元析等离子体仪

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

Avio™ 200 系统能处理难度最高的、未经稀释的高基体样品，为ICP 带来全新的性能及灵活性。而且，前所未有的性能还带来了无可比拟的易用性。独特的硬件特性与业界最直观易用的软件相结合，使多元素测量变得与单元素分析一样简单。作为市场上最小巧的 ICP，Avio 200 可通过以下性能，提供最高效的操作、最可靠的数据和最低的拥有成本：所有 ICP 中最低的氩气消耗最快的 ICP 启动（从关机状态启动，光谱仪在短短几分钟内即可准备就绪）对所有适用的元素都具有出色的灵敏度与分辨率具有双向观测技术的最宽线性范围性能可靠、功能强大、经济实惠、Avio 200 具备您所寻求的 ICP所具有的一切。既然可以成为开拓者，谁还愿意当操作者？Avio 200 ICP 专为满足最具挑战性的客户需求并超越此类需求而设计，凭借一系列专有独特的功能，可帮助您运行多个样品，所取得的成本效益远超以往任何时候。最低的运行成本借助获得专利的 Flat Plate™ (平板) 等离子体技术，Avio 仅需消耗其他系统一半的氩气量，即可生成强健、耐基体的等离子体，同时赋予您：所有 ICP 中最低的操作成本无需再进行与传统螺旋负载线圈有关的冷却和维护，提供出色的运行时间和生产力另外，为了提高效率，珀金埃尔默仪器具有获得专利的动态波长，稳定功能。可令您从关机状态启动，在短短几分钟内即可进行分析，因而您大可在仪器不使用时随意关掉。强大的双向观测功能与提供轴向和径向观测而牺牲性能的同步垂直双向观测 ICP 系统不同，Avio 200 系统获得专利的双向观测功能，可测量所有波长，不会造成光或灵敏度的损失。即使是波长大于 500 纳米或低于 200 纳米的元素也完全可以测量，即便是在 ppb 的含量水平。该 Avio 系统独特的双向观测设计也提供了可扩展的线性动态范围，确保实现：样品制备和稀释最小化高、低浓度可以在同一运行中进行测量更好的质量控制和更准确的结果减少重复运行集成等离子体观测相机可简化您的开发方法，同时借助 Avio 200 系统的 PlasmaCam™ 技术，尽享远程监控等离子体的便利。作为行业首创，彩色相机可帮助您：实时观测等离子体执行远程诊断查看进样部件革新性 PlasmaShear 系统，可实现无氩干扰消除为了消除轴向观测的干扰，需要消除等离子体的冷尾焰。没有其他同类仪器能比 Avio 200 更有效、更可靠或更经济。其他 ICP 消除尾焰需要消耗高达 4 升/分钟的氩气流量，Avio系统独特的 PlasmaShear™ 技术只需空气即可。无需高维护、高提取系统或锥体。就是一个完全集成的、完全自动化的、能提供无故障轴向分析的干扰消除系统。CCD 检测器，可实现无与伦比的准确度和精密度借助全波长功能，Avio 200 系统的强大电荷耦合器件（CCD）检测器能不断提供正确的答案。Avio 系统的 CCD 检测器可同时测量所选谱线及其谱线附近波长范围，实时扣背景，实现出色的检测精密度。在分析过程中，它还可以同时执行背景校正测量，进一步提高准确度和灵敏度。带有快速转换炬管底座的垂直等离子体，可实现无与伦比的基体灵活性即使 ICP 正在运行，Avio 200 系统的垂直炬管无需工具也能进行简便快捷的调节，可提供更大的样品灵活性并简化维护。炬管底座的设计与众不同，具有以下特点：一个可拆卸的、独立于炬管的中心管，旨在减少维护和破损的可能性自动自对准，即使在拆卸后也能提供一致的深度设置兼容各种雾化器和雾室，可提高灵活性友情提示：根据型号及配置不同，仪器价格会有不同，欲了解详情请与我司联系。

