射频磁控镀膜仪

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

VTC-2RF是一款小型的射频（RF）等离子体磁控溅射镀膜仪系统，系统中包含了所有所需的配件，如300W（13.5MHz）的RF电源、2"的磁控溅射头、石英真空腔体、真空泵和温度控制器等。对于制作一些金属薄膜及非金属薄膜，它是一款物美价廉的实验帮手。我们用此设备得到择优取向的ZnO薄膜 技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源一个300W，13.5MHz的射频电源安装在移动柜内(点击图片查看详细资料）磁控溅射头一个 2英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为50mm,最大厚度6.35mm一个快速挡板安装在法兰上（手动操作，见图左3）溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机）同时可选配1英寸溅射头真空腔体真空腔体：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为165 mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体真空度：10-3 Torr （采用双极旋片真空泵） 10-5 torr （采涡旋分子泵）载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：1 - 20 rpm样品的最高加热温度为700℃，(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监控薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据外形尺寸 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证使用注意事项这款2英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

1.产品概述MS450多靶磁控溅射镀膜系统由沈阳科友仪器等制造商生产，是一款集高真空、多靶材、磁控溅射技术于一体的镀膜设备。该系统能够在所需基材上沉积多种类型的涂层，包括耐磨损涂层、自润滑涂层、抗腐蚀涂层、抗高温氧化涂层、透明导电涂层等，广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验及生产型企业期探索性实验及开发新产品等。2.产品组成MS450多靶磁控溅射镀膜系统主要由以下几个部分组成：真空室：提供高真空环境，确保镀膜过程中的气体分子干扰小化。溅射靶枪：内置多种靶材，如金属、陶瓷等，通过磁控溅射技术将靶材原子溅射到基材表面。溅射电源：提供稳定的电源供应，支持直流(DC)、中频(MF)、射频(RF)等多种溅射模式。加热样品台：用于加热基材，提高镀膜质量和附着力。流量控制系统：精确控制工艺气体的流量和压强，确保镀膜过程的稳定性和可控性。真空获得系统：包括真空泵等组件，用于将真空室抽至高真空状态。真空测量系统：实时监测真空室内的气体压力等参数。气路系统：用于向真空室内通入工艺气体，如氩气等。PLC+触摸屏自动控制系统：实现设备的自动化控制和操作，提高工作效率和镀膜质量。3.工作原理MS450多靶磁控溅射镀膜系统的工作原理基于磁控溅射技术。在镀膜过程中，电子在电场的作用下飞向基片，并与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子。Ar正离子在电场的作用下加速飞向阴靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。溅射出的靶原子或分子在基片表面沉积成膜。同时，二次电子在电场和磁场的作用下产生E×B漂移，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电离出更多的Ar正离子来轰击靶材，从而实现高的沉积速率。4.技术特点多靶材选择：支持多种靶材的溅射镀膜，满足不同材料的镀膜需求。高真空环境：提供高真空环境，确保镀膜过程的稳定性和镀膜质量。高精度控制：通过PLC+触摸屏自动控制系统实现设备的精确控制和操作。高沉积速率：利用磁控溅射技术实现高的沉积速率和均匀的膜层质量。广泛适用性：适用于金属、陶瓷、玻璃等多种基材的镀膜处理。5.应用域MS450多靶磁控溅射镀膜系统广泛应用于以下域：材料科学：用于开发纳米单层、多层及复合膜层等新型材料。电子工程：制备金属膜、合金膜、半导体膜等电子材料，应用于太阳能电池、OLED等域。工业生产：在汽车零部件、航空航天器件等域制备耐磨损、抗腐蚀等高性能涂层。综上所述，MS450多靶磁控溅射镀膜系统以其先进的技术特点和广泛的应用域，在材料科学和工业生产中发挥着重要作用。

磁控溅射镀膜机 - 紧凑，适合科研，极高性价比！型号：AP-MMS1产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属、氧化物等；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：直流磁控溅射，射频磁控溅射；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；5/ 靶枪：2英寸直径 (选配：3英寸)；6/ 直流电源：2KW(800V - 2.5A)；7/ 气体传输模块：MFC控制，氩气，100sccm；

