化学气相沉积仪

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商：韩国Ecopia RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。 性能和特点：- 温度范围：室温 ~ 1500°C - 升温速度：200°C/s - 气体混合能力(带有质量流量计) - 真空度：~10-6Torr

请联系：张先生等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂ ）。PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。主要特点和优点最大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)优异的均匀性和应力控制卓越的工艺稳定性和可重复性坚固的系统，低的运行/维护成本用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需很小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。应用SiH4-SiNxSiH4-SiO2液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

EPEE系列 等离子化学气相沉积系统1、先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求 Advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and R&D 2、高效传输系统，智能软件调度算法 Efficient transport system, intelligent software scheduling 3、高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制 Efficient remote plasma cleaning system, superior particle control 4、支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺 Supporting SiH4 base ,TEOS base deposition and Carbon process 5、支持在线膜厚和清洗终点实时监测 Supporting on-line film thickness and dry-clean endpoint detection技术参数1、晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容2、适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳3、适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层4、适用领域 新兴应用、科研、化合物半导体、集成电路

EPEE系列 等离子化学气相沉积系统1、先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求 Advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and R&D 2、高效传输系统，智能软件调度算法 Efficient transport system, intelligent software scheduling 3、高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制 Efficient remote plasma cleaning system, superior particle control 4、支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺 Supporting SiH4 base ,TEOS base deposition and Carbon process 5、支持在线膜厚和清洗终点实时监测 Supporting on-line film thickness and dry-clean endpoint detection技术参数1、晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容2、适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳3、适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层4、适用领域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路

等离子体增强型CVD设备 PD-220NL紧凑的研发用负载锁定系统概要PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。主要特点和优点最大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)优异的均匀性和应力控制卓越的工艺稳定性和可重复性坚固的系统，最低的运行/维护成本用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需最小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。应用SiH4-SiNxSiH4-SiO2液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2

等离子体增强型CVD设备 PD-3800L批量加工设备概要PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。主要特点和优点最大加工范围：ø 360 mm (ø 3" x 9, ø 4" x 6, ø 6" x 3)优异的均匀性和应力控制卓越的工艺稳定性和可重复性坚固的系统，最低的运行/维护成本用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。应用SiH4-SiNxSiH4-SiO2液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2选项自动传送装置(从盒式装载到ø 360毫米的托架上)

等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC节省空间的生产系统概要PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。主要特点和优点最大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)优异的均匀性和应力控制卓越的工艺稳定性和可重复性坚固的系统，最低的运行/维护成本用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需最小的洁净室空间双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制应用SiH4-SiNxSiH4-SiO2液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2

Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统1、优越的填孔能力以及高沉积速率 Excellent gap-fill capacity and high deposition rate 2、独特的温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现 Unique thermal field and ICP Electromagnetic field design enhancing performance of the high-density film quality at low temperature 3、优化机台结构，缩小占地面积 Optimized system architecture with minimized foot print 4、友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效 User-friendly interface and security designed to ensure the system stability, safety and efficiency技术参数1、晶圆尺寸 12 英寸2、适用材料 氧化硅3、适用工艺 浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层4、适用领域 新兴应用、集成电路

PECVD沉积技术NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：独立型立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

化学气相沉积 LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。LPCVD设备结构及特点：1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。2、设备为水平管卧式结构由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。LPCVD设备主要技术指标 类型参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片 不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品生产型LPCVD设备设备功能该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可提供相关镀膜工艺。设备结构及特点设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。设备主要技术指标 类型参数 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样软件控制界面 关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

Orion HDCVD 高密度气相化学沉积系统采用高密度的化学气相沉积技术，在惰性气体进入口安装感应线圈，周围布置陶瓷管。射频创建等离子体,通过气体环在衬底表面附近引入挥发性气体。当惰性气体与挥发性物质结合时，会发生化学反应，然后在衬底表面沉积一层薄膜.该技术不需要将衬底加热到典型的PECVD温度，并且该方法非常适合沉积在有机物、柔性衬底和其它具有温度限制的表面上。 射频可通过Chuck改变薄膜性能。 该系统可以升级传送Loadlock，或添加到集群平台Cluster。

日本SAMCO PD-4800等离子体增强的化学气相沉积系统PD-4800是一种等离子体增强的化学气相沉积系统，能够沉积二氧化硅，氮化硅，和 非晶硅

ICPECVD沉积技术NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式系统自动上下载片，带预真空锁不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达6”(150mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

ICPECVD沉积技术NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7Torr全自动上下载片，带预真空锁ICP离子源高达6”(150mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：台式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护

