当前，制备非晶的方法主要有淬火法和气相沉积法。快冷法又分为铸膜法和甩带法，适合于制备大块非晶。气相沉积法分为真空蒸发法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法。~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~磁控溅射法制备非晶样品有其独特的有点，下面主要介绍下磁控溅射制备非晶样品的原理。电子在电场E的作用下，在飞向基板的过程中与氩气原子发生碰撞，使其电离出氩离子和一个新的电子，电子飞向基片，氩离子在电场作用下飞向阴极靶，并以高能量轰击靶的表面，使靶材发生溅射。在溅射的过程中，溅射离子，中性的靶原子或分子即可在基片上沉积形成膜。综上所述，磁控溅射的基本原理就是以磁场来改变原子的运动状态，并束缚和延长原子的运动轨迹，从而提高电子对工作气体的电离几率和有效地运用了电子的能量。这也体现了磁控溅射低温、高效的原理。常用的TEM样品以TEM载网为基片。TEM载网是直径为3nm，厚为20μm，网格间距为80μm，最底下一层铜或者钼，上面覆盖一层约为5nm厚的无定形碳作为支撑膜。利用磁控溅射法制备沉积的薄膜就沉积在这种TEM载网的无定形碳的支撑膜上，为了减少非弹性散射对衍射数据的影响，在实验过程中尽可能制备厚度比较小的薄膜厚度，约为15nm-20nm，这样制得的样品就可以直接在透射电子显微镜中进行直接的表征。
我们实验室的磁控溅射仪老是出问题,不能正常工作,有没有高手,请帮帮忙!
随着电镜技术和应用快速发展，越来越多电镜用户对样品前处理提出了更高的要求。其中磁控溅射镀膜仪就专用来给场发射扫描电镜不导电样品进行喷金镀膜。本作品主要从两大方面介绍磁控溅射镀膜仪。1.简易演示真空磁控
我公司是真空磁控溅射氧化铟锡的生产厂家，大概原理是在真空状态下，在溅射靶材铟锡合金上施加负电压，充入溅射气体氩和反应气体氧，铟锡金属原子被溅射出后与氧发生反应成氧化铟锡，在我们实际应用中需要监控铟锡金属原子被溅射出后与氧发生反应时的光谱，以便更好的控制氧气输入的流量。请问有没有相宜的检测和监控设备？jyapu@sohu.com
磁控溅射仪（2019下半年购入，9成9新）[img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529314999_3303_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img][img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529317199_6660_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img][img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529323410_1965_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img][img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529325843_2573_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img]设备技术要求 1.样品基台：直径 6 英寸样品2.反应腔室：304 不锈钢材质3.靶座系统：3 英寸圆形靶座 4 个，位于腔室上部；靶与样品的距离90~110mm 可调4.真空系统：分子泵，机械泵5.真空测量：薄膜规（进口），全量程规（进口）6.气路系统：标配 2 路进气，种类和流量可定制；管路配件（进口）7.电源系统：500W/13.56MHz 自动匹配射频源 1 套（进口）；500W 直流电源 2 套（进口）8.样品载台：自转旋转 5-30rpm 可调；加热温度 300℃；可加射频偏压200V 预清洗基片9.真空性能：本底真空优于 6.67x10-5Pa10.控制系统：工控机；触摸屏，菜单自动/手动操作11.安全控制：异常报警12.工艺应用：金属薄膜和介质薄膜沉积13.不均匀性：≤±5%@6 英寸14.设备尺寸：一体型设备；占地面价（参考）1.0m*1.50m。[img=,554,628]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529103198_4423_5829706_3.png!w554x628.jpg[/img]运行需求：供电需求： 380V、三相五线制；设备总功率需求约为 15KW冷却水：＞1.5L/min压缩空气： 0.4~0.6Mpa
靶以前修补过，现在缝隙变成了一个洞，怎么修复啊？
http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/08/201108112134_309901_2355867_3.jpg这是磁控溅射制备的氧化铝薄膜，厚度30-50nm， S1是制备样品，P1是经过750度处理后的样品，想对比变化，可是峰位怎么都对不上啊？？ 基底材料用的是氧化硅wafer， 请这里的大师兄们给帮忙分析一下吧？？？ 急啊，老板要我解释呢 小师妹先在这里谢谢大家了！！
