一,InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列 800-1700nm超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电,输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出, 在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一,很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列 ,InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列通用参数产品特点噪声超低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测参数产品型号UPD-100M-AUPD-200M-AUPD-300M-AUPD-400M-AUPD-500M-AUPD-600M-AUPD-800M-AUPD-1G-AUPD-1.2G-AUPD-1.5G-AUPD-2G-AUPD-2.5G-AUPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K15K15K30K30K30K30K30K30K6KV/W饱和光功率140140140420280280140140140420140140700μWNEP2.22.22.22.73.13.13.33.33.33.33.33.33.3pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压555551212121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.3A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2065*50*2580*90*25mm测试结果300MHz超低噪声单元探测器超低噪单元探测器与常规单元探测器底噪对比二,铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN单元探测器 PD系列 800~1700nm总览高速低噪声光电探测器模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点,可以有效的减少信号的共模噪声,提高系统的信噪比。铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN探测器,单元探测器 800~1700nm,铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN探测器,单元探测器 800~1700nm产品特点● 噪声低● 高增益● 高带宽● 结构紧凑● 内置低噪隔离电源产品应用分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测光纤通信其它科研应用通用参数产品型号PD-100M-APD-200M-APD-350M-APD-800M-APD-1.6G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益30k30k30k30k/70030k/700V/A饱和输入光功率140150150150/2000150/2000μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式DCDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流0.25(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸65*50*2075*55*2575*55*2575*55*2575*55*25mm寿命1000小时相干长度2-3米使用说明1.该 模块供电电压为5V,供电电流最大值为0.25A.2. Input 为光输入接口 RF为射频输出接口.3.接入输入端前请确保端面清洁防止脏污对测量结果造成影响.三, 铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um应用领域:光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点:正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um,铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um产品特点正照射结构灵敏度高响应时间快内部集成二级热电制冷器产品应用光谱探测与分析气体分析水含量分析等通用参数特性参数典型值备注光敏面直径1mm可订制规模单元工作温度-20~+60 ℃储存温度-55~+70 ℃波段0.9~1.7 um峰值波长1.55 um峰值量子效率≥90%室温峰值响应率≥1.1A/W-室温器件阻抗1.5×109Ω室温暗电流≤8x10-12A@-0.1V,室温等效噪声功率≤3*10-14 W/Hz1/2@1.55um,室温峰值探测率≥3x1012 cm.Hz1/2/W室温封装形式内部集成热电制冷器、TO-9管壳可订制典型光谱响应曲线:四, 铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um应用领域:光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点:正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um,铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um产品特点正照射结构灵敏度高响应时间快内部集成二级热电制冷器产品应用光谱探测与分析气体分析水含量分析等通用参数特性参数典型值备注光敏面直径1mm可订制规模单元工作温度-20~+60 ℃储存温度-55~+70 ℃波段1.0~2.5 um峰值波长2.2 um峰值量子效率≥70%-20℃峰值响应率≥1.1A/W-20°C器件阻抗2.5×105Ω-20℃暗电流≤4x10-7A@-0.01V,-20℃等效噪声功率≤4.5*10-13 W/Hz1/2@2.2um,-20℃峰值探测率≥2x1011 cm.Hz1/2/W-20℃封装形式内部集成热电制冷器、TO-9管壳可订制典型光谱响应曲线:五,单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um本系列其它产品型号 共4条 名称型号货号 描述单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ300umP97M03T2-A光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ300um;芯片尺寸:850×850um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ500umP97M05T2-A光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ500um;芯片尺寸:1000×1000um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ1000umP97M10T2-A光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ1000um;芯片尺寸:1410×1410um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ2000umP97M20T2-A光谱响应范围:0.95-1.65um;峰值波长:峰值λP:1.55um; 感光面积:Φ2000um;芯片尺寸:2560×2560um;二级制冷;峰值响应率S:1.0 A/W;产品总览P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器(TEC)组成,采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um,单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um通用参数探测器主要参数结构参数产品型号封装制冷形式感光面积(μm)芯片尺寸(μm)电极尺寸(μm)P97M03T2-ATO封装二级制冷Φ300850×850140×180P97M05T2-AΦ5001000×1000140×180P97M10T2-AΦ10001410×1410140×180P97M20T2-AΦ20002560×2560280×360P97M30T2-AΦ30003560×3560320×480光电参数 产品型号测试温度 Tch (℃)光谱响应范围 λ (μm)暗电流 ID (nA)结电容 C (f=1MHz,VR=0V) (pF)VR=1VVR=5VP97M03T2-A250.95±0.05 至 1.65±0.05峰值λP=1.550.10.550P97M05T2-A0.251100P97M10T2-A14300P97M20T2-A410800P97M30T2-A10402000 产品型号峰值响应率S(A/W)结阻抗Rsh(VR=10mV) MΩ峰值探测率D*(cmHz 1/2/W)噪声等效功率NEP(W/Hz1/2)P97M03T2-A1.035003×10128.9×10-15P97M05T2-A10001.5×10-14P97M10T2-A3003.0×10-14P97M20T2-A805.9×10-14P97M30T2-A408.9×10-14外形结构及电学接口该款探测器尺寸为φ15.3mm×10mm(不含针脚);外壳底面上分布8根φ0.45mm针脚,针长13.5mm,用于TEC供电、温度传感器信号读取、探测器信号读出。感光面距离窗口下表面的设计值为2.3mm,距离安装面(即外壳底面)的设计值为6.2mm,窗口材料为蓝宝石,厚度为0.5mm,透光区域直径设计为φ9mm。感光面中心位于探测器中心,相对位置偏移<0.3mm,机械接口外观及尺寸、光学及电学接口如图所示。响应光谱(典型值)热学参数使用环境指标名称典型值工作温度(℃)-45~+55存储温度(℃)-50~+60 热电致冷器特性探测器内集成二级热电致冷器(TEC),散热面中心即为探测器下表面中心,散热面积应≥6mm×6mm,其性能参数如下表所示: 性能指标数值Max. 热负载功率(Qmax/W)0.93W允许Max. 加载电流(ITEC-max/A)1A允许Max. 加载电压(VTEC-max/V)2V 温度监测模块特性本款探测器采用热敏电阻作为温度监控模块,在工作温度内电阻阻值与温度对应关系如下表所示:温度(℃)阻值(kΩ)温度(℃)阻值(kΩ)-6594.270-156.909-6069.290-105.587-5551.500-54.549-5038.70003.729-4529.40053.075-4022.560102.55-3517.490152.126-3013.690201.782-2510.810251.5-208.608301.268
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