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半导体光放大器
仪器信息网半导体光放大器专题为您提供2024年最新半导体光放大器价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括半导体光放大器参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的半导体光放大器您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合半导体光放大器相关的耗材配件、试剂标物,还有半导体光放大器相关的最新资讯、资料,以及半导体光放大器相关的解决方案。
半导体光放大器相关的方案
如何“听见”光的声音?国仪量子锁相放大器在光声光谱中的应用
在光声光谱测量中,从微音器采集到的信号需要通过一个前置放大器放大,再通过锁相放大器锁定我们需要的频率信号,这样才能探测到较高信噪比的光声光谱信号,从而对样品的性质进行测量。国仪量子基于在量子精密测量领域深厚的技术积累和出色的产品工程化能力,推出了一系列的微弱信号检测仪器,数字锁相放大器LIA001M就是其中之一,它在光学、材料科学、量子技术、扫描探针显微镜和传感器等领域的研究中发挥着重要作用。
平均功率5瓦,载波包络相位(carrier envelope phase, CEP)稳定的,光学参量啁秋放大器系统,可输出5.5TW峰值功率,重复频率1kHz
采用Ekspla UAB 公司特别设计的半导体泵浦的固体Nd:YAG皮秒激光器,构建了一套平均功率5瓦,载波包络相位(carrier envelope phase, CEP)稳定的,光学参量啁秋放大器系统,可输出5.5TW峰值功率,重复频率1kHz。
FLCE 百伏兆赫兹级电压放大器解决方案
本方案能用户挑剔的高频高电压放大功能,放大器的输出频段和电压范围在国际上是独有的。放大器性能涵盖电压范围70Vpp~1500Vpp,直流~5Mhz频带,输出电流60mA~2A。放大倍数固定/可调,单通道/双通道/双通道联用,支持0~10V之间的输入电压,支持电阻性|电容性负载,适用诸多尖端科研实验。FLCE源发自铁电液晶发现者,瑞典查尔姆斯理工大学。凭借秉承的精良技术,使得FLCE放大器拥有优异的电性能输出。
inTEST 热流仪半导体元器件高低温测试
半导体器件 semiconductor device, 是导电性介于良导电体与绝缘体之间, 利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件, 可用来产生, 控制, 接收, 变换, 放大信号和进行能量转换.
爱丁堡光谱系列在半导体行业中的应用解决方案
半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石。半导体行业已成为全球重要的战略性产业之一。随着全球经济的发展,半导体市场需求与竞争也不断增加,对半导体创新技术和材料迭代更新均提出了更高的需求。目前,半导体材料作为整体行业重要的上游支撑材料,如今已发展到四代半导体,在这些材料提纯制备和生产过程中,其物理性质如晶型结构、杂质含量。缺陷类型及浓度、应力及应变等决定了最终产品的各种性能。爱丁堡分子光谱提供显微拉曼、光致发光及傅里叶红外表征技术,协助生产过程对这些材料属性进行监测与把控。
傅立叶变换红外光谱仪测试半导体材料硅片中氧碳含量
傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率,并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理,可方便地扫描得到红外谱图,从而得到碳氧相关信息,对硅材料质量控制起到指导作用。
共聚焦显微镜+半导体激光器+缺陷检测及尺寸测量
利用共聚焦显微镜,进行半导体激光器的晶圆缺陷检测,以及波导结构的尺寸测量
激光显微镜在半导体生产流程中的微观分析检测方案
半导体行业在产品的小型化及多功能化、提高生产效率、削减成本等方面的竞争日趋激烈。在图形细微化、晶片大口径化发展的同时,市场对品质保障的要求越来越高,研究开发及检测的速度也变得重要了起来。这次将为您介绍使用基恩士VK-X系列形状测量激光显微镜,在半导体生产流程中的微观分析检测方案。
C波段EDFA光纤放大器系统技术方案 - 筱晓光子
EDFA采用掺铒离子光纤作为增益介质,在泵浦光作用下产生粒子数反转,在信号光诱导下实现受激辐射放大。铒离子有三个能级,在未受任何光激励的情况下,处在最低能级E1上,当用泵浦光源的激光不断激发光纤时,处于基态的粒子获得能量就会向高能级跃迁。如由E1跃迁至E3,由于粒子在E3 这个高能级上是不稳定的,它将迅速以无辐射跃迁过程落到亚稳态E2 上。在该能级上,相对来讲粒子有较长的存活寿命,此时,由于泵浦光源不断的激发,则E2能级上的粒子数就不断的增加,而E1能级上的粒子数就减少,这样,在掺铒光纤中实现了粒子数反转分布,就具备了实现光放大的条件。当输入信号光子能量E=hf正好等于E2和E1 的能级差时,即E2-E1=hf,则亚稳态上的粒子将以受激辐射的形式跃迁到基态E1上,并辐射处和输入信号中的光子一样的全同光子,从而大大加大了光子数量,使得输入光信号在掺铒光纤中变为一个强的输出光信号,实现 了对光信号的直接放大。
