红外烟感探测器

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红外烟感探测器相关的厂商

  • 阜新金鼎防爆安全设备
    阜新金鼎防爆安全设备有限公司是一家集研发、生产、销售和服务于一体，综合实力雄厚的现代化民营高科技企业和现代的生产基地。公司技术先进，实力雄厚，质量保证，具备国家“防爆合格证”认证和“产品检验报告”“生产许可证”等资质认证。得到了广大用户的认可及各地经销商的赞许，为国内外业界提供质优价廉的防爆感烟火灾探测器材。公司主营产品：感烟探测器、防爆红外光束感烟探测器、防爆紫外光束感烟探测器、防爆点型感烟探测器，防爆点型感温探测器，防爆点型复合感烟感温探测器，防爆声光报警器等。卓越的产品、价格、技术和服务是我金鼎公司永恒的追求。
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  • 深圳市汇成探测科技有限公司
    深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值，服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务，公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨，以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信：有了您的支持和我们不断的努力，我们与社会各界同仁携手并进，开拓创新，共创美好未来。
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  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司
    东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新，已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一，嘉乐仕凭借优质的产品，卓越的技术和完善的服务，产品遍及祖国各地，并远销美洲，欧洲，非洲，中东，东南亚等国际市场。 　　东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格，质量是我生命“ 为宗旨，视用户为“上帝”，一贯秉承“质量第一、顾客满意，持续改进，争创一流”的方针，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系，且采取有效的市场保护措施，确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。 　　展望未来，嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业，诚信，融合，创新“的企业精神，研制出更好的产品，提供更好的服务，树立更好的形象，愿与各界新老朋友进行更广泛的合作，共创辉煌! 　　嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察，洽商合作，愿与您携手共创更辉煌的明天！ 联系人：卢生15907693763（微信同号）QQ:2777469253 欢迎来电咨询！官网：www.jls668.net
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红外烟感探测器相关的仪器

  • 三频红外火焰探测器
    三频红外线火焰探测器RFD-3000X(IR3)品牌：REZONTECH 产地：韩国三频红外线火焰探测器产品概述RFD-3000X(IR3)红外火焰探测器采用了三个对红外线敏感的红外传感器。它是亚洲最早和唯一获得FM认证的火焰探测器。专门为高速火焰检测而设计，对错误报警具有最高的免疫力。RFD-3000X保有强硬不锈钢材质，90度和60米的探测能力。同时它负有光路自我测试和过往的活动记录, 自检传感故障功能, 4~20mA 输出，RS485通讯的功能。三频外线火焰探测器使用场所它能用在任何工业或商业场所；或炭化水素有关燃料系列液体燃料:汽油,灯油,迪噻尔油,航空燃料(JP-4,JP-5,JP8),油压燃料,油漆,溶剂。汽体燃料: 乙烯,聚乙烯,液化天然气(LNG),城市煤气,液化石油气(LPG),甲烷,乙烷,丙烷等所引起的火灾。三频红外线火焰探测器主要特点▶ 三重红外线(IR3)探测方式 ▶ 探测速度可调▶ 全新错误报警免疫力▶ 自动或手动校准功能 (BIT)▶ 0-20mA 或3-4线输出▶ RS485 Modbus协议▶ FM3260, 消防检验，KFI▶ FM US, ATEX, IECEx, NEPSI(上海)▶ 不锈钢316三频红外线火焰探测器技术参数探测范围距离60m， 角度90°通讯继电火灾，故障，预警可调延时最高30秒0-20mA故障(Fault): 0mA +0.5mA防爆等级Class I Division 1 Groups B,C and DClass II Division 1 Groups E,F and GClass IIIEx d IIB+H2 T5(-40℃~+75℃)IP66/67正常(Normal): 4mA ±5%红外/紫外(UV/IR Detection):8mA/12mA±5%预警(Warning): 16mA ±5%报警(Alarm): 20mA ±5%最大输入电阻为400欧姆湿 度0% ~ 95% 相对湿度RS485RS-485标准接口，可连接控制器等设备工作电压正常24VDC(18-30VDC)外形尺寸134 x 117 x 110 (mm)电缆接口2x1/2″NPT14 或 2xM20x1.5mm重量(材质)3.5Kg (不锈钢316)
