半导体光探测器

半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

LD滨松光子能提供常规的半导体激光器、半导体激光器Bar模块、超快半导体探测器、太赫兹波天线等产品 应用领域电视、手机等液晶面板发光校正各种模拟人眼的应用场合光开关复印机、打印机、传真机中的光信号探测激光探测产品列表产品名称峰值波长（nm）功率（W）工作电流（A）备注 L76508500.020.07A连续（CW）L104528080.50.65连续（CW）L876380811.2连续（CW）L882880822.4连续（CW）L1040280855.6连续（CW）L927783011.2连续（CW）L1137391511.2连续（CW）L1137491555.5连续（CW）L1041594011.2连续（CW）L1052694022.3连续（CW）L941898011.2连续（CW）L66908701010脉冲L70558703030脉冲L70608703535脉冲L977780855.6连续（CW）L822783030mW× 120.065连续（CW）阵列L84148300.0030.1超发光L101078700.0030.11超发光L11348系列87020/60/907/20/303 Stack 脉冲激光器L841080830 高功率激光器模块Funryu-cooling（水冷散热片）L8411808100 高功率激光器模块珀尔帖、水冷、水冷散热三种可选择模式L841280820 高功率激光器模块水冷L841380815 高功率激光器模块珀尔帖电冷

MSM超快光电探测器UltraFastUltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，也提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。 两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz) 技术参数：可选：附件：UltraFast探测器测试图例 UltraFast 20: 20 GHz时域测量曲线所用光源：单光子激光器，5 ps脉冲序列，重复频率20 GHzUltraFast 20: 响应度-波长曲线UltraFast 20: 眼图比特率：20 Gb/s使用德国SHF Design GmbH公司的函数发生器 “SHF BPG 20 GIG”测量UltraFast 35：脉冲响应光源：A.L.S PiLas PlL081Q，波长810nm，脉宽12ps探测器偏置电压6 V，50 GHz示波器UltraFast探测器UltraFast 20/35 SM探测器标准结构UltraFast 20/35 FS自由空间探测器，带聚焦镜以避免过充

仪器简介：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为1um-3.8um。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。技术参数：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为 1um-3.8um。不同于常规的光导型探测器，砷化铟为光伏型，不需要偏置电流主要特点：砷化铟探测器适用于直流或低频应用。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。主要应用包括： 激光预警 在线控制监测 温度传感器 脉冲激光监测 红外光谱 功率计

EOT高速光电探测器适用于脉宽测量和脉冲绘制等应用。ET系列探测器使用了PIN光电二极管和反向偏压装置。所有的探测器自带BNC或SMA输出接头，大部分EOT光电探测器备有FC光纤连接头，可以直接与光纤尾纤连接。探测器的频率响应度从2GHz到10GHz不等。应用：? 可测量脉宽或观察调Q激光器的脉冲波形 ? 监测锁模激光器的输出情况 ? 观察快调制半导体激光器和外调制连续激光器的脉冲 ? 便于寻找和对准连续或脉冲激光器的光束 ? 大面积光电探测器可用作光功率计

产品简介 非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。产品详情注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同硅探测器：0.4-1.7um铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um碲镉汞探测器：4-12um铟砷锑探测器：4-12um型号规格例如：HPPD-A-D-S-02-10-10K该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。产品尺寸（单位：mm）

美国U2D公司基于微结构半导体中子探测器（MSND）技术的中子剂量计、中子能谱仪便携式包装中子能谱仪——中子源辐射的准确定位和识别新一代中子剂量当量仪——重量只有8磅，坚固耐用，比传统中子剂量仪测试更精准 这种中子探测器的产品应用：1）防扩散国土安全的中子源定位和识别2）辐射安全管理、核反应堆现场安全分析等各种核安全领域的中子剂量当量的精准测量 产品优势：微结构半导体中子探测器具有位置分辨率好、时间响应快、体积小、工作电压低等优点，同时也解决了平面型半导体中子探测器探测效率低的问题；这种最新技术的中子探测器

Andor光谱单点探测器 除CCD 及InGaAs 阵列探测器以外，Andor 提供大量单点探测器配合Shamrock 系列光谱仪使用，以便扩展光谱仪的应用方式和波段范围：? PMT 探测器，185 - 900nm? 半导体探测器 200 - 1100nm? InGaAs 单点探测器 800 - 1900nm? PbS 探测器 800 - 2900nm? InSb 探测器 1 - 5.5 um? MCT 探测器 2 - 12um? PMT 用高压电源? 数据采集器，单光子计数器? 样品室，滤波片轮，光纤输入附件等光谱仪用周边附件

仪器简介：锗红外探测器，覆盖光谱范围800nm-1800nm，不同探测面积及制冷温度可选，包括非制冷、半导体制冷及液氮制冷技术参数：Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq. (dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR 　 NEP@ lpeak CD @ Max. VR 　 　 　 　 　 　 and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W 　 (KW) (µ A) VR 　 　 　 　 (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz) LOW CAPACITANCE OPTION ("HS") J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400 J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250 J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50 J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12 J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8 J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5 J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6 HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC") J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40 J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10 J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2 J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5 J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2 J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1 J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03 J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02 STANDARD J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15 J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4 J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2 J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8 J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1 J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07主要特点：在选择探测器时，主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素： 1.制冷功能会降低暗噪声，但同时会造成阻抗的增加 2.较大探测面积会减小阻抗，但会增加暗噪声 对于低噪声要求比较苛刻的应用，可以选择小面积的探测器，同时为了增加感光的灵敏度，最好能够增加光学聚焦系统，用于光信号的收集。 除了以下常规温度的锗红外探测器，还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品。

仪器简介：硫化铅探测器为光导型，光谱探测范围为 1um-3.5um 。主要应用为：气体检测、光学测温、火焰光度计、湿度分析仪、医疗气体分析等技术参数：硫化铅探测器为光导型，光谱探测范围为 1um-3.5um 。主要特点：硫化铅探测器主要应用为：气体检测、光学测温、火焰光度计、湿度分析仪、医疗气体分析等。根据客户要求，可选择不同级别半导体制冷模块，适应对于温度稳定性或暗噪声要求较高的应用。

