铜管对流散热器

为了解决散热问题，封装厂商在探索各种方法一些过热的晶体管可能不会对可靠性产生很大影响，但数十亿个晶体管产生的热量会影响可靠性。对于 AI/ML/DL 设计尤其如此，高利用率会增加散热，但热密度会影响每个先进的节点芯片和封装，这些芯片和封装用于智能手机、服务器芯片、AR/VR 和许多其他高性能设备。对于所有这些，DRAM布局和性能现在是首要的设计考虑因素。无论架构多么新颖，大多数基于 DRAM 的内存仍面临因过热而导致性能下降的风险。易失性内存的刷新要求（作为标准指标，大约每 64 毫秒一次）加剧了风险。“当温度提高到 85°C 以上时，就需要更频繁地刷新电容器上的电荷，设备就将转向更频繁的刷新周期，这就是为什么当设备变得越来越热，电荷从这些电容器中泄漏得更快的原因。不幸的是，刷新该电荷的操作也是电流密集型操作，它会在 DRAM 内部产生热量。天气越热，你就越需要更新它，但你会继续让它变得更热，整个事情就会分崩离析。”除了DRAM，热量管理对于越来越多的芯片变得至关重要，它是越来越多的相互关联的因素之一，必须在整个开发流程中加以考虑，封装行业也在寻找方法解决散热问题。选择最佳封装并在其中集成芯片对性能至关重要。组件、硅、TSV、铜柱等都具有不同的热膨胀系数 (TCE)，这会影响组装良率和长期可靠性。带有 CPU 和 HBM 的流行倒装芯片 BGA 封装目前约为 2500 mm2。一个大芯片可能变成四五个小芯片，总的来说，这一趋势会持续发展下去，因为必须拥有所有 I/O，这样这些芯片才能相互通信。所以可以分散热量。对于应用程序，这可能会对您有所一些帮助。但其中一些补偿是因为你现在有 I/O 在芯片之间驱动，而过去你在硅片中需要一个内部总线来进行通信。最终，这变成了一个系统挑战，一系列复杂的权衡只能在系统级别处理。可以通过先进的封装实现很多新事物，但现在设计要复杂得多，当一切都如此紧密地结合在一起时，交互会变多。必须检查流量。必须检查配电。这使得设计这样的系统变得非常困难。事实上，有些设备非常复杂，很难轻易更换组件以便为特定领域的应用程序定制这些设备。这就是为什么许多高级封装产品适用于大批量或价格弹性的组件，例如服务器芯片。对具有增强散热性能的制造工艺的材料需求一直在强劲增长。Chiplet模块仿真与测试进展工程师们正在寻找新的方法来在封装模块构建之前对封装可靠性进行热分析。例如，西门子提供了一个基于双 ASIC 的模块的示例，该模块包含一个扇出再分布层 (RDL)，该扇出再分配层 (RDL) 安装在 BGA 封装中的多层有机基板顶部。它使用了两种模型，一种用于基于 RDL 的 WLP，另一种用于多层有机基板 BGA。这些封装模型是参数化的，包括在引入 EDA 信息之前的衬底层堆叠和 BGA，并支持早期材料评估和芯片放置选择。接下来，导入 EDA 数据，对于每个模型，材料图可以对所有层中的铜分布进行详细的热描述。量化热阻如何通过硅芯片、电路板、胶水、TIM 或封装盖传递是众所周知的。存在标准方法来跟踪每个界面处的温度和电阻值，它们是温差和功率的函数。“热路径由三个关键值来量化——从器件结到环境的热阻、从结到外壳（封装顶部）的热阻以及从结到电路板的热阻，”详细的热模拟是探索材料和配置选项的最便宜的方法。“运行芯片的模拟通常会识别一个或多个热点，因此我们可以在热点下方的基板中添加铜以帮助散热或更换盖子材料并添加散热器等。对于多个芯片封装，我们可以更改配置或考虑采用新方法来防止热串扰。有几种方法可以优化高可靠性和热性能，”在模拟之后，包装公司执行实验设计 (DOE) 以达到最终的包装配置。但由于使用专门设计的测试车辆的 DOE 步骤耗时且成本更高，因此首先利用仿真。选择 TIM在封装中，超过 90% 的热量通过封装从芯片顶部散发到散热器，通常是带有垂直鳍片的阳极氧化铝基。具有高导热性的热界面材料 (TIM) 放置在芯片和封装之间，以帮助传递热量。用于 CPU 的下一代 TIM 包括金属薄板合金（如铟和锡）和银烧结锡，其传导功率分别为 60 W/mK 和 50 W/mK。随着公司从大型 SoC 过渡到小芯片模块，需要更多种类的具有不同特性和厚度的 TIM。Amkor 研发高级总监 YoungDo Kweon 在最近的一次演讲中表示，对于高密度系统，芯片和封装之间的 TIM 的热阻对封装模块的整体热阻具有更大的影响。“功率趋势正在急剧增加，尤其是在逻辑方面，因此我们关心保持低结温以确保可靠的半导体运行，”Kweon 说。他补充说，虽然 TIM 供应商为其材料提供热阻值，但从芯片到封装的热阻，在实践中，受组装过程本身的影响，包括芯片和 TIM 之间的键合质量以及接触区域。他指出，在受控环境中使用实际装配工具和粘合材料进行测试对于了解实际热性能和为客户资格选择最佳 TIM 至关重要。孔洞是一个特殊的问题。“材料在封装中的表现方式是一个相当大的挑战。你已经掌握了粘合剂或胶水的材料特性，材料实际润湿表面的方式会影响材料呈现的整体热阻，即接触电阻，”西门子的 Parry 说。“而且这在很大程度上取决于材料如何流入表面上非常小的缺陷。如果缺陷没有被胶水填充，它代表了对热流的额外阻力。”以不同的方式处理热量芯片制造商正在扩大解决热量限制的范围。“如果你减小芯片的尺寸，它可能是四分之一的面积，但封装可能是一样的。是德科技内存解决方案项目经理 Randy White 表示，由于外部封装的键合线进入芯片，因此可能存在一些信号完整性差异。“电线更长，电感更大，所以有电气部分。如果将芯片的面积减半，它会更快。如何在足够小的空间内消散这么多的能量？这是另一个必须研究的关键参数。”这导致了对前沿键合研究的大量投资，至少目前，重点似乎是混合键合。“如果我有这两个芯片，并且它们之间几乎没有凸起，那么这些芯片之间就会有气隙，”Rambus 的 Woo 说。“这不是将热量上下移动的最佳导热方式。可能会用一些东西来填充气隙，但即便如此，它还是不如直接硅接触好。因此，混合直接键合是人们正在做的一件事。”但混合键合成本高昂，并且可能仍仅限于高性能处理器类型的应用，台积电是目前仅有的提供该技术的公司之一。尽管如此，将光子学结合到 CMOS 芯片或硅上 GaN 的前景仍然巨大。结论先进封装背后的最初想法是它可以像乐高积木一样工作——在不同工艺节点开发的小芯片可以组装在一起，并且可以减少热问题。但也有取舍。从性能和功率的角度来看，信号需要传输的距离很重要，而始终开启或需要保持部分关断的电路会影响热性能。仅仅为了提高产量和灵活性而将模具分成多个部分并不像看起来那么简单。封装中的每个互连都必须进行优化，热点不再局限于单个芯片。可用于排除或排除小芯片不同组合的早期建模工具为复杂模块的设计人员提供了巨大的推动力。在这个功率密度不断提高的时代，热仿真和引入新的 TIM 仍然必不可少。

新京报讯 炎热的夏天，最舒服的事情，莫过于躲在家中，开启空调纳凉。然而，有多少人在享受空调时，想到要定期对它进行清洗消毒?否则，空调将吹出看不见的细菌、真菌，甚至可以在72小时内，吹霉一碗白米饭。　　日前，中国疾控中心、上海市疾控中心、复旦大学公共卫生学院等机构对上海、北京、深圳进行实地家用空调入户调研发现：88%的空调散热片细菌总数超标，84%的空调散热片霉菌总数超标 空调散热片中检出细菌超标最高可达1000倍以上。　　中华预防医学会消毒分会主任委员张流波介绍，空调除了吸附大量的灰尘外，还有螨虫、细菌、真菌等致病菌。运转时，空调内部，特别是散热片的细菌、真菌随出风口喷出，随呼吸道进入人体，容易导致人体出现头晕乏力，甚至患上感冒、鼻炎、哮喘等呼吸道疾病。因此，很多空调病不只是冷热交替造成的，空调里的污染也是祸源。　　家用空调里究竟暗藏多少污染源?日前，记者随中华预防医学会消毒分会专家和家安实验室工作人员，一起走进普通住户家，现场观测、取样，并送入实验室培养，实验结果令人瞠目。　　【实验1】　　空调72小时吹霉一碗米饭　　实验目的：测试空调是否会产生污染。　　实验过程：取两碗等量的白米饭，置于壁挂式空调下的桌子上，其中一碗盖好。关闭门窗，打开空调。72小时后，盖好的米饭只是略有变色，但敞露于空调下的那碗米饭，已经长毛，出现大片霉斑。　　市民疑问：6月份开空调前，刚把过滤网用洗洁精和水刷干净了，为什么还会这样?　　专家释疑：中华预防医学会消毒分会主任委员张流波介绍，空调使用一段时间后，外罩、过滤网表面就有沉积的灰尘和污垢，很容易清洗。但空调细菌最多聚集的部位——散热片却常常被忽视。　　作为空调冷热交换的核心部件，散热片除积聚污垢灰尘外，还会在冷凝水作用下滋生大量病菌。加上开空调时，通常会紧闭门窗，空气不流通，特别是夏天闷热潮湿，病菌更易滋生。　　【实验2】　　空调散热片藏匿大量细菌　　实验目的：通过肉眼，观察空调散热片上藏着多少污垢。　　实验过程：选一台使用了3年多，今年尚未清洗过的家用壁挂式空调。打开空调盖，露出的过滤网上，可看到一层厚厚的灰尘，用棉签和纸巾取样。卸下过滤网，可看到青黑色的空调散热片，乍看起来灰尘不多，但用棉签在散热片上清刮，可刮出黑灰色的絮泥状物。用白色纸巾取样，可看到散热片上附着大量污垢。　　市民疑问：黑色絮泥状的污垢有没有致病菌?　　专家释疑：张流波介绍，专业卫生机构检测发现，家用空调散热片上藏匿着大量细菌和真菌，平均的菌落总数每平方厘米高达4765个。其中致病菌主要包括霉菌、军团菌、金黄色葡萄球菌等大量病菌。空调运转时，散热片上的致病菌随出风口喷出，进入人体，易致头晕乏力，甚至患上感冒、肺炎等呼吸道疾病。　　【实验3】　　散热片污染远高于过滤网　　实验目的：比较空调散热片和过滤网的污染程度。　　实验过程：将实验2中收集好的样本放入培养皿，带入实验室，对样本进行细菌培养并计数。72小时后，实验结果出来了。空调过滤网上的霉菌总数为每平方厘米650个，细菌总数为每平方厘米270个 散热片上的霉菌总数每平方厘米为1110个，细菌总数为3100个。　　市民疑问：清洗空调，不能只洗过滤网吗?　　专家释疑：家安家居环境研究中心高级工程师张世新介绍，空调污染尤其是空调散热片污染——作为夏季室内最重要的污染源的认知仍存在很大的缺口，正成为影响家人健康的隐形杀手。调查显示，绝大多数人误以为只要把空调的过滤网罩清洗一下，就算空调清洁了。实际上，空调散热片上藏匿的污染远高于过滤网。　　【实验4】　　清洗剂喷洒可有效杀菌　　实验目的：对比空调清洗前后的污染程度。　　实验过程：关闭电源，卸下过滤网，用清水洗净 对散热片表面污垢取样。从超市购买专用的空调清洗剂，均匀喷洒在散热片上。静置10至15分钟，安装好空调，打开电源。此时，可以看到排污管排出黑色污水。40分钟后，关闭空调，重新对散热片取样。　　72小时后，可看到散热片清洗前的样本，霉菌培养皿中已经长出大片霉斑，霉菌含量每平方厘米2163.04个 细菌培养皿中，可看到底部呈浆糊状，其中布满淡黄色细小颗粒，细菌含量每平方厘米2599个。清洗后的霉菌和细菌培养皿基本是透明的，霉菌含量每平方厘米为9个，细菌含量每平方厘米40个。　　专家释疑：张流波介绍，因为散热片无法拆下来清洗，而且由于散热片结构的特殊性，简单擦拭也无法真正清洁。建议使用空调消毒清洗剂进行清洁消毒。　　■ 建议　　夏季空调应一月一清洗　　张流波表示，在关闭电源、通风的环境下，对准散热片均匀喷洒，就可以解决散热片污染问题。清洗后需要静置一段时间，是为了让消毒剂充分发挥作用。　　为确保消毒产品的安全性和有效性，建议空调清洗消毒剂使用具备卫生许可批件的“卫消字×××××号”产品。清洗剂的味道经过通风，很快可以散去，正规消毒产品的味道对人体无害。　　至于空调散热片清洗的频度，张流波说，春夏换季时，需要开启空调前，应该彻底清洗消毒一次 夏季，空调使用频繁，建议有条件的家庭，每月清洗一次空调，可避免空调污染。　　此外，张流波介绍，室外有的污染都会进入室内。家中尘埃，散热片上面都会有污染物，一般的空调不会去除PM2.5，除了定期清洁空调，关键还要靠居室良好的通风。

根据行业标准制修订计划，相关标准化技术组织等单位已完成《矿热炉低压无功补偿技术规范》等56项冶金、有色、化工、机械、黄金、船舶、民爆行业标准的制修订工作(标准名称及主要内容等见附件)。在以上标准批准发布之前，为进一步听取社会各界意见，特予以公示，截止日期2011年12月14日。　　附件：56项行业标准名称及主要内容.doc序号标准编号标准名称冶金行业 YB/T 4268-2011矿热炉低压无功补偿技术规范 YB/T 4254-2011烧结冷却系统余热回收利用技术规范 YB/T 4255-2011干熄焦节能技术规范 YB/T 4256.1-2011钢铁行业海水淡化技术规范 第1部分：低温多效蒸馏法 YB/T 4257.1-2011钢铁污水除盐技术规范 第1部分： 反渗透法 YB/T 4258-2011彩色涂层钢带生产线用焚烧炉和固化炉节能运行规范 YB/T 4259-2011连续热镀锌钢带生产线用加热炉节能运行规范 YB/T 4269-2011高炉鼓风机机前冷冻脱湿工艺规范 YB/T 4270-2011转炉汽化回收蒸汽发电系统运行规范 YB/T 4271-2011转底炉法粗锌粉 YB/T 4272-2011转底炉法含铁尘泥金属化球团 YB/T 030-2011煤沥青筑路油 YB/T 031-2011煤沥青筑路油 萘含量的测定 气相色谱法 YB/T 032-2011煤沥青筑路油 蒸馏试验 YB/T 033-2011煤沥青筑路油 粘度的测定有色行业 YS/T 694.4-2011变形铝及铝合金单位产品能源消耗限额 第4部分:挤压型材、管材 YS 783-2011红外锗单晶单位产品能源消耗限额 YS/T 767-2011锑精矿单位产品能源消耗限额化工行业 HG/T 4287-2011石油和化工企业能源管理体系要求黄金行业 YS/T 3007-2011电加热载金活性炭解吸电解工艺能耗限额 YS/T 3008-2011燃油（柴油）加热活性炭再生工艺能耗限额机械行业 JB/T 11250-2011印制板含铜废液再生及铜回收成套设备 技术规范 JB/T 11249-2011翅片管式换热设备技术规范 JB/T 11248-2011金属复合翅片管对流散热器技术规范 JB/T 11247-2011链条式翻堆机 JB/T 11246-2011仓式滚筒翻堆机 JB/T 11245-2011污泥堆肥翻堆曝气发酵仓 JB/T 11244-2011超重力装置 JB/T 11261-2011燃煤电厂锅炉尾气治理 袋式除尘器用滤料 JB/T 11262-2011燃煤烟气干法/半干法脱硫设备 机械安装技术条件 JB/T 11263-2011燃煤烟气干法/半干法脱硫设备 运行维护规范 JB/T 11264-2011湿法烟气脱硫装置专用设备 氧化风管 JB/T 8704-2011蜂窝式电除焦油器 JB/T 11265-2011燃气余热锅炉烟气脱硝技术装备 JB/T 11266-2011火电厂湿法烟气脱硫装置可靠性评价规程 JB/T 11267-2011顶部电磁锤振打电除尘器 JB/T 11268-2011电除尘器节电导则船舶行业 CB 3381-2011船舶涂装作业安全规程 CB 3660-2011船厂起重作业安全要求 CB 3786-2011船厂电气作业安全要求 CB 4203-2011船厂安全标志使用要求 CB 4204-2011船用脚手架安全要求 CB 4205-2011重大件吊装作业安全要求民爆行业 WJ 9072-2011现场混装炸药生产安全管理规程 WJ/T 9071-2011无雷管感度工业炸药最小起爆药量测定方法 WJ/T 9070-2011工业电雷管运输车使用卫星定位导航终端的安全要求 WJ/T 9069-2011工业炸药药卷自动包装机技术条件 WJ 9073-2011民用爆炸物品运输车安全技术条件 WJ/T 9074-2011工业雷管撞击感度试验方法 WJ 9075.1-2011民用爆破器材企业安全检查方法 检查表法 第1部分：总则 WJ 9075.2-2011民用爆破器材企业安全检查方法 检查表法 第2部分：生产企业综合安全管理及总体安全条件 WJ 9075.3-2011民用爆破器材企业安全检查方法 检查表法 第3部分：工业炸药及其制品生产线 WJ 9075.4-2011民用爆破器材企业安全检查方法 检查表法 第4部分：工业雷管生产线 WJ 9075.5-2011民用爆破器材企业安全检查方法 检查表法 第5部分：工业索类火工品生产线 WJ 9075.6-2011民用爆破器材企业安全检查方法 检查表法 第6部分：油气井用及其他爆破器材生产线 WJ 9075.7-2011民用爆破器材企业安全检查方法 检查表法 第7部分：销售企业　　联 系 人：盛喜军　　电 话：010-68205253　　电子邮件：KJBZ@miit.gov.cn工业和信息化部科技司二O一一年十一月二十九日