L波段EDFA掺铒光纤放大器系统技术方案 - 筱晓光子
EDFA采用掺铒离子光纤作为增益介质,在泵浦光作用下产生粒子数反转,在信号光诱导下实现受激辐射放大。铒离子有三个能级,在未受任何光激励的情况下,处在最低能级E1上,当用泵浦光源的激光不断激发光纤时,处于基态的粒子获得能量就会向高能级跃迁。如由E1跃迁至E3,由于粒子在E3 这个高能级上是不稳定的,它将迅速以无辐射跃迁过程落到亚稳态E2 上。在该能级上,相对来讲粒子有较长的存活寿命,此时,由于泵浦光源不断的激发,则E2能级上的粒子数就不断的增加,而E1能级上的粒子数就减少,这样,在掺铒光纤中实现了粒子数反转分布,就具备了实现光放大的条件。当输入信号光子能量E=hf正好等于E2和E1 的能级差时,即E2-E1=hf,则亚稳态上的粒子将以受激辐射的形式跃迁到基态E1上,并辐射处和输入信号中的光子一样的全同光子,从而大大加大了光子数量,使得输入光信号在掺铒光纤中变为一个强的输出光信号,实现 了对光信号的直接放大。
半导体材料检测应用文集
赛默飞世尔科技作为科学服务行业的领导者,凭借其离子色谱和电感耦合等离子体质谱和辉光放电质谱的技术实力,不断开发各类半导体材料中痕量无机阴离子、阳离子和金属离子的检测方案,为半导体集成电路制造行业提供多种解决方案,在晶圆表面清洗化学品、晶圆制程化学品、晶圆基材和靶材等各方面,全方位满足半导体生产对相关材料的质量要求,从完整制程出发提供全面可靠的分析技术,促进行业整体质量水平的提高,帮助半导体客户建立起完整质量控制体系,促进中国半导体行业与国际水平接轨。
有机发光半导体材料的制备纯化-从少量制备扩展到大量制备
有机发光半导体材料是一组用于制造OLED显示屏的化合物,主要由可产生荧光的多环芳烃构成。有机发光半导体材料的合成和杂质的结构表征是开发新的、高性能产品必不可少的,而多数情况下需要高纯度化合物,因此需要纯化目标组分。本文中,我们介绍了使用超临界流体色谱Nexera UC分析系统进行小容量制备以及Nexera UC Prep用于大量制备。
珀金埃尔默半导体行业检测解决方案
珀金埃尔默广泛服务于半导体行业用户,我们为半导体实验室提供全光谱和质谱的实验室产品和服务,包括电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)、电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)、原子吸收光谱仪(AAS)、气相色谱(GC),气相色谱质谱仪(GC-MS), 傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR),紫外可见光谱仪(UV),热分析(TA)等及消耗品和服务。在我们提供的所有产品中,珀金埃尔默提供了强大的分析工具,与无与伦比的分析速度和理想的结果。
半导体及相关行业赛默飞色谱质谱及光谱仪综合解决方案
在《国家集成电路产业发展推进纲要》和国家集成电路产业投资基金的推动下,中国半导体市场已成为全球增长引擎。半导体行业的生产良率与经济效益息息相关,而单晶硅锭和晶圆的品质、生产过程中使用的清洗剂和刻蚀剂、封装材料、环境洁净度等都可能会影响生产良率。同时,在当前对环境保护要求日益严苛的大背景下,工业废水等环保问题也成为半导体及相关企业越来越重视的关注点。
用和频光谱(SFG)方法测量有机场效应晶体管半导体/绝缘体界面累积电荷分布
采用立陶宛Ekspla公司的由PL2231-50型脉冲皮秒激光器,PG501-DFG1P高能光学参量发生器构成的和频光谱测量系统,对有机场效应晶体管半导体/绝缘体界面处累积电荷分布进行了实验测量研究。
珀金埃尔默半导体行业检测解决方案
珀金埃尔默广泛服务于半导体行业用户,我们为半导体实验室提供全光谱和质谱的实验室产品和服务,包括电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)、电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)、原子吸收光谱仪(AAS)、气相色谱(GC),气相色谱质谱仪(GC-MS), 傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR),紫外可见光谱仪(UV),热分析(TA)等及消耗品和服务。在我们提供的所有产品中,珀金埃尔默提供了强大的分析工具,与无与伦比的分析速度和理想的结果。
紫外荧光法+电子半导体+半导体表面油污检测
随着半导体技术的不断发展,对工艺技术的要求越来越高,特别是对半导体圆片的表面质量要求越来越严,其主要原因是圆片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率,在目前的集成电路生产中,由于圆片表面沾污问题,在生产过程中造成了很多原材料的浪费。不能获取最高的经济效益。
