复合型叶绿定仪

据世界粮农组织的调查，世界上每年有25%粮食受到已确认的霉菌毒素的污染。霉菌毒素是霉菌在食品或饲料里生长所生产的代谢产物，对人类和动物都有害。霉菌也称丝状真菌，是菌丝体比较发达但没有较大子实体的小型真菌的统称，是微生物中的高级生物，其形态和构造比细菌复杂。月旭科技现特别推出Welchrom 新品复合型免疫亲和柱帮助大家轻松应对各种毒素的检测01 产品用途及原理Welchrom复合型免疫亲和柱用于从样品中分离、纯化真菌毒素，原理是基于抗原与抗体之间的特异性反应。免疫亲和柱中的抗体通过共价键作用悬浮在凝胶中，特异性吸附样品中的真菌毒素。如果供检测的样品中含有真菌毒素，样品通过免疫亲和柱时，毒素被抗体捕捉结合。所有其他物质，被从免疫亲和柱中清洗出去。甲醇作为洗脱液，将真菌毒素从抗体上洗脱。02 产品优势• 可同时测定多种真菌毒素含量，减少工作量。• 采用高特异性和高亲和力的的单克隆抗体。• 柱容量高，有效提高纯化效率。• 达到真菌毒素检测的国内外限量标准。• 良好的稳定性和可靠性，回收率高。• 纯化后直接用于ELISA法，高效液相色谱法，荧光光度法等。• 稳定性：12个月。• 可以用于复杂样品检测，包括食品、饲料、调味品等多种复杂基质。• 参考国家标准，检测结果准确可靠，满足客户的不同需求。03 样本处理步骤及亲和柱操作步骤（AOZ三合一免疫亲和柱为例）【样本处理步骤】（一）花生、玉米、大米、小麦及其制品、中药和饲料┅┅ 称取5g粉碎的样品，加入1g氯化钠，再加入甲醇-水（8：2）溶液20mL。┅┅ 涡旋或振荡提取20min。┅┅ 4000r/min离心5min或用定量滤纸过滤。┅┅ 取10mL滤液并加入40mLPBS混匀（中药材根据品种，可能需加入PBS-吐温20溶液），用玻璃微纤维滤纸过滤。┅┅ 取10ml过滤后液体过免疫亲和柱净化。稀释倍数：2（二）啤酒、黄酒等酒类┅┅ 称取脱气酒类试样(含二氧化碳的酒类样品使用前先置于4℃冰箱冷藏30min，过滤或超声脱气)或其他不含二氧化碳的酒类试样10g，用PBS定容至50mL，混匀。┅┅ 以均质器高速搅拌（10000r/min及以上，均质器速度较慢时，应适当延长提取时间），提取2min；也可采用摇床（200r/min以上）振荡、超声提取和涡旋提取20min的方式进行提取。用玻璃微纤维滤纸过滤。┅┅ 取10ml过滤后液体过免疫亲和柱净化。稀释倍数：0.5（三）酱油和醋等液体样品┅┅ 称取25g样品，以甲醇-水（8：2）溶液定容至50mL。┅┅ 以均质器高速搅拌（10000r/min及以上，均质器速度较慢时，应适当延长提取时间），提取2min；也可采用摇床（200r/min以上）振荡20min、超声提取20min和涡旋提取15min的方式进行提取。┅┅ 4000r/min离心5min或用定量滤纸过滤。┅┅ 取10mL滤液并加入40mLPBS缓冲液稀释，用玻璃微纤维滤纸过滤。┅┅ 取10ml过滤后液体过免疫亲和柱净化。稀释倍数：1【亲和柱操作步骤】┅┅ 将免疫亲和柱连接于10mL注射器下。按照样本处理步骤的上样量进行过柱。┅┅ 将空气压力泵与注射器连接，打开亲和柱下帽，调节压力使溶液以约1-2滴/秒的流速缓慢通过免疫亲和柱，直至液体排干。┅┅ 以10.0mL的PBS缓冲液淋洗柱子2次，弃去全部流出液，并通过5-10ml空气，吹干亲和柱。┅┅ 准确加入1.0mL洗脱液（甲醇-乙酸（98：2）溶液）洗脱，流速为1 mL/min ~2mL/min，收集全部洗脱液于玻璃试管中，供检测用。