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    厂商： 浙江奥力星电子有限公司
    品牌： 雷尊泰克/REZONTECH
    型号： RFD-3000X
    价格： 1元
  • 红外线防爆型火焰探测器
    火焰探测器广泛应用于燃气，隧道，化工，冶金，制药等行业，探测器适用于汽油、煤油、柴油、航空汽油、液压油、碳氢化合物：乙烯、聚乙烯、天 然气、民用燃气、液化石油气、甲烷、乙烷、丙烷、氢气、酒精、隧道等产生爆燃场所的火焰检测。山东中诚和润科技发展有限公司生产的火焰探测器报警器销往：销往山东，河北，河南，安徽，辽宁、山东-江苏-江西-河北-河南-浙江-辽宁-天津-大连-新疆-甘肃-四川-广东-广西-安徽-福建-湖北-湖南-重庆-云南-宁夏-内蒙古-吉林-上海-贵州-陕西-山西等全国各地技术参数：GW800IR2双波段红外火焰探测器使用了低噪声红外热释电传感器，再通过内置的32位微处理器和信号处理算法，更加有效的区分出真实的火焰辐射与干扰源，也大程度的降低了环境因素对探测器的影响，其设计思想就是大限度地降低误报率和提高探测灵敏度。 本探测器采用非接触式探测，灵敏度现场可调，提供无源接点与火灾报警系统相连接。2、主要特点内置高速、低功耗、高性能32位高精度数据处理芯片。采用窄带红外传感器传感器。多级灵敏度适用更多场合。能更早探测到小火。探测视角红外110°。探测距离达50米。完善的算法结合了火焰探测和误报警能力。探测器适用于多种燃料。适用于重工业应用场合。防爆设计适用于危险区域工业场所使用。低维护成本，易于更新改进。
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    厂商： 山东中诚和润科技发展有限公司
    品牌： 未知
    型号： GW800IR2
    价格： 1万元
  • 双红外加紫外火焰探测器 400-860-5168转5036
    MIC-200-UVIR2火焰探测器结合了最新紫外和双红外探测技术，能提供快速、准确和可靠的火灾探测，且提高了对错误光源的抗干扰能力，能更远距离的有效探测火焰。MIC-200-UVIR2探测器依配备2个红外传感器和1个紫外传感器，具有反应速度快，灵敏度高优点。根据用户对灵敏度和延迟时间的设定，MIC-200-UVIR2探测器能有效地排除误报，且能适应在高危工业环境的应用。除一般应用外，特别适用于铁路机车灭火、军用装甲车辆及舰船的爆炸压制、氢气燃烧火焰。MIC-200-UVIR2探测器的防爆壳在户内和户外都能牢固而准确的安装，高亮LED可显示探测器的状态，其自动测试功能可保证探测器在任何时候都能充分发挥其功能。　　双红外加紫外火焰探测器特点：　　1、 紫外及红外探测原理组合，误报率低 　　2、 高速响应火焰 　　3、 内置高性能微处理器 　　4、 优异的抗射频和电磁干扰性能 　　5、 可靠的系统故障自诊断功能 　　6、 4-20mA、RS485、继电器三种输出方式可选 　　7、 专利信号处理算法，最大程度消除误报的可能性 　　8、 多级灵敏度设置，满足更多场合的不同需求 　　9、 安装方便，探测角度可360°调节 　　10、 ExdⅡ CT6防爆等级，适用于1区和2区危险场所。　　双红外加紫外火焰探测器参数：　　工作电压： DC24V　　电压范围： DC18～30V　　工作电流：≤30mA，报警≤45mA　　光谱范围： IR 4-5um，UV 260nm　　视角范围： 紫外视角120°，红外视角90°　　探测距离：　　燃 烧 物 火源大小 探测距离　　正 庚 烷 0.3m×0.3m 50米　　汽 油 0.3m×0.3m 35米　　柴 油 0.3m×0.3m 35米　　煤 油 0.3m×0.3m 35米　　酒 精 0.3m×0.3m 35米　　甲 烷 0.5m×0.2m 30米　　纸 张 0.3m×0.3m 25米　　氢 气 0.3米火焰 20米　　氨 气 0.3米火焰 15米　　硅 烷 0.3米火焰 15米　　响应时间：5-10s 不同介质的响应时间不一样　　灵敏度等级： 5级灵敏度(通过遥控器设定)　　信号输出： 4-20mA、RS485、继电器三种输出方式可选　　工作温度： -40℃～70℃　　工作湿度： ≤95%RH (不结露)　　电磁兼容及环境试验： 符合国家GB16838标准要求，应用于高温、高盐、高温和低温等环境。抗点瞬变、浪涌电压干扰、抗静电干扰　　防爆认证： ExdⅡCT6/DIP A20 TA,T6　　防护等级： IP 66　　壳体材料： 铝合金，表面防腐漆喷塑　　电气接口： M20X1.5mm　　满足标准： GB15631-2008，GB3836-2000系列　　重 量： 1.7kg　　我们的标准如下：　　一、我们的维修人员都经过业的培训，提供业、高效的售后服务。　　二、我们的检验设备均按行业标准设备配备。　　我们产品的保障说明如下：　　用户权益：　　一、享有12个月的免费质保期。　　二、享有终身售后服务及技术指导。　　三、维修时间在备件充足的提下，24小时内响应，48小时内维护到位。返回顶部点击询价联系方式
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    厂商： 深圳市逸云天电子有限公司
    品牌： 逸云天/Eranntex
    型号： MIC-200-UVIR2.