1. 产品介绍磁控溅射镀膜机Sputter2. 应用领域巨磁电阻（GMR）、组合材料科学（CMS）、半导体、超导体、纳米级器件、光子学、光伏（PV）、OLED（发光二极管）、有机薄膜。3. 技术参数最大样品尺寸：8英寸溅射源：强磁靶、永磁靶，数量根据用户定制电源：直流电源、射频电压真空系统：超高真空 样品台加热：最高至1100℃控制系统：全自动控制 进样室：根据用户需求定制 4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

产品简介：该设备为小型三靶磁控溅射镀膜设备，通过模块式化设计后，系统安装方便灵活易于维护，适合科研与教学实验使用。产品型号三靶高真空磁控镀膜溅射系统主要特点1、组成由单室超高真空双靶磁控溅射室，由溅射真空室与管路组成。2、配有旁抽系统，启动快不停机即可更换样品，重复性好。3、用于镀制各种单层膜、多层膜系，可实现单靶独立、双靶轮流、双靶共溅射等溅射模式。4、同时可以实现反应磁控溅射，制备氮化物，氧化物等，可镀金属及导磁金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜。5、作为试验设备来说达到了最佳的性能价格比。技术参数系统由真空腔室、旋转样品架、磁控溅射靶、铠装加热器、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统等各部分组成。极限真空优于：5.0x10-5Pa（经烘烤除气后）真空漏率小于2.0x10-8Pa.l/S系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.0x10-4Pa；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa1、 真空室腔体尺寸Ф300x350mm，手动上开盖辅助液压结构，前有一个观察窗，样品台可旋转内部连接铠装加热器、真空规、放气阀等各种规格的法兰接口，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面采用电解抛光处理。采用金属或氟橡胶圈密封。配备一体机柜标准电箱。2、磁控溅射靶靶材尺寸：Φ50mm（其中一个可以溅射磁性材料）；永磁靶一支、强磁靶一支：射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；配手动挡板。2个靶可共同向下面的样品中心溅射，靶与样品距离90～110mm可调。3、铠装加热样品:加热区域为Φ100mmX100mm(H),基片加热最高温度 室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。配有磁力转轴，电机驱动每分钟低于30转。标准配件1、真空部件进气角阀：2套；RF100观察窗：1套；观察窗法兰：RF100 2个；电阻规： KF16 1个；电极引线： CF25 1个；2、工作真空获得及测量：直联6L/s机械泵： 1台；F600分子泵：1台；电磁KF20阀：1台；5227真空计：1台角阀RF16、管路、接头、充气阀D6等： 1路；KF25电磁压差阀： 1台；CF100闸板阀：1台；3、相关规格的金属密封铜圈，氟橡胶密封圈4、不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等5、安装机台架组件:安装台架：整个设备安放在一个用承载式标准电箱上，箱体均进行喷塑处理。拆卸方便占地小780mmX580mmx1100mm。6、电源控制系统电源布置在标准电箱上，安装于系统机架上。7、自制电源控制电源：1台（为机械泵、电磁阀等提供电源及过程控制带逻辑监测）； 样品加热电源：1台（日本产控温表可实现程序控温）室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。8、配套电源真空计电源：1套直流DC500W电源：2套流量显示、流量控制器：1套9、备品备件：1套