【结果判定】经免疫亲和柱净化后，收集到的洗脱液可直接使用荧光计或者HPLC检测，也可使用薄层色谱或者酶联免疫试剂盒进行检测。洗脱液中各种毒素的检测结果乘以相应的稀释倍数，即为样品中对应毒素的浓度。04 色谱图经过AOZ三合一免疫亲和柱处理过的样品，在各自液相条件下的图谱：05 适用范围及性能用于检测谷物、酒类、中药等食品和饲料等样本中的真菌毒素。柱容量：AFB≥200ng，OTA≥100ng，DON≥1000ng，ZEN≥1000ng。回收率：≥80%。06 贮藏条件贮藏条件：可于2-8℃储存，不可冻存。保存期：该产品有效期为12个月。07 免疫亲和柱小贴士┅┅ 真菌毒素危害极大，应戴手套操作。┅┅ 不要使用过了有效日期的免疫亲和柱。┅┅ 洗脱液可以直接使用色谱级甲醇洗脱，但可能会降低赭曲霉毒素A回收率。┅┅ 多毒素检测中，呕吐毒素因为是水溶性，过柱操作时免疫亲和柱对有机溶剂耐受性低，所以组合中包含有呕吐毒素的免疫亲和柱前处理方法会相应复杂一些。黄曲霉毒素、玉米赤酶烯酮、赭曲霉毒素A的组合，前处理方法基本一致。08 相关标准OZ二合一免疫亲和柱：GB 5009.96-2016和中国药典的相应方法。DZ二合一免疫亲和柱：GB5009.111-2016、GB 5009.209-2016的相应方法。AZ二合一免疫亲和柱：GB 5009.22-2016、GB 5009.24-2016、GB 5009.202-2016和中国药典的相应方法。AO二合一免疫亲和柱：GB 5009.22-2016、GB 5009.24-2016、GB 5009.96-2016和中国药典的相应方法。AOZ三合一免疫亲和柱：GB 5009.22-2016、GB 5009.24-2016、GB 5009.202-2016、GB 5009.96-2016和中国药典的相应方法。AODZ四合一免疫亲和柱：GB5009.22-2016、GB5009.111-2016、GB 5009.209-2016、GB 5009.96-2016的相应方法。09 订货信息

由国家地质实验测试中心牵头，钢研纳克检测技术有限公司等8家单位共同申报的2012年国家重大科学仪器设备开发专项项目“波谱-能谱复合型X射线荧光光谱仪的研发与产业化”已获科技部批准，项目实施周期为五年。　　X射线荧光光谱仪已成为国内、外各实验室必备的测试仪器，大功率(3KW)波长色散XRF分析仪的制造技术多年来被5家外国公司所垄断，国内年销量达200多台套。测试中心邓赛文研究员及其团队紧密结合国家中长期科学和技术发展规划，根据波长色散(WD)和能量色散(ED)的技术特点，提出将两种技术有机结合，自主研发高性能大功率(4KW)波谱/能谱一体化的(WED-XRF)分析仪器，并建立与之配套、实用的定性、定量以及元素分布分析专家系统和应用方法体系，有很好的应用前景。对促进X射线荧光分析技术的发展，打破国际制约，提高我国分析仪器技术装备制造水平，具有重要意义。