电子产品在长时间使用后会出现过热或被烧坏的现象，研究人员最新研制出一种能够让电子产品快速散热的新材料。　　据当地媒体7日报道，德国弗劳恩霍夫制造工程和应用材料研究所、德国西门子和奥地利攀时集团共同研发了一种新材料，这种材料是在铜中加入掺兑金属铬的钻石粉末，其导热能力是纯铜的1.5倍。　　研究人员介绍说，通常情况下钻石和铜是不容易混合到一起的，而在钻石粉末中添加金属铬就能使钻石粉末表面产生一层碳化物膜，这种膜能有效地将二者混合起来。新材料满足了小型多功能电子产品快速散热的需要。

6月16日上午，散热与封装技术研讨会暨苏州纳米所散热与封装技术研发中心成立仪式在中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所召开。此次活动以&ldquo 散热与封装技术&rdquo 为主题，探讨了当前高功率、高度集成化电子器件快速发展背景下，如何解决电子工业界的散热与封装技术等关键共性问题。　　活动由苏州纳米所技术转移中心与先进材料部联合主办，苏州纳米所副所长李清文主持。美国工程院院士、乔治亚理工学院教授汪正平，国防科技大学教授常胜利和张学骜、深圳先进技术研究院研究员孙蓉等出席了此次活动。　　会前，李清文致欢迎词，并代表苏州纳米所向汪正平颁发了客座研究员聘书，苏州纳米所加工平台主任张宝顺与汪正平共同为散热与封装技术研发中心揭牌。　　会上，被誉为&ldquo 现代半导体封装之父&rdquo 的汪正平介绍了自己40多年来在电子封装材料研发与应用方面的成果，特别是近年来在碳纳米管可控制备、石墨烯制备与应用、电子封装散热等方面的研究进展，最后他还与大家分享了在学术研究方面的经验。　　随后，张宝顺、孙蓉等分别以&ldquo 散热与封装技术&rdquo 、&ldquo 聚合物基高密度电子封装材料的制备与应用研究&rdquo 为主题作了精彩的报告。　　当天下午，与会代表参观了苏州纳米所加工平台和先进材料部。会议现场

评定润滑油安定性的意义：润滑油在储存和使用过程中，受到光照或受热，在空气中的氧以及金属的催化作用下，发生氧化变质，使颜色变深，粘度增大，生产酸性化合物、胶质和沉渣。由许多不同结构的烃类混合组成的润滑油，其氧化过程是十分复杂的。因为润滑油的组成成分不同。属于酸性氧化产物的有羟酸、酚等，深度氧化还会生成低分子酸，这些产物会使酸值增大，生成的酸性物质会腐蚀金属机件。但有时氧化仅能形成少部分酸性物质，大部分则形成中性产物。属于中性氧化产物的有醇类、酮类，脂类、胶质及沥青质等。这些产物和它们之间的缩合物，能生成深色沉淀。这些胶质和沉渣能堵塞润滑系统的过滤器网及导油管，会引起气缸内活塞环粘接，以至造成不良后果。往往有些油当氧化很深时，酸值反而降低，这是由于生成不溶于油的高分子酸沉淀物。润滑油抗氧化安定性差，则氧化后生成的氧化产物多，使用时造成的危害也大。如生成的有机酸类（特别是当有水分存在时）能腐蚀金属，缩短金属设备的使用期限，酸与金属作用生成的皂化产物，更能加速油的氧化。此外，对于绝缘油来讲，酸性产物能使浸入油中的纤维质绝缘材料变坏、污染油质、降低油的绝缘强度。能溶于油的中性胶质和沥青质，可加深油的颜色，增大粘度，影响正常的润滑和散热作用。不溶于油的氧化产物，在汽轮机油系统中，特别是在冷油器温度较低的地方，析出较多的沉淀，使传热效率降低。如沉淀物过多时，会堵塞油路，威胁安全运转。在变压器中沉淀物沉积在变压器线圈表面，堵塞线圈冷却通路，易造成过热，甚至烧坏设备。如果沉淀物在变压器的散热管中析出，还会影响油的对流散热作用。内燃机润滑油不仅使用的温度高，而且是循环使用，不断与含氧的气体接触，所以很容易因氧化而变质。只有设法提高润滑油的氧化安定性，才能延长润滑油在内燃机中的使用寿命。所以润滑油的使用期限常取决于其安定性，润滑油氧化安定性是评定润滑油质量的重要指标之一。相关仪器A1100润滑油氧化安定性测定仪采用旋转氧弹法，适用于测定具有相同组成的（润滑油和添加剂）汽轮机油的氧化安定性。主要用于石油、化工、电力、制药、商检、科研、环保等领域。适用标准：SH/T0193，ASTM D2272

据了解可知，未来几天多地断崖式降温大范围雨雪将覆盖超7成国土幸好北方地区已逐步实现供暖那么各位菲粉你家的暖气“给力”不？01“供暖不久，家里就变得很热啦~通过FLIR红外热像仪检测发现，部分暖气片应该是有些故障，温度分布不均匀呀~”02“虽然供暖了，但是家里却不如邻居家暖和，通过热像仪检测，及时发现问题——原来是管道泄漏了，得赶紧找人修一修。”03“地暖是目前用的最多的取暖方式，它是以整个地面为散热器，以不高于60℃的低温热媒均匀加热地面，通过地面以辐射和对流的传热方式向室内供热，达到舒适采暖目的，看来我的房间供暖效果不错吧~”04“新装修的房子，地暖盘管的铺设该如何验收？强烈推荐FLIR红外热像仪，无需动手，一扫便知地暖铺设的重点与方向，非常方便！”05“寒冬到，没有暖气的南方人，只能靠一身正气来抵抗凛冽的寒风。瞧瞧我家猫主子，一早就跑到床上了，通过FLIR红外热像仪可知，整个屋子，它是温度高的~”06“想知道我家的供暖效果怎么样？一起跟随这个视频来看看吧！红外世界中，温度是可以看得见哒~"各地马上就要降温啦~小伙伴们要做好保暖的准备啊除了要备好秋衣秋裤家里的地暖设施也要提前检查好做好充足的准备对抗寒风吧~

变压器，是变电站的心脏、中枢，在运行过程中要求工作必须可靠。一旦出现故障轻则造成设备损坏，重则引发火情，危及正常的站内安全，因此，必须及时且有效地对变压器进行热缺陷检测，以防止安全事故发生。在变压器出现故障的前夕，都伴随着自身温度的升高，而红外热成像是发现变压器热缺陷的最佳检测技术，为变压器的热缺陷、设备状态、安全运行监测提供红外安全检测。变压器热缺陷分类（1）套管：套管缺油、接触不良、内部缺陷等（2）箱体：变压器漏磁产生的涡流损耗引起箱体或部分连接螺栓发热（3）散热器：散热器堵塞或阀门未开造成变压器油温升高（4）重要部位接触不良：导电回路连接部位接触不良（5）储油柜：储油柜缺油或假油位（6）其它：线圈故障、铁芯多点接地引起的局部发热等等根据DL/T 664—2016《带电设备红外诊断应用规范》标准内容，带电设备的发热类型包括电流致热型、电压致热型、其他致热型，变压器的主要故障有如上六种。▲高德智感全新C系列检测某变电站变压器本文以（1）变压器套管红外检测为主要故障类型进行分享。后续高德智感公众号将针对以上故障类型分篇进行详细分析。▲变压器套管异常发热一、红外热像仪检测变压器套管发热01.接触不良导致异常发热（最常见）接触不良导致的变压器套管异常发热是最常见的故障类型。将军帽与外部接线板或内部导电杆易产生接触不良，发生故障缺陷，而利用红外热像仪可清晰呈现，如图，三相中一相套管顶端的将军帽与其它两相相比，表面温度更高。（在负载不平衡的情况下也会出现，需具体分析。）▲三相中一相的将军帽温度异常●措施：在停电检修时，对套管进行直流电阻测量。一般来说，异常发热的一相的直流电阻高于其它两相，若高压套管存在接触不良的现象，应当更换导致故障的零件。02.充油套管内部缺油通过红外热像图像可清晰观测到变压器充油套管内部缺油，以及油位线。由于变压器内油与空气的比热容不同，导致其在吸热及散热速度上不同，而通过热像仪可观察到充油套管外壁，温度差异将清晰呈现一条温度分界线，图中箭头所指就是该异常套管中的油位线。▲套管油位线明显●措施：建议首先确定漏油的部位，当停电检修时，需对漏油部位进行修理或更换，并对套管补充变压器油。03.套管内部缺陷由于腐蚀、受潮、机械损伤等，套管内部会存在缺陷，该种情况也可能导致套管异常发热。使用红外热像仪，可观测到发生故障套管的整体温度一般较其它套管正常相高。▲左边相整体发热●措施：建议对套管内的变压器油进行化验，以分析缺陷的原因。04.套管接触点异常如果套管内部或外部接头存在接触不良，或接点被氧化腐蚀，也可能导致套管接触点温度异常。在这种情况下，通过红外热像仪即可发现套管接触点处温度异常，温度会明显高于其它正常的点或线路。▲接触点温度明显高于其它点（红色为高温）▲使用高德智感新C检测接触点三相温度●措施：如确实存在该现象，应当更换导致故障的零件。二、变压器套管红外热成像检测手段凭借非接触、更安全、更精准、更高效等优势，变压器套管设备检测的各大产品往往以红外热成像技术为核心，与多方科技手段结合，搭配使用，保障安全。1、套管重点部位移动式巡检：高德智感新C系列便携式热像仪电力巡检人员往往手持红外热成像仪，对变压器套管易发故障的重点部位进行日常性检测，便携易用，随时随地查看套管状态。▲高德智感便携式热像仪应用于各大电网公司电力巡检▲高德智感新C新增台账功能，赋能智慧巡检 2、套管24H监测：高德智感IPT在线式红外热像仪 在线式24H温度监测，自动巡检、自动预警、远程控制，第一时间发现套管热缺陷，故障早发现、早预警、早消除。▲集成IPT的云台产品，应用于某变电站变压器在线监测3、集成高德智感IPT的其它科技设备 电网数字化转型，多种新产品集成高德智感IPT，参与变压器套管等部位热缺陷检测，赋能设备多一度视觉与温度感知。 近年来，高德智感红外热成像产品已被广泛应用于电力行业发电、输电、变电、配电的各个环节中，为其提供高效、精准、安全的红外测温服务，持续助力电网安全稳定运行。变压器其它五大故障类型，如何使用红外热像仪检测？后续将逐步分享，敬请期待。*部分图片来源于网络更多产产品信息请访问：https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104811/

FLIR红外热像仪可协助汽车故障的诊断上次小菲为大家分享了汽修专家叶工诊断鼓风机供电线路虚接问题详情戳这里：实地案例｜汽修工程师，如何化解难以察觉的“小问题”？今天小菲再来跟大家分享一下叶工使用FLIR ONE Pro手机红外热像仪查找发动机冷却液温度过高的过程吧~故障初诊：冷却大循环不良一辆2005款现代伊兰特车，搭载G4GA发动机，累计行驶里程约为24.3万km。车主反映，该车行驶中组合仪表上的发动机冷却液温度表会指示到红色刻度线，怀疑发动机冷却液温度过高，于是进厂检修。接车后试车，发现组合仪表上的发动机冷却液温度表确实会指示到红色刻度线。用故障检测仪检测，无相关故障代码存储：读取发动机数据流，发现发动机冷却液温度为99℃，偏高。故障伊兰特车发动机数据流（截屏）打开发动机室盖，发现散热风扇高速运转；检查冷却液液位，处于正常范围；用手感觉散热风扇的出风情况，出风量正常，但出风温度较低，推断冷却系统大循环不良。查看维修资料得知，该车冷却系统结构与下图所示基本一致，由此推断导致该车冷却系统大循环不良的原因有：节温器损坏（无法打开）、散热器堵塞、冷却液泵损坏（轴承松旷、叶片破损等)。冷却系统结构对比温度差，发现故障点用FLIR红外热成像仪测量散热器进液管、散热器出液管和小循环回液管的温度，发现散热器进液管温度为67℃，散热器出液管温度为23.8℃，小循环回液管温度为46.8℃。对比散热器出液管和进液管的温度可知，冷却系统无法大循环，猜测原因可能为节温器没有打开，但小循环回液管中的冷却液是不受节温器控制的，为什么温度也过低呢？分析可知，冷却系统小循环也不正常，导致节温器处的冷却液温度过低，使节温器无法打开。故障伊兰特车散热器进液管、散热器出液管和小循环回液管的温度为验证冷却系统小循环的情况，用FLIR红外热成像仪测量暖风热交换器进液管和出液管的温度，发现暖风热交换器进液管的温度为32.4℃，出液管的温度为30.7℃，由此说明冷却系统确实也无小循环。诊断至此，推断导致冷却系统没有大循环和小循环的原因为冷却液泵损坏。故障伊兰特车暖风热交换器进液管和出液管的温度拆检冷却液泵，发现冷却液泵的叶片已完全腐蚀，确认故障是由此引起的。更换上新的冷却液泵后试车，组合仪表上的发动机冷却液温度表指示正常：再次测量散热器进液管、散热器出液管和小循环回液管的温度（此时节温器没有打开)，小循环回液管的温度为77.7℃，说明冷却系统小循环恢复正常。正常伊兰特车散热器进液管、散热器出液管和小循环回液管的温度再次测量暖风热交换器进液管和出液管的温度，进液管的温度为72.9℃，出液管的温度为65.3℃，恢复正常，故障排除。正常伊兰特车暖风热交换器进液管和出液管的温度FLIR热像仪：让故障定位更简单回顾整个诊断过程，在懂得该车冷却系统循环原理的情况下，只需要用FLIR红外热成像仪测量2个区域内冷却液管的温度，便锁定了故障点，避免了拆检甚至误换节温器，省时省力非常简单，大大提高了维修效率。在本次汽修诊断过程中使用的是FLIR ONE Pro手机红外热像仪，这款热像仪小巧轻便，配合智能手机即插即用，非常方便！它能够测量介于-20°至400°C之间的温度，热灵敏度可检测到70mk的温差，支持最多3个点温仪和最多6个温度感兴趣区域，可应用在我们的日常工作生活中，比如检查电气面板、查找暖通空调故障、检测房屋水损问题等。

据成都高新区电子信息产业局官微消息，日前，成都万应先进封测中试平台及生产线项目在成都高新区正式竣工通线。据悉，该项目以高端解决方案和先进封装工艺为核心，建设高可靠性塑封、高可靠性陶瓷封装和系统级封装三条产线，建设可靠性与失效分析实验室，形成封装方案设计、仿真、打样、量产和可靠性与失效分析全产业链服务模式，具备高可靠塑封、高端陶瓷封装、系统级封装和TSV、RDL等先进封装技术，能够完成以线焊、倒装焊为基础的先进封装，是全国技术水平最高、服务功能最全、产业链条最完整的先进封装技术平台。相关负责人表示，下一步还将对现有产线进行扩能，建设项目二期。资料显示，成都万应重点聚焦射频SiP、散热器、高可靠塑封等先进封装领域，为高端集成电路设计企业、高校和科研院所等提供封装服务，推进集成电路产业链创新发展。

一波寒潮即将送达西北、华北、黄淮等地温度骤降16℃小伙伴们要做好保暖准备哦~天气这么冷保障供暖就显得尤为重要今天小菲就来给大家介绍几款暖通工程师的检测“神器”用实际案例为大家讲解下他们是如何让工作变得轻松的~FLIR ONE PRO：超高性价比FLIR ONE PRO机身小巧，搭配智能手机，即插即用，可随时进行热像检测，搭载VividIR™ 热图像处理技术，FLIR ONE PRO能够看到更多细节，发现隐藏的问题。例如，在进行地暖盘管检测时，通过FLIR手机热像仪，暖通工程师使用手机就可以检查有漏水嫌疑的地暖盘管，通过观察管路各处温度的明显对比，轻易的辨别出具体的漏水点，避免开凿地面不准确造成的失误。FLIR Cx系列：小巧便携FLIR Cx系列热像仪质地轻盈、结构轻薄，适合放入各种工作服的口袋中，工作人员可以随身携带，随时随地的发现问题。目前新款FLIR C5，提供基于FLIR Ignite云解决方案的FLIR Cx系列热像仪，妥妥平价款里的高性能红外热像仪！例如，在查找地暖管道漏水的过程中，地板下地暖管线的热量透过地暖结构层传递至地表面，以地表面作为散热器再向上辐射热量来达到取暖的目的，使用FLIR C2口袋热像仪进行巡查，通过测量传递至表面的热量进行分析，从而准确找到管道的漏水部位。FLIR Ex-XT：功能齐全FLIR Ex-XT手持式红外热像仪支持MSX技术和Wi-Fi功能，其红外分辨率可达320×240像素，测量温度可达550℃，坚固耐用，安全高效无惧恶劣环境！例如：使用FLIR E6红外热像仪，能以红外热图像的形式清楚显示，地暖热力管道的能量损耗，发现具体的漏水部位，避免了多处开凿地面的尴尬，减轻了工作量，提高了工作效率！Teledyne FLIR热像仪在暖通行业的经验丰富，应用广泛所以各位暖通工程师们快来挑选适合自己的“工作伴侣”吧~目前恰逢双十一满减优惠京东、天猫官方旗舰店所有产品均享满200减30的福利

