半导体研究分析

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

DMM-660C研究型半导体检测显微镜一、DMM-660C研究型半导体检测显微镜的特点和用途: DMM-660系列研究型大平台金相显微镜配有大移动范围的载物台、落射照明器、平场消色差物镜、大视野目镜，图像清晰、衬度好，同时配有偏光装置，是金属学、矿物学、精密工程学、电子学等研究的理想仪器。适用于学校、科研、工厂等部门使用。 DMM-660C研究型大平台正置金相显微镜是将精锐的光学显微镜技术、先进的光电转换技术、尖端的计算机成像技术完美地结合在一起而开发研制成功的一项高科技产品。既可人工观察金相图像,又可以在计算机上很方便地适时观察金相图像，并以随时捕捉下来,从而对金相图谱进行分析,评级等,还可以保存或打印出高像素金相照片。二、DMM-660C研究型半导体检测显微镜的技术参数:组件及规格目镜大视野WF10X(Φ18mm)WF20X(Φ8.5mm)平场分划10X(0.10mm/格值)物镜平场消色差 （无盖玻片）放大倍数/数值孔径工作距离PL5X/0.1218.3PLL10X/0.258.9PLL20X/0.408.7PLL40X/0.60（弹簧）3.7PL50X/0.70（弹簧）2.02PL80X/0.80（弹簧）0.96放大倍数光学放大倍数:50X、100X、200X、400X、500X、800X、1000X、1600X 电脑放大倍数：200X-3200X目镜筒三目镜转轴式，倾斜30度，包括检偏振片仪器主体粗调、微调手轮，微调格值为0.002MM（底座及支架）偏光装置可插入式起偏振片,垂直照明装置,能进行一般金相分析、微粒分析测试，还能对不透明物体进行分析、观察。载物台尺寸：274 X 274mm有快速移动装置，移动范围：203 X203mm调焦机构同轴粗微动调焦机构, 调焦范围25mm 微动格值2μm照明系统落射照明 6V 20W ，卤素灯，亮度可调带起偏振片滤片组转盘式蓝、黄、绿、磨砂滤色片组转换器 滚珠内定位内弯,五孔转换CK-300电脑摄像系统1X摄影接口，标准C接口300万数字成像系统，最高分辨率：2048X1536，最新升级数字摄像模块，采用USB供电，功耗小，连接简单：USB2.0 图像质量好 ,色彩还原性好 ,图像稳定，可进行图像大小调节,色彩调节,增益调节,曝光设置,自动曝光等调节。三、仪器的组成部分 1、大平金相显微镜主机DMM-660　2、电脑适配镜　 3、CK-300彩色数字摄像器　 　　　 四、选购部分：1、DS-3000二维图像测量分析软件 2、计算机

半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统昊量光电全新推出的半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统。利用半导体参数分析仪RTM2的集成开关矩阵实现无限的精度和稳定性用于片状、霍尔和电阻张量的测量。半导体参数分析仪RTM2主要功能：&bull 半导体参数分析仪RTM2专为自动精密测量电阻和相关量而设计。半导体参数分析仪RTM2将直流和交流测量与独特的集成开关矩阵结合在一起。&bull 半导体参数分析仪RTM2具有锁定放大器的低噪、具有高端万用表 8 位以上的动态范围和无与伦比的稳定性，可研究 ppb 级效应。nΩ研究变得前所未有的简单。&bull 创新的连接器设计允许传统的 BNC 操作与被动屏蔽或主动防护屏蔽。这将直流阻抗上限扩展到了 Tera-Ohm 范围，并将交流带宽提高了约两个数量级，以测试MΩ器件。&bull 半导体参数分析仪RTM2只需一台设备就能自动记录完整的电阻张量（Rx、Ry、RH），即使是在无图案的薄膜上。&bull 半导体参数分析仪RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及传感器、晶片和设备测试。在快速多路复用设置中进行交流测试的独特能力，可在现场生产过程中实现更严格的元件分选。半导体参数分析仪RTM2开关矩阵的优点：&bull 万用表或锁相放大 器等传统精密设备依赖于与被测设备（DUT）静态连接的四线电阻测量方法。这种方法不可避免地会受到来自被测设备和测量设备本身的各种干扰影响。&bull 惠斯通电桥或平版印刷霍尔条图案等测量安排可用于减少某些干扰的影响，但它们都依赖于实际电阻器或蚀刻图案的精确和稳定的对称性，这在实践中是无法实现的。&bull 相比之下，矩阵开关可以在时域中分离干扰的影响。其中一个例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精确区分纵向和横向电阻，即使是在没有光刻图案的不规则形状样品上也是如此。&bull 另一个例子是某些直流仪表采用的 "自动归零（auto-zeroing）"，以补偿偏移漂移。但这还不够。半导体参数分析仪RTM2的全矩阵切换功能及其与紧密多路交流测量的完全兼容性为我们带来了无限可能。&bull 可以对偏移和增益漂移进行补偿，从而实现无限的稳定性。这里的 "无限 "是字面意思：可实现的精度不是 7、8 或 10 位数，而是您愿意等待的位数。在自己的实验室里进入计量圈子吧！&bull 还可以对整个仪器的复合非线性进行补偿。这样就可以测试亚ppm 级的 I-V 非线性，从而在较低和较温和的电流密度下看到更高阶的传输物理。半导体参数分析仪RTM2突出亮点&bull 基于集成开关矩阵的可重构设备架构&bull 8 个用户自定义端口（BNC 连接器），功能（输入、输出和/或参考）可自由确定&bull BNC 屏蔽可配置为无源接地或有源屏蔽&bull 使用固定连接（开尔文或霍尔几何）进行传统的交流和直流 4 线测量&bull 交替连接的交流和直流测量（电阻张量测量、范-德-波测量或电阻率测量）&bull 同时测量薄膜纵向和横向电阻的精确绝对值，无需光刻图案&bull 常用测量模式的软件预设，可指定任何用户特定的切换序列&bull 基于 TCP 的通信，可轻松集成到任何环境中（如 Labview、C、Python）半导体参数分析仪RTM2主要的优势：&bull 可替代所有用于电气特性测量的标准设备(例如锁定放大器、SMU、DMM）&bull 通过集成的矩阵开关克服了静态 4 点测量的局限性&bull 提供范-德-波测量和电阻张量测量的预设值，并允许用户进行全面配置&bull 无需进行复杂的样品制备（如平版印刷）。&bull 可轻松连接多种不同的测量装置（如探针台 、低温 恒温器、真空系统等）&bull 节省测量时间，提高样品吞吐量半导体参数分析仪RTM2主要的应用领域&bull 材料研究与表征&bull 固体物理 &bull 半导体物理&bull 磁性器件 &bull 柔性电子器件&bull 自旋电子学 &bull 新型功能电子材料和器件工业研发和晶片/设备测试&bull 微电子设备 &bull 存储器&bull 晶体管、二极管 &bull LED/OLED &bull 太阳能电池 &bull 显示器、TCO &bull 传感器半导体参数分析仪RTM2典型测试示例：&bull 在标准几何结构（开尔文和霍尔布局）中进行超低噪声、高稳定性交流和直流 4 线测量&bull 对不规则、无结构薄膜样品进行范德保开关连接 4 线测量&bull 基础物理学和计量学中的亚ppm 相对变化和非线性测量&bull 零偏移霍尔 4 线测量（即使是非结构化样品，也能准确分离纵向电阻和横向电阻）&bull 比率电阻测量，消除样品和设备漂移&bull 高驱动谐波失真测量&bull 脉冲和测量例程半导体参数分析仪RTM2规格参数：产品详细信息可联系我们或下载数据资料！关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