俄罗斯Tydex公司由俄罗斯科学院约费物理技术研究所的前科学家组建。Tydex公司专业订制生产的THz探测器和光学元件. Golay Cell是最有效的探测器之一。该产品在室温下具有优异的灵敏度，并具有宽波长范围内的平坦光学响应。GC系列探测器是在室内制造并且独立校准。该产品包括一个探头和一个电源。滤波器支架可选。型号GC-1PGC-1TGC-1D入口窗片材料高密度聚乙烯HDPE(TPX) 聚4-甲基戊烯金刚石最佳工作波长范围15～8000&mu m0.3～6.5 &mu m & 13～8000 &mu m0.4～8000 &mu m入射锥直径11.0 mm入射窗直径6.0 mm额定探测功率10uW，更大功率需要使用衰减器(ATS-5-25.4, ATS-5-50.8)最佳调制频率15 ± 5Hz应用中红外和THz紫外~近红外和THz可见光到THz 仪器简介：1. 特征基于半导体的太赫兹发射源和探测器光谱范围0.1-3 THz亚皮秒的时间分辨率用电脑控制并完成数据分析2. 应用THz时域光谱分析THz 成像光泵浦THz探针3. 介绍太赫兹和亚太赫兹的频段（100GHz-10THz）正好填补现有物理学电磁波谱中毫米波和红外线波段之间的这一段空白。被科学界戏称为太赫兹&ldquo 空隙&rdquo 的这段光谱是非常有吸引力的，因为已经发现许多潜在的应用，除了我们下面将提到的三大主流研究方向外，在特殊物体成像、生物检测以及先进通信系统等方面同样具有十分广阔的应用前景。4. 太赫兹时域光谱分析（THz&mdash TDS）典型的THz时域光谱学系统如图1。用亚皮秒的太赫兹脉冲透过样品，再经一段对称的自由空间后由探测器接收，测量由此产生的电磁场强度随时间的变化（利用傅立叶变换获得频域上幅度和相位的变化量），进而得到样品的信息。这样的测量方法已经成功地用于气体和有机材料的测量。5. 太赫兹成像（THz Imaging）太赫兹射线能够深入到许多有机材料内部而不伤害材料，这个类似于X射线的特长使太赫兹成像非常适合用来测量生物样品。通过聚焦后的太赫兹光束来对样品进行光栅扫描，这套工具包就能轻易的实现太赫兹成像。6. 太赫兹泵浦探针试验(Pump-Probe THz Experiments)而飞秒激光器的引入为研究超快过程的非平衡动态力学提供了手段。在采用光泵浦探针技术的试验中，样品一面被超短的强激光脉冲照射，激发出自由电信号，同时一束相对较弱的泵浦信号光从另一面射入，这束THz波改变了样品的光学性质。与纯粹的光学探针技术恰恰相反&mdash &mdash 研究发现THz泵浦脉冲在半导体的级带上是非共振的，这就避免了自由电子动力学领域试验中许多人工的假象干扰，可以放心地直接作为探针应用于光泵浦-光学探针系统。7. THz光谱应用组件标准的成套工具包由：含光电导天线的THz发射和接收器、引导泵浦光路的光学组件、电机延迟线、给THz光路定向的光学镜片、样品台、带控制器的斩波器和锁相放大器多部分组成。配置简单灵活可应需更改，比如，把样品台安装在X-Y电动调整架上即转换成成像实验用的装置了。瞬渺科技(香港)有限公司Rayscience Optoelectronic Innovation Co., Ltd 地址：上海市申南路59号泰弘研发园1号楼306室电话： ，传真：E-mail: Web:

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

仪器简介：硒化铅(PbSe)探测器主要应用为：气体检测、光学测温、火焰光度计、湿度分析仪、医疗气体分析等。技术参数：硒化铅(PbSe)探测器为光导型，光谱探测范围为1um-3.5um 及 2um-6um。主要特点：硒化铅(PbSe)探测器根据客户要求，可选择不同级别半导体制冷模块，适应对于温度稳定性或暗噪声要求较高的应用