01背景介绍随着集成电路和电子器件技术的快速发展，高功率密度电子设备的有效散热已成为确保其可靠性和使用寿命的主要因素之一。热界面材料通常被用来填补散热器和发热元件之间的间隙，以消除由非流动空气产生的高界面热阻。聚合物基材料因其轻质、电绝缘和高机械强度而被广泛用作导热材料。遗憾的是，由于分子构型无序，其固有热导率不能满足应用需求。一种可行的策略是将高导热填料与柔性和绝缘聚合物相结合，从而制备综合性能优良的复合材料。研究人员已经创造性地将各向异性的导热填料有序排列以获得具有优良各向异性导热性的TIM。由于导热路径最短，各向异性填料在基体厚度方向上的有效垂直排列以构建连续的传热路径，并进一步提高垂直透面导热系数，引起了研究人员的高度重视。人们已提出了电场或磁场、流动剪切力、定向冻结法和化学气相沉积等几种有效的策略来构建垂直取向结构以提高TIM的透面导热性。然而，垂直结构排列的二维填料并没有显示出明显的各向异性热导率增强。一维材料在其一个自由度的定向方向上可以达到最大的性能。近年来，碳纤维、碳纳米管、石墨烯等碳材料因其高导热性和优异的力学性能被广泛应用于TIMs的导热填料，其中一维中间相沥青基碳纤维的各向异性导热系数较高，轴向导热系数和径向导热系数分别约600 W/m K和小于10 W/m K，一维材料可以在特定方向上发挥最大的性能。02成果掠影四川大学陈枫教授团队采用中间相沥青基碳纤维，通过熔融挤压法制备了高取向度的短碳纤维(CF)/烯烃嵌段共聚物(OBC)复合材料，可提供高导热性、适度的电绝缘和良好的柔韧性。由于CF/OBC复合材料中CF的高取向度（f0.9，f是CF/OBC复合材料中CF的取向度），在 30 vol%的CF负载下表现出 15.06 W/m K的贯通面热导率，同时实现了良好的电绝缘（~10-9 S/m）和低压缩强度（2.62 MPa）。TIM测量的结果表明，垂直排列的CF/OBC显示出高效的散热能力，相比于随机结构温差可达 35.2°C，可用于冷却高功率LED器件。研究成果以“An efficient thermal interface material with anisotropy orientation and high through-plane thermal conductivity”为题发表于《Composites Science and Technology》期刊。03图文导读（a）具有垂直排列结构的CF/OBC复合材料的制备流程图；（b）CF的SEM图；（c）CF的拉曼光谱图；（d）挤出的长丝；（e）垂直排列的CF/OBC复合材料。（a）丝状物的横截面和（b）垂直排列的CF/OBC复合材料的SEM图；（c）垂直排列和（d）平行排列的2D-WAXS图案，CF含量分别是1,5,10,15,20,30 vol%时，平行排列样品的2D-WAXS图，虚线标记了CF的（002）平面的环；（e）相应的方位角整合的强度曲线。（f）不同CF含量样品中（002）平面的取向度；（g）纯OBC、CF和10 vol% CF/OBC的一维XRD图；（h）从表面和横截面的X射线方向的说明；（i）表面和（j）横断面的三维XRD图。CF/OBC复合材料的导热性能。（a）垂直、平行和随机样品的热导率；（b）随机、平行和垂直排列时30 vol% CF/OBC的比较；（c）各向异性随着CF含量的增加而增加；（d）反复加热和冷却循环后30 vol% 垂直的CF/OBC的典型热导率值；（e）各向异性热导率 30 vol% CF/OBC在不同温度下的各向异性热导率；（f）CF/OBC的电绝缘性能；100℃的条件下（g）示意图、（h）红外图和（i）样品顶部的温度。CF/OBC的机械性能。（a）打结的长丝；（b）弯曲和（c）扭曲的柔韧性；（d）平行排列和（e）垂直排列的CF/OBC块体的抗压应力-应变曲线；（f）比较平行结构和垂直结构之间的抗压强度随CF含量增加的变化。30 vol%的CF/OBC切片用于界面热管理。用于LED芯片散热测试系统的红外图像（a）加热和（b）冷却；(c)原理图和(d)中心区域的平均温度与运行时间的关系。

绝缘油介电强度测定仪介绍绝缘油介电强度测定仪测试系统，在电力系统厂矿及企业都有大量的电器设备。其内部绝缘油大都是充电绝缘型的。绝缘油的介电强度测试是常规测试项目。为了适应电力行业发展的需要。产品都是依据的国家标准GB/T507-2002、行标DL429.9-91以及的电力行业标准DL/T846，7-2004设计制造，采用微机控制，机电一体全部自动化，测试精度高，提高了工作效率，同时也大大减轻了工作人员的劳动强度。绝缘油介电强度测定仪的作用01绝缘油介电强度测定仪使变压器心子与外壳及铁芯有良好的绝缘作用，变压器的绝缘油，是充填在变压器心子和外壳之间的液体绝缘。充填于变压器内各部分空隙间，使变压器外壳内没有空气，加强了变压器绕组的层间和匝间的绝缘强度。同时，对变压器绕组绝缘起到了防潮作用。02绝缘油介电强度测定仪使变压器运行中加速冷却，变压器的绝缘油在变压器外壳内，通过上、下层间的温差作用，构成油的对流循环。变压器油可以将变压心子的温度，通过对流循环作用经变压器的散热器与外界低温介质（空气）间接接触，再把冷却后的低温绝缘油，经循环作用回到变压器心子内部，如此循环，起到了加速冷却变压器的作用。03灭弧作用，变压器油除能起到上述两种作用外，还可以在某种特殊运行状态时，起到了加速变压器外壳内的灭弧作用。绝缘油介电强度测定仪由于变压器油是经常运动的，当变压器内有某种故障而引起电弧时，能够加速电弧的熄灭。相关仪器A1160绝缘油介电强度测定仪用于检验绝缘油被水和其他悬浮物质物理污染的程度。测定方法是将试油放在专门的设备内，经受一个按一定速度均匀升压的交变电场的作用直至油被击穿。可广泛应用于电力、石油、化工等行业。 适应标准：GB/T507、DL/T846.7、DL/T429.9

今年4月份,山东省安丘市外贸食品公司的水产品和熟肉制品取得了欧盟官方出口注册,敲开了欧盟市场的大门,并有10多种蔬菜、禽肉产品定向供应上海世博会。早在今年1月份,由该公司参与制订的《食品安全区域化管理体系》通过了审定,该国家标准正式颁布后将为我国实现区域内的食品安全提供标准依据,是对现有食品安全管理体系标准的自主创新,达到了国际先进水平。由于掌握了行业最高标准的制定话语权,企业在高端竞争中更加得心应手,公司今年前5个月农产品出口创汇1513万美元,同比增长26.1%。　　“三流企业卖产品,二流企业卖品牌,一流企业卖标准”。截至到目前,山东省安丘市已有景芝酒业、恒安散热器、长安铁塔、海龙博莱特、外贸食品、柠檬生化、奥宝、汶瑞、科灵空调、金鸿、亚东冶金等11家企业,承担或参与了32项国家标准或行业标准的制定,抢占了行业竞争制高点,竞争力大大提升。今年前5个月,该市规模以上工业主营业务收入、利税同比分别增长29.3%、40.2%。　　在加快经济发展方式转变的过程中,山东省安丘市积极引导企业提高科技研发和自主创新能力,并把制定国家、行业标准作为提高市场竞争力的重要手段。该市专门设立了制定标准奖、创名优产品奖、高新技术奖等奖项,市财政每年拿出企业新增利润的15%作为中小企业创新基金,鼓励企业通过参与制定标准拓展市场空间。该市的潍坊恒安散热器公司先后参与制定了《铜质铝质散热器总成技术条件》等两项国家行业标准,始终坚持自主创新不停步,成为中国汽车工业协会车用散热器委员会理事长单位,在国内首家将水油两种散热器复合为一体,首家将铝质散热器投放市场,原料由铜变铝降低了成本,引领了全国内燃机散热器更新换代的革命。有65种产品技术获国家专利,在工程机械、重卡、高端农业装备散热器市场占到了60%以上的国内市场份额。　　“国标”制定权的背后,体现出企业持续不断的科技创新能力。该市目前有省级以上(工程)技术研究中心的企业8家,高新技术企业9家,去年以来该市企业共申请专利332件。山东科灵空调设备有限公司三年内就参与制定了《水源热泵机组能源效率限定值及能源效率等级》、《水源高温热泵机组》、《低环境温度空气源热泵机组》等5项国家行业标准,公司的主打产品水源热泵机组,冬天在地下水、地表水,甚至城市污水中提取能量取暖,夏天取冷降温,保持了国内同行业的领先地位。今年前5个月该公司主营业务收入翻番增长.

高低温湿热试验箱有三大主要功能：创造高温、低温和湿度的环境，被检测产品在这三种环境下发生性能变化，是实验室常见的高低温试验设备。 高低温湿热试验箱的常见故障及维修： 1.升温慢或者不升温：检查加热系统是否有故障：如加热管是否已坏，加热管接线是否松动，控制仪表是否烧坏，电路是否断路等。 2.没有湿度：先看是否缺水，再看加湿器是否正常，最后检查电控部分。 3.只有高温，没有低温：压缩机工作正常，可能是压缩机内缺少制冷剂，也可能是散热器堵塞，导致散热效果不好，还有可能是管路堵塞或泄漏，只要有针对一一排查处理就可以了。 4.箱内温度、湿度不均匀：可能是搅拌风扇的问题，要先检查风扇的工作情况。如是否有噪音，电机是否被烧毁，轴承是否缺油等。 高低温湿热试验箱的故障与之对应的故障排除如上，若有客户遇到难题可一一排除。

行政法规放射性物品运输安全管理条例（国务院令第５６２号）　 为了加强对放射性物品运输的安全管理，保障人体健康，保护环境，促进核能、核技术的开发与和平利用，根据《中华人民共和国放射性污染防治法》，制定本条例。　 放射性物品的运输和放射性物品运输容器的设计、制造等活动，适用本条例。　 本条例所称放射性物品，是指含有放射性核素，并且其活度和比活度均高于国家规定的豁免值的物品。　 国务院核安全监管部门对放射性物品运输的核与辐射安全实施监督管理。　 国务院公安、交通运输、铁路、民航等有关主管部门依照本条例规定和各自的职责，负责放射性物品运输安全的有关监督管理工作。　 县级以上地方人民政府环境保护主管部门和公安、交通运输等有关主管部门，依照本条例规定和各自的职责，负责本行政区域放射性物品运输安全的有关监督管理工作。　 运输放射性物品，应当使用专用的放射性物品运输包装容器（以下简称运输容器）。　 放射性物品运输容器的设计、制造单位应当建立健全责任制度，加强质量管理，并对所从事的放射性物品运输容器的设计、制造活动负责。　 任何单位和个人对违反本条例规定的行为，有权向国务院核安全监管部门或者其他依法履行放射性物品运输安全监督管理职责的部门举报。　?法制办就《放射性物品运输安全管理条例》等答记者问国家环境保护标准环境标志产品技术要求 皮革和合成革（HJ 507-2009）　 为贯彻《中华人民共和国环境保护法》，减少皮革和合成革产品在生产和使用过程中对环境和人体健康的影响，制定本标准。　 本标准对皮革和合成革产品中的pH值及其稀释差、游离甲醛、可萃取的重金属、含氯苯酚、邻苯基苯酚、可分解出致癌芳香胺的染料、气味等指标提出了限制要求，还对合成革产品中的挥发性有机化合物、有机锡化合物、氯化苯和氯化甲苯提出了限制要求，对生产用化学品中的有毒有害物质提出了禁用要求。　 本标准适用于中国环境标志产品认证。　 本标准规定了皮革和合成革环境标志产品的术语和定义、产品分类、基本要求、技术内容和检验方法。　 本标准适用于皮革和聚氨酯合成革。环境标志产品技术要求 采暖散热器（HJ 508-2009）　 为贯彻《中华人民共和国环境保护法》，有效利用和节约资源，减少采暖散热器在生产、使用过程中对环境和人体健康的影响，制定本标准。　 本标准对采暖散热器表面释放到空气中的污染物、金属热强度和密封垫材料等方面提出了要求。　 本标准适用于中国环境标志产品认证。　 本标准规定了采暖散热器环境标志产品的术语和定义、基本要求、技术内容及其检验方法。　 本标准适用于工业、民用建筑中，以热水或蒸汽为热媒的采暖散热器，不适用于钢制闭式串片散热器。车用陶瓷催化转化器中铂、钯、铑的测定 电感耦合等离子体发射光谱法和电感耦合等离子体质谱法（HJ 509-2009）　 为贯彻《中华人民共和国环境保护法》和《中华人民共和国大气污染防治法》，保护环境，保障人体健康，防治机动车排放污染，规范车用陶瓷催化转化器中铂（Pt）、钯（Pd）、铑（Rh）含量的测定方法，制定本标准。　 本标准规定了机动车用陶瓷催化转化器中贵金属铂（Pt）、钯（Pd）、铑（Rh）含量的电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）和电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）的测定方法。　 本标准适用于新制的和使用过的以堇青石蜂窝陶瓷为载体，并附载贵金属作活性组分的催化转化器中Pt、Pd、Rh含量的测定。　 本标准为首次发布。清洁生产标准 废铅酸蓄电池铅回收业（HJ 510-2009）　 为贯彻《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》和《中华人民共和国清洁生产促进法》，保护环境，为废铅酸蓄电池铅回收业开展清洁生产提供技术支持和导向，制定本标准。　 本标准规定了在达到国家和地方污染物排放标准的基础上，根据当前行业技术、装备水平和管理水平，废铅酸蓄电池铅回收业清洁生产的一般要求。　 本标准分为三级，一级代表国际清洁生产先进水平，二级代表国内清洁生产先进水平，三级代表国内清洁生产基本水平。随着技术的不断发展和进步，本标准将不断修订。　 本标准规定了废铅酸蓄电池铅回收业清洁生产的一般要求。本标准将废铅酸蓄电池铅回收业清洁生产指标分为六类，即生产工艺与装备指标、资源能源利用指标、产品指标、污染物产生指标（末端处理前）、废物回收利用指标和环境管理要求。　 本标准适用于废铅酸蓄电池铅回收业企业的清洁生产审核和清洁生产潜力与机会的判断、清洁生产绩效评估和清洁生产绩效公告制度，也适用于环境影响评价和排污许可证等环境管理制度。 　 本标准为首次发布。环境信息化标准指南（HJ 511-2009）　 为贯彻《中华人民共和国环境保护法》，落实国务院《关于落实科学发展观加强环境保护工作的决定》，建立环境信息化的标准体系，促进环境信息化工作，制定本标准。　 本标准规定了环境信息化标准体系的层次结构和环境信息化标准制修订原则。　 本标准适用于指导环境信息化规划、建设、实施以及环境信息化标准的制修订工作。

几种培养箱的主要用途 培养箱是培养微生物的主要设备，可用于细菌、细胞的培养繁殖。其原理是应用人工的方法在培养箱内造成微生物和细胞、细菌生长繁殖的人工环境，如控制一定的温度、湿度、气体等。目前使用的培养箱主要分为四种：直接电热式培养箱、隔水电热式培养箱、生化培养箱和二氧化碳培养箱。 (一) 电热式和隔水式培养箱 电热式和隔水式培养箱的外壳通常用石棉板或铁皮喷漆制成，隔水式培养箱内层为紫铜皮制的贮水夹层，电热式培养箱的夹层是用石棉或玻璃棉等绝热材料制成，以增强保温效果，培养箱顶部设有温度计，用温度控制器自动控制，使箱内温度恒定。隔水式培养箱采用电热管加热水的方式加温，电热式培养箱采用的是用电热丝直接加热，利用空气对流，使箱内温度均匀。 在培养箱内的正面侧面，有指示灯和温度调节旋扭，当电源接通后，红色指示灯亮，按照所需要温度转动旋扭至所需刻度，待温度达到后，红色指示灯螅灭，表示箱内已达到所需温度，此后箱内温度可靠温度控制器自动控制。 培养箱使用与维修保养： (1) 箱内的培养物不宜放置过挤，以便于热空气对流，无论放入或取出物品应随手关门，以免温度波动。 (2) 电热式培养箱应在箱内放一个盛水的容器，以保持一定的湿度。 (3) 隔水式培养箱应注意先加水再通电，同时应经常检查水位，及时添加水。 (4) 电热式培养箱在使用时应将风顶适当旋开，以利于调节箱内的温度。 (二) 生化培养箱 这种培养箱同时装有电热丝加热和压缩机制冷。因此可适应范围很大，一年四 季均可保持在恒定温度，因而逐渐普及。 该培养箱使用与维修保养类似电热式培养箱. 由于安装有压缩机， 因此也要遵守冰箱保养的注意事项， 如保持电压稳定， 不要过度倾斜， 及时清扫散热器上的灰尘等. (三) 二氧化碳培养箱 二氧化碳培养箱是在普通培养的基础上加以改进，主要是能加入CO2，以满足培养微生物所需的环境。主要用于组织培养和一些特殊微生物的培养。 1. CO2培养箱的安装与调试CO2培养箱的正面有操作盘，盘上设有电源开关，温度调节器(手动式和液晶显示盘)，CO2注入开关，CO2调节旋扭，湿度调节旋扭，温度显示盘，CO2显示盘和湿度显示盘，二氧化碳样品孔(用于抽取箱内的样品，以检测箱内的CO2是否达到显示盘上所显示的含量)和报警装置(超温报警灯)。 (1) 培养箱应放置于位置比较平稳，并远离热源的地方，以防止温度波动和微生物的污染。 (2) 在接通电源前，应按照使用说明书，在培养箱内加入一定的蒸馏水(所加入的水加入一定量的消毒剂，详见说明书)，以免烧坏机器。 (3) 当水加到一定量后，报警灯亮，即停止加水，打开电源开关，即开始加温，将温度控制器调到所需温度。 (4) 当温度达到所需温度时，则自动停止加热，超过所需温度时，超温报警灯亮，并发出报警声。 (5) 培养箱所用的CO2可以用液态CO2或气体，无论用哪种CO2给供的管子不能太变曲，以保证气体的畅通。一般选用CO2钢瓶，接上压力控制表即可。 (6) CO2含量的调零 在箱内温度和湿度稳定后(一般须三天)，旋动CO2 调节旋扭，使显示盘的数字调到0.00，过5分钟后如需要再重复调整，直到显示盘上的读数稳定为止。打开CO2注入开关 (注入灯亮)，将CO2设定值调到所需浓度，使浓度达到设定值浓度后(注入灯熄灭)，并至少维持10分钟。此后则由CO2控制器自动调节箱内的CO2含量。 (7) CO2培养箱湿度的调整 先将湿度调节旋扭按下，再将湿度调节旋扭转动至所需培养湿度，此后由湿度调节器自动调整湿度。 2. 培养箱使用注意事项 (1) 培养箱应由专人负责管理，操作盘上的任何开关和调节旋扭一旦固定后，不要随意扭动，以免影响箱内温度，CO2、湿度的波动，同时降低机器的灵敏度。 (2) 所加入的水必须是蒸馏水或无离子水，防止矿物质储积在水箱内产生腐蚀作用。每年必须换一次水。经常检查箱内水是否够。 (3) 箱内应定期用消毒液擦洗消毒，搁板可取出清洗消毒，防止其它微生物污染，导致实验失败。 (4) 定期检查超温安全装置，以防超温。方法为按进监测报警按扭，转动固定螺丝，直到超温报警装置响，然后关闭超温安全灯。 (5) 如长期不使用二氧化碳时，应将CO2开关关闭，防止CO2调节器失灵。 (6) 所使用的CO2必须的纯净的，否则降低CO2传感器的灵敏度和污染CO2过滤装置。 (7) 在无湿度控制的培养箱内，为保持箱内CO2 的稳定，要在箱内底层放入一个盛水的容器。 另外还有一种三气培养箱. 该培养箱是在二氧化碳培养箱的基础上进一步改进的新产品。其原理同其它培养箱一样，特点在于不仅可加入CO2，还可加入氮气和氧气，并全部由电脑控制和调节各种不同气体的含量。主要用于一些特殊微生物的繁殖和培养，一般应用不广泛，目前只有国外的少数厂家生产，价格也比较昂贵。