磁控溅射蒸发镀膜仪VTC-1RF-SPC是一套可实现射频磁控溅射和蒸发镀膜功能的系统，包含射频电源、温控型蒸发镀膜模块、真空系统，水冷设备，磁控溅射靶头，不锈钢腔室等。产品名称VTC-1RF-SPC磁控溅射蒸发镀膜仪产品型号VTC-1RF-SPC主要参数 电源：AC380V/50HZ 额定功率：4.2KW外形尺寸：长840*宽750*高1900mm重量：约310KG不锈钢腔室 内径φ250*高度360mm 腔体前部带有一个CF100的真空密封法兰，密封法兰上面安装了一个石英观察窗口； 腔体右侧带有一个从CF60法兰接口，用于和分子泵进行连接 腔室上部有一个LF250法兰接口，法兰端盖上部固定有溅射靶头和样品台； 腔体左侧带有一个KF63法兰接头，用于连接蒸发模块； 腔体右侧带有一个CF35法兰接口，用于连接薄膜测厚仪； 腔体后部带有两个精密调节针阀，用于控制进气量，通过调节进气量的大小，实现腔体内不同真空度的溅射； 腔体后部预留一个1/16英寸的卡套接口，用于客户后期连接质谱仪的检测管道。腔室真空度： 冷态下，用VRD-48机械泵抽30分钟，≤1Pa 冷态下，用FF-160/700分子泵抽30分钟，≤8*10-4Pa溅射靶头磁控溅射靶头固定在上法兰端盖上，通过焊接波纹管密封，方向朝上，和样品台形成45度夹角 标配1英寸的磁控溅射靶头，内部嵌有冷却水管，可以通水冷实现对磁钢和靶材的冷却，从而能够可以长时间进行溅射； 配有一手动操作的挡板，当第一次溅射清除靶材表面的氧化层和污物层，挡住基片，防止污染基片； 样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：60-100mm。 磁控溅射靶头和法兰端盖可以电动升降 （可选配2英寸磁控溅射靶头）样品台样品台固定在腔体上法兰端盖上，方向垂直朝下样品台通过磁流体密封，可实现样品台旋转样品台旋转速度：0.5-5r/min可调样品台尺寸：φ100mm，通过螺旋压盖固定样品，可选配≤φ100mm的各种尺寸掩膜版，以实现对不同样品尺寸的镀膜制备样品台最高温度可达700度（≤30min），长期使用温度500度，样品台加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PTD调节实现精确控温，控温精度±3℃。样品台和法兰端盖可以电动升降蒸发模块 从腔室右端采用KF50快接法兰与不锈钢腔体进行连接，保证腔室的真空度 采用钨丝作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制 标配采用S型热电偶，蒸发工作温度为200-1300度 蒸发模块加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PID调节实现精确控温，控温精度±3℃。 蒸发模块和样品台之间的距离为：60mm 蒸发模块坩埚尺寸：外径φ19.6*内径φ15.4*高度24mm,可选配其它材质坩埚，如不锈钢坩埚等。控制面板控制面板采用一个7寸触摸屏实现集成控制 可在触摸屏上操作真空系统，显示真空度 可在触摸屏上进行样品台加热温控程序的设定和蒸发模块温控系统的设定 可控制样品台的旋转并设置样品台旋转速度 控制电动插板阀的启动和关闭射频电源 输入电源：220V 输出功率：0-300W 输出频率：13.56 MHZ 冷却方式：设备内部的冷却方式为风冷 尺寸：132（长）*442（宽）*405mm（高）（可根据溅射靶材不同选配直流电源）分子泵 分子泵型号：FF-160/700 抽气速率：700L/S 极限压强：6*10-7Pa（不带负载） 启动时间：＜4min 额定转速：36000 R/min 冷却方式：风冷加水冷 抽气口接口尺寸：CF160 带电动插板阀：可在触摸屏中控制电动阀的启动和关闭分子泵控制器 型号：TCP-II 电压：AC220V/50HZ 输出功率：750W 加速时间：5min 输出频率：0-1300HZ复合真空计 型号：ZDF-III 工作电压：AC220V 50/60HZ 电阻规阻值：约85欧 自动保护（电离）＞10Pa 电阻规测量范围：105-10-1Pa 电离规测量范围：100-10-5Pa前级机械泵（选配） 抽真空接口为KF40接口 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) 电机功率：1500W 电机电源：AC380V/50HZ 极限真空：4*10-2Pa(不带负载) 真空计：ZDZ-52T V01型电阻真空计水冷设备（选配） 型号：KJ-5000 工作电流：1.4-2.1A 制冷量：2361Btu/h 尺寸：55×28×43cm（长×宽×高）膜厚检测仪（选配） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分别率为0.10 &angst LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据

SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备优点：体积小，抽真空时间快，可做靶材种类多。特点：1、高真空磁控溅射仪要求稳定，安全可靠，操作简单便捷。适用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。2、 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转样品台、工作气路、抽气系统、真空测量及电控系统等部分组成。3、★高真空磁控溅射仪长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 可放于桌面，小巧不占空间。抽真空速度快，10分钟可进入工作状态。真空腔体采用直径260mm×高270mm的金属真空腔体，真空腔体上有多个备用标准接口，方便老师想进行其他实验研究接入设备，后期可直接配备射频溅射系统，方便老师后续想镀半导体等材料。4、前级机械泵抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 ，后级抗冲击涡轮分子泵采用抽速为300L/s。真空测量采用复合真空计监测真空，极限真空度: 5×10-5Pa。 5、★直流恒流电源输入电压为220V，输出电压为0-600v，输出电流为0-1.6A ，沉积速率为0-200nm/min。电控带锁系统，防止无关人士误操作。溅射定时保护装置，防止溅射时间过长引起的样品损坏。溅射磁控头直径为50mm。配备一块厚度不小于0.2mm厚的金靶，方便产品到货直接使用。基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。6、 样品台采用旋转式样品台。直径尺寸可选，最大不能超过φ150mm。7、采用自循环冷却水机冷却靶头，保证靶头寿命。8、 真空腔室采用金属腔体，具备良好气密性，防止漏气，确保高真空度。尺寸直径260mm×高270mm（外尺寸 ），容积≥9300ml。适用更多样品。9、 样品台直径200mm，支持水平旋转、20度倾斜球形旋转。可放置≥12个标准SEM样品座。适用更多形状的样品，保证镀膜的均匀性。10、 溅射管头为双靶，配水冷。可支持磁控溅射、离子溅射，可溅射强磁性材料。11、 标配铜靶、铬靶各一块。直径50mm×3mm。其它可溅射靶材包括铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等12、 靶材均匀度直径50mm内，金属类膜厚均匀度可达±1%13、 可配直流恒流电源、射频电源（含匹配一体机）输入电压：220V输出电压：0-600v可调输出电流：0-1.6A可调14、 配置VPI液晶控制面板，可智能控制系统操作。操作简单，人机界面良好。15、 极限真空度5×10-5Pa，真空抽速300L/s。16、 标配自循环冷却水机一台。17、 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。18、可放置于桌面，减少占地空间。19、膜厚仪监控范围0～6000纳米。可监控速率0.001纳米/秒。与触摸屏程序操作相结合，可联动控制，监测膜厚。 原理： 溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备指标品牌：北京博远微纳科技有限公司 型号：SD-650MH 仪器主机尺寸:长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 工作腔室尺寸：金属腔体：直径260mm×高270mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶材尺寸： 直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×0.3mm的铜靶（可溅射弱磁性金属膜） 靶枪冷却方式：水冷 真空系统： 抗冲击涡轮分子泵，抽速为 300L/s 前级机械泵： 抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 真空测量：采用复合真空计监测真空 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-4Pa） 电源：直流恒流电源： 输入电压：220V 输出电压：0-600v可调 输出电流（沉积电流）：0-1.6A可调 载样台： 旋转台等 工作气体： Ar等惰性气体） 气路：气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。 沉积速率： 0-200nm 水冷： 自循环冷却水机 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 ： 3KW 保修 ： 贰年 用途特点： 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属等新型薄膜材料的制备，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

双靶磁控溅射镀膜仪双靶磁控溅射镀膜仪为我公司研发的配有两个靶位的小型实验室用镀膜仪，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜等。磁控溅射相较于普通的等离子溅射拥有能量高速度快的优点，镀膜速率高，样品温升低，是典型的高速低温溅射。磁控靶配有水冷夹层，水冷机能够有效的带走热量，避免热量在靶面聚集，使磁控镀膜能长时间稳定工作。与同类设备相比，这款双靶磁控溅射镀膜仪不仅应用广泛，且体积小便于操作，是一款实验室制备薄膜的理想设备。技术参数：项目明细供电电压AC220V，50Hz整机功率3KW极限真空度10-6torr载样台参数尺寸φ140mm加热温度最高500℃ 控温精度±1℃转速技术参数： 1-20rpm可调磁控溅射头参数 数量2个2”磁控溅射头冷却方式水冷，所需流速10L/min水冷机规格16L/min流速的循环水冷机真空腔体腔体尺寸φ300mm X 300mm H腔体材料不锈钢观察窗口φ100mm开启方式上顶开式，便于更换靶材气体流量控制器4路分别通N2，Ar，O2，空气； 量程均为0-500sccm真空泵配有一套分子泵系统，抽速600L/S膜厚仪石英振动薄膜测厚仪一台，分辨率0.10 ?溅射电源直流电源一台，500W，适用于制备金属膜射频电源一台，300W，适用于非金属镀膜操作方式面板按钮操作整机尺寸1400mm X 750mm X 1300mm整机重量300kg

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。建议选用公Research系列磁控溅射平台。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为分体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源 ：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