4156C 是安捷伦的半导体参数分析仪。半导体参数分析仪是用于各种测量功能的多合一工具。半导体参数分析仪可以测量和分析多种电子设备、材料、有源或无源元件、半导体或任何其他类型的电子设备的电气特性。工程师使用这台测试设备来监测不同类型设备中的电流和电压响应。大量二手仪器仪表，欢迎咨询主要特性与指标用于高级器件表征的高精度实验室台式参数分析仪4x 高分辨率 SMU、2xVSU 和 2xVMU前面板填空操作包括用于基于 PC 的 GUI 仪器控制的 Desktop EasyEXPERT 软件测量能力1 飞安和 0.2 微伏测量分辨率QSCV、压力模式、旋钮扫描、待机功能+/- 200 伏特和 +/- 1 安培大功率 SMU，可选 41501B 提供脉冲发生器功能桌面 EasyEXPERT 软件B1500A 半导体器件分析仪的相同测试和测量环境直观、面向任务的参数测试方法配备 80 多个预定义的、用户可修改的应用程序测试自动将数据保存到硬盘驱动器或任何网络驱动器通过 Desktop EasyEXPERT 软件进行离线数据分析和应用测试开发

产品简介:FS-Pro系列是业内的人工智能驱动的一体化半导体参数测试系统，单台设备具备IV, CV 与 1/f noise 测试能力，内建的AI算法加速技术全面提升测试效率。业界低频噪声测试黄金系统9812DX和 FS-Pro 的融合使两个产品不但功能更加完整，性能也都有大幅提升。FS-Pro可广泛应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro不仅被多家全球先进的设计公司和半导体代工厂，IDM和设计公司采用，在学术界也受到广泛认可，已被数十所大学及研究机构所采用。 张先生 产品优势一体化: 集成IV测试、CV测试、低频噪音(1/f noise)于单台仪器中，无需换线和更新连接即可完成全部低频参数化表征。超快速：FS-Pro系列较传统半导体参数测试系统，其测试速度高达10倍，业界首创AI测试加速卡，体验强大速度提升，同时保持测试精度。模块化架构：PXI模块化架构，可轻松扩展支持生产测试（如 WAT），辅以其高速和完整特性，可以大幅加速量产测试。操作便捷：内置测量控制软件LabExpress™ ，拥有直观的用户图形界面，仅需点击几下鼠标就可以完成强大的器件特性分析功能。可选工业级测试软件FastLab, 支持自动探针台，第三方仪器和SRAM，可靠性测试等工业测试需求。宽量程：高达200V，1A（脉冲3A），0.1fA的灵敏度。建模仿真：可选内置器件建模与仿真软件（BSIMProPlus/MeQLab/NanoSpice），形成测试，建模仿真系统。产品应用可应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。IV电流电压测试。CV电容电压测试。1/f noise低频噪音测试。Pulse脉冲生成。高采样率的IV-T模式。 产品指标IV电流电压测试高精度参数测量 ，电压200V, 分辨率0.1fA，电流测量精度30fA，直流电流1A，脉冲电流3A。高采样率的IV-T模式FS-Pro的SMU的I-T采样率指标，最小设定1e-6s（1us），数据存储达10万个点，目前在业界已经验证。CV电容电压测试内建CV频率范围10Hz~10kHz，最小可测电容20fF，直流偏置电压200V。外置LCR提供高精度（10fF@2MHz，内建直流偏置40V）和高带宽（8MHz）两个选项，同时软件支持第三方工业主流LCR，如E4980A，428x系列等。1/f noise低频噪音测试 带宽：0.001Hz-100KHz 噪音分辨率： 2e-28A2/Hz 测量速度： 10秒钟/偏置（f0.5Hz）DUT最小阻抗：500欧姆 DUT直流偏置和电流：200V, 1A Pulse脉冲生成功能 电压范围±200V, 最小脉宽50us，最小分辨率100nV张先生 FS-Pro支持与MPI、Cascade厂家的半自动,全自动探针台连用,已于国内外大型半导体厂、科研院所等有着广泛的合作。

产品详情美国TEK Keithley 泰克半导体参数分析仪4200A-SCS使用 4200A-SCS 加快半导体设备、材料和工艺开发的探索、可靠性和故障分析研究。 业内领先性能参数分析仪，提供同步电流-电压 (I-V)、电容-电压 (C-V) 和超快脉冲 I-V 测量。 直流电流-电压(I-V)范围：10 aA - 1A，0.2 μV - 210 V电容-电压：(C-V) 范围，1 kHz - 10 MHz，± 30V 直流偏置脉冲 ：I-V范围：±40 V (80 V p-p)，±800 mA，200 MSa/s，5 ns 采样率 参数查看，快速清晰。 大胆发现从未如此容易。 4200A-SCS 参数分析仪可将检定和测试设置的复杂程度降低高达 50%，提供清晰且不折不扣的测量和分析功能。 另外，嵌入式测量专业知识（业界首创）可提供测试指南并让您对结果充满信心。 特点 内置测量视频采用英语、中文、日语和韩语 使用数百个用户可修改应用测试开始您的测试 自动实时参数提取、数据绘图、算数函数 测量、 切换、 重复。 4200A-CVIV 多通道切换模块自动在 I-V 和 C-V 测量之间切换，无需重新布线或抬起探头端部。 与竞争产品不同，四通道 4200A-CVIV 显示器提供本地可视查看，可快速完成测试设置，并在出现意想不到的结果时轻松排除故障。 特点 无需重新布线即可将 C-V 测量移动到任何设备终端 用户可配置低电流功能 个性化输出通道名称 查看实时测试状态 检定、 自定义、 最大化。 简单地说，4200A-SCS 可以完全自定义且全面升级，您可以对半导体设备、新材料、有源/无源组件、晶片级可靠性、故障分析、电化学或几乎任何类型的样本执行电气检定和评估。 特点 NBTI/PBTI 测试 随机电报噪声 非易失内存设备 稳压器应用测试带分析探测器和低温控制器的集成解决方案。4200A-SCS 参数分析仪支持许多手动和半自动晶片探测器和低温控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories. 特点 “点击”测试定序 “手动”探测器模式测试探测器功能 假探测器模式无需移除命令即可实现调试 降低成本并保护您的投资 保障计划以按需服务事件的一小部分成本提供快速、高质量的服务。 只需点击一下或拨打一个电话即可获得维修服务，在此过程中，无需报价或填写采购单，也不会有审批延误。