2018年8月27日-8月29日由中国内燃机工业协会换热器分会、中国汽车工业协会车用散热器委员会、中国汽车工业协会汽车空调委员会、中国内燃机工业协会冷却水泵机油泵分会主办的“2018年汽车及内燃机热管理技术交流大会”在天津社会山国际会议中心酒店举办。深圳万测试验设备有限公司作为中国内燃机工业协会换热器分会会员企业受邀参加。 万测集团是一家流体压力检测和力学性能测试解决技术方案提供商，集研发、设计、制造、销售、服务为一体的国家级高新技术企业。致力于汽车零部件、空调、换热器、航空航天、国防军工、工程机械等领域的流体测试和控制技术。拥有国际领先ptm系列油系脉冲试验机、水系脉冲试验机、气体脉冲试验机；btm系列高低压耐压爆破试验机、高低温耐压爆破试验机、高低压水压试验机；ltm系列气密性试验机、水检气密试验机、产线气密性试验机；vtm系列真空试验机；vem系列体积膨胀试验机；拉力试验机、摆锤冲击试验机、落锤冲击试验机、液压试验机、疲劳试验机、冷热循环试验机、内部腐蚀试验机和非标流体试验机等检测设备。 我们的解决方案和产品服务主要应用于客户汽车管、塑料管、尼龙管、合金管、航空管、复合管、换热器、蒸发器、冷凝器、散热器、中冷器、油冷器、暖风芯体、水箱、油箱、滤清器等产品测试。主要客户有比亚迪汽车、江淮汽车、长安汽车、南京汽车、野马汽车、中汽检测、华测检测、谱尼测试集团、瀚海检测、sgs检测、伟世通、翰昂汽车零部件、邦迪集团、清华大学苏州汽研院、南汽研究院、宁波天普、重庆溯联、川环科技、浙江银轮机械、上海银轮热交换器、陕西科隆能源、陕西泰德汽车空调、中科院、中国空空导弹研究院、中煤科工集团、中国船舶工业、中航工业沈阳兴华航空、宝山钢铁股份有限公司等等。 我们将根据客户的实际需求，一如既往的提供具有深度、广度的产品和综合解决方案，成为您可信赖的首选合作伙伴。