尖端光传感器的尖端工具 量子效率与参数分析先进光电探测器APD-QE随着 5G 与移动装置的兴起与普及，越来越多新型光传感器被应用于我们的日常生活中，为了能更好的应用在行动装置上，这些先进光传感器的组件感光面积越做越小。但这些应用却对先进光传感器的光感测性能要求却越来越高，在感光面积微缩的过程中，也带来量子效率精准测量的挑战；例如，传统聚光型小光斑在不同波长下，色散差造成焦点位移可到 mm 等级。难以将所有的光子都聚焦到微米等级的感光面积中。因此，难以准确测得全光谱量子效率曲线。 APD-QE 采用独家光束空间均匀化技术，利用 ASTM 标准的 ”Irradiance Mode” 测试方式，与各种先进探针台形成完整的微米级光传感器全光谱量子效率测试解决方案。APD-QE 已被应用于多种先进光传感器的测试中，例如在 iPhone 光达与其多种光传感器、Apple Watch 血氧光传感器、TFT 影像传感器、有源主动像素传感器(APS)、高灵敏度间接转换 X 射线传感器等。客制化光斑尺寸与光强度光焱科技 APD-QE 光传感器量子效率测试系统在光斑直径 25mm、工作距离 200mm 条件下量测，可以达到光强度与光均匀度如下。在波长 530nm 时，光强度可以达到 82.97uW/(cm2)。在光斑直径25mm、工作距离200mm条件下，APD-QE光传感器量子效率测试系统测得的光强度。WL (nm)半宽高 (nm)光均 U%=(M-m)/(M+m)5mm×5mm3mm×3mm47017.651.6%1.0%53020.131.6%1.2%63019.851.6%0.9%100038.891.2%0.5%140046.051.0%0.5%160037.401.4%0.7%在光斑直径25mm、工作距离200mm条件下，APD-QE光传感器量子效率测试系统测得的光均匀度。光焱科技具备自主光学设计能力。光斑大小与光强度在一定范围内，可以接受客制化，如有需要请与我们联系。Contact Us定光子数控制功能APD-QE光传感器量子效率测试系统具有 “定光子数” 功能 (选配)，使用者可以透过控制各个单色光的光子数，让各波长的光子数都一样，并进行测试。这也是光焱科技APD-QE光传感器量子效率测试系统的独家技术，其他厂家都做不到。客户在不同的constant photon flux条件下，进行的光谱测试结果。使用定光子数控制模式 (CP 控制模式)，光子数变异可以 1%以上图为例，灰色的Normal 线是氙灯光源在各波长下的光强度分布，呈现氙灯的光谱曲线特征。如采用CP控制模式，可控制不同光子数在不同波长下，保持一致的输出特性。以橘色线CP=15000为例，在不同波长下输出的光子数都是15,000 photons/s/um2。样品测试分析范例a-Si photo-FET 样品不同光强条件下，测试出来的不同光谱响应确实会不一样，可参考下面的测试结果。OPV或是钙钛矿PV样品对于OPV或是钙钛矿PV样品，一般模式或是CP控制模式的测试结果没有差异，可参考下面的测试结果。系统架构系统规格主要系统：● 量子效率测试系统– 300nm ~ 1100nm – 可扩展到 2500nm● 测量软件– PDSW 软件– 可选配 FETOS 软件（ 3T 或 4T 组件）● （选配）探针台系统– 4” 标准探针台 (MPS-4-S)● 可客制化探针台系统整合与屏蔽暗箱均光系统与探针台整合高均匀度光斑　　采用独家专利傅立叶光学组件均光系统，可将单色光光强度空间分布均匀化。在 10mm x 10mm 面积以 5 x 5 测量光强度分布，不均匀度在 470nm、530nm、630nm、850nm 均可小于 1%。而在 20mm x 20mm 面积以 10 x 10 矩阵测量光强度分布，不均匀度可以小于 4%。PDSW 软件　　PDSW 软件采用全新 SW-XQE 软件平台，可进行多种自动化测量，包含 EQE、SR、I-V、NEP、D*、频率噪声电流图（A/Hz1/2）、噪声分析等。▌EQE 测试　　EQE 测试功能，可以进行不同单色光波长测试，并且可自动测试全光谱 EQE。▌I-V 测试　　软件可支持多种 SMU 控制，自动进行照光 I-V 测试以及暗态 I-V 测试，并支持多图显示。▌D* 与 NEP　　相较于其它 QE 系统，APD-QE 可以直接测量并得到 D* 与 NEP。▌频率-噪声电流曲线▌可升级软件　　升级 FETOS 软件操作画面（选配），可测试 3 端与 4 端的 Photo-FET 组件。内部整合探针台　　APD-QE 系统由于其出色的光学系统设计，可以组合多种探针台。全波长光谱仪的所有光学组件都集成在精巧的系统中。单色光从光谱仪引导到探针台屏蔽盒。图片显示了 MPS-4-S 基本探针台组件，带有 4 英寸真空吸盘和 4 个带有低噪声三轴电缆的探针微定位器。　　集成探针台显微镜，手动滑块切换到被测设备的位置。使用滑动条后，单色光均质器被 “固定” 在设计位置。 显微图像可以显示在屏幕上，方便用户进行良好的接触。可客制化整合多种探针台与屏蔽暗箱A. 客制化隔离屏蔽箱。B. 因为先进的 PD 讲究响应速度快，所以有效面积就要小（降低电容效应），因此，多会有需要整合探针台的需求。C. 可整合不同的半导体分析仪如 4200 或 E1500。应用范围LiDAR 中的光传感器– InGaAs 光电二极管 / SPAD苹果手表的光传感器用于高增益传感和成像的光电二极管门控晶体管高光电导增益和填充因子光传感器高灵敏度间接转换 X 射线探测器表征硅光子学– InGaAs APD应用 1：iPhone 12 的 LiDAR 和其他传感器中光电二极管的外部量子效率应用 2 : APPLE Watch 6 血氧传感器中光电二极管的外量子效率　　全新 Apple Watch Series 6 配备血氧传感器和配套应用程序，为您提供更多监测心脏和呼吸系统健康的方式，内置于 Apple Watch 的背面。 它使用四组红、绿、红外 LED 灯和四个光电二极管，这些器件可以将光转换为电流。 光照射到手腕上的血管，光电二极管测量反射回来的光量。 基本上，含氧和脱氧的血液以不同的方式吸收红光和红外光，因此 Apple Watch 可以通过反射光来确定血液的颜色。 　　采用 APD-QE 系统对血氧传感器中的光电二极管进行研究和分析，包括可见光和红外波长范围。　　APD-QE 可以提供这些光电二极管的信息:外部量子效率 EQE（300nm～1700nm）光谱响应 SR (A/W)NEP 和 D*频率-噪声曲线（A/Hz1/2）噪音类型　　如果您想了解更多关于移动设备中血氧传感器的光学传感器/光电二极管测试的详细信息，请立即联系 Enlitech。应用 3: 用于高增益传感和成像的光电二极管门控晶体管　　在光学传感和成像应用中，为了提高灵敏度和 SNR，APS (active pixel sensor) 包括一个光电探测器或一个光电二极管和几个晶体管，形成一个多组件电路。其中一个重要的单元：像素内放大器，也称为源追随者是必须使用。 APS 自诞生之日起，就从三管电路演变为五管电路，以解决晕染、复位噪声等问题。除了 APS，雪崩光电二极管 （ APD ）及其相关产品：硅光电倍增器（SiPM）也可以获得高灵敏度。然而，由于必须采用高电场来启动光电倍增和碰撞电离，因此在这些设备中高场引起的散粒噪声很严重。 　 最近，提出了亚阈值操作光电二极管（PD）门控晶体管的器件概念。它无需高场或多晶体管电路即可实现高增益。增益源自光诱导的栅极调制效应，为了实现这一点，必须进行亚阈值操作。它还以紧凑的单晶体管（ 1-T ） APS 格式将 PD 与晶体管垂直集成，从而实现高空间分辨率。这种器件概念已在各种材料系统中实施，使其成为高增益光学传感器的可行替代技术。　　APD-QE 系统致力于研究和分析光电二极管门控非晶硅薄膜晶体管：不同光强下的光转移曲线特性。光强度函数的阈值电压变化（ΔVth）。有/无曝光的晶体管输出特性。量子效率与光敏增益光谱。(a) a-Si:H 光电二极管门控 LTPS TFT 结构示意图；(b) 等效电路图，显示具有高 SNR 的 APS(a) 像素的显微照片； (b) 部分阵列的显微照片； (c) 图像传感器芯片的照片如果您想测试 TFT 型图像传感器或了解更多测试细节，请立即联系 Enlitech。Contact Us3-D 双栅光敏 a-Si:H TFT 的光传输特性在各种光子通量下，作为波长函数的光敏 TFT 增益。曝光和没有曝光的 TFT 输出特性。推荐的系统组合APD-QE 系统QE波长范围 300nm ~ 1100nm恒光子 / 恒能光控模块高度均匀的光束均化器Keysight B2912 半导体分析仪 x 2探针台: MPS-4-S 探针台系统与暗屏蔽盒软件升级: FETOS-SW应用 4: 高光电导增益和填充因子光学有源像素传感器　　可应用于”间接转换 X 射线成像”、 “光学指纹成像”和”生物医学荧光成像”的光学有源像素传感器。应用 5: 高灵敏度间接转换 X 射线探测器表征高灵敏度间接转换 X 射线探测器。高分辨率背照式 (BSI) 型 X 射线探测器面板。　　高灵敏度大面积 X 射线探测器是低剂量医学诊断 X 射线成像的关键，例如数字射线照相、透视和乳房 X 线照相术。 X射线的探测方式一般有直接转换和间接转换两种。在直接转换模式中，光电导体（例如，非晶硒）用于将 X 射线光子直接转换为电荷。在间接转换模式中，这些电荷由非晶硅薄膜晶体管 (TFT) 进一步读出。X 射线光子首先通过闪烁体如碘化铯 (CsI:Tl)、锗酸铋晶体 (Bi4Ge3O12) 或 Gd2O2S:Tb 荧光粉，然后，通常由非晶硅光电二极管和开关 TFT 形成的光学成像传感器检测。在任一模式下，为了实现高灵敏度，必须从材料 / 设备级别或像素电路级别进行信号放大。例如，最近研究了高度敏感的直接 X 射线光电导体，例如钙钛矿，因为与市售的直接转换 a-Se 光电导体相比，它利用光子的效率高，从而导致高量子产率。然而，钙钛矿具有高漏电流并且也遇到稳定性 / 可靠性问题。在 X 射线成像应用中，可靠性和稳定性至关重要，因为每年必须进行数千次扫描。在高灵敏度的间接转换 X 射线探测器的情况下，由于许多闪烁体的量子产率已达到其极限，然而，由于 TFT 电路和光电二极管之间的占用面积竞争，空间分辨率和填充因子通常会受到影响，因此其灵敏度和高空间分辨率需要权衡。因此，拥有同时获得高灵敏度和高空间分辨率的检测器或像素架构是具有挑战性的。 APD-QE 系统用于高灵敏间接侦测型的X射线探测器的开发：不同光强下的光转移曲线特性。有/无曝光的晶体管输出特性。量子效率与光敏增益光谱。不同 VTG（-12 V、-18 V、-24 V）阈值电压变化的光强依赖性。橙色线是实测的 CsI:Tl 的 X 射线激发光致发光发射光谱，蓝色线是光敏双栅 TFT 的光增益 (Gph)，紫色线是经典pin光电二极管的外部量子效率 (EQE) 曲线 。推荐的系统组合APD-QE 系统QE波长范围 300nm ~ 1100nm恒光子 / 恒能光控模块高度均匀的光束均化器Keysight B2912 半导体分析仪 x 2探针台: MPS-4-S 探针台系统与暗屏蔽盒软件升级: FETOS-SW如果您想测试间接转换 X 射线探测器或了解有关测试的更多详细信息，请立即联系 Enlitech。Contact Us应用 6: 高光电导增益和填充因子有源像素传感器（APS）有源像素传感器（APS）　　垂直堆栈了一个 a-Si:H p-i-n 光电二极管和一个低温多晶硅（LTPS）读出 TFT 通过使用 p-i-n 光电二极管门控 TFT 架构并在亚阈值范围内操作 TFT，所提出的 APS 器件提供高填充因子和高内部光电导增益。垂直积分导致像素中的高填充因子（ 70% ）和扩大的感光区域。 在传感器的光电二极管门控 TFT 结构中，通过在亚阈值状态下操作 TFT 来放大输出电流。 在可见光波长处获得了弱波长相关的光导增益 10，从而实现大面积低强度光检测。 　　大面积光学成像和传感设备可以在间接转换 X 射线成像 光学指纹成像和生物医学荧光成像的许多应用中找到。而高增益与高填充因子的 APS 深具商业应用的潜力。APD-QE 系统有源像素传感器（ APS ）：不同光强下的光转移曲线特性。有/无曝光的晶体管输出特性。量子效率与光敏增益光谱。(a) SNR = AS/(N+n) 的混合有源像素传感器和 (b) SNR = S/(N + n) 的传统无源像素传感器的等效像素电路； A是放大系数，N是像素噪声，n是数据线噪声。高光电导增益和填充因子光学传感器混合传感器的光子传输特性。在 VBG = &minus 6.3V 下测得的光电导增益和外部量子效率作为各种光子通量的波长函数。采用 APD-QE 系统测量有源像素传感器的外量子效率。推荐的系统组合APD-QE 系统QE波长范围 300nm ~ 1100nm恒光子 / 恒能光控模块高度均匀的光束均化器Keysight B2912 半导体分析仪 x 2探针台: MPS-4-S 探针台系统与暗屏蔽盒软件升级: FETOS-SW