    价格： 面议
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  • 知芯外延：聚焦短波红外探测器研发，助力西安走上“追光”路
    陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。
    时间： 2024-02-26
    作者： Sunshine
  • 综述：锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
    锑化物超晶格红外探测器具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点，其探测波长灵活可调，可以覆盖短波至甚长波整个红外谱段，是实现高均匀大面阵、长波、甚长波及双色红外探测器的优选技术，得到了国内外相关研究机构的关注和重视，近年来取得了突破性的进展。中国科学院上海技术物理研究所科研团队介绍了InAs/GaSb超晶格红外探测器的技术特点和发展历程，并对后续发展趋势作了初步的展望和探讨。相关研究内容以“锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势”为题发表在《红外与激光工程》期刊上。InAs/GaSb超晶格红外探测器的技术原理和特点超晶格是由两种晶格匹配良好的半导体材料交替重复生长而形成的周期性结构，每一层的厚度通常在纳米尺度。根据组成材料相互间能带排列特点，超晶格一般分为I类超晶格和II类超晶格。在III-V族化合物半导体中，InAs、GaSb、AlSb之间可组成不同类别的能带排列，GaSb/AlSb组成I类能带排列，InAs/GaSb、InAs/AlSb组成II类能带排列。特别的，InAs导带底能量比GaSb价带顶能量低约150 meV，当InAs和GaSb结合时，两者形成“破隙型”II类能带排列，电子被限制在InAs层中，而空穴被限制在GaSb层中。当两者组成超晶格时，相邻InAs和GaSb层中电子和空穴会由于相互作用分别形成电子微带和空穴微带，如图1所示。图1 InAs/GaSb超晶格能带简图电子微带与空穴微带的能量差即为超晶格的有效禁带宽度，随着InAs层和GaSb层厚度的改变而改变。对InAs/GaSb II类超晶格的能带结构进行计算和模拟，可以获得超晶格材料光电特性等信息。图2是InAs/GaSb超晶格的截止波长随InAs厚度变化关系，通过改变InAs层的厚度，可以调节超晶格的截止波长，实现短波红外、中波红外和长波红外等不同谱段的红外探测。图2 InAs/GaSb II类超晶格截止波长随InAs厚度变化关系（GaSb厚度为2.1 nm）总体来说，InAs/GaSb超晶格红外探测技术具有如下特点：1）改变周期厚度可以调节InAs/GaSb超晶格的禁带宽带（响应截止波长），因此，可以通过结构设计来灵活调节超晶格探测器的光电响应特性，响应波段可以覆盖短波至甚长波的整个红外谱段，并实现多色探测。2）InAs/GaSb超晶格结构可以吸收垂直入射光。理论计算表明，InAs/GaSb超晶格可达到与HgCdTe材料相当的吸收系数，因此具有较高的量子效率。3）在InAs/GaSb超晶格结构中，由于轻、重空穴带的分离，抑制了Auger复合速率。在理论上，InAs/GaSb超晶格比HgCdTe具有更高的探测率。4）相比HgCdTe材料，InAs/GaSb超晶格有更大的有效质量，有助于抑制长波探测器的隧穿暗电流。5）现代材料生长技术，如分子束外延技术，可以在单原子层精度上控制材料的生长，十分有利于材料性能的可控性、稳定性和可重复性。6）InAs/GaSb超晶格是III-V族化合物半导体材料，材料生长与器件工艺较为成熟，有利于实现大规格、高均匀性焦平面器件。锑化物超晶格焦平面探测器发展历程技术孕育阶段（20世纪80年代—21世纪初）该阶段主要是超晶格红外探测技术概念的提出、超晶格探测器性能的理论计算分析、超晶格材料外延生长和基本光电特性研究，初步证实了超晶格材料具有优良的红外探测性能。超晶格概念是20世纪70年代美国国际商用机器（IBM）公司的江琦、朱兆详等人提出的，指出电子在沿超晶格材料生长方向运动将受到超晶格周期势的影响，形成与自然界材料性能迥异的特性，分子束外延技术的发展又允许人们生长出高质量的超晶格材料。1977年，江琦、朱兆祥等人又提出了锑化物（InAs/GaSb）II类超晶格的概念。技术突破阶段（21世纪初—2010年）该阶段主要聚焦于突破高性能焦平面器件制备的关键技术。采用先进的异质结构抑制超晶格长波探测器的暗电流；研究超晶格材料的刻蚀和侧壁钝化技术，制备出超晶格面阵器件。长波探测是超晶格技术发展的一个重要方向，而降低暗电流是长波红外探测器研究工作的一个重要内容。对于锑化物超晶格探测器，利用其灵活的能带结构调节能力以及分子束外延低维材料生长能力，国外各研究机构设计、制备出了多种宽禁带势垒的探测器结构来抑制暗电流，如pπMn结构、CBIRD结构、nBn结构等。上述不同结构的基本思想是利用宽禁带势垒层与吸收区形成异质结，从而达到抑制产生-复合电流的效果。像元台面刻蚀与侧壁钝化是超晶格焦平面制备研究的一个重要内容。在台面侧壁，由于半导体周期性晶格结构的突然中断，会引起能带在表面的弯曲，从而使得接近表面的半导体层内形成电荷累积，甚至引起表面反型，这会导致在表面形成导电通道。另外，在刻蚀等工艺过程中产生的损伤、沾污或者氧化物等也可能引起表面势能的变化，在带隙内形成载流子陷阱，增加隧穿电流。随着超晶格探测器结构的不断优化，器件制备工艺水平的提升，基于高质量分子束外延超晶格材料，结合前期建立的红外焦平面技术（如读出电路、铟柱混成互联等），相关研究机构相继研制出了320×256、640×512、1024×1024等不同规格的超晶格红外焦平面。双色或多色探测器具备多谱段探测能力，可显著提升识别距离、抗红外干扰与抗伪装能力，是新一代焦平面探测器重点发展方向之一。锑化物超晶格材料能带灵活可调及宽谱响应的特性，使得其成为制备双色、多色探测领域的优选技术。各研究机构先后报道了基于该材料体系的中/中波、中/长波、长/长波双色焦平面探测器。技术发展阶段（2010年—至今）超晶格焦平面制备能力的提升在相关政府机构的支持下，西方技术先进国家突破了超晶格结构设计、材料生长、芯片制备工艺等关键技术，多家研发机构先后获得高性能的超晶格长波大面阵器件和双色焦平面器件。这些成果的取得也使人们充分认识到超晶格技术在红外探测领域的意义和价值。在此基础上，2011年，美国启动了“重要红外传感器技术加速计划（VISTA）”，这是一个由政府主导的，包括JPL、MIT林肯实验室、Sandia国家实验室、海军实验室等研究结构，以及休斯实验室、洛克-马丁公司、L3辛辛那提电子公司等行业领先公司的联合体，技术链涵盖了衬底制备、超晶格材料外延生长、焦平面芯片制备工艺、读出电路设计、超晶格组件集成等。