详细信息 大庆实验中学附属学校项目 黑龙江省-大庆市-龙凤区 状态：公告 更新时间： 2023-02-11 大庆实验中学附属学校项目 日期：2023-02-11 招标公告 1. 招标条件 本招标项目已由大庆市发展和改革委员会以庆发改发〔2023〕23号文件批复，项目业主为大庆实验中学附属学校项目建设指挥部，资金来源为地方政府债券资金和市财政资金，项目出资比例为财政资金 100 %，招标人为 大庆实验中学附属学校项目建设指挥部，招标代理机构为大庆市城安工程管理服务有限公司，招标投标行政监督及招标投标投诉受理单位为大庆市住房和城乡建设局。项目已具备招标条件，现进行施工公开招标。 2. 项目概况与招标范围 2.1 项目名称：大庆实验中学附属学校项目 2.2 建设地点： 大庆市龙凤区，凤德街东侧、龙津路北侧。 2.3 工程性质： 新建 2.4 建设规模及主要建设内容：该工程占地面积46111.79m2，总建筑面积25565.61m2，其中，地上建筑面积24997.63m2，地下（包含变电所、给水泵房、消防水泵房)建筑面积567.98m2，建设内容包括综合楼、体育场看台、门卫1、门卫2及附属设施，道路场地、绿化等。具体建设内容如下： 新建综合楼建筑面积为24736.47m2，其中地上建筑面积24168.49m2，地下设备用房567.98m2，地上5层，建筑高度20.70m，包括办公区、风雨操场、中学部、小学部等；体育场看台，地上1层，建筑面积760.14m2，建筑总高度5.50m；门卫1和门卫2建筑面积34.50m2，地上1层，建筑高度3.60m。 1、设计标准 使用年限：50年 结构形式：框架结构 建筑结构安全等级：二级 建筑设防烈度：6度 2、建筑 主体外墙采用400厚复合砌块保温节能墙体，内墙采用100/200厚陶粒混凝土砌块，外立面墙体采用外墙涂料；外窗采用单框三玻铝塑铝节能塑钢窗，外门采用氟碳漆保温玻璃门、保温防盗门，内门采用成品钢质门、防盗门；楼地面采用防滑地砖地面，墙面为白色环保乳胶漆，顶棚为白色环保乳胶漆，墙裙为1.20m高瓷砖墙裙，内门采用成品钢质门、防盗门。 3、给水和消防系统 水源分别引自西侧DN300及南侧DN30现状供水管线，供水压力为0.22~0.25MPa，用地红线内设总水表；校区室外消防水量由市政供水管线供给，室外消防管线与生活供水管线合用，管道布置成环状；室内消防水量由新建消防泵房供给，校区内建筑单体一、二层由市政管网直接供水，三层以上采用加压供水方式，采用叠压给水设备供水的方式；综合楼入户设总水表，按使用功能单独设水表计量。 室外给水管线采用钢骨架聚乙烯塑料复合管，热熔套筒连接；室内给水干管和立管采用内衬塑钢管，法兰或沟槽连接，支管采用S3.2级PP-R冷水塑料管，热熔连接；连接开水器采用金属软管，热水水管采用304薄壁不锈钢管，连接方式为双卡压连接；室内消防管线采用内外壁热浸镀锌无缝钢管，管径小于等于50mm者螺纹连接，管径大于50mm者采用沟槽柔性连接。 室外消火栓系统水量、水压由市政环状管线供给保证，采用抗浮式保温型地下消火栓井。室内消火栓系统采用临时高压制给水系统，室内消火栓箱均采用不锈钢箱。 4、雨排系统 生活污水重力流排至室外，经化粪池处理后进排入西侧龙湖小镇污水干线。地下一层消防水泵房、生活水泵房设排水沟、集水坑收集地面排水，由潜污泵提升后排放，每一集水坑设2台潜水泵，一用一备，交替工作，潜水泵由集水坑水位自动控制；室外污水管线采用给水球墨铸铁管，连接方式采用胶圈承插连接；室内排水管线采用柔性接口法兰承插式排水铸铁管，法兰连接；污水检查井采用钢筋混凝土圆形排水检查井。 学校区内雨水经管线收集后排放至西侧凤德街d800和南侧龙津路d800现状市政雨水管线。雨水管线采用Ⅱ级钢筋混凝土圆管，胶圈承插连接；雨水检查井采用圆形混凝土雨水检查井。 5、供暖通风与空调 采暖热源为市政供热管网，新建室外换热机组，换热机组设计总供热能力2.60万m2，总热负荷1430kW，供热二级网采用预制直埋保温管直埋敷设。散热器选用铸铁柱翼780型散热器，弱电间、消防控制室采用民用翅片管散热器采暖；散热器系统室内采暖管道采用无缝钢管，地热盘管采用耐热聚乙烯PE-RT管，散热器支管设两通、三通恒温阀，主入户设热水热空气幕；通风管道采用镀锌钢板制作、防排烟管道采用镀锌钢板外包工业一体化硅酸钙防火板制作。 6、电气系统 强电部分包含室内外照明系统、供配电系统、防雷接地及等电位联结系统；弱电部分包含综合布线系统、安防系统、校园广播系统、消防系统；综合楼、风雨操场、办公区主要通道照明、计算机系统用电、排水泵、生活水泵等用电负荷为二级负荷、消防用电负荷为二级负荷，其余均为三级负荷。 电源引自新建变电所。变电所总容量为2000KVA，由两台1000KVA干式变压器提供双路低压电源，用电计量方式采用高供高计计量方式。低压配电系统所有电线及电缆均采用WDZ-YJFE低烟无卤铜芯导体电缆，室内照明分支干线，分支线采用WDZ-BYJF-0.45/0.75kV铜芯电线，穿钢管暗敷设；消防线路竖井外采用WDZN-YJFE型，电缆井内敷设的线路采用WDZA-RTTYZ矿物质电缆，电气配电箱采用铁质壳体，嵌墙安装；低压配电系统接地形式采用TN-C-S方式，用电设备导电金属外壳均与PE线可靠连接。 所有照明灯具、光源、电气附件等均选用高效、节能型LED光源。教室及阅览室，实验室的照明灯具均采用LED护眼灯具，办公室及其他人员活动场所采用普通LED灯具，通道、走廊、楼梯间采用人体感应控制的节能LED灯，卫生间、阀组间等潮湿场所采用密闭型LED灯；在疏散走道及楼梯间、排烟机房、值班室、消控室等房间及部位设置应急照明及疏散系统；除楼梯间及走道照明外，采用就地控制方式，走道照明采用分区控制，人体感应控制。 利用建筑物基础钢筋做联合接地装置，接地电阻不大于1欧姆，进出建筑物的金属管道均做总等电位联结。利用屋面避雷带做接闪器，避雷带网格为10mX10m，或12mX8m。 综合楼设火灾自动报警系统，系统包括火灾探测器、手动报警按钮及声光报警器、消火栓按钮、消防广播、消防电话、消防电源监控系统、电气火灾监控系统、应急照明控制系统、消防设备联动系统以及应使用单位要求设置的防火门监控系统。 弱电系统预留网络、电话、监控、广播系统网线和预埋管。 7、道路场地和绿化 新建校园内沥青混凝土车行路、荷兰砖铺装、人工草坪足球场、塑胶跑道、硅PU塑胶球场及健身器材区等。 新建行车道沥青混凝土路面结构采用5cm AC-16C型中粒式改性沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油0.6L/m2+7cm AC-25F型粗粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油1.2L/m2+20cm C30水泥混凝土，抗折强度≥4.0MPa+20cm 5.0%水泥稳定级配碎石+20cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建人行铺装路面结构采用6cm荷兰砖面层砖（20*10*6cm）+3cm M10水泥砂浆+12cm C20水泥混凝土（抗折强度≥3.5MPa）+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建塑胶跑道及运动场地路面结构采用1.3cm聚氨酯环保透气型塑胶面层（红色/蓝色）+3cm AC-10C型细粒式沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油0.6L/m2+6cm AC-20F型中粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油 1.2L/m2+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm 5.0%水泥稳定砂砾+20cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建运动球场路面结构采用8mm水性硅PU塑胶面层（彩色）+3cm AC-10C型细粒式沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油0.6L/m2+6cm AC-20F型中粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油1.2L/m2+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm 5.0%水泥稳定砂砾+20cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建人工草坪足球场路面结构采用5cm双色PE人工草坪+3cm AC-10C型细粒式沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油 0.6L/m2+6cm AC-20F型中粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油 1.2L/m2+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm 5.0%水泥稳定砂砾+20cm 二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 综合楼周边采用宿根花、地被植物种植。花灌木、亚乔进行点缀；体育场周边以大乔木为空间骨架，不同花色的亚乔、花灌木、地被进行搭配；配备不同的功能设施，包括座椅、果皮箱、宣传栏、升旗台、领操台等。 主要工程量：土建部分：挖土方20414.92m3，钢筋1642.634t，混凝土13952.45m3，地下室防水1299.93m2，砌体6310.17m3，窗860.9m2，门1435.18m2，屋面14349.03m2，球形网架1102.92m2，保温7138.78m2，50厚玻化微珠保温砂浆2795.59m2，20厚外墙保温抹灰砂浆14355.79m2，地面22013.06m2，内墙面28960.92m2，墙裙6431.48m2，天棚21811.51m2，室外台阶109.42m2，室外散水713.28m2，外墙面15063.78m2。电气部分：变电所内高压配电柜10台，低压配电柜10台，外网路灯20m高杆灯4根，4.5m庭院灯8根，6m路灯37根，LED大屏幕综合楼内16.74m2，户外两处共12.49m2，看台24m2，落地式电热水器2台。水暖部分：无负压供水设备1套，调压箱1台，消火栓系统增压稳压设备1套，室内消火栓给水泵2台，消火栓箱90套，换热机组1套，潜水排污泵4台，废水处理设备1套，无动力太阳能集热器8套，消防高温排烟风机3台，防腐轴流风机2台，电热风幕12台，洗手盆118个，洗脸盆8个，洗涤盆8个，洗眼器4个，蹲便器286个，坐便器10个，感应小便器46个，挂式小便器3个，污水盆2个，拖布池46个，墙壁水泵集合器2套，地下消火栓井4套，780型散热器14941片，翅片散热器4组，钢筋混凝土圆管646m，给水球墨铸铁管161m，预制直埋保温管147m，钢骨架管955m，超声波热量表10个。场地部分：沥青混凝土路面6201m2，路缘石及平缘石3435m，荷兰砖人行铺装6651m2，运动球场路面2797m2，彩色塑胶跑道及运动场地路面5282m2，人工草坪10201m2，标线277m，停车位彩色喷涂303m2，场平土方清除表土14348m3，回填土方89425.28m3，清除淤泥后回填砂砾765m3。绿化部分：乔木200株，花卉6207m2，草坪816m2，灌木413株，小叶丁香球13个。 上述内容以施工图及工程量清单为准。 2.5 本标段招标控制价： 10044.82万元 2.6 计划工期：487 日历天。 计划开工日期 2023 年 04 月 01 日；计划竣工日期 2024 年 07月 31 日。 2.7 质量标准： 符合现行工程质量验收标准以及相关专业验收规范的合格标准。目标要求：争创省优、龙江杯奖。 2.8 标段划分：本项目不划分标段 2.9 招标范围：施工图纸及工程量清单所示全部内容。 3. 投标人资格要求 3.1 本次招标要求投标人必须是在中华人民共和国境内注册的具有独立法人资格的法人或其他组织，具有有效的营业执照、安全生产许可证并满足以下要求。 3.2 资质条件：投标人须具备建设行政主管部门核发有效的建筑工程施工总承包三级及以上资质及安全生产许可证。 3.3 项目负责人资格： 拟派项目负责人 1 人：拟派项目负责人须具备建筑工程专业二级注册建造师执业资格，具备有效的 B 类安全生产考核合格证书。 3.4 投标人拟投入项目管理人员要求： 按照《黑龙江省房屋建筑和市政基础设施工程项目管理机构人员配置管理暂行办法》(黑建规范[2020]8 号) 文件及招标文件(项目管理机构人员配置表) 规定， 不得低于招标文件规定的标准数量配备项目管理机构人员，并填报项目管理人员配置表， 否则其投标将被否决。投标人也可以根据项目管理需要增加岗位及人员。 (技术负责人： 1 名， 按黑建规范[2020]8 号文件规定，本项目属于中型工程， 技术负责人如使用职称证的，需配备中级职称人员。施工员：1 名；安全员： 2 名，质量 员：2 名， ※标准员 1 名； ※材料员 1 名； ※机械员 1名； ※劳务员1名； ※资料员 1 名) (※为项目管理机构人员可在同一项目兼职， 但兼职不得超过 2 个岗位。同一岗位人员配 备超过 2 人及以上的，施工单位应明确该岗位的负责人,除项目经理外，其他人员无需提供证件。) 3.5 信誉要求 (1)至投标截止时间，企业状态为严重违法失信企业或经营异常企业，招标人不接受其参与本项目投标。企业状态以国家企业信用信息公示系统最新公示信息为准。 提供“国家企业信用信息公示系统”(http://www.gsxt.gov.cn/)中未被列入严重 违法失信企业及经营异常企业的网站查询截图(截图中需体现网站名、投标单位名称、统 一社会信用代码、查询结果、查询日期等信息) ，结果查询时间为本招标公告发出之日起 方为有效。(查询方式： 国家企业信用信息公示系统首页→在搜索框内输入投标人名称→ 点击查询→点击查询到的投标人名称→在投标人企业基础信息页面分别点击“列入经营异 常名录信息”“列入严重违法失信企业名单(黑名单)信息”后分别完整截图保存) (2)信用中国平台中列入失信被执行人名单的企业作为不合格的投标企业，不得参与投标。 提供“信用中国”(https://www.creditchina.gov.cn/?navPage=0) 中未被列入失信 被执行人的网站查询截图(截图中需体现网站名、投标单位名称、查询结果、查询日期等 信息) ，结果查询时间为本招标公告发出之日起方为有效。(查询方式： 信用中国网站首页→在搜索框内输入投标人名称→点击搜索→点击“失信被执行人”后完整截图保存) (3)本项目不接受投标人因受到行政处罚、失信惩戒措施仍在限制投标惩戒期内的 投标人投标。 3.6 本次招标不接受联合体投标， 本项目决不允许违法分包、转包及挂靠等违法行为。 3.7 与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或者个人，不得参加投标； 单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加同一标段投标，或者未划分标段的同一招标项目投标。 3.8 资格审查方式 本工程采用资格后审方式,主要资格审查标准、内容等详见招标文件，只有资格审查 合格的投标申请人才有可能被授予合同。 4. 招标文件的获取 4.1 凡 有 意 参 加 投 标 人 ， 应 先 在 “ 黑 龙 江 公 共 资 源 交 易 网 ” (http://www.hljggzyjyw.org.cn)进行用户注册、办理数字证书,使用数字证书登录“黑龙江公共资源交易网”上的“交易平台”(http://www.hljggzyjyw.org.cn) 下载招标文 件。下载时间为于 2023 年 02 月 12日 09 时 00 分至 2023 年 02 月 19 日 09 时 00 分(北京时间，下同) 。有关手续请查看“黑龙江公共资源交易网”中的《服务指南》黑龙江省公共资源交易平台投标文件制作操作手册、黑龙江省公共资源交易平台工程建设投标人操 作视频、黑龙江省公共资源交易平台会员注册入库操作视频。 4.2 潜 在 投 标 人 使 用 数 字 证 书 通 过 “ 黑 龙 江 公 共 资 源 交 易 网 ” (http://www.hljggzyjyw.org.cn)在线下载。 5. 投标文件的递交 5.1 电子投标文件递交方式为网上递交，投标截止时间 2023 年 03 月 07 日 09 时 00 分，投标人应在截止时间前通过'黑龙江公共资源交易网'上的'交易平台'递交电子投标文件； 5.2 在投标截止时间后递交的电子投标文件，系统不予接收。 6. 开标方式 6.1 该项目为线上开标，开标时间同投标截止时间。 6.2 评审地点： 大庆市公共资源交易中心。 7. 定标方式 依据《黑龙江省房屋建筑和市政基础设施工程招投标评定分离工作指引》黑建建 (2021) 5 号、参照《哈尔滨市房屋建筑和市政基础设施工程项目评定分离招标投标管理办法(试行) 通知》哈住建发(2021) 298 号文件》 ，本项目采用评定分离方式招标， 定性评审法评标，票决定标法定标，具体定标规则详见招标文件。 8.踏勘现场和答疑安排 8.1 招标人不组织踏勘现场。 8.2 投标人提问、质疑以及招标人对招标文件的澄清均通过黑龙江公共资源交易网上 (http://www.hljggzyjyw.org.cn) 进行。 9. 发布公告的媒介 本次招标公告在黑龙江公共资源交易网上 (http://www.hljggzyjyw.org.cn) 发布。 10. 联系方式 监督部门：大庆市住房和城乡建设局 联系电话： 0459-6298779 招 标 人： 大庆实验中学附属学校项目建设指挥部 地 址：大庆市萨尔图区城投项目指挥部 联 系 人： 高先生 联系电话：13339399709 代理机构： 大庆市城安工程管理服务有限公司 地 址： 大庆市萨尔图区格林小镇二期 联 系 人： 王女士 电 话： 0459-8971033*投标保证金 电子保函方式： 投标人登录后在招标公告中选择要投标的项目，点击投标准备，填写相关信息进行确认投标。然后在我的项目中选择相应的项目选择项目流程，选择办理电子保函按钮根据提示进行电子保函办理，并以系统查询到的电子保函作为保证金鉴收的依据。 现金方式： 投标人在交易平台中选择以现金方式提交交易保证金。在线自行选择提交保证金的银行，获取参与本次投标的随机子账户，在招标文件规定的保证金提交截止时间之前，以电汇方式将保证金足额汇入黑龙江省公共资源交易平台对接的银行中（须从投标人基本账户转出）。 投标保证金的退还： 中标公示结束后，如未收到投标人或行政主管部门关于项目存在投诉的书面通知，由招标人/招标代理机构在交易平台点击保证金退回申请。如收到书面通知，应当暂停投标保证金退还。招标人与中标人签订合同后，应于5日内将合同的主要内容在“黑龙江公共资源交易网”登记，并及时退还中标人的投标保证金。保证金缴纳及退还时发生的跨行手续费，由投标人承担。具体操作详见“黑龙江公共资源交易网''中的《服务指南》黑龙江省公共资源交易平台电子保函-操作手册、黑龙江省公共资源交易平台工程建设-工作台-投标人操作手册及设投标人操作视频。 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：废气/废水处理机 开标时间：2023-03-07 00:00 预算金额：1.00亿元 采购单位：大庆实验中学附属学校项目建设指挥部 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：大庆市城安工程管理服务有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 大庆实验中学附属学校项目 黑龙江省-大庆市-龙凤区 状态：公告 更新时间： 2023-02-11 大庆实验中学附属学校项目 日期：2023-02-11 招标公告 1. 招标条件 本招标项目已由大庆市发展和改革委员会以庆发改发〔2023〕23号文件批复，项目业主为大庆实验中学附属学校项目建设指挥部，资金来源为地方政府债券资金和市财政资金，项目出资比例为财政资金 100 %，招标人为 大庆实验中学附属学校项目建设指挥部，招标代理机构为大庆市城安工程管理服务有限公司，招标投标行政监督及招标投标投诉受理单位为大庆市住房和城乡建设局。项目已具备招标条件，现进行施工公开招标。 2. 项目概况与招标范围 2.1 项目名称：大庆实验中学附属学校项目 2.2 建设地点： 大庆市龙凤区，凤德街东侧、龙津路北侧。 2.3 工程性质： 新建 2.4 建设规模及主要建设内容：该工程占地面积46111.79m2，总建筑面积25565.61m2，其中，地上建筑面积24997.63m2，地下（包含变电所、给水泵房、消防水泵房)建筑面积567.98m2，建设内容包括综合楼、体育场看台、门卫1、门卫2及附属设施，道路场地、绿化等。具体建设内容如下： 新建综合楼建筑面积为24736.47m2，其中地上建筑面积24168.49m2，地下设备用房567.98m2，地上5层，建筑高度20.70m，包括办公区、风雨操场、中学部、小学部等；体育场看台，地上1层，建筑面积760.14m2，建筑总高度5.50m；门卫1和门卫2建筑面积34.50m2，地上1层，建筑高度3.60m。 1、设计标准 使用年限：50年 结构形式：框架结构 建筑结构安全等级：二级 建筑设防烈度：6度 2、建筑 主体外墙采用400厚复合砌块保温节能墙体，内墙采用100/200厚陶粒混凝土砌块，外立面墙体采用外墙涂料；外窗采用单框三玻铝塑铝节能塑钢窗，外门采用氟碳漆保温玻璃门、保温防盗门，内门采用成品钢质门、防盗门；楼地面采用防滑地砖地面，墙面为白色环保乳胶漆，顶棚为白色环保乳胶漆，墙裙为1.20m高瓷砖墙裙，内门采用成品钢质门、防盗门。 3、给水和消防系统 水源分别引自西侧DN300及南侧DN30现状供水管线，供水压力为0.22~0.25MPa，用地红线内设总水表；校区室外消防水量由市政供水管线供给，室外消防管线与生活供水管线合用，管道布置成环状；室内消防水量由新建消防泵房供给，校区内建筑单体一、二层由市政管网直接供水，三层以上采用加压供水方式，采用叠压给水设备供水的方式；综合楼入户设总水表，按使用功能单独设水表计量。 室外给水管线采用钢骨架聚乙烯塑料复合管，热熔套筒连接；室内给水干管和立管采用内衬塑钢管，法兰或沟槽连接，支管采用S3.2级PP-R冷水塑料管，热熔连接；连接开水器采用金属软管，热水水管采用304薄壁不锈钢管，连接方式为双卡压连接；室内消防管线采用内外壁热浸镀锌无缝钢管，管径小于等于50mm者螺纹连接，管径大于50mm者采用沟槽柔性连接。 室外消火栓系统水量、水压由市政环状管线供给保证，采用抗浮式保温型地下消火栓井。室内消火栓系统采用临时高压制给水系统，室内消火栓箱均采用不锈钢箱。 4、雨排系统 生活污水重力流排至室外，经化粪池处理后进排入西侧龙湖小镇污水干线。地下一层消防水泵房、生活水泵房设排水沟、集水坑收集地面排水，由潜污泵提升后排放，每一集水坑设2台潜水泵，一用一备，交替工作，潜水泵由集水坑水位自动控制；室外污水管线采用给水球墨铸铁管，连接方式采用胶圈承插连接；室内排水管线采用柔性接口法兰承插式排水铸铁管，法兰连接；污水检查井采用钢筋混凝土圆形排水检查井。 学校区内雨水经管线收集后排放至西侧凤德街d800和南侧龙津路d800现状市政雨水管线。雨水管线采用Ⅱ级钢筋混凝土圆管，胶圈承插连接；雨水检查井采用圆形混凝土雨水检查井。 5、供暖通风与空调 采暖热源为市政供热管网，新建室外换热机组，换热机组设计总供热能力2.60万m2，总热负荷1430kW，供热二级网采用预制直埋保温管直埋敷设。散热器选用铸铁柱翼780型散热器，弱电间、消防控制室采用民用翅片管散热器采暖；散热器系统室内采暖管道采用无缝钢管，地热盘管采用耐热聚乙烯PE-RT管，散热器支管设两通、三通恒温阀，主入户设热水热空气幕；通风管道采用镀锌钢板制作、防排烟管道采用镀锌钢板外包工业一体化硅酸钙防火板制作。 6、电气系统 强电部分包含室内外照明系统、供配电系统、防雷接地及等电位联结系统；弱电部分包含综合布线系统、安防系统、校园广播系统、消防系统；综合楼、风雨操场、办公区主要通道照明、计算机系统用电、排水泵、生活水泵等用电负荷为二级负荷、消防用电负荷为二级负荷，其余均为三级负荷。 电源引自新建变电所。变电所总容量为2000KVA，由两台1000KVA干式变压器提供双路低压电源，用电计量方式采用高供高计计量方式。低压配电系统所有电线及电缆均采用WDZ-YJFE低烟无卤铜芯导体电缆，室内照明分支干线，分支线采用WDZ-BYJF-0.45/0.75kV铜芯电线，穿钢管暗敷设；消防线路竖井外采用WDZN-YJFE型，电缆井内敷设的线路采用WDZA-RTTYZ矿物质电缆，电气配电箱采用铁质壳体，嵌墙安装；低压配电系统接地形式采用TN-C-S方式，用电设备导电金属外壳均与PE线可靠连接。 所有照明灯具、光源、电气附件等均选用高效、节能型LED光源。教室及阅览室，实验室的照明灯具均采用LED护眼灯具，办公室及其他人员活动场所采用普通LED灯具，通道、走廊、楼梯间采用人体感应控制的节能LED灯，卫生间、阀组间等潮湿场所采用密闭型LED灯；在疏散走道及楼梯间、排烟机房、值班室、消控室等房间及部位设置应急照明及疏散系统；除楼梯间及走道照明外，采用就地控制方式，走道照明采用分区控制，人体感应控制。 利用建筑物基础钢筋做联合接地装置，接地电阻不大于1欧姆，进出建筑物的金属管道均做总等电位联结。利用屋面避雷带做接闪器，避雷带网格为10mX10m，或12mX8m。 综合楼设火灾自动报警系统，系统包括火灾探测器、手动报警按钮及声光报警器、消火栓按钮、消防广播、消防电话、消防电源监控系统、电气火灾监控系统、应急照明控制系统、消防设备联动系统以及应使用单位要求设置的防火门监控系统。 弱电系统预留网络、电话、监控、广播系统网线和预埋管。 7、道路场地和绿化 新建校园内沥青混凝土车行路、荷兰砖铺装、人工草坪足球场、塑胶跑道、硅PU塑胶球场及健身器材区等。 新建行车道沥青混凝土路面结构采用5cm AC-16C型中粒式改性沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油0.6L/m2+7cm AC-25F型粗粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油1.2L/m2+20cm C30水泥混凝土，抗折强度≥4.0MPa+20cm 5.0%水泥稳定级配碎石+20cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建人行铺装路面结构采用6cm荷兰砖面层砖（20*10*6cm）+3cm M10水泥砂浆+12cm C20水泥混凝土（抗折强度≥3.5MPa）+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建塑胶跑道及运动场地路面结构采用1.3cm聚氨酯环保透气型塑胶面层（红色/蓝色）+3cm AC-10C型细粒式沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油0.6L/m2+6cm AC-20F型中粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油 1.2L/m2+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm 5.0%水泥稳定砂砾+20cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建运动球场路面结构采用8mm水性硅PU塑胶面层（彩色）+3cm AC-10C型细粒式沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油0.6L/m2+6cm AC-20F型中粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油1.2L/m2+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm 5.0%水泥稳定砂砾+20cm二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 新建人工草坪足球场路面结构采用5cm双色PE人工草坪+3cm AC-10C型细粒式沥青混凝土+改性乳化沥青PCR粘层油 0.6L/m2+6cm AC-20F型中粒式沥青混凝土+乳化沥青PC-2透层油 1.2L/m2+18cm 5.0%水泥稳定级配碎石+18cm 5.0%水泥稳定砂砾+20cm 二灰土（水泥：粉煤灰：土=6:19:75）。 综合楼周边采用宿根花、地被植物种植。花灌木、亚乔进行点缀；体育场周边以大乔木为空间骨架，不同花色的亚乔、花灌木、地被进行搭配；配备不同的功能设施，包括座椅、果皮箱、宣传栏、升旗台、领操台等。 主要工程量：土建部分：挖土方20414.92m3，钢筋1642.634t，混凝土13952.45m3，地下室防水1299.93m2，砌体6310.17m3，窗860.9m2，门1435.18m2，屋面14349.03m2，球形网架1102.92m2，保温7138.78m2，50厚玻化微珠保温砂浆2795.59m2，20厚外墙保温抹灰砂浆14355.79m2，地面22013.06m2，内墙面28960.92m2，墙裙6431.48m2，天棚21811.51m2，室外台阶109.42m2，室外散水713.28m2，外墙面15063.78m2。电气部分：变电所内高压配电柜10台，低压配电柜10台，外网路灯20m高杆灯4根，4.5m庭院灯8根，6m路灯37根，LED大屏幕综合楼内16.74m2，户外两处共12.49m2，看台24m2，落地式电热水器2台。水暖部分：无负压供水设备1套，调压箱1台，消火栓系统增压稳压设备1套，室内消火栓给水泵2台，消火栓箱90套，换热机组1套，潜水排污泵4台，废水处理设备1套，无动力太阳能集热器8套，消防高温排烟风机3台，防腐轴流风机2台，电热风幕12台，洗手盆118个，洗脸盆8个，洗涤盆8个，洗眼器4个，蹲便器286个，坐便器10个，感应小便器46个，挂式小便器3个，污水盆2个，拖布池46个，墙壁水泵集合器2套，地下消火栓井4套，780型散热器14941片，翅片散热器4组，钢筋混凝土圆管646m，给水球墨铸铁管161m，预制直埋保温管147m，钢骨架管955m，超声波热量表10个。场地部分：沥青混凝土路面6201m2，路缘石及平缘石3435m，荷兰砖人行铺装6651m2，运动球场路面2797m2，彩色塑胶跑道及运动场地路面5282m2，人工草坪10201m2，标线277m，停车位彩色喷涂303m2，场平土方清除表土14348m3，回填土方89425.28m3，清除淤泥后回填砂砾765m3。绿化部分：乔木200株，花卉6207m2，草坪816m2，灌木413株，小叶丁香球13个。 上述内容以施工图及工程量清单为准。 2.5 本标段招标控制价： 10044.82万元 2.6 计划工期：487 日历天。 计划开工日期 2023 年 04 月 01 日；计划竣工日期 2024 年 07月 31 日。 2.7 质量标准： 符合现行工程质量验收标准以及相关专业验收规范的合格标准。目标要求：争创省优、龙江杯奖。 2.8 标段划分：本项目不划分标段 2.9 招标范围：施工图纸及工程量清单所示全部内容。 3. 投标人资格要求 3.1 本次招标要求投标人必须是在中华人民共和国境内注册的具有独立法人资格的法人或其他组织，具有有效的营业执照、安全生产许可证并满足以下要求。 3.2 资质条件：投标人须具备建设行政主管部门核发有效的建筑工程施工总承包三级及以上资质及安全生产许可证。 3.3 项目负责人资格： 拟派项目负责人 1 人：拟派项目负责人须具备建筑工程专业二级注册建造师执业资格，具备有效的 B 类安全生产考核合格证书。 3.4 投标人拟投入项目管理人员要求： 按照《黑龙江省房屋建筑和市政基础设施工程项目管理机构人员配置管理暂行办法》(黑建规范[2020]8 号) 文件及招标文件(项目管理机构人员配置表) 规定， 不得低于招标文件规定的标准数量配备项目管理机构人员，并填报项目管理人员配置表， 否则其投标将被否决。投标人也可以根据项目管理需要增加岗位及人员。 (技术负责人： 1 名， 按黑建规范[2020]8 号文件规定，本项目属于中型工程， 技术负责人如使用职称证的，需配备中级职称人员。施工员：1 名；安全员： 2 名，质量 员：2 名， ※标准员 1 名； ※材料员 1 名； ※机械员 1名； ※劳务员1名； ※资料员 1 名) (※为项目管理机构人员可在同一项目兼职， 但兼职不得超过 2 个岗位。同一岗位人员配 备超过 2 人及以上的，施工单位应明确该岗位的负责人,除项目经理外，其他人员无需提供证件。) 3.5 信誉要求 (1)至投标截止时间，企业状态为严重违法失信企业或经营异常企业，招标人不接受其参与本项目投标。企业状态以国家企业信用信息公示系统最新公示信息为准。 提供“国家企业信用信息公示系统”(http://www.gsxt.gov.cn/)中未被列入严重 违法失信企业及经营异常企业的网站查询截图(截图中需体现网站名、投标单位名称、统 一社会信用代码、查询结果、查询日期等信息) ，结果查询时间为本招标公告发出之日起 方为有效。(查询方式： 国家企业信用信息公示系统首页→在搜索框内输入投标人名称→ 点击查询→点击查询到的投标人名称→在投标人企业基础信息页面分别点击“列入经营异 常名录信息”“列入严重违法失信企业名单(黑名单)信息”后分别完整截图保存) (2)信用中国平台中列入失信被执行人名单的企业作为不合格的投标企业，不得参与投标。 提供“信用中国”(https://www.creditchina.gov.cn/?navPage=0) 中未被列入失信 被执行人的网站查询截图(截图中需体现网站名、投标单位名称、查询结果、查询日期等 信息) ，结果查询时间为本招标公告发出之日起方为有效。(查询方式： 信用中国网站首页→在搜索框内输入投标人名称→点击搜索→点击“失信被执行人”后完整截图保存) (3)本项目不接受投标人因受到行政处罚、失信惩戒措施仍在限制投标惩戒期内的 投标人投标。 3.6 本次招标不接受联合体投标， 本项目决不允许违法分包、转包及挂靠等违法行为。 3.7 与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或者个人，不得参加投标； 单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加同一标段投标，或者未划分标段的同一招标项目投标。 3.8 资格审查方式 本工程采用资格后审方式,主要资格审查标准、内容等详见招标文件，只有资格审查 合格的投标申请人才有可能被授予合同。 4. 招标文件的获取 4.1 凡 有 意 参 加 投 标 人 ， 应 先 在 “ 黑 龙 江 公 共 资 源 交 易 网 ” (http://www.hljggzyjyw.org.cn)进行用户注册、办理数字证书,使用数字证书登录“黑龙江公共资源交易网”上的“交易平台”(http://www.hljggzyjyw.org.cn) 下载招标文 件。下载时间为于 2023 年 02 月 12日 09 时 00 分至 2023 年 02 月 19 日 09 时 00 分(北京时间，下同) 。有关手续请查看“黑龙江公共资源交易网”中的《服务指南》黑龙江省公共资源交易平台投标文件制作操作手册、黑龙江省公共资源交易平台工程建设投标人操 作视频、黑龙江省公共资源交易平台会员注册入库操作视频。 4.2 潜 在 投 标 人 使 用 数 字 证 书 通 过 “ 黑 龙 江 公 共 资 源 交 易 网 ” (http://www.hljggzyjyw.org.cn)在线下载。 5. 投标文件的递交 5.1 电子投标文件递交方式为网上递交，投标截止时间 2023 年 03 月 07 日 09 时 00 分，投标人应在截止时间前通过'黑龙江公共资源交易网'上的'交易平台'递交电子投标文件； 5.2 在投标截止时间后递交的电子投标文件，系统不予接收。 6. 开标方式 6.1 该项目为线上开标，开标时间同投标截止时间。 6.2 评审地点： 大庆市公共资源交易中心。 7. 定标方式 依据《黑龙江省房屋建筑和市政基础设施工程招投标评定分离工作指引》黑建建 (2021) 5 号、参照《哈尔滨市房屋建筑和市政基础设施工程项目评定分离招标投标管理办法(试行) 通知》哈住建发(2021) 298 号文件》 ，本项目采用评定分离方式招标， 定性评审法评标，票决定标法定标，具体定标规则详见招标文件。 8.踏勘现场和答疑安排 8.1 招标人不组织踏勘现场。 8.2 投标人提问、质疑以及招标人对招标文件的澄清均通过黑龙江公共资源交易网上 (http://www.hljggzyjyw.org.cn) 进行。 9. 发布公告的媒介 本次招标公告在黑龙江公共资源交易网上 (http://www.hljggzyjyw.org.cn) 发布。 10. 联系方式 监督部门：大庆市住房和城乡建设局 联系电话： 0459-6298779 招 标 人： 大庆实验中学附属学校项目建设指挥部 地 址：大庆市萨尔图区城投项目指挥部 联 系 人： 高先生 联系电话：13339399709 代理机构： 大庆市城安工程管理服务有限公司 地 址： 大庆市萨尔图区格林小镇二期 联 系 人： 王女士 电 话： 0459-8971033*投标保证金 电子保函方式： 投标人登录后在招标公告中选择要投标的项目，点击投标准备，填写相关信息进行确认投标。然后在我的项目中选择相应的项目选择项目流程，选择办理电子保函按钮根据提示进行电子保函办理，并以系统查询到的电子保函作为保证金鉴收的依据。 现金方式： 投标人在交易平台中选择以现金方式提交交易保证金。在线自行选择提交保证金的银行，获取参与本次投标的随机子账户，在招标文件规定的保证金提交截止时间之前，以电汇方式将保证金足额汇入黑龙江省公共资源交易平台对接的银行中（须从投标人基本账户转出）。 投标保证金的退还： 中标公示结束后，如未收到投标人或行政主管部门关于项目存在投诉的书面通知，由招标人/招标代理机构在交易平台点击保证金退回申请。如收到书面通知，应当暂停投标保证金退还。招标人与中标人签订合同后，应于5日内将合同的主要内容在“黑龙江公共资源交易网”登记，并及时退还中标人的投标保证金。保证金缴纳及退还时发生的跨行手续费，由投标人承担。具体操作详见“黑龙江公共资源交易网''中的《服务指南》黑龙江省公共资源交易平台电子保函-操作手册、黑龙江省公共资源交易平台工程建设-工作台-投标人操作手册及设投标人操作视频。

