微波等离子原射仪

绿色、环保、低成本、空气运行的元素分析技术 安捷伦4100 MP-AES拥有更安全、更经济、更高效的运行速度。更高的灵敏度、更低的检测限（亚ppb级）、全面超越火焰原子吸收光谱仪的分析效率。最具创新的是：安捷伦4100 MP-AES 采用了空气运行，无需再使用易燃及昂贵的气体，极大地降低了运行成本，提升了实验室的安全保障。产品特点最低的运行成本：安捷伦 4100 MP-AES 无需使用易燃、昂贵的气体，可实现无人值守操作，大大降低了运行成本高性能：电磁耦合微波等离子体光源相比原子吸收的火焰原子化器， 提供了更加优异的集体耐受力和适应力，以及更加出色的检测限简洁实用：专业的应用软件程序设计，即插即用的硬件设置，确保任何用户都能够快速安装操作，无需复杂的方法开发、校准或培训更高的实验室安全：除了无需使用易燃的氧化性气体外，4100 MP-AES使实验室无需引入多种复杂气体，无需人工搬运气体钢瓶可靠、耐用： 4100 MP-AES 运行稳定，适应性强。适用于危险气体采购价格昂贵、运输不便的边远地区，是采矿、食品及农业、化工、石化和制造等行业的理想选择

设备介绍：微波等离子清洗机的机理，主要是依靠等离子体中活性粒子的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。就反应机理来看，等离子体清洗通常包括以下过程：无机气体被激发为等离子态；气相物质被吸附在固体表面；被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；产物分子解析形成气相；反应残余物脱离表面。设备特点：微波等离子清洗机技术的最大特点是不分处理对象的基材类型，均可进行处理，对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。微波等离子清洗机还具有以下几个特点：容易采用数控技术，自动化程度高；具有高精度的控制装置，时间控制的精度很高；正确的等离子体清洗不会在表面产生损伤层，表面质量得到保证；由于是在真空中进行，不污染环境，保证清洗表面不被二次污染设备应用：微波等离子清洗系统广泛应用于晶圆、玻璃基板、陶瓷基板、IC载板、引线框架、IGBT模块、带治具的MEMS传感器、射频器件等领域的表面处理

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

微波等离子系统全自动系列简介：ALPHA Plasma 在半导体和电子行业里是一个全球化运营的微波等离子系统设备供应商。我们专注于为晶圆制造和芯片封装产业提供先进的低压微波等离子技术。我们的目标不仅仅是提供我们的精密设备，更是为我们客户提供一个能改进工艺的一站式等离。ALPHA Plasma 的Q系列产品主要包括批处理式的2.45Ghz微波等离子去胶机，可以快速且无害的去除光刻胶。并且可以满足大多数在Descum过程中对一致性的严格要求。除此之外，当Alpha Plasma Q系列产品配置一个晶圆用的加热卡盘时，它同样可用于单片晶圆的其他苛刻应用，比如SU-8,PI去除等。技术选型指南：Q 150Q 235Q 240Process Chamber石英 QuartzGlassChamber Size(mm)φ150 x L260φ240 x L260φ240 x L460Volume(L)61121最大样片尺寸 Wafer Size4”6”8” Chamber door铝制抽屉式,带微波屏蔽观察窗Aluminum,drawer type door with viewing port工作压力 Working Pressure(Pa)≤100 Microwave Source2.45GHz,50~600W连续可调50~600W Adjustable2.45GHz,50~1200W连续可调50~1200W Adjustable Gas Supply标配2路MFC控制最大支持6路2 MFC Standard,Max to 6标配3路MFC控制最大支持6路3 MFC Standard,Max to 6 Vacuum GaugePirani, 1~1*105 PaBaratron, 1~1000PaVacuum Valve电子气动阀 Electro-pneumatic valve显示屏尺寸 Display Size7”10.4”10.4”InterfaceEthernet,USB,RS 232 System Control正版Windows Embedded Compact 2013,触摸控制图形界面显示, 图形化参数设置 支持权限控制、安全互锁、多级菜单设置 可保存并 导出运行、报警、错误等数据 导出数据格式兼容Windows Office软件。Windows Embedded Compact 2013, Graphical user interface Software.Dimensions(mm)W500*H370*D550W620*H500*D550W760*H775*D775Weight(Kg)407095Utilities1 connection 3/N/PE AC 50/60 Hz 400/240 V 16 AVacuum Pump标配干泵，可选配油泵 Dry pump or oil pump on request.Options:Wafer Boat√Light Tower-√HT加热台盘 Heating Chuck-√TC温控台盘Temperature Control Chuck -√

