半导体研究分析

半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

摘要：通过对氧化物半导体样品的特性测试和分析，首先用可见-紫外光分光光度方法测量了掺杂不同杂质的二氧化钛的的透射（或吸收）谱，并利用这些谱确定样品的光学禁带宽度。随后又用热激活方法测量数种不同氧化物半导体的阻-温特性关系，即研究了温度变化对掺杂Nb2O5的二氧化钛电阻性能的影响，并进一步利用这些关系推导出样品的激活能。在实验过程中，我们还进行了二氧化钛镀膜样品的制作和氧化锌压片样品的制备并为其镀上电极。1 引言 纳米材料是20世纪80年代末、90年代初才逐步发展起来的一类新型材料。这一概念形成后，引起世人的密切关注，它所具有的独特性质，使人们充分意识到它的广阔发展前景。随着纳米氧化物材料制备技术的不断发展和成熟，人们已经可以方便地制备出不同粒径、不同组分、不同结构的各种类型的纳米氧化物。这些研究成果为我们进一步研究纳米氧化物材料的微观结构、特殊性质奠定了坚实的基础。2000年美国政府启动了纳米科技发展计划，我国也将纳米材料和纳米技术列为科技发展的优势领域，近年来，纳米材料的开发和应用已成为各国科技工作者的研究热点，纳米材料在涂料中的应用也是研究热点之一。纳米二氧化钛是其中最重要的一类无机功能材料之一。它除了具有一般纳米粒子所特有的特性外，还具有高光催化效应、强紫外线屏蔽能力以及能产生奇特颜色效应等许多特殊性能，广泛应用在生产和生活的各个方面，其制备及应用研究受到世界各国的高度重视。1）氧化钛用于电极基体。一般需将金属氧化物电极附载于某种具有电催化活性的基体表面。由于钛具有良好的导电性和耐蚀性，因此目前大多采用高耐蚀性的钛作为电极的基体。2）抗菌性。在阳光，尤其是紫外光的照射下，在水和空气中，纳米氧化物能自行分解出自由移动的带负电的电子，同时留下带正电的空穴。这种空穴可以激活空气中的氧变为活性氧，具有极强的化学活性，能与多种有机物发生氧化反应（包括细菌内的有机物），从而把大多数病毒和病菌杀死。3）涂料。紫外线能量很高，足以破坏高分子之间的化学键，可直接导致涂料老化。实验研究证明，纳米TiO2对波长在400nm～750nm的可见光具有透过作用，能够屏蔽日光中的紫外线。将经过处理的纳米氧化物用于涂料中，可有效保护涂料中的有机分子免受紫外线的侵害，长久保持良好的性能。2 原理概述 二氧化钛由于具有高活性、安全无毒、化学性质稳定及成本低等优点,被广泛应用于环境保护、太阳能转化、化妆品、纺织、涂料、橡胶等领域。在一些领域二氧化钛大规模的生产应用受到二氧化钛量子效率低和禁带宽度宽对太阳能利用率低的缺陷的限制。 根据定义，半导体具有由价带所构成的带隙，价带由一系列填满电子的轨道所构成，而导带是由一系列未填充电子的轨道所构成。当半导体近表面在受到能量大于其带隙能量的光辐射时，价带中的电子会受到激发跃迁到导带。一个半导体必须要具有合适的禁带宽度和导带电位，首先是禁带宽度必须位于光源的能量范围之内，当受到光照时，才能吸收光能形成禁带激发，导致产生光氧化还原反应所必须的电子空穴对。　　大多数氧化物电极都是半导体材料，因而具有许多半导体的性质。同金属电极相比，氧化物半导体中载流子的密度是较低的常数。因此要提高它们的导电性，首先要提高氧化物半导体中载流子的数目。电催化氧化要求阳极具有良好的导电性，而钛表面的钝化膜导电性极差，由于该膜的成分主要是TiO 2，它属n型半导体，禁带宽度为3.0eV。在众多半导体中，它的禁带宽度是较宽的，也就是说它的载流子难于激发出来，这就是其导电性不好的原因。掺杂离子可降低TiO2的禁带宽度，由于杂质离子半径与Ti不同，所以可造成TiO 2晶体发生扭曲，甚至造成缺陷。这些扭曲和缺陷使TiO2的能级发生分裂，在规整的能级中形成新的缺陷能级，使得价带中电子很容易进入一些缺陷能级中。因而载流子密度升高，导电性提高。同时有些掺杂杂质作为施主加入形成施主能级，这些能级中的电子很容易受激发进入导带，大大提高地载流子密度，使半导体导电性大幅提高。受上述理论分析的启发，人们在制备钛氧化物电极时都要寻找合适的掺杂物去提高TiO 2氧化物的导电性。 我们在上述理论的基础上，在实验中对已经掺杂杂质的TiO2样品进行测试与分析，得到其禁带宽度与不同掺杂浓度，不同掺杂离子的关系，以及其阻温特性。