溅射制膜的过程：气体辉光放电、等离子体、靶、溅射、沉积到衬底（一）与蒸发法相比，溅射沉积的主要特点：①沉积原子能量高，因此薄膜的组织更致密，附着力也可以得到明显改善；②制备合金膜时，其成分的控制性能好；③靶材可以是极难熔的材料；④可利用反应溅射技术，从金属无素靶材制备化合物薄膜；⑤由于被沉积的原子均携带有一定的能量，因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力，降低薄膜表面的粗糙度。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151100_555534_2989334_3.jpghttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif（二）溅射沉积分类主要的溅射方式可以根据其特征分为四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151102_555536_2989334_3.jpg图1 不同溅射方法的靶电流密度和靶电压的比较http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif（1）直流溅射直流溅射又称为阴极溅射或二极溅射图2直流溅射沉积装置示意图，其典型的溅射条件为：工作气压10Pa，溅射电压3000V，靶电流密度0.5mA/cm2，薄膜的沉积速率低于0.1μm/min直流溅射过程中常用Ar作为工作气体。工作气压是一个重要参数，它对溅射速率以及薄膜的质量都有很大影响直流溅射设备的优点和缺点：优点：简单缺点：使用的气体压力高，溅射速率较低，这不利于减小气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151105_555538_2989334_3.jpg图2直流溅射沉积装置示意图http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif（2 ）射频溅射直流溅射要求靶材有较好的导电性，可以很大方便地沉积各类合金膜。对于导电性很差的非金属材料的溅射，我们需要一种新的溅射方法—射频溅射。射频溅射是适于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法射频场对于靶材的自偏压效应。在衬底或薄膜本身是绝缘体的情况下，采取对其施加一个射频电压的方法，也可以起到对其施加负偏压的作用。（3）磁控溅射相对于蒸发沉积来说，一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一，溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低；第二，溅射所需的工作气压较高 这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。而磁控溅射技术：沉积速度较高，工作气体压力较低。工作原理：磁场对电弧运动有一定的约束作用（绕磁场螺旋前进）；（1）电子的电离效率高，有效提高了靶电流密度和溅射效率，（2）较低气压下溅射原子被气体分子散射的几率较小（三）气体放电是离子溅射过程的基础（1）首先介绍直流电场作用下的物质的溅射现象预抽真空，充入适当压力的惰性气体，如Ar气，10-1～10Pa；在正负电极间外加电压的作用下，电极间的气体原子将被大量电离；Ar—→Ar++e，Ar+被电场加速后射向靶材，撞击出靶材原子（分子），靶材原子脱离靶时仍具有一定能量，飞向衬底，电子被电场加速飞向阳极；http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151107_555542_2989334_3.jpg图3直流气体放电体系模型及伏安特性曲线http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif电压进一步增大，发生极板两端电压突然降低，电流突然增大，并同时出现带有颜色的辉光，此过程称为气体的击穿；击穿后气体的发光放电称为辉光放电；这时电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击，即使自然游离源不存大，放电也将继续下去。而且维持辉光放电的电压较低，且不变，此时电流的增大显然与电压无关，而只与阴极板上产生辉光的表面积有关；正常辉光放电的电流密度与阴极材料和形状、气体种类和压强有关；由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小，所以在溅射方面均是选择在非正常辉光放电区工作。