一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。 二、应用领域： 半导体功率器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析 半导体材料：晶圆切割、C-V特性分析 液晶材料 弹性常数分析 电容元件：电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析 三、性能特点： 一体化设计：LCR+VGS低压源+VDS高压源+通道切换+上位机软件 单管器件、模组器件、曲线扫描)三种测试方式一体 四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg) 同屏一键测量及显示 CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描 四、功能指标： Vds：0~1200V Vgs：±25V Rg ：0~10KΩ 信号电压：1mV~1000mV 测试精度：0.01pf 测试频率：0.01KHZ~1MHZ 主要功能：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET等功率器件Rg\Ciss\Coss\Crss参数和CV特性测试分析 五、软件操作上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与LCR表、主控板等设备通讯，实现对设备的自动操作并进行数据采集、在界面上显示LCR表的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。➢ 进入主界面，主界面分为参数录入区、波形显示区和参数显示区，如下图所示：六、系统主要部件：七、验收流程1. 在需方工作现场完成设备安装；2. 安装完成后, 双方依据技术协议对设备进行验收进行验收。3. 验收完成后, 双方签署《验收报告》，作为合同执行依据。 八、技术培训供方在需方工作现场免费为需方进行测试技术培训。培训内容包括：1. 系统介绍；2. 软件使用方法；3. 硬件使用方法；4. 器件测试技术；5. 测试实际操作；6. 系统使用注意事项；7. 日常维护与保养 九、售后服务1、全部供货范围内的设备、材料、零配件和工器具等，除合同特别约定外，其质保期均自终验收签字生效之日起 12 个月。2、若买方需卖方派工程师来现场解决设备问题，我方应在 3 小时内响应，2 个工作日内派人员抵达买方现场，因我方造成的设备停工时间应在质量保证期中予以相应延长。3、质保期之内，系统及设备发生任何非人为原因造成的故障和损坏，均由我方负责免费维修和服务，失效零件予以免费更换，所更换的部件三包期从更换之日起重新计算。4、质保期终止之日起一年内重复出现的质保期之内出现的故障，仍在质保范围而且免费维修。5、对于备件及易损件的报价，三年内不得提升，确保设备验收后五年内所需的配件国内能够实现现货供应。6、对于质量保证期后可能涉及的大修改造情况，我司承诺以不高于国内其他用户的供货价格为原则，根据新增功能的难易程度和全新设备的整体价格来综合报价。7、我方派往买方使用现场的人员，具有 5 年以上的专用素质；现场解决问题时，不得无故拖延或推迟，应为买方提供最佳的服务。8、产品终生免费技术支持，包括硬件维修，软件升级等。硬件维修只收取 相应的器件 成本费用，软件实行终生免费升级。9、六个月定期产品巡检，对产品硬件及软件升级等。10、不定期对使用设备人员走访或者电话培训服务。

半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE新世代光电探测器 (PD) 的完整解决方案传统的量子效率系统在新型光电探测器面临许多测试方法挑战。如：偏置电压无法超过 12V：传统量子效率系统使用锁相放大器，其承受直流电压无法过大，因此在一般的量子效率测试仪，电偏压无法施加超过 12V。无法做噪声频率分析。无法直接测得 NEP 与 D*。光焱科技针对新世代的光电探测器 (PD) 提供了完整解决方案~命名为 PD-QE。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 特色：PD-QE 系统是光焱科技在过去十年的小光斑 (power mode) 基础上，进化开发完成。可应用在 PV 的 EQE 量子效率测试、新型光传感器的研究。在全新的软件平台 SW-XQE 上，具有便捷的扩展性：可测试标准 EQE 外，更可整合多种 SMU 的控制，并量测IV曲线。同时具备各种分析功能，如 D*、NEP、频率噪声图。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 规格:PD-QE 有不同的模块，偏置电压也可由 20 V 到 1000 V。同时，可测量高分辨率的光电流，分辨率最高可达 10-16 A。波长扩充可达 1800 nm。可选配软件升级控制 Kiethley 4200 SMU半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 应用有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证：PD-QE 已整合 Keithley 与 Keysight 出产的多种 SMU，进行多种的 IV 曲线扫描。用户无需另外寻找或是自行整合 IV 曲线测试。图中显示 PD-QE 测试不同样品的 IV 曲线，并进行多图显示。PD-QE 凭借先进数字讯号采集与处理技术，直接可测试各种探测器在不同频率下的噪声电流图。用户无需在额外购买、整合频谱分析仪进行测种测试！并且软件可以进行多种频段的特性分析，如 Shot Noise、Johnson Noise、1/f Noise 等。PD-QE 是针对新世代 PD 测试的完整解决方案。

产品简介：电子半导体图像法清洁度分析系统是普勒新世纪实验按照普洛帝分析仪器事业部的规划，于2001年推向市场的成熟系统仪器；观察颗粒形貌，还可以得到粒度分布、数量、大小、平均长径比以及长径比分布等，为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段；电子半导体图像法清洁度分析系统为一种图像法粒度分布测试以及颗粒型貌分析等多功能颗粒分析系统，该系统包括光学显微镜、图像测试 CCD 摄像头、三维立体载物平台、图像法颗粒分析系统软件、电脑、打印机等部分组成；为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段。产品优势：测试软件具有审计追踪、权限管控、电子记录、测试标准、计量验证、报告模板、图像存储、颗粒追踪、报告输出、清洁度分析等功能；全面自动标准选择、颗粒尺寸设定、颗粒计数，或按用户设定范围计数，自动显示分析结果，并按照相关标准确定产品等级；将传统的显微测量方法与现代的图像处理技术结合的产物；软件控制分析过程，手动对焦，手动光强（颗粒清洁度测试必须人为干预进行），自动扫描，自动摄入，自动分析；专用数字摄像机将显微镜的图像拍摄及扫描；全自动膜片扫描系统，无缝拼接，数字化显微镜分析系统；R232接口数据传输方式将颗粒图像传输到分析系统；颗粒图像分析软件及平台对图像进行处理与分析；引入3D遥感三维调控技术，快速定位，快速聚焦，体验极速无卡顿测试。显示器及打印机输出分析结果；直观、形象、准确、测试范围宽以及自动识别、自动统计、自动标定等特点；避免激光法的产品缺陷，扩展检测范围；现实NAS、ISO等国际标准方法的认可；提供行业独有的“OIL17服务星”签约式服务；产品应用：航空、航天、电力、石油、化工、交通、港口、冶金、机械、汽车制造、制冷、电子、半导体、工程机械、液压系统等领域；对各类固体粉末、各类液体中的固体颗粒（非连续相测试）。执行标准：0.1~3000μm的超宽范围、超高分辨率。可根据客户要求，植入相应“图像法颗粒度”测试和评判标准。技术参数：产品型号：PLD-MPCS2.0订制要求：各类液体检测要求；测试范围: 1μm-500μm放大倍数：40X～l000X倍 zui大分辨：0.1μm显微镜误差：0.02（不包含样品制备因素造成的误差）重复性误差： 5%（不包含样品制备因素造成的误差）数字摄像头(CCD)：500万~1800万像素分析项目：粒度分布、长径比分布、圆形度分布等自动分割速度： 1秒分割成功率： 93%软件运行环境：Windows 10接口方式：RS232或USB方式精 确 度：±3% 典型值；重合精度：10000粒/mL（5%重合误差）；分 辨 率：95%售后服务：普洛帝中国服务中心/普研检测。