是一种用于产生等离子体的装置，通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺，以及半导体刻蚀和薄膜设备的预处理反应和清洗等。与传统等离子体源不同的是，RPS通常不直接接触要处理的表面，而是在一定距离之外产生等离子体，并将等离子体输送到目标表面，因此被称为“远程等离子体源”。应用特征采用新的固态微波源技术【非磁控管微波源】。具有很高的频率、功率稳定性，使用寿命长。自主开发的微波匹配器，能实现在不同气体条件下，快速进行微波源与等离子体的阻抗匹配。等离子体发生器材质可选，适用于多种气体。体积小、集成度高、便于更换。低颗粒污染 独特的等离子反应腔设计，适用于多种气体的电离与阻抗匹配。系统运行时，气体压力适应范围宽。气体电离率高、电离速度快。

仪器简介：Hiden EQP是一台结合质量和能量分析的仪器（Mass and Energy Analyser for Plasma Diagnostics），用于分析等离子过程中阴、阳离子、中性粒子以及自由基。技术参数：应用： 蚀刻 / 沉积作用研究 离子植入 / 激光烧蚀 残余气体分析 / 泄漏检测 等离子体电感耦合，即在操作中遵从电极设定条件 通过视口、接地电极和驱动电极进行分析主要特点： 软件控制的离子汲取光学系统，以使等离子体扰动最小 45°静电扇区分析器，扫描能量增量 0.05 eV / 0.25eV FWHM 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 带差式泵的三级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 高灵敏度 / 稳定的脉冲离子计数检测器，有7个数量级的动态范围 可调谐的离子源，用于电子附着选件的表观电势质谱分析 Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布随时间的变化 1000eV 选配, 漂浮电压可选至10keV, Faraday 杯用于高密度等离子体 Mu-Metal, Radio-metal 屏蔽可选,高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，控制软件MASsoft

产品信息将光谱学与QCM-D相结合。同时使用纳米等离子体光谱技术（NPS）和耗散监测型石英晶体微天平技术（QCM-D）进行实时测量。 主要特征a、同时获得相同表面上相同样品的干质量（折射率RI）、湿质量（声学）和黏弹性的实时变化。b、使用Insplorion的纳米等离子体光谱技术（NPS）和Q-Sense的耗散监测型石英晶体微天平技术（QCM-D）在完全相同的实验条件下同时测量。c、非常容易使用当配备Q-Sense窗口模块时，Insplorion Acoulyte直接安装在Q-sense Explorer（E1）和Analyzer（E4）仪器上。Insplorion Acoulyte传感器是具有NPS结构的Q-Sensor。技术指标传感器 尺寸直径 14 mm 衬底 SiO2涂层的QCM-D传感器 表面 纳米结构金 标准涂层 Si3N4, SiO2, Al2O3, TiO2 测量特征 光源 卤钨灯 灵敏度* 0.03单分子层 测量点直径 3 mm 时间分辨率 每秒10个采样点 典型噪音 0.01 nm 波长范围 450-1000 nmQCM-D的测量不受Acoulyte的影响。 尺寸(宽度x深度x高度) Acoulyte模块 8x5x3 cm Insplorion光学单元 25x27x9 cm 软件 兼容软件 Insplorer 操作系统 兼容Microsoft Windows操作系统 数据输出格式 ASCII码文本文件格式，直接使用的任何绘图软件都兼容此格式 分析的参数 分析的参数多参数输出(比如：LSPR峰处的共振波长和消光)应用领域NPS和QCM-D的互补性测量 感应深度 NPS干质量 30 nmQCM-D湿质量 300 nmAcoulyte干质量和湿质量深度分析InsplorionNPS技术在纳米等离子体光谱技术（NPS）中，纳米结构传感器的局域表面等离激元共振技术（LSPR）用于探测邻近传感器表面（30 nm）的折射率（与光/干质量有关）的微小变化。它能够极其灵敏地检测发生在传感器/样品界面处的变化过程。分子解吸附（吸附） 时间和深度分辨测量厚膜（~1 mm）的分子解吸附（吸附）。Acoulyte也可以辨别溶胀和吸附/解吸附事件。检测到什么？ NPS 邻近表面（30 nm）的折射率变化QCM-D 整个膜的质量变化。 脂质双层膜 Acoulyte能够更详细地阐释表面薄膜的形成过程。检测到什么？ NPS 囊泡吸附时折射率增大囊泡坍塌时折射率增大QCM-D 囊泡吸附时质量增大囊泡坍塌时质量减小气体吸附/解吸附 通过QCM-D技术和NPS技术的联用，就可以实现深度分析以及研究表面支撑膜内的扩散时间和机制。检测到什么？ NPS传感器/样品界面的折射率变化。QCM-D 整个膜和膜的顶部的质量变化。