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151110_555543_2989334_3.jpg图4示意性地画出了在离子轰击条件下，固体表面可能发生的物理过程http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151111_555544_2989334_3.jpg图5所示，不同能量离子与固体表面相互作用的过程不同当离子入射到靶材上时，对于溅射过程来说，比较重要的过程有两个：其一是物质的溅射；其二是二次电子发射：二次发射电子在电场作用下获得能量，进而参与气体分子的碰撞，并维持气体的辉光放电过程。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif （四）合金的溅射和沉积用溅射法沉积合金膜，比蒸发法易于保证薄膜的化学配比；溅射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递。因此，溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能，其数值一般可以达到5~20eV；一方面，溅射原子具有很宽的能量分布范围，其平均能量约为10eV左右；另一方面，随着入射离子能量的增加，溅射离子的平均能量也有上升的趋势；溅射过程还会产生很少的溅射离子，它们具有比溅射出来的原子更高的能量。能量较低的溅射离子不易逃脱靶表面的鞘层电位的束缚，将被靶表面所俘获而不能脱离靶材；由蒸发法获得的原子动能一般只有0.1eV，两者相差两个数量级；在溅射沉积中，高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力，另一方面也会引起衬底温度的升高。
本人是研一新生，使用氧化饵陶瓷靶射频溅射氧化饵薄膜，但是溅射之后靶的表面有很多金属颗粒状物体于靶材表面，原因无从而知，希望大佬们能给些意见，谢谢你们！[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/06/202006151317575201_8602_4204633_3.png[/img][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/06/202006151317576246_7946_4204633_3.png[/img]
请问专家，实验用的溅射磁性薄膜的靶材，哪里有卖？例如稀土永磁材料方面。
【序号】：1【作者】：董骐 范毓殿 【题名】：非平衡磁控溅射及其应用【期刊】：真空科学与技术【年、卷、期、起止页码】：1996年 01期 【全文链接】：http://epub.cnki.net/grid2008/detail.aspx?filename=ZKKX199601010&dbname=CJFD1996【序号】：2【作者】：刘翔宇 【题名】：磁控溅射镀膜中靶的优化设计 【期刊】：电子科学与技术【年、卷、期、起止页码】：2005-04-21【全文链接】：http://epub.cnki.net/grid2008/detail.aspx?filename=2005035360.nh&dbname=CMFD2005【序号】：3【作者】：胡作启 李佐宜 刘卫忠 熊锐 【题名】：磁控溅射靶磁场的分布 【期刊】：华中理工大学学报【年、卷、期、起止页码】：1997年 11期 【全文链接】：http://epub.cnki.net/grid2008/detail.aspx?filename=HZLG711.012&dbname=CJFD1997【序号】：4【作者】：刘瑞鹏 李刘合 【题名】：磁控溅射靶优化设计及其磁场分析【期刊】：2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议【年、卷、期、起止页码】：无【全文链接】：http://epub.cnki.net/grid2008/detail.aspx?filename=ZGDN200610001076&dbname=cpfd2006【序号】：5【作者】：张建民 王立 梁昌慧 【题名】：磁控溅射靶源设计及溅射工艺研究 【期刊】：陕西师范大学学报【年、卷、期、起止页码】：1999年 01期 【全文链接】：http://epub.cnki.net/grid2008/detail.aspx?filename=SXSZ901.010&dbname=cjfd1999
今天发现我们的离子溅射仪的金靶掉了，其实也只是一圈很窄的地方都被烧没了，剩下了很多也不能用了打算买一个，人家说纯度5个9的金450元1克……感觉剩了很多就不能用了挺可惜的有没有什么方法可以让这个不总是这样消耗呢？
大家好，我实验室的镀膜仪（型号：CS-400多靶直流、射频磁控溅射仪）出了些问题，想请教大家一下，谢谢。 刚开始机械泵（型号：2ZX-4）的三相电压反向了，结果导致喷油，然后把电压接好，清理好喷出的油后，机械泵就不能像以前一样快速抽到10pa以下了，大概抽到40pa左右，再往下抽就很慢了，感觉有地方漏气，希望大家能提出一些意见，谢谢。