张经理六氟化硫报警器是我公司科研人员根据市场需求与多家科研机构联合研制成功的新一代高科技电子产品，报警探测器是按照GB15322-2003《气体探测器技术要求及试验方法》严格设计制造，探测器内的检测传感器采用进口传感器作为检测元件，灵敏度高，响应速度块，当报警器探测到环境中的六氟化硫气体浓度达到或超过预设置报警点时，控制主机立即发出声光报警，同时可启动排风装置，已达到安全之目的。特点:采用进口传感器，数字信号，性能稳定抗干扰，灵敏可靠使用环境范围宽，使用寿命长技术指标:工作电压:DC12V检测气体:六氟化硫检测原理:电化学式.半导体.红外线.超声波检测范围:0-100 PPm或0-30000 PPm以内响应时间:≤30s恢复时间:≤90s功耗:≤3.5W/路计量误差≤±5%LEL防爆等级:ExdⅡBT6使用温度:-40℃--70℃使用湿度:≤95%RH气体检测器特点：●防爆等级为ExdⅡCT6●高精度、长寿命的进口气体传感器●自动温度补偿、零点、满量程漂移补偿●防高浓度气体冲击的自动保护功能●全软件校准功能，用户也可自行校准，用3个按键实现，操作简单●二线制4～20mA输出●两个电缆进线口，方便现场安装●独立气室结构，传感器更换便捷

仪器简介：位置灵敏探测器PSD (Position Sensitive Device) 属于半导体器件, 一般做成PN结构,具有高灵敏度、高分辨率、响应速度快和配置电路简单等优点。其工作原理是基于横向光电效应。作为新型器件, PSD 已经被广泛应用在位置坐标的精确测量上, 如: 兵器制导和跟踪、工业自动控制、或位置变化等技术领域上.技术参数：分节PSD 这类PSD的基底通常分成两节或四节（分别对应一维或二维测量）。如果光斑停在中心位置，对称的光斑会在所有的节上产生相等的光电流。通过简单测量各节的输出电流，可以得到相对的位置信息。由于各单元之间超强的响应匹配，它们提供的位置分辨率优于0.1um，精确度也比横向效应的PSD高。与横向效应PSD不同的是，分节PSD的位置分辨率与系统的信噪比无关，因此它可以探测非常微弱的光信号。横向效应PSD 横向效应PSD采用连续的平面扩散型光电二极管，没有条带或盲区。这类PSD直接读出整个有效区域下的光斑位移量。在探测器有效区域上，光斑的位置和密度信息与模拟输出量直接成正比，通过这一输出就可以获得位移量。照在有效区域上的光斑会产生光电流，光电流流过入射点，穿过电阻层，进入接触层。入射点与接触层之间的电阻与光电流成反比。当光斑正好照到器件中央位置，会产生相同的电流信号。当在有效区域上移动光斑，接触层产生的电流大小，会确定光斑正确的瞬态位置。这些电信号与从中心到光斑的位置成比例关系一维探测器从2.5*0.6mm2' ---60.0*3.0mm2' 可选，上升时间为0.3us---4.5us。二维探测器从2.0*2.0mm2' ---45.0*45.0mm2' 可选，上升时间为0.3us---7us。 另外，还提供带信号处理电路的高线性二维PSD探测器，面积可达10*10mm2' 。主要特点：分节PSD 展示了基于时间和温度条件下的超强稳定性，以及脉冲应用所需的快速时间效率。然而，它们也受一些因素的限制，比如光斑必须在任何时间叠加在所有的节上，它不能小于各节之间的条带宽度。同时，正确的测量、均匀的光斑密度分配也是很重要的。它们是调零应用和光束准直应用的优秀器件。分节PSD产品包括二像素系列，四像素系列，紫外增强型系列横向效应光电PSD的主要优势在于它们宽的动态范围。它们能测量到探测器边缘的所有光斑位置。它们与光斑形状、密度分布无关，而这一点会影响分节光电二极管的位置读取。输入的光束可以是任何的尺寸和形状，这是因为电气输出信号由光斑位置重心指示，而输出与到中心的位移量成正比。器件的位置分辨率优于0.5um。分辨率取决于探测器/电路信号与噪声的比值。一维PSD探测器 一维PSD探测出一个亮点移动在它的在一个唯一方向的表面。入射光引起的光电流流经设备，作为输入偏压电流被划分成二个输出电流。输出电流的分布显示出探测器的光斑的位置。二维PSD探测器在其的方形的表面上的一个入射光斑点位置。入射光引起的光电流流经设备，作为二个输入电流和二个输出电流。输出电流的分布显示一个维度(y)的光斑的位置和输入电流的分布显示另一个维度(y)的光斑的位置。