SD-650MHT双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。双靶磁控溅射仪原理:　　磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。SD-650双靶磁控溅射镀膜机参数：品牌品牌 : 北京博远微纳科技有限公司 型号: SD-650MHT 仪器主机尺寸: 长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高720mm） 工作腔室尺寸： 金属腔体：直径260mm×高500mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶头：双靶 靶材尺寸：直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×3mm的铜靶及直径50mm×3mm的铝靶 靶枪冷却方式： 水冷 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-3Pa） 电源：直流恒流电源：输入电压：220V 输出电压：0-600v 输出电流：0-1.6A 射频电源和匹配器：功率500W。 载样台： 直径200mm 工作气体：Ar等惰性气体（需自备气瓶及减压阀） 气路： 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。 水冷： 自循环冷却水机 膜厚仪 : 实时监测，触摸屏控制 可镀材料： 铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 3KW 【SD-650MHT安装 / 使用 环境】选择一个合适的仪器摆放位置：1、放置SD-650MT高真空磁控镀膜仪在一个长130cm,宽60cm的平面桌子上（桌子的承重需要在200KG以上）；2，放置“外置 旋转机械真空泵”及“冷水机”在一个合适的位置（地面 / 靠近镀膜仪主机）；3，系统总重量（镀膜仪、电器柜、选装泵、冷水机）约为208~240KG（选配不同），请确保有4人一起移动 / 搬运仪器；4，仪器的使用 / 运行环境温度为15~25摄氏度，相对湿度不超过75%；5,为仪器提供一个220V，16A的空开。6，确保使用 / 运行环境有足够的通风，并且避免阳光直接照射到仪器。7，氩气和氩气瓶解压阀需自备。

WT2-1KW中频磁控溅射镀膜电源镀膜电源 输入电压：AC 220V（土10%） 输出功率: 1KW 工作频率:40KHz 输出波形:准正弦波 输出电压：工作电压200V~800V空载电压1KV 输出电流：1A商品编号：G51AEEA7C751B0商品重量：6500.000 克(g)货　　号：G51AEEA7C751B0品　　牌：跃迁计量单位：台外形尺寸： 400*95*370（mm ） 输入电压： 220V 冷却方式： 风冷 使用行业： 工业 认证： ISO9001和CE认证 输出方式： 恒压 调节精度： ≤1% 效率： ≥90% 绝缘等级： A 是否可定制： 可定制市场价： ￥3500.00销售价： ￥3500.00主要技术参数产品名称1KW中频磁控溅射镀膜电源产品型号WT2产品品牌跃迁电源类型全数控智能电源输入电压：AC220±10%V输出功率:1KW电流:0~1A电压:工作电压200~ 800V,空载电压 1KV频率40Khz波形准正弦波方式自定义恒压、恒流、恒功率调节精度≤1%效率≥90%功率因数cosΦ≥0.9控制方式:电源面板按键控制模拟信号控制：TTL电平，可以控制工作停止，输出电压或输出电流或输出功率，外部开路保护（一般用于水流保护）数字接口控制：485通讯。也可以定制232接口显示方式:中英文液晶显示显示内容：工作状态，输出电压，输出电流，设定值输出保护输出过压，输出过流，输出失调输入保护输入过压，输入欠压，输入过流，缺相安全保护接地保护，漏电保护，外控保护,防雷保护，过热绝缘等级B级防护等级IP20保护响应时间1uS输入对外壳电阻≥20MΩ输出输入对外壳耐压2000V/1min输入对输出耐压3500V/1min使用环境温度：0～35℃湿度：≤85%冷却方式：风冷外形尺寸：400*95*370（mm ）特点 :体积小，重量轻，效率高，结构简单，操作简单，功能强大，稳定可靠电路采用模块化设计，调试维修方便。独有的完善保护，使电源能够工作于各种复杂的环境，中英文提示功能，使问题清晰准确能够镀绝缘膜层，不产生电弧，负载适应范围宽备注：出厂默认为模拟接口和485数字接口故障提示智能故障检测分析,上限点故障报警，有参数设置出错,人为操作出错,电源内部因素的多级号报错序列。

