半导体失效分析

失效分析是芯片测试重要环节，无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品，失效分析可以帮助降低成本，缩短周期。常见的半导体失效都有哪些呢？下面为大家整理一下：显微镜分析OM无损检测金相显微镜OM：可用来进行器件外观及失效部位的表面形状，尺寸，结构，缺陷等观察。金相显微镜系统是将传统的光学显微镜与计算机（数码相机）通过光电转换有机的结合在一起，不仅可以在目镜上作显微观察，还能在计算机（数码相机）显示屏幕上观察实时动态图像，电脑型金相显微镜并能将所需要的图片进行编辑、保存和打印。金相显微镜可供研究单位、冶金、机械制造工厂以及高等工业院校进行金属学与热处理、金属物理学、炼钢与铸造过程等金相试验研究之用，实现样品外观、形貌检测 、制备样片的金相显微分析和各种缺陷的查找等功能。体视显微镜OM无损检测体视显微镜，亦称实体显微镜或解剖镜。是一种具有正像立体感的目视仪器，从不同角度观察物体，使双眼引起立体感觉的双目显微镜。对观察体无需加工制作，直接放入镜头下配合照明即可观察，成像是直立的，便于操作和解剖。视场直径大，但观察物要求放大倍率在200倍以下。体视显微镜可用于电子精密部件装配检修，纺织业的品质控制、文物 、邮票的辅助鉴别及各种物质表面观察等领域，实现样品外观、形貌检测 、制备样片的观察分析、封装开帽后的检查分析和晶体管点焊检查等功能。X－Ray无损检测X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击，在撞击过程中，因电子突然减速，其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置，利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化，产生的对比效果可形成影像，即可显示出待测物的内部结构，进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。X-Ray可用于产品研发，样品试制，失效分析，过程监控和大批量产品观测等，实现观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板，观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况，芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷，以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷等功能。C-SAM（超声波扫描显微镜)无损检测超声扫描显微镜是一种利用超声波为传播媒介的无损检测设备。在工作中采用反射或者透射等扫描方式来检查材料内部的晶格结构，杂质颗粒、夹杂物、沉淀物、内部裂纹、分层缺陷、空洞、气泡、空隙等。I/V Curve量测可用于验证及量测半导体电子组件的电性、参数及特性。比如电压-电流。集成电路失效分析流程中，I/V Curve的量测往往是非破坏分析的第二步（外观检查排在第一步），可见Curve量测的重要性。I/V Curve量测常用于封装测试厂，SMT领域等，实现Open/Short Test、 I/V Curve Analysis、Idd Measuring和Powered Leakage（漏电）Test功能。SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）扫描电镜（SEM）SEM/EDX（形貌观测、成分分析）扫描电镜（SEM）可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的，根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜（SEM）使用，可以对样品进行微区成分分析。在军工，航天，半导体，先进材料等领域中，SEM/EDX（形貌观测、成分分析）扫描电镜（SEM）可实现材料表面形貌分析，微区形貌观察，材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析，薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析，纳米尺寸量测及标示和微区成分定性及定量分析等功能EMMI微光显微镜微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电流产生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题Probe Station 探针台测试探针台主要应用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本，可用于Wafer，IC测试，IC设计等领域。FIB（Focused Ion beam）线路修改FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam）是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似，或用强电流离子束对表面原子进行剥离，以完成微、纳米级表面形貌加工。在工业和理论材料研究，半导体，数据存储，自然资源等领域，FIB可以实现芯片电路修改和布局验证、Cross-Section截面分析、Probing Pad、 定点切割、切线连线，切点观测，TEM制样，精密厚度测量等功能。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。取die用酸法去掉塑封体，漏出die decap（开封，开帽）利用芯片开封机实现芯片开封验证SAM，XRAY的结果。Decap即开封，也称开盖，开帽，指给完整封装的IC做局部腐蚀，使得IC可以暴露出来，同时保持芯片功能的完整无损，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备，方便观察或做其他测试（如FIB，EMMI）， Decap后功能正常。化学开封Acid DecapAcid Decap，又叫化学开封，是用化学的方法，即浓硫酸及发烟硝酸将塑封料去除的设备。通过用酸腐蚀芯片表面覆盖的塑料能够暴露出任何一种塑料IC封装内的芯片。去除塑料的过程又快又安全，并且产生干净无腐蚀的芯片表面。研磨RIERIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。 自动研磨机自动研磨机适用于高精微（光镜，SEM，TEM，AFM，ETC）样品的半自动准备加工研磨抛光，模块化制备研磨，平行抛光，精确角抛光，定址抛光或几种方式结合抛光，主要应用于半导体元器件失效分析，IC反向等领域，实现断面精细研磨及抛光、芯片工艺分析、失效点的查找等功能。 其可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料，可以高速自动切割材料，提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调整步进电动机的切割距离、力度、样品输入比率和自动进刀比率等。去金球 De-gold bump,去层,染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。芯片失效分析步骤:1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；2、电测：主要工具，万用表，示波器，sony tek370a3、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析，孔洞气泡失效分析（原作者：北软失效分析赵工）

2023年10月18-20日，仪器信息网(www.instrument.com.cn) 与电子工业出版社将联合主办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会。iCSMD 2023会议围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件的材料分析、失效分析、可靠性测试、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。本次大会分设：半导体材料分析技术新进展、可靠性测试和失效分析技术、可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）、缺陷检测和量测技术4个主题专场，诚邀业界人士报名参会。主办单位：仪器信息网，电子工业出版社参会方式：本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/ 或扫描二维码报名“可靠性测试和失效分析技术（上午场）”专场预告（注:最终日程以会议官网为准）时间报告题目演讲嘉宾专场：可靠性测试和失效分析技术（10月19日上午）9:30碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌（中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人）10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）10:30失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品质量检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）11:00半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁（甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司 失效分析工程师）嘉宾简介及报告摘要（按分享顺序）田鸿昌 中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人【个人简介】田鸿昌，工学博士，博士后，高级工程师，主要从事宽禁带半导体功率器件与应用研究。2010年于西安电子科技大学自动化专业获学士学位，2015年于上海交通大学电子科学与技术专业获博士学位，2017年-2020年作为浙江大学-中国西电集团有限公司联合培养博士后从事电气工程专业研究。现任中国电气装备集团科学技术研究院电力电子器件专项负责人、中国电气装备集团有限公司科学技术委员会电力电子专家委员，兼任中国电工技术学会电力电子专委会委员、中国西电集团有限公司高层次科技创新领军人才、陕西省半导体与集成电路共性技术研发平台技术负责人、西安电子科技大学和西安交通大学研究生校外导师、陕西省电源学会常务理事、陕西省秦创原“科学家+工程师”团队首席工程师、陕西省“三秦学者”创新团队骨干成员。获得授权发明专利18项，发表学术论文20余篇，出版专著1部。主持科技部国家重点研发计划课题“高可靠性碳化硅MOSFET器件中试生产关键技术研究”，主持和参与国家级、省市级、企业级科研项目10余项。报告题目：碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究【摘要】报告首先从“双碳”目标下新型电力系统的发展需求，联系到碳化硅功率半导体器件的特性优势与发展现状，而后讨论了碳化硅功率在新型电力系统的多方面应用情况，最后介绍了对碳化硅器件发展起着重要作用的可靠性测试研究与相应的研究进展。马英起 中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师【个人简介】马英起，男，中国科学院国家空间科学中心正高级工程师，太阳活动与空间天气重点实验室空间天气效应中心主任，中科院大学博士生导师，中科院青促会优秀会员，中国光学工程学会激光技术应用专委会委员。主要研究方向为航天器空间环境效应研究与应用、电路与电子系统设计。在卫星器件电路抗辐射研究领域，系统开展辐射效应机理、评估及加固设计验证技术研究，形成的单粒子效应脉冲激光关键技术相关研究成果及系列抗辐射试验平台，支撑了空间科学先导专项、载人航天空间站、月球与深空探测、核高基、高分六号等国家重大任务，形成国家级标准2项。近年来发表论文50余篇、授权发明专利10余项，获省部级科技进步一等奖1项、二等奖1项。报告题目：集成电路激光试验测试技术研究【摘要】概述基于激光光电效应、光热效应、电光效应等机制，开展航天单粒子效应及集成电路缺陷检测应用研究。江海燕 北京软件产品质量检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理【个人简介】擅长半导体集成电路失效分析FIB，SEM，EDX，SAT，EMMI，Decap，X-RAY，IV，Probe，OM分析等。报告：失效半导体器件检测技术及案例分享【摘要】本次报告聚焦于集成电路失效分析技术分享，从失效分析的研究方法展开，重点分享失效分析检测手段应用，包含设备基本功能介绍和案例展示，致力于检测技术推广。贾铁锁 甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司 失效分析工程师【个人简介】贾铁锁，毕业于大连海事大学材料科学与工程专业，对电子元器件失效模式和失效机理有丰富的理论和实践经验，为产品失效分析提供专业解决方案。甬江实验室材料分析与检测中心失效分析技术工程师，长期从事半导体器件失效分析工作，对元器件可靠性、失效分析、失效模式、失效机理等基本概念有科学认知，熟悉电子元器件常见失效模式与失效机理，建立一套对不同元器件失效分析的思路和方法，通过坚实的理论基础与科学的检测仪器分析相结合，解决元器件失效分析相关问题。报告：半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析【摘要】 报告如下 1. 半导体元器件门类，16大类49小类，挑选部分元器件做讲解。 2. 失效分析的相关介绍：定义和作用、典型失效机理介绍、失效分析的一般流程、关键站点的介绍等 3. 分析技术：方法论和技术介绍，常用失效分析方法，常用技术分析，诸如电性测试、样品制备、失效点定位，FIB微区加工等 4. 失效分析案例解析。会议联系会议内容仪器信息网康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn

新一代超高灵敏度半导体芯片失效分析热成像显微镜日前在美国问世，于2014年3月18日慕尼黑上海电子展上在大中华区发布并在中国大陆，台湾和香港同步上市，由孚光精仪公司负责该区域销售和售后服务。新一代热发射显微镜采用锁相热成型技术，可探测到1mK (0.001°C) 的器件温度变化，可探测到 100 μW 的功率变化。据悉，这种热发射显微镜可快速定位半导体器件的温度异常点，从而找到漏电等失效点位置。这种热发射显微镜不需要对器件表面处理，可对裸器件和封装器件失效分析，也可定位SMD器件的低功率位置，比如电容泄露测试。除了失效分析之外，这套热发射显微镜还具有器件的真实温度测量功能，以及结点温度，热阻和芯片黏着 Die Attach分析功能。详情浏览：http://www.f-opt.cn/rechengxiang/hongwaixianweijing.html应用领域：器件漏电分析栅极和漏极之间的电阻短路分析封装器件的复合模具短路分析Latch-up点定位金属性短路分析缺陷晶体管和二极管定位分析氧化层击穿SMD元件漏电分析特色和功能超高灵敏度失效点定位堆叠芯片的缺陷深度分析真实温度测量结点温度测量封装和裸露器件分析正面和背面分析检测芯片粘接问题

前言芯片封装的主要目的是为了保护芯片，使芯片免受苛刻环境和机械的影响，并让芯片电极和外界电路实现连通，如此才能实现其预先设计的功能。常用的一种封装技术是包封或密封，通常采用低温的聚合物来实现。例如，导电环氧银胶用于芯片和基板的粘接，环氧塑封料用于芯片的模塑封，以及底部填充胶用于倒装焊芯片与基板间的填充等。主要的封装材料、工艺方法及特性如图1所示。包封必须满足一定的机械、热以及化学特性要求，不然直接影响封装效果以及整个器件的可靠性。流动和粘附性是任何包封材料都必须优化实现的两个主要物理特性。在特定温度范围内的热膨胀系数（CTE）、超出可靠性测试范围（-65℃至150℃）的玻璃化转变温度（Tg）对封装的牢固性至关重要。对于包封，以下要求都是必须的：包封材料的CTE和焊料的CTE比较接近以确保两者之间的低应力；在可靠性测试中，玻璃转化温度（Tg）能保证尺寸的稳定性；在热循环中，弹性模量不会导致大的应力；断裂伸长率大于1%；封装材料必须有低的吸湿性。但是，这些特性在某种类型的环氧树脂里并不同时具备。因此，包封用的环氧树脂是多种环氧的混合物。表1列出了倒装焊底部填充胶的一些重要的特性。随着对半导体器件的性能要求越来越高，对封装材料的要求同步提高，尤其是在湿气的环境下，性能评估和热失效分析更是至关重要，而这些都可以通过热分析技术给予准确测量，并可进一步用于工艺的CAE模拟仿真，帮助准确评估封装质量的优劣与否。表1 倒装焊中底部填充胶的性能要求[1]图1. 主要封装材料、工艺方法及特性[2]热性能检测梅特勒托利多全套热分析技术为半导体封装材料的性能评估和热失效分析提供全面、创新的解决方案。差示扫描量热仪DSC可以精准评估封装材料的Tg、固化度、熔点和Cp，并且结合行业内具有优势的动力学模块（非模型动力学MFK）可以高精准评估环氧胶的固化反应速率，从而为Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶的流动特性提供可靠的数据。如图2所示，在非模型动力学的应用下，环氧胶在180℃下所预测的固化速率与实际测试曲线所表现出的固化行为具有非常高的一致性。热重TGA或同步热分析仪TGA/DSC可以准确测量封装材料的热分解温度，如失重1%时的温度，以及应用热分解动力学可以评估焊料在一定温度下的焊接时间。热机械分析仪TMA可以精准测量封装材料的热膨胀、固化时的热收缩、以及CTE和Tg，动态机械分析仪DMA提供封装材料准确的弹性模量、剪切模量、泊松比、断裂伸长率等力学数据，进一步可为Moldex 3D模拟芯片封装材料的翘曲和收缩提供可靠数据来源。图2. DSC结合非模型动力学评估环氧胶的固化反应速率检测难点1、 凝胶时间凝胶时间是Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶流动特性的非常重要的数据来源之一。目前，行业内有多种测试凝胶时间的方法和设备。比如利用拉丝原理的凝胶时间测试仪，另有国家标准GB 12007.7-89环氧树脂凝胶时间测定方法[3]，即利用标准柱塞在环氧树脂固化体系中往复运动受阻达到一个值而指示凝胶时间。但是，其对柱塞的形状和浮力要求较高，测试样品量也很大，仅适用于在试验温度下凝胶时间不小于5 min的环氧树脂固化体系，并且不适用于低于室温的树脂、高粘度树脂和有填料的体系。由此可见，现有测试方法都存在测试误差、硬件缺陷和测试范围有限等问题。梅特勒托利多创新性TMA/SDTA2+的DLTMA（动态载荷TMA）模式结合独家的负力技术可以准确测定凝胶时间。在常规TMA测试中，探针上施加的是恒定力，而在DLTMA模式中，探针上施加的是周期性力。如图3右上角插图所示，探针上施加的力随时间的变化关系，力在0.05N与-0.05N之间周期性变化，这里尤为关键的一点是，测试凝胶时间必须要使用负力，即不仅需要探针往下压，还需要探针能够自动向上抬起。图3所示案例为测试导电环氧银胶的凝胶时间，样品置于40μl铝坩埚内并事先固定在TMA石英支架平台上，采用直径为1.1 mm的平探针在恒定160℃条件下施加正负力交替变换测试。在未发生凝胶固化之前，探针不会被样品粘住，负力技术可使探针自由下压和抬起，测试的位移曲线表现出较大的位移变化。当发生交联固化，所施加的负力不足以将探针从样品中抬起，位移振幅突然减小为0，曲线成为一条直线。通过分析位移突变过程中的外推起始点即可得到凝胶时间。此外，固化后的环氧银胶片，可通过常规的TMA测试获得Tg以及玻璃化转变前后的CTE，如图3下方曲线所示。图3. 上图：TMA/SDTA2+的DLTMA模式结合负力技术准确测定凝胶时间. 下图：固化导电环氧银胶片的CTE和Tg测试.2、 弯曲弹性模量在热循环过程中，弹性模量不会导致过大的应力。封装材料在不同温度下的弹性模量可通过DMA直接测得。日本工业标准JIS C6481 5.17.2里要求使用弯曲模式对厚度小于0.5mm、跨距小于4mm、宽度为10mm的封装基板进行弯曲弹性模量测试。从DMA测试技巧角度来讲，如此小尺寸的样品应首选拉伸模式测试。弯曲模式在DMA中一共有三种，即三点弯曲、单悬臂和双悬臂，从样品的刚度及夹具的刚度和尺寸考虑，三点弯曲和双悬臂并不适合此类样品的测试。因此，单悬臂成为唯一的可能性，但考虑到单悬臂夹具尺寸和跨距小于4mm的要求，市面上大部分DMA难以满足此类测试。梅特勒托利多创新性DMA1另标配了单悬臂扩展夹具，可方便夹持小尺寸样品并能实现最小跨距为1mm的测试。图4为对厚度为40μm的基板分别进行x轴和y轴方向上的单悬臂测试，在跨距3.5mm、20Hz的频率下以10K/min的升温速率从25℃加热至350℃。从tan delta的出峰情况可以判断基板的Tg在241℃左右，以及在室温下的弯曲弹性模量高达12-13GPa。图4. DMA1单悬臂扩展夹具测试封装基板的弯曲弹性模量.3、 湿气对封装材料的影响湿气腐蚀是IC封装失效的主要原因，其降低了器件的性能和可靠性。保存在干燥环境下的封装环氧胶，完全固化后在高温和高湿气环境下也会吸湿发生水解，降低封装体的机械性能，无法有效保护内部的芯片。此外，焊球和底部填充环氧胶之间的粘附强度在湿气环境中放置一段时间后也会遭受破坏。水汽的吸收导致环氧胶的膨胀，并引起湿应力，这是引线连接失效的主要因素。通过湿热试验可以对封装材料的抗湿热老化性能进行系统的评估，进而对其进行改善，提升整体性能。通常是采用湿热老化箱进行处理，然后实施各项性能的评估。因此，亟需提供一种能够提高封装材料湿热老化测试效率的方法。梅特勒托利多TMA/SDTA2+和湿度发生器的联用方案，以及DMA1和湿度发生器的联用方案可以实现双85（85℃、85%RH）和60℃、90%RH的技术参数，这也是行业内此类湿度联用很难达到的技术指标。因此，可以原位在线环测封装材料在湿热条件下的尺寸稳定性和力学性能。图5. TMA/SDTA2+-湿度联用方案测试高填充环氧的尺寸变化.图5显示了TMA-湿度联用方案在不同湿热程序下高填充环氧的尺寸变化。湿热程序分别为20℃、60%RH、约350min，23℃、50%RH、约350min，30℃、30%RH、约350min，40℃、20%RH、约350min，60℃、10%RH、约350min，80℃、5%RH、约350min。可以看出，在60%的高湿环境下高填充环氧在350min内膨胀约0.016%，后续再降低湿度并升高温度，样品主要在温度的作用下发生较大的热膨胀。图6为DMA-湿度联用方案在双85的条件下评估PCB的机械性能的稳定性，测试时间为7天。可以看出，PCB在高湿热的环境下弹性模量有近似6%的变化，这与PCB的树脂材料发生吸湿后膨胀并引起湿应力是密不可分的，并且存在导致器件失效的风险。图6. DMA1-湿度联用方案测试PCB的弹性模量.4、 化学品质量对于封装结果的影响封装过程中会使用到各类的湿电子化学品，尤其是晶圆级封装等先进封装的工艺流程，对于清洗液、蚀刻液等材料的质量管控可以类比晶圆制造过程中的要求，同时针对不同工艺段的化学品浓度等配比都有所不同，因此如何控制使用的电子化学品质量对于封装工艺的效能有着重要的意义。下表展示了部分涉及到的化学品浓度检测的滴定检测方案，常规的酸碱滴定、氧化还原滴定可以基本满足对于单一品类化学品浓度的检测需求。指标电极滴定剂样品量85%H3PO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g96%H2SO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g70%HNO3酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g36%HCl酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g49%HF特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH0.3~0.4gDHF（100：1）特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH20-30g29%氨水酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.9~1.2gECP（acidity）酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈8g29%NH4OH酸碱玻璃电极1mol/L HCl0.5~1gCTS-100清洗液酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈1g表1. 部分化学品检测方法列表另一方面，对于刻蚀液等品类，常常会用到混酸等多种物质混配而成的化学品，以起到综合的反应效果，如何对于此类复杂的体系浓度进行检测，成为实际生产过程中比较大的挑战。梅特勒托利多自动电位滴定仪，针对不同的混合液制订不同的检测方案，如铝刻蚀液的硝酸/磷酸/醋酸混合液，在乙醇和丙二醇混合溶剂的作用下，采用非水酸碱电极针对不同酸液pKa的不同进行检测，得到以下图谱，一次滴定即可测定三种组分的含量。图7. 一种铝刻蚀液滴定曲线结论梅特勒托利多一直致力于帮助用户提高研发效率和质量控制，我们为半导体封装整个产业链提供完整专业的产品、应用解决方案和可靠服务。梅特勒托利多在半导体封装行业积累了大量经验和数据，希望我们的解决方案给半导体封装材料性能评估的工作者带来帮助。参考文献[1] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 15. 密封与包封基础 page 544-545.[2] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 18. 封装材料与工艺基础 page 641.[3] GB12007.7-89：环氧树脂凝胶时间测定方法.（梅特勒-托利多 供稿）