产品特点 应用领域高灵敏度InGaAs线阵探测器 工业检测1024x1线列规格、12.5um像元间距 医疗、科学成像光谱响应范围0.9um~1.7um 高光谱成像14x2pin 陶瓷管壳封装 激光光斑成像两路模拟视频输出 垃圾分拣有效像元率≥99% 搜救遥感量子效率≥70% 半导体检测 性能指标探测器类型铟镓砷光谱响应0.9±0.1μm ~ 1.7±0.1μm分辨率1024 x 1像元尺寸12.5μm x 12.5μm像素可操作率≥99%量子效率≥70%响应非均匀性＜6%功能指标最短积分时间 5μs输出通道个数 512×1（单通道）、1024×1（双通道）通道增益电容16档，6.4fF~2.1pF 模拟输出范围1.8V（设计值）信号读出方式Snapshot；CDS 模式工作；积分再读出（ITR）；积分同时读出（IWR） 数据输出速率18MHz典型值；22MHz最高值电源特性电源3.6V±0.05V物理特性封装形式28-pin DIP陶瓷封装（金属管壳封装可选） 工作温度-40℃~+50℃重量≤10g外形尺寸19.5mm x 40.0mm x 3.9mm（不含DIP插针长度）结构尺寸图管脚定义图

位敏探测器(PSD) 新势力光电供应位敏探测器(PSD)，是根据横向光电效应(电压和电流信号随着光斑位置变化而变换的现象)的半导体敏感元件，将照射在光敏面上的光斑强度和位移量转换为电信号，以实现位置探测。Position sensitive diodes (up to 20mm measuring range in two directions)Type No.Active areaRise time DimensionsChipPackageSizeArea865nm 10V 50&Omega mmmm2nsOD3.5-6SO83.5× 13.5200singleOD3.5-6SMD3.5× 13.5200singleOD6-6SO166× 16200singleOD6-6SMD6× 16200singleDL16-7CERpin4× 416500dual a× isDL16-7CERsmd4× 416500dual a× isDL16-7LCC10G4× 416500dual a× isDL100-7CERpin10× 101004000dual a× isDL100-7CERsmd10× 101004000dual a× isDL100-7LCC10G10× 101004000dual a× isDL400-7CERpin20× 204004000dual a× isDL400-7CERsmd20× 204004000dual a× is相关商品雪崩二极管(APD) 光电二极管(PIN) 四象限探测器(QP) 光电二极管模块

一, 单光子探测器阵列SPAD23单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具单光子探测器阵列SPAD23,单光子探测器阵列SPAD23通用参数单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具SPAD23集成性强，操作时，只需要两个插头，一个5 V电源和一个USB3连接。软件程序支持二次开发，系统软件支持光子计数和时间标记，可以通过TCP/IP访问，以便轻松集成到LabVIEW、MATLAB或Python中。推荐操作条件 SPAD high-voltage 工作电压: VOP:26-32 V环境温度:-55 to 35 °C典型技术参数参数条件TYPPeak detection probability峰值检测概率VOP= 32 v55%@520 nmWavelength window with PDP 35%PDP35%的波长窗口VOP= 32v440-660 nmFill factor填充因子Collimated light准直光源80%Dark count rate暗计数率VOP= 32 vT = 20°℃100 cpsNumber of noisy pixels with DCR1kcpsDCR1kcps的噪声像素数VOP= 32v1Dead time停滞时间VOP= 32vV= 0.8v50 nsTiming jitter定时抖动Vop= 32v120 psAfterpulsing逆转VOP= 32vV=0.8 v0.1%Crosstalk串扰VOP= 32v0.14%Maximum count rate per pixel每像素最大计数率7.8 McpsTime-tagging resolution时间标记分辨率20 ps在共焦荧光显微中的应用：图像扫描显微镜(ISM)量子ISM (Q-ISM)荧光寿命成像荧光相关光谱法(FCS)、受激发射耗尽显微镜(STED)优势:SPAD阵列增加了光的收集，使共聚焦扫描显微镜领域的创新成为可能。这一创新蕞终导致了清晰和明亮的图像与潜在的分子功能，相互作用和环境的功能信息。单光子探测器阵列SPAD23能使标准的共聚焦显微镜实现超分辨率，增加光线收集，提高成像速度，降低背景噪声共焦显微镜图像 显微镜图像在量子信息中的应用： 反聚束与符合相关，量子随机数生成 优势： 时间光子相关性和光子数解析(PNR)使探测光的量子特性成为可能。我们的探测器具有急低的串扰，因此能够可靠地测量二阶和三阶光子相关性，以及不可破解的加密量子随机数生成。 单光子探测器阵列SPAD23相当于简化了的多通道单光子探测器，通过检测器并行化提高数据速率，光子数分辨(PNR)检测光子探测概率。二, InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nmMP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm,InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm产品特点●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm ●采用金属封装，器件质轻灵巧 ●像元独立、自由运行 ●像元可探测弱光子信号 ●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 产品应用●透雾、霾、烟尘等测距●近红外激光告警●远距离激光测距●远距离空间激光通信通用参数封装外形结构与尺寸(单位: mm )电学接口●电源输入: +5V●数据输出类型: TTL●控制命令接口: J63A-31●电源输入接口类型: J30J●数据输出接口类型: J63A-31●外触发接口: SSMA接口编号功能1SSMA-1:内同步信号输出2SSMA-2:外同步信号输入3J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口4J30J: +5V单电源供电技术参数探测器面阵规格性能描述器件类型InGaAs APD阵列规模4x4像元大小100μm x 100μm光敏面大小[1]85μm x 85μm光窗石英光窗感光靶面至光窗外表面间距4mm (光窗厚度为1mm )注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。主要性能指标(Tc=22+3℃)特性参数参数指标工作波长[1]0.95 ~ 1.65μm探测效率≥10% ( 1.57 +0.05μm)暗计数率≤10KHz时间抖动≤500ps死时间100 ~ 1000ns可调有效像元率100%注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。绝对最大额定值参数额定值单位工作温度范围Tc-40～+55°C贮存温度范围TSTG-40～+70°C最大功耗P15W输入偏置范围VR4.9～5.5V静电放电敏感度ESD1000～2000V质量可靠性保证● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。三, AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500umRedwave Labs AD200是一种紧凑且经济的单光子探测器模块，基于可靠的硅雪崩光电二极管敏感的可见光谱范围。AD200的探测器在近可见区域（约650 nm）具有较高的效率。AD200的特点是主动淬火和全数字温度控制的APD。提供单独的电源。AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um,AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um通用参数产品特点：在650 nm处的量子效率为70%在800 nm处的量子效率为55%二极管的温度可调包括软件产品应用：时间相关的单光子计数单光子探测激光扫描显微镜粒子物理学分光光度学技术参数：型号AD200电源单相, +12 V，2x 3A，来自PCIe扩展电源光电二极管波长：400 – 1100 n击穿电压：125V@25C有效光敏面直径：500μm单光子探测率At 650nm - 70,At 800nm - 55%暗计数率25@-20C，典型值停滞时间40 ns输出脉冲40 ns连接器电源：Molex 2 PIN输出：SMB USB:USB TYPEB定时门(Timing Gate )：SMB尺寸（宽x高x深）重量120 x 92 x 30 mm350克存储温度工作温度-55至100℃-40至85℃绝对最大值参数符号参数数值单位Vdd电源电压+12VoltTop工作温度-40 to 85Deg CTst存储温度-55 to 100Deg C 机械尺寸：参数数值单位长度5.004 (127.1)Inch (mm)宽度3.000 (76.2)Inch (mm)高度1.325 (33.65)Inch (mm)重量350gram