产品信息Insplorion提供纳米等离子体传感器，它能够对传感器表面附近（30nm）的折射率变化进行超灵敏测量。传感器可以涂上一系列的材料，可以研究表面化学如何影响分子吸附和薄膜相变等过程。Insplorion还提供各种类型和尺寸的等离子体纳米结构，允许用户对表面形貌/结构如何影响表面过程进行系统研究。a、NPS非常适合研究表面形貌和/或化学对表面过程的影响。b、表面化学、结构和曲率影响分子的吸附以及吸附层的结构和组成。c、有多种传感器涂层可供选择，使得调整表面化学性质。d、Insplorion通过改变等离子体纳米结构的尺寸和形状，提供具有不同表面结构和曲率的传感器。产品应用纳米结构传感器Insplorion的纳米结构传感器是在当前最\高水准的洁净室环境中生产，保证了稳定性、重现性和良好的表面化学控制。纳米结构覆盖整个传感器区域，在表面形成准随机的图案。这些结构具有一致的尺寸和形状。Insplorion的标准传感器的纳米结构由金制成，但根据要求，还可以提供其他金属。纳米结构可以不加涂层或用薄的顶部涂层覆盖。传感器结构传感器结构有两种标准的传感器结构，一种是安装在表面上的圆盘，另一种是嵌在表面上的圆盘，形成一个平面。但应要求也有各种各样的其他结构，如圆锥，截锥，洞穴，球形的分面粒子，环，洞和井。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

1 模块功能THA2600型氩等离子体发射光谱分析模块可以安装于气相色谱分析仪，作为色谱分析的检测器，用于定量分析各种气体成分浓度。由于分析模块具有很高的灵敏度，因此适合不同浓度范围的分析，尤其适合微量或痕量气体分析，并使得色谱分析更加简便，分析结果更加准确。2 技术参数 壳体接地、24V-接地适用载气：高纯氩气分析成分：H2,O2,N2,CH4,CO,CO2,H2S,N2O,CNHM等；工作环境温度: (5～40)℃；输出信号：-2.5V～+2.5V；输出接口： DB9公头； 管脚定义说明1悬空2悬空324V+424V-*5悬空6高压使能与7脚短接时，内置高压电源工作；悬空或接24V时，内置高压电源停止工作。(如果内部已设置跳线，此引脚无作用)7GND*8信号-*9信号+*内部短接氩等离子体发射光谱分析模块24V直流电源：≥10W，纹波电流≤120mVp-p；气路接口：1/16英寸；流量范围：10mL/min～100mL/min；常规流量：20mL/min～30mL/min；含尘量：≤0.1um；尺寸：170*111*90mm；重量：约1.5kg。3 工作原理氩等离子体发射光谱分析模块采用高频高压电源电离气体，产生正电荷离子和自由电子，形成等离子体环境。正电荷离子、自由电子在电场的作用下分别加速移向负极、正极。由于碰撞，离子和电子将自身能量传递给原子，使得气态原子被激发。原子被激发后，其外层电子发生能级跃迁，在返回基态时发射特征光谱。通过对特征光谱的检测，分析出各种气体成分的浓度。4 技术特点u 原子发射光谱，灵敏度高，准确度高。u 高频高压电离源，稳定性好，无辐射、放射性问题。u 无消耗性部件，使用寿命长。5 典型工程应用领域u 空分氩气分析u 高纯气体分析u 环境空气监测u 工业流程中乙炔及碳氢分析u 科学实验室气相色谱u 工业在线气相色谱氩等离子体发射光谱分析模块