产品简介：GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术，基本温度低，沉积速率快，在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。产品型号GSL-PECVD-300化学气相沉积安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氮/氩气（纯度99.99%以上），需自备实验所需气体气瓶（自带?10mm双卡套接头）及减压阀4、场地：设备尺寸2200×2000mm×1500mm，承重1000kg以上5、通风装置：需要主要特点1、所需成膜温度低2、沉积速率快，应用广泛3、体积小，操作简便4、采用射频为增强源易于控制5、清理安装便捷。6、一体化触摸屏控制技术参数1、系统采用单室筒式结构，手动前开门；2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），氩弧焊接，表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口，并带挡板，真空有效尺寸为Φ300mm×300mm；3、极限真空度：≤6.67x10-4Pa (经烘烤除气后，采用600L/S分子泵抽气，前级采用4L/S)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，40分钟可达到； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；4、采用样品在下，喷淋头在上的电容式耦合方式进气；5、样品加热最高加热温度：500℃，温控精度：±1°C，采用控温表进行控温；6、喷淋头尺寸：Φ90mm，喷淋头与样品之间电极间距40-100mm在线连续可调（可根据工艺调整），并带有标尺指数显示；7、 沉积工作真空：0.133-133Pa（可根据工艺调整）；8、射频电源：频率 13.56MHz，最大功率500W，全自动匹配；9、.气体种类（用户提供），使用质量流量控制器控制进气。10、系统设有尾气处理系统(用户自备)。产品规格整机尺寸：1200x1500x1500mm；标准配件1电源控制系统1套2真空机组1套3真空测量1套

产品详情等离子体增强化学气相沉积（Oxford Plasmalab System100 PECVD） 原理：在保持一定压力的原料气体中，借助射频功率产生气体放电，使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体。在气体放电等离子体中，由于低速电子与气体原子碰撞，产生正、负离子之外，还会产生大量的活性基，从而大大增强反应气体的化学活性。这样，在相对较低的温度下，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。由于PECVD技术是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效的利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散运运输运，同时发生各反应物之间的次级反应；左后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并于表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。PECVD的优点是：基本温度低，沉积速率快，成模质量好，针孔较少，不易龟裂。技术指标：可蒸发不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。沉积薄膜种类：SiO2，SiNx，SiONx基底温度：小于400℃薄膜均匀性：±3%（4英寸）装片：小于6英寸的任意规格的样品若干

德 Iplas 微波等离子化学气相沉积详细细介绍德国 IPLAS 微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD), 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是世界公认的制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司专利的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，最大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。 化学机理概要：碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。 适用合成材料：大尺寸宝石级单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC） 多种等离子发生器选择： 频率：2.45GHz, 915MHz: 功率：1-2kW, 1-3kW, 3-6kW,1-6kW，5-30kW 等离子团直径：70mm, 145mm, 250mm, 400mm 工作其他范围：0-1000mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子，以及其他高活性物质。在PE-CVD中，气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化，气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应，能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD，沉积速率通常不是基片温度的强函数，表面活化能通常很小。然而，薄膜性质，例如，组成、应力和形态，通常是基片温度的强函数。等离子体增强CVD的优点PE-CVD镀膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低针孔密度、良好的保形性，以及平面和三维表面上的均匀性。 PE-CVD的实用性和灵活性在于，其能够在从硅片到汽车部件的各种基材上沉积高质量的镀膜。此外，等离子体增强CVD系统比常规CVD提供更低的拥有成本。丹顿真空公司专门从事等离子增强CVD (PE-CVD)，沉积类金刚石(DLC)镀膜。DLC镀膜是一类无定形碳膜，表现出与金刚石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高导热性。此外，DLC镀膜由于其生物相容性、红外透明性和电绝缘性能，在商业方面极具价值。丹顿公司已经开发专有的能力，扩展DLC的特性范围，包括抗指纹和疏水性。我们的 Voyager PE-CVD解决方案提供低温溅射，具有高度均匀性