在5年时间内，VISTA计划在高性能长波、中长波双色、超大面阵焦平面、高温工作（HOT）焦平面器件等多方面获得了进一步的发展。图3 （a）超晶格5 μm像元尺寸的SEM照片，（b）超晶格中波红外焦平面在160 K和170 K工作温度下成像示意图，（c）超晶格中长波双色野外成像图超晶格焦平面的工程应用随着制备能力和探测器性能的不断提高，超晶格红外焦平面开始了应用试验。2005年，德国IAF和AIM公司研制的中/中波超晶格双色焦平面探测器应用于欧洲大型运输机Airbus A400 M的多色红外预警系统（MIRAS）。图4 非洲某地区的可见（来源谷歌地图）和CTI红外成像图片（来自美国NASA国际空间站拍摄），Band 1为中波红外图像，Band 2为长波红外图像锑化物超晶格探测器的展望与思考碲镉汞是当前最成功的红外探测材料，其响应波段可以覆盖短波至甚长波的整个红外谱段，具有高的吸收系数和量子效率。由于碲镉汞非常低的肖特基-里德-霍尔（SRH）复合速率，少子寿命长，暗电流低，可以实现高性能红外探测器。碲镉汞的挑战主要来自于材料生长、芯片制备工艺等方面难度大及由此而带来的成品率和制备成本等问题。InAs/GaSb超晶格在谱段覆盖性方面和碲镉汞一样可以在短波至甚长波整个红外谱段内调节。与碲镉汞相比，超晶格红外探测器在量子效率和少子寿命还需要进一步的提升。但另一方面，InAs/GaSb超晶格属于III-V族化合物半导体，其物理化学性质较为稳定，超晶格焦平面在空间均匀性、时间稳定性等方面具有优势，同时，超晶格在材料、芯片的制备技术方面也具备更好的可控性。近年来，InAs/GaSb超晶格红外探测器取得了飞速的发展。在国外，超大规格、高像元密度、高温工作中波焦平面、高性能长波红外焦平面及双色焦平面等已先后获得突破，超晶格探测器也已初步获得航天应用。国内自“十二五”布局开展锑化物超晶格红外探测技术研究，相关研究单位先后在超晶格长波焦平面技术、双色焦平面技术等方面取得突破，初步形成了超晶格材料外延生长、芯片制备等技术能力和平台。后续，超晶格红外探测技术将在进一步提升材料基本性能（量子效率、少子寿命）的基础上，发展大规格和超大规格红外焦平面，高像元密度焦平面，甚长波和双色、多色探测器，高工作温度红外焦平面等。提升超晶格材料基本性能在少子寿命方面，在超晶格中，轻、重空穴带的分离抑制了俄歇复合过程，因此，理论上超晶格的少子寿命可以比碲镉汞更长。但目前InAs/GaSb超晶格的少子寿命一般小于100 ns，与碲镉汞相比有很大的差距，这主要是由于超晶格材料存在较强的SRH复合。InAs/InAsSb超晶格因表现出了更长的载流子寿命而颇受关注，但对于相同的探测波长，InAs/InAsSb超晶格的吸收系数较小；同时，InAs/InAsSb超晶格的空穴迁移率和扩散长度也较小。另一种新型超晶格材料——晶格匹配 InAs/GaAsSb超晶格展现出了优良的光电性能，计算表明，对于相同的探测波长，InAs/GaAsSb超晶格具有与InAs/GaSb超晶格相似的吸收系数。在量子效率方面，由于在超晶格中电子和空穴分别位于InAs和GaSb层中，吸收系数的大小与电子波函数和空穴波函数的交叠积分相关，从而导致器件的量子效率随波长增大而下降。目前中波红外超晶格探测器的量子效率可以实现70%~80%，长波器件的量子效率约30%~40%。提升长波、甚长波超晶格焦平面器件的量子效率是一个重要的研究课题。近年来，采用超表面微纳光子结构提升器件量子效率成为一个有效途径。与探测器集成的微纳光子结构主要包括一维、二维光子晶体、光栅、汇聚透镜、微腔结构等。近年来，美国麻省理工学院、空军实验室、JPL等在该方面开展研究并取得了较好的成果。超晶格红外焦平面发展趋势展望在焦平面器件发展趋势方面，将充分利用超晶格自身技术优势，发展高像元密度大面阵探测器、甚长波探测器、双色和多色探测器、高工作温度探测器及新型雪崩探测器等。在高像元密度大面阵器件发展方面，国际上超晶格外延材料尺寸已经达到6 in（1 in=2.54 cm），正向更大晶圆发展；像元尺寸已缩小至5 μm，最大规格达到6 K×4 K。国内已具备4~6 in超晶格外延材料生长和锑化物半导体探测器芯片制备能力，在小像元尺寸的台面芯片制备方面也具有技术基础。在甚长波红外探测器方面，关键在于降低器件暗电流，红外探测器的暗电流与少子寿命密切相关。因此，提升超晶格材料的少子寿命是一个重要的研究课题。晶格匹配InAs/GaAsSb新型超晶格材料有助于降低材料的深能级缺陷，从而提升少子寿命。降低器件暗电流的另一途径是运用InAs、GaSb、AlSb等材料间多样的能带排列方式，灵活设计出先进的抑制暗电流器件结构。最近，国外报道了14 μm超晶格甚长波焦平面探测器，采用先进势垒设计结构，大大地抑制了器件的暗电流。在实现高温工作超晶格红外探测器的研究方面，主要集中在设计和制备各种具有暗电流抑制功能的异质势垒结构器件。国外研究机构采用nBn等异质势垒结构，很好地将超晶格中波红外探测器的工作温度提升至150 K以上。在国外，高温工作的超晶格中波红外焦平面已经显示出了替代传统InSb器件的趋势。实现双色或多色探测是超晶格发展的一个重要发展方向。超晶格主要采用改变材料周期厚度来调节响应波长，采用分子束外延技术，只要改变InAs、GaSb单层的生长时间（改变层厚）就可以获得不同响应波长的超晶格材料，因此非常容易在一次外延生长过程中集成两个甚至多个响应不同波长的探测器材料结构。近期研究结果也表明，超晶格是实现双色或多色探测的优先技术。在新型探测器方面，锑化物超晶格雪崩探测器（APD）近年来也备受关注。美国伊利诺斯大学研究发现，InAs/GaSb超晶格的空穴/电子碰撞电离系数比可以近似为零，研制的电子雪崩型器件的增益为300时，过剩噪声因子小于1.2。该团队与美国雷神公司合作研制的电子雪崩型超晶格APD，在增益为500时，过剩噪声因子仍旧保持在接近于1的水平，表现出了极低的雪崩噪声特性。结论这项研究简要介绍了锑化物超晶格红外探测技术的技术特点、发展历程及其发展趋势。自InAs/GaSb超晶格红外探测器的设想被提出后，30多年来，通过结构设计优化和制备技术提升，国内外研究结构先后获得了一系列的大面阵、高温工作、长波、多色红外探测器，超晶格红外焦平面也表现出了高均匀性、高稳定性、高制备可控性等优势，并且在红外遥感成像等航空航天领域得到应用。今后，超晶格红外焦平面将向着更高的像素密度、更大的规格、更高的工作温度、甚长波、双色（多色）、雪崩器件等方向发展。
    时间： 2024-04-22