随着摩尔定律的发展逼近极限，3D封装技术对于半导体器件性能的提高越来越重要。3D封装器件失效分析面临的挑战是如何暴露出深埋的内部连接、倒装芯片和焊点等结构。TESCAN将高通量 i-FIB+TM Xe 等离子 FIB镜筒与 Triglav TM UHR 电子镜筒配对，以扩展 FIB 在物理失效分析的极限，实现了超大宽度和深度横截面加工的技术突破。Xe 等离子FIB充分满足了3D封装物理失效分析的无机械应力，定点加工和快速制备大尺寸截面等要求。9月2日，15点，来自TESCAN半导体研发实验室的专家将为大家介绍如何使用更高效的工具和手段来增加半导体失效分析任务中的通量和灵活性。（报告期间有中文翻译）精彩看点1. 从专业视角解读如何通过超大面积和深度的截面加工助力先进封装、微机电器件和光电集成产品的分析检测工作2. 无Ga 污染TEM样品制备、小于10 纳米制程芯片的高质量逐层剥离（delayering），和大尺度晶圆导航观测，以实现微电子器件的高集成度、高密度和小型化。如果你是失效分析实验室工程师、第三代半导体产线研发工程师、设计工程师，或者正在学习相关专业课程，都欢迎你加入我们的直播，与技术专家在线交流。直播时间9月2日，15:00-16:00扫描下方二维码即刻报名，接收直播链接通知：讲师介绍Lukas Hladik TESCAN失效分析半导体研发实验室，产品经理多年从事全球半导体行业失效分析检测研究工作。获得物理工程和纳米技术硕士学位后，于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING，担任Plasma FIB-SEM的应用专家，专注于FIB-SEM、表征和去层/电子探针解决方案。9月2日15:00与您相约直播间🔻 记得提前注册报名，才能收到直播链接哦 🔻 （报告期间有中文翻译）红包福利1. 转发此图文至微信群或朋友圈2. 添加以下🔻客服微信🔻，备注：互动福利3. 截图给客服4. 审核通过，加入现金红包抽奖群5. 抽奖时间：2021年9月1号（*最终解释权归泰思肯（中国）所属）大家都在用的：高效双束扫描电镜TESCAN 是全球首家将等离子 FIB 集成到扫描电子显微镜（SEM）中的制造商，并于2019年底推出了新一代的 AMBER X 和 SOLARIS X。其中 TESCAN AMBER X 完美地结合了可用于样品精确加工的氙等离子体 FIB 和无漏磁的超高分辨成像的 SEM，适合于各类材料的显微结构表征。氙等离子体 FIB 与传统的金属镓离子的 FIB 相比，在小束斑的大离子束流上具有明显的优势。因此，它可以用更快的速度完成样品切削工作，并且仍然能完成精细加工和抛光，并实现15 nm的高分辨率成像。搜索“ 中国电镜用户之家”，了解更多应用案例。

2023年10月18-20日，仪器信息网(www.instrument.com.cn) 与电子工业出版社将联合主办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会。iCSMD 2023会议围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件的材料分析、失效分析、可靠性测试、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。本次大会分设：半导体材料分析技术新进展、可靠性测试和失效分析技术、可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）、缺陷检测和量测技术4个主题专场，诚邀业界人士报名参会。主办单位：仪器信息网，电子工业出版社参会方式：本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/ 或扫描二维码报名“可靠性测试和失效分析技术”专场预告（注:最终日程以会议官网为准）时间报告题目演讲嘉宾专场：可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）（10月19日下午）专场主持人：吕宏峰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:00高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:00集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师）16:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）16:30电子制造中的可靠性工程邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师）17:00集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）嘉宾简介及报告摘要（按分享顺序）专场主持人：吕宏峰 工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师【个人简介】吕宏峰，博士，高级工程师，主要从事元器件质量与可靠性相关的科研任务，累计负责和参与省部级项目20余项，具有丰富的测试检测及科研经验，发表SCI\EI论文十余篇，授权专利4项，编撰2本技术专著。报告题目：碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究师谦 工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师【个人简介】师谦，中国赛宝实验室（工业和信息化部电子第五研究所）高级工程师, 硕士，现任工业和信息化部电子第五研究所元器件可靠性研究分析中心元器件可靠性工程部总工。硕士毕业于电子科技大学微电子技术专业。1998年入职工业和信息化部电子第五研究所元器件可靠性研究分析中心，专业从事集成电路失效机理，失效分析技术和环境适用性试验技术研究。荣获省部级科技奖6次，主持和参与4项国家标准制定，参与发表专著和文章7篇。报告题目： 高端集成电路5A分析评价技术【摘要】高端芯片的可靠性保证技术，在材料，工艺和外部应力几个层面进行分析评价，实现产品可靠性提升。刘丽媛 工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师【个人简介】刘丽媛，女，毕业于中山大学微电子学与固体电子学专业，硕士研究生，长期从事分立器件、集成电路等元器件可靠性分析和评价工作，擅长塑封集成电路在航空装备领域及全海深无人潜水器领域的应用风险评估，2018年获得国防科学技术进步奖一等奖一项，2020年作为项目负责人完成电子元器件领域省部级科研项目1项，参与其他国家重大工程、研究项目10余项，包括广东省科技厅重点领域研发计划高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术、面向高频开关电源应用的8英寸Si衬底上GaN基功率器件的关键技术研究及产业化等，并参与国家新材料测试评价平台-战略性电子材料测试评价中心建设工作，曾与航空装备研制单位、无人深潜器研制单位、电力企业、家电企业等开展多项项目合作，连续5年担任国际标准组织JEDEC质量与可靠性委员会中国区工作组秘书长，发表论文10余篇。报告题目： 光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用【摘要】报告简要介绍光学显微镜的分类、原理和特点，重点结合应用案例讲解光学显微技术在半导体失效分析中的重要作用，如样品外观、内部结构检查及失效发现，与电学分析、化学分析联用分析等。邓传锦 工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师【个人简介】工业和信息化部电子五所高级工程师，主要从事元器件可靠性寿命及环境试验评估方法研究，具有超过10年丰富的一线试验操作经验，熟悉各类元器件检测试验标准，对元器件可靠性试验评价有独特的见解。承担了多项省部级机械试验、寿命试验方面检测技术研究类课题，发表机械试验、寿命试验及环境试验方面论文13篇，EI收录8篇。报告题目： 集成电路振动、冲击试验评价【摘要】1、集成电路振动试验评价 对集成电路常用振动试验标准中扫频振动、随机振动试验条件、方法、注意事项及振动夹具设计测试方法进行讲解。 2、集成电路冲击试验评价 对集成电路常用冲击试验标准中标准波形冲击、冲击响应谱、轻量级冲击、瞬态脉冲波形冲击等试验条件、方法、注意事项及失效案例进行讲解。蔡金宝 工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师【个人简介】蔡金宝，硕士，高级工程师，毕业于北京大学微电子与固体电子学，现任工业和信息化部电子第五研究所系统工程中心项目工程部主任，主要从事电子系统元器件级、板级的可靠性研究和分析工作，主持过多个行业龙头企业的可靠性提升服务工作。在电子产品的可靠性工作流程优化、可靠性增长与评价、故障根因分析、物料评估与优选、寿命分析与评价方面有着丰富的工作经验。在电子元器件可靠性管控方面，曾为通讯、家电、军工、汽车电子等行业的标杆客户提供服务，包括定制模块的可靠性评估与增长、物料选用体系优化、替代物料的验证等。报告题目： 光发射显微镜原理及在失效分析中的应用【摘要】光发射显微镜技术（EMMI）和激光扫描显微镜技术（OBIRCH）能快速定位芯片失效区域，广泛应用于器件的失效分析。本报告主要介绍EMMI和OBIRCH的理论基础和成像原理，通过两种技术的应用及实际案例，对比两者区别，并详细介绍两种技术的应用范围。最后对试验设备进行简单介绍。陈锴彬 工业和信息化部电子第五研究所 工程师【个人简介】本科和硕士毕业于华南理工大学，目前在工业和信息化电子第五研究所任职项目工程师，主要从事电子元器件可靠性环境与寿命试验的开展和研究工作。在可靠性环境与寿命试验领域：个人实操开展的试验项目上千项；参与了多项省部级课题的研究工作，发表学术论文7篇，其中6篇被SCI或EI收录；申请发明专利3项。支撑并解决了若干款新产品在鉴定检验时，在环境试验方面的匹配性问题。报告题目：半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准【摘要】热环境试验是考核和验证产品环境适应性的一类可靠性试验。对于半导体集成电路，常用的热环境可靠性试验包括温度循环、热冲击、高低温贮存、高低温工作等试验。本报告从试验的方法和原理出发，分析不同热环境试验对样品的考核目的及差异。并进一步结合集成电路常用的热环境试验标准和相关的案例，对开展试验时的注意事项进行介绍。邹雅冰 工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师【个人简介】邹雅冰 工业和信息化部电子第五研究所 元器件可靠性分析中心 高级工程师 工艺总师，办公室主任，IPC特邀专家。 专业从事电子装联工艺可靠性技术研究，拥有丰富的科研及工程项目经验，擅长印制板及其组件失效分析、工艺制程改进和工艺可靠性试验评价技术，先后主持/参与30多项IPC、国标、行标等相关标准的制修订及审核工作，服务多家单位的工艺优化及改进相关咨询项目。报告题目： 电子制造中的可靠性工程【摘要】从制造大国到制造强国，实现高质量发展，可靠性必不可少。电子制造是一个复杂的高技术的工艺工程，而可靠性是一项系统工程。出厂合格不等于可靠，不可靠的产品不具有品牌竞争力。高可靠的电子制造需要系统导入可靠性工程，本课程简要介绍了导入的基本方法和流程。何胜宗 工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师【个人简介】何胜宗，可靠性高级工程师、iNARTE认证ESD工程师、TSQ项目黑带。专业从事电子产品质量可靠性整体解决（TSQ/TSR）项目的技术咨询和辅导工作。在电子元器件检测、失效分析领域，具有丰富的实践经验，积累了大量电子元器件物料缺陷、制造工艺不良、静电防护不当等诱发产品失效的案例经验和相应的解决方案。帮助客户查明引起重大质量事故的根本原因，并提出有效的整改方案及预防措施，获得客户好评与认可。积累了大量由于ESD损伤的失效分析案例，对ESD损伤现场诊断、分析以及防护管控体系整改、培训具有丰富的实践经验。辅导了多家企业的静电防护体系改造工程，使相关人员全面掌握了电子制造过程的静电防护原理、方法和管控措施，并使企业通过了IEC61340/ESDA S20.20标准体系认证。开展静电防护体系建设辅导相关的企业有：华高王氏、ABB、技研新阳、美维电子、成都振芯科技、贵州振华风光、新风光电子、美的空调、美的冰箱、美的机电、海信空调、海信日立、杭州先途电子、昆山神讯电脑、上海渡省、万和电气、武汉新芯、九院五所、中航609、兵器203、4724、5721、南京海泰、重庆东风小康、三川智慧水表、中山名门等。报告题目： 集成电路静电放电失效分析与评价【摘要】报告聚焦集成电路静电放电失效分析与评价技术，介绍了生产工序中典型的静电风险来源以及静电放电诱发失效的放电路径、失效类型和深层机理过程；以真实工程案例为基础，介绍了在产线失效或者客退品分析工作中，如何排查静电诱发失效并进行整改的工作思路和技巧；最后，介绍了集成电路的静电放电评价方法和相应的防护措施。会议联系会议内容仪器信息网康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn

p　　新型亚微米与纳米级XRM系统及新型microCT系统为失效分析提供了灵活选择,帮助客户加速技术发展,提高先进半导体封装的组装产量。/pp　　strong加州普莱斯顿与德国上科亨,2019年3月12日/strong--蔡司发布了一套新型高分辨率3D X射线成像解决方案,用于包括2.5/3D与扩散型晶圆级封装在内的先进半导体封装的失效分析(FA)。蔡司X射线显微系统包括:通过亚微米级和纳米级高分辨率成像对封装产品进行失效分析的a href="https://www.instrument.com.cn/news/20190124/479353.shtml" target="_blank" style="color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline "strongspan style="color: rgb(0, 176, 240) "Xradia 600 Versa系列/span/strong/a和 Xradia 800 Ultra X射线显微镜(XRM),以及Xradia Context microCT。随着在现有产品基础上新设备的研发推出,现如今,蔡司可以为半导体行业提供一系列3D X射线成像技术辅助生产。/pp　　蔡司制程控制解决方案(PCS)部门与蔡司SMT部门总裁Raj Jammy博士介绍说:“在170年的历史中,蔡司始终致力于拓展科学研究的疆域,推动成像技术的发展,以实现新的工业应用和技术创新。在今天的半导体行业,封装尺寸与器件尺寸越做越小,因此我们比以往任何时候都更需要新型成像解决方案,用于快速排除故障,实现更高的封装产量。蔡司很荣幸宣布推出这一新型先进半导体封装3D X射线成像解决方案,为客户提供强大的高分辨率成像分析设备,以提高失效分析准确率。”/pp　　strong先进封装技术需要新型缺陷检测与失效分析的方法/strong/pp　　随着半导体产业面临CMOS微缩极限的挑战,人们需要通过半导体封装技术弥合性能上的差距。为了继续生产更小巧、更快速、更低功耗的器件,半导体行业正在通过芯片的3D堆叠和其他新型封装方式尝试封装创新。这些创新催生了日益复杂的封装架构,带来了新的制造挑战,同时也增加了封装故障的风险。此外,由于发生故障的位置往往隐藏于复杂的三维结构之中,传统的故障位置确认方法难以满足高效分析的需求。行业需要新型技术来有效地筛选和确定产生故障的根本原因。/pp　　为满足这一需求,蔡司开发出全新3D X射线成像解决方案,提供亚微米与纳米级3D图像,显示出隐藏于完整的封装3D结构中的特性与缺陷。将样品置于系统,样品在光路中旋转,从不同角度捕捉一系列2D X射线投影图像,然后使用复杂的数学模型和算法重建3D模型。新型解决方案可以从任意角度观察3D模型虚拟切片,从而在进行物理失效分析(PFA)之前对缺陷进行三维可视化。蔡司亚微米和纳米级XRM解决方案相结合,为客户提供独特的故障分析工作流程,有助于显著提高失效分析成功率。蔡司的新型Xradia Context microCT采用基于投影的几何放大技术,在大视场中实现高衬度和高分辨率成像,而且也可以全面升级至Xradia Versa X射线显微镜。/pp　strong　新型成像解决方案详解/strong/pp　　a href="https://www.instrument.com.cn/news/20190124/479353.shtml" target="_blank" style="color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline "span style="color: rgb(0, 176, 240) "strongXradia 600 Versa/strong/span/a系列是新一代3D XRM,能够在完整的已封装半导体器件中对已定位的缺陷进行无损成像。在结构化分析和失效分析应用中,新型解决方案在制程开发、良率提升和工艺分析等方面表现出色。Xradia 600 Versa系列以屡获殊荣且具有大工作距离高分辨率(RAAD)特性的Versa X射线显微镜为基础,提供优异的成像性能,实现大工作距离下的大样品的高分辨率成像,用于为封装、电路板和300毫米晶圆生产确定产生缺陷与故障的原因。利用该解决方案,可以轻松看到与封装级故障相关的缺陷,例如凸块或微型凸块中的裂纹、焊料润湿或硅通孔(TSV)空隙。在进行物理失效分析之前对缺陷进行3D可视化处理,有助于减少伪影,提供横纵方向的虚拟切片效果,从而提高失效分析成功率。新型解决方案的主要特性包括:/pp　　◆最高空间分辨率0.5微米,最小体素40纳米/pp　　◆与Xradia 500 Versa系列相比, 工作效率提高了两倍,且在保证高分辨率的同时,在整个kV(电压)和功率范围内保持出色的X射线源焦点尺寸稳定性与热稳定性/pp　　◆更加简便易用,包括快速激活源/pp　　◆可靠性测试中可实现多个位点连续成像,并能观察封装结构内部亚微米结构变化/pp style="text-align: center"img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/fcb3b14e-afb6-4859-b117-ade3ce9e1694.jpg" title="1.jpg" alt="1.jpg"//pp　　strongXradia 800 Ultra/strong将3D XRM提升至纳米级尺度,并在纳米尺寸下探索隐藏的特性,获得高空间分辨率图像的同时保持感兴趣区域的结构完整性。其应用包括超密间距覆晶与凸块连接的工艺分析、结构分析和缺陷分析,从而改进超密间距封装与后段制程(BEOL)互连的工艺改进。Xradia 800 Ultra能够对密间距铜柱微凸块中的金属间化合物所消耗焊料的结构和体积进行可视化。在成像过程中保留缺陷部位,有助于采用其他技术进行针对性的后期分析。还可以利用3D图像来表征盲孔组件(blind assemblies)的结构质量,例如晶圆对晶圆键合互连与直接混合键合等。该解决方案的主要特性包括:/pp　　◆空间分辨率150纳米与50纳米(需要制备样品)/pp　　◆选配皮秒激光样品制备工具,能够在一小时内提取完整体积(结构)样品(通常直径为100微米)/pp　　◆兼容多种后续分析方法,包括透射电子显微镜(TEM)、能量色散X射线谱(EDS)、原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)和纳米探针/pp style="text-align: center"img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/52ac92be-9189-4c80-bd09-b60d7bb9da1b.jpg" title="2.jpg" alt="2.jpg"//pp　　strongXradia Context microCT/strong是一种基于Versa平台的新型亚微米分辨率3D X射线microCT系统。该解决方案用于封装产品在小工作距离和高通量下进行高分辨率成像。主要特性包括:/pp　　◆在大视场下提供大样品的全视场成像(体积比Xradia Versa XRM系统大10倍)/pp　　◆小像素尺寸的高像素密度探测器(六百万像素)即使在观察视野较大的情况下也能确保较高分辨率/pp　　◆X射线microCT拥有空间分辨率0.95微米,最小体素0.5微米/pp　　◆出色的图像质量与衬度/pp　　◆可升级为Xradia Versa,实现RaaD功能,对完整大样品进行高分辨率成像/pp style="text-align: center"img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/a444699e-2096-43cc-a3ed-3471855ecc79.jpg" title="3.jpg" alt="3.jpg"//pp　　上海新国际博览中心即将于3月20日至22日举办中国半导体展(SEMICON China),蔡司将在展会上展示最新显微镜产品和解决方案,包括新型Xradia 600 Versa系列、Xradia 800 Ultra和Xradia Context microCT系统。如有意了解详情,您可到N2展厅2619号展位参观蔡司展品。/pp　　strong关于蔡司/strong/pp　　蔡司是全球光学和光电领域的先锋。上个财年度,蔡司集团旗下四个部门的总收入超过58亿欧元,包括工业质量与研究、医疗技术、消费市场,以及半导体制造技术(截止:2018年9月30日)。/pp　　蔡司为客户开发、生产和分销用于工业测量与质量控制的创新解决方案,用于生命科学和材料研究的显微镜解决方案,以及用于眼科和显微外科诊断与治疗的医疗技术解决方案。在半导体行业,“蔡司”已成为世界优秀的光学光刻技术的代名词,该技术被芯片行业用于制造半导体元件。眼镜镜片、照相机镜片和双筒望远镜等引领行业潮流的蔡司产品正在全球市场热销。/pp　　凭借与数字化、医疗保健和智能生产等未来增长领域相结合的投资组合,以及强大的品牌,蔡司正在塑造光学和光电行业以外的未来。该公司在研发方面的重大、可持续投资为蔡司技术和市场成功保持领先地位和持续扩张奠定了基础。/pp　　蔡司拥有约30,000名员工,活跃于全球近50个国家,拥有约60家自有销售和服务公司、30多家生产基地和约25家开发基地。公司于1846年创办于耶拿(Jena),总部位于德国上科亨。卡尔· 蔡司基金会(Carl Zeiss Foundation)是德国最大的基金会之一,致力于促进科学发展,是控股公司卡尔· 蔡司股份公司的唯一所有者。/p