微波等离子清洗去胶机用于半导体生产中晶圆的清洁和等离子体预处理，微波等离子高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。微波等离子清洗机实现清洁、活化去胶、刻蚀功效台式微波等离子去胶机采用高密度2.45GHZ微波等离子技术，用于集成电路、半导体生产中晶圆的清洁去胶、硅片去除污染物和氧化物、提高粘接率，微波等离子体清洗、去胶机能够对微孔、狭缝等细小的空间进行处理，具有高度活性、效率高，且不会对电子装置产生离子损害。 通过工艺验证，微波等离子清洗机降低了接触角度，提高了引线键合强度。台式微波等离子清洗机的相关应用 等离子清洗机器的应用包括预处理、灰化/光致抗蚀剂/聚合物剥离、芯片碰撞、静电消除、介质蚀刻、有机污染去除、芯片减压等。使用等离子清洗机不仅能去除光致抗蚀剂和其他有机物质，而且可以活化和增厚芯片表面，提高芯片表面的润湿性，使芯片表面更有粘合力。微波等离子清洗机在半导体封装工艺中的应用：1. 防止包封分层2. 提高焊线质量3. 增加键合强度4. 提高可靠性，尤其是多接口的高级封装为何选择我们？专注研发、制造、生产各种规格等离子清洗机20多年，合作企业涵盖半导体、电子、光电、纺织、塑胶、汽车、塑胶、生物、医疗、印刷、家电、日用品及环保等众多行业，服务过300+优质客户免费咨询讲解、免费样品测试处理、免费上门培训安装调试可根据不同的客户需求提供一对一定制化设备解决方案，欢迎来厂考察

产品特点 WB240等离子清洗机/去胶机采用专利高密度微波等离子技术，用于半导体生产中晶圆的清洁、去胶和等离子体预处理，微波等离子体清洗具有高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。 　微波等离子清洗机主要用途：等离子体表面改性有机物表面等离子去胶邦定强度增强等离子体刻蚀应用等离子体灰化应用增强或减弱浸润性其它等离子体系统应用 技术参数◆ 外形尺寸(不包括报警灯) 1000(W)×800(D)×1750(H)mm◆ 仓体结构 石英，约20升 ◆ 等离子发生器(德国) 频率2.45GHZ,功率0-1000W连续调节,可连续长时间工作◆ 控制系统 触摸电脑+PLC全自动控制,采用欧姆龙、西门子等世界著名品牌电器元件，性能稳定可靠,并具有手动、自动两种模式◆ 真空系统(真空压力PID闭环自动控制) 英国爱德华斡旋式干泵 美国MKS真空压力控制节流阀及薄膜式传感器 台湾气动真空角阀、充气阀、不锈钢真空波纹管◆ 充气系统 美国MKS高精度电子质量流量计(3路气体配制) 美国世伟洛克气体管路及接口组件，德国双级减压阀 日本SMC及CKD高真空气阀组件 相关应用-晶圆光刻胶清洗