[font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font][font=宋体]钟新林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center]PerkinElmer[font=宋体]在半导体制程中的检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司技术专家[/font] [font=宋体]华瑞[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]布鲁克（北京）科技有限公司应用经理[/font] [font=宋体]黄鹤[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多公司半导体行业检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多产品专员[/font] [font=宋体]李玉琪[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:30--12:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]InP[font=宋体]基光子集成材料与器件及标准代工平台[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]赵玲娟[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]12:00--13:30[/align][/td][td=2,1,361][align=center][font=宋体]午休[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]Si[font=宋体]基[/font]GaN[font=宋体]材料的[/font]MOCVD[font=宋体]外延生长及杂质缺陷研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]北京大学高级工程师[/font] [font=宋体]杨学林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]荷兰[/font]Delmic[font=宋体]公司应用专家[/font]Sangeetha Hari[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]电子级水在半导体行业中的应用及解决方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]默克化工技术（上海）有限公司高级应用专家[/font] [font=宋体]李子超[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]日立电子显微镜在半导体分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]日立高新技术（上海）国际贸易有限公司经理[/font] [font=宋体]周鸥[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]暨南大学教授[/font] [font=宋体]谢伟广[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授[/font] [font=宋体]李露颖[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（下）[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]氧化镓基半导体器件研究进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]复旦大学青年研究员[/font] [font=宋体]刘文军[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]高纯半导体材料的无机元素分析[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]安捷伦科技（中国）有限公司原子光谱应用工程师[/font] [font=宋体]应钰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center]HORIBA[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体光电子外延材料国产化[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]江苏华兴激光科技有限公司总经理[/font] [font=宋体]罗帅[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体器件研发、应用及分析检测技术[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]双模微腔激光器及其应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]黄永箴[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅光通信与互连：一种变革性的技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]杨林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王晓东[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院电工研究所副所长[/font][font=宋体]韩立[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体][color=#333333]半导体产业现状及相关检测技术进展[/color][/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体][/font][color=#333333]国家半导体器件质量监督检验中心副主任 席善斌[/color][font=宋体][/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅基[/font]III-V[font=宋体]族光电器件及其缺陷的表征[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员[/font][font=宋体]樊士钊[/font][/align][/td][/tr][/table][font=&]　　[/font][b]报名链接（点击下方链接皆即可报名）[/b][font=&]:[/font][font=&]　　[/font][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs[/url]

[font=&]　当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 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上传了硅材料中杂质元素的分析方法国家标准——《GB4298-84 半导体硅材料中杂质元素的中子活化分析方法》，这是目前唯一能查到的与多晶硅体金属杂质分析相关的国标。[URL=http://www.instrument.com.cn/download/shtml/121679.shtml]GB 4298-84半导体硅材料中杂质元素的中子活化分析方法[/URL]

[font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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[font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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[font=&]　当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] 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各位大侠， 一般情况是，分析固态物质的X射线衍射较多，，但是对于熔体的物质又是如何分析呢？特别是熔体半导体锗的X射线衍射数据，如何分析呀? 小的在此拜谢啦！

【题名】：Si_3N_4/Si半导体电极的研究【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-HXCH198503018.htm

半导体器件芯片内部失效分析 超声波扫描显微镜（扫描频率最高可以达到２Ｇ）． 其主要是针对半导体器件 ,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/emyc1002.gif请点激链接:半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。ＸRAY 与C-SAM区别ＸRAY：X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形　在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞，很容易探测到. 而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难，因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法，这已是破坏性分析了。C－SAM：由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力，根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。 超声波在行经介质时，若遇到不同密度或弹性系数之物质时，即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此，只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时，即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置C-SAM服务超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等）· 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等; 材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；

[font=&]【题名】：固态氯离子敏感半导体传感器的研究[/font][font=&][size=12px][color=#333333][/color][/size][/font][font=&]【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-CGJS199104009.htm[/font]