前言芯片是科技领域核心技术，是电子产品的“心脏”，是“工业粮食”。在新一轮科技革命与产业变革背景下，大力推动高科技产业的创新发展对于抢占全球高科技领域制高点、增强产业发展优势和提高国际竞争力的战略作用更加凸显。 而如何解决芯片/半导体器件有机异物污染问题，成为众多科研工作者的研究难题。虽然元素和无机分析存在高空间分辨率技术，如SEM-EDX，但在微米和亚微米尺度上识别有机污染物一直是巨大挑战。在过去的几十年里，传统的傅里叶变换红外光谱FTIR/ QCL显微技术虽然得到了广泛的应用，但在关键问题上存在一些局限性，例如相对较差的空间分辨率(5-20 μm)和对 10 μm的样品测试灵敏度较低、坚硬的金属界面可能会在接触样品表面时损坏ATR探针，以及污染可能在凹凸的区域，甚至在狭窄的缝隙内，使得ATR接触式测量难以实现。所以，如何在亚微米分辨率别和非接触条件下，实现芯片/半导体器件的有机缺陷和污染物的识别和表征是非常重要以及创新的一种手段。此外，许多样品的厚度小于100 nm，这在传统的FTIR测量中也是不可能实现的。 仪器介绍图1. 设备及原理图 基于光学-光热技术(O-PTIR)的亚微米分辨率红外拉曼同步测量系统mIRage可实现远场红外+拉曼显微镜的同步测量，该技术具有非接触、免样品制备、亚微米分析等优点，已广泛应用于硬盘和显示器等器件的成分分析。mIRage扩展集成的同步拉曼显微镜，主要用于目标物的应变/应力、掺杂浓度、DLC等测试。获取的高质量反射模式光谱可以通过亚微米红外拉曼同步测量系统mIRage在商业数据库中进行光谱比对检索，终确定亚微米到微米的污染物成分。mIRage光谱的显著优势：1. 亚微米红外空间分辨率，比传统FTIR/QCL显微镜提高30倍，达到500 nm；2. 非接触式测量，非破坏性，反射(远场)模式测量，无须制备样品；3. 高质量光谱(测试可兼容粒子形状/尺寸和表面粗糙度)，没有色散/散射伪影问题；4. 可直接在商业数据库中匹配搜索 的污染识别和控制对于把控制造过程以及高科技产品开发至关重要，随着愈发严格的标准和产品尺寸的缩小，识别较小的污染物变得越来越重要和困难。mIRage的先进光学光热红外(O-PTIR)技术的出现彻底改变了微电子器件微小缺陷的红外化学分析方法。mIRage的工作原理是用宽可调谐的脉冲红外激光源激发样品，在样品中产生调制光热效应。通过光热效应提取并计算红外吸收, 通过检测反射探头光束强度的变化作为红外波数调谐的函数，从而提供红外吸收光谱。这种短波长脉冲探测光束(通常是532 nm)决定了红外测试空间分辨率，而不是传统FTIR/QCL显微镜中依赖的红外波长。由于其特的系统架构，短波长探测光束同样也能作为一个拉曼激光源，集成拉曼光谱仪后，mIRage系统可提供同一地点，同一时间，同一空间分辨率的亚微米红外+拉曼显微镜的检测结果。 精彩案例分享 在本文中，我们将介绍通过亚微米红外+拉曼同步测量技术对只有几微米尺寸的缺陷进行电子器件失效分析的研究，案例中的硬盘组件和显示组件由希捷技术提供。 图2为微电子器件免制样，原位测量数据。该案例展示了互补的、验证性的mIRage红外光谱和拉曼光谱的信息。尽管mIRage红外光谱是在反射模式下采集的，但它完全可以与FTIR/ATR数据库中的光谱相媲美。通过与KnowItAll(Wiley)红外光谱和拉曼光谱数据库进行比对，确定这种特殊的污染物可能是一种聚醚(缩醛)材料。污染可能源于研发过程中的异物，包括聚合物、润滑剂等。在此次测试中，mIRage获取的谱图与标准谱峰位重合度超过95%。图2. 左：可见图像显示6 µm缺损位置，右上：与标准数据库比对未知物质的红外光谱；右下：与数据库比对未知物质的拉曼光谱 在许多情况下，传统红外仪器可能会收到一些物质的影响无法直接接触到污染物。图3显示了金属薄膜下20 μm的黑色污染，从金属薄膜的白色圆形分层中可以看到，这是由于有缺陷的薄膜晶体管显示器突出造成的。传统的ATR显微镜的使用将受到薄膜存在的限制，阻碍直接接触污染粒子。此类样品可以通过mIRage进行光谱焦平面定位实现光谱检查，无需额外的样品制备或对粒子进行物理提取。特别是在1706 cm−1波段有强宽红外吸收带的存在，表明污染粒子可能是硫化的苯乙烯-丁二烯橡胶(SBR)，已氧化形成羧酸。图3. 左上角：样品和测量的示意图；左下：光学图像缺陷；右：缺陷区域不同位置的mIRage红外光谱。颜色对应于光学图像上的标记。 结论综上所述，我们引进的革命性红外拉曼同步测量系统mIRage在显微红外方面取得了重大进展，如亚微米分辨率测量（~500 nm）、非接触模式测量(非ATR)、非破坏性和免样品制备、点线/面多模式分析、无任何色散/散射伪影以及提供数据库检索等。希捷科技选择mIRage系统是为了研究制造工艺和产品早期开发的污染改善问题。本文介绍的基本原理和实例表明mIRage在识别硬盘和相关精细电子行业的缺陷和污染方面有诸多优势。在红外显微光谱的重要发展领域中，mIRage技术具有颠覆性的潜力。而拉曼光谱仪的联用进一步拓展了它的能力，实现亚微米红外+拉曼显微镜同步测量(同一时间、同一点、同一空间分辨率)，以提供互相印证的补充和确认信息。亚微米分辨红外拉曼同步测量系统mIRage的应用领域正在不断扩大，涵盖了聚合物、药学、司法鉴定、半导体器件缺陷分析、生命科学、环境地质、古生物等众多传统领域。

主题：Faster mm-scale Semiconductor Failure Analysis byCombining Plasma FIB Milling and Laser Ablation 演讲人：Jozef Vincenc Obona 博士Jozef Vincenc Obona 是TESCAN ORSAY HOLDING公司半导体市场部的产品营销总监，获得Slovak Academy of Sciences (Slovakia) 低温电子学博士学位。他有多年从事半导体失效分析(生产线前端、后端和封装应用)的经验，并与半导体行业领袖一直保持沟通。他在FIB-SEM方面拥有超过13年的工作经验，在西班牙萨拉戈萨的阿拉贡纳米科学研究院（Instituto de Nanociencia de Aragon）、荷兰格罗宁根大学（University of Groningen）以及特温特大学（University of Twente）进行了5年的超短激光脉冲处理应用研究，拥有3项专利并发表了52篇论文。时间段1：3月24日, 下午4:00 –5:00 （北京时间）时间段2：3月25日, 上午2:00 –3:00 （北京时间）长期以来，提高性能和降低功耗是电子器件设计的基本要求，这需要通过器件构件（晶体管、存储单元等）的小型化、信号通路的减少（将多个组件集成在一个先进封装中）以及优化其它组件（包括显示器、射频、微机电系统和电池）来实现。开发新产品是一件非常具有挑战性的工作，快速失效分析（FA）有助于确定缺陷的基本原因并向研发人员提供有效的反馈，以保证产品的上市时间和可靠性。对封装、先进封装、显示器、射频、微机电系统以及电池进行快速失效分析时，往往需要在样品表面以下几百微米甚至于几毫米寻找缺陷位置。由于样品结构的特殊性，需要对样品进行大面积的刻蚀以制备出截面才能够对特定的缺陷位置进行分析。因此，近10年来等离子FIB被普遍使用在这个过程中并受到了行业的广泛认可。然而，近年来随着器件结构越趋复杂、缺陷深度显著增加以及必须更快速获得分析结果等原因，对等离子FIB的能力提出了更高的要求。使用激光烧蚀可以将前期制样速度提升数千倍，因此将激光烧蚀技术加入到等离子FIB工作流程中不仅可以更快获得高质量的分析结果，同时也开启与实验室中不同类型设备协同合作的新篇章。在本次研讨会上，将为您介绍 TESCAN 样品大体积制备的工作流程。使用不同尺寸的要求苛刻的样品进行演示，样品包括复杂器件和不导电硬质材料，您可以看到非常灵活的工作流程。我们将为您展示如何结合超高分辨扫描电镜成像系统快速进行没有伪影的样品制备并揭示样品的真实细节。点击“我要报名”立即报名参会吧！说明：为了让更多的用户可以参与到本次研讨会中，每一场研讨会都有两个时间段可供选，内容相同，与会者可自行选择报名参加其中一个时间段的研讨会。

2023年6月29日，半导体和电子行业年度盛会SEMICON China 2023在上海新国际博览中心隆重举行。展会现场，无锡日联科技股份有限公司（展位号：E7507）也携最新半导体相关技术解决方案亮相E7馆。展会期间，日联科技向仪器信息网展示了他们在半导体行业的解决方案。以下是现场视频：

仪器信息网讯 2024年7月25日，第二届半导体第三方分析检测生态圈战略大会在苏州召开。大会由胜科纳米(苏州)股份有限公司主办，以主论坛会议、圆桌会议及专业展览的形式开展高峰对话，会议前夕举行了国际合作论坛和生态圈闭门会议。会议吸引半导体产业链上下游龙头企业负责人等500多名嘉宾出席，覆盖芯片设计、晶圆制造、设备材料、封装测试、消费终端、分析检测实验室等领域400多家国内外企业及科研院所，为半导体产业生态圈企业打开一扇观察行业标准化及差异化发展、技术创新、人才培育的活力之窗。大会现场主论坛会议上，十余位行业大咖带来了前沿的技术分享和创新发展的报告，不仅涵盖了半导体产业生态的创新发展与协同合作，还包括了第三方分析检测服务机构评价体系的构建、实验室智能化系统的应用与发展等。演讲嘉宾：胜科纳米(苏州)股份有限公司 董事长 李晓旻演讲题目：半导体行业周期和周期内的赛道轮回报告伊始，李晓旻回顾了半导体分析实验室过去40年的演变历程。各年代实验室的主要技术从最初的光学显微镜到透射电镜，再到现代失效分析综合系统的变迁，半导体分析实验室的技术发展极大提升了对纳米级芯片的观察能力。在半导体产业链专业化分工浪潮下，Labless模式应运而生。接着，李晓旻从半导体分析实验室的发展历程、半导体行业细分的要求、设备和人才痛点的需求以及分析检测赛道对半导体行业周期的判断等方面，详细阐述其首创Labless商业理念的初衷及对行业现状和未来前景的深刻见解。对于未来半导体行业的发展，李晓旻认为，人工智能将成为推动行业发展的新动力，而半导体行业也将迎来更加广阔的应用前景。此外，也强调了建立严谨的评价体系对于第三方实验室的重要性。他认为，只有通过科学的评价体系，才能确保实验室的服务质量和水平，从而推动整个行业的健康发展。最后，李晓旻表示，胜科纳米将始终关注半导体行业的发展动态和技术创新，与业界同仁共同努力，为推动我国半导体行业的进步和发展贡献力量。演讲嘉宾：中国半导体行业 资深专家 江涛演讲题目：发展新质生产力对中国半导体第三方测试机构的高标准和严要求随着人工智能技术的飞速发展，半导体行业面临着前所未有的挑战和机遇。人工智能大模型的工作特点对半导体行业提出了更高的要求。为了跟上人工智能摩尔定律的步伐，半导体行业需要持续创新，提高技术水平。此外，先进封装技术将成为半导体行业的一个重要发展方向，为半导体市场带来更多的机会和挑战。江涛表示，第三方测试行业在新的发展背景下，需要不断提升技术水平和服务质量，以支撑新质新增生产力的发展趋势。第三方测试实验室应具备智慧驱动能力，能够帮助客户解决问题，降低成本，提高效率。此外，第三方测试机构还需要具备前瞻性，能够提前预测行业发展趋势，为客户提供更有价值的服务。同时，还需要加强行业标准的制定和执行，提高整个行业的水平。在这个过程中，第三方测试机构将成为半导体行业发展的重要助力。演讲嘉宾：日立科学仪器(北京)有限公司 副董事长 佐藤贤一演讲题目：Introduction of Advanced semiconductor failure and process analysis随着半导体行业的不断发展，对故障分析和工艺控制的需求越来越高。佐藤贤一表示，为了满足客户的需求，日立科学仪器公司提供了多种先进的半导体分析设备，如OCD量测、SEM、FIB-SEM、TEM等，这些设备可以帮助客户更准确地找到故障点，提高产品质量。他认为，第三方检测机构需要不断研发新技术，提高测试精度和效率，以满足半导体行业的发展需求。关于与客户的合作模式，佐藤贤一认为，第三方检测机构应与客户建立紧密的合作关系，共同开发新技术，提高生产效率，降低成本。此外，佐藤贤一还提到了半导体行业的未来发展趋势，包括人工智能、物联网等领域的应用。并表示，日立愿意与第三方检测机构加强合作，紧跟行业发展趋势，不断提升自身能力，以共同应对未来的挑战。演讲嘉宾：新加坡工程院士、新加坡科学院士、SUTD professor YEO KIAT SENG演讲题目：Talent-The Challenge to Establish a Globally Competitive Semiconductor Industry报告主要讨论了在建立全球竞争力的半导体产业过程中，人才所面临的挑战和机遇。YEO KIAT SENG指出，半导体市场预计将以8.8%的年复合增长率增长，到2032年市场规模将超过1.3万亿美元。而智能、集成和创新将是推动半导体行业发展的关键因素。建立全球竞争力的半导体产业离不开人才的培养和发展。此外，YEO KIAT SENG强调了多学科教育的重要性，面对复杂的问题，单一学科的教育模式已经不再适用。提倡跨学科的教育模式，让学生在学习过程中接触不同领域的知识，培养创新能力和创造力。最后，YEO KIAT SENG谈到了未来工作的变化。并认为，自动化和智能机器人将取代许多传统工作，而信息和数据将成为新的货币。个人需要不断提升自己的技能，以适应未来的挑战。演讲嘉宾：青岛四方思锐智能技术有限公司 副总经理 谢均宇演讲题目：集成电路装备研发与第三方测试协同发展谢均宇表示，集成电路装备研发与第三方测试之间存在密切的协同关系。在研发过程中，测试可以帮助企业更好地了解设备的性能、结构和成分，从而提高设备的稳定性和可靠性。同时，测试还可以为企业提供有关工艺改进和创新的重要依据。通过深度合作和资源共享，双方可以实现优势互补，共同推动技术创新和产业升级。此外，谢均宇提到了公司在集成电路装备研发方面的一些突破，如公司已成功交付国内第一台高能离子注入机，并已实现批量销售。也分享了ALD设备应用、IMP工艺材料的表征需求等。演讲嘉宾：蔡司 XRM亚太应用技术专家 曹春杰演讲题目：三维无损分析在半导体领域的最新应用进展曹春杰首先介绍了三维无损分析技术在半导体领域、尤其是在结构和拓展方面的重要性。 接着，详细阐述了三维无损分析技术的原理、该技术在消费电子、封装测试等领域的应用，以及该技术的优势和特点。案例分享环节，曹春杰展示了三维无损分析技术在半导体领域的实际应用效果。提到了该技术在分析电子管道、IC结构等方面的应用，以及在故障分析和可靠性分析中的作用。最后，曹春杰介绍了蔡司公司的最新技术和产品，如630 Versa系列，以及AI技术在三维无损分析中的应用等。这些新技术也将进一步提高三维无损分析技术的性能和效率。演讲嘉宾：赛默飞世尔公司 高级业务拓展经理 曹潇潇演讲题目：标准化-加速半导体三方检测市场发展的新引擎曹潇潇在报告中强调了标准化在半导体产业中的重要性。认为标准化可以帮助企业在高速发展阶段建立共同的起跑线，提高研发效率和创新能力。此外，标准化还可以提升整个产业链的培训资源和降低错误率，确保产业链上下游站在同一水平上进行对话。接着分享了关于标准化在半导体时效分析中的具体应用。曹潇潇提到，赛默飞世尔公司在时效失效分析领域占据90%的市场份额，并提供了一套系统化的整体解决方案，希望将标准化工作进一步拓展到前端市场关系的过程中。同时也通过一些具体案例展示了标准化工作的实现。例如，在失效分析过程中，通过开发系列功能，可以实现跨平台之间的样品定位和数据的综合管理。此外，还可以实现工厂管理系统的无缝对接，提高自动化水平等。演讲嘉宾：胜科纳米(苏州)股份有限公司 前沿技术总监 乔明胜演讲题目：Labless助力半导体第三方分析检测服务机构评价体系的构建乔明胜首先介绍了半导体分析检测行业的概况，指出全球半导体第三方检测分析市场的年增长率超过10%，国内增长率更是接近20%。接着分析了国际国内实验室认证的现状。并强调，实验室认证本质上是管理体系的评价，而非技术水平的高低评价。乔明胜认为，Labless模式可以帮助企业在满足基本要求的同时，为客户提供更多的价值。并建议第三方检测机构应具备规模、技术先进性、设备能力和质量安全等方面的基本能力。他指出，目前半导体分析检测领域缺乏专门的标准体系，需要进一步完善。提出了构建半导体第三方分析检测服务机构评价体系的建议。而胜科纳米也正在完善自己的技术标准体系，以期为行业做出更多贡献。演讲嘉宾：天津三英精密仪器股份公司 董事长 须颖演讲题目：高分辨X射线三维成像技术与应用目前，通用显微成像技术如光学显微镜、扫描电镜等在分辨率上已达到一定水平，但在观察内部结构方面仍有局限。而X射线三维成像技术可以在不破坏样品的情况下，实现对样品内部结构的三维立体成像。须颖详细介绍了高分辨X射线三维成像技术的原理和特点，以及天津三英在该技术方面的工作成果。公司坚持高层面技术路线，使得公司在高分辨X射线三维成像领域具有竞争优势。须颖认为，随着工业应用的深入，客户对缺陷检测、内部结构测量等方面的需求越来越高，高分辨X射线三维成像技术在这些领域具有广泛的应用前景。天津三英也将不断完善产品线，开发针对不同类型样品的专用设备，以满足客户的需求。也坚信高分辨X射线三维成像技术将为工业检测、设计等领域带来更多的便利和价值。演讲嘉宾：IBM 科技事业部存储产品总监 周立暘演讲题目：IBM 存储,助力企业实现降本、增效、安全的数字化周立暘首先提到了数字化转型和国家半导体行业的发展，强调了数据作为新的生产要素在企业中的重要性。他表示，IBM存储产品可以帮助企业更好地管理和利用数据，实现降本增效。IBM的核心技术已经在国内半导体制造企业的MS系统中得到广泛应用，帮助企业更好地利用资产投入产生效益。在数据安全方面，介绍了IBM的High-Availability Data Replication技术，可以在短时间内恢复被勒索软件攻击篡改的数据。最后，周立暘表示，IBM希望通过存储技术和资源调度技术的结合，帮助企业在全球化国际化的环境中实现数据的优化管理和应用加速，从而助力企业实现更高的发展。演讲嘉宾：麦格昆磁 副总裁 Klaus Dittmer演讲题目：Advanced magnetic powder development and collaboration with third party analytical service providersKlaus Dittmer首先介绍了麦格昆磁公司，包括在稀土和其他关键金属领域的业务等。接着讨论了磁性粉末在永磁材料领域的重要性，并强调了磁性粉末微观结构表征的重要意义。关于如何通过精确的测量和控制来实现所需的磁性能，Klaus Dittmer介绍了扫描电镜、透射电镜、X射线衍射等几种用于表征磁性粉末微观结构的技术。在谈到与第三方分析服务提供商的合作时，Klaus Dittmer强调了成本、时间、质量和保密性等因素在选择合作伙伴时的重要性。他认为，与第三方服务提供商合作可以为公司提供更高效、高质量的分析和表征服务，同时降低成本和提高保密性。最后，Klaus Dittmer总结了麦格昆磁在磁性粉末开发与第三方分析服务合作方面的经验，强调了这种合作为公司带来的价值。演讲嘉宾：滨松光子学商贸(中国)有限公司 半导体领域负责人 王宁波演讲题目：半导体电性失效分析介绍失效分析有助于改进设计和工艺，提升产品性能。王宁波分享了失效分析的技术原理、常用的定位方法，以及在半导体制造和使用过程中的应用，如改善工艺、完善品质和提升芯片能力。最后，王宁波介绍了滨松光子公司在半导体电性失效分析领域的技术发展。包括公司在光电探测方面的专长、公司在半导体检测领域的一些新技术，如磁光电流成像、高分辨热成像和全自动探测系统等。这些技术有助于提高失效分析的精度和效率，满足半导体制造和设计工业的发展需求。圆桌会议为了进一步交流探讨，以“半导体第三方分析检测服务机构评价要素”为议题的圆桌会议压轴亮相。圆桌嘉宾从实验室基本能力、实验室服务效果以及实验室可持续发展三个维度展开深入探讨。在实验室基本能力方面，嘉宾们细致讨论了实验室建设的规模与布局、硬件设施的先进性与完备性，以及管理体系的健全程度。这些因素被普遍认为是实验室提供高质量服务的基础。实验室服务效果的议题中，服务流程的专业性、检测结果的准确性、响应时间的迅速性以及客户服务的周到性等关键指标备受瞩目。此外，信息安全也被特别提及，作为评价服务效果时不可忽视的一个维度。在实验室可持续发展方面，技术创新能力被视为推动实验室长期发展的核心动力。同时，人才培养、市场拓展策略以及行业合作与交流也被认为是实验室持续发展的重要支撑。圆桌讨论内容覆盖了半导体第三方分析检测服务机构评价的多个关键要素，旨在推动行业向更专业、更高效、更可持续的方向发展。这不仅是对当前行业现状的一次全面审视，更是对未来发展方向的一次前瞻性思考。同期展会掠影