仪器介绍 Synapse CCD是现代光谱测量&mdash &mdash 从简单的吸收光谱到困难的拉曼或光致发光测量&mdash &mdash 完美的解决方案。这台紧凑型CCD 探测器可与所有HORIBA Jobin Yvon 光谱仪连接，为任何实验都提供高灵敏度的探测。 主要特点：1、高灵敏度和低噪音 Synapse CCD是探测电子行业的新一代产品，提供无与伦比的超高灵敏度和低噪声的CCD。低噪声放大器就放置在CCD感光元件旁边，以降低来自外部环境的任何噪声.2、高信号线性度 Synapse的电子线路经特殊设计，可在整个动态范围内都提供非常出色的信号线性度。这使得该探测器在各种信号水平上都提供更高的准确度和更好的测量结果。为了前述保证高性能，每个Synapse CCD出厂前都进行线性度、满井容量和读出噪音值的测试.3、半导体制冷 CCD探测器制冷的主要是为了降低暗电流。Synapse 采用半导体制冷的方式，冷却温度低至-75oC，这样无须液氮制冷所需的复杂装置就将暗电流水平降到较低水平。CCD传感器放置在一个密封的单窗口真空室中以保证大限度优化制冷性能并终生免于保养.4、辅助信号输入 Synapse CCD为PMT、硅光电二管或者InGaAs固态探测器提供一个单独的电压或电流信号输入通道，将光谱仪数据采集的灵活性带入了一个新阶段。这个额外的输入通道用途广泛，包括作为用于功率修正参照的自动参照探测器或者用InGaAs 探测器或锗光电二管来扩大您光谱仪的波长范围。在参照模式下，这个辅助的输入装置可以在CCD曝光的同时记录数据。作为一个独立的数据采集通道，该输入通道可通过光谱仪扫描硅探测器有效波长以外的NIR波段。只有HORIBA Jobin Yvon 在Synapse CCD中提供这种附加性能。5、USB 2.0 接口 Synapse CCD 采用高速USB 2.0接口，以实现与计算机快速而简单的连接。 它与我们功能强大的SynerJY 软件连接，来进行探测器和光谱仪的简易控制和数据采集。对更多的定制实验来说，Synapse CCD可以同我们的软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，来提供对探测器和测量过程各个方面的完全控制.6、灵活的触发方式 Synapse CCD 有一套用于实验交互的可编程TTL边沿触发器。输入触发是用来启动数据采集过程，同时输出触发经过编程来作为曝光监控器或者读出监控器.7、内置快门驱动 作为光谱研究CCD， Synapse采用快门来控制曝光时间和光谱修正去背景噪声。与其它需要附加模块的CCD探测器不同，Synapse CCD 内置快门驱动电路，可快速连接到快门并从个数据开始进行自行纠正. 规格芯片规格 类型TE制冷1024x256 FIOP正照射开放电是1024x256 FIVS正照射可见增强是1024x256 FIUV正照射紫外增强是1024x256 BIVS背照射可见增强是1024x256 BIUV背照射紫外增强是1024x256 BIDD背照射深耗尽是2048x512 FIVS正照射可见增强是2048x512 FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是512x512FIVS正照射可见增强是512x512BIVS背照射可见增强是512x512BIUV背照射紫气增强是

Synapse CCD是现代光谱测量——从简单的吸收光谱到最困难的拉曼或光致发光测量提供解决方案。这台紧凑型CCD 探测器可与所有HORIBA Jobin Yvon 光谱仪连接，为任何实验都提供高灵敏度的探测。 主要特点：1、高灵敏度和低噪音 Synapse CCD作为探测电子行业产品，可提供高灵敏度和极低噪声的CCD。低噪声放大器就放置在CCD感光元件旁边，以降低来自外部环境的任何噪声.2、高信号线性度 Synapse的电子线路经特殊设计，可在整个动态范围内都提供非常出色的信号线性度。这使得该探测器在各种信号水平上都提供更高的准确度和更好的测量结果。为了前述保证高性能，每个Synapse CCD出厂前都进行线性度、满井容量和读出噪音值的测试.3、半导体制冷 CCD探测器制冷的主要是为了降低暗电流。Synapse 采用半导体制冷的方式，冷却温度低至-75oC，这样无须液氮制冷所需的复杂装置就将暗电流水平降到较低水平。CCD传感器放置在一个密封的单窗口真空室中以保证制冷性能并免于保养.4、辅助信号输入 Synapse CCD为PMT、硅光电二极管或者InGaAs固态探测器提供一个单独的电压或电流信号输入通道，将光谱仪数据采集的灵活性带入了一个新阶段。这个额外的输入通道用途广泛，包括作为用于功率修正参照的自动参照探测器或者用InGaAs 探测器或锗光电二极管来扩大您光谱仪的波长范围。在参照模式下，这个辅助的输入装置可以在CCD曝光的同时记录数据。作为一个独立的数据采集通道，该输入通道可通过光谱仪扫描硅探测器有效波长以外的NIR波段。只有HORIBA Jobin Yvon 在Synapse CCD中提供这种附加性能。5、USB 2.0 接口 Synapse CCD 采用高速USB 2.0接口，以实现与计算机快速而简单的连接。 它与我们功能强大的SynerJY 软件连接，来进行探测器和光谱仪的简易控制和数据采集。对更多的定制实验来说，Synapse CCD可以同我们的软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，来提供对探测器和测量过程各个方面的控制.6、灵活的触发方式 Synapse CCD 有一套用于实验交互的可编程TTL边沿触发器。输入触发是用来启动数据采集过程，同时输出触发经过编程来作为曝光监控器或者读出监控器.7、内置快门驱动 作为光谱研究CCD， Synapse采用快门来控制曝光时间和光谱修正去背景噪声。与其它需要附加模块的CCD探测器不同，Synapse CCD 内置快门驱动电路，可快速连接到快门并从起始数据开始进行自行纠正. 规格芯片规格 类型TE制冷1024x256 FIOP正照射开放电极是1024x256 FIVS正照射可见增强是1024x256 FIUV正照射紫外增强是1024x256 BIVS背照射可见增强是1024x256 BIUV背照射紫外增强是1024x256 BIDD背照射深耗尽是2048x512 FIVS正照射可见增强是2048x512 FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是512x512FIVS正照射可见增强是512x512BIVS背照射可见增强是512x512BIUV背照射紫气增强是