石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常会在二维材料表面引入破损、皱褶、污染及掺杂，严重影响了二维材料的光电性质和器件性能。因此，实现晶圆级二维材料的无损、平整、洁净、少掺杂转移是二维材料面向集成光电子器件应用亟待解决的关键问题。针对这一难题，国防科技大学前沿交叉学科学院副研究员朱梦剑-教授秦石乔课题组与北京大学化学与分子工程学院教授彭海琳课题组合作，设计了一种梯度表面能调控（gradient surface energy modulation）的复合型转移媒介，可控制调节转移过程中的表界面能，保证了晶圆级超平整石墨烯向目标衬底（硅片、蓝宝石等）的干法贴合与无损释放，得到了晶圆级无损、洁净、少掺杂均匀的超平整石墨烯薄膜，展示了均匀的高迁移率器件输运性质，观测到室温量子霍尔效应及分数量子霍尔效应，并构筑了4英寸晶圆级石墨烯热电子发光阵列器件，在近红外波段表现出显著的辐射热效应。该转移方法具有普适性，也适用于其它晶圆级二维材料（如氮化硼）的转移。9月15日，上述成果在线发表于《自然—通讯》（Nature Communications）上，共同通讯作者为朱梦剑、秦石乔和彭海琳，共同第一作者包括北京大学前沿交叉学科研究院博士研究生高欣、国防科技大学前沿交叉学科学院罗芳讲师等，其他主要合作者还包括中国科学院院士、北京大学化学学院教授刘忠范，北京大学材料学院研究员林立，北京石墨烯研究院研究员尹建波和孙禄钊，长春工业大学教授高光辉等。该文章提出，二维薄膜材料从一表面到另一表面的转移行为主要由不同表界面间的能量差异决定。衬底的表面能越大，对二维薄膜有更好的浸润性及更强的附着能，更适合作为薄膜转移时的“接受体”；反之，衬底的表面能越小，其更适合作为薄膜转移时的“释放体”。因此，作者设计制备了表面能梯度分布的转移媒介，其中冰片小分子层吸附在石墨烯表面，有效降低了石墨烯的表面能，保证石墨烯向目标衬底贴合过程中，衬底的表面能远大于石墨烯的表面能，进而实现良好的干法贴合；另一方面，转移媒介上层的PDMS高分子膜具备最小的表面能，能够实现石墨烯的无损释放。该转移方法还具有其他特点，比如，PDMS作为支撑层可以实现石墨烯向目标衬底的干法贴合，减少界面水氧掺杂；容易挥发的冰片作为小分子缓冲层能有效避免上层PMMA高分子膜对石墨烯的直接接触和残留物污染，得到洁净的石墨烯表面；高分子PMMA层的刚性使得石墨烯转移后依旧保持超平整的特性。晶圆级二维材料的梯度表面能调控转移方法。受访者 供图基于梯度表面能调控转移的石墨烯薄膜具备无损、洁净、少掺杂、超平整等特性，展现出非常优异的物理化学性质。转移后4英寸石墨烯晶圆的完整度高达99.8%，电学均匀性较好，4英寸范围内面电阻的标准偏差仅为6%（655 ± 39 &Omega /sq）。转移到SiO2/Si衬底上石墨烯的室温载流子迁移率能够达到10000 cm2/Vs，并且能够观测到室温量子霍尔效应以及分数量子霍尔效应（经氮化硼封装，1.7 K）。基于SiO2/Si衬底上4英寸石墨烯晶圆，成功构筑了热电子发光阵列器件，在较低的电功率密度下（P = 7.7 kW/cm2）能够达到较高的石墨烯晶格温度（750 K），并在近红外波段表现出显著的辐射热效应。此外，梯度表面能调控转移方法可作为晶圆级二维材料（石墨烯、氮化硼、二硫化钼等）向工业晶圆转移的通用方法，有望为高性能光电子器件的集成奠定技术基础。该论文审稿人表示：“研究成果提供了一种用于大规模生长和转移晶圆级石墨烯薄膜，制备了高载流子迁移率石墨烯微纳电子器件的先进技术，对石墨烯以及二维材料的学术界和产业界非常重要和及时，这是将石墨烯从实验室推向工业应用所必需的关键环节。”该研究工作得到了国家自然科学基金委、科技部、北京分子科学国家研究中心、腾讯基金会、湖南优青、湖湘青年英才等项目资助，并得到了北京大学化学与分子工程学院分子材料与纳米加工实验室（MMNL）仪器平台和国防科技大学高层次创新人才工程的支持。