半导体业务中的典型供应链， 显示了需要材料表征、材料选择、质量控制、工艺优化和失效分析的不同工艺步骤热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。通常，工程师将面临以下问题：特定化合物的工艺窗口是什么？如何控制这个过程？优化的固化条件是什么？如何缩短循环时间？珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。差示扫描量热法(DSC)此项技术最适合分析环氧树脂的热性能，如图1所示。测量提供了关于玻璃化转变温度(Tg)、固化反应的起始温度、固化热量和工艺最终温度的信息。图 1. DSC曲线显示环氧化合物的固化特征DSC可用于显示玻璃化转变温度，因为它在给定温度下随固化时间（图2）的变化而变化。图 2. DSC 曲线显示玻璃化转变温度随着固化时间的延长而逐渐增加玻璃化转变温度(Tg)是衡量环氧化合物交联密度的良好指标。事实上，过程工程师可以通过绘制玻璃化转变温度与不同固化温度下固化时间的关系图来确定最适合特定环氧化合物的工艺窗口（图3）。图 3. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系如果工艺工程师没有测试这些数据，则生产过程通常会导致产品质量低下，如图4所示。图 4. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系在本例中，制造银芯片粘接环氧树脂使用的固化条件处于玻璃化转变温度与时间的关系曲线的上升部分（初始固化过程）。在上述条件下，只要固化时间或固化温度略有改变，就有可能导致结果发生巨大变化。结果就是组件在引脚框架和半导体芯片之间容易发生分层故障。通过使用功率补偿DSC（例如珀金埃尔默的双炉DSC），生成上述玻璃化转变温度与温度 / 时间关系曲线，可确定最佳工艺条件。使用此法，即使是高度填充银芯片粘接环氧树脂的玻璃化转变也可以被检测出。这些数据为优化制造工艺提供了极有帮助的信息。使用DSC技术，可以将固化温度和时间转换至160° C和2.5小时，以此达到优化该环氧树脂固化条件的目的。这一变化使过程稳定并获得一致的玻璃化转变温度值。在珀金埃尔默，DSC不仅被用于优化工艺，而且还通过监测固化产物的玻璃化转变温度值，发挥质量控制工具的作用。DSC 8000 差示扫描量热仪DSC 还可以用于确定焊料合金的熔点。用DSC分析含有3%（重量比）铜(Cu)、银(Ag)或铋(Bi)的锡合金。图5中显示的结果表明，不同成分的合金具有非常不同的熔点。含银合金在相同浓度（3%（重量比））下熔点最低。图 5. DSC：不同焊接合金在不同湿度环境下的熔点分析热重分析(TGA)珀金埃尔默热分析仪有助于设计工程师加深对材料选择的理解。例如，珀金埃尔默TGA 8000（图6）可以检测出非常小的重量变化，并可用于测量重要的材料参数，如脱气性能和热稳定性。这将间接影响组件的可焊性。图7显示了在230°C 和260° C下具有不同脱气性能的两种环氧树脂封装材料。重量损失（脱气）程度越高，表明与引脚框架接触的环氧树脂密封剂的环氧—引脚框架分离概率越高。图 6. 珀金埃尔默TGA 8000图 7. TGA结果显示两种材料具有不同的脱气性能热机械分析(TMA)当材料经受温度变化时，TMA可精确测量材料的尺寸变化。对于固化环氧树脂体系，TMA可以输出热膨胀系数(CTE)和玻璃化转变温度。环氧树脂的热膨胀系数是非常重要的参数，因为细金线嵌入环氧化合物中，并且当电子元件经受反复的温度循环时，高热膨胀系数可能导致电线过早断裂。不同热膨胀系数之间的拐点可以定义为玻璃化转变温度（图8）。TMA还可以用于确定塑料部件的软化点和焊料的熔点。图 8. 显 TMA 4000 测试的典型的 TMA 图动态力学分析(DMA)选择材料时，内部封装应力也是关键信息。将DMA与 TMA技术结合，可以获得关于散装材料内应力的定量信息。DMA测量材料的粘弹性，并提供不同温度下材料的模量，具体如图9所示。当材料经历热转变时，模量发生变化，使分析人员能够轻松指出热转变，如玻璃化转变温度、结晶或熔化。图 9. DMA 8000 测试的典型的 DMA 图热分析仪用于ASTM 和IPC材料标准试验、质量控制和材料开发。图10显示了一个涉及热分析仪的IPC试验。珀金埃尔默DMA目前已在半导体行业得到广泛应用。图 10. DMA：显示透明模塑化合物的内应力热分析仪是半导体封装行业的重要工具。它们不仅在设计和开发阶段发挥了重要作用，而且还可用于进行故障分析和质量控制。许多标准方法都对热分析的使用进行了描述（图11）。使用珀金埃尔默热分析仪，用户可以优化加工条件并选择合适的材料以满足性能要求，从而确保半导体企业能够生产出高品质的产品。考虑到此类分析可以节省大量成本，热分析仪无疑是一项“必备”试验设备！图 11. 用于标准方法的热分析仪

2023年10月18-20日，仪器信息网(www.instrument.com.cn) 与电子工业出版社将联合主办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会。iCSMD 2023会议围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件的材料分析、失效分析、可靠性测试、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。本次大会分设：半导体材料分析技术新进展、可靠性测试技术新进展、半导体失效分析技术、缺陷检测和量测技术4个主题专场，诚邀业界人士报名参会。主办单位：仪器信息网，电子工业出版社参会方式：本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名“半导体材料分析技术新进展”专场预告（注:最终日程以会议官网为准）时间报告题目演讲嘉宾专场1：半导体材料分析技术新进展（10月18日）专场主持暨召集人：汪正 中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳（中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师）10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚（牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师）11:00氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究（拟）王涛（北京大学 高级工程师）11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求王轶滢（上海集成电路材料研究院 性能实验室总监）午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青（中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员）14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣（青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理）15:30共宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）嘉宾简介及报告摘要（按分享顺序）汪正 中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员【个人简介】汪正，博士，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员、博士生导师、材料谱学组分表征与应用课题组组长。研究方向为原子光谱/质谱/色谱基础和应用研究、光谱质谱新型仪器的研发和先进材料制备表征及在分析化学和环境化学的应用研究。曾先后负责科技部国家仪器研制重大专项、国家自然科学青年和面上基金、中科院仪器研制项目、中科院仪器设备功能开发技术创新项目和上海科委基金等。是国际期刊《Atomic Spectroscopy》、《Chinese Chemical Letters》和《光谱学与光谱分析》期刊编委。以第一和通讯作者在国内外同行认可的高水平期刊Anal. Chem., J. Anal. At. Spectrom.，Spectrochim. Acta Part B，Anal. Chim. Acta 等发表论文100 余篇，出版学术专著2 部，建立国家标准3 项，获授权专利17项。2010 和2018 年两次获得中国分析测试协会科学技术奖励（排名均为第一）。报告题目：等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究【摘要】材料是制造业的基础，高纯材料是半导体制造业的最重要环节之一，高纯材料的纯度分析与表征是纯化工艺中的一个重要环节，对材料性质研究和工艺改进至关重要。本报告主要介绍电感耦合等离子体质谱法在高纯有机/无机半导体用材料方向的工作。王昊阳 中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师【个人简介】2000年本科毕业于中国药科大学药学院药物分析专业；2003年获得中国药科大学与上海有机化学研究所联合培养硕士学位；2006年获得中国科学院上海有机化学研究所的博士学位；后前往德国奥尔登堡大学化学系博士后；2008年开始任中国科学院上海有机化学研究所，副研究员；2017年–至今担任中国科学院上海有机化学研究所公共技术服务中心质谱组课题组长。报告题目：有机半导体材料的质谱分析技术【摘要】根据有机半导体材料领域具体的测试需求和测试对象的不同，建立体系化的质谱分析方法与手段，结合顶空气相色谱对挥发性有机物进行分析，结合ESI以及(AP-)MALDI对小分子有机半导体材料进行表征与分析，再结合热裂解分析对有机半导体材料中的聚合物及其相关添加剂进行分析。马岚 牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师【个人简介】2012年获得上海交通大学材料科学与工程学院博士学位，博士研究镁合金的时效强化机制及变形机制，主要利用TEM、SEM、 EBSD等手段进行表征。2012-2015年间在日本物质材料研究所进行博后工作，期间研究的课题为高强韧镁合金的开发及磁性材料微结构表征，利用HAADF-STEM、SEM、EBSD及3DAP进行材料表征，熟悉掌握FIB及纳米操作手。2015年回国加入牛津仪器公司，主要负责EDS、WDS、EBSD、OP的推广及技术支持。报告题目：牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展【摘要】能谱（EDS）是半导体失效分析中常用的检测手段，但它只能揭示元素的异常，如果要对晶圆进行其他物性（如粗糙度、掺杂浓度、电势电位和内应力等）的分析，则需借助电子背散射衍射（EBSD）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱（Raman）进行多尺度、多方位的检测和分析。 本报告将从结合三代半导体的痛点，展开介绍牛津仪器材料分析手段的进展及其在三代半导体中的应用，内容包括使用EBSD检测外延片位错，利用Raman分析碳化硅晶芯片晶型和微管类型及其带来的应力变化，以及采用AFM的SCM模式检测电容，并定量载流子浓度的最新应用。王轶滢 上海集成电路材料研究院 性能实验室总监【个人简介】从事半导体与集成电路领域技术研发、战略研究与规划工作多年。现承担负责上海市及国家集成电路材料重大项目测试平台课题，推进集成电路材料测试的科学评价体系建设，加速促进国产化替代。报告题目：集成电路材料国产化面临的性能检测需求李青 中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员【个人简介】博士，中国科学院上海硅酸盐研究所助理研究员。主要从事高纯材料分析方法开发、光谱质谱仪器研制等工作。先后主持承担了包括国家自然科学基金、上海科委项目、中国科学院仪器功能开发项目等各类研发项目5项。目前在Anal. Chem., Anal. Chim. Acta等国际期刊发表论文10余篇，获授权国内专利14项，美国专利1项。报告题目：离子色谱在高纯材料分析中的应用【摘要】 阴阳离子分析涉及生物医学、集成电路、环境、食品安全等重要研究课题。利用离子色谱技术测定离子态物质的检测方法，分析速度快、灵敏度高、选择性好，已被广泛应用。本报告将主要介绍高纯电子试剂、高纯晶体、OLED材料中痕量卤素离子的分析方法。刘争晖 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师【个人简介】正高级工程师、博士生导师、中科院青年创新促进会会员、中科院关键技术人才。中科院苏州纳米所真空互联实验站工作，研发基于扫描探针的微纳米尺度光、电、力学综合测试分析设备和相关技术；开展基于新装备和新方法的应用基础研究。 主要成果： (1) 主持和参与中科院、基金委和科技部的多项仪器和表征技术研发项目，自主研制基于扫描开尔文探针的深紫外扫描近场光电探针系统，实现深紫外时间分辨光谱与表面光电压谱的同位微区测量，从时间和空间两个维度，以皮秒的时间分辨率和纳米级的空间分辨率对半导体光电材料的表面性质进行表征，从而为微观机制的探索提供有力的武器。 (2) 发展了基于光辅助扫描开尔文探针显微镜的新型扫描扩散显微术方法，定量测量光吸收系数、扩散长度、载流子寿命以及扩散系数的空间分布和变化，揭示了缺陷、相分离等微观结构对纳米光电性质的影响。 (3) 对氮化镓与石墨烯二维材料的界面输运性质进行了系统的研究，从实验和理论上系统阐明了石墨烯浮动费米面的特性对异质结电学输运性质的影响，发展了半导体表面测量二维材料微区迁移率的方法。 (4) 制定了国家标准GB/T 32189-2015 《氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法》，并取得相关实验室认证资格，为产业提供了大量支撑服务。报告题目：拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用【摘要】 半导体晶圆质量检测目前普遍采用工业视觉检测方法对全晶圆质量和缺陷进行评估，但诸如组分、应力、载流子浓度等关键物理性质的分布不均匀，难以通过视觉检测方法获得，这时光谱学的手段是重要的补充方法。光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关，广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析，可用于检测组分、应力、载流子浓度、温度、晶向和缺陷等信息。通常的共聚焦拉曼测试由于信号较弱、对聚焦稳定性要求较高，常常只局限于单点或少量采样点。而对大到8寸乃至12寸全晶圆范围的覆盖性检测，可能会极大地帮助改进工艺制程和产品质量。我们通过一些的典型的案例，例如结晶硅薄膜晶化率测试，第三代半导体晶圆的应力和载流子浓度检测，以及多层复杂器件结构的综合性质检测，展示了拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用前景。王一臣 青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理【个人简介】硕士研究生，现任青岛盛瀚色谱技术有限公司产品经理。目前主要负责青岛盛瀚公司离子色谱实验室类、在线类仪器以及联机类仪器的应用方法的开发和技术支持工作，拥有仪器分析行业多年的工作经验。对离子色谱行业有深刻见解，对设备选型、市场调研、需求管理等有丰富经验。报告题目：半导体—离子色谱检测解决方案【摘要】 针对半导体行业中，离子色谱技术对于检测其中的杂质阴离子具有的得天独厚的优势，本次盛瀚就针对半导体行业离子色谱方面做出的工作进行分享。徐宗伟 天津大学精密测试技术及仪器全国重点实验室 教授【个人简介】徐宗伟，天津大学，教授，博士/硕士生导师。中国电子显微镜学会聚焦离子束FIB专业委员会委员，中国微米纳米技术学会微纳米制造及装备分会理事。主要从事宽禁带半导体，微纳/原子尺度制造，拉曼/光致发光光谱，以及纳米功能器件设计、制备及应用。作为负责人获批十余项国家级项目，包括五项国际合作交流项目，其中一项被英国皇家学会列入“牛顿基金”项目。与德国弗朗霍夫协会、中电集团等宽禁带半导体企业和研究所开展紧密合作。研究成果受邀作主题报告/特邀报告30余次。报告题目：宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征【摘要】碳化硅SiC、六方氮化硼hBN和金刚石等宽禁带半导体是制造量子及高功率半导体器件的优良材料。基于氦离子束、飞秒激光等超快能量束加工、变温光致发光光谱、分子动力学模拟等研究方法，研究了SiC硅空位/双空位色心、hBN和金刚石色心等加工产率，开展了飞秒激光原位退火、微结构阵列等色心荧光增强方法研究，基于共聚焦光致发光光谱表征了色心三维分布。会议联系会议内容康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn

直播 | TESCAN SOLARIS X 提升你在半导体领域的分析能力摘要：2024年3月5日16:00直播，从半导体分析的最新进展，到提高吞吐量和质量的工具演示，您将收获克服半导体样品分析挑战的宝贵经验。随着半导体行业朝着集成度、密度和小型化的更大目标发展，保持领先势在必行。 标记日历2024年3月5日，我们诚邀您参加一场“将改变您处理半导体样品分析的方式”的网络研讨会。本次会议将深入探讨影响半导体样品分析的最新趋势和技术，并展示TESCAN SOLARIS X的尖端功能。 主题：无论是半导体深度截面切割，制作无镓离子污染的TEM样品，以及实现逐层剥离，高吞吐量与质量保证TESCAN SOLARIS X 皆可兼顾时间：2024年3月5日（周二）下午4:00演讲人：Lukas Hladik | TESCAN集团 产品市场经理内容预告 行业发展洞察全面了解半导体行业对小型化和高密度集成化的追求。了解这些趋势如何重塑设备的功能、速度和功耗。 技术深度探究了解所有关于TESCAN SOLARIS X的信息，该系统具有快速、大面积切割和样品制备的能力，而不会受到Ga+离子暴露的不利影响。 实际演示体验现场演示，展示TESCAN SOLARIS X 熟练处理各种复杂样品，从OLED显示组件到14nm FinFET CPU材料等等。 您将收获从半导体分析的最新进展，到提高吞吐量和质量的正确工具演示，您将收获克服半导体样品分析挑战的宝贵经验。 想要深入了解半导体技术的各个方面，我们诚邀您访问我们的新网站 相约专家 Lukas Hladik, 是TESCAN集团经验丰富的产品市场经理，自2012年以来一直在公司发挥重要作用。他专注于等离子FIB-SEM和失效分析解决方案，他的专业知识深深植根于半导体研发，并与全球半导体行业密切相关。 现在预订您的位置，加入半导体前沿技术的专家社区。具体参加会议可移步至公众号：TESCAN公司