THA2700氦等离子体发射光谱分析模块仪器功能 THA2700氦等离子体发射光谱分析模块可以安装于气相色谱分析仪，作为色谱分析的检测器，用于定量分析各种气体成分浓度。由于分析模块具有很高的灵敏度，因此适合不同浓度范围的分析，尤其适合微量或痕量气体分析，并使得色谱分析更加简便，分析结果更加准确。工作原理氦等离子体发射光谱分析模块采用高频高压电源电离气体，产生正电荷离子和自由电子，形成等离子体环境。正电荷离子、自由电子在电场的作用下分别加速移向负极、正极。由于碰撞，离子和电子将自身能量传递给原子，使得气态原子被激发。原子被激发后，其外层电子发生能级跃迁，在返回基态时发射特征光谱。通过对特征光谱的检测，分析出各种气体成分的浓度。技术参数 工作环境温度: (5～40)℃；输出信号：-2.5V～+2.5V；24V直流电源：≥10W，纹波电流≤120mVp-p；气路接口：1/16英寸；流量范围：10mL/min～100mL/min；常规流量：20mL/min。技术指标分析成分：H2,O2,N2,CH4,CO,CO2,H2S,N2O,CNHM等；载气：高纯氦气；检出限：≤10×10-9；含尘量：≤0.1um；重量：约1.5kg；尺寸：170*111*90mm。技术优势u 原子发射光谱，灵敏度高，准确度高。u 高频高压电离源，稳定性好，无辐射、放射性问题。u 无消耗性部件，仪器使用寿命长。典型工程应用领域u 空分氦气分析u 高纯气体分析u 科学实验室气相色谱u 工业在线气相色谱

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)概要RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。选项干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。

PSM是一台差式泵质谱仪（In-Line Plasma Analysers for Neutrals, Radicals and Ion Analysis），分析等离子过程中的二次离子和中性粒子。 差式泵歧管，通过法兰与过程反应室连接 电子附着选件，具有可调谐的离子源，用于表观电势MS Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布VS时间 标准分析中性粒子、自由基，+ve / -ve 离子分析可选 灵敏度高 / 极稳定的3级过滤四极杆 质量数范围： 0 ~ 2500amu 脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 能量分析选件，标准 ±100eV（1000eV可选 ） Mu-Metal, Radio-metal屏蔽可选， 高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN ，软件MASsoft 控制

一、产品简介：常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。二、应用领域原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。三、产品参数分类技术参数整机功率300W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统单样品处理冷却系统外接制冷系统等离子体射流温度≤37℃四、应用案例案例一：放线菌抗生素产量显著提高突变率、正突变率分别为30%、21%，获得一株阿维菌素B1a产量提高23%。（常压室温等离子体对微生物的作用机理及其应用基础研究[D].王立言.清华大学 2009）等离子体诱变前后阿维链霉菌的形态变化（注：W为野生菌株；G1-8为典型突变菌株）案例二：藻类正突变率高、突变库表型丰富总突变率和正突变率在特异增长率上分别达到45%和25%，并且突变库中表型丰富。（PLOS ONE，2013,8（10）：1-12）案例三：应用ARTP诱变大肠杆菌，提高苏氨酸产量获得一株苏氨酸高产菌株，摇瓶产酸达到50.6 g/L，与出发菌相比，提高了99.6%，经50次传代，遗传性稳定。（现代食品科技，2013，29(8)：1888-1892） a1 a2出发菌株与1905#突变菌的菌体形态

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。 非转基因手段，保证生物的安全性 使用范围广，突变性能高 专有氦气等离子体诱变技术，能量高，基因损伤强度大 操作简便安全，易维护、运行费用低应用领域：原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。技术参数：分类技术参数整机功率500W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统6个样品连续处理和自动收集等离子体射流温度≤37℃应用范围原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）应用案例：案例一：应用ARTP诱变扭脱甲基杆菌AM1高产吡咯喹啉醌采用常压室温等离子体 (ARTP) 进行诱变，结合高通量快速筛选方法，得到以PQQ产量为指标的正向突变株。ARTP 诱变的菌株正突变率为31.6%，筛选得到的较优正突变株M. extorquens AM1(E-F3)，PQQ 产量达到54.0 mg/L，是出发菌株的近3 倍。（生物工程学报，2016,32(8)：1145-1149）案例二：应用ARTP茂源链轮丝菌，提高所产谷氨酰胺酶的酶活采用ARTP技术对链霉菌孢子进行诱变，突变率42.8%，正突变率20.6%，高产突变株G2-1酶活达到2.73U/mL，比出发菌株提高了82%。（微生物学通报，2010，37(11)：1642-1649）

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工SiC、SiO₂ 的高速加工蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料