SCD-1500型半导体C-V特性分析仪关键词：半导体，C-V特性，集成电路 SCD-1500型半导体C-V特性分析仪创新性地采用了双CPU架构、Linux底层系统、10.1英寸电容式触摸屏、中英文操作界面、内置使用说明及帮助等新一代技术，适用于生产线快速分选、自动化集成测试及满足实验室研发及分析。半导体C-V特性分析仪测试频率为10kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，足以满足二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体件CV特性测试分析。一、主要应用范围：半导体元件/功率元件二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析半导体材料晶圆、C-V特性分析液晶材料弹性常数分析二、性能特点：通道：2（可扩展至6）高偏置：VGS：0 - ±40V，VDS：0–200V,1500V,3000V双CPU架构，最短积分时间0.56ms（1800次/秒）10.1英寸电容式触摸屏，分辨率1280*800，Linux系统点测、列表扫描、图形扫描(选件)三种测试方式四寄生参数（Ciss、Coss、Crss、Rg）同屏显示快速导通测试Cont一体化设计：LCR+高压源+继电器矩阵快速充电，缩短电容充电时间，实现快速测试自动延时设置10档分选三、功能特点A.单点测试，10.1英寸大屏，四种寄生参数同屏显示，让细节一览无遗10.1英寸触摸屏、1280*800分辨率，Linux系统、中英文操作界面，支持键盘、鼠标、LAN接口，带来了无以伦比的操作便捷性。MOSFET最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg在同一个界面直接显示测量结果，并将四个参数测试等效电路图同时显示，一目了然。多至6个通道测量参数可快速调用，分选结果在同一界面直接显示。B.列表测试，灵活组合SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持最多6个通道、4个测量参数的测试及分析，列表扫描模式支持不同通道、不同参数、不同测量条件任意组合，并可设置极限范围，并显示测量结果 。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。D.简单快捷设置E.10档分选及可编程HANDLER接口仪器提供了10档分选，为客户产品质量分级提供了可能，分选结果直接输出至HANDLER接口。在与自动化设备连接时，怎么配置HANDLER接口输出，一直是自动化客户的难题，TH510系列将HANDLER接口脚位、输入输出方式、对应信号、应答方式等完全可视化，让自动化连接更简单。F.支持定制化，智能固件升级方式SCD-1500型半导体C-V特性分析仪客户而言是开放的，仪器所有接口、指令集均为开放设计，客户可自行编程集成或进行功能定制，定制功能若无硬件更改，可直接通过固件升级方式更新。仪器本身功能完善、BUG解决、功能升级等，都可以通过升级固件(Firmware)来进行更新，而无需返厂进行。固件升级非常智能，可以通过系统设置界面或者文件管理界面进行，智能搜索仪器内存、外接优盘甚至是局域网内升级包，并自动进行升级G.半导体元件寄生电容知识在高频电路中，半导体器件的寄生电容往往会影响半导体的动态特性，所以在设计半导体元件时需要考虑下列因数在高频电路设计中往往需要考虑二极管结电容带来的影响；MOS管的寄生电容会影响管子的动作时间、驱动能力和开关损耗等多方面特性；寄生电容的电压依赖性在电路设计中也是至关重要，以MOSFET为例。 技术参数1、 通道：2通道（可扩展6通道）2、 显示：液晶显示，触摸屏3、 测量参数：C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|4、 测试频率：10kHz-2MHz5、 精度：0.01%6、 分辨率：10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz7、 电压范围：5mVrms-2Vrms8、 精度：±（10%×设定值+2mV）9、 VGS电压： ±40V，准确度：1%×设定电压+8Mv,分辨率 1mV(0V-±10V)10、 VDS电压：0 - 200V11、 精度：1%×设定电压+100mV12、 1%×设定电压+100mV13、 输出阻抗：100Ω，±2%@1kHz14、 软件：C-V特性曲线分析，对数、线性两种方式实现曲线扫描

产品概要：4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成的半导体参数分析仪，可以同步查看电流电压 (I-V)、电容电压 (C-V) 和超快速脉冲式 I-V 特性。作为性能很高的参数分析仪，4200A-SCS加快了半导体、材料和工艺开发速度。基本信息：使用强大的 Clarius 软件，可以更加快速的完成 I-V, C-V 和脉冲 I-V 测试，结果清晰。 I-V 源测量单元 (SMU) ● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块● 100 fA 测量分辨率● 选配前端放大器提供了 0.1 fA 测量分辨率● 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量● 四象限操作● 2 线或 4 线连接C-V 多频率电容单元 (CVU)● AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)● 1 kHz - 10 MHz 频率范围● ± 30 V (60V差分)内置 DC 偏置源，可以扩展到 ± 210 V(420 V 差分 )● 选配 CVIV 多功能开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道● 200 MSa/s，5 ns 采样率● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA● 瞬态波形捕获模式● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率高压脉冲发生器单元 (PGU)● 两个高速脉冲电压源通道● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率-V/C-V 多开关模块 (CVIV)I● 在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或 抬起探针● 把 C-V 测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)● 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换● 把 4225-PMU 的电流灵敏度扩展到数十皮安● 降低电缆电容效应 技术优势：1、随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，缩短测试开发时间2、内置测量视频的仪器，测试视频由全球应用工程师提供，分为4种语言，缩短学习周期3、pin to pad接触检查，确保测量可靠4、多种测量功能5、数据显示、分析和代数运算功能6、专家视频，降低特性分析复杂度，观看吉时利全球应用工程师制作的内置视频，迅速掌握应用，缩短学习周期。数小时的专家测量专业帮助，在发生意想不到的结果或对怎样设置测试存在疑问时，将为您提供指引。Clarius Software短专家视频支持四种语言(英语、中文、日语和韩语)，可以迅速让你洞察先机。7、大量随时可以使用的应用测试可供选择，通过Clarius库中装备的450多项应用测试，您=可以选择或修改预先定义的应用测试，加快特性分析速度，或从一开始简便地创建自定义测试。只需三步，Clarius Software就可以引导新用户像专家一样完成参数分析。8、实时结果和参数，自动数据显示、算法分析和实时参数提取功能，加快获得所需信息的速度。不必担心数据丢失，因为所有历史数据都会保存下来。9、无需示波器检验脉冲测量，脉冲定时预览模式可以简便地查看脉冲定时参数，确认脉冲式I-V测试按希望的方式执行。使用瞬态I-V或波形捕获模式，进行基于时间的电流或电压测量，而无需使用外部示波器。应用方向：MOSFET, BJT 晶体管；材料特性分析；非易失性存储设备；电阻率系数和霍尔效应测量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；纳米器件；二极管和 pn 联结；太阳能电池；传感器；MEMS器件；电化学；LED和OLED。