仪器信息网讯 2021年10月27日，第十二届中国国际纳米技术产业博览会在苏州国际博览中心隆重开幕，苏州市委常委、副市长顾海东，市委常委、园区党工委书记沈觅，中国国际科学技术合作协会会长姚为克，园区党工委委员、管委会副主任倪乾等出席开幕式。大会邀请诺贝尔奖得主、11名国内外院士、25名国家级人才和320名顶级专家参与，国内外龙头企业也将齐聚金鸡湖畔，就纳米技术上下游应用交流合作。大会开幕现场本届纳博会以“山容海‘纳’、无‘微’不至”为主题，将在10月27-29日举办十余场前沿高峰论坛、300余场行业报告，300多名顶级专家、行业精英“线上线下”齐聚一堂，2200多家纳米技术相关企业参展、参会，一批纳米“黑科技”产品集中亮相。第12届中国国际纳米技术产业博览会正式启幕开幕式系列签约，左至右，上至下：重大项目集中签约；国家第三代半导体技术创新中心合作签约；江苏省未来膜技术创新中心签约；苏州胜科半导体分析测试平台签约仪式（左至右：爱斯佩克环境仪器（上海）有限公司中国区总裁刘龙官、赛默飞世尔中国区分析仪器集团商务副总裁周晓斌、胜科纳米（苏州）股份有限公司的董事长李晓旻、日立科学仪器有限公司副董事长渡边有浩、蔡司大中华区工业销售总监及特别代表王斌）据悉，此次签约的苏州胜科半导体分析测试平台，胜科纳米通过与赛默飞、日立、爱斯佩克、蔡司国际企业的强强联合，平台将汇聚大批世界顶级的全套分析仪器、设备，击破硬件壁垒，实现高等人才集聚，加速技术迭代，为半导体全产业链、面板等一切精密电子行业提供一站式可靠性分析、材料分析、失效分析等高端检测和辅助研发服务，将帮助中小型企业及初创科技公司降低成本，提高效率，专注于主流研发与生产，更好的提升企业核心竞争力。第四届纳博会分析测试应用论坛现场10月28日，作为十一个分论坛之一，第四届纳博会分析测试应用论坛如期召开，该论坛由胜科纳米（苏州）股份有限公司主办，江苏省纳米技术产业创新中心、中国半导体行业协会MEMS分会、苏州纳米科技发展有限公司合办，赛默飞世尔科技、日立科学仪器有限公司、蔡司中国、高德英特（北京）科技有限公司、爱斯佩克环境仪器（上海）有限公司、仪器信息网共同协办。论坛围绕射频芯片、滤波器芯片、功率半导体等的测试分析，邀请13位国内外半导体领域的专家、学者、企业家、工程师分享相关的分析测试技术案例，探讨半导体分析检测技术发展应用趋势。以下为论坛精彩分享摘要，以飨读者。胜科纳米（苏州）股份有限公司董事长 李晓旻 致欢迎词李晓旻在致词中首先回顾了胜科纳米的发展历程，2004年在新加坡创立、2012年落户苏州，近二十年的专注帮助胜科纳米实现快速发展。目前，胜科纳米新加坡成为东南亚最大的半导体芯片测试公司，胜科纳米苏州在国内也保持很高的增长速率快速成长。接着，分享了关于半导体行业发展趋势的两种观点，即Labless共享实验室模式和半导体行业三维发展。关于半导体行业三维发展，半导体市场每年规模超5000亿美元，但同时也是高度细分化的市场，细分领域数以万计，在领域内横向扩张或垂直于产业链的整合过程中，势必会造成对产业设备、耗材、场地，尤其是人才等资源的挤压。而半导体领域内不足2万分析测试人才的现状，人才缺乏已经成为业内共识。此背景下，胜科纳米希望通过全新模式、三维视角，构建整个行业的中央实验室，以服务成百上千家企业，解决供需矛盾，实现共赢发展。最后，对与会者表示欢迎，并期望论坛中业内专家的精彩分享能给大家带来启发。清华大学微电子所副所长 池保勇（线上报告）报告题目：集成电路技术的发展与创新池保勇首先从1958年集成电路的诞生、摩尔定律带动下的飞速发展等谈起，分享了集成电路的发展历史。接着，介绍了集成电路延续摩尔定律工艺持续进步的发展趋势，以及现行芯片技术在物理、功耗、工艺和经济四方面存在的四个极限。关于集成电路对信息产业的推动作用，池保勇认为，全球GDP与集成电路呈现相关性，且进入本世纪第二个十年后相关性越来越强。最后从网络基础设施核心技术、5G赋能、几何高清、全自动驾驶、智慧芯片等方面展望了集成电路的未来趋势。Bosch Sensortec 亚太区总裁 王宏宇 报告题目：智能算法、嵌入式AI和MEMS传感器——日常生活中的“隐形”小明星王宏宇首先探讨了万物物联背景下传感器未来的发展之路，接着介绍了BOSCH在MEMS传感器技术方面的发展历程，从1990年汽车传感器需求下的诞生，到2005年独立出子公司拓延至消费品需求市场，再到伴随智能手机需求的快速发展、万物物联等。针对MEMS传感器面临的功耗、个性化配置、智能化、信息安全等挑战，提出低功耗、嵌入式AI、智能算法等行业期望，同时这些趋势也将对对应的分析测试技术产生深远影响。三星半导体代工市场总监Pierce Li报告题目：代工解决方案：助力中国芯片设计的明天Pierce Li从全球芯片紧张、中国半导体市场机遇、三星Foundry解决方案方面进行分享。新冠疫情、大数据时代芯片需求增长、产能紧张等现状都加速了全球芯片的紧张。此背景下，中国最为全球最大的半导体单一市场，2020年全球半导体市场规模占比达34.4%，且近五年中国半导体市场复合增长率达11.06%。中国芯片设计公司高速成长、资本推动、国产化政策、先进工艺需求强劲等都展现了中国半导体市场的巨大潜力。三星先进工艺优势包括率先推出先进Foundry工艺、助力突破高端芯片、2.5D/3D封装Turn-key服务，并表示将扩大中国本土生态伙伴，芯植中华、共创辉煌。北京知存科技有限公司副总 李召兵报告题目：存算一体芯片传统架构的内存墙瓶颈，包括数据搬运慢、搬运能耗大等，与近存计算相比，存内计算具有更高效、并行度高等优势。李召兵报告介绍了知存科技团队发展现状，以及在存内计算方面的WTM2101智能解决方案，并进一步探讨了存算芯片在颠覆性架构设计背景下，对装置检测、IP检测，以及产品检测三方面芯片检验检测的影响及对应措施。圆桌论坛圆桌论坛环节，由胜科纳米副总官浩主持，分别邀请胜科纳米董事长李晓旻、赛默飞半导体中国区高级商务总监朱雪雁、知存科技副总李召兵、芯云科技封测技术顾问张胜毅、资深行业专家赖李龙、睿熙科技经理陈耿等，从半导体制造、设计、封装测试、第三方检测、科学仪器设备商等角度共同探讨了半导体分析测试发展的趋势和机遇。大家对胜科纳米为代表的第三方检测企业寄予厚望，并认为，在半导体不断细分趋势下，面对结构、材料、良率等挑战，对检验检测不断涌现新的需求。新的需求下，先进的仪器设备与专业性的技术积累并重，专业第三方检测迎来新的机遇。半导体企业，尤其中小企业对第三方检测需求旺盛，对于第三方检测实验室是机遇也是挑战，如何把握机遇，还需与半导体企业间保持紧密合作的基础上深耕技术，基于广度优势上，实现深度上的突破。资深行业专家 赖李龙报告题目：集成电路及元器件失效分析和纳米尺度表征赖李龙首先简介了失效分析的流程，并概述了半导体成分分析和表面分析技术，成分分析技术主要包括三类：电子分析手段（EDS/EELS/AES… ）、离子分析手段（SIMS/RBS… ）、X射线手段（XRF/TXRF/XPS… ），表面分析技术则主要包括AFM/SPM、TOF SIMS、AES、XPS、TXRF等。随后案例探讨了如何在实际器件中看掺杂质与载流子的分布，并介绍了APT与（S）TEM两种表征方法的比较。最后从产品级定位、试片制备、成分分析等方面展望了集成电路未来微纳分析技术的发展方向，并提出为何需要在实验室进行器件表征、FIB如何制备SCM样品等问题的思考。浙江睿熙科技有限公司经理 陈耿报告题目：VCSEL 及其在消费电子、数通和车载领域的应用VCSEL被广泛应用于手机3D摄像头、人脸支付终端、扫地机器人等场景，陈耿主要介绍了VCSEL的优势、主要工艺步骤及设计难度，整体设计过程都需要对其光学性能、电学性能、热学性能、机械应力等进行考量，这就涉及到系列检测技术手段的支持。接着分享了在手机、非手机、TWS耳机等领域的应用前景及睿熙科技可以提供的VCSEL相关解决方案。胜科纳米（苏州）股份有限公司副总 华佑南报告题目：晶圆制造中晶体管栅极氧化层新型失效分析技术的研究与应用在半导体晶圆制造中，最具挑战的失效分析包括前端制程中的晶体管栅极氧化层失效（晶圆良率）、后端制程的铝焊盘失效（封装良率）等，报告中，华佑南主要分享了晶体管栅极氧化层失效相关的失效分析方法。报告通过使用两种分析流程，提出一种可靠的晶体管栅极氧化层失效分析方法。即当样品失效来自晶圆时，建议使用TOF-SIMS分析进行污染定性分析，然后使用D-SIMS法确定污染物；当知道样品不合格是来自可疑的工具或工艺时，建议使用VPD ICP-MS进行污染定性分析，然后使用D-SIMS确定污染物。接着以实际两个案例分别详细介绍了两种分析流程的分析过程。赛默飞高级经理 曹潇潇报告题目：助力良率提升及先进研发--赛默飞失效分析解决方案的新进展随着半导体器件结构变得越来越复杂，精确定位这些器件中的缺陷变得越来越困难， FIB在探寻这些失效点时也需要切割更多的材料，这些都为失效分析带来挑战，需要更高分辨的成像和微量分析技术来进行失效本质进行分析。曹潇潇主要分享了赛默飞基于芯片失效分析的挑战提供的相关前沿分析解决方案。基于近来PFIB技术在半导体物理失效分析中应用的不断增多，着重介绍了赛默飞Helios5 PFIB在时下比较热门的Power、Display、Packaging、MENS四个领域的详细应用方案及流程。日立科学仪器（北京）有限公司部长 周鸥报告题目：日立电子显微镜系列产品在半导体行业的应用能力日立相关仪器设备技术覆盖半导体晶圆工艺、在线检测、缺陷检测及分析等流程，周鸥主要分享了日立科学仪器在半导体缺陷分析方面提供的系列解决方案，包括SEM、STEM、FIB、SPM、纳米探针等。电镜相关核心技术包括ExB技术（用于控制SE/BSE信号检测，实现消除放电现象及信号混合）、Regulus探测系统等。接着依次分享了日立SEM、纳米探针NP6800、SU9000、低压STEM等在半导体失效分析中的应用案例与优势。卡尔蔡司（上海）管理有限公司经理 黄承梁报告题目：蔡司显微镜的半导体晶片级和封装级失效分析解决方案黄承梁分别介绍了蔡司半导体晶片级和封装级失效分析解决方案，晶片级失效分析方案主要包括光学显微镜进行光学检测、电子探针/EBIC/EBAC进电气故障检测、C-SEM/FE-SEM进行缺陷检测、FIB-SEM/Laser FIB进行物理失效分析等；封装级失效分析方案则包括2D X-ray等进行无损检测、机械研磨等破坏性检测、SEM等进行端点检测、FIB-SEM进行失效原因分析等。高德英特（北京）科技有限公司应用科学家 鞠焕鑫报告题目：PHI表面分析技术（XPS/AES/TOF-SIMS）在产业中的应用鞠焕鑫首先介绍了XPS、AES、SIMS等常规表面分析技术的技术发展历程、各类技术的比较，以及应用现状。接着介绍了PHI在表面技术方面的历史积累与优势，并通过这些表面分析技术在半导体表面缺陷成分分析、Chip表面成分和钝化层厚度分析、半导体材料内部异物/污染/颗粒物分析等应用案例详细介绍了PHI对应解决方案。爱斯佩克测试科技（上海）有限公司实验室负责人、试验部部长 潘晨亮报告题目：可靠性测试在半导体领域的应用随着整体应用市场由4G向5G的变化，数据多元化、汽车电子化等趋势下，可靠性测试已变得不可或缺。潘晨亮主要分享了半导体生产制造过程中常见的可靠性测试流程，以及国内外主要半导体企业当前的可靠性测试现状。接着从加速环境应力测试、加速寿命模拟试验等测试项目分别介绍了各类测试的方法、对应测试设备，及验收标准等。同期展会掠影

p　　strong2017年7月4日，成都/strong——近日，科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技(以下简称：赛默飞)亮相成都第 24 届国际集成电路物理与失效分析研讨会 (IPFA 2017)，并发布三款用于半导体失效分析工作流程的全新产品，旨在帮助半导体故障分析实验室提升处理样品和获取数据的效率，为寻求快速、高质量的电性和物理失效分析的半导体制造商提供创新解决方案。/pp　　新型 Helios G4 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统可对各类半导体器件进行逆向剥层处理，并提供超高分辨率扫描电子显微镜 (SEM) 分析。新型 flexProber 纳米探针量测系统可用于快速电性失效分析的应用。它能对半导体晶片在互连导线和晶体管级别上的故障位置，做出准确的定位。新型 Themis S 透射电子显微镜 (TEM)用在最具挑战性的半导体器件上，可提供原子级分辨率的成像和高产率的元素分析。/pp　　“作为科学服务领域的世界领导者，赛默飞始终立于世界科学发展的前沿，以强大的技术创新领导力，为全球用户提供先进科学服务产品。”赛默飞中国区总裁江志成(Gianluca Pettiti)先生表示：“目前中国的半导体市场充满机遇与挑战，提升产品性能与效率是产业的发展重点。赛默飞始终聚焦中国的科研需求、与本地客户密切协作，致力于帮助客户提高实验室效率，践行我们的本地化承诺。”/pp　　“半导体市场不断地快速发展，内存、代工、物联网 (IoT)、先进封装和显示屏市场领域都呈现出强劲的增长”，赛默飞材料与结构分析部亚洲区副总裁荆亦仁阐述道：“这一发展带动了人们对快速、高质量电性和物理失效分析需求的提升。这些新的产品将为我们现有的失效分析解决方案增添新的功能，并提高了机动性”。/pp　　Helios G4 等离子聚焦离子束系统是赛默飞最新一代的双束显微镜。它具有从快速剥层、扫描电子显微镜截面成像到透射电子显微镜样品制备在内的多种功能。半导体剥层技术在 14 nm 以下技术节点器件上的缺陷定位应用变得越来越重要。等离子聚焦离子束搭配Dx 化学气体可用于均匀展露金属层，使赛默飞的纳米探针测量系统能够进行电性故障的定位与分析。/pp style="text-align: center "img title="赛默飞新型 Helios G4 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统.png" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201707/insimg/309a0d7f-1c24-47fd-b0bc-832df82b37cf.jpg"//pp style="text-align: center "　　赛默飞新型 Helios G4 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统/pp　　Helios G4 等离子聚焦离子束系统可支持 7 nm 技术节点以下器件的逆向剥层处理并提供自动终点检测，以在指定的金属层或通过层显露时自动停止蚀刻。它提供比传统 (Ga+) 聚焦离子束系统快 10 到 20 倍的蚀刻速率，使客户能够为纳米探针测量系统、透射电子显微镜以及扫描电子显微镜制备更大面积的样品，并可广泛地应用于先进 (2.5D) 封装、发光二极管 (LED)、显示屏以及微电子机械系统 (MEMS) 。/pp　　新型 flexProber 系统旨在帮助客户对电性失效做出快速定位，并利用低电压扫描电子显微镜来引导精密机械探针到故障电路元件上。准确定位有助于提高后续分析的效率和成本的效益，确保由此定位而制取的透射电镜样品包含了故障区域。专为探针设计的flexProber 系统的扫描电镜，与其前代产品 nProber II 相比分辨率提升了 2 倍。它融入了赛默飞高端纳米探针量测系统的许多功能，适用于广泛的半导体器件类型和不同的制程技术。它提供了入门级配置，同时保留了未来升级到完整纳米探针测量系统的可能性。/pp style="text-align: center "img title="赛默飞新型 flexProber 纳米探针量测系统.png" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201707/insimg/136972db-c7e7-4224-bdab-7cc10bba0ef1.jpg"//pp style="text-align: center "　　赛默飞新型 flexProber 纳米探针量测系统/pp　　Themis S 系统是赛默飞行业标准 Themis 系列透射电镜的最新成员。以为20 nm 技术节点以下的半导体器件失效分析为目的，Themis S 系统旨在提供大规模的半导体图像和分析数据，同时Themis S还包括了集成的隔振护罩和完整的远程操作功能。球差矫正器、80-200kV 镜筒、自动对中、XFEG 电子枪和 DualX X 射线能谱仪提供了强大的亚埃级成像能力和快速、准确的元素和应力分析功能。/pp style="text-align: center "img title="赛默飞新型 Themis S 透射电子显微镜 (TEM).png" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201707/insimg/f73b2fc6-0338-45ed-b133-2065a9429bc7.jpg"//pp style="text-align: center "　　赛默飞新型 Themis S 透射电子显微镜 (TEM)/pp　　“我们客户的半导体器件多种多样，从最先进的 7 到20 nm节点的内存和逻辑器件，到在智能手机和物联网等产品中仍占据重要地位的成熟技术的器件”，荆亦仁表示：“我们的失效分析工具系列可满足不同半导体客户的各种需求。我们期待在中国 IPFA 会议上，与我们的客户面对面探讨我们将如何满足半导体领域不断增长的需求。”/pp　　strong关于赛默飞世尔科技/strong/pp　　赛默飞世尔科技(纽约证交所代码：TMO)是科学服务领域的世界领导者。公司年销售额180亿美元，在50个国家拥有约55,000名员工。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。我们的产品和服务帮助客户加速生命科学领域的研究、解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战，促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。赛默飞的重要应用领域包括食品安全、生物制药、环境及医疗保健等垂直市场。借助于首要品牌Thermo Scientific、Applied Biosystems、Invitrogen、Fisher Scientific和Unity Lab Services，我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合，为客户、股东和员工创造价值。/pp　　strong赛默飞世尔科技中国/strong/pp　　赛默飞世尔科技进入中国发展已超过35年，在中国的总部设于上海，并在北京、广州、香港、成都、沈阳、西安、南京、武汉、昆明等地设立了分公司，员工人数约4000名。我们的产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等，提供实验室综合解决方案，为各行各业的客户服务。为了满足中国市场的需求，现有7家工厂分别在上海、北京和苏州运营。我们在全国共设立了5个应用开发中心，将世界级的前沿技术和产品带给国内客户，并提供应用开发与培训等多项服务 位于上海的中国创新中心结合国内市场的需求和国外先进技术，研发适合中国的技术和产品 我们拥有遍布全国的维修服务网点和特别成立的中国技术培训团队，在全国有超过2000名专业人员直接为客户提供服务。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。/pp　　strong媒体垂询：/strong/ppstrong　　赛默飞世尔科技/strong/pp　　高赫/pp　　公共关系经理/pp　　电子邮件：sura.gao@thermofisher.com/pp　　电话：(86-21) 6865 4588-2695/pp　　strong公关公司/strong/ppstrong　　爱德曼国际公关/strong/pp　　秦雯/pp　　电子邮件：Cherry.Qin@edelman.com/pp　　电话： (86-21) 6193 7411/pp /p