产品说明光电二极管是一种光电探测器件，功能类似于普通的信号二极管，但在结半导体的耗尽区吸收光时，会产生光电流。光电二极管具有两种工作模式：光导模式(反向偏置)或光伏模式(零偏置)，工作模式的选择取决于应用中的速度要求和可容许的暗电流(漏电流)大小。根据入射光正确确定期望的输出电流水平和响应度很有必要。本公司提供一系列光纤耦合、高速、高带宽探测器，TVS-PD系列光电探测器工作在反向偏置模式下，内部有偏压电池，通过SMA同轴连接器输出，可以直接连接至示波器进行监测，可方便检测超快激光器的脉冲序列。产品应用脉冲监测、脉冲激光器光信号检测产品优势高速：带宽可达3.2GHz操作简单：FC光纤输入，直插直用探测范围宽：800-1700 nm定制化：可根据用户需求定制不同参数的光电探测器技术参数参数数值型号TVS-PD波长800~1700 nm带宽3.2 GHz（-3dB）光输入接口FC / PC灵敏度0.9 A/W（@1550 nm）输出电压0~2 V负载50 Ω结电容0.6 pF（典型值）暗电流0.1 nA（典型值）输出接口SMA输出耦合方式DC耦合尺寸73 x 67 x 23.5 mm

张经理DX6000-ST 是一款多气体传感器模组，可以同时检测 SF6 和 O2 两种气体， SF6 采用 NDIR 红外吸收检测原理，O2 采用电化学原理。该模组采用 MEMS 光源、特殊结构的光学腔体和双通道探测器，实现空间双光路参比补偿，微处理器进行信号采集、处理和输出。DX6000-ST 具有很好的选择性，高灵敏度，寿命长， 低功耗；内置温度传感器，可进行温度补偿；采用 485 输出。纯净的SF6气体虽然无毒，但在工作场所要防止SF6气体的浓度上升到缺氧的水平。SF6气体的密度大约是空气的五倍、SF6气体如有泄漏必将沉积于低洼处，如电缆沟中。浓度过大会出现使人窒息的危险，设计户内通风装置时要考虑到这一情况。在电弧作用下SF6的分解物如SF4，S2F2，SF2，SOF2，SO2F2，SOF4和HF等，它们都有强烈的腐蚀性和毒性。因此在电力系统GIS等应用SF6的工作场所，要加装SF6气体泄漏监测设备。特点:采用进口传感器，数字信号，性能稳定抗干扰，灵敏可靠使用环境范围宽，使用寿命长技术指标:工作电压:DC12V检测气体:六氟化硫检测原理:电化学式.半导体.红外线.超声波检测范围:0-100 PPm或0-30000 PPm以内响应时间:≤30s恢复时间:≤90s功耗:≤3.5W/路计量误差≤±5%LEL防爆等级:ExdⅡBT6使用温度:-40℃--70℃使用湿度:≤95%RH六氟化硫气体报警器，六氟化硫报警器，六氟化硫泄漏报警器，能自动适应环境的变化，自动修正传感器的老化曲线，保持恒定的报警灵敏度，具备识别传感器故障及提供高浓度气体超限保护的能力，当传感器由于老化而可能失去功能时，六氟化硫气体报警器能自动识别并报警，有效避免了漏报，内置的电子串号，无需拨码，避免了拨码开关的机械故障带来的系统不稳定。 六氟化硫气体报警器产品特点： ◆液晶背光多个体显示； ◆抗干扰、防尘、抗湿、抗腐蚀； ◆各检测点独立设定，检测历史查询，自主设定一、二级报警值，零点漂移正位，中文显示。 六氟化硫气体报警器技术参数： 　　◆工作电压：AC220V±10%　　◆备电使用时间：≥2.5h 　　◆使用温度：0℃～+55℃ 　　◆背光液晶显示：PPM/%LEL/×10PPM 　　◆个体声光报警、个体浓度数值显示 　◆主、备电自动转换，自我保护 　　◆频率信号、联动阀门、风机、110报警灯 　　◆使用湿度：≤90%RH