问题描述：什么是集成电路溅射靶材？质量要求如何？解答：[font=宋体][color=black]超高纯金属材料及溅射靶材是集成电路制造所必需的关键原材料[/color][/font][font=宋体][color=black]。[/color][/font][font=宋体][color=black]在溅射靶材应用领域中，集成电路对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都有极其严苛的标准，需要掌握生产过程中的关键技术，并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产[/color][/font][font=宋体][color=black]品。[/color][/font][font=宋体][color=black]而平面显示器、太阳能电池对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸的增大，对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标也提出了更高的要[/color][/font][font=宋体][color=black]求。对于高纯度的靶材分析，一般采用与一般地金属材料分析[/color][/font][align=center][font='Times New Roman','serif'][color=black][img=,449,223]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051459235677_5346_3389662_3.jpg!w452x217.jpg[/img][/color][/font][/align][align=center][font=宋体][color=black]溅射靶材[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black][21][/color][/font][/align][font=宋体][color=black]高纯金属原材料是靶材生产制造的基础，目前集成电路中应用的超高纯金属材料纯度通常要求达到[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]4N5[/color][/font][font=宋体][color=black]，对碱金属和碱土金属元素，过渡金属元素，放射性金属元素等都需要严格控制。对于纳米互连工艺中的[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]Cu[/color][/font][font=宋体][color=black]及其合金纯度要求达到[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]6N[/color][/font][font=宋体][color=black]以上。[/color][/font][align=center][font='Times New Roman','serif'][color=black][img=,601,264]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051459291603_1740_3389662_3.jpg!w599x263.jpg[/img][/color][/font][/align][align=center][font='Times New Roman','serif'][color=black][img=,624,636]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051459344913_4017_3389662_3.jpg!w624x635.jpg[/img][/color][/font][/align][align=center][font=宋体][color=black]高纯[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]Cu-Al[/color][/font][font=宋体][color=black]合金中的化学成分[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black][22][/color][/font][/align]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》
硅上用磁控溅射的方法镀的氧化锌薄膜，厚度在80个纳米左右，用renishaw rm2000 做测试，只能得到硅基体的峰，是不是因为薄膜的厚度太薄了呢？可是看到一些文献上拉曼甚至还可以检测30个纳米的薄膜，他们又是怎么做出来的呢？初学拉曼，期待提高，希望各位高手多多指教，万分感谢了
这个资料有6817次下载，却只有是601次点击，而上传日期为2006-07-16。http://www.instrument.com.cn/download/shtml/017578.shtml资料名称 下载 点击 上传日期 下载 用户论文(2005)：《微纳电子技术》磁控溅射制备ZnO薄膜.. 6817 601 2006-7-16