WB5050是使用微波等离子体发生器的远程冷等离子体刻蚀系统。手动设备适合于许多不同的应用，例如应力去除、特殊表面合理和晶圆减薄。该等离子系统的干法刻蚀作用是由下游腔室引导的活性等离子微粒（自由基）产生的纯化学反应。　WB5050微波等离子刻蚀机操作简便，易于手工装载和卸载。该工艺不需要任何额外的基体清洗。严格使用纯自由基进行表面处理。无电子和无离子工艺是成功处理NAND和DRAM等极端敏感的硅基体的关键因素。等离子体由位于工艺腔室顶部，距晶圆上方2.45 GHz的磁控管产生，可以处理所有尺寸的晶圆，包括8"和12" 的带框架的晶圆。　 该等离子刻蚀设备适用于工艺开发和中试生产产品特点： 极低的基板热负荷，专为SU-8灰化及硅蚀刻进行了优化（如MEMS应用） 可蚀刻或移除所有有机物质如SU-8，或其他环氧基物质 速度快 无有机残留物 纯化学蚀刻：无离子损伤，各向同性 无热冲击：仅依靠反应能量进行。对金属无损伤，如镍, 镍/铁, 金, 铜等 对硅及硅化合物仅有极轻微损伤，如SiO2 或 Si3N4 可进行高度比极大的蚀刻 可剥离超厚光刻胶层（大于1mm） 能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻 温度控制高达200℃ 基板尺寸可达 460mm x 460mm 高蚀刻速率 在超大面积上超过200um/h(批量9x6”晶圆) 并与厚度无关 硬烘烤条件(HB)下蚀刻率与穿透性无关； 非HB及200℃ HB的蚀刻率差别小于10% 高度自动化，对每块基板可实现结束点检测 高度符合环保要求 相关应用- MEMS- 半导体晶圆刻蚀

产品特点 WB4545采用高密度微波等离子技术，用于半导体生产中晶圆的清洁和等离子体预处理，微波等离子高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。等离子体表面改性有机物表面等离子体清洁邦定强度增强 等离子体刻蚀应用等离子体灰化应用增强或减弱浸润性去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用焊接前进行表面清洁、去除焊剂、引线键合之前的表面准备消除表面污染、表面消毒相关应用防止包封分层提高焊线质量增加键合强度光刻胶剥离或灰化清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高可靠性，尤其是多接口的高级封装产生亲水或疏水表面产品优势：先进微波技术 ，清洗干净彻底，无残留成份，无需干燥处理无电极等离子发生器和高密度自由基使料盒内部清洗处理达到高度一致性定制等离子反应器气体输入和泵速的控制离子密度高，一致性好在线兼容优化加工条件 低运营成本无废水，符合环保要求低能耗 技术参数 ◆ 外形尺寸(不包括报警灯) 1000(W)×800(D)×1750(H)mm ◆ 仓体结构(铝，约125升) 450(W)×450(D)×450(H)mm ◆ 旋转平台 Φ 350mm ，转速可调节◆ 等离子发生器(美国) 频率2.45GHZ,功率0-1200W连续调节,可连续长时间工作◆ 控制系统 触摸电脑+PLC全自动控制,采用欧姆龙、西门子等世界著名品牌电器元件，性能稳定可靠,并具有手动、自动两种模式 ◆ 真空系统(真空压力PID闭环自动控制) 英国爱德华爪式干泵 GV100 美国MKS真空压力控制节流阀及薄膜式传感器 台湾气动真空角阀、充气阀、DN63不锈钢真空波纹管◆ 充气系统 美国MKS高精度电子质量流量计(2路气体配制) 美国世伟洛克气体管路及接口组件，德国双级减压阀 日本SMC及CKD高真空气阀组件

PLASMA-PREEN 微波级等离子清洗机是 一台小型台式设备，可以用来清洗和刻蚀。 PLASMA-PREEN 等离子清洗机系统融合了诸多工艺特点，并在众多的应用领域中得到了肯定。产品特色负载循环控制 模拟功率控制 处理机存储 水冷底座 减少污水排放 安全保护设计 操作简便 维护方便适用工艺打线垫清洗清洗 Pd-Ag 裸芯片垫清洗镀金部件 环氧溢出物去除 去除光刻胶 清洗陶瓷基片 清洗玻璃部件 清洗光学部件 清洗半导体表面 塑胶密封剂去除--失效模式分析塑料表面上胶处理 清洗镀银部件 减少金属氧化物 去除油渍或是环氧残留物应用范围混合电路板制造中基片的清洗打线工艺前清洗电子部件,提高其可靠性锡焊或焊接工艺前,关键性镀金部件的清洗清洗半导体元器件光刻胶去胶上胶、印刷和其它表面浸湿操作的表面准备镀膜前对光学器件清洗清洗石英、蓝宝石及其它材料微波级(2.45GHz)等离子处理的四大优势A 极低自偏电压，无损伤的温柔工艺B 高电子密度，处理效率更高；C 舱体内无内置电极板，洁净度更高D 无紫外光辐射，操作更安全；