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统主要用途：★该系统既可用作传统的化学气相沉积设备，又可用作微波能化学气相沉积设备，同时又是微波等离子化学气相沉积设备★主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域★该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能，微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰［3］、纳米粉体合成、处理水污染等领域 产品特点：★垂直反应器的设计可使等离子高密度；对称的微波发生器装置，使产生的等离子环境更均匀★谐振腔内没有内部电极，可以避免电极放电所产生的污染，而且，它的运行气压范围比较宽，所产生等离子体密度高、区域大，稳定性高，且不与真空器接触，从而避免了器壁对薄膜的污染★操作便捷：气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构，使取放物料过程简化，只需一支卡箍便可完成气路连接，方便操作，取消了复杂的法兰安装过程，减少了安装造成的损坏★多功能：4种加热方式可选可变：微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热；适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理★双温区结构：上部等离子区或加热区下部样品台加热区★独家开发的微波场专用传感器，精准控温★安全：独家采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计，多重防泄漏保护*标配装有专业微波抑制器*内置微波泄漏传感器★节能：使用寿命长：磁控管微波加热，避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题，也避免了因加热元件损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源，确保设备能够连续稳定长时间运行★嵌入式微机一体化温度控制系统；实现稳定性控温★无须烘炉过程：炉腔整体自身发热，加热均匀★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度★配有万向轮调节底脚，方便移动和固定 技术参数：型号/modelWBDQC-4可加热材料非易燃易爆的任何材料微波频率2.45GHZ±50MHz加热方式等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热最大功率/ KW(连续、可调)4样品腔长度标配100mm可根据用户需求订制加热样品腔(材质)石英管（微波等离子工作模式）石英管&刚玉管（其它加热方式）控温范围/℃1100℃石英样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选；1500℃刚玉样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm 可选；温度测试元件微波场专用传感器温度分辨率/℃0.1样品台最高温度范围室温-1200℃、更高温度可选配控温精度/℃ 1200℃以下±1；1200℃以上±2℃温度偏差/℃温度稳定波动度/℃冷却方式风冷恒温区长度/mm标配100mm可根据用户需求订制升温速率(标配)0～200℃/min（微波等离子工作模式除外）任意设定，可编程、分段加热温度控制方式10段可设工艺参数，7寸触摸屏操作，带数据存储功能；提供手动、自动、恒温控制模式，曲线实时显示控制气体控制气体：H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选流量控制标配 2 套质量流量控制器：七星华创（真空保护阀门后置，匹配真空模式）；精度：0.8%最大耐压1MPa；控制响应时间：10ms真空系统真空泵RVP2008；压力范围：10 -3 Torr~760 Torr最大抽速：8.5m 3 /h真空计数显真空计：1atm-10 -1 Pa标配质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件，可以内置实时显示和保存生长参数气路其他配置气柜、气路及阀门等端口不锈钢 KF50 法兰接口电源电压（V）220微波泄漏量/ mW/㎝2≤0.4外型尺寸（长′宽′高）/mm1100×750×1900 选配功能：质量流量控制系统；美国Alicat质量流量&控制器

AXIC基准800ICP蚀刻和沉积经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的基准800电感耦合等离子体(ICP)处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP PECVD)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有ICP蚀刻和沉积底部电极，可轻松安装到腔室单元中。我们相信您会发现基准800ICP的易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和发展中，一直非常需要一种高度通用和可靠的工具。随着等离子体研究需求的不断变化，所选择的系统必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性，以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的基准800ICP蚀刻/沉积等离子体系统满足这些非常苛刻的要求。BenchMark 800ICP工具是一种等离子体工具，可用于研究，工艺开发或小批量生产，可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳硅片。在设计基准800-IIIICP工具时，主要指令是创建一个系统，该系统结合了专用生产导向系统的质量，可靠性和过程控制能力，同时大大降低了成本，维护和占地面积要求。BenchMark 800ICP工具独特的机柜和电极设计使其易于安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件，模块化组件，通用腔室和电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方使AXIC基准800ICP工具成为等离子工程师的“首选系统”。以上翻译结果来自有道神经网络翻译（YNMT） 通用场景

v 应用方向：高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀v 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°Cv 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺v 晶圆最大可达200mm，可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆v 高导通的径向（轴对称）抽气结构：确保提升了工艺均匀性和速率v 增加了500毫秒的数据记录功能：可追溯腔室和工艺条件的历史记录v 通过前端软件进行设备故障诊断，故障诊断速度快v 用干涉法进行激光终点监测：在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测：监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的 作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的 相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas 公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转 化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积 质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制 备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1.CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团，因此为高速 生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节 和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技 术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体团集中在腔体中，远离石英管，所以对石英管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150 SSDR150 微波等离子体化学气相沉积系统专门用于合成 CVD 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学级窗口。SSDR150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够完美地适用于高校科研和企业生产。 SSDR150 系统特点。 铝合金腔体+内置石英管反应室，支持长时间高功率下工作。工艺气压可达 350 mbar 或更高，可以高速率生长单晶。微波源为 2.45GHz、最大功率 6 kW，高耦合效率。标准配置 4 条气路，最多可增加至 7 条气路（掺杂气路）。2 英寸水冷样品台，高度电动可调、精度优于 10μm (可选)。双色红外高温计测试样品表面温度，范围 475-1475 °C。爱德华兹分子泵+ 干泵，最佳真空度≤ 3×10-7 mbar。高水平金刚石生长工艺培训及演示（内容根据应用而定）。全自动控制、半自动和手动可用，图形化操作界面（GUI）。多级用户设置和管理、远程诊断和维护、数据导出接口。多用途：高纯度单晶、厚单晶、大单晶、掺杂、光学窗口。设备维护少、安全、可靠、稳定、性价比高 应用领域。切削刀具、耐磨涂层、热沉材料、SAW。光学窗口、激光晶体、电化学电极、CNT。生物传感器、微机电系统、光电探测器。商用宝石、低压高温退火处理、量子计算 SSDR150 性能表现多晶金刚石:• 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• 生长速率: 高达 10 μm/h, 取决于生长工艺 单晶金刚石: • 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• EPR 测试氮浓度 : [Ns0] 1 ppb• 1332 cm-1 FWHM 金刚石拉曼谱线: 1.6 cm-1• 4000 – 10000 cm-1无红外波段吸收• 生长速率: 高达 20 μm/h, 取决于生长工艺条件

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。