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

仪器特点：腔体材料：不锈钢，铝，或者Bell Jar；分子泵：70，250，500 l/sec； 一级泵：机械泵或干泵；13.5MHz, 300-600W射频电源；1KW直流电源；QCM在线厚度测量，厚度分辨率0.1nm；带有观察窗的门，方便样品取放；Labview软件，PC控制；多重密码保护；全安全互锁设计； 选配功能：向上，向下，侧向溅射；射频，直流、脉冲直流溅射；共溅射，反应溅射；组合溅射；射频、直流偏置(1000V)；基底加热：不高于700摄氏度；厚度监控；基底射频等离子清洗；Load-Lock，以及自动样品取放； 不同型号选择：NSC系列，立式磁控溅射系统；NSC系列，立式紧凑磁控溅射系统；NSC系列，台式磁控溅射系统；双腔体系统，NSR系列，磁控溅射+反应离子刻蚀(RIE)；双腔体系统，NSP系列，磁控溅射+PECVD；双腔体系统，NST系列，磁控溅射+热蒸发；

本设备为单靶磁控镀膜仪，可用于金属薄膜的制备，在电子领域、光学领域、特殊陶瓷制备等领域均有应用，也可实验室SEM样品制备。本套配置采用石英真空腔体，镀膜过程全向可视，便于实验的观察记录，腔体设计开启方便，易于清理，十分适合实验室使用。同时设备配有旋转加热样品台，可以有效提高薄膜的均匀性和成膜的质量。整机采用模块化设计，操作逻辑简单，操作界面直观，利于上手。设备的真空获得系统采用两级真空泵组，前级泵为大抽速机械泵，有效缩从常压至低真空的时间，主泵为涡轮分子泵，抽速高，真空获取速度更快。 整体真空获得系统干净快速。 技术参数样品台尺寸150mm加热温度≤500℃旋转速度1-20r/min控温精度±1℃磁控溅射头数量2英寸 x1 冷却方式水冷真空腔体腔体尺寸φ270mm X 200mm 观察窗口全向可视腔体材料高纯石英开启方式顶盖拆卸式真空系统机械泵CY240抽气接口KF16抽气速率1.1L/s分子泵CY600抽气接口KF40抽气速率600L/s排气接口KF40真空测量电阻规+电离规极限真空10-5Pa数量级供电电源AC 220V 50/60Hz电源配置直流电源数量1台输出功率≤500W输出电压≤600V响应时间＜5ms射频电源数量1台输出功率≤1000W功率稳定度≤5W膜厚监控系统膜厚仪测量分辨率±0.03Hz测量精度±0.5%测量上限50000测量速度100~1000ms水冷系统水箱容积9L流量10L/min其他 供电电压AC220V,50Hz整机功率3kw（主机+真空泵）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品 - 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 - 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中 - 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc - 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

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SD-650MHG是一款高真空磁控溅射镀膜仪，是我们公司一款定制化的产品。首位用户为美国某位大学一位老师提出来的需求。老师的需求为：因为手套箱里要放很多东西，实在没有多余的空间放置镀膜仪，但传统的镀膜仪多多少少都会占用手套箱内的面积。经过工程师认真思考，研制了首款镀膜仪。该镀膜仪前面的观察窗口几乎和手套箱外壁在同一个平面内，而且还保证了密封问题，。该镀膜仪问世后，深受老师们的喜爱，先后为很多科研机构所选择。

价格电议KRI 射频离子源 RFICP 系列 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产 右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士,分机109

Vac Techniche真空镀膜 桌面镀膜系统 紧凑型桌面镀膜系统 紧凑型碳纤维镀膜系统DST1-300Vac Techniche真空镀膜 桌面镀膜系统 紧凑型桌面镀膜系统 紧凑型碳纤维镀膜系统DST1-300Vac Techniche DST1-300 Turbo-Pumped Sputter Coater DST1-300具有最小的台式机占地面积之一，可为高分辨率SEM和TEM样品制备提供直流和射频溅射。 DST1-300系列提供以下版本，以满足大多数实验室应用。DST1-300单磁控管，直流，射频，样品偏置，样品加热，样品旋转DST2-A两个磁控管倾斜中心焦点，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转。 DST2-TA两个磁控管成角度的中心焦点，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转，用于碳、电线或船的单一热蒸发设施。DST2-S两个磁控管，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转，用于碳、电线或船的单一热蒸发设施。DST2-TS两个磁控管，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转，用于碳、电线或船的单一热蒸发设施。DST3-A三个磁控管倾斜中心焦点，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转。DST3-TA三个磁控管倾斜中心焦点，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转，用于碳、电线或船的单一热蒸发设施。DST3-S三个磁控管，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转。DST3-TS三个磁控管，直流，射频样品偏置，样品加热，样品旋转，碳、电线或船的单次热蒸发。也可选择4〃磁控管。