【序號】：1【作者】：王春【篇名】：中频磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能的研究【期刊】：大連理工大學 【全文連接】：http://cnki50.csis.com.tw/kns50/detail.aspx?QueryID=580&CurRec=1【序號】：2【作者】：賈曉昀【篇名】：磁控溅射制备氮化硅薄膜特性研究【期刊】：北京交通大學 【全文連接】：http://cnki50.csis.com.tw/kns50/detail.aspx?QueryID=617&CurRec=14【序號】：3【作者】：王春; 牟宗信; 劉冰冰; 臧海榮; 牟曉東;【篇名】：中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能(英文)【期刊】：材料科學與工程學報 , 2011年 03期 【全文連接】：http://cnki50.csis.com.tw/kns50/detail.aspx?QueryID=192&CurRec=4【序號】：4【作者】：景鳳娟; 張琦; 冷永祥; 孫鴻; 楊蘋; 黃楠;【篇名】：非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能研究【期刊】：真空科學與技術學報 ,2009年 05期 【全文連接】：http://cnki50.csis.com.tw/kns50/detail.aspx?QueryID=192&CurRec=22【序號】：5【作者】：劉濤;【篇名】：氮化硅反应溅射源的设计及其薄膜工艺实现【期刊】：記錄媒體技術 ,2008年 06期 【全文連接】：http://cnki50.csis.com.tw/kns50/detail.aspx?QueryID=192&CurRec=33
0.1mm厚的离子溅射Pt靶材能用多长时间？
【序號】：1【作者】：U. Krause , M. List, H. Fuchs【篇名】：Requirements of power supply parameters for high-power pulsed magnetron sputtering【期刊】：Thin Solid Films Volume 392, Issue 2, 30 July 2001, Pages 196-200 【全文連接】：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609001010276【序號】：2【作者】：佟洪波 柳青 巴德純 TONG Hong-bo LIU Qing BA De-chun 【篇名】：反应磁控溅射研究进展【期刊】：真空 2008, 45(3) 【全文連接】：http://d.wanfangdata.com.cn/periodical_zk200803013.aspx【序號】：3【作者】：茅昕輝 陳國平 蔡炳初【篇名】：反应磁控溅射的进展【期刊】：真空 2001, (4) 【全文連接】：http://d.wanfangdata.com.cn/Periodical_zk200104001.aspx【序號】：4【作者】：李芬; 朱穎; 李劉合; 盧求元; 朱劍豪;【篇名】：磁控溅射技术及其发展【期刊】：真空電子技術 , 2011年 03期 【全文連接】：http://cnki50.csis.com.tw/kns50/detail.aspx?QueryID=3&CurRec=17【序號】：5【作者】：宋瑞良 張毅 劉瑋 蔡永安 于濤 孫云【篇名】：磁控溅射ZAO薄膜的磁场研究【期刊】：第十一屆中國光伏大會暨展覽會論文集 【全文連接】：http://www.pv001.net/22/5/5452.html
溅射镀膜的合金靶材有Au-pd和Pt-Pd，这两种合金的成分是多少？哪位知道。
【序號】：1【作者】 : 杨勇【篇名】 : 工业磁控溅射镀膜中靶材利用率的提高【期刊】 : 清华大学,2006年【全文链接】 : http://0rz.tw/iVp1k
如题，溅射镀膜仪的铂靶没用多久就扭曲变形，是什么原因呢？http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511191452_574369_1617952_3.png
【序号】：1【作者】：王德志 【题名】：圆平面磁控溅射靶的优化研究【期刊】：东北大学【年、卷、期、起止页码】：2011【全文链接】http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10145-1015556569.htm