上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪无等离子体设计,可以实现快速, 化学特定的原位定量气体分析, 与光学发射光谱 OES 对比, Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 0.25%, 适用于半导体工艺中蚀刻计量控制, ALD, 3D-NAND 和新兴的堆叠式 DRAM.半导体蚀刻工艺挑战日益增加蚀刻是半导体制造中常用的工艺之一. 介电蚀刻用于形成绝缘结构, 触点和通孔, 多晶硅蚀刻用于在晶体管中创建栅极, 金属蚀刻去除材料以显示电路连接图案并钻穿硬掩模.连续蚀刻铝 Al, 钨, 铜 Cu,钛 Ti 和氮化钛 TiN 等工艺金属具有挑战性, 因为许多金属会形成非挥发性金属卤化物副产品（例如六氯化钨 WCl6）, 这些副产品会重新沉积在蚀刻侧壁上, 导致成品率降低（通过微粒污染或沉积材料导致短路）.随着半导体行业不断缩小关键特征尺寸并采用垂直扩展 (如 3D-NAND 存储器和全环绕栅极先进技术节点), 各种新的蚀刻挑战已经出现. 这些包括在晶圆上蚀刻更小的特征, 高展弦比 HAR 沟槽蚀刻 (具有小的开放面积百分比- OA%), 以及在新兴的非挥发性存储器和高 k介质中蚀刻金属闸极, 稀土金属等新材料. 对于先进的纳米级工艺, 如蚀刻到硅介质和金属薄膜, 选择性处理, 如原子层蚀刻 ALE 一次去除材料的几个原子层. ALE 提供了比传统蚀刻技术更多的控制. 对于 3D-NAND 和先进 DRAM 来说, 向批量生产过渡的重大挑战包括解决导体蚀刻困难的要求, 满足积极的生产斜坡和实现所需的吞吐量, 以推动成本效益.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪提供高性能, 嵌入式和可靠的原位定量分子气体计量已经成为验证工艺室和持续监测工艺化学过程的关键工具, 确保生产环境中的高产率和更大吞吐量.Aston™ 质谱分析仪提供全腔室解决方案使用上海伯东 Atonarp Aston™ 质谱仪通过实时, 定量和精确的分子传感器来解决半导体新兴蚀刻工艺技术相关的关键挑战. 通过解决传感器耐久性, 灵敏度, 匹配, 系统集成和易用性等方面的挑战, 日本 Atonarp Aston™ 质谱仪升级了传统的气体分析计量方法. Aston 是一种全室解决方案, 用于在各种工艺步骤中实时监测前体, 反应物和副产物.这些包括基准室和过程指证, 腔室清洁, 过程监测 (包括存在腐蚀性气体), 颗粒沉积和气体污染物凝结. 小的占地面积和灵活的通信接口允许在室内安装和集成到过程设备控制系统. 为了集成到半导体工艺工具中, Aston 质谱分析仪的高性能和可靠性设计用于生产晶圆的大批量生产过程控制.Aston™ 质谱分析仪半导体蚀刻计量控制半导体行业正从二维结构的扩展转向复杂三维结构的挑战性要求. 传统的离线晶圆测量已不足以实现性能和良率目标, 原位蚀刻测量传统上缺乏生产所需的鲁棒性和可重复性. Aston™ 质谱分析仪的结构中嵌入了专利技术, 使其具有卓越的分析和操作性能. 为了满足过程控制和跨工厂生产工具匹配的严格要求, Aston 从头开始设计, 高运行时间和低维护的吞吐量, 长期信号稳定性和可重复性.为了承受腐蚀和沉积过程的恶劣环境, Aston™ 引入了两个的功能: 等离子电离和自清洁 (ReGen™模式). 等离子体电离消除了由于与腐蚀性气体(如NF3, CF4, Cl2)的反应而导致的灯丝降解. 此外, 除去(正硅酸四乙酯) TEOS 等颗粒和蒸汽污染物沉积, 同时定期进行室内清洁循环, 延长了 Aston™ 质谱仪的使用寿命. ReGenTM 模式使仪器能够使用高能等离子离子清洗自身, 通过去除在膜沉积过程中可能发生在传感器和腔室壁上的沉积. 结合这两个功能, 传感器的灵敏度可维持在数百个RF(射频)小时的操作. Aston质谱仪支持的基于测量的控制, 有可能延长清洗间隔 MTBC 的平均时间. MTBC 的增加意味着工具可用性和长期吞吐量的增加. 除了等离子电离器(用于工艺), 传感器还配备了传统的电子冲击 EI 灯丝电离器, 用于基线和校准.分子传感器的分析级是使用微米级精密双曲电极的四极杆. 由高度线性射频(RF)电路驱动, Aston 质谱的HyperQuad 传感器在 2到300 amu的质量范围内具有更高的分析性能.Aston™ 质谱分析仪技术参数参数值质量分辨率0.8u质量数稳定性0.1u灵敏度(FC / SEM)5x10-6 / 5x10-4 A/Torr最低可检测的部分压力(FC / SEM)10-9 / 10-11 Torr检测极限10 ppb最大工作压力1X10-3 Torr每 u 停留时间40 ms每u扫描更新率37 ms发射电流0.4 mA发射电流精度0.05 %启动时间5mins离子电流稳定 ±1%浓度的准确性 1%浓度稳定±0.5%电力消耗350w重量13.7kg尺寸400 x 297 x 341mm高展弦比 HAR 3D 蚀刻随着多模式技术和 3D器件结构的出现, 高度密集的蚀刻和沉积过程驱动了计量需求. 3D多层膜栈, 如 NAND 存储架构, 代表复杂的, 具有挑战性的蚀刻过程, 具有关键的蚀刻角度, 统一的通道直径和形状要求, 尽管高蚀刻纵横比通道 100:1 是常见的. 对于 3D-NAND, 关键导体蚀刻过程包括阶梯蚀刻(下图)和用于垂直通道和狭缝的 HAR 掩模打开. 通过硝酸硅和氧化硅交替层蚀刻需要高速定量终点检测. 对于 DRAM, 蚀刻过程包括 HAR 门, HAR 沟槽和金属隐窝. 对于阶梯蚀刻, 关键是在整个 3D堆栈的每个介质膜对的边缘创建等宽的“步骤”, 以形成阶梯形状的结构. 在器件加工过程中, 这些步骤的大量重复要求蚀刻高吞吐量和严格的过程控制.多功能现场气体计量需要在一个工具中执行多种监测功能:• 检测和量化污染, 交叉污染, 气体杂质和工艺室内的工艺化学• 评估已开发的蚀刻过程在生产工具 / 运行的复杂功能上的性能• 测量刻蚀后的清洁 (包括先进的无晶圆自动清洁 WAC) 作为腔条件对于消除工艺漂移和确保可重复性性能是至关重要的• 快速准确的蚀刻端点检测 EPD, 通过等离子体或气体监测, 因为这是一个关键的控制功能. 举例包括一氧化碳 CO 副产物在介电蚀刻中下降或氯 Cl 反应物在多晶硅和金属蚀刻端点上升.• 全面的实时计量数据, 允许过程等离子体和反应物的动态腐蚀控制, 以管理要求的腐蚀剖面Aston™ 质谱分析仪无等离子体终点检测虽然光学发射光谱 OES 已被广泛用于蚀刻 EPD, 但低开放面积 OA 和 HAR 设计的趋势使其在许多蚀刻任务中无效. OES 技术需要等离子体'开'和发光物种. 随着昏暗和远程等离子体越来越多地用于 3D设备和原子水平蚀刻 ALE 工艺, 需要更多敏感的数据和分析技术来实现迅速和确定的 EPD. 此外, 脉冲等离子体通常用于管理 HAR 和 低 OA% 工艺的蚀刻剖面, 这使得 OES 对于 EPD 来说是一个不切实际的解决方案. 在3D 结构中, 多层薄膜和多个接触深度阻碍了每一行触点到达底部时端点的光学发射信号的急剧步进变化其他 OES 限制包括:• 在电介质蚀刻中, 在 OA 5% 的模式上进行 EPD一直具有挑战性, 因为 OES 在低浓度下具有低信噪比.在高压Si深蚀刻(例如博世工艺)中, 要求 OA% 的 EPD低于 0.3%, OES 中较大的背景噪声水平抑制了对发射种数量的任何变化的检测.• 在金属蚀刻中, OA% 可能低于10%, 这取决于所涉及的互连尺寸. 对于接触和通过蚀刻, OA 可以在0.1-0.5%之间或更低, 这取决于所涉及的特征的大小. 在钨 W 蚀刻的情况下, 随着 OA的减小, 氯 Cl 反应物的消耗减少, 由于材料运输到 HAR 蚀刻特征, 蚀刻趋于放缓. 这两个因素都降低了反应气的消耗率. 因此, 由于等离子体中反应物的耗尽, 很难看到在终点处 OES信号的显著变化.Aston™ 质谱仪可以利用蚀刻反应物和 EPD 的副产物. 此外, Aston 能够在小的, 有限体积的传感器上运行周期性清洗, 以保持其性能(灵敏度), 在延长晶圆运行次数的情况下获得更大的正常运行时间. 然而, OES 要求在腔室上有一个需要保持清洁的访问窗口，以获得足够强度的稳定信号。通常，加热石英窗用于减缓工艺产品的堆积. 使用 Aston™质谱分析仪，在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱的影响, 也不受射频功率脉冲期间等离子体强度波动的影响.图 3a/3b 显示了 CO+和 SiF3 +的副产物 OA%下降到0.25%的电介质腐蚀EPD数据数据清楚地显示了线性行为和在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱影响. Aston 质谱的 ppb 灵敏度是针对 0.1%以下的 OA性能.原子级蚀刻 ALE在三维结构中, ALE 过程中的逐层去除需要脉冲射频电源来控制自由基密度和较低的离子能量, 以减少表面损伤和保持方向性. 在这样的光源中, 等离子体的整体光强较低, 并表现出波动幅度. 通常等离子体离晶圆区很远(距晶圆区25厘米), 而且等离子体激发的副产物很少, 使得光学测量不切实际.在 ALE中, 由于每个周期都是自我限制的, 端点检测可能不那么重要. 然而, 在缺乏气体分析的情况下, 工艺工程师对监测腔室和工艺健康状况“视而不见”, 因为无法看到化学状态, 特别是在工艺步骤 (吸附/净化/反应/净化) 之间过渡时的动态状态, ALE 的自限性并不能使它不受过程漂移的影响. 此外, 由于 ALE 不是基于等离子体的, 因此过程中的化学变化不一定可以通过等离子体监测检测到.有一种误解, 认为 ALE 技术实际上是一次一个原子层 相反, 它们每循环的去除/沉积量可能比单分子膜多一点(或少一点). 由于真空泵性能, 晶圆温度或离子轰击能量 (电压) 的变化分别导致表面饱和度和表面反应性的变化, 工艺移位(Å/周期的变化)可能发生.在 ALE (下图)中,由于等离子体的使用不一致, 化学监测方面的差距就不那么明显了. 在这种情况下, Aston™ 质谱仪具有以下优点:• 在每个工艺步骤中建立一个腔室化学状态的指证. 这可以参照其自身的正常行为, 也可以参照标准腔• 描述和监控与化学变化相关的动态过程中, 从一个步骤过渡到下一个步骤• 监测在 ALE 循环第一步之后从系统中清除吸附物质的时间. 等离子体通常用于产生吸附物质(自由基), 但它是在远离晶圆片的地方产生的• 监测 ALE 循环第二步反应产物的变化. 等离子体光强通常较低, 因为它使用了低占空比的脉冲射频• 监测反应产物和反应物在ALE循环第二步后被净化的时间结论原子级蚀刻只能使用像上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪这样的分子传感器进行真正的测量和监测. 它的高灵敏度, 速度和对等离子体强度变化的低敏感性产生可靠的定量测量, 即使在低浓度的反应物和副产物, 具有低于1% 水平的高精度, 可以监测微妙的过程漂移和过程变化效应, 提供了可用于机器学习模型的见解.利用其高扫描速度, 通过监测反应产物减少的时间来实现步进时间优化, 因为它是表面反应活性变化的指示, 增加了总体吞吐量.ALE 是先进的蚀刻技术, 上海伯东 Aston 质谱仪为 ALE 提供了先进的化学计量技术, 可以测量和控制反应及其持续时间, 为大批量生产提供了可靠的解决方案.若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