    作者： Sunshine
  • 非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器
    高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBₙn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期，由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳，通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地（GSG）探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性，结电容特性和室温射频响应特性的表征。材料生长、器件制备和测试通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示：先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错，接着生长重掺杂（10¹⁸ cm⁻³）n型InAsSb接触层，然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂（10¹⁵ cm⁻³）InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层，通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少，有助于空穴向接触电极的传输，同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂（10¹⁸ cm⁻³）n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中，Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后，通过原子力显微镜（D3100，Veeco，USA）和高分辨X射线衍射仪（Bede D1，United Kingdom）对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm²的样片。样片经过标准工艺处理，包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺，制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体（ICP）和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性，因此包括三个电极分别为Ground（接地）、Signal（信号）和Ground，其中两个Ground电极相连，与下接触层形成欧姆接触，Signal电极与上接触层形成欧姆接触，如图1（c）和（f）所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪（Keithley 4200，America）测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过，在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm，与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时，饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪（Keysight PNA-XN5247B，America）对器件进行射频响应特性测试。结果与讨论材料质量表征图1（a）和（d）的X射线衍射谱结果显示，从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中，nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度，GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此，InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec，符合预期，表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此，nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的（b）和（e）中，显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm²的区域内，nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 Å和2.1 Å。图1 （a）和（a）分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱；（b）和（e）分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图；（c）和（f）分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片器件的变温暗电流特性图2（a）显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线，通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2（b）显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R₀A随反向偏压的变化曲线，温度下降的梯度（STEP）为25 K。图2（c）显示了在400 mV反向偏压下，nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R₀A与温度倒数（1000/T）之间的关系，温度变化的梯度（STEP）为25 K。