仪器信息网讯 2023年3月1日，由中国微米纳米技术学会、中国国际科学技术合作协会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主办，苏州纳米科技发展有限公司承办的第十三届中国国际纳米技术产业博览会在苏州国际博览中心迎来盛大开幕!大会开幕式现场本届纳博会为期三天，聚焦微纳制造（MEMS）、第三代半导体、纳米新材料、柔性印刷电子、纳米压印、分析测试、纳米大健康等热门领域，汇聚众多全球顶级专家、行业领军，以1场大会主报告、11场专业论坛、344场行业报告、22000平米展览、2场大赛为主体，“会、展、赛、奖、发布”五位一体，邀请国内外院士19人，参会参展的纳米技术相关企业超两千多家，参会参展嘉宾总人数将达两万余人。3月2日，作为十一个分论坛之一，第五届纳博会分析测试应用论坛如期召开，该论坛由胜科纳米（苏州）股份有限公司、中国半导体行业协会MEMS分会、苏州纳米科技发展有限公司共同主办，赛默飞世尔科技、日立科学仪器（北京）有限公司、卡尔蔡司（上海）管理有限公司、牛津仪器科技（上海）有限公司、仪器信息网共同协办。论坛围绕集成电路及元器件失效分析和材料分析表征，先进封装和复杂芯片的故障分析方案，Labless商业模式变革等主题，邀请11位国内外半导体领域的专家、学者、企业家分享相关的分析测试技术进展，探讨半导体分析测试行业发展与趋势。以下为论坛精彩分享摘要，以飨读者。分析测试应用论坛现场胜科纳米 (苏州) 股份有限公司公共关系副总裁 邵宏伟 主持会议胜科纳米 (苏州) 股份有限公司董事长 李晓旻 致欢迎辞并分享报告报告题目：企业家的预见性--从分析检测赛道看半导体行业周期胜科纳米是世界顶尖的第三方分析实验室，为集成电路行业提供一站式失效分析、材料分析、产品开发和质量保证服务，服务全球客户已超2400家，并深度参与到整个全产业链的生产研发活动。此背景下，胜科纳米创始人李晓旻拥有了俯视产业的视角，曾提出Labless商业理念，多次准确预判半导体行业周期。敬畏行业周期性，报告中李晓旻从独特视角、结合二十余年的从业经验，分享了从分析检测赛道对半导体行业周期的判断，分别对近年来“芯片荒”、“低端芯片内卷，高端芯片稀缺”、“行业细分”等预判进行了探讨与延伸。最后认为，半导体已真正进入性价比时代，一切能够提升芯片性价比的赛道将成为下一周期。胜科纳米一直致力于提升整个半导体行业性价比，其正向发展走势与周期必然性一致。报告人：湖南越摩先进半导体有限公司CEO 谢建友报告题目：SiP先进封装行业的技术现状及发展趋势 (线上)SiP封装技术的发展是摩尔定律得以延续的主要技术路径。谢建友报告表示，随着晶圆技术的“瓶颈”化和成本的提高，封装技术会承担越来越最重要的作用和提供更高的价值。计算、移动通讯 (5G)的持续发展需要封装技术的不断创新、发明、优化来满足持续增长的性能需求和成本的降低。而Chiplet、2.5D/3D等广义上的 SiP，新兴的材料，设备，工艺是未来封装界需要侧重开发的领域。报告人：上海光源中心副主任 李爱国报告题目：集成电路器件同步辐射无损表征方法上海光源装置由一台150MeV电子直线加速器、一台全能量增强器、一台3.5GeV储存环和众多光束线站组成，一期总投资14.3亿元，2009年5月对用户开放。目前正在建设二期线站工程，总投资16.7亿元，将在2023年中全部对用户开放。李爱国报告分享了同步辐射无损表针技术在集成电路器件领域的应用及展望，发展高精度同步辐射无损表征技术可以实现集成电路的sub-7nm缺陷的快速无损成像检测，同时，同步辐射能为集成电路芯片的生产流程优化、失效机理分析和设计验证提供有效支撑。报告人：蔡司显微镜业务拓展经理 黄承梁报告题目：化合物半导体的先进失效分析技术黄承梁介绍了蔡司显微镜多尺度表征解决方案在化合物半导体先进失效分析中的应用与案例。应用涵盖芯片、外延、设计、制造、封装等环节，对应相关蔡司技术包括光镜、扫描电镜-阴极发光、ECCL、FIB、XRM、LM等。供应商颁奖典礼（最佳用户体验奖-牛津仪器，最佳设备质量奖-日立科学仪器，最佳技术合作奖-蔡司，最佳服务质量奖-赛默飞）圆桌会议圆桌会议环节，由胜科纳米公共关系副总裁 邵宏伟主持，分别邀请南开大学讲席教授罗锋、胜科纳米董事长李晓旻、中国科学院半导体研究所教授级高级工程师钮应喜、赛默飞半导体中国区高级商务总监朱雪雁等，围绕半导体分析测试领域发展的多方合作、分析测试技术如何应对半导体快速发展的需求、高端试片制备技术发展、半导体测试领域人才短缺等话题进行了逐一探讨交流。报告人：南开大学讲席教授 罗锋报告题目：半导体分析检测设备在3nm以下IC工艺节点中的挑战与机遇罗锋在报告中表示，立足研发是实现我国芯片的自主可控必由之路，材料和加工工艺与装备是最大瓶颈，而对应测试与检测设备是检验设备性能可靠性的必要手段和提升其性能的指导工具。接着分享了围绕面向3nm以下工艺节点的IC关键工艺与装备，其团队的开展的相关研究与代表性成果，包括研发4D电与超快阴极荧光系统、开展金属氧簇型EUV光刻材料研究、研发桌面型高能自由电子激光器、自研原子层沉积/刻蚀技术与装备、集成电路表面分析与表面处理装备开发等。报告人：国家纳米科学中心研究员 葛广路报告题目：纳米材料测试标准葛广路分享了纳米材料分析测试的挑战及纳米材料测试标准情况，关于相关测试标准展望，葛广路认为，已发布的检测标准用于基础研究和技术研发中的数据比较，尚不能支撑市场监管和高端应用。下一步关注基质中纳米材料的检测，和器件中纳米性能的评估。同时呼吁打通壁垒，形成国家、行业、地方、团体标准的完善体系，建立国内纳米测量比对实验的组织机制，提升标准质量。报告人：赛默飞世尔科技EFA商务拓展经理 唐涌耀报告题目：提高失效分析成功率-赛默飞整体解决方案助你一臂之力唐涌耀首先介绍了失效分析流程和电性失效定位方法，接着围绕“分析方法原理、EFA基本原理原则与流程、分析方法的限制/极限/应用范围”等，依次分享了赛默飞整体解决方案，相关技术包括LIT、PFIB、Nanoprobing、FIB、SEM/TEM等。报告人：牛津仪器科技(上海) 有限公司应用科学家 马岚报告题目：牛津仪器半导体显微分析技术进展马岚报告主要介绍了牛津仪器旗下材料分析业务（MAG）在半导体显微分析技术方面的进展，相关技术主要包括纳米分析（EDS, EBSD, WDS, OP）、共聚焦拉曼成像显微镜、原子力显微镜等，并分别列举了每种技术在半导体显微分析方便的最新应用案例。报告人：日立科学仪器 (北京) 有限公司经理 张希文报告题目：日立电镜产品助力最先进半导体产业日立在半导体领域可以提供全面设备技术，张希文报告主要介绍了其中电镜技术在半导体产业中的最新应用进展，并分别详细介绍了日立优势产品冷场发射扫描电镜SU8600/SU9000、球差校正透射电镜HF5000、纳米探针NP8000等产品技术的最新应用案例与优势。报告人：中国科学院半导体研究所教授级高级工程师 钮应喜报告题目：碳化硅缺陷表征以及其对器件性能的影响钮应喜报告首先介绍了碳化硅的缺陷，以及缺陷对器件性能的影响，接着表示，随着碳化硅的技术发展、成本进一步降低，在终端应用市场的渗透率进一步提升，尤其在新能源汽车领域。在各个工艺环节中还存在很多缺陷，影响性能、合格率、可靠性，还需持续改进，尤其上下游的协同作用。报告人：胜科纳米 (新加坡) 副总裁 华佑南报告题目：X-射线能谱 (EDS)、X-射线光电子能谱 (XPS) 和俄歌电子能谱 (AES) 分析技术研究和在半导体芯片设计、晶圆制造和先进封装中的应用(线上)华佑南在报告中探讨了X-射线能谱(EDS)、X-射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)三种分析技术。提出了“EDS清洁是不清洁的，Auger清洁则是清洁的”的分析概念。确定了“EDX 不能用来检测一个正常铝焊盘上的氟污染水平，必须应用俄歇电子能谱(AES)来检测。通过一些应用实例，对三种分析技术的优缺点做了比较。帮助失效分析和质量管理人员选择合适的分析技术，提高材料分析和失效分析的准确度和精度，和提升半导体产品的良率和可靠性。

仪器信息网讯 2021年10月28日，由胜科纳米（苏州）股份有限公司主办，江苏省纳米技术产业创新中心、中国半导体行业协会MEMS分会、苏州纳米科技发展有限公司共同合办的“第四届纳博会半导体分析测试应用论坛（ 2021 4th Symposium for Semiconductor Failure Analysis & Application，即第四届纳博会分析测试应用研讨会）”将在“第十二届中国国际纳米技术产业博览会（CHInano 2021）”同期举办，仪器信息网将作为协办单位全程报道论坛议程。会议官网：http://www.chinanosz.com/cata2021.html 一、会议组织机构主办单位：胜科纳米（苏州）股份有限公司合办单位：江苏省纳米技术产业创新中心中国半导体行业协会MEMS分会苏州纳米科技发展有限公司协办单位：赛默飞世尔科技日立科学仪器有限公司蔡司中国高德英特（北京）科技有限公司爱斯佩克环境仪器（上海）有限公司仪器信息网二、会议介绍在科技部和中国科学院指导下，从2010年开始苏州工业园区举办一年一届的“中国国际纳米技术博览会”（英文“CHInano Conference & Expo”, 以下称“纳博会”），目前已成功举办十一届，经过多年积累，中国国际纳米技术产业博览会已成为中国影响力最广的纳米技术交流盛会。胜科纳米（苏州）股份有限公司联合江苏省纳米技术产业创新中心，于2018年第九届纳博会开始，同期举办“纳博会分析测试应用研讨会”。三年来，分析检测论坛得到了企业、行业协会、高校及科研院所等单位的大力支持，三年累计吸引了1000余名半导体与集成电路领域的专业人士参会。2021年“第四届纳博会分析测试应用研讨会”将围绕射频芯片、滤波器芯片、功率半导体等的测试分析，为半导体相关企业进行技术和案例的分享与研讨。今年分析检测论坛设4大主题（详见三），我们将邀请多名国内外半导体领域的专家、学者、企业家、工程师分享相关的分析测试技术案例，探讨半导体分析检测技术发展应用趋势。三、会议日期和地点时间：2021年10月28日地点：苏州国际博览中心B1馆会议规模：350人四、会议主题2021第四届纳博会半导体分析测试应用论坛特设主题：1、射频、滤波器、功率半导体等芯片的故障分析方案2、物理分析技术、表面/化学分析技术在材料表征、失效分析和质量保证中的应用3、TEM、SEM & Nanoprobing等高端制备技术及应用4、集成电路及显示器件失效分析和材料分析表征2021 4th Symposium for Semiconductor Failure Analysis & Application:1. FA case study of RF IC、Filter IC and Power Device2. Application of Physical Failure Analysis and Surface/Chemical Analysis techniques in Materials Characterization, Failure Analysis and Quality Assurance3. TEM, SEM and Nanoprobe Techniques and Applications4. Failure Analysis and Materials Analysis & Characterization for IC and Display Device五、参会对象新材料、集成电路、半导体、电子元器件、光伏、LED、LCD、OLED、触控显示、航空航天等广泛领域科研院所专家、学者；企业界管理层、质量、研发、生产部门的技术人员及管理人员六、会议日程Date: Oct. 28日期： 10 月 28 日Location:B1 Exhibition Hall Room 1地点： B1会议室1Time时间Speaker演讲人Speaker ’s Position / Organization and Speech Title职位/机构及演讲主题08:55-09:00李晓旻胜科纳米（苏州）股份有限公司董事长开场及欢迎致辞09:00-09:25池保勇清华大学微电子所副所长集成电路技术的发展与创新09:25-9:50王宏宇Bosch Sensortec 亚太区总裁智能算法、嵌入式AI和MEMS传感器——日常生活中的“隐形”小明星9:50-10:15宋喆燮三星半导体代工中国区总经理代工解决方案：助力中国芯片设计的明天10:15-10:30茶歇10:30-10:55李召兵北京知存科技有限公司副总存算一体芯片11:00-12:00圆桌论坛12:00-13:30午餐13:30-13:55赖李龙资深行业专家集成电路及元器件失效分析和纳米尺度表征13:55-14:20陈耿浙江睿熙科技有限公司经理VCSEL 及其在消费电子、数通和车载领域的应用14:20-14:45华佑南胜科纳米（苏州）股份有限公司副总晶圆制造中晶体管栅极氧化层新型失效分析技术的研究与应用14:45-15:10曹潇潇赛默飞助力良率提升及先进研发--赛默飞失效分析解决方案的新进展15:10-15:30茶歇15:30-15:55周鸥日立科学仪器（北京）有限公司部长日立电子显微镜系列产品在半导体行业的应用能力15:55-16:20黄承梁卡尔蔡司（上海）管理有限公司经理蔡司显微镜的半导体晶片级和封装级失效分析解决方案16:20-16:45鞠焕鑫高德英特（北京）科技有限公司应用科学家PHI表面分析技术（XPS/AES/TOF-SIMS）在产业中的应用16:45-17:10潘晨亮爱斯佩克测试科技（上海）有限公司实验室负责人、试验部部长可靠性测试在半导体领域的应用17:10-17:30抽奖活动七、同期展会CHInano 2021 第十二届中国国际纳米技术产业博览会博览会官网：http://www.chinanosz.com/中国最具影响力的纳米技术交流盛会“CHInano 2021中国国际纳米技术产业博览会”（CHInano），是中国最具权威、规模最大的纳米技术应用产业国际性大会。 大会由峰会(主报告、专题技术分会、应用论坛)、展览、行业大赛、对接会等部分组成，重点聚焦纳米新材料、微纳制造、MEMS、第三代半导体、能源与清洁技术、纳米生物技术等产业领域，打造国际纳米技术产业交流合作平台。CHInano 2021 is the most authentic and largest international conference of nanotech application industry in China. It consists of summits (keynote report, meetings on specific topics, application forums), exhibition,industry competition,matchmaking sessions, etc. Focusing on nano new materials, micro-nano manufacturing, MEMS, compound semiconductor,energy and clean technology, nano-biological technology and other fields, CHInano is aiming to establish a platform for facilitating collaborations in the international nanotech community.七、参会联系方式本次研讨会设定规模350人，不收注册费。8月30日前报名，享免费午餐与茶歇。报满为止。观众报名通道现已开通，现场活动奖品丰厚，欢迎踊跃参与观众参会/参展登记：https://chinanosz.7-event.cn/Base/Login?lng=cn# 扫描二维码报名组委会联系方式：参会联系人：陆 炜 联系方式：15050142680 邮箱地址：l uw@nanopolis.cn参展/赞助联系人：万成东（纳博会） 联系方式：13584824068 邮箱地址：wancd@nanopolis.cn郑海鹏（半导体分析测试论坛）联系方式：13914033396 邮箱地址：haipeng@wintech-nano.com

为促进半导体材料、器件和芯片领域科研院校，芯片设计、制造与封测企业，半导体分析检测仪器与设备企业，分析检测设备零部件供应企业之间的互动交流和融合创新，由国家集成电路创新中心、上海市仪器仪表行协会、财联社等主办，复旦大学光电研究院等协办的“2024 中国检测技术与半导体应用大会暨半导体分析检测仪器与设备发展论坛”第二轮通知正式发布。会议将在于7月11-13日在上海虹桥举办，欢迎广大专家学者和企业高管积极参会，企业参展交流。你将有机会与500位来自科研院所、芯片设计制造与封测企业、半导体分析检测仪器与设备企业的专家教授和企业高管，共同研判半导体检测技术的发展趋势，共同碰撞产学研合作火花，共同对接面向产业市场和科研市场的高质量合作机遇。一、会议宗旨为提高产品质量，针对先进半导体材料、薄膜、器件、芯片等工艺控制和精确测试、测量分析技术，以及创新链、供应链合作机遇，主要探讨交流：1、相关科学技术应用现状、未来去哪里、怎么去实现、有哪些障碍及具体的需求，高校科研院所和企业在专业人才培养、产学研合作、技术成果转移转化等方面如何打通双向合作通道；2、从事半导体技术研究的高校科研院所，从事半导体制造的企业，从事半导体材料制造企业的研发水平提升、产品质量提高和未来发展方向等对半导体相关分析检测仪器与设备的需求；3、半导体分析检测仪器设备及其零部件产业发展现状如何、未来的方向、怎么去实现、有哪些障碍及相应的需求，供应链上下游企业合作机遇及合作方式等。二、会议主题1、集成电路、新能源、显示、LED、汽车电子领域中先进半导体工艺、器件2、半导体材料、薄膜表征技术及其仪器，包括SEM, TEM, XPS, AFM, XRD, SIMS等3、半导体器件表征技术及其仪器，包括电学、光学、光电特性等表征及相关仪器4、半导体芯片表征技术及其设备，包括功能、性能、封装可靠性等表征及相关设备5、企业上下游供应链对接，科创型企业知识产权布局和保护6、企业与科研院所产学研合作，科研院所科研成果展示和发布三、参会人员1、利用各种物理、化学、光学、微结构、电学等技术进行半导体材料、薄膜、器件、芯片制备研究及分析检测仪器与设备研发等领域（集成电路、新能源、显示、LED、汽车电子）研究的高校科研院所课题组长、系主任、院长和学生；2、芯片设计行业、半导体材料和半导体前后道制造领域的企业管理者和技术负责人；3、半导体分析检测仪器与设备业管理者和技术负责人；4、半导体分析检测仪器与设备零部件制造企业的管理者和技术负责人。四、组织单位指导单位：中国技术创业协会、上海市经济和信息化委员会、上海市科学技术协会、上海虹桥商务区管理委员会、上海市闵行区人民政府主办单位：国家集成电路创新中心、上海市仪器仪表行业协会、财联社承办单位：复旦大学光电研究院、上海复创芯半导体科技有限公司、科创板日报、上海南虹桥投资开发（集团）有限公司协办单位：中国上海测试中心、上海市集成电路行业协会、上海市真空学会、上海电子学会智能仪器与设备专委会、上海市在线检测与控制技术重点实验室、上海理工大学光电学院、上海大学特种光纤与光接入网重点实验室、求是缘半导体联盟、复旦大学校友总会集成电路行业分会、上海段和段律师事务所特别报道：《CMG数字中国》融媒体节目支持媒体：仪器信息网、半导体综研、半导体行业联盟、上海真空学会官网、大同学吧、芯片揭秘支持期刊：半导体学报、自动化仪表五、已确认参会的专家/企业（持续更新中）六、会议信息1、会议时间：2024年7月11日-13日2、会议日程：日期时间活动议程7月11日14:00-20:00大会报到、展台布置7月12日09:00-12:00大会报告-113:30-17:30分会报告、墙报18:00-19:30晚宴、颁奖7月13日08:30-12:00分会报告、技术培训13:30-17:00大会报告-2、论坛、人才交流3、报告主题：报告主题主题一集成电路晶圆级缺陷检测技术主题二半导体封装及缺陷检测技术主题三高分辨显微技术及半导体应用主题四薄膜制备及椭圆偏振测试技术主题五X射线检测技术及半导体应用主题六光谱技术应用于半导体材料检测主题七功率器件、芯片缺陷检测技术主题八射频芯片检测及分析技术主题九半导体器件可靠性及失效分析技术主题十芯片、微纳器件形貌、热探测技术主题十一半导体光电器件、芯片检测技术主题十二AI技术应用于半导体分析检测(备注:会议议程持续更新，以现场实际安排为准)4、会议地点会议规模：500人左右会议地点：上海虹桥 新华联索菲特大酒店具体地址：上海市闵行区泰虹路666号(直线距离虹桥火车站、虹桥2号航站楼3公里)七、注册费用及报名名称费用（元/人）2024年6月25日前缴费2024年6月25日后及现场缴费会议代表23002800学生代表15001800（备注：注册费用包含大会期间的餐费、会议资料及纪念品等，不包含住宿费用）请扫描二维码 立刻在线报名请参会人员于2024年6月25日前微信扫码登记或填写附件3“会议参会回执表八、论文摘要/企业参展赞助1、会议论文摘要(详见附件1"会议论文摘要模板”)2、本次会议及论坛的参展与赞助(详见附件2"会议赞助权益清单”)（附件下载，详见文末）九、报名及赞助联系方式会议Emait:kjyzy@fudan.edu.cn院校师生报名及论文投递联系人：刘老师 139 1828 3051企业报名及赞助咨询联系人：徐老师 135 8571 1280报名缴费及发票确认联系人：王老师 178 2179 68082024中国检测技术与半导体应用大会_会议论文摘要模板_附件1.doc2024中国检测技术与半导体应用大会_会议赞助权益清单_附件2.pdf2024中国检测技术与半导体应用大会_参会确认表_附件3.docx