1/我公司与日本JCU公司合作，成功开发了一种新型磁控溅射彩镀镀膜机，改变了现有装饰镀膜产品色彩单一的状况，大幅提高了装饰镀膜的技术工艺水平2. 可用于如手机壳、化妆品盒盖、化妆品瓶、汽车零部件、洁浴产品部件等镀膜，塑料表面金属化。3. 6个磁控靶，各自配有挡板4. 采用自动化程序控制，实现自我诊断和自我处置，有很高的控制水平和可靠性5. 可配选水蒸汽捕集泵和阳极层离子

DISCOVERY 635/785 多耙直流/射频磁控溅射台 丹顿真空的Discovery系列在世界许多著名的研究机构得到广泛的应用，是业内公认的灵活、可靠的磁控溅射系统。从15年前开发以来，该系统已经销售超过100台，在国内销售12台。Discovery系列适合于研发及小批量生产。系统采用独特的共焦溅射结构，能够使用较小的磁控溅射靶枪在较大的面积的工件上得到较好的均匀性（例如：采用传统的垂直溅射方式，为了在6英寸工件上得到±5%的均匀性，需要使用8英寸直径靶枪，而采用共焦溅射方式，则可以采用3英寸磁控溅射靶枪，即可达到同样的均匀性指标）。因此在同样的要求下，采用的靶枪及电源相对较小，所以能够降低设备成本及运行成本，同时，丹顿真空也提供传统的垂直溅射方式系统。Discovery 系列都可以安装多个磁控溅射靶枪，可以实现多种溅射模式，包括直流/射频/脉冲溅射，共溅射，射频偏压溅射；可以实现三级加热，最高加热温度可以达到900 °C；可以配置进样室（单片或多片），最大可以处理的工件直径可以达到 250mm ；系统真空室规格从18英寸（457mm）到 35英寸（890mm）可选；高真空采用分子泵或低温泵获得；可以采用PLC触摸屏控制系统或计算机控制系统。 系统主要配置：※ 多耙直流/射频磁控溅射※ 旋转工作台（可以升级为射频偏压工件台）※ 上溅射或下溅射可选※ 不锈钢真空室，带观察窗

●主要功能：多靶复合磁控溅射镀膜机，可满足合金膜、单层膜、多层膜、导电膜、非导电膜和反应溅射的需要，具有极高的实用性和通用性（三靶、垂直与共溅射合一、在线清洗基片等），能够提供高水平功能薄膜研制，特别适合于半导体、新能源、磁性材料、储氢材料、二维材料、超硬薄膜、固体润滑薄膜、自洁净薄膜、等领域前沿研究，同时可选配等离子刻蚀功能和辅助镀膜。1. 主体和腔室：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式结构，骨架默认为白色，门板为白色，四只脚轮，可固定，可移动。真空腔室采用优质0Cr18Ni9不锈钢材质（SUS304），腔体尺寸不小于为：ø 450x500mm；真空室为前开门方式，采用铰链连接，自动锁紧，并配有门到位开关，彻底杜绝误操作；真空腔室设置DN100观察窗口，位置在真空腔体正前方。2. 真空系统：2.1 极限真空度≤Pa（空载、经充分烘烤除气并充干燥氮气）。2.2 真空配置。 前级泵为机械真空泵，抽速优于8L/S，超高分子泵一台，抽速1200L/S。2.3 真空测量：采用进口全量程真空计，优选德国莱宝与瑞士inficon。3. 工件盘系统：配备工件盘一套，可安装4英寸基片1片，选配高温工件盘＜800℃。4. 磁控溅射系统：配置三只2-4英寸溅射阴极，三只靶均能兼容直流和射频溅射，并可单独自由切换，磁控靶安装与真空室底部，向上溅射成膜。5.充气系统：二路分别配置MFC质量流量控制器，均为0-100SCCM，准确度±1%F.S，线性±0.5%F.S,重复精度±0.2%F.S。5. 其他：配置断水保护，配置冷水机组，冷水机制冷量为5000Kcal；设备配备小型静音空压机；保修期1年，维修响应时间不超过24小时。6. 操作系统及安全监控：采用人机界面+西门子PLC实现对设备集中自动控制；所有控制系统和电气安装均与主机集成在一起，避免控制柜与主机之间线路放在地上或从顶部引入带来的问题，模块化设计能确保社保维护维修的便捷性。