图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片（a）暗电流密度-电压曲线；（b）微分电阻和器件面积的乘积R₀A随反向偏压的变化曲线；（c）R₀A随温度倒数变化曲线器件暗电流的尺寸效应由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用，因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流，进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3（a）显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系，尺寸变化的梯度（STEP）为10 μm。图3（b）显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R₀A随反向偏压的变化曲线。图3（d）中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率，根据斜率的倒数计算出约为1.7×10⁴ Ωcm。图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R₀A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R₀A随台面直径的变化；（d）（R₀A）⁻¹与周长对面积（P/A）变化曲线器件的结电容图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。器件的射频响应特性通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。结论通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm²，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10⁴ Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×10³ Ωcm，而pBn和nBn的R₀A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm²和5.27 Ωcm²。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。论文链接：http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157
    时间： 2024-01-29
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    [color=#000000]陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c45ee993-8944-4fb1-a1b4-793fe9fb49f5.jpg[/img][/align][color=#000000]知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c5db2606-b780-4d94-bda7-1f42d7adfd8e.jpg[/img][/align][color=#000000]基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。[/color][来源：MEMS][align=right][/align]

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Ωcm。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e7fba8aa-eabe-40a4-a863-6ebcdd264744.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R?A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R?A随台面直径的变化；（d）（R?A）?1与周长对面积（P/A）变化曲线[/color][/align][b]器件的结电容[/b]图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/c09b63df-6442-42f2-b548-df4f539db6eb.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。[/color][/align][b]器件的射频响应特性[/b]通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/95acbbf7-8557-4619-b4cd-5829d636aced.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图[/color][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/541829b0-a336-4b7e-a75b-0a15f8dfd06a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线[/color][/align]图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结论[/b][/back][/size][/align]通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10? Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×103 Ωcm，而pBn和nBn的R?A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm2和5.27 Ωcm2。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。[b]论文链接：[/b][url]http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157[/url][来源：MEMS][align=right][/align]