PLASMA-PREEN 微波级等离子清洗机是 一台小型台式设备，可以用来清洗和刻蚀。 PLASMA-PREEN 等离子清洗机系统融合了诸多工艺特点，并在众多的应用领域中得到了肯定。产品特色负载循环控制 模拟功率控制 处理机存储 水冷底座 减少污水排放 安全保护设计 操作简便 维护方便适用工艺打线垫清洗清洗 Pd-Ag 裸芯片垫清洗镀金部件 环氧溢出物去除 去除光刻胶 清洗陶瓷基片 清洗玻璃部件 清洗光学部件 清洗半导体表面 塑胶密封剂去除--失效模式分析塑料表面上胶处理 清洗镀银部件 减少金属氧化物 去除油渍或是环氧残留物应用范围混合电路板制造中基片的清洗打线工艺前清洗电子部件,提高其可靠性锡焊或焊接工艺前,关键性镀金部件的清洗清洗半导体元器件光刻胶去胶上胶、印刷和其它表面浸湿操作的表面准备镀膜前对光学器件清洗清洗石英、蓝宝石及其它材料微波级(2.45GHz)等离子处理的四大优势A 极低自偏电压，无损伤的温柔工艺B 高电子密度，处理效率更高；C 舱体内无内置电极板，洁净度更高D 无紫外光辐射，操作更安全；

微波等离子去胶机VP-RS20真空腔体不锈钢材质，腔体容积20升，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到去胶、清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体刻蚀、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA等离子体去胶处理。

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

这是一款通用型的落地式微波等离子清洗机，适合用规模化生产应用。支持各种substrate, leadframe或者晶圆封装前的清洗应用，一般应用于wire bonding, molding, underfill，soldering等工艺之前；也可以用于芯片堆叠前/晶圆表面活化。应用-封装清洗(PCB,LF,Module,SiP etc)-晶圆清洗(Max.300*400mm)-晶圆级封装解决方案-微流控芯片PDMS绑定-表面活化/亲水性处理-氧化物/有机物去除参数

微波等离子去胶机： 产品优势：去胶快速干净对样片无损伤操作简单安全设计紧凑美观产品性价比高 应用领域：高剂量离子注入光刻胶的去除湿法或干法刻蚀前后残胶去除MEMS中牺牲层的去除去除化学残余物去浮渣工艺SU-8光刻胶去除

微波等离子体去胶机VP-Q10等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积10升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

PVA-TePla微波等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，去胶均匀。典型应用：去除光刻胶 Photo-resist stripping 去除残胶 Wafer descum晶圆和衬底的清洁 Wafer and substrate cleaningsu-8灰化 Su-8 ashing氮化硅、聚酰亚胺等的刻蚀 Etching of silicon nitride, pi, etc.刻蚀钝化层 Etching of passivation layers逆向分析/失效分析中的器件开封 Device decapsulation for failure analysis微量分析中低温材料灰化 low temperature ashing of materials for chemical trace analysis过滤器和薄膜的清洁 Cleaning of filters and membranes规格参数：2.45GHz风冷微波电源（0～600w可调），石英或陶瓷腔体，防腐蚀不锈钢MFC,多至6路气体，兼容8英寸及以下晶圆PC 工控机控制，运行数据自动存储；分级控制权限，防止操作图形化触控屏界面，运行状态图形化实时显示。自动/手动随意切换可选配法拉第桶可选配温控系统可选配压力控制系统外形尺寸：775×749×781 mm 认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001IoN Wave 10 等离子体去胶机是PVA TePla 在微波等离子体处理工艺中的新产品。该批次式晶圆灰化设备成本低廉、尺寸适用、性能先进。IoN Wave 10 使用新的、性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制。其工艺监测和数据采集软件可实现最严格的质量控制。IoN Wave 10 占地面积小，安装维护简单。依靠微波等离子体技术，该设备在提供极高的光刻胶灰化速度的同时，降低了产品暴露在静电中风险。

MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的 作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的 相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas 公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转 化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积 质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制 备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1.CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团，因此为高速 生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节 和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技 术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体团集中在腔体中，远离石英管，所以对石英管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