仪器信息网讯 2021年10月28日，由胜科纳米（苏州）股份有限公司主办，江苏省纳米技术产业创新中心、中国半导体行业协会MEMS分会、苏州纳米科技发展有限公司共同合办的“第四届纳博会半导体分析测试应用论坛（ 2021 4th Symposium for Semiconductor Failure Analysis & Application）”将在“第十二届中国国际纳米技术产业博览会（CHInano 2021）”同期举办，仪器信息网将作为协办单位全程报道论坛议程。一、会议组织机构主办单位：胜科纳米（苏州）股份有限公司合办单位：江苏省纳米技术产业创新中心中国半导体行业协会MEMS分会苏州纳米科技发展有限公司协办单位：赛默飞世尔科技日立科学仪器有限公司蔡司中国高德英特（北京）科技有限公司爱斯佩克环境仪器（上海）有限公司仪器信息网二、会议介绍在科技部和中国科学院指导下，从2010年开始苏州工业园区举办一年一届的“中国国际纳米技术博览会”（英文“CHInano Conference & Expo”, 以下称“纳博会”），目前已成功举办十一届，经过多年积累，中国国际纳米技术产业博览会已成为中国影响力最广的纳米技术交流盛会。胜科纳米（苏州）股份有限公司联合江苏省纳米技术产业创新中心，于2018年第九届纳博会开始，同期举办“纳博会分析测试应用研讨会”。三年来，分析检测论坛得到了企业、行业协会、高校及科研院所等单位的大力支持，三年累计吸引了1000余名半导体与集成电路领域的专业人士参会。2021年“第四届纳博会分析测试应用研讨会”将围绕射频芯片、滤波器芯片、功率半导体等的测试分析，为半导体相关企业进行技术和案例的分享与研讨。今年分析检测论坛设4大主题（详见三），我们将邀请多名国内外半导体领域的专家、学者、企业家、工程师分享相关的分析测试技术案例，探讨半导体分析检测技术发展应用趋势。Sponsored by the ministry of science and technology of People’s Republic of China and Chinese　Academy and Sciences, SIP has held CHInano Conference & Expo each year since 2010.This year is going to be 12th CHInano. With 11 years success, CHInano has become the most influential conference & Expo for nano technology in China. Since 9th CHInano in 2018, Wintech Nano(Suzhou) Co. Ltd. Joined by Jiangsu Nano Technology Innovation Center has sponsored Symposium for Failure Analysis & Application in CHInano. In the past 3 years, the symposium was supported by companies, associations, universities and institutes, and attracted more than 1000 professionals from semiconductor industry.2021 4th Symposium for Semiconductor Failure Analysis & Application will focus on failure analysis of RF IC, Filter IC and Power Device. This year symposium will share FA learnings and case studies for attendees. There will be 4 main sessions. We will invite experts, professors, researchers and engineers to discuss the most advanced failure analysis techniques and methods, and future trend of failure analysis technology and applications in semiconductor industry.三、会议日期和地点时间：2021年10月28日地点：苏州国际博览中心B1馆会议规模：350人四、会议主题2021第四届纳博会半导体分析测试应用论坛特设主题：1、射频、滤波器、功率半导体等芯片的故障分析方案2、物理分析技术、表面/化学分析技术在材料表征、失效分析和质量保证中的应用3、TEM、SEM & Nanoprobing等高端制备技术及应用4、集成电路及显示器件失效分析和材料分析表征2021 4th Symposium for Semiconductor Failure Analysis & Application:1. FA case study of RF IC、Filter IC and Power Device2. Application of Physical Failure Analysis and Surface/Chemical Analysis techniques in Materials Characterization, Failure Analysis and Quality Assurance3. TEM, SEM and Nanoprobe Techniques and Applications4. Failure Analysis and Materials Analysis & Characterization for IC and Display Device往届论坛现场五、参会对象新材料、集成电路、半导体、电子元器件、光伏、LED、LCD、OLED、触控显示、航空航天等广泛领域科研院所专家、学者；企业界管理层、质量、研发、生产部门的技术人员及管理人员六、同期展会CHInano 2021 第十二届中国国际纳米技术产业博览会博览会官网：http://www.chinanosz.com/中国最具影响力的纳米技术交流盛会“CHInano 2021中国国际纳米技术产业博览会”（CHInano），是中国最具权威、规模最大的纳米技术应用产业国际性大会。 大会由峰会(主报告、专题技术分会、应用论坛)、展览、行业大赛、对接会等部分组成，重点聚焦纳米新材料、微纳制造、MEMS、第三代半导体、能源与清洁技术、纳米生物技术等产业领域，打造国际纳米技术产业交流合作平台。CHInano 2021 is the most authentic and largest international conference of nanotech application industry in China. It consists of summits (keynote report, meetings on specific topics, application forums), exhibition,industry competition,matchmaking sessions, etc. Focusing on nano new materials, micro-nano manufacturing, MEMS, compound semiconductor,energy and clean technology, nano-biological technology and other fields, CHInano is aiming to establish a platform for facilitating collaborations in the international nanotech community.七、参会联系方式本次研讨会设定规模350人，不收注册费。8月30日前报名，享免费午餐与茶歇。报满为止。观众报名通道现已开通，现场活动奖品丰厚，欢迎踊跃参与观众参会/参展登记：https://chinanosz.7-event.cn/Base/Login?lng=cn#扫描二维码报名组委会联系方式：参会联系人：陆 炜 联系方式：15050142680 邮箱地址：l uw@nanopolis.cn 参展/赞助联系人：万成东（纳博会） 联系方式：13584824068 邮箱地址：wancd@nanopolis.cn郑海鹏（半导体分析测试论坛）联系方式：13914033396 邮箱地址：haipeng@wintech-nano.com

半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业，其生产工艺复杂，设备精密度要求高，整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高，其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。因此，半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高，制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此，仪器信息网2023年10月18-20举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和材料分析、可靠性测试、失效分析、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位：仪器信息网&电子工业出版社二、会议时间：2023年10月18-20日三、会议日程1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日可靠性测试和失效分析技术可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程（含拟邀请）时间报告题目演讲嘉宾专场1：半导体材料分析技术新进展（10月18日）专场主持人：汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳（中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师）10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚（牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师）11:00透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛（北京大学 高级工程师）11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求王轶滢（上海集成电路材料研究院 性能实验室总监）午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青（中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员）14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣（青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理）15:30宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）专场2：可靠性测试和失效分析技术（10月19日上午）9:30碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌（中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人）10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）10:30失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）11:00半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁（甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司 失效分析工程师）专场3：可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）（10月19日下午）专场主持人：吕宏峰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:00高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:00集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师）16:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）16:30电子制造中的可靠性工程邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师）17:00集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）专场4：缺陷检测与量测技术（10月20日上午）9:30半导体芯片量检测技术及装备杨树明（西安交通大学 教授）10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）10:30面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1. 本次会议免费参会，参会报名请点击：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/ 或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn刘经理，15718850776，liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年10月11日

仪器信息网讯 2023年10月18-20日，仪器信息网联合电子工业出版社主办的第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会成功召开！本次大会共邀请到24位来自科研院所、第三方检测、工业和仪器企业的专家分享了精彩内容。会议共吸引约1100位行业从业人员报名，出席人数更是创历年新高！回顾本次大会，在内容上打破此前以材料为主题的专场划分，聚焦半导体材料分析、可靠性测试和失效分析、缺陷检测和量测等检测技术，直播间里报告专家与听众充分交流，会议也收到“内容质量高”，“收获很大”等良好反馈。同时，仪器信息网也在线征集和听取了听众们对于会议内容更多的需求与期待，以保证下一届会议更好地帮助到网友们的工作。应广大网友强烈要求，现将征得本人同意的报告视频整理如下。点击“回放”即可进入视频播放页面。半导体材料分析技术新进展等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）回放有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳（中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师）回放牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚（牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师）回放透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛（北京大学 高级工程师）无集成电路材料国产化面临的性能检测需求桂娟（上海集成电路材料研究院 工程师）无离子色谱在高纯材料分析中的应用李青（中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员）回放拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）回放半导体—离子色谱检测解决方案王一臣（青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理）回放宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）回放可靠性测试和失效分析技术碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌（中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人）回放集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）无失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）回放半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁（甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司 失效分析工程师）无可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师）无半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）无电子制造中的可靠性工程邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师）无集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无缺陷检测与量测技术半导体芯片量检测技术及装备杨树明（西安交通大学 教授）无国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）回放面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）无

半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业，其生产工艺复杂，设备精密度要求高，整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高，其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。因此，半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高，制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此，仪器信息网2023年10月18-20举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和材料分析、可靠性测试、失效分析、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。为答谢广大用户，本次大会每个专场都设有一轮抽奖送专业图书活动。一、主办单位：仪器信息网&电子工业出版社二、会议时间：2023年10月18-20日三、会议日程1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日可靠性测试和失效分析技术可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程（含拟邀请）时间报告题目演讲嘉宾专场1：半导体材料分析技术新进展（10月18日）专场主持人：汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳（中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师）10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚（牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师）11:00透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛（北京大学 高级工程师）11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求桂娟（上海集成电路材料研究院 工程师）午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青（中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员）14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣（青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理）15:30宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）16:00专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）专场2：可靠性测试和失效分析技术（10月19日上午）9:30碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌（中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人）10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）10:30失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）11:00半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁（甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司 失效分析工程师）11:30专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）专场3：可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）（10月19日下午）专场主持人：吕宏峰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:00高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:00集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师）16:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）16:30电子制造中的可靠性工程邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师）17:00集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）17:30专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）专场4：缺陷检测与量测技术（10月20日上午）9:30半导体芯片量检测技术及装备杨树明（西安交通大学 教授）10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）10:30面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）11:00专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1. 本次会议免费参会，参会报名请点击：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn刘经理，15718850776，liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年10月17日

半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业，其生产工艺复杂，设备精密度要求高，整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高，其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。半导体制造工艺的复杂性在于：生产步骤多达上千步，每道工序工艺参数多达上千，每道工序良率要求极高。以上特点使得半导体制造成为了不折不扣的高端制造业。试想，对于一种包含1000道工序的半导体工艺技术来说，若是每一道工序产品良率为99.9%，则最终的产品良率仅为36.7%。也因此，半导体每一道工艺都几乎要求达到零失误。因此，半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高，制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此，仪器信息网2023年10月中旬举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和失效分析、材料分析、可靠性测试等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位仪器信息网&电子工业出版社&中国科学院上海硅酸盐研究所二、会议时间2023年10月18-20日三、会议日程（拟）1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日上午可靠性测试技术新进展10月19日下午半导体失效分析技术10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程（报告正在更新中，敬请期待）时间报告题目演讲嘉宾专场1：半导体材料分析技术新进展（10月18日）9:30待定待定10:00牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展牛津仪器科技（上海）有限公司10:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究（拟）王涛（北京大学 高级工程师）11:00待定英国雷尼绍公司11:30待定待定午休14:00扫描扩散显微术对氮化物半导体纳米尺度光电性质的研究（拟）刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）14:30待定青岛盛瀚色谱技术有限公司15:00共聚焦拉曼和PL在第三代半导体材料中的应用（拟）徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）15:30待定待定16:00待定待定专场2：可靠性测试技术新进展（10月19日上午）9:30高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）10:30集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）11:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）11:30待定何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）专场3：半导体失效分析技术（10月19日下午）14:00待定张俊宗（上海季丰电子股份有限公司 FA/CE总监）14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:00失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）16:00待定邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）专场4：缺陷检测与量测技术（10月20日上午）9:30纳米探针测量技术及其应用（拟）杨树明（西安交通大学 教授）10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）10:30待定刘俊伯（中国科学院光电技术研究所 副研究员）11:00面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1.本次会议免费参会，参会报名请点击：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn刘经理，15718850776，liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年9月27日

仪器信息网讯 10月25日，由胜科纳米（苏州）股份有限公司主办的第一届“半导体未来之路：第三方分析检测生态圈战略大会”在苏州金鸡湖畔举行。供应链全球化是半导体全球化的一个重要标志，因此，此次生态圈大会自发布以来受到半导体行业国内外人士的高度关注。共计400余位半导体产业链各方代表齐聚一堂，围绕第三方分析检测发展机遇与挑战、共建与维护良好的产业生态圈等话题积极建言献策。仪器信息网作为合作媒体现场报道。大会现场大会旨在促进半导体产业链上下游企业交流，促成半导体分析测试第三方服务的实验室形成合力，协助行业高质量发展，从而带动整个半导体产业链的升级。据悉，这是半导体领域首次以分析测试产业为主题举办的行业高端对话，报名参加企业单位超过300家，覆盖了半导体全产业链。包括60余家芯片设计企业代表、50余家高端制造企业代表、60余家仪器设备材料企业代表，以及40余家半导体第三方分析检测企业、20余家国际企业代表、若干学术代表等。第三方分析检测企业：Labless助力半导体行业高速发展第三方分析检测企业嘉宾分享报告，左至右（按报告顺序）：胜科纳米董事长李晓旻、工业和信息化部 电子第五研究所元器件与材料研究部高级副院长罗道军、上海汽车芯片工程中心失效分析总监黄亚敏胜科纳米董事长李晓旻以“Labless如何助力半导体行业的高速发展”为题分享报告。把产业链中的“必要非核心”辅助研发活动从行业中剥离出来，成为全新的独立赛道，它标志着更先进的生产方式的诞生。作为Labless商业理念的提出者和践行者，胜科纳米一路走来，有很多挑战，也积累了很强的研发能力和技术迭代创新，成为半导体产业发展的重要支撑。接着从胜科纳米视角，对半导体行业现状与展望、第三方分析检测的核心与优势、人才培养、半导体近二十余年行业周期规律等进行了逐一解析。最后认为，对于半导体全产业链的不同环节，聚焦在自己的细分赛道做精做深，才能在行业周期性下滑中始终保持竞争优势。电子五所元器件与材料研究部高级副院长罗道军以“先进可靠性工程方法助推集成电路高质量发展”为题分享报告，从集成电路质量与可靠性的设计端，提出的具有前瞻性的先进可靠性工程概念。并认为，高水平第三方检测服务可以大幅度提升行业的高质量发展，但自身也要跟上行业发展的需求，相关需求包括高端人才、高端设备、高端产品、高投入、回报周期长、个性化需求多/无法标准化流水作业、健康发展需要行业和政府的大力支持等。作为集测试认证平台、系统开发与应用平台、设计服务平台于一体的综合服务平台企业，上海汽车芯片工程中心失效分析总监黄亚敏以“从“测试”看国产汽车芯片发展趋势和策略”为题分享报告。讲解了针对“汽车芯片生态圈”的发展建议，认为应建立多方协同的测试平台+生态模式，芯片企业、零部件供应商、汽车企业、第三方实验室共同参与；建立国产车用芯片统一的技术规范和标准；实现自主品牌认证等。仪器设备材料企业：为半导体行业高质量发展提供基石仪器设备材料企业嘉宾分享报告，左至右（按报告顺序）：赛默飞世尔科技高级副总裁及分析仪器事业集团总裁Dan Shine、国仪量子（合肥）技术有限公司董事长贺羽、宁波江丰电子材料股份有限公司总工程师王学泽随着半导体技术的不断革新，半导体器件的复杂性日益增加，失效分析已成为在半导体设计和制造过程中必不可少的关键一环。赛默飞高级副总裁及分析仪器事业集团总裁Dan Shine以“The Crucial Role of Failure Analysis in Driving Semiconductor Industry Growth”为题分享报告，着重探讨了第三方检测实验室对于半导体产业的增长趋势，以及失效分析在推动半导体行业发展中的关键作用。最后介绍了赛默飞在提供失效分析技术仪器设备与售后服务支持方面开展的系列工作，并表示愿意与第三方检测实验室携手共同促进生态圈的发展。作为聚焦量子精密测量、量子计算及高端科学仪器等技术的新锐国产科学仪器企业，国仪量子董事长贺羽以“科学仪器的国产化之路 --从一场报告讲起”为题，分享了国仪量子在国产仪器如何突破方面的探索与思考。结合国仪电镜业务近四年余的快速成长案例，介绍了人才引进对于企业成长的重要意义。接着通过顺磁共振谱仪十年磨一剑的案例，展示了质量好、响应快、价格优的之于客户的意义。最后分享了国仪量子坚持以客户为中心的持续创新价值。江丰电子是一家专业从事超高纯金属溅射靶材的研发、生产与销售的高新技术上市企业，是全球领先的5nm 技术高纯金属靶材的核心供应商，占全球超高纯金属靶材约25%的市场份额，名列全球第二，中国第一。作为国内少数半导体靶材专家之一，江丰电子总工程师王学泽以“超高纯金属材料及溅射靶材在电子行业的应用及分析检测技术”为题分享报告。从半导体材料供应商的角度，对超纯靶材的分析检测技术和发展层面进行了详细的探讨。并表示，超高纯金属材料分析检测仪器与设备绝大部分需要进口，国内急需攻关突破；靶材、环件表面形貌、表面质量在线光学检测系统目前还是存在问题，需要进一步开发自动分析检测的专用设备。芯片设计、高端制造企业：第三方助力 半导体路虽远行则将至芯片设计、高端制造企业分享报告，左至右（按报告顺序）：紫光展锐（上海）科技有限公司执行副总裁刘志农、微软亚太研发中心高级总监赵晓乐、华润微电子有限公司运营中心副总经理孙剑、杭州芯迈半导体技术有限公司孙钦华、上海安路信息科技股份有限公司质量总监严浩良知名平台型芯片设计企业紫光展锐执行副总裁刘志农以“构筑高质量的可靠性工程能力”分享报告，介绍了紫光展锐可靠性工程平台建设情况，以标准化流程为基础，用数据引擎驱动技术进步及质量提升，DFR仿真设计、先进可靠性硬件与测试能力、车规智造可靠性并举等，组建成了高质量和先进可靠性工程能力。生态合作方面，提出构建一站式RA解决方案和综合应力测试平台的联合实验室、可靠性实验设备等设备国产化的建议。微软亚太研发中心高级总监赵晓乐以“AI在失效分析中的应用和展望”为题分享报告，主要从客户视角探讨了如何利用人工智能AI提升第三方检测行业水平和服务质量。AI在第三方检测行业的应用价值包括提高数据处理效率、提升检测精度、降低检测成本等，其核心应用包括计算机视觉、自然语言处理、数据挖掘等，接着分享了国外第三方分析机构的人工智能案例。国内领先的集芯片设计、掩膜制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营的IDM半导体企业华润微电子运营中心副总经理孙剑以“半导体第三方分析检测实验室的现状与展望”为题分享报告。从IDM企业的角度，对第三方分析检测服务的发展现状进行了全面的刨析，并提出了对半导体第三方实验室发展建议。认为应对挑战和抓住机遇方面，半导体第三方检测机构可以采取的策略包括技术突破、服务提升、标准合规、选人育人等。致力于模拟芯片和功率器件的自主研发，拥有从IC设计、制造、到销售为一体的半导体垂直整合型公司杭州芯迈半导体技术有限公司孙钦华以“SiC MOSFET电气参数&可靠性测试挑战”为题分享报告。对SiC MOSFET测试挑战进行了详细介绍，并结合案例分别对芯片高压测试挑战、双脉冲测试挑战、VTH测试挑战、栅极外在缺陷筛选挑战等进行了逐一解读。作为国内领先的集成电路设计企业，A股首家专注于FPGA业务的上市公司，上海安路信息科技质量总监严浩良以““内涵”第三方助力 路虽远行则将至” 为题分享报告。从芯片设计公司的角度，以质量为核心，对第三方分析检测企业的时效性和服务质量提出建议。认为优秀的第三方应具备“准”（人员专、设备齐、分析方案）、“快”（时效满足）、“好”、“全”（技术、设备、知识积累）。多方圆桌：探讨行业痛点，推动行业高质量共同发展圆桌讨论，左至右：中国半导体协会资深专家江涛（主持）、胜科纳米（苏州）股份有限公司董事长李晓旻、上海集成电路研究院首席运营官郭强、卡尔蔡司（上海）管理有限公司蔡司中国区副总裁张育薪、上海安路信息科技股份有限公司质量总监严浩良、苏州美星科技有限公司董事长肖如吾为了构建一个更具竞争力、技术深度和服务质量的半导体分析检测生态圈，圆桌讨论环节邀请半导体产业不同环节的五位专家代表进行了圆桌讨论，中国半导体协会资深专家江涛担任主持。五位嘉宾围绕第三方行业发展趋势、第三方行业服务素质评价、分析检测前沿技术、分析检测行业痛点、分析检测人才与数字化转型等热点话题进行了积极探讨，并发表了各自的看法与建议。会议小结：加快半导体第三方检测产业发展中国半导体行业协会资深专家江涛分享总结报告中国半导体行业协会资深专家江涛以“加快半导体第三方检测产业发展 推动中国半导体产业高质量发展”为题进行了会议总结报告。报告从国内外半导体市场发展的趋势，对第三方分析检测市场进行分析，也对第三方分析检测行业的未来发展空间和挑战提出建议，包括加强人才队伍建设、加强研发能力、扩展业务范围、拓展检测对象、拓升服务能力等。并倡议各界共同努力，推动第三方分析检测生态圈以乃至半导体整个行业的健康发展。至此，半导体未来之路：第三方分析检测生态圈战略大会圆满结束。对于第三方分析检测生态圈的同行、客户、供应商而言，新的合作生态已至。第三方分析检测生态圈的合作，共赢，共享，共生的市场理念和商业逻辑已悄然萌生。优秀赞助商颁奖仪式同期展商一角

p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。/span/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target="_self"椭偏仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target="_self"span style="text-indent: 2em "四探针测试仪/span/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "薄膜应力测试仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "热波系统/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ECV设备/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "少子寿命测试仪/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target="_self"拉曼光谱/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。span style="text-indent: 2em " /span/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target="_self"红外光谱仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "二次粒子质谱/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线衍射/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光光谱/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target="_self"轮廓仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em font-size: 16px "AOI （自动光学检测）/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ATE测试机/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。/p