第一章 总 则 第一条 为加强我省电磁辐射建设项目管理，规范审批行为，提高审批效率，保护环境和公众安全，根据国家有关规定，结合我省实际情况，制定本细则。 第二条 在我省范围内建设110kV及以上输变电工程，广播电台、差转台，电视塔台，卫星地球上行站，雷达，无线通讯，豁免水平以上的工业、科学、医疗等电磁辐射建设项目，应遵守本细则。第二章 环境影响评价 第三条 根据《建设项目分类管理名录》的规定，对电磁辐射建设项目实行分类管理： （一）以下新、改、扩建设项目应当编制环境影响报告书： 1、500kV及以上输变电工程；220kV至500kV跨地市的输变电工程。 2、中波50kW及以上、短波100kW及以上或者在敏感区建设的广播电台，差转台。 3、100kW及以上的电视发射塔。 4、一站多台卫星地球上行站。 5、多台雷达探测系统。 6、一址多台或者多址发射的无线通信系统。 7、两个及两个以上合并审批的项目。 （二）以下新、改、扩建设项目应当编制环境影响报告表： 1、500kV以下的输变电工程。 2、中波50kW以下、短波100kW以下，且位于非敏感区建设的广播电台，差转台。 3、100kW以下的电视发射塔。 4、一站单台卫星地球上行站。 5、单台雷达探测系统。 6、一址单台的无线通信讯系统。 7、豁免水平以上的工业、科学、医疗等电磁辐射设施。
这些是不是算作等离子体还请高手指正！1、等离子体清洗机/刻蚀/灰化/减薄 通过等离子体与固体表面的相互作用，消除固体表面的有机污染物，或者与样品表面的材料反应生成相应的气体，由真空系统排出反应腔，整个过程在样品表面不产生残留物，固体如： 金属、陶瓷、玻璃、硅片等等，同时可以用等离子处理系统对样品表面进行 处理，改善样品表面的特性，如亲水/疏水特性，表面自由能，以及表面的 吸附/粘附特性等等。 2、离子溅射：氩气充入已被低真空泵抽真空的样品室里。多次充入氩气，使不需要的气体排出，特别是水蒸汽。这样，样品室内充满了尽可能多的纯的氩气。然后调节样品室内工作压力为0.05－0.1mbar，这样就可以开始溅射了。 开始溅射时，在靶（阴极）加上高压，在靶和样品台（阳极）之间产生了一个高压区。空间内的自由电子在磁场作用下进入旋转轨道，与空间内的氩原子碰撞。每次碰撞把氩原子外层中的一个电子撞出，使中性的氩原子带正电。这个雪崩效应激发了辉光放电。 带正电的氩离子被阴极吸引撞向阴极靶，撞出阴极靶上的金属原子。释放的金属原子之间以及金属原子与真空室内的其它气体分子之间的碰撞使金属原子四处发散，形成雾状。这样金属原子从各个方向撞击样品表面然后均匀地凝聚在样品表面，在即使是非常多裂缝的样品表面也能覆盖一层均匀的、有足够导电性的金属薄膜。 由于金和银原子表面的高度扩散性，它们容易在样品表面形成岛状，这样，除非金属镀层有10nm厚，否则达不到所需导电性。白金能产生最细腻的镀层。 溅射镀层的细腻程度取决于靶材、工作距离、气体压力和溅射电流以及反应持续时间3、磁控溅射：电子枪发射的电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。4、等离子切割机：等离子切割是利用高温等离子电弧的热量使工件切口处的金属 等离子切割机标准图片部份局熔化(和蒸发)，并借高速等离子的动量排除熔融金属以形成切口的一种加工方法。等离子切割机配合不同的工作气体可以切割各种氧气切割难以切割的金属，尤其是对于有色金属（不锈钢、铝、铜、钛、镍）切割效果更佳；其主要优点在于切割厚度不大的金属的时候，等离子切割速度快，尤其在切割普通碳素钢薄板时，速度可达氧切割法的5~6倍、切割面光洁、热变形小、几乎没有热影响区。
2010年9月26日，科技部基础研究司组织专家在烟台对依托山东绿叶制药股份有限公司的长效缓控释和靶向制剂及技术国家重点实验室的建设计划进行可行性论证。科技部基础研究司、山东省科技厅、烟台市科技局有关负责同志以及依托单位的领导和实验室工作人员参加了会议。 专家组在听取了实验室的建设计划报告并考察了实验室之后，经过质疑和讨论，认为该实验室以微球、脂质体等长效和靶向给药系统及释药技术为主要研究方向，以注射用长效缓控释微球给药系统、注射用脂质体给药系统等靶向制剂及相关关键技术、相关功能材料为重点研究内容，建设计划目标明确、措施可行，同意通过该实验室的建设计划。专家组对实验室名称进行了深入的探讨，并建议实验室要进一步凝练实验室目标和重点研究内容，突出研究特色及优势。 该实验室的建设将为解决我国长效注射微球、注射用脂质体、功能性生物材料等方面的关键共性技术问题、加强我国相关新型制剂行业高层次人才培养、促进研究成果向生产力的顺利转化和行业技术进步提供有力支撑。
我公司可根据客户要求订制各种溅射靶材，部分产品价格如下请参考。Co靶：直径68mm 厚度2mm 600/片 SiC靶 直径68mm 厚度2~3mm 1500/片 Au靶 直径3" 厚度3mm 25000/片Pt靶 直径3" 厚度3mm 120000/片有向购买的朋友请发邮件给我，我会尽快与你联系 lhm115011@gmail.com[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=36581]溅射靶材图片[/url][color=red]【由于该附件或图片违规，已被版主删除】[/color]
我前一阵作了一用磁控溅射的Ｓｉ／Ａｌ／Ｓｉ的三层膜，应该都是非晶态的，从其切面图上看不出有什么明显的区别，所以想问一下采用什么方法可以将其中Ｓｉ，Ａｌ元素分辩出来。
求购溅射设备用的靶材背板最好是进口的，请邮件联系simon.lcsn@gmail.com
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