PE-75等离子体清洗机作用于材料表面，使表面分子的化学键发生重组，形成新的表面特性，对某些有特殊用途的材料，在超清洗过程中等离子体表面处理仪的辉光放电不但加强了这些材料的粘附性、相容性和浸润性，并可消毒和杀菌。广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子科学、生物医学、微观流体学等领域。* 清洗晶体、天然晶体和宝石；* 清洗半导体元件、印刷线路板；* 清洗生物芯片、微流控芯片；* 清洗沉积凝胶的基片；* 高分子材料表面修饰；* 牙科材料、人造移植物、医疗器械的消毒和杀菌；* 改善粘接光学元件、光纤、生物医学材料、宇航材料等所用胶水的粘和力。 等离子体表面处理仪技术参数：设备型号：PE-75腔体尺寸：圆柱形腔体，内径10.75英寸（273mm）x深度10英寸（254mm）；腔体材质：T-6铝合金一体成型；腔体容积：13.8升；射频电源：13.56MHz；0~150W自动调节；工作压力范围：1-2000 mT；气体流量控制：0-25cc/min带精密针阀；皮拉尼真空计： 0-1Torr；选配：1、400W，50KHz；2、100W,13.56 MHz；（自动匹配网络） 3、300W,13.56 MHz；（自动匹配网络） 4、Venus PC控制功能，可以通过MFC控制气体；

Aurora Z10冷等离子体种子处理仪统提供“Activated Air”活性气体，就像雷击周围的空气一样，可以改善种子健康，提高整体植物产量。冷等离子体种子活化过程的核心优势是提高发芽的一致性和发芽率以及幼苗的生长速度，这反过来又提高了种植者的产量和产量。该系统是移动的，需要外部电源和互联网连接。系统通过云连接，远程机器监控易于掌控整个活化过程。特点：&minus CEA的先进种子健康系统，冷等离子体促进种子健康和作物产量&minus 仅使用空气和电力，不添加化学物质&minus 低工作功耗（200W）&minus 专为垂直农场和温室设计规格：样品仓：10L处理量：2升（1公斤）的种子10.4英寸触摸显示屏远程监控控制超低功耗小于200w重量：143Kg

常压室温等离子体（ARTP）同传统的低气压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪（ARTP Mutagenesis Breeding Machine）。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。非转基因手段，保证生物的安全性使用范围广，突变性能高专有氦气等离子体诱变技术，能量高，基因损伤强度大操作简便安全，易维护、运行费用低 截止到2022年08月29日，中文文献404篇，英文文献167篇，专利230篇，学位论文165篇，共计966篇。分类技术参数整机功率1000W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm操作室环境洁净室（百级洁净无菌风）样品处理系统7个样品连续处理和自动收集冷却系统内置制冷系统等离子体射流温度≤37℃工作环境要求温度15~25℃，湿度≤60%应用范围原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等)应用案例案例一：应用ARTP筛选耐高盐环境突变菌株经等离子体处理后，阴沟肠杆菌在含有7.5% NaCl的培养基中培养时出现耐盐突变株，对TPH的降解百分数比出发菌株高2.5倍，而且将突变株培养于LB + 9.0% NaCl条件下时，可快速地将K+积聚于细胞内、将EPS积聚于细胞外。（耐盐阴沟肠杆菌的选育及其在油盐污染土壤修复中的应用[D].花秀夫.清华大学 2009）案例二：细菌领域成果多、效果显著筛选到高产L-亮氨酸的突变株，产量达到18.55 mg/g，比出发菌株提高2.91倍。（Nature Communications，9（2018））案例三：霉菌产色素能力大幅度提升突变菌株产橙、黄色素能力比出发菌株分别提高136%、43%。（核农学报，2016,30（4）：654-661）

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC最大ø 350毫米的托架概要RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø 350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。主要特点和优点最大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)先进的ICP源HSTC&trade （Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。应用GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻SiN和SiO2的蚀刻电介质和金属的蚀刻用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工