产品应用适用于新材料（包括薄膜，纤维，粉末以及高性能复合材料等）的制备，金属制品的表面强化和防腐蚀，纺织品的后整理，高聚物聚合及其表面改性，微电子器件及高功率电子器件和光电子器件的制造，纳米材料的制备和器件的开发，高效照明光源和紫外光源的开发，有毒有害气体的分解净化及其它三废处理等多个工业技术领域。产品特点1、采用卧式高温管道式腔体结构，气路为左进右出，中间设置等离子观察口2、左侧设置2路混气气氛结构3、设置防漏波监视口，等离子激发状态，观察内部等离子体反应情况4、采用PLC程序控制模式，具有更智能的工艺控制模式。技术参数产品类型微波等离子体炉型号 / 品名MKP-T2HA 微波等离子体炉微波参数功率0～1600W / 2450MHz 无级可调微波腔体材质 / 密封不锈钢一体焊接成型，真空密封，极限真空-0.099MPa等离子腔体反应器卧式石英管结构，微波等离子产生区（40×400mm）观察口单观察口气流控制系统全密封，采用真空结构，进出气口，2路气氛操控系统温控～1700℃红外测温控制PLC智能控制，彩色触摸屏人机对话操作数据支持预制多个方案，多段记忆，数据导出；时间、温度曲线显示，即时监控安装尺寸宽*深*高1500×800×800mm，台式放置

系统配置：■安捷伦4100MP-AES微波等离子体原子发射光谱仪■必须的组件（管道、线路）这台仪器状况良好，已经在SpectraLabScientific进行了测试。所有套件和组件均包含90天保修。仪器实物图：仪器简介：◇最低的运行成本——安捷伦4100MP-AES无需使用易燃、昂贵的气体，可实现无人值守操作，大大降低了运行成本◇高性能——电磁耦合微波等离子体光源相比原子吸收的火焰原子化器，提供了更加优异的集体耐受力和适应力，以及更加出色的检测限

产品应用适用于新材料（包括薄膜，纤维，粉末以及高性能复合材料等）的制备，金属制品的表面强化和防腐蚀，纺织品的后整理，高聚物聚合及其表面改性，微电子器件及高功率电子器件和光电子器件的制造，纳米材料的制备和器件的开发，高效照明光源和紫外光源的开发，有毒有害气体的分解净化及其它三废处理等多个工业技术领域。产品特点1、采用井式高温管道式腔体结构，密封盖体可以自动升降，取放物料更方便2、密封盖体上设置4路气氛结构，2路喷雾接口，设置旋转电机，驱动内置托架和物料3、设置防漏波监视口，（1）平常状态下LED灯观察内部物料情况（2）等离子激发状态，观察内部等离子体反应情况4、采用PLC程序控制模式，具有更智能的工艺控制模式。技术参数产品类型微波等离子体炉型号 / 品名MKP-T4UA 微波等离子体炉微波参数功率0～3200W / 2450MHz 无级可调微波腔体材质 / 密封不锈钢一体焊接成型，真空密封，极限真空-0.099MPa等离子腔体反应器卧式石英管结构，微波等离子产生区（Φ300×400mm）观察口单观察口气流控制系统全密封，采用真空结构，进出气口，6路气氛操控系统温控～1700℃红外测温控制PLC智能控制，彩色触摸屏人机对话操作数据支持预制多个方案，多段记忆，数据导出；时间、温度曲线显示，即时监控安装尺寸宽*深*高1200×1000×1900mm，落地放置