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    1+2单功能火灾探测器加温器(ABS-W03) 本产品为不锈钢设计，牢固耐用，加温试验时只需将本试验器充满电和补足丁烷气体，就可加温试验，无需交流电源，机动能力强。●技术性能电源电压：DC7.4V、2200MA/H；加温电路连续工作时间：＞8小时；加温试验数量：＞800只；枪杆长度：1－2.5米（可根据需要加长）；连接杆长度：0.5米输出温度：＞75℃；温源：气体燃烧；气源：丁烷气体。充电时间：8小时；适用适用温度：-5-40℃；外形尺寸：560*190*100净重：1.3公斤。●组成枪头、弯头、连接杆、电池杆、充电器、丁烷气体，简易试验笔、手报吸盘。GA 1157-2014全套消防设施维护保养检测设备2014年5月国家消防法新规范出台后，全国范围内开展实行GA 1157-2014(国标) 一、二、三级全套消防设施维护保养检测设备，对此次执行标准，北京朋利驰科技有限公司，针对此次标准进行设备配置调整，本次调整后完全符合国家GA 1157-2014(国标) 一、二、三级全套消防设施维护保养检测设备的设备配套标准，北京朋利驰科技有限公司在全国范围内都有检测设备的销售，本产品百分百通过本地消防局及技术质监局的通过，如果有不能通过的，北京朋利驰科技有限公司郑重承诺，质保一年，终身维护，免费提供不能检测通过的设备更换，直至检测通过为准。北京朋利驰科技有限公司是致力于生产和代理国际，国内先进的检测仪器仪表和设备诊断工具的高新技术企业。拥有多项自主研发设备产品：感烟探测器功能试验器(HL-08A)，感温探测器功能试验器（HL-3.5）,消火栓测压接头(HL-3),喷水末端试水接头(HL-MD),单功能电子不锈钢感烟探测器功能试验器（KW-JY03）,4+2多功能火灾探测器(AH12),细水雾末端试验装置(HL-S06),多功能消防试水装置，HL-9垂直度检测仪，TDS-100H超声波流量计，各种消防检测箱等。主要经营消防检测设备，主要有红外热像仪，感烟探测器试验装置；感温探测器试验装置；水喷淋系统试水检测装置；消火栓系统试水检测装置；数字兆欧表；数字噪音计；红外测温仪；数字微压计；数字测距仪；垂直度测定仪；多功能工程坡度测定仪；四合一测量仪（温度、湿度、风速、照度） 钳形电流表；数字万用表；数字秒表；附件：数字试电笔、钢卷尺、打火机、加热笔附件盒、发烟棒盒、烟嘴、充电器、丁烷气瓶、仪表测试笔、温度测试探头、多功能刀、测压管、操作手册、铝塑携带箱秒表，数字照度计，数字声级计，数字测距仪，卷尺，数字风速计，数字微压计，消火栓测压接头，超声波流量计，防火涂料测厚仪，喷水末端试水接头，点型感烟探测器功能试验器，点型感温探测器功能试验器，线性光束感烟探测器滤光片，火焰探测器功能试验器，漏电电流检测表，红外测温仪，红外热像仪（选配），便携式可燃气体检测仪，防爆静电电压表，接地电阻测量仪，绝缘电阻测量仪，数字万用表，钳形电流表，泡沫称重电子称，便携式气相色谱仪、便携式红外光谱仪、易燃液体探测仪、便携式可燃气体检测仪、可燃气体探测仪、可燃气体检测管、采样器、薄层色谱分析装置、炭化深度测定仪、金属硬度检验仪、回弹仪、数字温度计、现场勘查灯、碘钨灯、电源线盘、特斯拉计、金属探测器、万用表、接地电阻测量仪、绝缘电阻测试仪、静电电压表、便携式金相显微镜、体视显微镜、小型X光检测仪、照相机、照相冲洗设备、数码照相机、数码摄像机、现场勘查工具箱、数字测距仪、望远镜、尸体袋、物证保存袋、火灾现场勘查专用车、火灾勘查仪器箱、火灾现场勘查工具箱，有毒气体探测仪、军事毒剂侦检仪、可燃气体检测仪、水质分析仪、电子气象仪、音频生命探测仪、视频生命探测仪、雷达生命探测仪、红外热像仪、漏电探测仪、核放射探测仪、电子酸碱测试仪、红外测温仪、移动式生物快速侦检仪、激光测距仪、烟雾视像仪。建筑消防设施检测箱、消防电气检测箱、消防工程检测箱、火灾探测器功能试验箱、火灾报警系统功能检测箱，自动喷水系统、消火栓系统功能检测箱，防排烟系统功能检测箱，火灾勘查仪器箱、火灾现场勘查工具箱、火灾原因调查器材箱、电器性能检查箱、消防监督检查箱、消防工程验收箱、消防监督技术装备箱、消防监督器材包装箱、消防检查辅助器材箱、消防电气性能检查箱、消防监督检查验收箱、消防监督技术装备产品、消防产品现场检测箱、消防产品现场检查判定箱、防火门破拆工具箱、防火涂料检测箱、常规新产品检测箱、专业测量仪器箱、地铁消防检测箱、防火检查仪器箱、派出所消防监督装备、机场、油田、军事设施、铁路地铁、港口码头、学校消防检查设备、智能建筑与安防工程检测仪器序号设备名称一级标配二级标配备注1秒表43量程不小于15min；精度：0.1s2卷尺43量程不小于30m；精度：1mm3游标卡尺43量程不小于150m；精度：0.02mm4钢直尺43量程不小于50cm；精度：1mm5直角尺43主要用于对消防软管卷盘的检查6电子秤11量程不小于30kg7测力计21量程：50N～500N；精度：±0.5%8强光手电64充电式，LED冷光源9激光测距仪43量程不小于50m；精度：3mm10数字照度计43量程不小于2000lx；精度：±5%11数字声级计43量程：30dB～130dB；精度：1.5dB12数字风速计43量程：0m/s～45m/s；精度：±3%13数字微压计21量程：0Pa～3000Pa；精度：±3%；具有清零功能，并配有检测软管14数字温湿度计21用于环境温湿度检测15超声波流量计21测量管径范围：15mm～700mm；精度：±1%16数字坡度仪11量程：0-±90o；精度：±0.1o17垂直度测定仪21量程：0mm～500mm；精度：±0.2μm18消火栓测压接头43压力表量程：0MPa～1.6MPa；精度：1.6级19喷水末端试水接头43压力表量程：0MPa～0.6MPa；精度：1.6级20防爆静电电压表1-量程：0kV～30kV；精度：±10%21接地电阻测量仪32量程：0Ω～1000Ω；精度：±2%22绝缘电阻测量仪32量程：1MΩ～2000 MΩ；精度：±2%23数字万用表43可测量交直流电压、电流、电阻、电容等24感烟探测器功能试验器43检测杆高度不小于2.5ｍ，加配聚烟罩，内置电源线；连续工作时间不低于２h25感温探测器功能试验器43检测杆高度不小于2.5ｍ，内置电源线；连续工作时间不低于２h26线型光束感烟探测器滤光片11减光值分别为0.4dB和10.0dB各一片；具备手持功能27火焰探测器功能试验器11红外线波长大于等于850nm，紫外线波长小于等于280nm。检测杆高度不小于2.5ｍ28漏电电流检测仪21量程：0A～2A；精度：0.1mA29超声波泄漏检测仪1-用于可燃气体、液体泄漏检测30便携式可燃气体检测仪21可检测一氧化碳、氢气、氨气、液化石油气、甲烷等可燃气体浓度，并发出声光报警。31数字压力表21量程：0MPa～20MPa；精度：0.4级；具有清零功能32细水雾末端试水装置21压力表量程：0MPa～20MPa；精度：0.4级秒表HL-3消火栓测压接头：压力表量程：0MPa～1.6MPa；精度：1.6级细水雾末端试水装置超声波流量计线型光束感烟探测器滤光片数字微压计火焰探测器功能试验器卷尺电子称HL-4消火栓测压接头压力表量程：0MPa～1.6MPa；精度：1.6级HL-MD喷水末端试水接头:压力表量程：0MPa～0.6MPa；精度：1.6级HL-XM30消防试水检测箱（消火栓测压接头HL-3，喷水末端试水接头HL-MD，30米卷尺）感烟感温探测器功能试验器二合一AH-YW19(里面一个烟一个温)：检测杆高度不小于2.5ｍ，加配聚烟罩，内置电源线；连续工作时间不低于２hSD-T6-2B强光手电：充电式，LED冷光源超声波泄露检测仪HL-GA1157消防常用仪器箱（北京朋利驰科技有限公司配置：消防不锈钢防水秒表，数字声级计，数字风速仪，数字照度计，激光测距仪，数字微压计，数字温湿度计，数字万用表，绝缘阻测试仪，接电阻测试仪，压力测试管，检测笔）