Toptica数控可调半导体激光 DLC pro 其它通用分析可调谐半导体激光 pro design 对温度变化和声音影响稳定配有数字控制模块 DLC pro: 更少频率漂移，更窄线宽运行时线宽可达 10 kHz在与外腔参照锁模情况下，线宽可达 1 Hz我们的 DL pro 是zhong极可调谐二极管激光器。其ge ming性的机械设计可同时实现简单的操作和ji高的稳定性。它提供最高的输出功率和优化的无跳模调谐，具有wan美定位的光栅运动虚拟枢轴点。与数字控制DLC pro控制器一起，它显示出的线宽和漂移 - 具有zui舒适和直观的用户界面。可以购买软件许可证来启用频率锁定功能。DLproHP 二极管激光器采用特殊的谐振腔设计，允许“可见”激光二极管提供更高的单模输出功率。与 DL pro 一样，它是一种扩展腔二极管激光器 (ECDL)。两种激光器都具有各种调制输入，并且可以配备各种选项，如光纤耦合、光束整形等。DL pro FL 锁定比以往任何时候都更快，为下一代量子技术奠定了基础。我们的 DL pro 的 FL 变体具有腔内 EOM，可提供两个反馈通道。一个用于快速调整，确保出色的锁定性能，另一个保证锁具的高坚固性。我们提供范围广泛的畅销产品，它们是典型应用的交钥匙解决方案，例如原子或离子的激光冷却。这些系统结合了DLC pro和 DL pro、DL pro HP 或 DL pro FL，包括适当的隔离器。它们可以与光纤耦合和启用频率锁定功能的软件许可证相结合。Toptica数控可调半导体激光 DLC pro畅销产品可提供以下波长：369、397、399、420、461、633、637、670、674、729、780 和 850 nm。有关详细信息，请参阅下面的其他畅销产品部分。此外，DL pro 适用于我们的增透膜和法布里-珀罗激光二极管库存清单中列出的所有激光二极管。生成的波长覆盖范围的概述显示在下面的附加信息部分。

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

随着半导体制造技术的不断进步，对清洗设备的要求也越来越高。其中，PFA酒杯堵头作为半导体清洗设备的重要配件，其性能和质量直接影响到设备的清洗效果和使用寿命。因此，研究和改进PFA酒杯堵头的材料和制造工艺，对于提高半导体清洗设备的性能具有十分重要的意义。　　PFA，即全氟烷氧基聚合物，具有出色的耐高温、耐腐蚀和耐磨损性能，使其成为半导体清洗设备配件的理想选择。而PFA酒杯堵头作为清洗设备中的关键部件，其主要功能是防止清洗液在设备内部流动过程中产生泄漏，保证清洗过程的稳定性和可靠性。　　然而，随着半导体工艺的不断升级，对清洗设备的要求也在不断提高。传统的PFA酒杯堵头在某些极端条件下可能会出现性能下降的问题，如高温环境下材料性能退化、清洗液腐蚀等。因此，对PFA酒杯堵头的材料和制造工艺进行改进，以满足更高要求的半导体清洗设备成为当前的研究热点。　　一种可能的改进方向是采用新型的PFA复合材料。通过添加特定的填料或增强剂，可以显著提高PFA材料的耐高温、耐腐蚀和耐磨损性能，从而增强PFA酒杯堵头的性能稳定性。同时，优化制造工艺，如采用精密注塑成型技术，可以提高堵头的尺寸精度和表面质量，进一步提高其使用寿命和可靠性。　　总之，PFA酒杯堵头作为半导体清洗设备的重要配件，其性能和质量对设备的整体性能具有重要影响。通过不断研究和改进PFA材料的性能和制造工艺，我们可以为半导体清洗设备提供更可靠、更高效的配件支持，推动半导体制造技术的持续发展。

APK6100E半导体行业超高纯(特种)气体稀释系统，是一款具有高精度高稀释比的升级产品，可配制五种标气的混合气(可定制),稀释比可达到1:10000，二级稀释，高精度，带有加湿功能，可用于传感器生产商，半导体生产商的产品测试及科研院所的科学研究。可根据用户要求定制。 特点： 苯系物BTEX，PAMS，硫化物，TO-15，HCHO，SO2，N2O，NO2以及其他 带有加湿功能，可控制稀释后气体湿度 高精度质量流量计（MFC），配制气体浓度精准 可选配液体标样稀释模块 应用： 传感器生产商 半导体生产商 科研院所 相关推荐： APK6100标准气体稀释仪 APK6100C便携式标准气体稀释仪