测固体(ZnO,SnO2等半导体)的室温荧光光谱(PL)，分析深度是多少？欢迎指教，最好给出出处，有金币奉上哈……

中国科技网讯 以往的研究表明，二维碳薄片石墨烯拥有一个通用的光吸收系数。而据物理学家组织网近日报道，现在，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的科学家首次证实，所有的二维半导体也同样普遍适用于一个类似的简单吸光规律。他们利用超薄半导体砷化铟薄膜进行的实验发现，所有的二维半导体，包括受太阳能薄膜和光电器件行业青睐的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，都有一个通用的吸收光子的量子单位，他们称之为“AQ”。相关研究论文发表在美国《国家科学院学报》上。 从太阳能电池到光电传感器再到激光器和各类成像设备，许多当今的半导体技术都是基于光的吸收发展起来的。吸光性对于量子阱中的纳米尺度结构来说尤为关键。量子阱是由带隙宽度不同的两种薄层材料交替生长在一起形成的具有量子限制效应的微结构，其中的电荷载流子的运动被限制在一个二维平面上，能带结构呈阶梯状分布。 “我们使用无需支撑的厚度可减至3纳米的砷化铟薄膜作为模型材料系统，来准确地探测二维半导体薄膜的厚度和电子能带结构对光吸收性能的影响。”论文的通信作者、劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部的科学家兼加州大学伯克利分校电气工程和计算机科学教授阿里·贾维说，“我们发现，这些材料的阶梯式光吸收比与材料的厚度和能带结构无关。” 他们将超薄的砷化铟膜印在由氟化钙制作的光学透明衬底上，砷化铟膜吸收光，氟化钙衬底不吸光。贾维说：“这样我们就能够根据材料的能带结构和厚度来研究厚度范围在3纳米到19纳米之间的薄膜的吸光性能。” 借助伯克利实验室先进光源的傅立叶变换红外分光镜，贾维团队在室温下测出了从一个能带跃迁到下一个能带时的光吸收率。他们观察到，随着砷化铟薄膜能带的阶梯式跃迁，AQ值也以大约1.7%的系数相应地逐级递增或者递减。 “这种吸光规律对于所有的二维半导体来说似乎是普遍适用的。”论文另一个通信作者、电气工程师伊莱·雅布洛诺维奇说，“我们的研究结果加深了对于强量子限制效应下的电子—光子相互作用的基本认识，也为了解如何使二维半导体拓展出新奇的光子和光电应用提供了独特视角。”（陈丹） 《科技日报》（2013-8-5 二版）

[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=152866]关于半导体检测分析设备[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]的日常维护[/url]摘要：介绍了半导体检测设备ICP—MS在半导体3-业中的发展及几个重要组成部件的功用，着重介绍了该设备各主要部件的维护。

大家好，请问变压器专用色谱柱配合半导体检测器TGS813使用时，色谱峰为什么分不开，理论上半导体检测器的灵敏度要高于TCD检测器，但测试结果却不然，色谱柱配合离线色谱仪的TCD检测器使用时，色谱峰的分离效果很好，请大家帮我分析一下是什么原因，是那个环节出问题了，是不是与进样方式有关系呢，是不是进样速度不够快呢？

新一期英国《自然·纳米技术》杂志日前刊登报告说，单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。　　辉钼是钼的二硫化物。瑞士洛桑联邦高等理工学院的研究人员报告说，辉钼在自然界中含量丰富，常用于冶炼合金等领域，但之前对它电学性能的研究却不多，而实际上单层辉钼材料具有良好的半导体特性。　　与现在广泛使用的硅材料相比，辉钼具有两个主要优点：一是达到同等效用的体积更小。只有0.65纳米厚的辉钼材料，电子在其中能像在2纳米厚的硅材料中那样自如移动，同时，现有技术还无法将硅材料制作得跟辉钼材料一样薄；二是能耗更低。据估计，辉钼制成的晶体管在待机状态下消耗的能量只是硅晶体管的约十万分之一。　　本次研究关注的是只有一层二硫化钼分子的辉钼材料，它与现在的研究热门石墨烯类似，后者是只有一层碳原子的超薄材料，也被看做是下一代半导体的热门材料，有关它的研究成果获得2010年诺贝尔物理学奖。　　但报告说，半导体材料的一个重要特征是具有“能隙”，以便制作半导体开关。辉钼能隙的值非常理想，而石墨烯的能隙为零。如何为石墨烯加上合适的能隙是困扰相关研究的一个难题，这使得辉钼与石墨烯相比也具有优势。　　领导研究的安德拉斯·基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景。(新华网记者黄堃)

[font=&]【题名】： 半导体金属氧化物气体传感器灵敏性的研究进展[/font][font=&]【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-TCXB201303023.htm[/font]