用和频光谱(SFG)可视化观测运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态
采用立陶宛Ekspla公司PL2230型脉冲皮秒激光器和PG501-DFG1P型皮秒光学参量发生器构成的和频光谱测量系统(SFG)对运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态进行了可视化测量。
SPOS技术在半导体CMP制程中的应用
使用单粒子光学传感技术进行粒径分析,具有高分辨率和精确度的特点,将其与激光衍射等整体检测技术进行比较,应用实例,说明了单粒子光学传感技术对半导体CMP制程的必要性。
微波消解半导体薄膜材料
半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。
微波消解半导体薄膜材料
半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。
7SU9000在半导体方面的应用
在半导体领域,日立电镜专利的E× B技术以及独特的信号控制系统,使得不论是S-4800、SU8000系列亦或是SU8200系列,都在半导体领域的图像观察方面有着无可比拟的优势。而SU9000借助其独特的物镜设计及优化的光学系统不仅成为了一款世界上分辨率最高的电镜,更是强化了日立电镜在半导体领域一贯的统治。
解决方案|ICP法测定半导体行业生产用材料中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌含量
半导体行业目前已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。随着半导体行业进入纳米时代,杂质含量成为非常敏感的存在。如何检测杂质含量已成为半导体工业界面面临的重要挑战。东西分析拥有多款电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)、电感耦合等离子体飞行时间质谱仪(ICP-TOF MS)等产品为半导体行业无论从材料、集成电路制造还是到封装测试等各环节中痕量金属元素分析提供可靠检测方法,助力提升产品质量。本文利用ICP建立了饱和树脂中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌元素的测定方法,供相关人员参考。
XRM应用分享 | 半导体芯片(封装)/电子元器件
目前的半导体产业正面临CMOS微缩极限的挑战,业界需要通过半导体封装技术的不断创新和发展来弥补性能上的差距。
赛默飞半导体全产业链解决方案
半导体行业是国民经济支柱性产业之一,多个“十四五”相关政策均将集成电路列入重点发展项目。随着芯片制程从微米进入到纳米时代,逐渐达到半导体制程设备和制造工艺的极限,细微的污染都可能改变半导体的性质,对于产线的良率管理和提升成为半导体工业界面临的重要挑战!赛默飞作为科学服务领域的领导者,可为半导体行业关键环节提供多层次技术支撑,领先的离子色谱、电感耦合等离子体质谱仪、气质联用仪和液质联用仪等技术可为半导体支撑材料、晶圆制造以及下游应用提供痕量离子态杂质、痕量金属杂质、有机态杂质及材料研发等提供稳健可靠的分析方法,助力全面提升产品良率!
氦质谱检漏仪半导体配件检漏
某专门生产半导体配件公司, 高端不锈钢管, 配件, 阀门和歧管广泛应用于半导体行业, 因半导体行业的苛刻使用要求, 产品漏率值需要达到 10-9mar l/s, 因此需要进行泄漏检测, 已验收管件是否达标. 客户对检漏效率要求较高, 需要在生产线使用且方便移动操作, 经过上海伯东推荐最终选择移动型氦质谱检漏仪 ASM 390.
安捷伦半导体无机元素分析概览
ICP-MS 作为一种金属元素分析仪器应用于半导体产业链,始于 20 世纪 80 年代。随着半导体制程的不断迭代,整个行业对 ICP-MS 的性能提出了越来越高的要求。过去 30 年来,位于日本东京的安捷伦 ICP-MS 全球研发中心与半导体产业链端客户密切合作,引领着 ICP-MS 在全球半导体产业链中的应用不断创新。
安捷伦半导体行业解决方案
作为全球半导体领域的先锋,安捷伦积累了大量创新技术和卓越的服务能力。在半导体产业链 的制程监测、原材料质控、无机杂质、纳米颗粒、有机杂质检测、符合环境健康和安全法规需 求以及真空检漏等方面,都能够为您提供优异的分析仪器、软件、服务和支持,助您取得成功。
半导体行业高低温老化性能测试方法
高低温老化试验箱可以对半导体器件进行恒温高低温老化测试,以了解器件的性能随时间的变化情况。通过控制恒温高低温条件,使半导体器件长时间暴露在高低温、潮湿等极端环境下,从而反复检测其性能的变化趋势及寿命,以评估其质量和可靠性。
inTEST 热流仪半导体芯片高低温测试
上海伯东美国 inTEST 高低温测试机可与爱德万 advantest, 泰瑞达 teradyne, 惠瑞捷 verigy 工程机联用, 进行半导体芯片高低温测试. inTEST 高低温测试机可以快速提供需要的模拟环境温度满足半导体芯片的温度冲击和温度循环测试.
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