简介：BD-50，金相显微镜，高级生物显微镜，半导体芯片检测，晶元，化学粉末检测

Aston™ 质谱分析仪为半导体 Sub-fab 提供安全, 可持续性和节约解决方案Sub-fab 一直是半导体制造设施的后端方案. 与 FAB 的主要加工走廊不同, Sub-fab 中的设备被归入与基本工具管理和废物处理相关的系统: 干式真空泵, 燃烧和吸收器减排系统, 水处理器和冷却器以及散装材料的输送和管理是 Sub-fab 设备执行的关键功能.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪提供稳健, 量化和实时的计量. 原位量化计量在关键灵敏度 / 速度指标上比其他残留气体分析仪优于 10 倍至 100 倍, 并具有强大的等离子电离解决方案, 使它们能够处理苛刻的工艺气体和副产品. 为半导体 Sub-fab 提供安全, 可持续性和节约解决方案随着半导体制造足迹对环境的影响对晶圆厂运营商变得越来越重要, 在客户对更高可持续性的需求的推动下, Sub-fab 越来越被视为提高效率和可持续性的关键部分. 随着对安全的普遍需求, 对可持续性和效率的额外关注正在推动重新关注使用实时现场监控和控制更智能地运行 Sub-fab 设备.问题Sub-fab 管理的三大支柱, 即安全性, 可持续性和节约性正在重新受到关注.对于分子水平安全监测: 先进的工艺推动了对新型危险材料和副产品的需求, 对前沿逻辑工艺, 铸造和存储器工艺的需求不断增加, 特别是在 ALD 和 ALE 中使用选择性处理化学物质的情况下. 2019 年的一项研究表明, 在 2017 年 2019 年的 30 多起不良事件中, 包括爆炸, 火灾, 放热反应, 化学反应和排气. 大多数事件发生在从腔室到减排系统的排气处理路径中的 Sub-fab 中.目前使用分子安全监测的一些例子包括: 当爆炸锆金属颗粒是潜在的副产品时, 基于用于逻辑门和 DRAM 电容器结构的锆的高k介电材料. 此外, 在闪存制造中用于氧化硅原子级沉积的高阶硅烷化学对主动泄漏检测提出了挑战, 以防止需要监控和管理的产品气体和冷凝物引起的火灾和危险.除了安全之外, 可持续性也是重点: 最近的研究表明, 超过 80% 的智能手机碳足迹不是在使用过程中产生的, 而是在制造过程中产生的, 其中半导体占总量的比例大约（约 40%）并且还在不断增长. 虽然 FAB 中的绿色能源使用和水循环利用工作对温室气体和水消耗指标产生了重大影响, 但半导体 FAB 可持续性挑战的材料部分占总量的百分比继续增长. 寻找一种可靠的方法来监测和减少制造过程中使用的材料量是半导体行业的关键下一步, 并且需要一种创新的原位材料监测和量化方法. 关键的第一步是为当今的工艺和设备建立“基线”, 以便准确监测和量化材料使用的变化.从安全和可持续性举措中节省: 毋庸置疑, 与事故相关的员工, 设备, 生产和声誉成本相比, 安全设备部署的成本很小. 然而, 可持续发展计划更为复杂. 减少材料使用, 减少浪费, 并显着降低相关材料和减排相关成本. 然而, 除了与更有效地运行 FAB 相关的纯成本回收之外, 许多半导体消费者越来越多地将可持续性视为其供应商选择标准的一部分. 随着晶圆厂需要推动可持续发展目标,大量且利润丰厚的供应商合同正在增加,其中大部分工作发生在管理废物的 Sub-FAB 中.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪 Sub-FAB 解决方案Sub-FAB 应用的安全性,可持续性和节约的共同点是, 为了改进它们, 需要测量和量化要管理的材料. 无论是在腔室上还是作为 Sub-FAB 基础设施的一部分, 都需要稳健, 量化和实时的计量. Atonarp 的 Aston 实时半导体计量解决方案系列提供的原位量化计量在关键灵敏度 / 速度指标上比其他残留气体分析仪优于 10 倍至 100 倍, 并具有强大的等离子电离解决方案, 使它们能够处理苛刻的工艺气体和副产品.Aston 先进的分子分析技术具有比其他残余气体分析仪高 10 到 100 倍的速度 / 灵敏度能力, 使 Sub-fab 应用能够提高安全性,可持续性并节省过程中的成本.若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

4156B 安捷伦半导体参数分析仪　　41568 是安捷伦的半导体参数分析仪。半导体参数分析仪是用于各种测量功能的多合一工具。半导体参数分析仪可以测量和分析多种电子设备、材料、有源或无源元件、半导体或任何其他类型的电子设备的电气特性。工程师使用这台测试设备来监测不同类型设备中的电流和电压响应。附加的功能:　　高分辨率/准确度和宽范围。I:1 fA 至1A(20 fA 偏移精度),V:1μV 至 200 V采用直流或脉冲模式的全自动 I 扫描测量，可扩展至 6个 SMU同步应力/测量功能，两个高压脉冲发生器单元(±40 V)时域测量:60us-可变间隔，多 10,001 个点　　易于使用:类似于曲线跟踪器的旋钮扫描，自动分析功能自动化:内置 HP Instrument BASIC、触发 //O 功能设置测量和/感压力条件控制测量和/或压力执行　　执行算术计算　　在 LCD 显示屏上显示测量和计算结果　　执行图形分析　　存储和调用测量设置，以及测量和图形显示数据　　转储到打印机或绘图仪以进行硬拷贝输出　　使用内置的 HP Instrument BASIC 执行测量和分析　　自检、自动校准　　Agilent HP 4156B 是下一代精密半导体参数分析仪。您将获得好的数字扫描参数分析仪、可靠性测试仪、功能强大的故障分析工具和自动进货检测站，所有这些都集成在一台仪器中。这个新系列经过明确设计，旨在为评估您的亚微米几何器件提供的精度和功能。使用一台灵活的仪器，您可以从材料评估和器件表征一直到终封装部件检查和现场故障分析，提高您的半导体质量。　　Agilent HP 4156B 提供四个内置电源/监控器单元 (SMU)、两个电压源单元 (VSU)和两个电压监控器单元 (VMU)。　　Agilent HP 41568 将电流分辨率扩展至 1fA,准确度扩展至 20 fA。HP 4156B 在每个 SMU 上使用全开尔文遥感。　　您可以随时添加配备 0V/1.6 A 接地装置的 Agilent HP 4150 1B SMU 和脉冲发生器扩展器。扩展器接受两个 10 0mA/100 VSMU 或一个 1A/200V SMU,以及两个特别同步的 40V/200 mA/1 us 脉冲发生器。　　设置和测量　　Agilent HP 41568 可以使用许多测量单元(包括 Agilent HP 415018 中的单元)执行阶梯和脉冲扫描测量以及采样(时域)测量，而无需更改连接。此外，您可以轻松地执行应力测量循环测试以进行可靠性评估,例如热载流子注入和闪存 EEPROM 测试。　　设置和测量是通过设置页面并从前面板按键、键盘或 GPIB(SCPI命令)填写空白来进行的。您还可以使用类似于曲线跟踪器操作的旋钮扫描功能即时测量和查找设置条件。　　显示和分析　　测量和分析结果显示在彩色液晶显示屏上，您可以将四个图形存储器中存储的图形叠加起来进行比较。许多强大的图形分析工具可以轻松分析和提取许多参数，例如 hFE 和 Vth。　　-旦找到参数提取条件，就可以使用自动分析功能自动获取参数。　　输出和存储　　设置、测量和分析数据可以通过 GPIB、并行或网络接口 10 Base-TLAN 输出到彩色绘图仪和打印机。您还可以通过网络将数据以 MS-DOS 或 LIF 格式保存到磁盘或 3.5 英寸磁盘上。图形(HP-GL、PCL 或 TIF)输出文件允许您将图形传输到桌面出版软件。　　重复和自动化测试　　HP 4156B 中内置的 Agilent HP Instrument BASIC 控制器可以使用外部仪器构建自动测量系统,而无需控制器。Agilent HP 4156B 可以通过多功能触发 I/0 功能与外部仪器同步　　公司主营产品还有：　　射频微波测试仪器：频谱分析仪，网络分析仪，信号发生器，射频功率计，5G综测试仪；　　光通信测试仪器：光谱分析仪，光源，光功率计及模块，光采样示波器及模块，光波长计，光衰减器，消光比测试仪，误码分析仪，光可调滤波器，空间光调制器，偏振控制器，色散分析仪，光通信测试系统，激光二极管驱动器，光纤应变分布测试仪，光时域反射仪，光开关，光纤熔接机，端面检查仪；　　通用基础仪表：数字源表，皮安表，通用电源，电子负载，实时示波器，万用表...　　主要品牌：　　安捷伦、是德、横河、惠普、罗德与施瓦茨安立、爱德万、吉时利、泰克、德天（DESKY）唯亚威（VIAVI）、捷迪迅...　　※销售、维修、租赁、回收都可咨询　　※有意者可联系王先生

