电阻探针检测仪

四探针方阻电阻率检测仪如果采用直接测量电阻(电压一电流比值仪器)。开始在任一极性上(正向)测量模拟电路的正向电阻r.。改变连接极性,测量反向电阻r.。继续改变极性进行测量,记录5次每一极性的正向电阻r和反向电阻r.测量值,然后按6.1.5进行。7.1.4如果不是采用直接测量电阻仪器,则让电流在正向,调节电流大小到近似表2推荐圆片的测量电流值,测量正向电流时标准电阻两端的电势差V,或直接测量流过模拟电路的正向电流1,再测量正向电流时模拟电路的电势差Va。将电流换向,测量反向电流时标准电阻两端的电势差V&bdquo 或模拟电路的反向电流I&bdquo 和反向电流时模拟电路的电势差V&bdquo 。继续改变极性重复进行测量,记录5次每一极性的测量值。7.1.5按8.2计算平均电阻r和标准偏差.7.1.6电学测量装置应满足下述条件:7.1.6.1 r值应在已知r值的0.3%以内。7.1.6.2样品标准偏差口应小于r的0.3%。7.1.6.3设备应能测量出0.05%电阻的变化。7.2确定探针间距与探针尖端状态7.2.1 将四探针以正常压力压在严格固定的抛光硅片表面上,形成一组压痕。提起探针,在垂直于探针尖连线方向上移动硅片表面或探针0.05 mm~0.10 mm,再将探针压到硅片表面上,重复上述步骤，直到获得10组压痕。建议在两组或三组压痕后,将硅片表面或探针移动上述距离的两倍,以帮助操作者识别压痕属于哪一组。7.2.2将硅片表面清洗,用空气干燥。7.2.3将此具有压痕的硅片表面置于工具显微镜的载物台上,使y轴的读数(图6中的yn和ys)相差不大于0.150mm,记录在工具显微镜中的10组压痕A到H的x轴读数,精确到1μm。四探针方阻电阻率检测仪1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算四探针方阻电阻率检测仪在放大倍数不小于400倍的显微镜下检查压痕。7.2.5按9.1计算探针间距S,,平均探针间距S,标准偏差a 和探针系数C.7.2.6对于合格的探针,必须满足下述条件。7.2.6.1对于S.来说,3组10次测量值的每一组样品标准偏差σ应小于S，的0.30%。7.2.6.2,和S的差应不大于2%。7.2.6.3每根探针的压痕应只出现一个接触面,最大直径线度小于100μm。如果有的压痕出现不连续的接触面,则更换探针并重新测量。7.2.6.4在放大倍数为400倍的显微镜下检验时,在与硅片表面的接触面上出现明显的横向移动的探针是不合格的。该探针系统必须重新调整,以防止上述移动。7.3测量7.3.1将试样清洗干净,用空气干燥。7.3.2将试样置于样品架/台上。如果是圆片试样,应将试样置于散热器的云母上,用欧姆表测量试样与散热器间电阻,以保证两者是电绝缘的(10’Ω)。7.3.3测量并记录环境温度T,如果是圆片试样应借助置于散热器中的温度计来确定温度。让试样在该温度下保持足够的时间,以便温度平衡,准确到0.1℃注:根据试样的质量决定温度平衡时间。对于小的试样需时30min~60 min,而大的试样则需1d~2d时间。在圆片仲裁测试前,应将散热器放置在室内48h(并且要求室温变化不超过±1℃).7.3.4将探针下降到试样表面的待测位置,每一探针尖离试样边缘的最近距离至少为平均探针间距的4倍。如果为圆片试样,应使探针尖端的阵列中心在试样中心的0.25mm以内。7.3.5让电流在正向,根据试样电阻率大小按表2调节电流大小。要求两内探针之间测得的电势差小于50mV。不同的测量方法要求记录不同的数据,如果用标准电路测量记录V、V1、VsR、VR、T要求至少3一有效数字 用直接测量电路记录I、VI,V,T,要求至少3一有效数字 用直接测量电阻记录四探针方阻电阻率检测仪卜全因斤的试件,如来远用视展电况在数但上等于2,则两内探什之间则得的电势力在数值上等于电阻率值,可免于计算。推荐的圆片测量电流是在试样厚度为0.5mm,两内探针间为10 mV电势差时得到。8测量结果计算8.1 利用7.2测量数据计算探针间距S、平均探针间距S、标准偏差a、探针系数C和探针间距修正因子F&bdquo .8.1.1对十组测量数据中的每一组,用式(2)计算探针间距S, ,S2,,SyS = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2].....-(2)S,,=[(G, +H,)/2]-[(E +F )/2]式中:S,~S,,--探针间距,单位为厘米(cm) A~H一一探针压痕的点位,见图6所示,单位为厘米(cm) 脚标j一组数,取1到10。8.1.2用式(2)得到的S,计算每一间距平均值S，如式(3):-(0)s………--………(3)式中:i取 1,2,3.8.1.3将按式(3)计算得到的S,和按式(2)计算得到的S。,利用式(4)分别计算3个间距的试样标准偏差a・ /÷[∑....…...……(4)8.1.4计算平均探针间距S,如式(5):s=/(++)...……………(5)8.1.5计算探针系数C和适用于圆片测量时的探针间距修正因子F&bdquo ,分别如式(6)和式(7):C-2x…………----*(6)京+¯ +s¯ s+S1F,=1+1.082[1-(/).......-.-*****……(7)8.2利用7.1.3~7.1.4测量的数据计算模拟电路测量的平均电阻r和标准偏差o。8.2.1如果采用直接测量电阻,用单个正向和反向电阻(无论是计算结果或是测量结果)均按式(8)计算平均电阻,否则按8.2.2计算模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,:…………---…(8)式中:r-10个模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,中的任意一个值.8.2.2根据测量值计算模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,如式(9):四探针方阻电阻率检测仪r, = V&bdquo R,/V&bdquo 式中:模拟电路的正向电阻,单位为欧姆(Ω) r,一模拟电路的反向电阻,单位为欧姆(Ω) R,一标准电阻值,单位为欧姆(Ω) V。一正向电流下模拟电路两端的电势差,单位为毫伏(mV)1V---反向电流下模拟电路两端的电势差,单位为毫伏(mV) V一正向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV) V,一反向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV).当直接测量电流时,使用式(10)计算模拟电路的正向电阻r¡ 及反向电阻r,.r1=Va/I.………-----…(10)r,- V&bdquo /I_式中:I。一流过模拟电路的正向电流,单位为毫安(mA) I&bdquo 一流过模拟电路的反向电流,单位为毫安(mA)。8.2.3根据式(11)计算样品标准偏差:-÷∑cr,-F)]t10* ……………(11)8.3计算试样电阻率p。8.3.1计算正向和反向电流的电阻,如式(12)。R¡ - V(R,/Va*….………*…*(12)R, V,R./V&bdquo 式中:R一正向电流时的试样电阻,单位为欧姆(Ω) R,一-反向电流时的试样电阻,单位为欧姆(Ω) V一正向电流时测得的试样电势差,单位为毫伏(mV) V,一反向电流时测得的试样电势差,单位为毫伏(mV) V,一正向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV) v,一反向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV)。当直接测量电流,采用式(13)计算。如果使用电阻直读仪器,就不需此计算。要求R与R,之差与R:或R,(取两者中较大者)的比值小于10%。R,= V,/I,..……-……(13)R,= V,/I,式中:I一通过试样的正向电流,单位为毫安(mA) I,一通过试样的反向电流,单位为毫安(mA).