2018年3月14日-16日，TESCAN中国半导体事业部参展了SEMICON China2018，为半导体行业用户的综合微区分析带来了创新的解决方案。2018年3月14日至16日，由全球半导体设备与材料产业协会中国委员会主办的全球规模最大、规格最高的“国际半导体展SEMICON China2018”在上海新国际博览中心开幕，吸引了国内外1100多家展商参展。国务院参事、中国电子商会会长曲维枝到会致辞，市经济信息化委副主任傅新华出席开幕式并致辞，SIMI全球副总裁、中国区总裁居龙主持开幕式。TESCAN作为专注于微观形貌、结构和成分分析的科学仪器的全球供应商，提出了材料微分析综合解决方案，首创了包括扫描电子显微镜与拉曼光谱一体化技术、聚焦离子束双束扫描电镜与飞行时间二次离子质谱仪一体化技术以及超快速氙等离子聚焦离子束技术。此次，TESCAN中国半导体事业部参展了SEMICON China2018，为半导体行业用户的综合微区分析带来了创新的解决方案。TESCAN现场工作人员与参展观众深入交流就集成电路的失效分析、透射样品制备、电路编辑以及显示器、LED、封装测试等领域微分析的创新技术和应用，TESCAN现场工作人员与参展观众进行了深入的沟通与交流。TESCAN提出了集SEM、FIB、EDS、Raman、TOF-SIMS等多种微区分析手段于一体的综合解决方案能够为半导体行业用户提供更全面、更有价值的微区信息，在半导体H污染、3D膜层厚度分析、物质相鉴定以及材料表面应力分析等方向均有丰富应用。另外，值得一提的是TESCAN 首创的Xe等离子源超高速双束FIB系统，离子束流高达2μA，溅射速率相比传统的Ga离子源高达50倍以上，非常适合于半导体领域用户大尺寸材料去除的应用以及样品的三维重构分析，特别是应用于TSV的半导体封装技术，利用氙等离子双束FIB技术，可以轻松提高加工速度，大大节省用户的时间，TESCAN FERA3 氙等离子源双束FIB系统更是首次实现了FIB加工速度快于EBSD分析速度。TESCAN FERA3氙等离子超高速双束FIB系统展会同期，TESCAN也举办了丰富多彩的现场抽奖活动，吸引参会观众踊跃参与。如欲了解更多半导体领域微区分析综合解决方案，请阅读原文联系我们~TESCAN展台风采掠影如果您对扫描电镜感兴趣或有相关问题咨询欢迎关注"TESCAN公司"中国官网微信↓ 更多阅读，请关注微信“TESCAN公司”查看：荣耀之年，感动常在—TESCAN小蜜蜂们的年会Party！TESCAN学院丨2018年度扫描电镜高阶应用培训计划最新出炉！电镜学堂丨扫描电镜的基本操作 & 分辨率指标详解TESCAN RISE电镜-拉曼一体化系统又双叒叕获奖啦！So easy！四步恢复电镜使用状态，治愈你的“节后综合症”315专题丨真假钻石？揭露那些藏在“美丽”背后的陷进！

一、项目基本情况项目编号：GZSW22156HG1090项目名称：网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购采购方式：公开招标预算金额：3,380,000.00元采购需求：合同包1(网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购):合同包预算金额：3,380,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表高功率半导体器件分析仪1(台)详见采购文件1,000,000.00-1-2其他专用仪器仪表网络分析仪1(台)详见采购文件1,320,000.00-1-3其他专用仪器仪表网络分析仪1(台)详见采购文件410,000.00-1-4其他专用仪器仪表高性能数字实时示波器1(台)详见采购文件210,000.00-1-5其他专用仪器仪表矢量信号分析仪1(台)详见采购文件440,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：自合同签订之日起至质保期满之日。二、申请人的资格要求：1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件，提供下列材料：1）具有独立承担民事责任的能力：在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织或自然人， 投标时提交有效的营业执照（或事业法人登记证或身份证等相关证明） 副本复印件。分支机构投标的，须提供总公司和分公司营业执照副本复印件，总公司出具给分支机构的授权书。2）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录：提供投标截止日前6个月内任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料。 如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的， 提供相应证明材料。3）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：提供2020年度财务状况报告或基本开户行出具的资信证明。4）履行合同所必需的设备和专业技术能力：按投标文件格式填报设备及专业技术能力情况。5）参加采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录：参照投标函相关承诺格式内容。 重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（根据财库〔2022〕3号文，“较大数额罚款”认定为200万元以上的罚款，法律、行政法规以及国务院有关部门明确规定相关领域“较大数额罚款”标准高于200万元的，从其规定）2.落实政府采购政策需满足的资格要求：合同包1(网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购)落实政府采购政策需满足的资格要求如下:无（本项目不属于专门面向中小企业采购的项目）3.本项目的特定资格要求：合同包1(网络分析仪与高功率半导体器件分析仪等设备采购)特定资格要求如下:(1)供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“记录失信被执行人或重大税收违法案件当事人名单”记录名单； 不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。 （以采购代理机构于投标截止时间当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn） 及中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/） 查询结果为准， 如相关失信记录已失效， 供应商需提供相关证明资料） 。(2)单位负责人为同一人或者存在直接控股、 管理关系的不同供应商，不得同时参加本采购项目（或采购包） 投标。 为本项目提供整体设计、 规范编制或者项目管理、 监理、 检测等服务的供应商， 不得再参与本项目投标。 参照投标函相关承诺要求内容。(3)若投标人所投设备为进口设备，则必须提交以下文件中的其中一种：①制造商的授权文件；②制造商指定的代理商（经销商）的资格证书及代理商（经销商）对投标人的授权文件。三、获取招标文件时间： 2022年04月12日 至 2022年04月19日 ，每天上午 00:00:00 至 12:00:00 ，下午 12:00:00 至 23:59:59 （北京时间,法定节假日除外）地点：广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式：在线获取售价： 免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2022年05月13日 14时30分00秒 （北京时间）地点：广州市环市中路205号恒生大厦B座501室开标大厅（广州顺为招标采购有限公司）五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标，请在投标前详细阅读供应商操作手册，手册获取网址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题，可通过400-1832-999进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标，需要提前办理CA和电子签章，办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南，指南获取地址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金，供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/)，申请办理投标（响应）担保函、保险（保证）保函。4.本项目支持电子保函，可通过登录项目采购电子交易系统跳转至电子保函系统进行在线办理。电子保函办理办法详见供应商操作手册。5.为了确保投标保证金顺利退还，请投标人按附件《退保证金说明》格式填写，并随同纸质投标文件一并递交。6.本项目为远程网上开标方式，参与本项目的供应商登录云平台通过“新供应商开标大厅”进行开标签到及投标文件解密，签到需在开标时间前30分钟内完成。开标/唱价时，供应商应当使用编制本项目（采购包）电子投标文件时加密所用数字证书开始解密，解密时限为主持人开启远程解密起30分钟内完成。各供应商在参加开标/唱价之前须自行对使用电脑的网络环境、驱动安装、客户端安装以及数字证书的有效性等进行检测，确保可以正常使用。7.纸质投标文件可以现场提交或邮寄，现场提交地址和邮寄地址（邮寄地址：广州市环市中路205号恒生大厦B座501室（广州顺为招标采购有限公司）），收件人及电话：详见项目公告的项目联系人）。投标人如选择邮寄投标文件，请提前安排时间邮寄，务必保证投标文件于提交投标文件截止时间前到达上述地址（以签收时间为准），并及时将快递单号发送至招标代理机构邮箱：gzswbc08@163.com。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：广东工业大学地 址：广州市广州大学城外环西路100号联系方式：393221462.采购代理机构信息名 称：广州顺为招标采购有限公司地 址：广东省广州市越秀区环市中路205号恒生大厦B座自编B501-B505、B512-B525房联系方式：020-83592216-8183.项目联系方式项目联系人：韦小姐电 话：020-83592216-818

- 随着半导体产品越来越复杂，测试成本将持续增长，其中最大的成本支出来自ATE。- 爱德万和泰瑞达垄断的测试机市场格局很难打破，美国和日本将继续主导市场发展，而其他50家供应商只能争夺20%的剩余市场份额。- 在分立器件、模拟芯片及数模混合芯片等细分领域，华峰测控、长川科技、联动科技已实现了进口替代，并获得国内外厂商的肯定与使用，正在逐步向海外市场渗透。随着摩尔定律的推进，先进制程的线宽不断缩小，已经进入10纳米、7纳米、甚至于5纳米。同时，无论是前期的晶圆制造环节还是后期的芯片封装环节，芯片的制造成本都与日俱增，因此，测试作为集成电路产品验证出厂的关键，越来越受到各大厂商的重视。由于测试的重要性和难度大幅上升，测试服务费用也日益提升，测试服务费用主要由ATE（自动化测试系统，也称为测试机）、Prober（探针台）&Handler（分选机）、Probe Card（探针卡）、Socket（治具）、Load Board（负载板）构成，其中最大的成本支出来自测试机，占比约为4成。2021年全球半导体测试设备销售额达到75.8亿美元测试机是检测设备中最重要的设备类型，属于电学参数测试设备，为软硬件一体产品，包括硬件设备及测试系统专用软件。测试机能测试半导体器件的电路功能、电性能参数，具体涵盖直流（电压、流）、交流参数（时间、占空比、总谐波失真、频率等）、功能测试等。无论是晶圆检测或是成品检测，都需要通过测试机对芯片施加输入信号，并检测输出信号，判断芯片功能和性能是否达到设计要求，并通过分析测试数据，确定具体失效原因，改进设计及生产、封测工艺，以提高良率及产品质量。随着半导体技术不断发展，芯片线宽尺寸不断减小，耐高压、耐高温、功率密度不断增大、制造工序逐渐复杂，对测试机的要求愈加提高，提供多种测试程序并可进行大量的并行测试，提高单位时间产出量，成为测试设备厂商的研发趋势。在封测市场的高景气带动下，测试机的市场需求也呈现出高速增长趋势。根据SEMI的数据，2020年全球半导体测试设备销售额达到60.1亿美元，同比增长20%，预计2021年及2022年的市场规模将分别达到75.8亿美元和80.3亿美元，其中测试机占比最大，达到 63.1%，其他设备分选机占 17.4%、探针台占15.2%。按上述比例推算，2020 年全球测试机市场规模为37.92 亿美元，预计 2021 年和2022 年将分别达到 47.83亿美元和50.67 亿美元。超50家企业争夺不足20%的市场份额根据应用领域不同，半导体测试机主要细分领域为存储器、SoC、模拟、数字、分立器件和 RF 测试机。长期以来，全球集成电路测试设备高端领域主要由泰瑞达、爱德万两家国际巨头企业垄断，合计占据全球市场80%以上的份额，尤其是在测试难度高的数字及 SoC 类芯片、存储类芯片及高压功率器件领域处于绝对的垄断地位。因此，身处美国、日本、韩国、中国大陆和中国台湾等地区超过50家以上的测试机厂商，只能争夺剩下不足20%的市场份额。下表为国内外主要测试机厂商情况汇总：由上表可知，近年来，国内测试机领域涌现出大量初创企业。据不完全统计，截止目前，国内从事测试机业务的厂商已经超过15家，包括华峰测控、长川科技、佛山联动、华兴源创、亚威股份（参与收购韩国存储芯片测试机厂商GSI公司）、精测电子（武汉精鸿、wintest）、上海御渡（爱德万与南通华达等共同投资设立）、南京宏泰、悦芯科技、派格测控、芯业测控、宏邦电子、河北圣源芯科、摩尔精英（收购德州仪器ATE芯片测试设备团队）、杭州加速科技、冠中集创等，目前这一趋势还在继续，越来越多企业开始布局发力半导体测试设备。值得注意的是，对于国产测试机厂商而言，产业环境不成熟的问题仍然存在。由于测试机行业研发和生产均需使用高精度元器件，对产品机械结构的精度和材质要求也很高。但国产半导体设备对零部件市场拉动时间较短，零部件配套能力较弱。与国外竞争对手相比，国产设备制造商无法享受良好的产业配套环境带来的全方位支持。本土测试机逐渐走向海外事实上，伴随着半导体产业链向国内市场的转移，海思半导体、汇顶科技、展锐等本土芯片设计公司以及长电科技、通富微电、华天科技等封测厂商的崛起以及中美贸易摩擦等因素带来的半导体国产化替代加速，都为国内测试机行业发展带来巨大发展机遇。同时，随着集成电路行业步入成熟发展阶段，降低成本已成为各集成电路厂商提高自身竞争力的关键因素。然而，国际测试机厂商通常针对大客户的售后服务好，但对于小客户的需求通常难以满足。因此，采用产品性价比高、能满足特定类型产品个性化需求并能够提供及时、快速售后服务的国产测试设备，既能降低成本、替代昂贵的通用型测试机，又满足供应链安全的需求，已成为国内各集成电路厂商的重要选择。此外，当前芯片市场竞争已经非常激烈，而国外测试机设备价格高，国际芯片大厂的获利空间也在一步步压缩。因此，国际芯片大厂为了抢占市场，除不断提升技术能力，同时也在寻求性价比较高的测试设备，以提高其产品的竞争力及获利空间。目前，以华峰测控、联动科技为代表的国内测试机产品也获得国内外厂商的肯定与使用，正在逐步向海外市场渗透，未来随着半导体产业的持续发展，将成为国内测试机厂商的成长契机。在模拟和数模混合集成电路测试机方面，以华峰测控、长川科技为代表的国内企业已实现了进口替代，在分立器件测试机方面，以联动科技和宏邦电子为代表的国内企业也取得了较高的市场份额。不过，在难度更高的SOC、数字、存储器等市场领域，爱德万和泰瑞达已经形成了完善的客户“生态圈”，国内测试机厂商短期内难有实质性进展，因此，爱德万和泰瑞达垄断的高端测试机市场格局很难打破，美国和日本将继续主导市场发展。

近年来，越来越多的集成电路设计、晶圆制造企业放弃测试环节的产能扩充，而将其测试需求委托给第三方集成电路测试企业，独立的第三方集成电路测试企业正逐步成为集成电路产业链中不可或缺的一部分：一方面，第三方测试企业可以减少测试设备的重复投资，通过规模效应降低测试费用，缩减产品生产成本；另一方面，专业化分工下的第三方测试企业能够更加快速地跟进集成电路测试技术的更新，及时为集成电路设计、晶圆制造及封装企业提供多样化的测试服务。目前第三提供的检测服务通常包括可靠性分析（RA）、失效分析（FA）、晶圆材料分析（MA）、信号测试、芯片线路修改等，其中比较重要的包括可靠性分析、失效分析等。根据不同的分类标准，失效形式有多种类型，如根据电测结果，失效模式有开路、短路或漏电、参数漂移、功能失效等；根据失效原因可以分为电力过应、静电放电导致的失效、制造工艺不良导致的失效等。根据中国赛宝实验室的数据，在分立器件使用过程中的失效模式，开路、参数漂移、壳体破碎、短路、漏气的占比分别约为35%、28%、17%、15%、4%，集成电路使用过程中的失效模式，短路、开路、功能失效、参数漂移占比分别约为38%、27%、 19%、10%。失效分析主要为集成电路设计企业服务，而集成电路设计产业已成为引领中国半导体产业发展的重要环节。根据2019年中国半导体产业产值分布来看，IC设计业占比将达40.6%、IC制造占比约28.7%、IC封测占比约30.7%。根据中国集成电路设计业2019年会上发布的数据，2015-2019年中国集成电路设计企业分别为736、1362、1380、1698、1780家，年均复合增速达到24.7%，未来随着国内半导体产业的不断崛起，预计国内半导体设计企业数量仍将保持较快速增长。2019年IC设计销售收入达到3084.9亿元，同比2018年的2576.9亿元增长19.7%，在全球集成电路设计市场的比重首次超过10%。随着中国大陆半导体产业的迅猛发展，国内涌现出越来越多的上下游半导体企业，形成了一个强大的产业链，这些企业对实验室分析存在切实需求，但众多企业的需求量不足以投入百万或千万美元级的资金设立实验室和采购扫描电子显微镜等高端设备。另外，人员成本和技术门槛日益提高，在这种背景下第三方采购相关分析设备建立商业实验室应运而生。针对于此，小编特统计盘点了国内的一些半导体第三方检测机构，不完全统计仅供参考。除了以上这些第三方检测机构，封装测试企业往往也有对外的测试服务，主要是CP测试和FT测试，比如京元电子科技、日月光、Powertech Technology Inc、Amkor Technology Inc. 、Chipbond等都有相关服务。值得注意的是，仅涉及失效分析或可靠性试验的检测机构往往业务复杂，并非单纯的半导体或芯片第三方检测机构，其半导体业务仅为其一小部分业务，且多集中于元器件或LED领域，在IC领域涉足较少，这可能和集成电路检测与测试技术难度大有关。随着第三方半导体检测机构的兴起，IC企业的研发门槛和成本将大幅度降低，整个集成电路市场将持续发展，第三方半导体检测机构将采购大量的相关仪器设备以应对日益增长的半导体检测需求。与此同时，芯片制造生产技术快速发展迭代，新的技术对检测仪器设备提出了多样化需求，第三方检测机构需要不断进行仪器设备的更新换代，这将进一步促成相关仪器市场爆发。