    供应商： 北京朋利驰科技有限公司
    品牌： 朋利驰
    价格： 面议
  • 热释电红外探测器
    热释电红外探测器Micro-Hybrid热释电探测器是功能强大的热红外探测器，具有出色的长期稳定性。这些传感器检测燃烧材料（如木材，油或塑料）的典型光谱辐射。 NDIR气体分析代表了热释电传感器的另一个应用领域。 红外辐射会影响传感器的活动区域。 由于热释电效应，温度的有效变化在电极上产生电荷载流子。 与大多数竞争者的LiTaO3芯片不同，Micro-Hybrid的热释电探测器使用基于MEMS技术的敏感元件。 热释电元件由安装在通过DRIE背蚀工艺制造的改良Si基膜上的〜1μm厚的PZT薄膜组成。 前电极是光学透明的，允许红外辐射被有源区域吸收。 该区域具有从1 - 25μm的宽广吸收范围。优点：Ø基于MEMS的PZT膜Ø宽广的光谱灵敏度1 - 25μmØ高调制频率200HzØ低颤噪效应指的是膜质量轻Ø非常低的温度依赖性Ø低热漂移Ø不需要冷却应用：Ø红外火焰检测实时火灾和火焰检测 - 生命和健康安全应用针对健康和生命安全以及所有工业过程应用层面上的首要需求。 红外火焰探测器在所有工业建筑物，仓库等的火灾探测是不可或缺的安全要求。 对于安全的建筑防火，红外火焰探测器保证在危险情况下立即作出及时响应，防止火灾造成损害。优点：Ø室内火灾探测Ø即使在烟雾缭绕的房间和远距离也能快速而可靠的测量Ø检测不同的火焰特征，如热量，气体（CO2，CO）或闪烁频率红外火焰检测的应用领域红外火焰探测器的功能火焰引起烟雾，烟雾，蒸汽，热量和光辐射。 可检测产生的气体一氧化碳和二氧化碳以及火焰闪烁频率。Micro-Hybrid 热释电传感器具有长时间稳定性，可提供四种芯片尺寸和两种功能模式型号特征PS1x3C2高敏感度PS1x1C2广角大视野PS1x1C8广角大视野PS1x4V1电压模式ØNDIR气体测量Micro-Hybrid提供NDIR气体分析的完整产品系列。 即使是恶劣的环境也不会阻碍我们的客户升级自己的应用。优点：快速，可重复，长期稳定地测定各种红外活性气体的浓度高精度和高分辨率的限制在低漂移下的使用寿命长，无化学反应高温能力（190°C）测量稳定性高，即使在恶劣的环境下NDIR气体分析方案确保和监测过程稳定性的气体浓度的测量，在涉及气体的所有工业过程中是至关重要的。 气体浓度的准确和可再现的检测是应用的重要组成部分，特别是在医疗和环境技术中。 此外，NDIR（非分散红外）气体分析可以在私人或工业领域进行宽带或高度选择性的有害物质检测，例如监测和检测爆炸性气体和污染物。它是测量这种气体浓度的光学分析工具。 关于与红外活性气体的光学相互作用，NDIR分析是一个快速而有效的过程。NDIR气体测量的应用领域：根据不同的功能原理和我们的元件组合，我们会结合适合您的测量任务对应气体传感器解决方案。 您可以从我们的产品查找器中订购单个产品样品或直接联系我们的NDIR气体分析专家。气体传感器CO2 气体传感器甲烷气体传感器耐190°C高温耐190°C高温红外光源JSIR 350-4JSIR 350-5JSIR 450高频率高辐射强度超高频率的手持设备"超高的辐射强度热电堆探测器TS 80TS 200高温应用高灵敏度手持设备热释电探测器电流模式电压模式极高的灵敏度极高的频率电压模式低频率我们的热释电探测器有电流和电压模式（Pyropile® ）。 电流模式探测器仅提供双极性电源（±2.2 ...±8 VDC）。控制模式电压模式电流模式电流模式感应面积1.15 x 1.150.8 x 0.80.7 x 0.325灵敏度 (V/W)950175,000125,000探测率2.09 x 10^82.2 x 10^81.7 x 10^8佳频率0.2 ... 32 … 55 取决于配置3 … 25通道数1 - 41 - 24通过不同的传感器帽来修改视野帽光圈FOV滤波片位置H2863,7mm104,6°外置H2171,5mm34,7°外置M0013,7mm76,2°内置M0011,5mm21,5°内置Pyropile - 电压模式下的热释电传感器这种高性能热释电探测器可提供多达4个通道。活性材料被分成九个较小的像素，串联连接。 因此，Pyropile® 检测器在低噪音水平下可以产生接近10倍的信号输出。 参考芯片薄膜的质量小，该探测器的特点是极低的颤噪效应，低热漂移和热噪声。 如果测量速度相当的测量任务需要更高的灵敏度，则Pyropile® 代替热电堆探测器。特征高信噪比检测灵敏度高达2.1 x 10 8 cm x Hz 1/2 / W灵敏度高达950 V / W输出：电压信号
    供应商： 江阴韵翔光电技术有限公司
    品牌： 韵翔
    价格： 面议
  • 感烟温探测器拆装置器
    感烟探测器拆装器，感温探测器拆装器，探测器折装工具，消防专用拆卸工具，感烟探测器功能试验器拆卸工具烟温探测器拆装器专门用来海湾消防烟温感二次拆装，特别适宜先装设备底座及大面积拆装、或探测器下方有障碍物——诸如，楼梯坡道、桌椅、床铺、吊灯上方等及特别高的场所，可规避高空作业安全，节省了登高设施使用费及大量的人工准备工时费。实为不可多得的划时代安装工具。此产品出现可颠覆现有施工安装程序，可在穿线完毕的同时先安装接线固定底座，最后在测量线路无故障后再使用拆装器安装设备，施工效率高，且测试线路绝缘时不用考虑已经安装部分设备而有所顾忌。 高压配电室、配电机柜上方、内燃机组上方、变压器上等特殊无法触及到的场合，以及高架仓库、高空超高位置安装的探测器，出现误报后无法更换，造成整个火灾报警系统运行不稳定。
    供应商： 北京朋利驰科技有限公司
    品牌： 朋利驰
    价格： 面议
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