导电四探针电阻检测仪HRDZ通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析采用了四探针双电测组合(亦称双位组合)测量新技术,将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上,利用电流探针、电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。导电四探针电阻检测仪HRDZ因而每次测量不必知道探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置。由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量结果的准确度。所有这些，导电四探针电阻检测仪HRDZ用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是无法实现的。适用于企业、高等院校、科研部门，是检验和分析半导体材料质量的工具；液晶显示，自动测量和系数补偿，并带有温度补偿功能，自动转换量程；采用芯片控制，恒流输出，导电四探针电阻检测仪HRDZ选配：PC软件，保存和打印数据，生成报表技术参数1.方块电阻范围 10^-5～2×10^5Ω/□2.电阻率范围 10^-6～2×10^6Ω-cm测试电流范围 0.1μA ，1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1%5.电阻精度 ≤0.3%6.显示读数 液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式 普通单电测量8.工作电源 输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗 lt 30W测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9Ω&bull cm。导电四探针电阻检测仪HRDZ可测方块电阻：0.1～1999Ω/口当被测材料电阻率≥200Ω&bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流精度：各档均优于±0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100μv准确度：0.2%（±2个字）（4） 供电电源：AC：220V ±10% 50/60HZ 功率8W（5） 使用环境：相对湿度≤80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210×高100×深240（mm）(7)KD探针头压痕直径：30/50μm间距：1.00mm探针合力：8±1N针材：TC

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。