业纳激光与材料加工事业部介绍了其在半导体材料领域所取得的成就，并进一步展示了其在激光材料加工方面推出的明星产品。3 月 19 日至21 日，中国上海，上海新国际展览中心 W2 展厅 #2420 展位，慕尼黑上海光博会即将开幕。　　“很高兴能在 2013 年度慕尼黑上海光博会上，向亚洲准顾客们介绍我们在半导体材料和激光材料加工领域取得的最新成就。”业纳激光与材料加工分公司中国区总经理Martin Wachholz 说道。“拥有业纳技术，您能实现应用创新，如使用二极管激光器直接、快速、高效地加工各种几何形状各异的材料。”　　采用业纳新型单发射器和迷你激光棒实现创新性激光应用　　全新的单发射器和迷你激光棒现已上市，可选波长有 915nm 和 940/955nm，是光纤激光器的完美泵浦源，同时完美适用于二极管直接应用和塑料件焊接或韧化处理等其他应用。9xx nm 单发射器的输出功率为 12W，从 90μm 的孔洞中向外发射。12W 时，被动安装式散热器的插座电热转换效率为 64%，最大电热转换效率为 74%。在远场分布为 26° x 6.5°(达到一半最大值(12W) 时，宽度最大)的情况下，是耦合成 105μm 的光纤的理想选择。9xx nm 的迷你激光棒是非常杰出的解决方案，能够集单发射器的耦合效率和全幅激光棒的安装成本为一体。迷你激光棒内含五个发射器，每个发射孔洞的规格为 90μm ，孔洞间距为 1000μm 。建议输出功率为 55W。被动冷却式散热器的插座电热转换效率为 69%。远场分布情况与单发射器相同。除新型的迷你激光棒外，业纳还展示了适用于大功率应用的其他单发射器和激光棒用，并且效率较高、拥有卓越的使用寿命。这些产品现已上市，可选波长在 792nm 和 976nm 之间。所有的半导体产品均经严格的工艺控制制造而成，因此其品质、可靠性和较长使用寿命均能满足最高要求。　　采用业纳 1kW 光纤激光器切割和焊接金属材料　　在2013 年度慕尼黑上海光博会上，业纳还展示了自身研制的JenLas fiber cw 1000 光纤激光器。这种 OEM 光纤激光器的输出功率为 1kW，完美适用于工业环境中的材料加工。JenLas fiber cw 1000 可确保较高的生产效率和卓越的加工品质，尤其是切割和焊接厚度和几何形状各异的金属件时，这些优势更为明显。业纳对各层次的激光技术有着深入的了解，并具有丰富的多种应用经验，确保业纳能够轻松、灵活地将其激光器集成到全球客户系统和设备中。与常规机械或化学工艺(如胶合、钎焊或热板焊接)相比，采用光纤激光器进行激光焊接在灵活性、加工质量和加工速度上均有优势。焊缝强度极高，即使是尺寸罕见的部件，也可实现快速、可靠加工。采用 JenLas fiber cw 1000 进行切割和焊接可为用户提供更多潜能，便于用于创造新前景。　　进一步研发成就：激光棒CN安装底架　　业纳激光与材料加工事业部推出了进一步研发出的 CN 散热器。由于二极管激光棒采用双侧冷却方式，与二极管激光棒常规安装技术相比，该散热器的冷却效率更高，最高幅度可达30%。此外，通过进一步研发CN 散热器制造技术，未来还可能将半导体激光器安装在散热器上，同样以硬脉冲形式运行。因此，这些高效被动式散热器可拓展至激光泵浦和材料加工等更多其他应用领域。　　适用于多种微观应用的 IRxx 系列激光器　　业纳奉献给亚洲准客户产品——已在光伏产业名闻遐迩的产品 —— 便是红外盘形激光器系列的JenLas disk IRxx。这些激光器脉冲长度较短，重复率较高，脉冲能量亦恒定较高。其带给用户的另一大优势便是可灵活调整激光器参数，以便找到适用于单个工艺的最佳参数组合。这就意味着，可单独调整每一个参数，如脉冲持续时间、重复率和激光功率。激光器与智能激光器控制系统一起交付，其具有标准化的界面，可以简化集成。这样一来，不论是模拟式控制还是数字式控制，客户均可通过软件实现高度灵活的控制。JenLas disk IRxx激光器的完美的微型材料加工解决方案，其适宜应用包括太阳能电池和金属件钻孔、微型架构、金属箔切割和碳纤维增强塑料 (CFRP) 加工。　　如需了解 2013 年度慕尼黑上海光博会上展出的更多业纳产品信息，请访问：　　www.jenoptik.com/laser-china。　　下载高清图片，请点击：www.jenoptik.com/pdb-lasersystems　　关于业纳激光与材料加工事业部　　业纳旗下设有激光与材料加工事业部，是业界领先的激光技术供应商之一 从部件到完整的激光系统，业纳能够提供贯穿激光材料加工整个增值链的产品和解决方案。在激光器业务领域内，公司专门致力于研制优质半导体激光器、可靠的二极管激光器(可用作模块或系统)，以及创新性固态激光器(如盘形激光器)。凭借丰富的产品组合，业纳成为从 cw 到 fs整个脉冲宽度范围的理想合作伙伴。在大功率二极管激光器领域，业纳是全球公认的品质领导者。在激光加工系统业务领域内，业纳开发、制造的激光设备能够集成到客户生产线中，参与客户的工艺优化和自动化。　　这些激光设备可用于加工塑料件、金属件、玻璃件，以及薄膜。业纳激光系统能够确保最高加工效率、加工精度和加工安全性。此外，客户还可在应用中心试用多种激光源和激光设备，从而找到适于自身应用的最佳解决方案。最后，业纳产品组合还涵盖了能效较高、环境友好的排气清除系统，能在激光加工和其他工业加工过程中清除所有污染物，无任何残留。

近期开始的寒流不仅催热了北京市供暖热线的供热投诉，而且北京市2010年首次引进的第三方室温检测机构咨询电话也被打爆。据了解，拥有室温是否达标裁判权的第三方室温检测机构最近也陆续接受委托，入室首测，受测房间多数室温未达18℃。　　2010年北京市提出了在室外日平均气温-7℃以上时，居民室温应达到18℃ -9℃以上时，符合现行国家住宅设计规范的居民建筑用户室温应达到18℃ 未经建筑围护结构改造或供热系统改造的老旧小区，室温应不低于16℃。　　北京市规定，如经检修，居民室温超过24小时仍未达标，供热单位需按比例退还供暖费。发生室温争议，居民可委托经北京市质量监督部门认定的5家第三方室温检测机构测温“判决”。　　北京市煤炭节约办公室节能监测站有关负责人表示，该检测机构目前已对一户居民进行了室温检测。这户居民住房面积近180平方米，属风机盘管供热，“类似中央空调出热风的那种。”检测人员解释。该居民家南侧房间室温达标，而北面一间房间未达18℃。目前，该检测机构还有两户委托居民在排队预约测温。北京市建设工程质量第四检测所目前也完成了位于新街口、三元桥、石佛营的三户居民测温，室温也均未达到标准。　　北京市供热办表示，造成居民室温不达标的原因包括室外温度过冷 居民拆除、移动、封装、改变散热器 供暖单位供暖能力不足 居民周边邻居未用热等。按照北京市规定，确因供热单位责任，居民室温不达标，可在采暖季结束后一个月内持供热单位室温检测不合格证明或第三方机构的测温报告原件以及采暖费发票原件，到供热单位办理退费或抵扣下个采暖期采暖费。　　为应对寒流，北京市供热办已要求各供热单位提高供暖温度，及时解决用户投诉 对投诉供热质量的地区抓紧检修、调节。

根据行业标准制修订计划，我部组织全国汽车标准化技术委员会、有关制造企业、科研机构和高校等单位，完成了《散装水泥车技术条件及性能试验方法》等20项汽车行业标准的制修订工作(标准名称及主要内容见附件)。在以上标准批准公布前，为进一步听取社会各界意见，特予以公示，截止日期2010年6月10日。　　联 系 人：盛喜军　　电 话：010-68205253　　电子邮件：KJBZ@miit.gov.cn　　附件：20项汽车行业标准名称及主要内容序号标准编号标准名称标准主要内容代替标准采标情况 1 QC/T 560-2010散装水泥车技术条件及性能试验方法标准规定了散装水泥车的术语和定义,要求,试验条件,试验方法,检验规则,标志,使用说明书和随车文件,包装,运输,贮存。本标准适用于采用定型汽车底盘改装的散装水泥车,以及由牵引车拖挂的散装水泥半挂车。QC/T 560-1999QC/T 561-1999 2 QC/T 223-2010自卸汽车试验方法标准规定了自卸汽车的试验方法。本标准适用于按QC/T 222的规定制造的自卸汽车的试验方法。其它类型的具有自卸功能的机动车参照执行。QC/T 223-1997 3 QC/T 825-2010自卸汽车液压系统技术条件标准规定了自卸汽车液压系统的要求、检验规则、标志、使用说明书、随机文件、包装、运输和贮存。本标准适用于自卸汽车的液压系统，其它专用汽车液压系统参照执行。 4 QC/T 460-2010自卸汽车液压缸技术条件标准规定了自卸汽车液压缸产品型号的编制方法、基本要求、性能要求、试验方法、检验规则及产品标牌、使用说明书、附件、包装、运输和贮存。本标准适用于以液压油为工作介质的自卸汽车举升系统用单作用活塞式液压缸、双作用单活塞杆液压缸、单作用柱塞式液压缸、单作用伸缩式套筒液压缸、末级双作用伸缩式套筒液压缸。QC/T 460-1999 5 QC/T 222-2010自卸汽车通用技术条件标准规定了自卸汽车的要求、检验规则、标志、使用说明书、随车文件、运输、贮存及质量保证。本标准适用于定型汽车二类底盘、以液压倾卸的自卸汽车（包括后卸自卸汽车、侧卸自卸汽车和三面自卸汽车）。其它类型的具有自卸功能的机动车参照执行。QC/T 222-1997 6 QC/T 826-2010桥梁检测车标准规定了桥梁检测车的术语和定义、基本规格、要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、随车文件、运输和贮存等。本标准适用于采用已定型汽车底盘改装的折叠式、桁架式、混合式桥梁检测车。其它型式和有特殊要求的桥梁检测车可参照本标准执行。 7 QC/T 667-2010混凝土搅拌运输车技术条件和试验方法标准规定了混凝土搅拌运输车的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书及随车文件、运输、贮存。本标准适用于斜筒式混凝土搅拌运输车（后端卸料式），以及由牵引车拖挂的斜筒式混凝土搅拌运输半挂车（后端卸料式）。QC/T 667-2000QC/T 668-2000 8 QC/T 827-2010通信车标准规定了通信车的定义、要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、随车文件、运输及贮存。本标准适用于采用已定型汽车二类底盘或整车改装的通信车，其他类型的通信车参照执行。 9 QC/T 449-2010保温车、冷藏车技术条件及试验方法标准规定了保温车、冷藏车的技术要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、随车文件、运输、贮存。本标准适用于采用定型汽车底盘改装的保温车、冷藏车和保温半挂车、冷藏半挂车，其它型式的保温车、冷藏车亦可参照执行。QC/T 449-2000QC/T 450-2000参考ECE/TRANS/165、JIS D 4001-1995 10 QC/T 828-2010汽车空-空中冷器技术条件标准规定了汽车空-空中冷器总成的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本标准适用于汽车空-空中冷器 11 QC/T 468-2010汽车散热器标准规定了汽车散热器总成技术要求、试验方法及检验规则、包装、标志、运输与贮存等。本标准适用于汽车散热器。QC/T 468-1999 12 QC/T 829-2010柴油车排气后处理装置试验方法标准规定了柴油车排气后处理装置的术语和定义、试验条件和试验方法。本标准适用于柴油车排气后处理装置，包括氧化型催化转化器（DOC）、颗粒过滤器（DPF）、选择性催化还原装置（SCR）。由以上基本后处理装置单元衍生组合的系统参照本标准执行。 13 QC/T 830-2010汽车高压气体放电灯用电子镇流器标准规定了汽车高压气体放电灯用电子镇流器的要求,试验方法,检验规则,标志,包装,运输及贮存。本标准适用于各类汽车高压气体放电灯用电子镇流器。 14 QC/T 831-2010乘用车座椅用电动滑轨技术条件标准规定了乘用车座椅用电动滑轨的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输及储存要求。本标准适用于M1类车辆的座椅用电动滑轨, M2和M3类车辆的座椅用电动滑轨可参照执行。 15 QC/T 832-2010水暖式汽车尾气加热器标准规定了汽车水暖式汽车尾气加热器的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和储存要求。本标准适用于汽车水暖式汽车尾气加热器。 16 QC/T 666-2010汽车空调(HFC-134a)用密封件 第1部分 O形橡胶密封圈本部分规定了使用制冷剂(HFC-134a)的汽车空调用O形橡胶密封圈（以下简称O形圈）的技术要求、试验方法和检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于汽车空调管路系统和压缩机系统用橡胶O形圈。QC/T 666-2000 17 QC/T 833-2010汽车空调用压力安全阀技术条件标准规定了汽车空调用压力安全阀的要求,试验方法,验收规则,标志,包装,储存和运输。本标准适用于HFC-134a制冷剂的汽车空调系统。 18 QC/T 834-2010汽车空调斜板式变排量压缩机总成技术条件标准规定了汽车空调斜板式变排量压缩机的要求,试验方法,检验规则,标志,包装,储存和运输。本标准适用于使用HFC-134a制冷剂的汽车空调斜板式变排量,最大排量≤200cm3/r的压缩机。 19 QC/T 835-2010汽车空调用双向斜板式定排量压缩机总成技术条件标准规定了所有定排量双向斜板式汽车空调压缩机总成的要求,试验方法,检验规则,标志,包装,储存和运输。本标准适用于压缩机排量≤200cm3/r,采用HFC-134a制冷剂的双向斜板式定排量压缩机总成。 20 QC/T 836-2010专用汽车类别及代码本标准根据专用汽车的结构和技术特性，规定了专用汽车的类别和代码。本标准适用于GB/T 3730.1-2001中2.1.1.11和2.1.2.1.8条和GB/T 17350-2010规定的车辆。