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统主要用途：★该系统既可用作传统的化学气相沉积设备，又可用作微波能化学气相沉积设备，同时又是微波等离子化学气相沉积设备★主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域★该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能，微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰［3］、纳米粉体合成、处理水污染等领域 产品特点：★垂直反应器的设计可使等离子高密度；对称的微波发生器装置，使产生的等离子环境更均匀★谐振腔内没有内部电极，可以避免电极放电所产生的污染，而且，它的运行气压范围比较宽，所产生等离子体密度高、区域大，稳定性高，且不与真空器接触，从而避免了器壁对薄膜的污染★操作便捷：气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构，使取放物料过程简化，只需一支卡箍便可完成气路连接，方便操作，取消了复杂的法兰安装过程，减少了安装造成的损坏★多功能：4种加热方式可选可变：微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热；适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理★双温区结构：上部等离子区或加热区下部样品台加热区★独家开发的微波场专用传感器，精准控温★安全：独家采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计，多重防泄漏保护*标配装有专业微波抑制器*内置微波泄漏传感器★节能：使用寿命长：磁控管微波加热，避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题，也避免了因加热元件损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源，确保设备能够连续稳定长时间运行★嵌入式微机一体化温度控制系统；实现稳定性控温★无须烘炉过程：炉腔整体自身发热，加热均匀★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度★配有万向轮调节底脚，方便移动和固定 技术参数：型号/modelWBDQC-4可加热材料非易燃易爆的任何材料微波频率2.45GHZ±50MHz加热方式等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热最大功率/ KW(连续、可调)4样品腔长度标配100mm可根据用户需求订制加热样品腔(材质)石英管（微波等离子工作模式）石英管&刚玉管（其它加热方式）控温范围/℃1100℃石英样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选；1500℃刚玉样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm 可选；温度测试元件微波场专用传感器温度分辨率/℃0.1样品台最高温度范围室温-1200℃、更高温度可选配控温精度/℃ 1200℃以下±1；1200℃以上±2℃温度偏差/℃温度稳定波动度/℃冷却方式风冷恒温区长度/mm标配100mm可根据用户需求订制升温速率(标配)0～200℃/min（微波等离子工作模式除外）任意设定，可编程、分段加热温度控制方式10段可设工艺参数，7寸触摸屏操作，带数据存储功能；提供手动、自动、恒温控制模式，曲线实时显示控制气体控制气体：H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选流量控制标配 2 套质量流量控制器：七星华创（真空保护阀门后置，匹配真空模式）；精度：0.8%最大耐压1MPa；控制响应时间：10ms真空系统真空泵RVP2008；压力范围：10 -3 Torr~760 Torr最大抽速：8.5m 3 /h真空计数显真空计：1atm-10 -1 Pa标配质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件，可以内置实时显示和保存生长参数气路其他配置气柜、气路及阀门等端口不锈钢 KF50 法兰接口电源电压（V）220微波泄漏量/ mW/㎝2≤0.4外型尺寸（长′宽′高）/mm1100×750×1900 选配功能：质量流量控制系统；美国Alicat质量流量&控制器

沃特塞恩DM-8000型微波等离子体CVD设备可提供最大70mm金刚石生产能力，实现高效率、无人化管理的稳定批量产出。 超洁净级的真空系统 全进口的集成化供气系统 样品台冷却系统采用Duel-Loop控制 自动化的工艺生长控制系统 在线视觉检测功能DM-8000型微波等离子体CVD设备-专业的培育钻石设备，工艺简单易学，生长迅速，提供技术支持。人造钻石就是这么简单。需要更详细的参数请联系沃特塞恩销售人员，我们会给你发送详细的规格书，也可为你解答各种疑问！

法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150 SSDR150 微波等离子体化学气相沉积系统专门用于合成 CVD 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学级窗口。SSDR150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够完美地适用于高校科研和企业生产。 SSDR150 系统特点。 铝合金腔体+内置石英管反应室，支持长时间高功率下工作。工艺气压可达 350 mbar 或更高，可以高速率生长单晶。微波源为 2.45GHz、最大功率 6 kW，高耦合效率。标准配置 4 条气路，最多可增加至 7 条气路（掺杂气路）。2 英寸水冷样品台，高度电动可调、精度优于 10μm (可选)。双色红外高温计测试样品表面温度，范围 475-1475 °C。爱德华兹分子泵+ 干泵，最佳真空度≤ 3×10-7 mbar。高水平金刚石生长工艺培训及演示（内容根据应用而定）。全自动控制、半自动和手动可用，图形化操作界面（GUI）。多级用户设置和管理、远程诊断和维护、数据导出接口。多用途：高纯度单晶、厚单晶、大单晶、掺杂、光学窗口。设备维护少、安全、可靠、稳定、性价比高 应用领域。切削刀具、耐磨涂层、热沉材料、SAW。光学窗口、激光晶体、电化学电极、CNT。生物传感器、微机电系统、光电探测器。商用宝石、低压高温退火处理、量子计算 SSDR150 性能表现多晶金刚石:• 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• 生长速率: 高达 10 μm/h, 取决于生长工艺 单晶金刚石: • 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• EPR 测试氮浓度 : [Ns0] 1 ppb• 1332 cm-1 FWHM 金刚石拉曼谱线: 1.6 cm-1• 4000 – 10000 cm-1无红外波段吸收• 生长速率: 高达 20 μm/h, 取决于生长工艺条件