半导体激光器 新势力光电供应半导体激光器，具有体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。同时，该系列半导体激光器具有最佳的光束质量和调制性能，适合于工业仪器和设备的集成化开发。Cobolt MLD 系列半导体激光器，可以单独用于实验室研究，也可以用于各类分析仪器和计量设备的OEM系统集成。Wavelength [ nm ]405445473488515640660Wavelength precision± 5 nmPower [ mW ]10050806025100100Beam divergence (full angle) [ mrad ] 1.1 1.2 1.2 1.3 1.3 1.7 1.7Spatial modeTEM00, M2 1.2Beam diameter at aperture700 um ± 100 umBeam symmetry 0.90:1Noice, 250 Hz - 2 MHz (rms) 0.2%Power stability over 8 hours 0.5%Spectral linewidth (FWHM) 1.2 nmPolarization ratio 1:100ModulationDigital modulationInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLbandwidthDC - 150 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall time 2.5 nsAnalogue modulationInput signal: 0-1 V ( 1 kOhm or 50 Ohm)bandwidthDC - 2 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall time 200 nsRemote ON - OFFInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLfrequencyDC - 500 KHzextinction ratio1 : infRise / Fall time 500 nsMaximum base plate temperature50 ℃Total system power consumption 10 WCommunicationRS - 232 or USBModel number structureWavel-06-01-pwr-100 (CDRH: Control box with key-switch included)Wavel-06-01-pwr-200 (OEM: Auto - start mode)Warranty12 monthsNoteOutput beam diameter can be tailored to specific customer requirements 连续激光器(单纵模/单频) 尾纤激光器 激光二极管 皮秒半导体激光器

高性价比半导体激光器Oxxius 公司简介：Oxxius（法国）是一家激光设计和制造公司，旨在为可见光激光器市场带来颠覆性创新。Oxxius为科研和工业客户开发优质的连续激光器，在生物光子学、计量学、光谱学和其他分析仪器中广泛应用。450nm半导体激光器、607nm固体激光器、785nm半导体激光器、808nm半导体激光器、915nm半导体激光器、980nm半导体激光器、1064nm半导体激光器：体积小、功耗低。部分参数/配件可定制。兼容Oxxius L4Cc 和 L6Cc 多波长合束激光器。有即插即用（符合 CDRH 标准）版本和OEM版。Oxxius激光器内置智能芯片，具备强大软件控制功能、工作状态记录功能、远程诊断及自我修复功能，我们的工程师可以为客户远程维修。单横模半导体激光器产品特性图：光斑模式图TTL调制图模拟调制图单横模半导体激光器应用：超分辨成像,荧光激发,共聚焦显微镜,流式细胞术,DNA测序,光遗传学,多波长合束,聚合物固化,材料分析,激光打标。Oxxius公司单横模激光器系列：关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学 、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

仪器简介：本装置是用直流四端子法，精密地测量金属合金，半导体的电阻。●用途对于金属相变，时效析出，再结晶的过程研究。对于无形金属的再结晶的过程分析。对于记忆形合金的研究。测定各种半导体材料的温度VS电阻的关系。技术参数：●技术指标测定温度范围①-150～200℃　②室温～最高1400℃测定方式自流四端子法测定范围100Ω～5×10-5 Ω试样台φ10mm×100mm测定气氛不活性气体，大气，真空主要特点：对于金属的相变，时效析出，再结晶反应●特长可在定速升温，定温保持过程中测量材料电阻。用直流四端子法进行高精度测量。无热起电的影响。

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

PMT-2半导体化学品液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um、0.1-1.0um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

半导体材料能带测试,亚带隙测量系统 该系统采用恒定光电流法分析半导体薄膜和各种光导材料的带隙结构，是评价非晶硅和各种非晶半导体的理想方法。规格：原理:恒流法(CPM)光源:氙灯或卤素灯工作范围:约4小时，13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)辐照面积:6 x6mm辐照强度:2 nw-2mw

先进半导体应用的原位过程控制上海伯东日本 Atonarp Aston™ Impact 和 Aston™ Plasma 是超紧凑型质谱仪, 适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析.分子测量快速，灵敏度达到十亿分之一 检测残留气体 / 冷凝物污染.提高产量提供化学特定的可操作见解, 尽可能地提高产量提高安全性监测爆炸性气体. 检查排放和减排效果.Aston™ 质谱仪解决了关键的原位计量问题• 提高吞吐量: 端点检测而不是基于时间的流程• 提高产量: 以十亿分之一的灵敏度测量沉积和蚀刻工艺期间的工艺气体 / 副产物Aston™ 质谱仪先进工艺的优势ppb 级灵敏度的高速采样非常适合高纵横比的 3D 结构耐腐蚀性气体坚固紧凑易于集成到工具平台中沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁Atonarp Aston™ 技术参数类型Impact-300Impact-300DPPlasma-200Plasma-200DPPlasma-300Plasma-300DP型号AST3007AST3006AST3005AST3004AST3003AST3002质量分离四级杆真空系统分子泵分子泵隔膜泵分子泵分子泵隔膜泵分子泵分子泵隔膜泵检测器FC /SEM质量范围2-2852-2202-285分辨率0.8±0.2检测限0.1 PPM工作温度15-35“℃功率350 W重量15 kg尺寸299 x 218 x 331 LxWxH(mm)400 x 240 x 325 LxWxH(mm) Aston™ 质谱仪半导体制造应用先进的工艺原子层沉积 (ALD)化学气相沉积 (CVD)原子层蚀刻 (ALE)腔室管理干净的终点检测指纹识别和匹配 Sub-fab 安全性, 可持续性和节省优化过程安全监控干泵保护减排管理沉积化学气相沉积钨TEOS蚀刻介电,导电,金属高纵横比 1% 开放区域检测EUV/光刻SnH4 蚀刻光掩模蚀刻自主过程控制模型驱动的实时过程监控若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例