电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）应用领域各级疾控中心理化所/科,职业卫生技术服务机构理化分析；职业病监测理化分析；职业病诊断-职业医学检验疾控中心理化分析。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 高效进样系统：分体式炬管，自准直装配，直观简单。◇ 稳定的ICP离子源：自激式全固态射频电源，采用频率匹配调谐，调谐速率高，可直接分析有机样品，无运动部件，稳定可靠；平衡驱动，无需屏蔽炬即可获得离子动能平衡。◇ 可靠的双锥接口设计：高效率传输待分析离子，保持分析物组份的代表性，专门离子接口设计大幅度提升灵敏度；提手是换锥接口，稳固可靠，操作便利。◇ 复合离子传输系统：前后两次离轴，良好消除中性粒子干扰；采用复合电场多极杆导引技术、复合透镜偏轴离子传输技术，在消除光子和中性粒子干扰之外大幅度的提升离子传输效率。◇ 高速动态碰撞反应池：分布式碰撞/反应气扩散方式，大大提高碰撞效率，提升灵敏度；采用离子动能歧视技术，结合喷碰撞和动态反应两种模式的优点；高效碰撞模式，可直接稀释到测试血液样品。◇ 四极杆质量分析器：纯钼四极杆，超高稳定性；抗温湿度变化的RF电源，确保在普通实验室条件下也有良好的稳定性。◇ 高灵敏电子倍增器：专有的数字/模拟双模式检测器，具有9~10个数量级的动态范围。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 自主研发的国产ICP-MS替代进口产品，完全满足疾控客户水、食品、土壤、环境等检测需求，成为各级疾控中心理化采购热点；◇ 满足ICP-OES替代方法，检出限可到ppq，四级杆质量分析器，全数字频率调谐射频发生器。

多功能TEM样品杆清洁仪等离子体表面处理仪(SEM及TEM样品/样品杆清洁专用等离子清洁仪)PIE Scientific专注研发先进的实验室用等离子仪器，用于SEM/TEM样品清洁、光刻胶蚀刻、等离子体增强沉积、表面处理与活化。我们的宗旨是：将半导体和核工程研究中开发的等离子技术集成到经济实用的实验室用等离子仪器。专为去除SEM & TEM样品的碳氢污染而设计。特有的双清洗模式（immersion和downstream）能够处理各种不同的样品，从严重污染的电子光学孔径光阑到各种脆弱易损样品，如石墨烯、碳纳米管、类金刚石碳膜以及多孔碳支持膜铜网上的TEM样品。石英样品托板上的孔洞可以安装标准SEM样品托。特别设计的适配器可以清洁不同厂家的TEM样品杆。 可用于煤的灰化。特点：1. 系统具有双等离子源。浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻。远程式等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化2. 13.56MHz高频射频发生器3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作4. 标配75W版本，可选150W版本5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入6. 可选与FEI、JEOL、HITACHI等TEM样品杆配套的专用适配器7. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)除了多功能TEM样品杆清洁仪等离子体表面处理仪之外，PIE还提供Tergeo、Tergeo Plus、Tergeo Pro等一系列台式等离子清洁刻蚀灰化仪。

等离子体热处理炉为德国生产，具有等离子清洗、表面处理、材料表面修饰、材料热处理的功能。 仪器特点及基本参数：具有等离子体清洗、表面修饰、表面处理、表面活化的功能；具有真空能力(10-5mbar)；芯片倒装凸点(Bump)；凸点焊接；键合；功率器件焊接；样品尺寸：170X200mm，或300x300mm；温度：650摄氏度；24支红外灯加热；2路MFC气路；

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。性能特点 手持操作 专为敏感基材设计 等离子功率密度高 高效激发冷等离子体 产生温度 50 °C冷等离子体

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。 德国瑞龙进口手持常压等离子体表面处理仪活化清洗处理机优势 无需化学处理或机械处理 高效脉冲大气等离子体手持装置对大型部件灵活操作和完善品质 优化地易于使用和为操作者的安全 手推车设计方便工业环境的各处使用 完全自动的空气压缩机供应集成在设备内部 双手操作和信号灯先进保护和提醒操作者和第三方 特征 独立的单位 单人易搬运 无需配备PLC只需要电源插座 强大和易于使用 没有压缩空气或质量流量控制要求 不同工艺/基板/几何图形皆可表面处理可实行的应用 活化表面能 杀菌和消毒 涂层和喷涂 超精细清洗 去除氧化物 粘接预处理 应用以下工序预处理 胶粘 印刷 印染 铸造 层压 发泡 涂层 清洗 键合 密封