德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas Mpcvd 915MHz 系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-6" 2.45GHz系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独 家 专 利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

德 Iplas 微波等离子化学气相沉积详细细介绍德国 IPLAS 微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD), 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是世界公认的制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司专利的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，最大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。 化学机理概要：碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。 适用合成材料：大尺寸宝石级单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC） 多种等离子发生器选择： 频率：2.45GHz, 915MHz: 功率：1-2kW, 1-3kW, 3-6kW,1-6kW，5-30kW 等离子团直径：70mm, 145mm, 250mm, 400mm 工作其他范围：0-1000mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。

德国IPLAS MPCVD CYRANNUS 专利技术，微波等离子化学气相沉积第四代半导体，热沉器件，光学窗口Iplas公司与1997 年在德国科隆由Hildegard Sung-Spitzl博士及其丈夫Ralf Spitzl博士建立。两位创世人在基础物理和应用物理领域具有渊博的知识，并在等离子技术领域具有深厚的研究开发经验。Ralf Spitzl 博士至今已有逾三十多年的等离子物理研究经历，Ralf Spitzl 博士于 1996 年发明了CYRANNUS等离子源，并与 1998 年取得了CYRANNUS的第一个专利。2003 年 Iplas 制造了16" CYRANNUS I 等离子源，是世界上最大的可在大气压下运行的商用等离子源，同年因其CYRANNUS 技术的卓越性能，iplas 和美国阿贡国家实验室共同获得 R&D100 奖项。今天 Iplas已经拥有等离子技术领域的 20 余项国际专利。金刚石在Ir/YSZ/Si上的异质外延德国Audiaec公司采用的是德国IPLAS设备，目前德国Audiaec与DF公司合并了。Augsburg Diamond Technology GmbH利用化学气相沉积技术在外源衬底(异质外延)上合成单晶金刚石。同外延的普遍概念是需要适当尺寸的单晶金刚石作为种子，与此相反，我们的新方法采用多层体系Ir/YSZ/Si作为可扩展的衬底。 这一创新有助于首次在直径达100毫米的圆盘上合成单晶金刚石。IR/ YSZ /SI直径为100mm的异质外延金刚石合成衬底:铱/钇稳定氧化锆/硅，用于第四代半导体， 是第四代半导体的终极材料。钻石晶片：独立式单晶钻石圆盘，直径92毫米，重量155克拉产品具有独特尺寸的单晶钻石我们的钻石已经成功地集成在各种高科技产品中，如超精密加工的刀具，手术刀，固体钻石球体，ATR棱镜....为实现您的特定产品，我们可以提供不同形状，大小和晶体取向的单晶钻石。4p Geo A, 4p Geo B, 2p类型1,2p类型2，种子晶体，特殊形状，光学规格:尺寸a、b、c的标准公差:+0,25 / - 0,00mm(根据要求:+0,05 / - 0,00mm) 2p石头:poli创新科技培育钻石是在一台高新技术仪器中，模拟自然环境下天然钻石生成所需的环境而生成的钻石。培育钻石是由优秀的科学家、专业的工程师及娴熟的技术人员所创造，是人类科技智慧的结晶。专家预言本世纪最重要的发明将是会长大的钻石，是半导体的终极材料。培育钻石会取代硅在半导体的角色，研发第四代半导体，使人类科技进入另一世界，培育钻石作为一种新贵资源也将成为人们追逐的热点。

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括： 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子，有助于生长高质量的薄膜，也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制，以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项，能够实现自动操作，允许用户保存数据，编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN，氧化铝，石英