TDS-48plus 全自动热脱附仪 产品简介 全自动热脱附仪是一款自带电子冷阱的，气路采用电动六通阀、八通阀和电磁阀相结合，可以编程自动完成吸附管的一次解吸冷阱富集、二次解吸、进样和反吹四个过程，冷阱温度、一次解吸温度、二次解吸温度和管路加热温度可以独立设置，并且在进样时输出同步信号，可以同时启动色谱和工作站。 全自动热脱附仪充分体现了先进的前处理技术和强大的实力，作为先进的热解析仪配备有：二级解析功能，除湿功能自动检漏，电子压力控制等功能，瞬间解析的技术，半导体冷凝至-40 ℃ ，所有的技术有效保护GC ，极大的提高解析效率。采用先进惰性加热传输管线设计，不占用色谱进样口。用户在需要时自行改变进样方式。48位样品位，转盘式自动进样设计，让您轻松应对挥发性有机物（VOCs ）的检测。 产品主要特点：　*全自动热脱附仪是一款全自动高通量二次热解析。 *具备强大的扩容性。在标准配置基础上可扩展成双通量工作模式 即一台热解析可连接两台GC或GCMS同时使用(实现双通道同时进样，可将工作效率提高一倍。) *可与GC/GCMS形成闭环信号控制 当GC/GCMS出现异常时自动停止解析进样，有效保护实验样品。 *独立温度控制的高温阀箱，保证样品不残留。 *采用电控高温六通阀，可以同时解吸两支样品。 *独立温度控制的高温阀箱，保证样品不残留。 *采用电控高温六通阀，可以同时解吸两支样品。 *全惰性化气路控制，保证系统的低检出性和不易污染。 *专利的二次低温捕集和闪蒸技术，轻松获取优异的色谱响应度和峰型。 *可与市面上所有型号的气相色谱系统联动自动完成多支吸附管的脱附进样分析过程。 *分析前自动检测管路密闭性，有泄漏的样品管不进样，有效保护样品，避免重复采样。 *专利的OC-LOCK样品管密封帽，装卸样品管采用快速接头模式，无需手拧和任何工具。 *图形化控制菜单，简单易用，可存储20个方法序列文件，每次直接调出方法文件即可使用。 *独创的每个样品测试参数在线记录功能，记录每个样品管实际解吸过程参数， 便于掌握样品的分析过程、优化实验条件并实现数据溯源。 二次热解吸仪适用于以下标准： 《HJ 734-2014 固定污染源废弃 挥发性有机物的测定 固相吸附/热脱附-气相色谱》　　《HJ 644-2013 环境空气 挥发性有机物的测定 吸附管采样-热脱附气相色谱-质谱法》　　《HJ 583-2010 环境空气苯系物的测定固体吸附/热脱附-气相色谱》 《HJ/T 400-2007 车内挥发性有机物和醛酮类物质采样测定方法》　　《GB 50325-2010 民用建筑工程室内环境污染控制规范》　 《GB/T 18883-2002 室内空气质量标准》等。 技术参数：型号TDS-24plusTDS-48plusTDS-50plusTDS-100plus样品位24位48位50位100位控温范围一次解析:室温+5℃~400℃二次解析温度:室温+5℃~400℃(可选配三阶程序升温)升温速率: 3000℃/分 阀箱温度:室温+5℃~ 200℃传输管温度:室温+5℃~200℃冷阱温度: -35℃~400℃ (无需液氮制冷，自带制冷散热保护)温度分辨率: 1℃控温精度: +1℃温度控制梯度:≤士1℃一次解析:室温+5℃~400℃二次解析温度:室温+5℃~400℃(可选配三阶程序升温)升温速率: 3000℃/分 阀箱温度:室温+5℃~ 200℃传输管温度:室温+5℃~200℃冷阱温度: -35℃~400℃ (无需液氮制冷，自带制冷散热保护)温度分辨率: 1℃控温精度: +1℃温度控制梯度:≤士1℃解析回收率98%98%气路耐压6kg6kg定时误差0.01%0.01%定时范围1秒~9999秒1秒~9999秒仪器尺寸420*580*510mm780*443*447mm仪器重量约40Kg约45Kg吹扫流量10-100m/minn(连续可调)10-100m/minn(连续可调)流量控制电子流量控制电子流量控制采样管尺寸6.35*89.0mm6.35*89.0mm标样制备流量0~200ml/min0~200ml/min反吹清洗流量(连续可调)0~200ml/min0~200ml/min电源220VAC 50Hz220VAC 50Hz功率 1000VA 1000VA创新点：专利的二次低温捕集和闪蒸技术，轻松获取优异的色谱响应度和峰型。可与市面上所有型号的气相色谱系统联动自动完成多支吸附管的脱附进样分析过程。分析前自动检测管路密闭性，有泄漏的样品管不进样，有效保护样品，避免重复采样。专利的OC-LOCK样品管密封帽，装卸样品管采用快速接头模式，无需手拧和任何工具。全自动热脱附仪 TDS-48plus 泰通

为巩固和提高工程机械散热器产品质量，取得第一手试验检测数据，为研发更新产品提供有力保障和支持，烟台富耐克公司投资450万元新建的产品质量检测中心目前顺利落成。由上海理工大学承担研发、安装和调试的国内配制最高、检测范围最广的风洞热平衡设备一次调试成功，与此同时，检测中心全新配置的压力脉冲试验台、三维振动试验台、散热器爆破试验设备、电子探伤设备等一整套全系列试验检测仪器均调试完毕，顺利进入正常运行。　　烟台富耐克一贯注重产品质量、重视品牌建设，检测中心的落成无疑给公司产品质量上台阶、提高品牌知名度注入了活力和动力，提高了保障和支持能力。先进齐全的检测中心落成，昭示着富耐克产品在中国工程机械领域的配套更加广泛和广阔。目前，该项目正在申报国家级检测中心，与各级权威检测部门的合作正在洽谈中。富耐克诚邀行业各界技术精英、业内专家前来考察指导，欢迎各主机企业领导莅临赐教。

金刚石薄膜热导率测量的难点和TDTR解决方案金刚石从4000年前，印度首次开采以来，金刚石在人类历史上一直扮演着比其他材料引人注意的角色，几个世纪以来，诚勿论加之其因稀缺而作为财富和声望象征属性。单就一系列非凡的物理特性，例如：已知最硬的材料，在室温下具有最高的热导率，宽的透光范围，最坚硬的材料，可压缩性最小，并且对大多数物质是化学惰性，就足以使得其备受推崇，所以金刚石常常被有时被称为“终极工程材料”也不那么为人惊讶了。一些金刚石的物理特性解决金刚石的稀缺性的工业方案：金刚石的化学气相沉积（CVD）高温高压但是因为大型天然钻石的成本和稀缺性，金刚石的工业化应用一致非常困难。200 年前，人们就知道钻石是仅由碳组成（Tennant 1797），并且进行了许多尝试以人工合成金刚石，作为金刚石在自然界中最常见的同素异构体之一的石墨，被尝试用于人造金刚石合成。虽然结果确被证明其过程是非常困难因为石墨和金刚石虽然标准焓仅相差 2.9 kJ mol-1 （Bundy 1980），但因为一个大的活化势垒将两相隔开，阻止了石墨和金刚石在室温和大气下相互转化。有趣的是，这种使金刚石如此稀有的巨大能量屏障也是金刚石之所以成为金刚石的原因。但是终究在1992年，一项称之为HPHT（high-pressure high-temperature）生长技术的出现，并随着通用电气发布为几十年来一直用于生产工业金刚石的标准技术。在这个过程中，石墨在液压机中被压缩到数万个大气压，在合适的金属催化剂存在下加热到 2000 K 以上，直到金刚石结晶。由此产生的金刚石晶体用于广泛的工业过程，利用金刚石的硬度和耐磨性能，例如切割和加工机械部件，以及用于光学的抛光和研磨。高温高压法的缺点是它只能生产出纳米级到毫米级的单晶金刚石，这限制了它的应用范围。直到金刚石的化学气相沉积（CVD）生产方法以及金刚石薄膜的出现，该金刚石的形式可以允许其更多的最高级特性被利用。金刚石的化学气相沉积（CVD）生产方法相比起HPHT 复制自然界金刚石产生的环境和方法，化学气相沉积选择将碳原子一次一个地添加到初始模板中，从而产生四面体键合碳网络结果。化学气相沉法，顾名思义，其主要涉及在固体表面上方发生的气相化学反应，从而导致沉积到该表面上。下图展示了一些比较常见的制备方法金刚石薄膜一旦单个金刚石微晶在表面成核，就会在三个维度上进行生长，直到晶体聚结。而形成了连续的薄膜后，生长方向就会会限定会向上生长。因此得到的薄膜是具有许多晶界和缺陷的多晶产品，并呈现出从衬底向上延伸的柱状结构。不过，随着薄膜变厚，晶体尺寸增加，而缺陷和晶界的数量减少。这意味着较厚薄膜的外层通常比初始形核层的质量要好得多。下文中会提到的在金刚石薄膜用作热管理散热器件时，通常将薄膜与其基材分离，最底部的 50-100 um 是通过机械抛光去除。尽管如此，在 CVD 过程中获得的金刚石薄膜的表面形态主要取决于各种工艺条件，导致其性能表现个不一致，相差很大。这也为作为散热应用中的一些参数测量，例如热导率等带来了很大挑战。金刚石薄膜的热管理应用金刚石薄膜在作为散热热管理材料应用时，有着出色的前景，与此同时也伴随着巨大挑战。一方面，而在热学方面，金刚石具有目前所知的天然物质中最高的热导率（1000~2000Ｗ/(mK )），比碳化硅（SiC）大4倍，比硅（Si）大13倍，比砷化稼（GaAs）大43倍，是铜和银的4~5倍，目前金刚石热沉片大有可为。下图展示了常见材料和金刚石材料的热导率参数：另一方面，但人造金刚石薄膜的性能表现，往往远远低于这一高水平。并且就日常表现而言，现代大功率电子和光电器件（5G应用，半导体芯片散热等）由于在小面积内产生大量热量而面临严重的冷却问题。为了快速制冷，往往需要一些高导热性材料制成的散热片/散热涂层发热端和冷却端（散热器，风扇，热沉等等）CVD 金刚石在很宽的温度范围内具有远优于铜的导热率，而且它还具电绝缘的优势。早在1996年沃纳等人就在可以使用导热率约为 2 W mm-1 K-1 的大面积 CVD 金刚石板用于各种热管理应用。 包括用于集成电路的基板（Boudreaux 1995），用于高功率激光二极管的散热器（Troy 1992），甚至作为多芯片模块的基板材料（Lu 1993）。从而使得器件更高的速度运行，因为设备可以更紧密地安置而不会过热。 并且设备可靠性也有望提高，因为对于给定的器件，安装在金刚石上时合流合度会更低。比起现在流行的石墨烯，金刚石也有着其独特优势。飞秒高速热反射测量（FSTR）在CVD金刚石薄膜热学测量中的应用挑战金刚石薄膜的热导率表征不是一个简单的问题，特别是在膜层厚度很薄的情况下美国国防部高级研究计划局（DARPA）的电子热管理金刚石薄膜热传输项目曾经将将来自五所大学的研究人员聚集在一起，全面描述CVD金刚石薄膜的热传输和材料特性，以便更好地进一步改善热传输特性，可见其在应用端处理优化之挑战。而这其中，用于特殊需求材料热导率测量的飞秒高速热反射测量（FSTR）（又叫飞秒时域热反射（TDTR）测试系统）发挥了极其重要的作用，它在精确测量通常具有高表面粗糙度的微米厚各向异性薄膜的热导率的研究，以及在某些情况下，CVD金刚石薄膜的热导率和热边界改善研究，使其对大功率电子器件的热管理应用根据吸引力的研究上发挥了决定性指导作用。常见的材料热学测试方法，包括闪光法（Laser Flash），3-Ω法，稳态四探针法，悬浮电加热法，拉曼热成像法，时域热反射法（TDTR）等。而对于CVD金刚石薄膜的热学测量，受限于在过程中可能需要多层解析、精细的空间分辨率、高精度分析，以及解析薄膜特性和界面的能力，飞秒高速热反射测量（FSTR）（又叫飞秒时域热反射（TDTR）测试系统）已成为为过去十年来最普遍采用的的热导率测量方法之一。飞秒高速热反射测量（FSTR）飞秒高速热反射测量（FSTR），也被称为飞秒时域热反射（TDTR）测量，被用于测量0.1 W/m-K至1000 W/m-K，甚至更到以上范围内的热导率系统适用于各种样品测量，如聚合物薄膜、超晶格、石墨烯界面、液体等。总的来说，飞秒高速热反射测量（FSTR）是一种泵-探针光热技术，使用超快激光加热样品，然后测量其在数ns内的温度响应。泵浦（加热）脉冲在一定频率的范围内进行调制，这不仅可以控制热量进入样品的深度，还可以使用锁定放大器提取具有更高信噪比的表面温度响应。探测光（温度感应）脉冲通过一个机械级，该机械级可以在0.1到数ns的范围内延迟探头相对于泵脉冲的到达，从而获取温度衰减曲线。如上文提到，因为生长特性，导致典型的金刚石样品是粗糙的、不均匀的和不同厚度特性的这就为飞秒高速热反射测量（FSTR）的CVD 金刚石薄膜热学测量带来了一些挑战。具体而言，粗糙表面会影响通过反射而来的探测光采集，且过于粗糙导致实际面型为非平面，这对理论热学传递建模分析也会引入额外误差，在某些情况下，可以对样品进行抛光以降低表面粗糙度，但仍必须处理薄膜的不均匀和各向性质差异。对于各向异性材料，存在 2D 和 3D 各向异性的精确解析解，但这使得热导率和热边界电阻的确定更加困难，并且具有额外的未知属性。即使样品中和传导层铝模之间总是存在未知的边界热阻，但是通常使用单个调制频率可以从样本中提取两个未知属性，这意味着在大多数情况下测量可以提取层热导率。然而，对于金刚石样品，样品内纵向和横向热导率是不同的，这意味着需要额外的测量来提取这两种特性；这可以通过改变一些系统参数来实现校正，参见系统参数描述（详情联系请上海昊量光电）。另一个困难是确定金刚石 CVD 的热容量，根据生长质量和样品中存在的非金刚石碳（NDC）的数量，生长出来的金刚石的热容量值相差极大。在这种情况下对于5 um的金刚石薄膜，测量将完全穿透金刚石样品，抵达样品到下面的基底材料（上图不同情况下的金刚石薄膜TDTR测量分析手段将会有很大不同）这使得测量对金刚石-基底边界电阻也很敏感。这意味着测量可能总共有五个未知参数：1）铝膜-金刚石间边界热阻，2）金刚石内横向热导率，3）金刚石内纵向热导率，4）金刚石热容量，5）金刚石-基底材料间边界热阻即使结合一定分析处理手段，见设备说明（详情联系请上海昊量光电），准确提取所有未知参数也很困难。一些常见影响样品尺寸确认 测量相对于样本尺寸的采样量很重要；飞秒高速热反射测量（FSTR）通常是基于标准体材料传热建模，而现在一些测量的块体材料样品越来越小，对于高质量的单晶半导体，基于块体材料的传热模型分析假设是有效的，但是对于更多缺陷和异质材料，例如 CVD 金刚石，这个假设就只是一个近似值。纵向均匀性通常而言，金刚石生长过程中，颗粒梯度会非常大，这也可能会导致热导率梯度非常大。此外，非金刚石碳（NDC，non-diamond carbon）含量、晶粒尺寸或表面粗糙度的局部变化也可能影响热导率的局部测量。TDTR测量中，可以 通过控制调制频率，从而实现加热深度控制，从而实现采样深度控制（详细技术讨论联系请上海昊量光电）对于不同热导率样品和不同加热频率，测量薄膜中采样 可能从1-2 um 到 20 um 不等 （相对应的，薄膜厚度超过300微米）其他更多 挑战和技术细节，受限于篇幅，将在后续更新继续讨论，如您有兴趣就相关设备和技术问题进行交流，可联系上海昊量光电获取更多信息。关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是目前国内知名光电产品专业代理商，也是近年来发展迅速的光电产品代理企业。除了拥有一批专业技术销售工程师之外，还有拥有一支强大技术支持队伍。我们的技术支持团队可以为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等工作。秉承诚信、高效、创新、共赢的核心价值观，昊量光电坚持以诚信为基石，凭借高效的运营机制和勇于创新的探索精神为我们的客户与与合作伙伴不断创造价值，实现各方共赢！

