测定精度优于 0.1°）。集成磁探头将高精度磁场测量所需的所有元件集成在单个芯片上，是一种前所未有的超高性能磁性检测设备。磁探头（模块H）所连接的控制电路（模块E）是根据各种磁探头负责产生偏置电流、放大、线性度校正、偏移调整、频带限制等的控制电路。 从E模块，每个轴输出（差分）与检测到的磁通密度成比例的电压。 它还输出与探头尖端温度成比例的电压。F3A模拟磁场传感器/模拟高斯计F3B是一款仅有的完全集成的 3 轴磁传感器，可以在单个点检测三个方向的磁通密度，从而实现高精度的 3 轴测量。由于典型的3轴特斯拉计/高斯计是通过在磁探头尖端布置三个磁传感器来制造的，因此每个磁传感器具有不同的位置来检测磁性，因此无法检测准确的磁矢量。这个问题的解决方案是一个完全集成的3轴磁传感器。配备该传感器的特斯拉计/高斯计可以在所有条件下测量精确的 3D 矢量，例如永磁体的接近磁场、小线圈产生的磁场以及以前无法实现的时间变化。F3A模拟磁场传感器/模拟高斯计F3B产品特点：完全集成的CMOS三轴霍尔探头(Bx, By, Bz)，其中一个，两个或三个通道使用极高的空间分辨率比：0.03 x 0.005 x 0.03 mm3 Bx & Bz: 0.15 x 0.01 x 0.15 mm3角精度高:探头三个测量轴之间的正交误差为＜±1°采用改进的测量算法，测量精度优于0.1°高频带宽:蕞大DC ~ 25khz (-3 dB)极低的平面霍尔电压探头内集成温度传感器，进行温度补偿探头上的感应回路可忽略不计F3A模拟磁场传感器/模拟高斯计F3B典型应用永磁体的表征和质量控制磁体系统的开发绘制磁场地图磁体系统（发电机、电机等）的质量控制和监控应用于实验室和生产线F3A模拟磁场传感器/模拟高斯计F3B探头参数：Hall Probe Type:类型External Dimensions（外壳尺寸）: L x W x H (mm)特点Type A 1)坚固型 长度：16.5 宽度：5.0厚度：2.3探头表面到传感器传感器的距离：1.0±0.1mmType-A.pdfType C 2)高温测量型长度：8.0 宽度：4.0厚度：0.9探头表面到传感器传感器的距离：0.45±0.05mm 温度范围：-40°C~+155°CType-C.pdfType H 3)长型1- HL长度：71 - HM长度：47- HS长度：8宽度：2.0厚度：1.1Type-H.pdfType K 4)长型2- KL长度：71 - KM长度：47- KS长度：8宽度：2.0厚度：0.5Type-K.pdfType L 5)长型3-LL长度：71 -LM长度：47-LS长度：8宽度：0.64厚度：0.28Type-L.pdf产品详细信息可联系我们或下载数据资料！更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。