这儿有一份关于TiO2半导体光催化反应器的研究进展的报告，内容浅显易懂且比较全面，大家可以借鉴一下！

问题描述：半导体[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]分析用到的样品瓶如何清洗？解答：[font=宋体][color=black]通常，半导体样品中痕量金属含量非常低，低的空白是质量控制的重要方面。空白来源多样，其中之一就是分析时使用到的器皿。[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]PFA , LDPE[/color][/font][font=宋体][color=black]等样品瓶应用广泛，其沾污的控制对于半导体[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black][url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url][/color][/font][font=宋体][color=black]分析至关重要。在样品瓶用于半导体样品分析时，需要进行合理的清洗。[/color][/font][font=宋体][color=black]典型样品瓶清洗步骤如下：[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]5%[/color][/font][font=宋体][color=black]硝酸（[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]HNO3[/color][/font][font=宋体][color=black]）浸泡一周[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]5%[/color][/font][font=宋体][color=black]盐酸（[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]HCl[/color][/font][font=宋体][color=black]）浸泡一周[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]5%[/color][/font][font=宋体][color=black]氢氟酸（[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]HF[/color][/font][font=宋体][color=black]）浸泡一周[/color][/font][font=宋体][color=black]超纯水（[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]UPW[/color][/font][font=宋体][color=black]）浸泡一周[/color][/font][font=宋体][color=black]超纯水（[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]UPW[/color][/font][font=宋体][color=black]）装满容器拧紧瓶盖[/color][/font]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》

[b]职位名称：[/b]广东省半导体产业技术研究院-博士骨干研发人员[b]职位描述/要求：[/b]高层次人才1.资历：知名大学或科研机构的正副教授、高级研究人员、知名企业研发部门负责人或高级研发人员；在所从事的研究领域具有较高的学术造诣和影响力，或有重大的技术创新经验和成果；年龄一般在45周岁以下，特别优秀的可放宽。2.专业：半导体相关领域。3.待遇：提供具有国际竞争力的待遇，采取年薪、股权、或年薪+股权混合方式，具体面议；。4.根据个人意愿，积极支持申报国家、省级人才计划。博士骨干研发人员1.专业：凝聚态物理、微电子学、电子与电路设计、半导体物理与器件、光电子学、材料学等专业有较好的科研或技术开发业绩，年龄一般在35周岁以下，特别优秀的可放宽。2.主要研究领域：MOCVD半导体外延生长，半导体芯片工艺，半导体器件封装与集成，VECSEL，半导体激光器，电子电路设计及新型显示技术等（TFT及CMOS驱动显示IC设计），氮化物半导体材料与器件外延技术，新型宽禁带半导体材料及器件开发，半导体器件设计与制备，半导体材料器件表征分析，光学设计，图像处理算法。3.待遇：按广东省委省政府给予广东省科学院的优惠政策，待遇下有保底、上不封顶；特别优秀者可实行年薪制。博士后1.专业：凝聚态物理、微电子学、电子与电路设计、半导体物理与器件、光电子学、材料学等专业。2.主要研究领域：MOCVD半导体外延生长，半导体芯片工艺，VECSEL，半导体器件封装与集成，半导体材料器件表征分析，电子电路设计及新型显示技术等（TFT及CMOS驱动显示设计）。3.待遇：按广东省委省政府给予广东省科学院的优惠政策，提供具有竞争力的待遇，年薪20-35万；出站考核优秀者，可留院工作。研发支撑岗1.岗位需求：MOCVD半导体外延生长，半导体芯片工艺，半导体器件封装与集成，VECSEL，半导体激光器，电子电路设计及新型显示技术等（TFT及CMOS驱动显示IC设计），氮化物半导体材料与器件外延技术，新型宽禁带半导体材料及器件开发，半导体器件设计与制备，半导体材料器件表征分析，光学设计，图像处理算法等研究领域的硕士研究生，具有一定工作经验的优先考虑。2.待遇：提供具有竞争力的待遇，具体面谈。[b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/50289]查看全部[/url]

研究太阳电池、光电性质时强大的分析方法！[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=55571]基于半导体光源的光活性体系动态测试系统[/url]

为宣传和贯彻获准发布的9项半导体照明行业标准，中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会。本次大会得到工业和信息化部、广东省经济和信息化委员会、江门市人民政府及国内外上中下游厂商的大力支持。出席本次大会的领导有工业与信息化部科技司韩俊副司长、电子信息司丁文武副司长、关白玉副巡视员、广东省经济和信息化委员会彭平副主任，中国电子技术标准化研究所张宏图副所长、江门市人民政府常务副市长吴紫骊、副市长易中强等领导，共汇集了国内外上中下游重要厂商、研究机构、行业协会以及政府机构等代表400多人报名参会。 此次大会发布的标准包括《SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法》、《SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉》、《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法》、《SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱》以及《SJ/T 11395-2009半导体照明术语》共9项，涵盖LED材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域。 大会邀请了工业和信息化部半导体照明技术标准工作组各项标准起草专家分别对9项电子行业标准进行详细讲解，主要讲师包括中国光电协会副秘书长胡爱华、中电十三所张万生教授、浙大三色董事长牟同升、深圳淼浩总经理李明远、有研稀土研发主任庄卫东等，他们现场讲解标准的技术内容、测试方法操作时应注意的问题以及产品规范类标准编写实例等。

[font=&]【题名】： 金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展[/font][font=&]【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-CLDB201103012.htm[/font]