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

本篇论文解读由方雪坤研究团队的杜千娜同学撰写。杜千娜同学：浙江大学环境与资源学院2022级硕士研究生，主要研究方向温室气体HFCs排放反演与清单。第一作者：Fernando Iglesias-Suarez通讯作者：Alfonso Saiz-Lopez通讯单位：1Department of Atmospheric Chemistry and Climate, Institute of Physical Chemistry Rocasolano, CSIC, Madrid, Spain. 文章链接：https://doi.org/10.1038/s41558-019-0675-6论文发表时间：2020年1月研究亮点1.全球综合的、由卤素驱动的对流层O3柱损失在整个21世纪是恒定的(~13%)。2.卤素造成的对流层臭氧损失在目前和本世纪末都显示出明显的半球不对称性。3.预计卤素介导的臭氧损失最大(高达70%)发生在北半球污染地区(美国东部、欧洲和东亚)的地表附近。（注：以上为这位同学的论文解读，非论文原作者意思）研究不足（或未来研究）1.未来经济发展情况预测仍然有多种，目前对未来臭氧损失的估计仍旧依赖于未来经济预测，可能与事实有所偏离。2.未来天然卤素通量和分布的变化将由气候敏感性、未来人为排放和大气化学等因素综合决定。3.未来研究仍需对卤素化学加深了解。（注：以上为这位同学的论文解读，非论文原作者意思）全文概要反应性大气卤素破坏对流层臭氧(O3)。天然卤素的主要来源是海洋浮游植物和藻类的排放，以及海洋和对流层化学的非生物来源，但其通量在气候变暖下将如何变化，以及由此对O3产生的影响目前尚不清楚。本研究使用一个地球系统模型（共同体地球系统模型(CESM)）估计发现在当今气候中，天然卤素消耗了大约13%的对流层O3。尽管21世纪天然卤素的含量有所增加，但由于对流层O3损失的半球、区域和垂直异质性的补偿，这一比例保持稳定。这种卤素驱动的O3缓冲预计在污染和人口稠密的地区最大，对空气质量有重要影响。背景介绍对流层臭氧(O3)丰度受原位光化学、平流层内流和地表干沉积之间的平衡控制。O3的光化学破坏发生在整个对流层，主要是通过其光解和随后与水蒸气的反应以及与自由基的反应直接损失。对流层O3也会通过催化循环与活性卤素(Cl, Br, I)发生反应而被破坏，只有将对流层卤素化学考虑在内才能更准确地了解其变化。目前，卤素被估计将使全球对流层臭氧减少约10-20%，对地表臭氧有很大影响。生物源性短寿命卤代烃(VSL)，包括CHBr3、CH2Br2、CH3I和CH2ICl，是通过海洋生物如浮游植物、微藻和大型藻类的代谢自然排放出来的。这些卤素化合物的寿命不到6个月，是对流层中活性氯、溴和碘的重要来源。此外由于O3沉积到海洋中，随后海水碘化物氧化为次碘酸(HOI)和分子碘(I2)，并释放到大气中，海洋也是无机碘的非生物来源。在对流层中，活性溴和氯实际上是由VSL卤化碳的光氧化产生的。气候变化和社会经济发展已经改变了VSL卤化碳的自然通量(1979-2013增加约7%)和无机碘(1950-2010增加两倍)，并可能在21世纪持续。然而，天然卤素变化将如何影响臭氧和对流层化学以及气候仍然未知。结果讨论21世纪的天然卤素排放：在考虑的每种情况下，与目前相比VSL卤代烃排放量在21世纪末都要更大；全球海洋无机碘排放量在RCP 8.5之后增加了约20%，而在RCP 6.0和RCP 2.6期间分别减少了约10%和20%；到2100年，活性卤素浓度将增加约4-10%，在RCP 6.0下，溴驱动了这些变化，但由于碘碳(增加)和无机碘(减少)通量之间的相互作用，碘没有出现显著变化，溴和碘对RCP 8.5反应性卤素负荷变化的贡献相同。在RCP 2.6情景下，活性卤素浓度降低(~5%)。2000-2100年全球天然卤素的年度变化。a)短寿命卤代烃通量，b)无机碘排放，c)对流层天然反应性卤素浓度天然卤素对21世纪对流层臭氧的影响：图2显示了2000-2100年间全球对流层臭氧柱浓度的变化，上面和中间的图分别显示了对流层臭氧柱的绝对变化及其与活性卤素相关的损失。与目前相比，到本世纪中叶，卤素驱动的对流层O3柱损失增加，与RCP 6.0和RCP 8.5期间VSL卤碳排放量不断增加相一致。到2100年，在RCP 8.5条件下，活性卤素对对流层O3的影响保持相对不变，而在RCP 6.0条件下，预计会有较小的消耗。无论排放情景如何(下面的图)，预计全球卤素驱动的对流层O3柱损失在整个世纪几乎保持不变(~12.8±0.8%)。2000-2100年全球年度对流层臭氧柱时间序列与卤素化学有关的纬向平均对流层O3损失如图3a、b所示。O3质量的纬向平均损失约为~0.3DU(全球综合为3.9DU)，其中溴和碘分别贡献了约16%和80%。卤素介导的臭氧损失显示出明显的半球不对称性(目前在南半球更大)。在南半球温带地区，通过非均相激活进一步增强了平流层O3的消耗。O3相对损失呈现显著梯度，从对流层上层到下层，从北向南增加。RCP 6.0和RCP 8.5由天然卤素驱动的纬向平均对流层O3损失趋势如图3c,d所示。其模式是不均匀的，具有明显的半球和垂直梯度，尽管两种排放情景一致(仅强度不同)。反应性卤素造成的纬向平均对流层O3损失在本世纪，由反应性卤素驱动的臭氧相对损失在对流层中高层减弱(在250hPa时为10-20% 图4a)，这一特征在本世纪上半叶和下半叶的南半球高纬度地区被放大。此外，在300至850 hPa之间的热带自由对流层，到本世纪末，卤素造成的未来臭氧损失将减少，这表明该地区臭氧的命运将主要由其他驱动因素控制，包括光解作用以及与水蒸气和羟基自由基的反应(图3c、d和4b)。此外，臭氧损失呈现明显的半球不对称，与“更清洁”的南半球相比，污染更严重的北半球臭氧损失趋势更大。与目前相比，未来卤素介导的O3损失预计将增加10-35%(图4)，其中边界层内损失最大。从现在(1990-2009年)到本世纪末(2080-2099年)，由活性卤素引起的部分O3柱损失的垂直分辨变化图5显示了从现在到21世纪末近地表臭氧损失变化。在全球范围内，在RCP 6.0情景下，天然卤素引起的2000 - 2100年近地表O3损失变化(15.0±1.1%)大于RCP 8.5情景(3.1±0.7%)，但两者共同显示了臭氧损失的增加主要局限于温带地区，在中纬度地区(30°-60°N和30°-60°S)达到峰值(图5b、d)。现在(1990-2009年)到本世纪末(2080-2099年)卤素驱动的近地表臭氧损失变化预计到本世纪末，最大的臭氧损失将发生在受污染的大陆地区，而不是在遥远的海洋环境中，并具有明显的半球不对称性。特别是，在美国东部、欧洲和东亚地区，预计卤素驱动的O3损失大，分别为71.5±12.9%、30.8±4.2%和6.9±10.1%，RCP 6.0和RCP 8.5分别为48.2±12.6%、18.3±3.2%和23.2±10.9%。2000-2100年卤素驱动的近地表O3损失时间序列ReferenceIglesias-Suarez, F. et al. Natural halogens buffer tropospheric ozone in a changing climate. Nature Climate Change 10, 147-154 (2020).

三星正在开发一种新的芯片封装技术，以防止应用处理器（AP）过热。消息人士称，该封装在SoC顶部附加一个热路径块（HPB），预计将用于未来的Exynos芯片。该技术的全名是FOWLP（扇出晶圆级封装）-HPB，由三星芯片部门下的高级封装（AVP）业务部门开发，计划第四季度完成开发，然后开始批量生产。作为后续产品，三星团队还在开发一种可以安装多个芯片的FOWLP系统级封装（SIP）技术，将于2025年第四季度推出。两种封装类型都将HPB安装在SoC顶部，而存储器则放在HPB旁边。HPB是一种散热器，已用于服务器和PC的SoC。由于智能手机的体积较小，该技术目前才被引入智能手机芯片应用中。如今的智能手机大多使用蒸汽室来容纳制冷剂，以冷却AP和其他核心组件。HPB仅用于SoC。三星正在考虑采用2.5D或3D封装来采用该技术。端侧人工智能（AI）的日益普及也增加了人们对AP过热的担忧。两年前，三星因Galaxy S22系列智能手机的过热问题而受到严厉批评。三星试图通过其游戏优化服务（GOS）应用程序来防止这种情况发生，该应用迫使AP降低其性能以防止其过热，但三星却没有告知用户。三星通过改变AP设计并在后续型号上采用蒸汽室来改善这个问题。

氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si)。长期以来，在电力电子领域占主导地位的硅几乎已达到其物理极限，从而将电子研究转向能够提供更大功率密度和更好能源效率的材料。GaN 的带隙 (3.4 eV) 大约是硅 (1.1 eV) 的 3 倍，提供更高的临界电场，同时降低介电常数，从而降低 R DS( on)在给定的阻断电压下。与硅相比（在更大程度上，与碳化硅 [SiC]）相比，GaN 的热导率更低（约为 1.3 W/cmK，而在 300K 时为 1.5 W/cmK），需要仔细设计布局和适当的开发出能够有效散热的封装技术。通过用 GaN 晶体管代替硅基器件，工程师可以设计出更小、更轻、能量损失更少且成本更低的电子系统。 受汽车、电信、云系统、电压转换器、电动汽车等应用领域对日益高效的解决方案的需求的推动，基于 GaN 的功率器件的市场占有率正在急剧增长。在本文中，我们将介绍 GaN 的一些应用，这些应用不仅代表了技术挑战，而且最重要的是，代表了扩大市场的新兴机遇。01 电机驱动由于其出色的特性，GaN 已被提议作为电机控制领域中传统硅基 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。GaN 技术的开关频率高达硅的 1,000 倍，加上较低的导通和开关损耗，可提供高效、轻巧且占用空间小的解决方案。高开关频率（GaN 功率晶体管的开关速度可以达到 100 V/ns）允许工程师使用较低值（因此尺寸更小）的电感器和电容器。低 R DS( on)减少产生的热量，提高能源效率并实现更紧凑的尺寸。与 Si 基器件相比，GaN 基器件需要具有更高工作电压、能够处理高 dV/dt 瞬态和低等效串联电阻的电容器。 GaN 提供的另一个优势是其高击穿电压（50-100 V，与其他半导体可获得的典型 5 至 15-V 值相比），它允许功率器件在更高的输入功率和电压下运行而无需损坏的。更高的开关频率允许 GaN 器件实现更大的带宽，因此可以实现更严格的电机控制算法。此外，通过使用变频驱动 (VFD) 电机控制，可以实现传统 Si MOSFET 和 IGBT 无法获得的效率水平。此外，VFD 实现了极其精确的速度控制，因为电机速度可以上升和下降，从而将负载保持在所需的速度。图1 显示了 TI TIDA-00909 参考设计，该设计基于具有三个半桥 GaN 电源模块的三相逆变器。GaN 晶体管的开关速度比 Si 晶体管快得多，从而降低了寄生电感和损耗，提高了开关性能（小于 2ns 的上升和下降时间），并允许设计人员缩小或消除散热器的尺寸。GaN 功率级具有非常低的开关损耗，允许更高的 PWM 开关频率，在 100kHz PWM 时峰值效率高达 98.5%。 02 5GGaN 还在 RF 领域提供了具体且非常有趣的前景，能够非常有效地放大高频信号（甚至几千兆赫的数量级）。因此，可以创建能够覆盖相当远距离的高频放大器和发射器，用于雷达、预警系统、卫星通信和基站等应用。作为下一代移动技术，5G 在更大容量和效率、更低延迟和无处不在的连接方面具有显着优势。使用不同的频段，包括 sub-6-GHz 频段和毫米波 (mmWave)（24-GHz 以上）频段，需要 GaN 等能够提供高带宽、高功率密度和卓越效率的材料价值观。由于其物理特性和晶体结构，GaN 可以在相同的施加电压下支持比可比较的横向扩散 MOSFET 器件更高的开关频率，从而实现更小的占位面积。新兴的 5G 技术，例如大规模多输入多输出 (MIMO) 和毫米波，需要专用的射频前端芯片组。GaN-on-SiC，它将 GaN 的高功率密度与 SiC 的高导热性和降低的射频损耗相结合，被证明是高功率 5G 和射频应用的最合适的解决方案。目前市场上有几种适用于 5G 应用的 GaN 器件，例如用于 5G 大规模 MIMO 应用的低噪声放大器和多通道开关。03 无线电力传输GaN 最具创新性的应用之一是无线充电技术，其中 GaN 的高效率通过将更多的能量传输到接收设备来降低功率损耗。这些系统通常包括一个射频接收器和一个功率放大器，工作频率为 6.78 或 13.56 MHz，并基于 GaN 器件。与传统的硅基器件相比，GaN 晶体管获得了尺寸非常紧凑的解决方案，这是无线充电应用的关键因素。一个示例应用是在无人机中，其中可用空间有限，并且可以在无人机从短距离悬停在充电器上的情况下进行充电。最有效的集成无线功率传输解决方案使用 GaN 晶体管将系统尺寸减小多达 2 到 3 倍，从而降低充电系统成本。650-V GaN e-HEMT 晶体管为高效无线充电提供了理想的解决方案，功率范围从大约 10 W 到超过 2 kW。图 2 显示了一种基于 GaN 器件的小型工具或移动设备无线充电解决方案。 04 数据中心GaN 与硅的结合也为数据中心领域提供了重要机会，其中高性能和降低成本至关重要。在云服务器 24/7 全天候运行的数据中心中，电压转换器被广泛使用，典型值为 48 V、12 V 甚至更低的电压，用于为多处理器系统内核供电。随着全球发电量的快速增长，电力转换效率已成为寻求实现净零排放的公司的关键因素，包括运营数据中心和云计算服务的公司。数据中心在更小的空间内需要越来越多的功率，这是 GaN 技术可以广泛满足的要求，实现转换器和电源的更高效率、尺寸减小和更好的热管理，从而降低供应商的成本。在数据中心中非常常见的是 AC/DC 转换器，其中 PFC 前端级将总线电压调节为 DC 值，然后是 DC/DC 级，用于降低总线电压并提供电流隔离和调节的 DC 输出（48 V、12 V 等）。PFC 级使电源的输入电流与电源电压保持同步，从而最大限度地提高有功功率。基于 GaN 的图腾柱 PFC（见从而最大化实际功率。基于 GaN 的图腾柱 PFC（见 从而最大化实际功率。基于 GaN 的图腾柱 PFC（见 图 3 ) 在效率和功率密度方面被证明是一个成功的拓扑。 05 氮化镓挑战从历史上看，实现 GaN 技术不断增长的扩散需要克服的主要挑战是可靠性和价格。与可靠性有关的第一个问题已基本解决，商业设备能够通过在高于 200°C 的结温下运行来保证超过 100 万小时的平均故障时间。尽管早期的 GaN 器件比硅等竞争技术要贵得多，但价格差距已从最初的 2 到 4 英寸晶圆到 6 英寸晶圆以及最近的 8 英寸（200 毫米）晶圆上的 GaN 生产显着缩小晶圆。最近的发展和持续的工艺改进将继续降低 GaN 器件的制造成本，使其价格更具竞争力。

近日，上海质量技术监督局进行的专项监督抽查显示，68批次产品中，有7个批次的产品经检验析出了过量的铅或铬，被判定为质量问题严重。　　上海市消保委曾对流通领域的水龙头产品进行比较试验发现，23件样品中有5件样品存在浸泡水铅超标现象。标准规定这类产品浸泡水铅限值&le 0.005mg/L，而这5件样品实测值为0.054 mg/L&mdash 0.141mg/L，分别超标十至二十余倍不等。　　作为日常生活中必不可少的水暖用具，水龙头的质量和安全与人们的健康息息相关。专家表示，伴随着新国标的出台，国家相关部门或将推动百姓教育工作，以提高无铅龙头的市场认知和接受度，保障百姓饮水安全。　　水中的铅从何而来　　饮用水中铅的来源主要有两个。一个是工业污染物及废水任意排放，造成水体污染所致 二是传统水龙头制造工艺造成的饮水污染。　　&ldquo 目前我国大部分家庭使用的是铜水龙头，铜水龙头实际上使用的是铜合金材质，主要成分是铜元素和锌元素，其他成分还有铁、铝、铅、锡、锰等。&rdquo 中国政策科学研究会铅防治专家委员会副主任傅松涛教授解释说，铅元素与空气接触后，会发生氧化生成一层保护膜。但是水能使铅的保护膜脱落，浸入水中，从而造成铅元素析出。同时，由于自来水使用氯作为消毒剂，水中的余氯加速了龙头老化和铅析出。一般使用5年以上的铜龙头及水管，铅的释放量就会大量增加。另外，铜龙头在电镀过程中使用的化学材料也存在一定量的铅。　　除了水龙头之外，铸铁管、铜管和PVC管也含铅。&ldquo 如果将这些材质用于输水管道，也会带来铅污染的问题。&rdquo 专家表示，饮用水管道的污染会导致重金属铅污染、生物污染和化学性污染。重金属铅污染主要来自于PVC塑料中的热稳定剂铅盐 生物污染主要是由于管材氧渗透和透光使管内的水介质滋生细菌 化学性污染主要来自于管道接触材料的渗透。　　铅对孕妇儿童损害重　　孩子厌食挑食长不高的问题困扰着很多家长。医生提醒，出现上述情况，应该带孩子到医院检测血铅含量。有资料显示，血铅含量每上升100微克/升，孩子身高将少长1&mdash 3厘米，智商会降低6&mdash 8分 婴幼时期血铅含量大于200微克/升，孩子小学辍学的可能性要大7.4倍，存在阅读困难的可能性大5.8倍。　　傅松涛指出，铅会对儿童产生多器官、多系统的损伤，对脑的损伤甚至是终生不可逆的。铅在儿童体内积蓄，易损伤神经和内分泌系统，导致儿童智力发育障碍和生长发育迟缓，影响矿物质吸收，引发锌、铁、钙等营养素缺乏，诱发挑食、厌食、贫血和佝偻病等病症。铅会扰乱胃肠道神经血管系统，导致消化系统功能紊乱，造成便秘、腹泻和不明原因腹痛等，随着铅损伤的程度加重，时间延长，这些病症会进一步加重。值得重视的是，极低水平的铅暴露，即可导致许多孩子出现注意力涣散、多动、学习能力下降、易激怒、攻击性强等心理行为的异常。&ldquo 铅污染同样对孕妇产生很大危害，血铅超标会增加孕妇流产、早产、胎膜早破、死胎的可能性。&rdquo 　　1972年，世界粮农组织和世界卫生组织专家委员会确定每人每周摄入铅的总耐受量为3毫克，儿童、婴儿、胎儿和妊娠妇女对铅更为敏感。饮水中铅含量达0.1毫克/升时，可使大量儿童的血铅浓度超过推荐的上限值。对此，专家呼吁人们采取合理的食物营养措施提高抵抗力，增强机体对有毒物质的代谢解毒能力，减少有毒物质吸收并促使其转化为无毒物质排出体外。　　&ldquo 隔夜自来水&rdquo 喝不得　　北京市消协也曾对市场上销售的部分水龙头做过检测，结果发现，除个别水嘴样品无铅析出外，多数样品在10小时浸泡下铅析出浓度范围在0.002 毫克 /升&mdash 0.223 毫克 /升，24小时浸泡下铅析出浓度范围在0.001毫克 /升&mdash 0.208 毫克 /升。不难看出，水龙头滞留的&ldquo 隔夜水&rdquo ，铅含量会显著升高。　　据了解，由于现行水龙头国家标准中并没有对铅含量及析出量作出强制性规定，所以国内市场销售的龙头的出厂检测均未将铅作为品质评判标准。但是，近年来铸铁和铜制水龙头可能导致铅污染的问题已经引起了很多国家的广泛关注。据悉，美国已颁布无铅法案，规定龙头含铅量不得超过0.25%，欧美国家也积极制定相关法案。我国也即将推出水龙头新国标，铅析出量的限制将成为新标准的重点内容。　　随着水龙头标准的&ldquo 升级&rdquo ，水龙头制造企业纷纷投入无铅水龙头技术研发。常见的除铅有三种方法：一是洗铅处理，采用工业洗铅粉浸泡，暂时性的降低龙头内壁表面的铅含量，但时间稍长，内部的铅会源源不断的析出。此技术操作简单，多数规模化企业都可执行。二是制造无铅铜，但无铅铜在中国乃至全球都尚无统一材质标准，其材质性能尚不稳定，难以被推广，仅有少数几家企业在尝试。三是制造不锈钢龙头。不锈钢材质不含铅无析出，是公认的安全材质。　　傅松涛建议，居民日常生活中可以采取一些措施减少饮用水中铅污染的风险。第一，当自来水停用的时间超过6小时，使用前一定要打开水龙头放水1&mdash 3分钟以上再用。第二，现在很多家庭都有热水供应，但是最好不要用它作为饮用水或做饭，因为热水中铅的含量要比冷水高很多倍。第三，在购买水龙头时，一定要选择质量达标产品，最好选择不锈钢材质的龙头。