因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 40上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.射频离子源 RFICP 40 特性:1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:型号RFICP 40Discharge 阳极RF 射频离子束流100 mA离子动能100-1200 V栅极直径4 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr长度12.7 cm直径13.5 cm中和器LFN 2000KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域: 预清洗 表面改性 辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究!
留言咨询