简单介绍采用光纤锥耦合X射线探测器，最大限度的提高了光通量，用1：1的光纤面板，耦合效率可达到70%，大大提高了相机的探测能力。图像不失真，不需要对影像进行较正，可以让系统的软件变得更简单X射线探测器 的详细介绍 高耦合效率，降低设备X光源的投入影像不失真，让系统软件变得更简单 采用光纤锥耦合的X射线探测器，最大限度的提高了光通量，用1：1的光纤面板，耦合效率可达到70%，大大提高了相机的探测能力。图像不失真，不需要对影像进行较正，可以让系统的软件变得更简单。此相机广泛的应用于工业无损检测，如铸件和焊接检测、PCB板检测、工业CT等。 BGA检查 IC焊脚检查 二极管质量检查 金线检查 产品规格： 标准产品有以下三个型号，根据X光源不同，要求分辨率以及目标物的厚度不同，有可能需要改变荧光屏材料和厚度。我们向您提供完美的解决方案。 产品型号HR-25-X-RayHR-40-X-RayHR-75-X-RayCCD芯片2/3’’芯片，752*5822/3’’芯片，1392*10401.2’’芯片，2048*2048像素尺寸11.6um*11.2um6.45um*6.45um7.4um*7.4um输出格式标准CCIR模拟型号输出8bit或12bit数字信号输出8bit或12bit数字信号输出帧速视频速度17帧或30帧15帧计算机接口无1394或以太网接口以太网接口视场20mm*15mm（其它可选）32mm*24mm（其它可选）45um*45um荧光屏镀膜P43(其它可选)P43(其它可选)P43(其它可选)X光响应范围20kev-100kev20kev-100kev20kev-100kev入射光窗0.5mm厚铝膜（其它可选）0.5mm厚铝膜（其它可选）0.5mm厚铝膜（其它可选）分辨率50um≤50um，10lp/mm≤50um,11 lp/mm HR-75-X-Ray400万像素高分辨率；选用75:25的光纤锥耦合，视野可达到45mm X 45mm. HR-40-X-Ray140万像素高分辨率；选用40:11的光纤锥耦合，视野可达到32mm X 24mm. HR-25-X-Ray体积小巧，直径仅55mm,长68mm,易于安装；分辨率高；动态范围好。 量子效率曲线图（P43荧光屏（25mg/cm2）, 厚度：55um） 定制产品： 我们可根据客户的需求定制X-Ray相机 荧光屏类型和厚度附加层（如Alu,ITO）输入窗口类型和厚度相机电子部分（如计算机接口）制冷（针对于部分型号）真空接口视野大小空间分辨率 应用领域 医学成像设备：牙科X光成像眼科成像X射线断层成像局部骨骼成像 工业检测设备：PCB或BGA 检查半导体缺陷检查食品安全检查X光光斑成像无损探伤电线检查 安防设备：紫外线导弹预警距离选通激光雷达夜视相机爆炸物探测指纹获取火灾探测

半导体激光器测量套件 描述激光的中心波长、半高宽和功率大小是其重要的性能指标。由于半导体激光器所发出的激光具有一定的发散角，我们采用积分球作为采光附件。该装置主要由光谱仪、光功率计和积分球组成，通过专用软件，同步测量激光器的中心波长、半高宽和光功率。适用于测量激光二极管、激光二极管组件、发散型单色光源等发光器件，并且支持改装成流水线批量测试。其波长范围200-1100nm，分辨率0.1-1nm，功率范围100nW-10W。设备出厂前，我们会对积分球，探测器和光功率计整体进行校准，提高测试精度。特点200-1100nm宽光谱测量范围适合自动化批量检测支持二次开发支持深度定制配置清单软件专⻔ 针对激光器快检开发了⼀ 款⽤ 来同时测量光谱和功率的应⽤ 软件。软件界⾯ 简洁实⽤ ，操作简单，在“设置”中按⽤ ⼾ 的测试要求设置完成对应参数，保存后即可开始测量。软件适合于⽣ 产线批量检测，输⼊ 序列号，点击测量，所有的测试数据均会在“测试记录”中保存，软件还可⾃ 动判定产品是否合格。更多精彩内容，请关注下方！

一, 单光子探测器阵列SPAD23单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具单光子探测器阵列SPAD23,单光子探测器阵列SPAD23通用参数单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具SPAD23集成性强，操作时，只需要两个插头，一个5 V电源和一个USB3连接。软件程序支持二次开发，系统软件支持光子计数和时间标记，可以通过TCP/IP访问，以便轻松集成到LabVIEW、MATLAB或Python中。推荐操作条件 SPAD high-voltage 工作电压: VOP:26-32 V环境温度:-55 to 35 °C典型技术参数参数条件TYPPeak detection probability峰值检测概率VOP= 32 v55%@520 nmWavelength window with PDP 35%PDP35%的波长窗口VOP= 32v440-660 nmFill factor填充因子Collimated light准直光源80%Dark count rate暗计数率VOP= 32 vT = 20°℃100 cpsNumber of noisy pixels with DCR1kcpsDCR1kcps的噪声像素数VOP= 32v1Dead time停滞时间VOP= 32vV= 0.8v50 nsTiming jitter定时抖动Vop= 32v120 psAfterpulsing逆转VOP= 32vV=0.8 v0.1%Crosstalk串扰VOP= 32v0.14%Maximum count rate per pixel每像素最大计数率7.8 McpsTime-tagging resolution时间标记分辨率20 ps在共焦荧光显微中的应用：图像扫描显微镜(ISM)量子ISM (Q-ISM)荧光寿命成像荧光相关光谱法(FCS)、受激发射耗尽显微镜(STED)优势:SPAD阵列增加了光的收集，使共聚焦扫描显微镜领域的创新成为可能。这一创新蕞终导致了清晰和明亮的图像与潜在的分子功能，相互作用和环境的功能信息。单光子探测器阵列SPAD23能使标准的共聚焦显微镜实现超分辨率，增加光线收集，提高成像速度，降低背景噪声共焦显微镜图像 显微镜图像在量子信息中的应用： 反聚束与符合相关，量子随机数生成 优势： 时间光子相关性和光子数解析(PNR)使探测光的量子特性成为可能。我们的探测器具有极低的串扰，因此能够可靠地测量二阶和三阶光子相关性，以及不可破解的加密量子随机数生成。 单光子探测器阵列SPAD23相当于简化了的多通道单光子探测器，通过检测器并行化提高数据速率，光子数分辨(PNR)检测二, AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500umRedwave Labs AD200是一种紧凑且经济的单光子探测器模块，基于可靠的硅雪崩光电二极管敏感的可见光谱范围。AD200的探测器在近可见区域（约650 nm）具有较高的效率。AD200的特点是主动淬火和全数字温度控制的APD。提供单独的电源。AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um,AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um通用参数产品特点：在650 nm处的量子效率为70%在800 nm处的量子效率为55%二极管的温度可调包括软件产品应用：时间相关的单光子计数单光子探测激光扫描显微镜粒子物理学分光光度学技术参数：型号AD200电源单相, +12 V，2x 3A，来自PCIe扩展电源光电二极管波长：400 – 1100 n击穿电压：125V@25C有效光敏面直径：500μm单光子探测率At 650nm - 70,At 800nm - 55%暗计数率25@-20C，典型值停滞时间40 ns输出脉冲40 ns连接器电源：Molex 2 PIN输出：SMB USB:USB TYPEB定时门(Timing Gate )：SMB尺寸（宽x高x深）重量120 x 92 x 30 mm350克存储温度工作温度-55至100℃-40至85℃绝对最大值参数符号参数数值单位Vdd电源电压+12VoltTop工作温度-40 to 85Deg CTst存储温度-55 to 100Deg C 机械尺寸：参数数值单位长度5.004 (127.1)Inch (mm)宽度3.000 (76.2)Inch (mm)高度1.325 (33.65)Inch (mm)重量350gram

产品优势&bull 半导体冷却型碲镉汞红外光电探测器；&bull 对2~12 um的中红外光谱波段光波敏感；&bull 内部一体化集成低噪声前置运放+TEC控制单元；&bull TEC热电冷却稳定 -80℃-40℃，极大地降低了热噪声；&bull 高性价比，提供高速频率带宽定制服务。产品参数产品结构尺寸图(单位: mm)

产品名称：半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